JP2005323193A - コンデンサ型音響変換装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】超小型化が可能であり製造工程が少なく、また大量生産が可能なコンデンサ型音響変換装置の製造方法及びコンデンサ型音響変換装置を提供する。
【解決手段】まず、活性層１と支持層２とそれらの間に挟まれた絶縁層３との３層からなるＳＯＩ基板に、ダイアフラム領域を画定する。そしてダイアフラム領域の支持層２に、絶縁層３までエッチングすることで複数のアコースティックホール７を形成する。その後、ダイアフラム領域の絶縁層３を選択的にエッチングし、支持層２と活性層１の間に空隙層４を形成する。最後に活性層１と支持層２にそれぞれ電極パッド１０，１１を形成することで、ダイアフラムとしてシリコンを用いるコンデンサ型音響変換装置を製造する。
【選択図】図３

Description

本発明は、コンデンサ型音響変換装置及びその製造方法に関し、特に、ダイアフラムとしてシリコンを用いるコンデンサ型音響変換装置及びその製造方法に関する。

現在一般的に用いられているコンデンサ型マイクロホンは、広帯域・高感度な音響特性を実現している。しかしその製作には多数の部品の組立や精密な調整が必要なため、大量生産に向いておらず、超小型化や低コスト化が困難であった。このため、超小型で高性能でありさらに量産性にも優れるコンデンサ型マイクロホンの開発が望まれている。このような要求を実現し得るものとして、ダイアフラムとしてシリコンを用いるコンデンサ型のシリコンマイクロホンが近来注目されている。

図１を用いて、一般的なコンデンサ型マイクロホンの基本的な原理を説明する。ダイアフラム１とバックプレート２と呼ばれる電極板を対向配置し、絶縁層３により固定し電極間に空隙層４を設けた構造であり、この電極板でコンデンサを形成している。電極板には抵抗を介してバイアス電圧５が印加され、コンデンサが充電されることになる。この状態で音圧がダイアフラムにかかると、ダイアフラムが振動し、電極間の距離が変わるので静電容量が変化する。この変化が電圧の変化として検出され、プリアンプ６を介して音声出力信号として出力される。コンデンサ型マイクロホンでは、ダイアフラムの振動が過度に制動を受けないようにするためにバックプレート２にはアコースティックホール７が複数設けられている。

そして、このダイアフラムの材料として、シリコンを用いたものがシリコンマイクロホンである。シリコンマイクロホンの多くは、例えば特許文献１に記載のような、単結晶シリコン基板上に多結晶シリコン等の膜をＣＶＤ法等により堆積させてダイアフラムとするものである。また、例えば特許文献２に記載のような、ＳＯＩ基板を用いてそのシリコン基板上に多結晶シリコン等の膜を堆積させてダイアフラムとするものもある。しかしながらこのようにして作られたダイアフラムは機械的な強度不足や撓み等があるため、広帯域で高ダイナミックレンジ、信頼性にも優れたマイクロホンは実現できなかった。

多結晶シリコンではなく、単結晶シリコンは、引っ張り強度が極めて高く、ダイアフラムの材料に適している。そこで、単結晶シリコンのダイアフラムを作成するために非特許文献１に記載のようなシリコンマイクロホンが考えられた。図２は、非特許文献１に記載のシリコンマイクロホンの構造を示したものである。図中、図１と同一の符号を付した部分は同一物を表わしている。この例では、単結晶シリコンにホウ素を添加した層をエッチストップ層とし、エッチングにより単結晶シリコンからなるダイアフラム１を作るものである。

また、ＳＯＩ基板を用いて単結晶シリコンからなるダイアフラムを形成するものとしては、例えば特許文献３もある。これは、ＳＯＩ基板の支持層に大きな開口部を形成し、一方、活性層の上部に絶縁層及び犠牲層を設け、さらにシード層及び背電極を設けることで、活性層である単結晶シリコンをダイアフラムとして用いるものである。

特開２００２−２２３４９９号公報 特開２００３−５３０７１７号公報 特開２００４−０９６５４３号公報 田島 利文著「超小型・高性能シリコンマイクロホン（ＩＣマイク）の開発」ＮＨＫ技研 Ｒ＆Ｄ Ｎｏ．７４、２００２年７月、ｐ．６０−６５

しかしながら、図２の例では、ホウ素の添加によりダイアフラム１の平面性が決まるが、この平面性を高くするのは難しかった。マイクロホンの感度やダイナミックレンジ等の特性は、このダイアフラム１の形状に大きく影響を受けるため、平面性を高くしなければ同じ特性のマイクロホンの量産は不可能である。さらに、この例ではダイアフラム１とバックプレート２との間の距離の位置決めは絶縁性ビーズ９により行われるものである。この電極間の距離もマイクロホンの特性に大きく影響を受ける部分であり、この部分の距離精度も重要となってくる。しかしながら、絶縁性ビーズ９では高精度に距離を合わせることが難しく、量産した場合には同じ特性のマイクロホンは実現しづらいだけでなく、製造工程も複雑となっていた。

また、特許文献３の例では、絶縁層及び犠牲層により電極間の距離が決められるが、熱酸化による絶縁層の形成や塗布による犠牲層の形成では、電極間の距離を完全に一致させることは難しかった。また、厚い支持層に大きな開口部を形成する手間や、複数の層をエッチングやスパッタリング技術を用いて作成する手間等、複雑な工程が必要になってくるため、低コストで短時間に作成するのは難しかった。

本発明は、斯かる実情に鑑み、超小型化が可能であり、さらに製造工程が少なく、また大量生産が可能なコンデンサ型音響変換装置の製造方法を提供しようとするものである。また、このようにして製造された超小型で安価なコンデンサ型音響変換装置を提供しようとするものである。

上述した本発明の目的を達成するために、本発明によるコンデンサ型音響変換装置の製造方法は、活性層と支持層とそれらの間に挟まれた絶縁層との３層からなるＳＯＩ基板を提供する過程と、ＳＯＩ基板にダイアフラム領域を画定する過程と、ダイアフラム領域の支持層に、絶縁層までエッチングすることで複数のアコースティックホールを形成する過程と、アコースティックホールを介してダイアフラム領域の絶縁層を選択的にエッチングし、ダイアフラム領域の活性層と支持層の間に空隙層を形成する過程と、活性層と支持層にそれぞれ電極パッドを形成する過程と、を具備するものである。

ここで、アコースティックホール形成過程は、ドライエッチングで行えば良い。

また、アコースティックホールは、ダイアフラムに対して略垂直、又はダイアフラムに向かってテーパー状に形成されても良い。

さらに、ダイアフラムは、単結晶シリコンからなれば良い。

なお、活性層に形成される電極パッドと支持層に形成される電極パッドは、同一方向に向いて形成されても良い。

さらに、アンプを含む周辺回路を同一基板上に形成する過程を含んでも良い。

またさらに、コンデンサ型音響変換装置を同一基板上に複数形成する過程を含んでも良い。

ここで、複数形成されたコンデンサ型音響変換装置のそれぞれのダイアフラム領域の大きさを変えて画定しても良い。

さらに、複数形成されたコンデンサ型音響変換装置のためのアンプを含む周辺回路を同一基板上にそれぞれ形成する過程を含み、周辺回路により複数形成されたコンデンサ型音響変換装置の信号レベルを揃えても良い。

またさらに、活性層の上にさらに第２絶縁層を介して第２支持層を有するＳＯＩ基板を提供する過程と、ダイアフラム領域の第２支持層に、第２絶縁層までエッチングすることで複数の第２アコースティックホールを形成する過程と、第２アコースティックホールを介してダイアフラム領域の第２絶縁層を選択的にエッチングし、ダイアフラム領域の第２活性層と第２支持層の間に第２空隙層を形成する過程と、第２支持層に第２電極パッドを形成する過程と、を具備しても良い。

また、本発明によるコンデンサ型音響変換装置は、活性層と支持層とそれらの間に挟まれた絶縁層との３層からなるＳＯＩ基板を具備し、支持層は、絶縁層までエッチングすることでダイアフラム領域に形成された複数のアコースティックホールを有し、絶縁層は、ダイアフラム領域の活性層と支持層の間に空隙層を有し、活性層と支持層は、それぞれ電極パッドを有するものである。

本発明のコンデンサ型音響変換装置及びその製造方法によれば、ＳＯＩ基板を利用して、その活性層である単結晶シリコンをダイアフラムとして用い、支持層をバックプレートとして用い、さらに絶縁層を両電極間のスペーサとして用いることで、極めて簡単且つ安価に製造可能であるという利点がある。また、ＳＯＩ基板の活性層は非常に平坦性が高く、膜厚も均一であり、また絶縁層も膜厚が均一であるため、電極間の距離が常に一定の音響変換装置を作成可能であるという利点もある。

以下、本発明を実施するための最良の形態を図示例と共に説明する。なお、コンデンサ型音響変換装置として、具体的にはコンデンサ型マイクロホンを中心に説明していくが、本発明はこれに限定されず、同様の原理であるコンデンサ型スピーカにも適用可能であることは勿論である。

図３（ａ）〜図３（ｅ）は、本発明のコンデンサ型音響変換装置の製造方法の一例を説明するための概念図であり、図中、図１と同一の符号を付した部分は同一の機能を提供する物を表わしている。同図に示すように、本発明の製造方法は、概ねＳＯＩ基板を提供する過程（図３（ａ））と、電極取り出し口を形成する過程（図３（ｂ））と、ダイアフラム領域を画定してその領域内にアコースティックホールを設ける過程（図３（ｃ））と、電極間に空隙層を設ける過程（図３（ｄ））と、各電極に対して電極パッドを形成する過程（図３（ｅ））とからなる。以下に各過程をより詳細に説明する。

図３（ａ）を参照すると、活性層１と支持層２とそれらの間に挟まれた絶縁層３との３層からなるＳＯＩ基板が提供されている。活性層１及び支持層２は、単結晶シリコンからなり、絶縁層３は電気絶縁性の高いＳｉＯ_２等の酸化膜等からなる。これらは、貼り合わせ法や酸素イオン注入法により作成されたものである。ＳＯＩ基板は市販のものを利用することができ、その厚みとして一例を挙げると、例えば活性層１は５μｍ、絶縁層３は２μｍ、支持層２は０．５ｍｍ程度のもの等が容易に入手可能である。本発明では、このようなＳＯＩ基板の活性層１をダイアフラムとして、支持層２をバックプレートとして利用するものである。

次に、バックプレートとなる支持層２から電極を上方から取り出せるようにするために、図３（ｂ）に示すように活性層１の一部を除去する。具体的には、例えばレジスト膜を活性層１の表面に塗布し、フォトリソグラフィ技術によりマスクパターンを露光し、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により活性層１の一部を絶縁層３までエッチングし、その後レジスト膜を除去する。なお、本発明はこのようなエッチング法には限定されず、単結晶シリコンからなる活性層１の一部を除去できるものであれば種々のエッチング法を用いることが可能である。また、活性層１に後に設けられる電極パッドと支持層２に後に設けられる電極パッドとを同一方向に向けて形成するために、活性層１の一部を除去した例を説明したが、本発明はこれに限定されず、活性層１の電極パッドと支持層２の電極パッドとが両側に設けられても構わない場合には、特に活性層１の一部を除去するためのこれらの過程は必要はない。

次に、図３（ｃ）に示すように、バックプレートとなる支持層２のダイアフラム領域にアコースティックホール７を形成する。ダイアフラム領域は、例えば直径１ｍｍ〜８ｍｍ程度の円形が考えられる。この大きさは、作成する音響変換装置の用途や、目的とする周波数特性やダイナミックレンジに合わせて種々画定可能である。アコースティックホール７は、ドライエッチング、例えば、支持層２側（裏面）の表面にレジスト膜を塗布し、フォトリソグラフィ技術によりマスクパターンを露光し、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により支持層２の一部を絶縁層３までエッチングし、その後レジスト膜を除去することにより作成される。ここで、支持層２は０．５ｍｍ等とある程度厚みがあるため、より深く加工可能なＤｅｅｐ ＲＩＥという技術を用いることが可能である。これは、シリコンをエッチングする場合にはＳＦ_６とＣ_４Ｆ_８のガスを交互に導入することで、エッチングと側壁保護を繰り返す方法である。このＤｅｅｐ ＲＩＥによると、アスペクト比が高い構造であっても垂直にエッチングすることが可能となる。Ｄｅｅｐ ＲＩＥを用いてアコースティックホール７を形成することで、アコースティックホール７が活性層１に対して略垂直になるように形成可能である。

なお、上記ではＤｅｅｐ ＲＩＥを用いて略垂直なアコースティックホールを形成する例を説明したが、本発明はこれに限定されず、例えば図４に示すように、アコースティックホール７が活性層１に向かってテーパー状になるように形成しても構わない。これらは、音響変換装置に求められる特性・用途等に合わせて種々変更可能である。このように、ドライエッチングは反応性イオンエッチング、反応性スパッタエッチング、プラズマイオンエッチング、イオンビームエッチング等、種々のエッチング技術が利用可能である。

次に図３（ｄ）に示すように、ダイアフラム領域の絶縁層３をウェットエッチング等により除去する。より具体的には、例えば絶縁層３がＳｉＯ_２からなれば、フッ化アンモニウム水溶液等のエッチング液を、アコースティックホール７を介して導入して絶縁層３を選択的にエッチングする。なお、本発明はこのエッチング方法には限定されず、絶縁層３を選択的にエッチング可能なものであれば種々利用可能である。このエッチングによりダイアフラム領域の絶縁層３が除去され、その部分が空隙層４となる。なお、同時に図３（ｂ）で作成した電極取り出し口の部分の絶縁層３も除去され、支持層２の電極取り出し口の部分が露出する。

そして、図３（ｅ）に示すように、活性層１の上部表面に電極パッド１０を、電極取り出し口の上部表面に電極パッド１１を形成する。この電極パッドの形成は、例えば、蒸着によりアルミニウム層をＳＯＩ基板全体に成膜し、表面にレジスト膜を塗布し、フォトリソグラフィ技術によりマスクパターンを露光し、ウェットエッチング等により電極パッド１０、１１を形成する部分のみにアルミニウム層を残し、その後レジスト膜を除去することで行われる。なお、本発明はこの電極パッド形成方法には限定されず、電極パッドを所定の場所に設けられるものであれば種々の技術が利用可能である。

このようにして製造されたコンデンサ型音響変換装置の、より実際のものに近い下面図（バックプレート側から見た図）及びその断面図を図５（ａ）、図５（ｂ）にそれぞれ示す。同図に示すように、本発明のコンデンサ型音響変換装置は、上下両方の電極を一方向から取り出すことが可能となるため、使い勝手の良い素子を実現可能である。なお、図５に示す例では、バックプレート側の一方向に電極パッドを設けたものを示している。また、円形のダイアフラム領域の直径を変えることで、あらゆる特性の音響変換装置を実現可能である。

ここで、本発明の音響変換装置の製造方法に拠れば、一般的な半導体処理工程を用いることができるため、同一基板上に他の周辺回路、例えばマイクロホンであればアンプ等を一緒に作成することも可能となる。これにより音響変換装置のワンチップ化が可能となる。さらに、半導体処理工程による製造のため、同一ウェーハ上に複数の音響変換装置を大量に一気に作成することも可能となる。また、複数の音響変換装置を作成する場合には、ダイアフラム領域の大きさを変えて作成することも勿論可能である。

図６は、コンデンサ型音響変換装置におけるダイアフラム領域の直径を変えたときのダイアフラムの変位−周波数特性のシミュレーショングラフである。図示のように、ダイアフラム領域を小さくすればするほど、ダイアフラムの変位は小さくなるが周波数特性はより高周波領域まで伸びる。したがって、これを利用して複数の直径のダイアフラムを有する音響変換装置を作成し、これらを並列に用いて、全体として広帯域の音響変換装置とすることも可能である。また、図６に示すようにダイアフラム領域の大きさが変わると変位も変わるため、出力される電圧のレベルも個々の音響変換装置によって変わってしまうが、アンプを含む周辺回路を同時に作成するときに各音響変換装置のためのアンプのゲイン特性を変えることで、出力信号レベルを揃えることも勿論可能である。本発明に拠れば、常に一定の特性の音響変換装置を製造可能なため、出力信号レベルを揃えることも容易である。また、不要な共振点の部分等は、フィルタによりカットすることも勿論可能である。これらは音響変換装置の用途・使用目的に応じて種々変更可能である。

これまで説明してきた本発明の音響変換装置は、音圧を受ける方向は一方向（単一方向）である。次に説明する本発明の音響変換装置は、上下２方向（双方向）の指向性を有するものである。図７は、本発明による２方向の指向性を有する音響変換装置である。これは、活性層１を共通とするＳＯＩ基板を上側にも設けた基板を用いたものである。活性層１の上に、第２絶縁層３’を介して第２支持層２’がある。第２支持層２’にアコースティックホール７’を形成し、第２絶縁層３’を選択的にエッチングすることで空隙層４’を形成する。そして、第２支持層２’に第２電極パッド１１’を設ける。これらのエッチング過程や堆積過程は、上述した一方向の音響変換装置の製造方法と同じように行えば良い。このように構成すると、両側で音響変換が同じ特性で可能となる。

なお、本発明のコンデンサ型音響変換装置及びその製造方法は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。コンデンサ型音響変換装置の大きさや厚みは、上述の例には限定されず、その用途・機能等に応じて種々変更可能である。また、コンデンサ型音響変換装置は、マイクロホンだけでなくスピーカにも適用可能である。さらに、本発明による方法及び装置は、変位測定センサ等にも応用可能である。

図１は、コンデンサ型音響変換装置の一般的な基本原理を説明するための図である。 図２は、従来のコンデンサ型シリコンマイクロホンを説明するための図である。 図３は、本発明のコンデンサ型音響変換装置の製造方法を説明するための概念図である。 図４は、本発明のコンデンサ型音響変換装置のアコースティックホールの形状の変形例である。 図５は、本発明のコンデンサ型音響変換装置のより具体的な下面図及び断面図である。 図６は、本発明のコンデンサ型音響変換装置のダイアフラム領域を変えた場合の変位−周波数特性のシミュレーショングラフである。 図７は、本発明のコンデンサ型音響変換装置の指向性が２方向のものを説明するための概念図である。

符号の説明

１ 活性層
２ 支持層
３ 絶縁層
４ 空隙層
５ バイアス電圧
６ プリアンプ
７ アコースティックホール
９ 絶縁性ビーズ
１０，１１ 電極パッド

Claims (21)

1. ダイアフラムとしてシリコンを用いるコンデンサ型音響変換装置の製造方法であって、該方法は、
   活性層と支持層とそれらの間に挟まれた絶縁層との３層からなるＳＯＩ基板を提供する過程と、
   前記ＳＯＩ基板にダイアフラム領域を画定する過程と、
   前記ダイアフラム領域の前記支持層に、前記絶縁層までエッチングすることで複数のアコースティックホールを形成する過程と、
   前記アコースティックホールを介して前記ダイアフラム領域の前記絶縁層を選択的にエッチングし、前記ダイアフラム領域の前記活性層と前記支持層の間に空隙層を形成する過程と、
   前記活性層と前記支持層にそれぞれ電極パッドを形成する過程と、
   を具備することを特徴とするコンデンサ型音響変換装置の製造方法。
2. 請求項１に記載の製造方法において、前記アコースティックホール形成過程は、ドライエッチングで行うことを特徴とするコンデンサ型音響変換装置の製造方法。
3. 請求項１又は請求項２に記載の製造方法において、前記アコースティックホールは、前記ダイアフラムに対して略垂直に形成されることを特徴とするコンデンサ型音響変換装置の製造方法。
4. 請求項１又は請求項２に記載の製造方法において、前記アコースティックホールは、前記ダイアフラムに向かってテーパー状に形成されることを特徴とするコンデンサ型音響変換装置の製造方法。
5. 請求項１乃至請求項４の何れかに記載の製造方法において、前記ダイアフラムは、単結晶シリコンからなることを特徴とするコンデンサ型音響変換装置の製造方法。
6. 請求項１乃至請求項５の何れかに記載の製造方法において、前記活性層に形成される電極パッドと前記支持層に形成される電極パッドは、同一方向に向いて形成されることを特徴とするコンデンサ型音響変換装置の製造方法。
7. 請求項１乃至請求項６の何れかに記載の製造方法であって、さらに、アンプを含む周辺回路を同一基板上に形成する過程を含むことを特徴とするコンデンサ型音響変換装置の製造方法。
8. 請求項１乃至請求項７の何れかに記載の製造方法であって、さらに、コンデンサ型音響変換装置を同一基板上に複数形成する過程を含むことを特徴とするコンデンサ型音響変換装置の製造方法。
9. 請求項８に記載の製造方法において、前記ダイアフラム領域画定過程は、前記複数形成されたコンデンサ型音響変換装置のそれぞれのダイアフラム領域の大きさを変えて画定する過程であることを特徴とするコンデンサ型音響変換装置の製造方法。
10. 請求項８又は請求項９に記載の製造方法であって、さらに、前記複数形成されたコンデンサ型音響変換装置のためのアンプを含む周辺回路を同一基板上にそれぞれ形成する過程を含み、前記周辺回路により前記複数形成されたコンデンサ型音響変換装置の信号レベルを揃えることを特徴とするコンデンサ型音響変換装置の製造方法。
11. 請求項１乃至請求項１０に記載の製造方法であって、さらに、
    前記活性層の上にさらに第２絶縁層を介して第２支持層を有するＳＯＩ基板を提供する過程と、
    前記ダイアフラム領域の前記第２支持層に、前記第２絶縁層までエッチングすることで複数の第２アコースティックホールを形成する過程と、
    前記第２アコースティックホールを介して前記ダイアフラム領域の前記第２絶縁層を選択的にエッチングし、前記ダイアフラム領域の前記第２活性層と前記第２支持層の間に第２空隙層を形成する過程と、
    前記第２支持層に第２電極パッドを形成する過程と、
    を具備することを特徴とするコンデンサ型音響変換装置の製造方法。
12. ダイアフラムとしてシリコンを用いるコンデンサ型音響変換装置であって、該装置は、
    活性層と支持層とそれらの間に挟まれた絶縁層との３層からなるＳＯＩ基板を具備し、
    前記支持層は、前記絶縁層までエッチングすることでダイアフラム領域に形成された複数のアコースティックホールを有し、
    前記絶縁層は、前記ダイアフラム領域の前記活性層と前記支持層の間に空隙層を有し、
    前記活性層と前記支持層は、それぞれ電極パッドを有する、
    ことを特徴とするコンデンサ型音響変換装置。
13. 請求項１２に記載のコンデンサ型音響変換装置において、前記アコースティックホールは、前記ダイアフラムに対して略垂直であることを特徴とするコンデンサ型音響変換装置。
14. 請求項１２に記載のコンデンサ型音響変換装置において、前記アコースティックホールは、前記ダイアフラムに向かってテーパー状であることを特徴とするコンデンサ型音響変換装置。
15. 請求項１２乃至請求項１４の何れかに記載のコンデンサ型音響変換装置において、前記ダイアフラムは単結晶シリコンからなることを特徴とするコンデンサ型音響変換装置。
16. 請求項１２乃至請求項１５の何れかに記載のコンデンサ型音響変換装置において、前記活性層の電極パッドと前記支持層の電極パッドは、同一の方向に向いていることを特徴とするコンデンサ型音響変換装置。
17. 請求項１２乃至請求項１６の何れかに記載のコンデンサ型音響変換装置であって、さらに、同一基板上にアンプを含む周辺回路を有することを特徴とするコンデンサ型音響変換装置。
18. 請求項１２乃至請求項１７の何れかに記載のコンデンサ型音響変換装置であって、さらに、同一基板上にコンデンサ型音響変換装置を複数有することを特徴とするコンデンサ型音響変換装置。
19. 請求項１８に記載のコンデンサ型音響変換装置において、前記複数のコンデンサ型音響変換装置は、ダイアフラム領域の大きさがそれぞれ異なることを特徴とするコンデンサ型音響変換装置。
20. 請求項１８又は請求項１９に記載のコンデンサ型音響変換装置であって、さらに、前記複数のコンデンサ型音響変換装置のためのアンプを含む周辺回路をそれぞれ同一基板上に有し、前記周辺回路により前記複数形成されたコンデンサ型音響変換装置の信号レベルが揃えられることを特徴とするコンデンサ型音響変換装置。
21. 請求項１２乃至請求項２０の何れかに記載のコンデンサ型音響変換装置であって、さらに、
    前記活性層の上にさらに第２絶縁層を介して第２支持層を有するＳＯＩ基板を具備し、
    前記第２支持層は、前記第２絶縁層までエッチングすることでダイアフラム領域に形成された複数の第２アコースティックホールを有し、
    前記第２絶縁層は、前記ダイアフラム領域の前記第２活性層と前記第２支持層の間に第２空隙層を有し、
    前記第２支持層は、第２電極パッドを有する、
    ことを特徴とするコンデンサ型音響変換装置。