JP4355273B2 - 静電容量型センサ及びその製造方法 - Google Patents
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ことができる。
21 シリコン支持基板(第1基板)
22 酸化シリコン層(第1絶縁層)
23 可動電極板
23a ダイアフラム
23b 気孔
24 犠牲層(第2絶縁層)
25 バックプレート
26、27 電極
30 SOI基板(積層基板)
33 シリコン活性層
34 シリコン酸化膜(第1絶縁膜)
34a 開口部(第1開口部)
35 シリコン酸化膜
36 研磨ストッパ(第3絶縁層)
37 Si-B-Oガラス層
38 シリコン基板(第2基板)
39 シリコン酸化膜(第2絶縁膜)
39a 開口部(第2開口部)
40 シリコン酸化膜(第3絶縁膜)
40a 開口部(第3開口部)
41 スクライブライン
Claims (8)
- 基板と、前記基板上に形成された第1絶縁層と、前記第1絶縁層上に形成された可動電極板と、前記可動電極板から所定の間隔をおいて対向配置された固定電極板と、前記基板上に設けられ前記固定電極板を支持する支持部とを備え、
前記支持部は、前記第1絶縁層と、前記可動電極板と同一の厚さで前記第1絶縁層上に形成された第3絶縁層と、該第3絶縁層上に形成され前記所定の間隔を設定する第2絶縁層とを含むことを特徴とする静電容量型センサ。 - 前記可動電極板、前記第1絶縁層及び前記基板は、それぞれ、SOI基板のシリコン活性層、絶縁層及びシリコン支持基板によって形成されることを特徴とする請求項1に記載の静電容量型センサ。
- 前記シリコン活性層の不純物濃度は、1018cm−3以下であることを特徴とする請求項2に記載の静電容量型センサ。
- 前記可動電極板は、ダイアフラム、カンチレバー及びバネにより支持された可動板のうちの少なくとも一つであることを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれか1項に記載の静電容量型センサ。
- 請求項1から請求項4までのいずれか1項に記載の静電容量型センサを備え、入力された音波の強度に応じて前記可動電極板を振動させ、前記可動電極板と前記固定電極板との間の静電容量の変化に基づいて前記音波を電気信号に変換することを特徴とするマイクロホン装置。
- 第1基板上に絶縁層と半導体層とが順次積層された積層基板の前記半導体層に第1開口部を有する第1絶縁膜を形成する工程と、前記第1開口部内の前記半導体層を除去し前記半導体層の研磨寸法を設定するための研磨ストッパ層を前記絶縁層上に形成する工程と、前記半導体層の厚さが前記研磨ストッパ層の厚さと一致するまで前記半導体層を研磨して可動電極板を形成する工程と、前記可動電極板上に犠牲層を形成する工程と、前記犠牲層上に第2基板を貼り合わせる工程と、前記第1基板上に第2開口部を有する第2絶縁膜を形成する工程と、前記第2基板上に第3開口部を有する第3絶縁膜を形成する工程と、前記第2開口部内の第1基板にエッチング処理を施し、前記第2開口部内の第1基板上に位置する絶縁層でエッチングを停止させることにより第1基板を除去する工程と、前記第3開口部内の第2基板にエッチング処理を施し、前記第3開口部内の第2基板の下に位置する犠牲層でエッチングを停止させることにより第2基板を除去して固定電極板を形成する工程と、前記固定電極板を支持する支持部を前記第1基板上に形成する工程であって、前記支持部を形成する範囲とは異なる範囲に存在する前記犠牲層、前記第2絶縁膜、前記第3絶縁膜及び前記第1基板上の絶縁層を同時に除去する工程とを含む静電容量型センサの製造方法。
- 前記支持部を形成する工程において、気孔及びスリットのいずれかを前記可動電極板に形成することを特徴とする請求項6に記載の静電容量型センサの製造方法。
- 前記支持部を形成する工程において、スクライブラインを前記第1基板上に形成することを特徴とする請求項6又は請求項7に記載の静電容量型センサの製造方法。
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