JP2006188427A5 - 強誘電体膜、強誘電体メモリ装置、圧電素子、半導体素子、圧電アクチュエータ、液体噴射ヘッド及びプリンタ - Google Patents
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Description
本発明は、強誘電体膜、及びその製造方法、ならびに強誘電体膜を有する強誘電体キャパシタを用いて構成される強誘電体メモリ装置、圧電素子、半導体素子、圧電アクチュエータ、液体噴射ヘッド、プリンタに関する。
本発明の目的は、１Ｔ１Ｃ、２Ｔ２Ｃ及び単純マトリクス型強誘電体メモリのいずれにも使用可能なヒステリシス特性を持つ強誘電体キャパシタを含む、１Ｔ１Ｃ、２Ｔ２Ｃ及び単純マトリクス型強誘電体メモリを提供することにある。また、本発明の他の目的は、上記強誘電体メモリに好適な強誘電体膜およびその製造方法を提供することにある。また、本発明の他の目的は、上記強誘電体膜を用いた圧電素子および半導体素子を提供することにある。さらに、本発明の他の目的は、上記圧電素子を用いた圧電アクチュエータ、圧電アクチュエータを用いた液体噴射ヘッド、および液体噴射ヘッドを用いたプリンタを提供することにある。
（９）また、本発明は、上記強誘電体膜を用いた、強誘電体メモリ装置、圧電素子、および半導体素子に適用することができる。また、本発明は、上記圧電素子を用いた圧電アクチュエータに適用することができる。また、本発明は、上記圧電アクチュエータを用いた液体噴射ヘッドに適用することができる。さらに、本発明は、上記液体噴射ヘッドを用いたプリンタに適用することができる。
Claims (14)
- ＡＢ１−ｘＮｂｘＯ３で表される強誘電体膜であって、
Ａ元素として、少なくともＰｂを含み、
Ｂ元素として、ＺｒおよびＴｉを含み、
０．１≦ｘ≦０．４であって、
Ｓｉを含む、強誘電体膜。 - 請求項１において、
０．１≦ｘ≦０．３である、強誘電体膜。 - 請求項１において、
０．２≦ｘ≦０．４である、強誘電体膜。 - 請求項１において、
０．２≦ｘ≦０．３である、強誘電体膜。 - 請求項１〜４のいずれかにおいて、
前記強誘電体膜は、正方晶系および稜面体晶系の少なくとも一方の結晶構造を有する、
強誘電体膜。 - 請求項１〜５のいずれかにおいて、
Ｐｂの欠損量の２倍に相当する組成比でＮｂを含む、強誘電体膜。 - 請求項１〜６のいずれかにおいて、
０．５モル％以上、５モル％未満の前記Ｓｉを含む、強誘電体膜。 - 請求項１〜７のいずれかにおいて、
さらにＧｅを含む、強誘電体膜 - 請求項１〜８のいずれかに記載の強誘電体膜を用いた、強誘電体メモリ装置。
- 請求項１〜８のいずれかに記載の強誘電体膜を用いた、半導体素子。
- 請求項１〜８のいずれかに記載の強誘電体膜を用いた、圧電素子。
- 請求項１１に記載の圧電素子を用いた、圧電アクチュエータ。
- 請求項１２に記載の圧電アクチュエータを用いた、液体噴射ヘッド。
- 請求項１３に記載の液体噴射ヘッドを用いた、プリンタ。
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