JP2008266770A5 - - Google Patents
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Description
焼結助剤やアクセプタイオンによって強誘電性能が低下することが知られている。本発明では焼結助剤やアクセプタイオンを必須としないので、焼結助剤やアクセプタイオンによる強誘電性能の低下が抑制され、ドナイオンの添加による強誘電性能の向上が最大限引き出される。なお、本発明では、焼結助剤やアクセプタイオンを必須としないが、特性に支障のない限り、これらを添加することは差し支えない。
Claims (11)
- 基板上に下記式（Ｐ）で表されるペロブスカイト型酸化物を主成分とする強誘電体膜を成膜する方法であって、
成膜する前記強誘電体膜の膜組成に応じた組成のターゲットと基板とを対向配置させ、
下記式（１）及び（２）を充足する成膜条件で、スパッタ法により成膜することを特徴とする強誘電体膜の成膜方法。
Ａ１＋δ［（ＺｒｘＴｉ１−ｘ）１−ｙＭｙ］Ｏｚ・・・（Ｐ）
（式中、ＡはＡサイト元素であり、Ｐｂを主成分とする少なくとも１種の元素である。
Ｚｒ，Ｔｉ，及びＭはＢサイト元素である。ＭはＶ，Ｎｂ，Ｔａ，及びＳｂからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素である。
０＜ｘ≦０．７、０．１≦ｙ≦０．４。
δ＝０及びｚ＝３が標準であるが、これらの値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準値からずれてもよい。）
４００≦Ｔｓ（℃）≦５００・・・（１）、
３０≦Ｄ（ｍｍ）≦８０・・・（２）
（式（１）及び（２）中、Ｔｓ（℃）は成膜温度、Ｄ（ｍｍ）は基板とターゲットとの離間距離である。） - 基板上に下記式（Ｐ）で表されるペロブスカイト型酸化物を主成分とする強誘電体膜を成膜する方法であって、
成膜する前記強誘電体膜の膜組成に応じた組成のターゲットと基板とを対向配置させ、
下記式（３）及び（４）を充足する成膜条件で、スパッタ法により成膜することを特徴とする強誘電体膜の成膜方法。
Ａ１＋δ［（ＺｒｘＴｉ１−ｘ）１−ｙＭｙ］Ｏｚ・・・（Ｐ）
（式中、ＡはＡサイト元素であり、Ｐｂを主成分とする少なくとも１種の元素である。
Ｚｒ，Ｔｉ，及びＭはＢサイト元素である。ＭはＶ，Ｎｂ，Ｔａ，及びＳｂからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素である。
０＜ｘ≦０．７、０．１≦ｙ≦０．４。
δ＝０及びｚ＝３が標準であるが、これらの値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準値からずれてもよい。）
５００≦Ｔｓ（℃）≦６００・・・（３）、
３０≦Ｄ（ｍｍ）≦１００・・・（４）
（式（３）及び（４）中、Ｔｓ（℃）は成膜温度、Ｄ（ｍｍ）は基板とターゲットとの離間距離である。） - 前記強誘電体膜がＳｉを実質的に含まないことを特徴とする請求項１又は２に記載の強誘電体膜の成膜方法。
- 式（Ｐ）中のδが０＜δ≦０．２の範囲内にあることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の強誘電体膜の成膜方法。
- 式（Ｐ）中のｙが０．２≦ｙ≦０．４の範囲内にあることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の強誘電体膜の成膜方法。
- 式（Ｐ）中のＡがＢｉを含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の強誘電体膜の成膜方法。
- 請求項１〜６のいずれかに記載の強誘電体膜の成膜方法によって成膜されたことを特徴とする強誘電体膜。
- 多数の柱状結晶からなる膜構造を有することを特徴とする請求項７に記載の強誘電体膜。
- ３．０μｍ以上の膜厚を有することを特徴とする請求項７又は８に記載の強誘電体膜。
- 請求項７〜９のいずれかに記載の強誘電体膜と、該強誘電体膜に対して電界を印加する電極とを備えたことを特徴とする強誘電体素子。
- 請求項１０に記載の強誘電体素子からなる圧電素子と、
液体が貯留される液体貯留室及び該液体貯留室から外部に前記液体が吐出される液体吐出口を有する液体貯留吐出部材とを備えたことを特徴とする液体吐出装置。
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