JP4438892B1 - 圧電体とその製造方法、圧電素子、及び液体吐出装置 - Google Patents
圧電体とその製造方法、圧電素子、及び液体吐出装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4438892B1 JP4438892B1 JP2009022392A JP2009022392A JP4438892B1 JP 4438892 B1 JP4438892 B1 JP 4438892B1 JP 2009022392 A JP2009022392 A JP 2009022392A JP 2009022392 A JP2009022392 A JP 2009022392A JP 4438892 B1 JP4438892 B1 JP 4438892B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- piezoelectric
- film
- piezoelectric body
- perovskite
- measured
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 28
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 8
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 8
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 7
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 2
- 238000000833 X-ray absorption fine structure spectroscopy Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 113
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 52
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 48
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 45
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 44
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 25
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 13
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N lead oxide Chemical compound [O-2].[Pb+2] HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 3
- 238000003991 Rietveld refinement Methods 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000002253 near-edge X-ray absorption fine structure spectrum Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 2
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- 241000877463 Lanio Species 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004121 SrRuO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 1
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- -1 plasma potential Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 229910002076 stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/48—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates
- C04B35/49—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates containing also titanium oxides or titanates
- C04B35/491—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates containing also titanium oxides or titanates based on lead zirconates and lead titanates, e.g. PZT
- C04B35/493—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates containing also titanium oxides or titanates based on lead zirconates and lead titanates, e.g. PZT containing also other lead compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/088—Oxides of the type ABO3 with A representing alkali, alkaline earth metal or Pb and B representing a refractory or rare earth metal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
- H10N30/074—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing
- H10N30/076—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing by vapour phase deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
- H10N30/853—Ceramic compositions
- H10N30/8548—Lead-based oxides
- H10N30/8554—Lead-zirconium titanate [PZT] based
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3239—Vanadium oxides, vanadates or oxide forming salts thereof, e.g. magnesium vanadate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3251—Niobium oxides, niobates, tantalum oxides, tantalates, or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3294—Antimony oxides, antimonates, antimonites or oxide forming salts thereof, indium antimonate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/76—Crystal structural characteristics, e.g. symmetry
- C04B2235/768—Perovskite structure ABO3
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/79—Non-stoichiometric products, e.g. perovskites (ABO3) with an A/B-ratio other than 1
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/80—Phases present in the sintered or melt-cast ceramic products other than the main phase
- C04B2235/81—Materials characterised by the absence of phases other than the main phase, i.e. single phase materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
- H10N30/204—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators using bending displacement, e.g. unimorph, bimorph or multimorph cantilever or membrane benders
- H10N30/2047—Membrane type
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明の圧電体は、下記式で表されるペロブスカイト型酸化物(P)からなり(不可避不純物を含んでいてもよい)、XAFSで計測されるPb4+とPb2+の信号強度比I(Pb4+)/I(Pb2+)が0超0.60未満である。
Pba(Zrx,Tiy,Mb−x−y)bOc・・・(P)
(式中、Mは1種又は2種以上の金属元素。0<x<b、0<y<b、0≦b−x−y。a:b:c=1:1:3が標準であるが、これらのモル比はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準モル比からずれてもよい。)
【選択図】なし
Description
Pba(Zrx,Tiy,Mb−x−y)bOc・・・(P)
(式中、Mは1種又は2種以上のBサイト元素を示す。
0<x<b、0<y<b、0≦b−x−y。
a:b:c=1:1:3が標準であるが、これらのモル比はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準モル比からずれてもよい。)
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、耐久性が良好なPZT系の圧電体とその製造方法を提供することを目的とするものである。
本発明はまた、圧電性能と耐久性とがいずれも良好なPZT系の圧電体とその製造方法を提供することを目的とするものである。
パイロクロア相を含まないペロブスカイト単相構造であり、
XAFS(X線吸収微細構造解析)で計測されるPb4+とPb2+の信号強度比I(Pb4+)/I(Pb2+)が0超0.60未満であることを特徴とするものである。
Pba(Zrx,Tiy,Mb−x−y)bOc・・・(P)
(式中、MはV,Nb,Ta,及びSbからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素を含む1種又は2種以上の金属元素を示す。
0<x<b、0<y<b、0<b−x−y。
x/(x+y)が0.40以上0.60以下。
a:b:c=1:1:3が標準であるが、これらのモル比はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準モル比からずれてもよい。)
a/b≧1.07の条件で成膜を行う工程(A)と、a/b<1.07の条件で成膜を行う工程(B)とを順次実施して、
パイロクロア相を含まないペロブスカイト単相構造であり、
XAFS(X線吸収微細構造解析)で計測されるPb4+とPb2+の信号強度比I(Pb4+)/I(Pb2+)が0超0.60未満である圧電体膜を製造することを特徴とするものである。
Pba(Zrx,Tiy,Mb−x−y)bOc・・・(P)
(式中、MはV,Nb,Ta,及びSbからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素を含む1種又は2種以上の金属元素を示す。
0<x<b、0<y<b、0<b−x−y。
x/(x+y)が0.40以上0.60以下。
a:b:c=1:1:3が標準であるが、これらのモル比はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準モル比からずれてもよい。)
本発明によれば、40℃相対湿度80%の高温高湿環境下における耐久性が良好なPZT系の圧電体とその製造方法を提供することができる。
本発明によれば、圧電性能と耐久性とがいずれも良好なPZT系の圧電体とその製造方法を提供することができる。
非特許文献3には、非MPB組成のPZT膜(Zr/Tiモル比=57/43、Pb/(Zr+Ti)モル比=1.07,1.15等)においてX線リートベルト解析を実施しており、Bサイトに4価Pbが存在すると構造的に辻褄が合うことが記載されている。
非特許文献4には、非MPB組成のPZT膜(Zr/Tiモル比=45/55、Pb/(Zr+Ti)モル比=1.30において、TEM観察でPbO等の偏析が見られないことから、過剰なPbが4価としてBサイトに入っているのではないかと推測している。
しかしながら、いずれも推測の域を超えていない。また、いずれも非MPB組成のPZTに関するものであり、MPB組成については4価Pbの存在について推測さえも報告されていない。MPB組成ではナノ構造が複雑であり、X線リートベルト解析ではPZT中のPbの価数分析はできない。
非特許文献3:PHYSICAL REVIEW B 66, 064102 (2002)、
非特許文献4:Integrated Ferroelectrics, Vol.36, p.53-62 (2001)
パイロクロア相を含まないペロブスカイト単相構造であり、
XAFS(X線吸収微細構造解析)で計測されるPb4+とPb2+の信号強度比I(Pb4+)/I(Pb2+)が0超0.60未満であることを特徴とするものである。
Pba(Zrx,Tiy,Mb−x−y)bOc・・・(P)
(式中、MはV,Nb,Ta,及びSbからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素を含む1種又は2種以上の金属元素を示す。
0<x<b、0<y<b、0<b−x−y。
x/(x+y)が0.40以上0.60以下。
a:b:c=1:1:3が標準であるが、これらのモル比はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準モル比からずれてもよい。)
したがって、ペロブスカイト型酸化物(P)のx,yは、MPB組成又はそれに近いことが好ましい。具体的には、x/(x+y)は0.40以上0.60以下であり、0.45以上0.55以下であることが特に好ましい。
1-δPbO + (Zr,Ti)O2 → 1/2 Pb2-δ/2 (Zr,Ti)2O6-δ/2(パイロクロア)
δPbO+1/2 Pb1-δ(Zr,Ti)O3-δ → Pb(Zr,Ti)O3(ペロブスカイト)
例えば、基板がシリコン基板、酸化シリコン基板、あるいはSOI基板等の含シリコン基板の場合、800℃以上の高温では、PbとSiとが反応して鉛ガラスが生成されて基板が脆弱化するため、800℃未満の比較的低温で成膜することが必須である。
a/b≧1.07の条件で成膜を行う工程(A)と、a/b<1.07の条件で成膜を行う工程(B)とを順次実施して、
パイロクロア相を含まないペロブスカイト単相構造であり、
XAFS(X線吸収微細構造解析)で計測されるPb4+とPb2+の信号強度比I(Pb4+)/I(Pb2+)が0超0.60未満である圧電体膜を製造することを特徴とするものである。
Pba(Zrx,Tiy,Mb−x−y)bOc・・・(P)
(式中、MはV,Nb,Ta,及びSbからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素を含む1種又は2種以上の金属元素を示す。
0<x<b、0<y<b、0<b−x−y。
x/(x+y)が0.40以上0.60以下。
a:b:c=1:1:3が標準であるが、これらのモル比はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準モル比からずれてもよい。)
例えば、スパッタ法は、基板とターゲットとを対向配置させ、減圧下でプラズマ化させたガスをターゲットに衝突させ、そのエネルギーによりターゲットから飛び出した分子や原子を基板に付着させる成膜方法である。スパッタ法において、a/bは、ターゲット組成、成膜温度、基板の表面エネルギー、成膜圧力、雰囲気ガス中の酸素量、プラズマ電位、及び基板/ターゲット間距離等の成膜に関与するファクターのうち1種又は2種以上を変えることで、調整できる。
圧電体膜の基板側に下部電極が形成され、基板と反対側に多数の上部電極が形成された圧電素子の形態で、圧電体膜の圧電定数d31を測定する。上部電極は、圧電体膜側から20nm厚のTi膜と150nm厚のPt膜とが順次形成された積層構造とし、個々の上部電極の面積を0.6mm2 とする。
offset10V、振幅±10V、1kHzの正弦波電圧下で測定される圧電定数d31をd31(+)と定義する。offset−10V、振幅±10V、1kHzの正弦波電圧下で測定される圧電定数d31をd31(−)と定義する。
d31(+)≧d31(−)の場合は、12.5V±12.5V、100kHzの台形波を印加する(図6上図を参照)。d31(−)>d31(+)の場合は、−12.5V±12.5V、100kHzの台形波を印加する(図6下図を参照)。いずれの場合においても、10億サイクルごとに(すなわち100kHz×10億サイクル=16.7分おきに)電圧印加を切って、LCRメータにて、1V、1kHzのtanδを計測し、tanδが0.1を超えた点を寿命として求める。圧電体膜上の多数の上部電極のうちランダムに選んだ20ヶ所の測定寿命の平均を平均寿命として求める。
本明細書において、「圧電定数d31が150pm/V以上である」とは、上記で定義されるd31(+)とd31(−)とのうち少なくとも一方が150pm/V以上であることを意味するものとする。
本発明によれば、40℃相対湿度80%の高温高湿環境下における耐久性が良好なPZT系の圧電体とその製造方法を提供することができる。
本発明によれば、圧電性能と耐久性とがいずれも良好なPZT系の圧電体とその製造方法を提供することができる。
図1を参照して、本発明に係る一実施形態の圧電素子及びこれを備えたインクジェット式記録ヘッド(液体吐出装置)の構造について説明する。図1はインクジェット式記録ヘッドの要部断面図(圧電素子の厚み方向の断面図)である。視認しやすくするため、構成要素の縮尺は実際のものとは適宜異ならせてある。
圧電体膜30のパターンは図示するものに限定されず、適宜設計される。また、圧電体膜30は連続膜でも構わない。但し、圧電体膜30は、連続膜ではなく、互いに分離した複数の凸部31からなるパターンで形成することで、個々の凸部31の伸縮がスムーズに起こるので、より大きな変位量が得られ、好ましい。
図2及び図3を参照して、上記実施形態のインクジェット式記録ヘッド3を備えたインクジェット式記録装置の構成例について説明する。図2は装置全体図であり、図3は部分上面図である。
印字部102をなすヘッド3K,3C,3M,3Yが、各々上記実施形態のインクジェット式記録ヘッド3である。
ロール紙を使用する装置では、図2のように、デカール処理部120の後段に裁断用のカッター128が設けられ、このカッターによってロール紙は所望のサイズにカットされる。カッター128は、記録紙116の搬送路幅以上の長さを有する固定刃128Aと、該固定刃128Aに沿って移動する丸刃128Bとから構成されており、印字裏面側に固定刃128Aが設けられ、搬送路を挟んで印字面側に丸刃128Bが配置される。カット紙を使用する装置では、カッター128は不要である。
吸着ベルト搬送部122により形成される用紙搬送路上において印字部102の上流側に、加熱ファン140が設けられている。加熱ファン140は、印字前の記録紙116に加熱空気を吹き付け、記録紙116を加熱する。印字直前に記録紙116を加熱しておくことにより、インクが着弾後に乾きやすくなる。
印字検出部124は、印字部102の打滴結果を撮像するラインセンサ等からなり、ラインセンサによって読み取った打滴画像からノズルの目詰まり等の吐出不良を検出する。
後乾燥部142の後段には、画像表面の光沢度を制御するために、加熱・加圧部144が設けられている。加熱・加圧部144では、画像面を加熱しながら、所定の表面凹凸形状を有する加圧ローラ145で画像面を加圧し、画像面に凹凸形状を転写する。
大きめの用紙に本画像とテスト印字とを同時に並列にプリントする場合には、カッター148を設けて、テスト印字の部分を切り離す構成とすればよい。
インクジェット記記録装置100は、以上のように構成されている。
本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において、適宜設計変更可能である。
Siウエハ上にスパッタ法により、下部電極として20nm厚のTi膜と150nm厚の(111)Ir膜とを順次成膜した。この下部電極上にNb−PZT圧電体膜を成膜した。Nb−PZT圧電体膜の成膜に際しては、基板温度420℃で150nm厚の初期層を成膜した後、基板温度の設定温度を450℃に変えて引き続き主層の成膜を行った。使用した装置では、設定温度を変更した後、実際に基板温度が設定温度に昇温するには10分程度に時間がかかる。Nb−PZT圧電体膜の総厚は4μmとした。圧電体膜の成膜温度条件を表1に示す。
成膜装置:RFスパッタ装置(アルバック社製「強誘電体成膜スパッタ装置MPS型」)、
ターゲット:120mmφのPb1.3((Zr0.52Ti0.48)0.88Nb0.12)O3焼結体、
成膜パワー:500W、
基板/ターゲット間距離:60mm、
成膜圧力:0.3Pa、
成膜ガス:Ar/O2=97.5/2.5(モル比)。
最後に、PZT膜上にTi/Pt上部電極(Ti:20nm厚/Pt:150nm厚)を蒸着して(Tiは密着層として機能し、Ptが主に電極として機能する。)、本発明の圧電素子を得た。
圧電体膜の成膜温度条件を表1に示す条件とした以外は実施例1と同様にして、圧電素子を得た。比較例1では、圧電体膜の成膜温度を途中で変えずに成膜を実施した。
実施例2〜3及び比較例1においてはいずれもMPB組成とし、圧電体膜の成膜温度条件のみを変えて、I(Pb4+)/I(Pb2+)の異なる膜を成膜した。
<XRD>
実施例1〜3及び比較例1において得られた圧電体膜について、リガク社製「薄膜評価用X線回折装置ULTIMA」を用いて、θ/2θ測定法によりXRD分析を実施した。
いずれの例においても、得られた圧電体膜は、ペロブスカイト構造を有する(100)配向膜であった。Lotgerling法により測定される配向度Fは99%であった。パイロクロア相及びPbO等の異相のピークは観察されず、得られた圧電体膜はペロブスカイト単相構造の結晶性の良好な膜であった。代表として、実施例1のXRDパターンを図4に示す。
実施例1〜3及び比較例1において得られた圧電体膜について、PANalytical社製「蛍光X線装置アクシオス」を用いて、蛍光X線(XRF)測定を行い、a/b(=Pb/(Zr+Ti+Nb)モル比)を測定した。結果を表1に示す。
実施例1〜3及び比較例1において得られた圧電体膜について、放射光実験施設のSpring−8及び高エネルギー加速器研究機構でXAFS測定を実施した。Pb L3-edge吸収端近傍のXANESスペクトルを図5に示す。
標準試料(Pb(II)O、Pb(IV) O2)との比較から、13048eVに観測されたピークをPb2+由来、13055eVに観測されたピークをPb4+由来と帰属した。ピーク強度I(Pb2+)とI(Pb4+)をガウス型関数を用いたフィッティングにより各々求め、I(Pb4+)/I(Pb2+)を算出した。結果を表1に示す。
実施例1〜3及び比較例1において得られた圧電素子について、圧電定数d31(+),d31(−)の測定、及び40℃相対湿度80%の条件下における平均寿命の測定を行った。結果を表2に示す。I(Pb4+)/I(Pb2+)が0.6未満である実施例1〜3では、高圧電性能と高耐久性を有するNb−PZT膜を成膜することができた。
3、3K,3C,3M,3Y インクジェット式記録ヘッド(液体吐出装置)
10 基板
20、40 電極
30 圧電体膜
60 インクノズル(液体貯留吐出部材)
61 インク室(液体貯留室)
62 インク吐出口(液体吐出口)
100 インクジェット式記録装置
Claims (14)
- 下記式で表されるペロブスカイト型酸化物(P)からなる(不可避不純物を含んでいてもよい)圧電体において、
パイロクロア相を含まないペロブスカイト単相構造であり、
XAFS(X線吸収微細構造解析)で計測されるPb4+とPb2+の信号強度比I(Pb4+)/I(Pb2+)が0超0.60未満であることを特徴とする圧電体。
Pba(Zrx,Tiy,Mb−x−y)bOc・・・(P)
(式中、MはV,Nb,Ta,及びSbからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素を含む1種又は2種以上の金属元素を示す。
0<x<b、0<y<b、0<b−x−y。
x/(x+y)が0.40以上0.60以下。
a:b:c=1:1:3が標準であるが、これらのモル比はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準モル比からずれてもよい。) - ペロブスカイト型酸化物(P)は、Nbを含むと共に、Nb/(Zr+Ti+Nb)モル比が0.05以上0.25以下であることを特徴とする請求項1に記載の圧電体。
- 圧電定数d31が150pm/V以上であることを特徴とする請求項1又は2に記載の圧電体。
- 膜であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の圧電体。
- 厚みが500nm以上10μm以下の膜であることを特徴とする請求項4に記載の圧電体。
- a/b≧1.07の条件で成膜を行う工程(A)と、a/b<1.07の条件で成膜を行う工程(B)とを順次有する製造方法により製造されたものであることを特徴とする請求項4又は5に記載の圧電体。
- 前記製造方法においては、工程(A)の成膜温度が工程(B)の成膜温度よりも相対的に低いことを特徴とする請求項6に記載の圧電体。
- 気相成膜法により成膜されたものであることを特徴とする請求項4〜7のいずれかに記載の圧電体。
- シリコン基板、酸化シリコン基板、及びSOI基板のうちいずれかの基板上に成膜されたものであることを特徴とする請求項4〜8のいずれかに記載の圧電体。
- 40℃相対湿度80%の条件下で、下記測定条件にて測定される平均寿命が500億サイクル以上であることを特徴とする請求項4〜9のいずれかに記載の圧電体。
平均寿命の測定条件:
圧電体膜の基板側に下部電極が形成され、基板と反対側に多数の上部電極が形成された圧電素子の形態で、圧電体膜の圧電定数d31を測定する。上部電極は、圧電体膜側から20nm厚のTi膜と150nm厚のPt膜とが順次形成された積層構造とし、個々の上部電極の面積を0.6mm2 とする。
offset10V、振幅±10V、1kHzの正弦波電圧下で測定される圧電定数d31をd31(+)と定義する。offset−10V、振幅±10V、1kHzの正弦波電圧下で測定される圧電定数d31をd31(−)と定義する。
d31(+)≧d31(−)の場合は、12.5V±12.5V、100kHzの台形波を印加する。d31(−)>d31(+)の場合は、−12.5V±12.5V、100kHzの台形波を印加する。いずれの場合においても、10億サイクルごとに(すなわち100kHz×10億サイクル=16.7分おきに)電圧印加を切って、LCRメータにて、1V、1kHzのtanδを計測し、tanδが0.1を超えた点を寿命として求める。圧電体膜上の多数の上部電極のうちランダムに選んだ20ヶ所の測定寿命の平均を平均寿命として求める。 - 下記式で表されるペロブスカイト型酸化物(P)からなる(不可避不純物を含んでいてもよい)圧電体膜の製造方法において、
a/b≧1.07の条件で成膜を行う工程(A)と、a/b<1.07の条件で成膜を行う工程(B)とを順次実施して、
パイロクロア相を含まないペロブスカイト単相構造であり、
XAFS(X線吸収微細構造解析)で計測されるPb4+とPb2+の信号強度比I(Pb4+)/I(Pb2+)が0超0.60未満である圧電体膜を製造することを特徴とする圧電体膜の製造方法。
Pba(Zrx,Tiy,Mb−x−y)bOc・・・(P)
(式中、MはV,Nb,Ta,及びSbからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素を含む1種又は2種以上の金属元素を示す。
0<x<b、0<y<b、0<b−x−y。
x/(x+y)が0.40以上0.60以下。
a:b:c=1:1:3が標準であるが、これらのモル比はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準モル比からずれてもよい。) - 工程(A)の成膜温度が工程(B)の成膜温度よりも相対的に低いことを特徴とする請求項11に記載の圧電体膜の製造方法。
- 請求項1〜10のいずれかに記載の圧電体と、該圧電体に対して電界を印加する電極とを備えたことを特徴とする圧電素子。
- 請求項13に記載の圧電素子と、該圧電素子に隣接して設けられた液体吐出部材とを備え、該液体吐出部材は、液体が貯留される液体貯留室と、前記圧電体に対する前記電界の印加に応じて該液体貯留室から外部に前記液体が吐出される液体吐出口とを有することを特徴とする液体吐出装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009022392A JP4438892B1 (ja) | 2009-02-03 | 2009-02-03 | 圧電体とその製造方法、圧電素子、及び液体吐出装置 |
US12/698,792 US8215753B2 (en) | 2009-02-03 | 2010-02-02 | Piezoelectric material, method for producing piezoelectric material, piezoelectric device and liquid discharge device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009022392A JP4438892B1 (ja) | 2009-02-03 | 2009-02-03 | 圧電体とその製造方法、圧電素子、及び液体吐出装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP4438892B1 true JP4438892B1 (ja) | 2010-03-24 |
JP2010182717A JP2010182717A (ja) | 2010-08-19 |
Family
ID=42193855
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009022392A Active JP4438892B1 (ja) | 2009-02-03 | 2009-02-03 | 圧電体とその製造方法、圧電素子、及び液体吐出装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8215753B2 (ja) |
JP (1) | JP4438892B1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012009677A (ja) * | 2010-06-25 | 2012-01-12 | Fujifilm Corp | 圧電体膜および圧電素子 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010080813A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-08 | Fujifilm Corp | 圧電体膜とその製造方法、圧電素子、及び液体吐出装置 |
WO2012165110A1 (ja) * | 2011-05-31 | 2012-12-06 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 強誘電体膜およびそれを備えた圧電素子 |
JP5943870B2 (ja) * | 2013-04-01 | 2016-07-05 | 富士フイルム株式会社 | 圧電体膜 |
JP6699662B2 (ja) | 2015-05-25 | 2020-05-27 | コニカミノルタ株式会社 | 圧電薄膜、圧電アクチュエータ、インクジェットヘッド、インクジェットプリンタおよび圧電アクチュエータの製造方法 |
WO2017135166A1 (ja) | 2016-02-05 | 2017-08-10 | 富士フイルム株式会社 | 圧電素子 |
BR112018068168A2 (pt) * | 2016-03-16 | 2019-02-12 | Xaar Technology Limited | ?elemento de filme fino piezoelétrico e método para a fabricação do dito elemento? |
US10792919B2 (en) * | 2016-05-27 | 2020-10-06 | Konica Minolta, Inc. | Method for manufacturing piezoelectric element and method for manufacturing ink jet head |
JP6661771B2 (ja) | 2016-07-28 | 2020-03-11 | 富士フイルム株式会社 | 圧電体膜、圧電素子および圧電体膜の製造方法 |
JP2018085403A (ja) * | 2016-11-22 | 2018-05-31 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電体膜の評価方法、圧電素子、液体噴射ヘッド、および液体噴射装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0613572A (ja) * | 1992-03-19 | 1994-01-21 | Ramtron Internatl Corp | 非対称強誘電体コンデンサ及びその形成方法 |
JP2001110999A (ja) * | 1999-10-13 | 2001-04-20 | Nec Corp | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
WO2003070641A1 (fr) * | 2002-02-19 | 2003-08-28 | Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. | Corps piezo-electrique, son procede de fabrication, element piezo-electrique comportant le corps piezo-electrique, tete d'injection, et dispositif d'enregistrement de type a injection |
JP2003243741A (ja) * | 2002-02-19 | 2003-08-29 | Seiko Epson Corp | 圧電アクチュエータ、その駆動方法、圧電アクチュエータの製造方法および液滴噴射装置 |
JP2008270704A (ja) * | 2007-03-22 | 2008-11-06 | Fujifilm Corp | 強誘電体膜とその製造方法、強誘電体素子、及び液体吐出装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1560279B1 (en) * | 2004-01-27 | 2007-08-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Piezoelectric element and method for manufacturing the same, and ink jet head and ink jet recording apparatus using the piezoelectric element |
EP1973177B8 (en) * | 2007-03-22 | 2015-01-21 | FUJIFILM Corporation | Ferroelectric film, process for producing the same, ferroelectric device, and liquid discharge device |
-
2009
- 2009-02-03 JP JP2009022392A patent/JP4438892B1/ja active Active
-
2010
- 2010-02-02 US US12/698,792 patent/US8215753B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0613572A (ja) * | 1992-03-19 | 1994-01-21 | Ramtron Internatl Corp | 非対称強誘電体コンデンサ及びその形成方法 |
JP2001110999A (ja) * | 1999-10-13 | 2001-04-20 | Nec Corp | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
WO2003070641A1 (fr) * | 2002-02-19 | 2003-08-28 | Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. | Corps piezo-electrique, son procede de fabrication, element piezo-electrique comportant le corps piezo-electrique, tete d'injection, et dispositif d'enregistrement de type a injection |
JP2003243741A (ja) * | 2002-02-19 | 2003-08-29 | Seiko Epson Corp | 圧電アクチュエータ、その駆動方法、圧電アクチュエータの製造方法および液滴噴射装置 |
JP2008270704A (ja) * | 2007-03-22 | 2008-11-06 | Fujifilm Corp | 強誘電体膜とその製造方法、強誘電体素子、及び液体吐出装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012009677A (ja) * | 2010-06-25 | 2012-01-12 | Fujifilm Corp | 圧電体膜および圧電素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010182717A (ja) | 2010-08-19 |
US20100194824A1 (en) | 2010-08-05 |
US8215753B2 (en) | 2012-07-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4438892B1 (ja) | 圧電体とその製造方法、圧電素子、及び液体吐出装置 | |
JP5290551B2 (ja) | ペロブスカイト型酸化物とその製造方法、圧電体、圧電素子、液体吐出装置 | |
JP5507097B2 (ja) | ペロブスカイト型酸化物とその製造方法、圧電体、圧電素子、液体吐出装置 | |
JP2010080813A (ja) | 圧電体膜とその製造方法、圧電素子、及び液体吐出装置 | |
JP4438893B1 (ja) | 圧電体とその製造方法、圧電素子、及び液体吐出装置 | |
JP4505492B2 (ja) | ペロブスカイト型酸化物、強誘電体膜、強誘電体素子、及び液体吐出装置 | |
JP5623134B2 (ja) | ペロブスカイト型酸化物、酸化物組成物、酸化物体、圧電素子、及び液体吐出装置 | |
US20110215679A1 (en) | Piezoelectric film, piezoelectric device, liquid ejection apparatus, and method of producing piezoelectric film | |
JP2010016010A (ja) | 強誘電体膜、圧電素子、及び液体吐出装置 | |
JP5394765B2 (ja) | ペロブスカイト型酸化物膜、強誘電体、圧電素子、液体吐出装置 | |
US10103316B2 (en) | Piezoelectric film, piezoelectric element including the same, and liquid discharge apparatus | |
JP2008192868A (ja) | 圧電体膜及びそれを用いた圧電素子、液体吐出装置 | |
JP5095315B2 (ja) | ペロブスカイト型酸化物、強誘電体膜とその製造方法、強誘電体素子、及び液体吐出装置 | |
JP6392469B2 (ja) | 圧電体膜、圧電素子、および液体吐出装置 | |
JP2009062564A (ja) | ペロブスカイト型酸化物、強誘電体膜とその製造方法、強誘電体素子、及び液体吐出装置 | |
JP2009064859A (ja) | ペロブスカイト型酸化物、強誘電体膜とその製造方法、強誘電体素子、及び液体吐出装置 | |
JP4993294B2 (ja) | ペロブスカイト型酸化物、強誘電体膜とその製造方法、強誘電体素子、及び液体吐出装置 | |
JP5345868B2 (ja) | ペロブスカイト型酸化物膜、強誘電体、圧電素子、液体吐出装置 | |
JP2007314368A (ja) | ペロブスカイト型酸化物、強誘電素子、圧電アクチュエータ、及び液体吐出装置 | |
JP2009293130A (ja) | ペロブスカイト型酸化物、強誘電体膜、強誘電体素子、及び液体吐出装置 | |
JP2010219493A (ja) | 圧電体膜とその成膜方法、圧電素子、及び液体吐出装置 | |
JP4564580B2 (ja) | 圧電体膜の製造方法およびそれにより製造された圧電体膜 | |
WO2016031134A1 (ja) | 圧電体膜とその製造方法、圧電素子、及び液体吐出装置 | |
JP5449970B2 (ja) | 圧電体膜の成膜方法、圧電素子、液体吐出装置、及び圧電型超音波振動子 | |
JP2008192867A (ja) | ペロブスカイト型酸化物とその製造方法、圧電体膜、圧電素子、液体吐出装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091222 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091228 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130115 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4438892 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130115 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140115 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |