JP2009286855A - 熱伝導性シリコーン組成物および電子装置 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 123
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 title claims abstract description 97
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 28
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 27
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 12
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 8
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 6
- 125000004183 alkoxy alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 6
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims abstract description 4
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims abstract description 4
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims abstract 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 claims description 12
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 10
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 5
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 5
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 2-iodoquinoline Chemical compound C1=CC=CC2=NC(I)=CC=C21 FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 4
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N beryllium oxide Inorganic materials O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 claims description 4
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 claims description 4
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 4
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000000 metal hydroxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000004692 metal hydroxides Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 4
- 125000005641 methacryl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- -1 silane compound Chemical class 0.000 abstract description 71
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 34
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 34
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 34
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 20
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical group [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 13
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 9
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 9
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 8
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 7
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 7
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 6
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 125000006165 cyclic alkyl group Chemical group 0.000 description 5
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 4
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 150000001451 organic peroxides Chemical class 0.000 description 4
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 4
- 125000000094 2-phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000004369 butenyl group Chemical group C(=CCC)* 0.000 description 3
- 239000007809 chemical reaction catalyst Substances 0.000 description 3
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 3
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 125000006038 hexenyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 3
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 description 3
- 125000002255 pentenyl group Chemical group C(=CCCC)* 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 3
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 3
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000005023 xylyl group Chemical group 0.000 description 3
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002344 aminooxy group Chemical group [H]N([H])O[*] 0.000 description 2
- 125000001204 arachidyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 229910002026 crystalline silica Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 2
- 239000000412 dendrimer Substances 0.000 description 2
- 229920000736 dendritic polymer Polymers 0.000 description 2
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 2
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 2
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- IIPYXGDZVMZOAP-UHFFFAOYSA-N lithium nitrate Chemical compound [Li+].[O-][N+]([O-])=O IIPYXGDZVMZOAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002960 margaryl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 125000001421 myristyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000001196 nonadecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000001400 nonyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000000913 palmityl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000002958 pentadecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 2
- 229920001843 polymethylhydrosiloxane Polymers 0.000 description 2
- SCVFZCLFOSHCOH-UHFFFAOYSA-M potassium acetate Chemical compound [K+].CC([O-])=O SCVFZCLFOSHCOH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000002683 reaction inhibitor Substances 0.000 description 2
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004079 stearyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002889 tridecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002948 undecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- ZICNIEOYWVIEQJ-UHFFFAOYSA-N (2-methylbenzoyl) 2-methylbenzenecarboperoxoate Chemical compound CC1=CC=CC=C1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1C ZICNIEOYWVIEQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QEQBMZQFDDDTPN-UHFFFAOYSA-N (2-methylpropan-2-yl)oxy benzenecarboperoxoate Chemical compound CC(C)(C)OOOC(=O)C1=CC=CC=C1 QEQBMZQFDDDTPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AGKBXKFWMQLFGZ-UHFFFAOYSA-N (4-methylbenzoyl) 4-methylbenzenecarboperoxoate Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1C(=O)OOC(=O)C1=CC=C(C)C=C1 AGKBXKFWMQLFGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HMVBQEAJQVQOTI-SOFGYWHQSA-N (e)-3,5-dimethylhex-3-en-1-yne Chemical compound CC(C)\C=C(/C)C#C HMVBQEAJQVQOTI-SOFGYWHQSA-N 0.000 description 1
- GRGVQLWQXHFRHO-AATRIKPKSA-N (e)-3-methylpent-3-en-1-yne Chemical compound C\C=C(/C)C#C GRGVQLWQXHFRHO-AATRIKPKSA-N 0.000 description 1
- OGZPYBBKQGPQNU-DABLZPOSSA-N (e)-n-[bis[[(e)-butan-2-ylideneamino]oxy]-methylsilyl]oxybutan-2-imine Chemical compound CC\C(C)=N\O[Si](C)(O\N=C(/C)CC)O\N=C(/C)CC OGZPYBBKQGPQNU-DABLZPOSSA-N 0.000 description 1
- QMTFKWDCWOTPGJ-KVVVOXFISA-N (z)-octadec-9-enoic acid;tin Chemical compound [Sn].CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O QMTFKWDCWOTPGJ-KVVVOXFISA-N 0.000 description 1
- BMVXCPBXGZKUPN-UHFFFAOYSA-N 1-hexanamine Chemical compound CCCCCCN BMVXCPBXGZKUPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NOSXUFXBUISMPR-UHFFFAOYSA-N 1-tert-butylperoxyhexane Chemical compound CCCCCCOOC(C)(C)C NOSXUFXBUISMPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMNIXWIUMCBBBL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-phenylpropan-2-ylperoxy)propan-2-ylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C)(C)OOC(C)(C)C1=CC=CC=C1 XMNIXWIUMCBBBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CEBKHWWANWSNTI-UHFFFAOYSA-N 2-methylbut-3-yn-2-ol Chemical compound CC(C)(O)C#C CEBKHWWANWSNTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KSLSOBUAIFEGLT-UHFFFAOYSA-N 2-phenylbut-3-yn-2-ol Chemical compound C#CC(O)(C)C1=CC=CC=C1 KSLSOBUAIFEGLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZMNXXQIQIHFGC-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethoxy(methyl)silyl]propyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C LZMNXXQIQIHFGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCDBEBOBROAQSH-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethoxy(methyl)silyl]propyl prop-2-enoate Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCOC(=O)C=C MCDBEBOBROAQSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BJISXPRYXCKVSD-UHFFFAOYSA-J 3-oxobutanoate;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].CC(=O)CC([O-])=O.CC(=O)CC([O-])=O.CC(=O)CC([O-])=O.CC(=O)CC([O-])=O BJISXPRYXCKVSD-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- URDOJQUSEUXVRP-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCOC(=O)C(C)=C URDOJQUSEUXVRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N Ammonium bicarbonate Chemical compound [NH4+].OC([O-])=O ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004342 Benzoyl peroxide Substances 0.000 description 1
- OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N Benzoylperoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CKSDMKNLVOWNIY-UHFFFAOYSA-N CCC(CC)(N)O[N](C(CC)(CC)O[N](C)(N)N)(N)N Chemical compound CCC(CC)(N)O[N](C(CC)(CC)O[N](C)(N)N)(N)N CKSDMKNLVOWNIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 description 1
- 229920001174 Diethylhydroxylamine Polymers 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSCOPSVHEGTJRH-UHFFFAOYSA-J [Ti+4].CCCC(=O)CC([O-])=O.CCCC(=O)CC([O-])=O.CCCC(=O)CC([O-])=O.CCCC(=O)CC([O-])=O Chemical compound [Ti+4].CCCC(=O)CC([O-])=O.CCCC(=O)CC([O-])=O.CCCC(=O)CC([O-])=O.CCCC(=O)CC([O-])=O GSCOPSVHEGTJRH-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- NOZAQBYNLKNDRT-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(ethenyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](OC(C)=O)(OC(C)=O)C=C NOZAQBYNLKNDRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UKLDJPRMSDWDSL-UHFFFAOYSA-L [dibutyl(dodecanoyloxy)stannyl] dodecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCC(=O)O[Sn](CCCC)(CCCC)OC(=O)CCCCCCCCCCC UKLDJPRMSDWDSL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- NBJODVYWAQLZOC-UHFFFAOYSA-L [dibutyl(octanoyloxy)stannyl] octanoate Chemical compound CCCCCCCC(=O)O[Sn](CCCC)(CCCC)OC(=O)CCCCCCC NBJODVYWAQLZOC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 125000002777 acetyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 125000004423 acyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000005083 alkoxyalkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 1
- 239000001099 ammonium carbonate Substances 0.000 description 1
- 235000012501 ammonium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 235000019400 benzoyl peroxide Nutrition 0.000 description 1
- WBQJELWEUDLTHA-UHFFFAOYSA-M benzyl(triethyl)azanium;acetate Chemical compound CC([O-])=O.CC[N+](CC)(CC)CC1=CC=CC=C1 WBQJELWEUDLTHA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YHWCPXVTRSHPNY-UHFFFAOYSA-N butan-1-olate;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-] YHWCPXVTRSHPNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HSVPRYWNEODRGU-UHFFFAOYSA-J butanoate;zirconium(4+) Chemical compound [Zr+4].CCCC([O-])=O.CCCC([O-])=O.CCCC([O-])=O.CCCC([O-])=O HSVPRYWNEODRGU-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- SXPLZNMUBFBFIA-UHFFFAOYSA-N butyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCC[Si](OC)(OC)OC SXPLZNMUBFBFIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N cyclohexanol Chemical compound OC1CCCCC1 HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSXWFXONGKSEMY-UHFFFAOYSA-N di-tert-butyl peroxide Chemical compound CC(C)(C)OOC(C)(C)C LSXWFXONGKSEMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000012975 dibutyltin dilaurate Substances 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- FVCOIAYSJZGECG-UHFFFAOYSA-N diethylhydroxylamine Chemical compound CCN(O)CC FVCOIAYSJZGECG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHGNXNCOTZPEEK-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCOCC1CO1 WHGNXNCOTZPEEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQTNGCZMPUCIEX-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-prop-2-enylsilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)CC=C WQTNGCZMPUCIEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005388 dimethylhydrogensiloxy group Chemical group 0.000 description 1
- VEVVRTWXUIWDAW-UHFFFAOYSA-N dodecan-1-amine;phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O.CCCCCCCCCCCCN VEVVRTWXUIWDAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLNAFSPCNATQPQ-UHFFFAOYSA-N ethenyl-dimethoxy-methylsilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)C=C ZLNAFSPCNATQPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N ethyl acetoacetate Chemical compound CCOC(=O)CC(C)=O XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940093858 ethyl acetoacetate Drugs 0.000 description 1
- SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N ethyl(trimethoxy)silane Chemical compound CC[Si](OC)(OC)OC SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 1
- 125000005417 glycidoxyalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 150000002429 hydrazines Chemical class 0.000 description 1
- 238000006459 hydrosilylation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010335 hydrothermal treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- GEMHFKXPOCTAIP-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethyl-n'-phenylcarbamimidoyl chloride Chemical compound CN(C)C(Cl)=NC1=CC=CC=C1 GEMHFKXPOCTAIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VMESOKCXSYNAKD-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethylhydroxylamine Chemical compound CN(C)O VMESOKCXSYNAKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002801 octanoyl group Chemical group C(CCCCCCC)(=O)* 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005375 organosiloxane group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000006072 paste Substances 0.000 description 1
- 150000003003 phosphines Chemical class 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000006187 pill Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 235000011056 potassium acetate Nutrition 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000007348 radical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 125000000383 tetramethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 150000003606 tin compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- LSZKGNJKKQYFLR-UHFFFAOYSA-J tri(butanoyloxy)stannyl butanoate Chemical compound [Sn+4].CCCC([O-])=O.CCCC([O-])=O.CCCC([O-])=O.CCCC([O-])=O LSZKGNJKKQYFLR-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 125000005270 trialkylamine group Chemical group 0.000 description 1
- JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCOCC1CO1 JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HILHCDFHSDUYNX-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(pentyl)silane Chemical compound CCCCC[Si](OC)(OC)OC HILHCDFHSDUYNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFRDHGNFBLIJIY-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(prop-2-enyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CC=C LFRDHGNFBLIJIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQYALQRYBUJWDH-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(propyl)silane Chemical compound CCC[Si](OC)(OC)OC HQYALQRYBUJWDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- XOOUIPVCVHRTMJ-UHFFFAOYSA-L zinc stearate Chemical compound [Zn+2].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O XOOUIPVCVHRTMJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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Abstract
【課題】 低粘度で取扱作業性が優れるものの、塗布された後、過酷な温度環境下、垂直に放置されてもずれ落ち難い熱伝導性シリコーン組成物、およびそれを用いてなる電子装置を提供する。
【解決手段】
(Ａ)オルガノポリシロキサン、(Ｂ)熱伝導性充填剤、(Ｃ)シリカ微粉末、(Ｄ)一般式：−Ｘ−ＳiＲ１ (３−ｂ)(ＯＲ２)ｂ（Ｘは酸素原子または炭素原子数２〜１０の２価の炭化水素基、Ｒ１は脂肪族不飽和結合を有さない一価炭化水素基、Ｒ２はアルキル基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、またはアシル基、ｂは１〜３の整数）で表される基を有するオルガノポリシロキサン、および(Ｅ)シラン化合物から少なくともなる熱伝導性シリコーン組成物。
【選択図】 図１
【解決手段】
(Ａ)オルガノポリシロキサン、(Ｂ)熱伝導性充填剤、(Ｃ)シリカ微粉末、(Ｄ)一般式：−Ｘ−ＳiＲ１ (３−ｂ)(ＯＲ２)ｂ（Ｘは酸素原子または炭素原子数２〜１０の２価の炭化水素基、Ｒ１は脂肪族不飽和結合を有さない一価炭化水素基、Ｒ２はアルキル基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、またはアシル基、ｂは１〜３の整数）で表される基を有するオルガノポリシロキサン、および(Ｅ)シラン化合物から少なくともなる熱伝導性シリコーン組成物。
【選択図】 図１
Description
本発明は、熱伝導性シリコーン組成物、およびそれを用いてなる電子装置に関する。
トランジスター、ＩＣ、メモリー素子等の電子部品を登載したプリント回路基板やハイブリッドＩＣの高密度・高集積化にともなって、これらを効率よく放熱するために、熱伝導性シリコーングリース、熱伝導性シリコーンゲル組成物、熱伝導性シリコーンゴム組成物等の熱伝導性シリコーン組成物が使用されている。
このような熱伝導性シリコーン組成物において、該組成物中に熱伝導性充填剤を高充填して熱伝導率を向上させるため、例えば、特開２０００−２５６５５８号公報には、オルガノポリシロキサン、加水分解性基含有メチルポリシロキサン、熱伝導性充填剤、および硬化剤からなる熱伝導性シリコーンゴム組成物が提案されており、また、特開２００１−１３９８１５号公報には、硬化性オルガノポリシロキサン、硬化剤、熱伝導性充填剤からなり、該充填剤の表面がケイ素原子結合アルコキシ基を有するオリゴシロキサンで処理されていることを特徴とする熱伝導性シリコーンゴム組成物が提案されている。
しかし、このような熱伝導性シリコーン組成物において、取扱作業性を向上させるために低粘度にすると、それを塗布した後、垂直に放置すると、ずれ落ちが生じるという問題があった。
特開２０００−２５６５５８号公報
特開２００１−１３９８１５号公報
本発明の目的は、低粘度で取扱作業性が優れるものの、塗布された後、過酷な温度環境下、垂直に放置されてもずれ落ち難い熱伝導性シリコーン組成物、およびそれを用いてなる電子装置を提供することにある。
本発明の熱伝導性シリコーン組成物は、
(Ａ)２５℃の粘度が少なくとも５００ｍＰa・ｓであるオルガノポリシロキサン １００質量部、
(Ｂ)熱伝導性充填剤 ４００〜３,５００質量部、
(Ｃ)シリカ微粉末 ０.１〜１０質量部、
(Ｄ)一般式：
Ｒ１ ３ＳiＯ(Ｒ１ ２ＳiＯ)ｍ(Ｒ１Ｒ３ＳiＯ)ｎＲ１ ２Ｓi−Ｘ−ＳiＲ１ (３−ａ)(ＯＲ２)ａ
｛式中、Ｘは酸素原子または炭素原子数２〜１０の２価の炭化水素基であり、Ｒ１は同じかまたは異なる脂肪族不飽和結合を有さない一価炭化水素基であり、Ｒ２はアルキル基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、またはアシル基であり、Ｒ３は一般式：
−Ｘ−ＳiＲ１ (３−ｂ)(ＯＲ２)ｂ
（式中、Ｘ、Ｒ１、およびＲ２は前記と同じであり、ｂは１〜３の整数である。）
で表される基であり、ａは０〜３の整数であり、ｍは０以上の整数であり、ｎは０以上の整数であり、ただし、ａが０のとき、ｎは１以上の整数である。｝
で表され、２５℃における粘度が５００ｍＰa・ｓ未満であるオルガノポリシロキサン｛(Ｂ)成分１００質量部に対して０.００５〜１０質量部｝、および
(Ｅ)一般式：
Ｒ４ (４−ｃ)Ｓi(ＯＲ２)ｃ
（式中、Ｒ４は一価炭化水素基、エポキシ基含有有機基、メタクリル基含有有機基、またはアクリル基含有有機基であり、Ｒ２は前記と同じであり、ｃは１〜３の整数である。）
で表されるシラン化合物｛(Ｂ)成分１００質量部に対して０.００５〜１０質量部｝
から少なくともなる。
(Ａ)２５℃の粘度が少なくとも５００ｍＰa・ｓであるオルガノポリシロキサン １００質量部、
(Ｂ)熱伝導性充填剤 ４００〜３,５００質量部、
(Ｃ)シリカ微粉末 ０.１〜１０質量部、
(Ｄ)一般式：
Ｒ１ ３ＳiＯ(Ｒ１ ２ＳiＯ)ｍ(Ｒ１Ｒ３ＳiＯ)ｎＲ１ ２Ｓi−Ｘ−ＳiＲ１ (３−ａ)(ＯＲ２)ａ
｛式中、Ｘは酸素原子または炭素原子数２〜１０の２価の炭化水素基であり、Ｒ１は同じかまたは異なる脂肪族不飽和結合を有さない一価炭化水素基であり、Ｒ２はアルキル基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、またはアシル基であり、Ｒ３は一般式：
−Ｘ−ＳiＲ１ (３−ｂ)(ＯＲ２)ｂ
（式中、Ｘ、Ｒ１、およびＲ２は前記と同じであり、ｂは１〜３の整数である。）
で表される基であり、ａは０〜３の整数であり、ｍは０以上の整数であり、ｎは０以上の整数であり、ただし、ａが０のとき、ｎは１以上の整数である。｝
で表され、２５℃における粘度が５００ｍＰa・ｓ未満であるオルガノポリシロキサン｛(Ｂ)成分１００質量部に対して０.００５〜１０質量部｝、および
(Ｅ)一般式：
Ｒ４ (４−ｃ)Ｓi(ＯＲ２)ｃ
（式中、Ｒ４は一価炭化水素基、エポキシ基含有有機基、メタクリル基含有有機基、またはアクリル基含有有機基であり、Ｒ２は前記と同じであり、ｃは１〜３の整数である。）
で表されるシラン化合物｛(Ｂ)成分１００質量部に対して０.００５〜１０質量部｝
から少なくともなる。
(Ｂ)成分は、金属酸化物、金属水酸化物、窒化物、炭化物、石墨、金属、またはこれらの混合物からなる熱伝導性充填剤であることが好ましく、具体的には、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化チタン、酸化ベリリウム、水酸化アルミニウム、および水酸化マグネシウムからなる群より選ばれる少なくとも１種の熱伝導性充填剤であることが好ましい。
さらに、(Ｂ)成分は、(Ａ)成分中で(Ｄ)成分および(Ｅ)成分により表面処理されることが好ましい。
本発明の電子装置は、電子部品または該電子部品を搭載した回路基板に上記熱伝導性シリコーン組成物を介して放熱部材を設けてなることを特徴とする。
本発明の熱伝導性シリコーン組成物は、低粘度で取扱作業性が優れるものの、塗布された後、過酷な温度環境下、垂直に放置されてもずれ落ち難いという特徴がある。また、本発明の電子装置は、信頼性が優れるという特徴がある。
本発明の熱伝導性シリコーン組成物を詳細に説明する。
(Ａ)成分のオルガノポリシロキサンは本組成物の主剤であり、２５℃における粘度が少なくとも５００ｍＰa・ｓであり、好ましくは５００〜１００,０００ｍＰa・ｓの範囲内であり、さらに好ましくは５００〜１００,０００ｍＰa・ｓの範囲内であり、特に好ましくは１,０００〜５０,０００ｍＰa・ｓの範囲内である。これは、２５℃における粘度が上記範囲の下限未満であると、得られるシリコーン組成物の粘度が低下するものの、それを塗布した後、垂直に放置すると、ずれ落ちやすくなり、一方、上記範囲の上限を超えると、得られるシリコーン組成物の取扱作業性が著しく低下する傾向がある。
(Ａ)成分のオルガノポリシロキサンは本組成物の主剤であり、２５℃における粘度が少なくとも５００ｍＰa・ｓであり、好ましくは５００〜１００,０００ｍＰa・ｓの範囲内であり、さらに好ましくは５００〜１００,０００ｍＰa・ｓの範囲内であり、特に好ましくは１,０００〜５０,０００ｍＰa・ｓの範囲内である。これは、２５℃における粘度が上記範囲の下限未満であると、得られるシリコーン組成物の粘度が低下するものの、それを塗布した後、垂直に放置すると、ずれ落ちやすくなり、一方、上記範囲の上限を超えると、得られるシリコーン組成物の取扱作業性が著しく低下する傾向がある。
(Ａ)成分の分子構造は限定されず、例えば、直鎖状、分岐鎖状、一部分岐を有する直鎖状、樹枝状（デンドリマー状）が挙げられ、好ましくは直鎖状、一部分岐を有する直鎖状である。(Ａ)成分は、これらの分子構造を有する単一の重合体、これらの分子構造からなる共重合体、またはこれらの重合体の混合物であってもよい。また、(Ａ)成分中のケイ素原子に結合している基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基等の直鎖状アルキル基；イソプロピル基、ターシャリーブチル基、イソブチル基、２−メチルウンデシル基、１−ヘキシルヘプチル基等の分岐鎖状アルキル基；シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロドデシル基等の環状アルキル基；ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基；フェニル基、トリル基、キシリル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基、２−(２,４,６−トリメチルフェニル)プロピル基等のアラルキル基；３,３,３−トリフルオロプロピル基、３−クロロプロピル基等のハロゲン化アルキル基が挙げられ、好ましくはアルキル基、アルケニル基、アリール基であり、特に好ましくはメチル基、ビニル基、フェニル基である。なお、(Ａ)成分がアルケニル基を有する場合には、得られるシリコーン組成物が、塗布後、過酷な温度環境下で長時間、垂直に放置されてもずれ落ち難くなる傾向がある。
このような(Ａ)成分としては、例えば、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン、分子鎖両末端メチルフェニルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルフェニルシロキサンコポリマー、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサンコポリマー、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサンコポリマー、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖メチル(３,３,３−トリフルオロプロピル)ポリシロキサン、分子鎖両末端シラノール基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサンコポリマー、分子鎖両末端シラノール基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン・メチルフェニルシロキサンコポリマー、式：(ＣＨ3)3ＳiＯ1/2で表されるシロキサン単位と式：(ＣＨ3)2(ＣＨ2＝ＣＨ)ＳiＯ1/2で表されるシロキサン単位と式：ＣＨ3ＳiＯ3/2で表されるシロキサン単位と式：(ＣＨ3)2ＳiＯ2/2で表されるシロキサン単位からなるオルガノシロキサンコポリマー、分子鎖両末端シラノール基封鎖ジメチルポリシロキサン、分子鎖両末端シラノール基封鎖ジメチルシロキサン・メチルフェニルシロキサンコポリマー、分子鎖両末端トリメトキシシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン、分子鎖両末端トリメトキシシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルフェニルシロキサンコポリマー、分子鎖両末端メチルジメトキシシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン、分子鎖両末端トリエトキシシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン、分子鎖両末端トリメトキシシリルエチル基封鎖ジメチルポリシロキサン、およびこれらの２種以上の混合物が挙げられる。
(Ｂ)成分の熱伝導性充填剤は本組成物に熱伝導性を付与するための成分である。(Ｂ)成分としては、例えば、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化チタン、酸化ベリリウム等の金属酸化物；水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等の金属水酸化物；窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素等の窒化物；炭化ホウ素、炭化チタン、炭化ケイ素等の炭化物；グラファイト、黒鉛等の石墨；アルミニウム、銅、ニッケル、銀等の金属、およびこれらの混合物からなるのもが挙げられる。特に、得られるシリコーン組成物に電気絶縁性が必要な場合は、(Ｂ)成分としては、金属酸化物、金属水酸化物、窒化物、炭化物、またはこれらの混合物であることが好ましく、さらには、酸化アルミニウム、結晶性シリカ、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化チタン、酸化ベリリウム、水酸化アルミニウム、および水酸化マグネシウムからなる群より選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。
(Ｂ)成分の形状は特に限定されず、例えば、球状、針状、燐片状、不定形状が挙げられる。特に、(Ｂ)成分として酸化アルミニウムまたは結晶性シリカを用いる場合には球状、不定形のものを用いることが好ましい。球状酸化アルミニウムは、主として高温溶射法あるいはアルミナ水和物の水熱処理により得られるα−アルミナである。ここでいう球状とは、真球状のみならず、丸み状であってもよい。(Ｂ)成分の平均粒径は限定されないが、０.０１〜２００μｍであることが好ましく、さらには、０.０１〜１５０μｍであることが好ましく、特には、０.０１〜１００μｍであることが好ましい。
(Ｂ)成分の含有量は、(Ａ)成分１００質量部に対して４００〜３,５００質量部の範囲内であり、好ましくは、４００〜３,０００質量部の範囲内であり、特に好ましくは、５００〜２,５００質量部の範囲内である。これは、(Ｂ)成分の含有量が上記範囲の下限未満であると、得られるシリコーン組成物の熱伝導性が十分でなくなる傾向があり、一方、上記範囲の上限を超えると、得られるシリコーン組成物の取扱作業性が著しく低下する傾向があるからである。
(Ｃ)成分のシリカ微粉末は、本組成物を塗布後、垂直に放置してもずれ落ち難くするための成分である。(Ｃ)成分としては、ヒュームドシリカ、沈降性シリカ等のシリカ微粉末；これらのシリカ微粉末の表面を、アルコキシシラン、クロロシラン、シラザン等の有機ケイ素化合物により疎水化処理したシリカ微粉末が例示される。(Ｃ)成分の粒子径は特に限定されないが、そのＢＥＴ比表面積が５０ｍ２／ｇ以上であることが好ましく、特には、１００ｍ２／ｇ以上であることが好ましい。
(Ｃ)成分の含有量は、(Ａ)成分１００質量部に対して０.１〜１０質量部の範囲内であり、好ましくは、０.５〜１０質量部の範囲内である。これは、(Ｃ)成分の含有量が上記範囲の下限未満であると、得られるシリコーン組成物を塗布後、垂直に放置するとずれ落ちる傾向があり、一方、上記範囲の上限を超えると、得られるシリコーン組成物の取扱作業性が著しく低下する傾向があるからである。
(Ｄ)成分のオルガノシロキサンは、一般式：
Ｒ１ ３ＳiＯ(Ｒ１ ２ＳiＯ)ｍ(Ｒ１Ｒ３ＳiＯ)ｎＲ１ ２Ｓi−Ｘ−ＳiＲ１ (３−ａ)(ＯＲ２)ａ
で表される。式中、Ｘは酸素原子または炭素原子数２〜１０の２価の炭化水素基であり、Ｘの２価の炭化水素基としては、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、メチルエチレン基が例示され、好ましくはエチレン基、プロピレン基である。また、式中、Ｒ１は脂肪族不飽和結合を有さない同種もしくは異種の一価炭化水素基であり、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基等の直鎖状アルキル基；イソプロピル基、ターシャリーブチル基、イソブチル基、２−メチルウンデシル基、１−ヘキシルヘプチル基等の分岐鎖状アルキル基；シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロドデシル基等の環状アルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基、２−(２,４,６−トリメチルフェニル)プロピル基等のアラルキル基；３,３,３−トリフルオロプロピル基、３−クロロプロピル基等のハロゲン化アルキル基が例示され、好ましくはアルキル基、アリール基であり、特に好ましくはメチル基、フェニル基である。また、式中、Ｒ２はアルキル基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、またはアシル基であり、Ｒ２のアルキル基としては、前記と同様の直鎖状アルキル基、分岐鎖状アルキル基、および環状アルキル基が例示され、Ｒ２のアルコキシアルキル基としては、メトキシエチル基、メトキシプロピル基が例示され、Ｒ２のアルケニル基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基が例示され、Ｒ２のアシル基としては、アセチル基、オクタノイル基が例示される。Ｒ3はアルキル基であることが好ましく、特に、メチル基、エチル基であることが好ましい。また、式中、Ｒ３は一般式：
−Ｘ−ＳiＲ１ (３−ｂ)(ＯＲ２)ｂ
で表される基である。式中、Ｘ、Ｒ１、およびＲ２は前記のとおりである。また、式中、ｂは１〜３の整数であり、好ましくは３である。また、式中、ａは１〜３の整数であり、好ましくは３である。また、式中、ｍは０以上の整数であり、ｎは０以上の整数である。ただし、式中、ａが０のとき、ｎは１以上の整数である。このような(Ｃ)成分の２５℃における粘度が５００ｍＰa・ｓ未満であり、好ましくは４００ｍＰa・ｓ以下であり、さらに好ましくは３００ｍＰa・ｓ以下である。これは、２５℃における粘度が上記範囲の上限を超えると、(Ｂ)成分を多量に含有した場合に、得られるシリコーン組成物の流動性が低下したり、得られるシリコーン組成物の貯蔵中に(Ｂ)成分が沈降分離する傾向があるからである。
Ｒ１ ３ＳiＯ(Ｒ１ ２ＳiＯ)ｍ(Ｒ１Ｒ３ＳiＯ)ｎＲ１ ２Ｓi−Ｘ−ＳiＲ１ (３−ａ)(ＯＲ２)ａ
で表される。式中、Ｘは酸素原子または炭素原子数２〜１０の２価の炭化水素基であり、Ｘの２価の炭化水素基としては、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、メチルエチレン基が例示され、好ましくはエチレン基、プロピレン基である。また、式中、Ｒ１は脂肪族不飽和結合を有さない同種もしくは異種の一価炭化水素基であり、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基等の直鎖状アルキル基；イソプロピル基、ターシャリーブチル基、イソブチル基、２−メチルウンデシル基、１−ヘキシルヘプチル基等の分岐鎖状アルキル基；シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロドデシル基等の環状アルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基、２−(２,４,６−トリメチルフェニル)プロピル基等のアラルキル基；３,３,３−トリフルオロプロピル基、３−クロロプロピル基等のハロゲン化アルキル基が例示され、好ましくはアルキル基、アリール基であり、特に好ましくはメチル基、フェニル基である。また、式中、Ｒ２はアルキル基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、またはアシル基であり、Ｒ２のアルキル基としては、前記と同様の直鎖状アルキル基、分岐鎖状アルキル基、および環状アルキル基が例示され、Ｒ２のアルコキシアルキル基としては、メトキシエチル基、メトキシプロピル基が例示され、Ｒ２のアルケニル基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基が例示され、Ｒ２のアシル基としては、アセチル基、オクタノイル基が例示される。Ｒ3はアルキル基であることが好ましく、特に、メチル基、エチル基であることが好ましい。また、式中、Ｒ３は一般式：
−Ｘ−ＳiＲ１ (３−ｂ)(ＯＲ２)ｂ
で表される基である。式中、Ｘ、Ｒ１、およびＲ２は前記のとおりである。また、式中、ｂは１〜３の整数であり、好ましくは３である。また、式中、ａは１〜３の整数であり、好ましくは３である。また、式中、ｍは０以上の整数であり、ｎは０以上の整数である。ただし、式中、ａが０のとき、ｎは１以上の整数である。このような(Ｃ)成分の２５℃における粘度が５００ｍＰa・ｓ未満であり、好ましくは４００ｍＰa・ｓ以下であり、さらに好ましくは３００ｍＰa・ｓ以下である。これは、２５℃における粘度が上記範囲の上限を超えると、(Ｂ)成分を多量に含有した場合に、得られるシリコーン組成物の流動性が低下したり、得られるシリコーン組成物の貯蔵中に(Ｂ)成分が沈降分離する傾向があるからである。
このような(Ｄ)成分としては、例えば、式：
で表されるジメチルポリシロキサン、式：
で表されるジメチルポリシロキサン、式：
で表されるジメチルポリシロキサン、式：
で表されるジメチルポリシロキサン、式：
で表されるジメチルポリシロキサン、式：
で表されるジメチルシロキサン・メチルフェニルシロキサンコポリマー、式：
で表されるジメチルシロキサン・ジフェニルシロキサンコポリマー、式：
で表されるジメチルポリシロキサン、式：
で表されるジメチルポリシロキサン、式：
で表されるジメチルポリシロキサン、式：
で表されるジメチルポリシロキサンが挙げられる。
(Ｄ)成分の含有量は、(Ｂ)成分１００質量部に対して０.００５〜１０質量部の範囲内であり、好ましくは、０.０５〜１０質量部の範囲内であり、さらに好ましくは、０.１〜１０質量部の範囲内であり、特に好ましくは、０.１〜５質量部の範囲内である。これは、(Ｄ)成分の含有量が上記範囲の下限未満であると、(Ｂ)成分を多量に含有した場合に、得られるシリコーン組成物の流動性が低下したり、得られるシリコーン組成物の貯蔵中に(Ｂ)成分が沈降分離する傾向があり、一方、上記範囲の上限を超えると、得られるシリコーン組成物の物理的特性が低下する傾向があるからである。
(Ｅ)成分のシラン化合物は、一般式：
Ｒ４ (４−ｃ)Ｓi(ＯＲ２)ｃ
で表される。式中、Ｒ４は、一価炭化水素基、エポキシ基含有有機基、メタクリル基含有有機基、またはアクリル基含有有機基である。Ｒ４の一価炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、デシル基等の直鎖状アルキル基；イソプロピル基、ターシャリーブチル基、イソブチル基等の分岐鎖状アルキル基；シクロヘキシル基等の環状アルキル基；ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基等のアルケニル基；フェニル基、トリル基、キシリル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基；３,３,３−トリフルオロプロピル基、３−クロロプロピル基等のハロゲン化アルキル基等の置換もしくは非置換の一価炭化水素基が例示される。また、Ｒ４のエポキシ基含有有機基としては、３−グリシドキシプロピル基、４−グリシドキシブチル基等のグリシドキシアルキル基；２−(３,４−エポキシシクロヘキシル)エチル基、３−(３,４−エポキシシクロヘキシル)プロピル基等のエポキシシクロヘキシルアルキル基が例示される。また、Ｒ４のメタクリル基含有有機基としては、３−メタクリロキシプロピル基、４−メタクリロキシブチル基等のメタクリロキシアルキル基が例示される。また、Ｒ４のアクリル基含有有機基としては、３−アクリロキシプロピル基、４−アクリロキシシブチル基等のアクリロキシアルキル基が例示される。Ｒ２はアルキル基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、またはアシル基であり、前記と同様の基が例示される。ｃは１〜３の整数であり、好ましくは３である。
Ｒ４ (４−ｃ)Ｓi(ＯＲ２)ｃ
で表される。式中、Ｒ４は、一価炭化水素基、エポキシ基含有有機基、メタクリル基含有有機基、またはアクリル基含有有機基である。Ｒ４の一価炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、デシル基等の直鎖状アルキル基；イソプロピル基、ターシャリーブチル基、イソブチル基等の分岐鎖状アルキル基；シクロヘキシル基等の環状アルキル基；ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基等のアルケニル基；フェニル基、トリル基、キシリル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基；３,３,３−トリフルオロプロピル基、３−クロロプロピル基等のハロゲン化アルキル基等の置換もしくは非置換の一価炭化水素基が例示される。また、Ｒ４のエポキシ基含有有機基としては、３−グリシドキシプロピル基、４−グリシドキシブチル基等のグリシドキシアルキル基；２−(３,４−エポキシシクロヘキシル)エチル基、３−(３,４−エポキシシクロヘキシル)プロピル基等のエポキシシクロヘキシルアルキル基が例示される。また、Ｒ４のメタクリル基含有有機基としては、３−メタクリロキシプロピル基、４−メタクリロキシブチル基等のメタクリロキシアルキル基が例示される。また、Ｒ４のアクリル基含有有機基としては、３−アクリロキシプロピル基、４−アクリロキシシブチル基等のアクリロキシアルキル基が例示される。Ｒ２はアルキル基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、またはアシル基であり、前記と同様の基が例示される。ｃは１〜３の整数であり、好ましくは３である。
このような(Ｅ)成分としては、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、ペンチルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、メチルビニルジメトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、アリルメチルジメトキシシラン、ブテニルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−アクリロキシプロピルメチルジメトキシシランが例示される。
(Ｅ)成分の含有量は、(Ｂ)成分１００質量部に対して０.００５〜１０質量部の範囲内であり、好ましくは、０.０１〜１０質量部の範囲内であり、特に好ましくは、０.０１〜５質量部の範囲内である。これは、(Ｅ)成分の含有量が上記範囲の下限未満であると、(Ｂ)成分を多量に含有した場合に、得られるシリコーン組成物の取扱作業性が低下したり、得られるシリコーン組成物の貯蔵中に(Ｂ)成分が沈降分離しやすくなり、一方、上記範囲の上限を超えると、(Ｂ)成分の表面処理に寄与しない成分が増加する傾向があるからである。
(Ｂ)成分の表面を(Ｄ)成分および(Ｅ)成分で処理する方法としては、例えば、(Ｂ)成分の表面を予め(Ｄ)成分で処理し、次いで(Ｅ)成分で処理する方法；(Ｂ)成分の表面を予め(Ｅ)成分で処理し、次いで(Ｄ)成分で処理する方法；(Ｂ)成分の表面を(Ｄ)成分と(Ｅ)成分で同時に処理する方法；(Ａ)成分中で(Ｂ)成分の表面を(Ｄ)成分で処理し、次いで、(Ｅ)成分で処理する方法；(Ａ)成分中で(Ｂ)成分の表面を(Ｅ)成分で処理し、次いで、(Ｄ)成分で処理する方法；(Ａ)成分中で(Ｂ)成分の表面を(Ｄ)成分と(Ｅ)成分で同時に処理する方法；予め(Ｄ)成分で表面処理された(Ｂ)成分を(Ａ)成分中で(Ｅ)成分で処理する方法；予め(Ｅ)成分で表面処理された(Ｂ)成分を(Ａ)成分中で(Ｄ)成分で処理する方法が挙げられる。このようにして得られた本組成物中には、(Ｄ)成分および(Ｅ)成分は(Ｂ)成分の表面を処理した状態で含有されているか、または本組成物中に単に含有されていてもよい。また、(Ｂ)成分を(Ｄ)成分や(Ｅ)成分により処理する際、その処理を促進するために、加熱したり、あるいは酢酸、リン酸などの酸性物質や、トリアルキルアミン、４級アンモニウム塩類、アンモニアガス、炭酸アンモニウムなどの塩基性物質を触媒量併用してもよい。
さらに、本組成物には、本発明の目的を損なわない限り、その他任意の成分として、例えば、ヒュームド酸化チタン等の充填材、この充填材の表面を有機ケイ素化合物により疎水化処理した充填材；その他、顔料、染料、蛍光染料、耐熱添加剤、トリアゾール系化合物以外の難燃性付与剤、可塑剤、接着付与剤を含有してもよい。
本組成物は、硬化剤を配合することにより、硬化性の組成物とすることができる。本組成物がヒドロシリル化反応により硬化する場合には、この硬化剤は、一分子中に平均２個以上のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサンと白金系触媒からなるものである。このオルガノポリシロキサン中のケイ素原子結合に結合している基としては、前記と同様の直鎖状アルキル基、分岐鎖状アルキル基、環状アルキル基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン化アルキル基が例示され、好ましくはアルキル基、アリール基であり、特に好ましくはメチル基、フェニル基である。また、このオルガノポリシロキサンの２５℃における粘度は限定されないが、好ましくは１〜１００,０００ｍＰa・ｓの範囲内であり、特に好ましくは１〜５,０００ｍＰa・ｓの範囲内である。このオルガノポリシロキサンの分子構造は限定されず、例えば、直鎖状、分岐鎖状、一部分岐を有する直鎖状、環状、樹枝状（デンドリマー状）が挙げられる。このオルガノポリシロキサンは、例えば、これらの分子構造を有する単一重合体、これらの分子構造からなる共重合体、またはこれらの混合物であってもよい。
このようなオルガノポリシロキサンとしては、例えば、分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサンコポリマー、分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサンコポリマー、式：(ＣＨ3)3ＳiＯ1/2で表されるシロキサン単位と式：(ＣＨ3)2ＨＳiＯ1/2で表されるシロキサン単位と式：ＳiＯ4/2で表されるシロキサン単位からなるオルガノシロキサンコポリマー、およびこれらの２種以上の混合物が挙げられる。
本組成物において、このオルガノポリシロキサンの含有量は、本組成物の硬化に必要な量であり、具体的には、(Ａ)成分中のケイ素原子結合アルケニル基１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が０.１〜１０モルの範囲内となる量であることが好ましく、さらに、０.１〜５モルの範囲内となる量であることが好ましく、特に、０.１〜３.０モルの範囲内となる量であることが好ましい。これは、本成分の含有量が上記範囲の下限未満となる量であると、得られるシリコーン組成物が十分に硬化しなくなる傾向があり、一方、上記範囲の上限を超えると、得られるシリコーン硬化物が非常に硬質となり、表面に多数のクラックを生じたりする傾向があるからである。
また、白金系触媒は本組成物の硬化を促進するための触媒であり、例えば、塩化白金酸、塩化白金酸のアルコール溶液、白金のオレフィン錯体、白金のアルケニルシロキサン錯体、白金のカルボニル錯体が挙げられる。
本組成物において、白金系触媒の含有量は、本組成物の硬化に必要な量であり、具体的には、(Ａ)成分に対して本成分中の白金金属が質量単位で０.０１〜１,０００ｐｐｍの範囲内となる量であることが好ましく、特に、０.１〜５００ｐｐｍの範囲内となる量であることが好ましい。これは、本成分の含有量が上記範囲の下限未満であると、得られるシリコーン組成物が十分に硬化しなくなる傾向があり、一方、上記範囲の上限を超える量を配合しても得られるシリコーン組成物の硬化速度は顕著に向上しなくなる傾向があるからである。
また、本組成物の硬化速度を調節し、取扱作業性を向上させるため、２−メチル−３−ブチン−２−オール、２−フェニル−３−ブチン−２−オール、１−エチニル−１−シクロヘキサノール等のアセチレン系化合物；３−メチル−３−ペンテン−１−イン、３，５−ジメチル−３−ヘキセン−１−イン等のエン−イン化合物；その他、ヒドラジン系化合物、フォスフィン系化合物、メルカプタン系化合物等の硬化反応抑制剤を含有することが好ましい。この硬化反応抑制剤の含有量は限定されないが、(Ａ)成分１００質量部に対して０.０００１〜１.０質量部の範囲内であることが好ましい。
また、本組成物が縮合反応により硬化する場合には、硬化剤は、一分子中に少なくとも３個のケイ素原子結合加水分解性基を有するシランもしくはシロキサンオリゴマー、および必要に応じて縮合反応用触媒からなることを特徴とする。このシラン中のケイ素原子結合加水分解性基としては、前記と同様のアルコキシ基、アルコキシアルコキシ基、アシロキシ基、ケトオキシム基、アルケノキシ基、アミノ基、アミノキシ基、アミド基が例示される。また、このシランのケイ素原子には上記の加水分解性基以外に、例えば、前記と同様の直鎖状アルキル基、分岐鎖状アルキル基、環状アルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン化アルキル基を結合していてもよい。このようなシランもしくはシロキサンオリゴマーとしては、例えば、テトラエトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、メチルトリス(メチルエチルケトオキシム)シラン、ビニルトリアセトキシシラン、エチルオルソシリケートが挙げられる。
このシランもしくはシロキサンオリゴマーの含有量は、本組成物の硬化に必要な量であり、具体的には、(Ａ)成分１００質量部に対して０.０１〜２０質量部の範囲内であることが好ましく、特には、０.１〜１０質量部の範囲内であることが好ましい。これは、このシランもしくはシロキサンオリゴマーの含有量が上記範囲の下限未満の量であると、得られる組成物の貯蔵安定性が低下したり、また、接着性が低下する傾向があり、一方、上記範囲の上限をこえる量であると、得られる組成物の硬化が著しく遅くなったりする傾向があるからである。
また、縮合反応用触媒は任意の成分であり、例えば、アミノキシ基、アミノ基、ケトオキシム基等の加水分解性基を有するシランを硬化剤として用いる場合には必須ではない。このような縮合反応用触媒としては、例えば、テトラブチルチタネート、テトライソプロピルチタネート等の有機チタン酸エステル；ジイソプロポキシビス(アセチルアセテート)チタン、ジイソプロポキシビス(エチルアセトアセテート)チタン等の有機チタンキレート化合物；アルミニウムトリス(アセチルアセトネート)、アルミニウムトリス(エチルアセトアセテート)等の有機アルミニウム化合物；ジルコニウムテトラ(アセチルアセトネート)、ジルコニウムテトラブチレート等の有機アルミニウム化合物；ジブチルスズジオクトエート、ジブチルスズジラウレート、ブチルスズ−２−エチルヘキソエート等の有機スズ化合物；ナフテン酸スズ、オレイン酸スズ、ブチル酸スズ、ナフテン酸コバルト、ステアリン酸亜鉛等の有機カルボン酸の金属塩；ヘキシルアミン、燐酸ドデシルアミン等のアミン化合物、およびその塩；ベンジルトリエチルアンモニウムアセテート等の４級アンモニウム塩；酢酸カリウム、硝酸リチウム等のアルカリ金属の低級脂肪酸塩；ジメチルヒドロキシルアミン、ジエチルヒドロキシルアミン等のジアルキルヒドロキシルアミン；グアニジル基含有有機ケイ素化合物が挙げられる。
本組成物において、この縮合反応用触媒の含有量は任意量であり、本組成物の硬化に必要な量であればよく、具体的には、(Ａ)成分１００質量部に対して０.０１〜２０質量部の範囲内であることが好ましく、特に、０.１〜１０質量部の範囲内であることが好ましい。これは、この触媒が必須である場合、この触媒の含有量が上記範囲の下限未満の量であると、得られる組成物が十分に硬化しなくなる傾向があり、一方、上記範囲の上限をこえると、得られる組成物の貯蔵安定性が低下する傾向があるからである。
また、本組成物が有機過酸化物によるフリーラジカル反応により硬化する場合には、硬化剤は有機過酸化物である。この有機過酸化物としては、例えば、ベンゾイルパーオキサイド、ジ(ｐ−メチルベンゾイル)パーオキサイド、ジ(ｏ−メチルベンゾイル)パーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、２,５−ジメチル−２,５−ビス(ｔ−ブチルパーオキシ)ヘキサン、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエートが挙げられる。この有機過酸化物の含有量は、本組成物の硬化に必要な量であり、具体的には、(Ａ)成分１００質量部に対して０.１〜５質量部の範囲内となる量であることが好ましい。
本組成物は常温でグリース状、ペースト状、あるいは粘土状である。また、本組成物が硬化性の組成物である場合、それを硬化させる方法は限定されず、例えば、本組成物を成形後、室温で放置する方法、本組成物を成形後、５０〜２００℃に加熱する方法が挙げられる。また、このようにして得られるシリコーン硬化物の性状は限定されないが、例えば、ゲル状、低硬度のゴム状、あるいは高硬度のゴム状が挙げられ、得られるシリコーン硬化物を放熱材料として部材に十分に密着させることができる。
次に、本発明の電子装置を図１により説明する。本発明の電子装置は、電子部品１が回路基板２上に搭載され、該回路基板２上の回路と前記電子部品１の外部リード３とが電気的に接続されている。この回路基板２には、電子部品１から発生する熱を効率よく伝えるためにビアホールが形成されている。本発明の電子装置では電子部品１から発生する熱を熱伝導性シリコーン組成物４を介して放熱部材５で放熱する構造を有する。特に、図１で示されるように、熱伝導性シリコーン組成物が回路基板３と放熱部材５とで垂直に狭持された状態で過酷な温度条件下で使用される場合でも、前記熱伝導性シリコーン組成物のずれ落ちが生じないので、信頼性が優れるという特徴がある。
本発明の電子装置において、熱伝導性シリコーン組成物は、回路基板３と放熱部材５とで狭持されるが、この熱伝導性シリコーン組成物の厚さは特に限定されないが、０.１〜２ｍｍの範囲であってもずれ落ちることなく、電子部品１から発生する熱を放熱部材５に効率よく伝えることができる。
本発明の熱伝導性シリコーン組成物および電子部品を実施例により詳細に説明する。なお、実施例中の粘度は２５℃における値である。
なお、熱伝導性シリコーン組成物の粘度、熱伝導性、および垂直保持性を次のようにして測定した。
［粘度］
熱伝導性シリコーン組成物の２５℃における粘度（Ｐa・ｓ）を、ＴＡインスツルメンツ社製レオメーター（ＡＲ５５０）を用いて測定した。ジオメトリーは直径２０ｍｍのパラレルプレートを用い、ギャップ２００μｍ、シェアレイト１.０および１０.０（１／ｓ）の条件で測定した。また、シェアレイト１０.０における粘度に対するシェアレイト１.０における粘度の比をチキソトロピー比として示した。
［熱伝導率］
熱伝導性シリコーン組成物を６０ｍｍ×１５０ｍｍ×２５ｍｍの容器に充填し、脱泡した後、その表面を厚さ１０μｍのポリ塩化ビニリデンフィルムで被覆した後、該フィルムを介して熱伝導性シリコーン組成物の熱伝導率（Ｗ／ｍＫ）を京都電子工業株式会社製の迅速熱伝導率測定装置（熱線法）により測定した。
［垂直保持性］
図２および図３で示される試験方法により、熱伝導性シリコーン組成物の垂直保持性を評価した。すなわち、銅板６上に熱伝導性シリコーン組成物７を所定量塗布した後、該銅板の両端部近くにに厚さ１.０ｍｍまたは１.５ｍｍのスペーサー８を設置した状態でガラス板９により前記熱伝導性シリコーン組成物を狭持した。その後、銅板６とガラス板９とをクリップ１０により固定して垂直保持性試験体を作製した。この試験体を、銅板に対する熱伝導性シリコーン組成物の接触面が垂直となるように静置した状態で、−４０℃、３０分間、次いで、１４０℃、３０分間を１サイクルとするサーマルショック試験を１,０００サイクル実施した。試験後の熱伝導性シリコーン組成物の外観を観察し、試験後も熱伝導性シリコーン組成物がずれ落ちなかった場合を「○」、僅かにずれ落ちた場合を「△」、著しくずれ落ちた場合を「×」として評価した。
［粘度］
熱伝導性シリコーン組成物の２５℃における粘度（Ｐa・ｓ）を、ＴＡインスツルメンツ社製レオメーター（ＡＲ５５０）を用いて測定した。ジオメトリーは直径２０ｍｍのパラレルプレートを用い、ギャップ２００μｍ、シェアレイト１.０および１０.０（１／ｓ）の条件で測定した。また、シェアレイト１０.０における粘度に対するシェアレイト１.０における粘度の比をチキソトロピー比として示した。
［熱伝導率］
熱伝導性シリコーン組成物を６０ｍｍ×１５０ｍｍ×２５ｍｍの容器に充填し、脱泡した後、その表面を厚さ１０μｍのポリ塩化ビニリデンフィルムで被覆した後、該フィルムを介して熱伝導性シリコーン組成物の熱伝導率（Ｗ／ｍＫ）を京都電子工業株式会社製の迅速熱伝導率測定装置（熱線法）により測定した。
［垂直保持性］
図２および図３で示される試験方法により、熱伝導性シリコーン組成物の垂直保持性を評価した。すなわち、銅板６上に熱伝導性シリコーン組成物７を所定量塗布した後、該銅板の両端部近くにに厚さ１.０ｍｍまたは１.５ｍｍのスペーサー８を設置した状態でガラス板９により前記熱伝導性シリコーン組成物を狭持した。その後、銅板６とガラス板９とをクリップ１０により固定して垂直保持性試験体を作製した。この試験体を、銅板に対する熱伝導性シリコーン組成物の接触面が垂直となるように静置した状態で、−４０℃、３０分間、次いで、１４０℃、３０分間を１サイクルとするサーマルショック試験を１,０００サイクル実施した。試験後の熱伝導性シリコーン組成物の外観を観察し、試験後も熱伝導性シリコーン組成物がずれ落ちなかった場合を「○」、僅かにずれ落ちた場合を「△」、著しくずれ落ちた場合を「×」として評価した。
［実施例１］
ロスミキサーにより、粘度２,０００ｍＰa・ｓの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン１００質量部、粘度２５ｍＰa・ｓで、式：
で表されるジメチルポリシロキサン２６質量部、およびＢＥＴ比表面積が２００ｍ２／ｇであり、ヘキサメチルジシラザンにより疎水化処理されたヒュームドシリカ４質量部を室温で混合した後、平均粒子径０.１２μｍの酸化亜鉛微粉末２００質量部、平均粒子径１.２μｍの破砕状アルミナ微粉末５００質量部、および平均粒子径２０μｍの丸み状アルミナ微粉末４７０質量部を順次混合した。次に、メチルトリメトキシシラン１３質量部を添加し、均一に混合した後、減圧下、１５０℃で１時間加熱攪拌した。その後、室温まで冷却し、常圧に戻して、熱伝導性シリコーン組成物を調製した。この熱伝導性シリコーン組成物の特性を測定し、それらの結果を表１に示した。
ロスミキサーにより、粘度２,０００ｍＰa・ｓの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン１００質量部、粘度２５ｍＰa・ｓで、式：
［実施例２］
ロスミキサーにより、粘度２,０００ｍＰa・ｓの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン１００質量部、粘度１２５ｍＰa・ｓで、式：
で表されるジメチルポリシロキサン２６質量部、およびＢＥＴ比表面積が２００ｍ２／ｇであり、ヘキサメチルジシラザンにより疎水化処理されたヒュームドシリカ４質量部を室温で混合した後、平均粒子径０.１２μｍの酸化亜鉛微粉末２００質量部、平均粒子径１.２μｍの破砕状アルミナ微粉末５００質量部、および平均粒子径２０μｍの丸み状アルミナ微粉末４７０質量部を順次混合した。次に、メチルトリメトキシシラン１３質量部を添加し、均一に混合した後、減圧下、１５０℃で１時間加熱攪拌した。その後、室温まで冷却し、常圧に戻して、熱伝導性シリコーン組成物を調製した。この熱伝導性シリコーン組成物の特性を測定し、それらの結果を表１に示した。
ロスミキサーにより、粘度２,０００ｍＰa・ｓの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン１００質量部、粘度１２５ｍＰa・ｓで、式：
［実施例３］
ロスミキサーにより、粘度１０,０００ｍＰa・ｓの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン４８質量部、粘度２,０００ｍＰa・ｓの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン５２質量部、粘度２５ｍＰa・ｓで、式：
で表されるジメチルポリシロキサン２５質量部、およびＢＥＴ比表面積が２００ｍ２／ｇであり、ヘキサメチルジシラザンにより疎水化処理されたヒュームドシリカ４質量部を室温で混合した後、平均粒子径０.１２μｍの酸化亜鉛微粉末２２０質量部、平均粒子径１.２μｍの破砕状アルミナ微粉末５２０質量部、および平均粒子径２０μｍの丸み状アルミナ微粉末３６０質量部を順次混合した。次に、メチルトリメトキシシラン１４質量部を添加し、均一に混合した後、減圧下、１５０℃で１時間加熱攪拌した。その後、室温まで冷却し、常圧に戻して、熱伝導性シリコーン組成物を調製した。この熱伝導性シリコーン組成物の特性を測定し、それらの結果を表１に示した。
ロスミキサーにより、粘度１０,０００ｍＰa・ｓの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン４８質量部、粘度２,０００ｍＰa・ｓの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン５２質量部、粘度２５ｍＰa・ｓで、式：
［実施例４］
ロスミキサーにより、粘度１０,０００ｍＰa・ｓの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン４８質量部、粘度２,０００ｍＰa・ｓの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン５２質量部、粘度１２５ｍＰa・ｓで、式：
で表されるジメチルポリシロキサン２５質量部、およびＢＥＴ比表面積が２００ｍ２／ｇであり、ヘキサメチルジシラザンにより疎水化処理されたヒュームドシリカ４質量部を室温で混合した後、平均粒子径０.１２μｍの酸化亜鉛微粉末２２０質量部、平均粒子径１.２μｍの破砕状アルミナ微粉末５２０質量部、および平均粒子径２０μｍの丸み状アルミナ微粉末３６０質量部を順次混合した。次に、メチルトリメトキシシラン１４質量部を添加し、均一に混合した後、減圧下、１５０℃で１時間加熱攪拌した。その後、室温まで冷却し、常圧に戻して、熱伝導性シリコーン組成物を調製した。この熱伝導性シリコーン組成物の特性を測定し、それらの結果を表１に示した。
ロスミキサーにより、粘度１０,０００ｍＰa・ｓの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン４８質量部、粘度２,０００ｍＰa・ｓの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン５２質量部、粘度１２５ｍＰa・ｓで、式：
［実施例５］
ロスミキサーにより、粘度１０,０００ｍＰa・ｓの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン４８質量部、粘度２,０００ｍＰa・ｓの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン５２質量部、粘度１２５ｍＰa・ｓで、式：
で表されるジメチルポリシロキサン２５質量部、およびＢＥＴ比表面積が２００ｍ２／ｇであり、ヘキサメチルジシラザンにより疎水化処理されたヒュームドシリカ４質量部を室温で混合した後、平均粒子径０.１２μｍのフランス法酸化亜鉛微粉末２２０質量部、平均粒子径１.２μｍの破砕状アルミナ微粉末５２０質量部、および平均粒子径２０μｍの丸み状アルミナ微粉末３６０質量部を順次混合した。次に、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン１４質量部を添加し、均一に混合した後、減圧下、１５０℃で１時間加熱攪拌した。その後、室温まで冷却し、常圧に戻して、熱伝導性シリコーン組成物を調製した。この熱伝導性シリコーン組成物の特性を測定し、それらの結果を表１に示した。
ロスミキサーにより、粘度１０,０００ｍＰa・ｓの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン４８質量部、粘度２,０００ｍＰa・ｓの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン５２質量部、粘度１２５ｍＰa・ｓで、式：
［比較例１］
ロスミキサーにより、粘度２,０００ｍＰa・ｓの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン１００質量部、粘度１１５ｍＰa・ｓで、式：
で表されるジメチルポリシロキサン２６質量部、およびＢＥＴ比表面積が２００ｍ２／ｇであり、ヘキサメチルジシラザンにより疎水化処理されたヒュームドシリカ４質量部を室温で混合した後、平均粒子径０.１２μｍのフランス法酸化亜鉛微粉末２００質量部、平均粒子径１.２μｍの破砕状アルミナ微粉末５００質量部、および平均粒子径２０μｍの丸み状アルミナ微粉末４７０質量部を順次混合した。次に、メチルトリメトキシシラン１３質量部を添加し、均一に混合した後、減圧下、１５０℃で１時間加熱攪拌した。その後、室温まで冷却し、常圧に戻して、熱伝導性シリコーン組成物を調製した。この熱伝導性シリコーン組成物の特性を測定し、それらの結果を表１に示した。
ロスミキサーにより、粘度２,０００ｍＰa・ｓの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン１００質量部、粘度１１５ｍＰa・ｓで、式：
［比較例２］
ロスミキサーにより、粘度１０,０００ｍＰa・ｓの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン９２質量部、粘度２,０００ｍＰa・ｓの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン８質量部、粘度２５ｍＰa・ｓで、式：
で表されるジメチルポリシロキサン２４質量部、およびＢＥＴ比表面積が２００ｍ２／ｇであり、ヘキサメチルジシラザンにより疎水化処理されたヒュームドシリカ４質量部を室温で混合した後、平均粒子径０.１２μｍのフランス法酸化亜鉛微粉末２３０質量部、平均粒子径１.２μｍの破砕状アルミナ微粉末４９０質量部、および平均粒子径２０μｍの丸み状アルミナ微粉末３６０質量部を順次混合した。次に、メチルトリメトキシシラン１２質量部を添加し、均一に混合した後、減圧下、１５０℃で１時間加熱攪拌した。その後、室温まで冷却し、常圧に戻して、熱伝導性シリコーン組成物を調製した。この熱伝導性シリコーン組成物の特性を測定し、それらの結果を表１に示した。
ロスミキサーにより、粘度１０,０００ｍＰa・ｓの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン９２質量部、粘度２,０００ｍＰa・ｓの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン８質量部、粘度２５ｍＰa・ｓで、式：
本発明の熱伝導性シリコーン組成物は、低粘度で取扱作業性が優れるものの、塗布された後、過酷な温度環境下、垂直に放置されてもずれ落ち難いので、自動車のコントロールユニットの放熱材として好適である。
１ 電子素子
２ 回路基板
３ 外部リード
４ 熱伝導性シリコーン組成物
５ 放熱部材
６ 銅板
７ 熱伝導性シリコーン組成物
８ スペーサー
９ ガラス板
１０ クリップ
２ 回路基板
３ 外部リード
４ 熱伝導性シリコーン組成物
５ 放熱部材
６ 銅板
７ 熱伝導性シリコーン組成物
８ スペーサー
９ ガラス板
１０ クリップ
Claims (5)
- (Ａ)２５℃の粘度が少なくとも５００ｍＰa・ｓであるオルガノポリシロキサン １００質量部、
(Ｂ)熱伝導性充填剤 ４００〜３,５００質量部、
(Ｃ)シリカ微粉末 ０.１〜１０質量部、
(Ｄ)一般式：
Ｒ１ ３ＳiＯ(Ｒ１ ２ＳiＯ)ｍ(Ｒ１Ｒ３ＳiＯ)ｎＲ１ ２Ｓi−Ｘ−ＳiＲ１ (３−ａ)(ＯＲ２)ａ
｛式中、Ｘは酸素原子または炭素原子数２〜１０の２価の炭化水素基であり、Ｒ１は同じかまたは異なる脂肪族不飽和結合を有さない一価炭化水素基であり、Ｒ２はアルキル基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、またはアシル基であり、Ｒ３は一般式：
−Ｘ−ＳiＲ１ (３−ｂ)(ＯＲ２)ｂ
（式中、Ｘ、Ｒ１、およびＲ２は前記と同じであり、ｂは１〜３の整数である。）
で表される基であり、ａは０〜３の整数であり、ｍは０以上の整数であり、ｎは０以上の整数であり、ただし、ａが０のとき、ｎは１以上の整数である。｝
で表され、２５℃における粘度が５００ｍＰa・ｓ未満であるオルガノポリシロキサン｛(Ｂ)成分１００質量部に対して０.００５〜１０質量部｝、および
(Ｅ)一般式：
Ｒ４ (４−ｃ)Ｓi(ＯＲ２)ｃ
（式中、Ｒ４は一価炭化水素基、エポキシ基含有有機基、メタクリル基含有有機基、またはアクリル基含有有機基であり、Ｒ２は前記と同じであり、ｃは１〜３の整数である。）
で表されるシラン化合物｛(Ｂ)成分１００質量部に対して０.００５〜１０質量部｝
から少なくともなる熱伝導性シリコーン組成物。 - (Ｂ)成分が、金属酸化物、金属水酸化物、窒化物、炭化物、石墨、金属、またはこれらの混合物からなる熱伝導性充填剤である、請求項１記載の熱伝導性シリコーン組成物。
- (Ｂ)成分が、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化チタン、酸化ベリリウム、水酸化アルミニウム、および水酸化マグネシウムからなる群より選ばれる少なくとも１種の熱伝導性充填剤である、請求項１記載の熱伝導性シリコーン組成物。
- (Ｂ)成分が、(Ａ)成分中で(Ｄ)成分および(Ｅ)成分により表面処理されてなる、請求項１記載の熱伝導性シリコーン組成物。
- 電子部品または該電子部品を搭載した回路基板に請求項１乃至４のいずれか１項に記載の熱伝導性シリコーン組成物を介して放熱部材を設けてなる電子装置。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008138777A JP5507059B2 (ja) | 2008-05-27 | 2008-05-27 | 熱伝導性シリコーン組成物および電子装置 |
| TW98115013A TWI471379B (zh) | 2008-05-27 | 2009-05-06 | 熱傳導性矽酮組合物及電子裝置 |
| HUE09754594A HUE036296T2 (hu) | 2008-05-27 | 2009-05-12 | Hõvezetõ szilikon kompozíció és elektronikai eszköz |
| EP09754594.1A EP2294138B1 (en) | 2008-05-27 | 2009-05-12 | Thermally conductive silicone composition and electronic device |
| KR1020107026468A KR101602732B1 (ko) | 2008-05-27 | 2009-05-12 | 열전도성 실리콘 조성물 및 전자 장치 |
| CN2009801192896A CN102046728B (zh) | 2008-05-27 | 2009-05-12 | 导热硅氧烷组合物和电子器件 |
| PCT/JP2009/059230 WO2009145086A1 (en) | 2008-05-27 | 2009-05-12 | Thermally conductive silicone composition and electronic device |
| US12/994,475 US8633276B2 (en) | 2008-05-27 | 2009-05-12 | Thermally conductive silicone composition and electronic device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008138777A JP5507059B2 (ja) | 2008-05-27 | 2008-05-27 | 熱伝導性シリコーン組成物および電子装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009286855A true JP2009286855A (ja) | 2009-12-10 |
| JP2009286855A5 JP2009286855A5 (ja) | 2011-06-16 |
| JP5507059B2 JP5507059B2 (ja) | 2014-05-28 |
Family
ID=40873392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008138777A Active JP5507059B2 (ja) | 2008-05-27 | 2008-05-27 | 熱伝導性シリコーン組成物および電子装置 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8633276B2 (ja) |
| EP (1) | EP2294138B1 (ja) |
| JP (1) | JP5507059B2 (ja) |
| KR (1) | KR101602732B1 (ja) |
| CN (1) | CN102046728B (ja) |
| HU (1) | HUE036296T2 (ja) |
| TW (1) | TWI471379B (ja) |
| WO (1) | WO2009145086A1 (ja) |
Cited By (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010059237A (ja) * | 2008-09-01 | 2010-03-18 | Dow Corning Toray Co Ltd | 熱伝導性シリコーン組成物及び半導体装置 |
| JP2011134779A (ja) * | 2009-12-22 | 2011-07-07 | Tdk Corp | 電子機器 |
| JP2012007057A (ja) * | 2010-06-24 | 2012-01-12 | Dow Corning Toray Co Ltd | 熱伝導性シリコーングリース組成物 |
| JP2012069783A (ja) * | 2010-09-24 | 2012-04-05 | Yokohama Rubber Co Ltd:The | 熱伝導性シリコーン組成物およびこれを用いる実装基板 |
| JP2013028742A (ja) * | 2011-07-29 | 2013-02-07 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 室温湿気増粘型熱伝導性シリコーングリース組成物 |
| JP2013112809A (ja) * | 2011-12-01 | 2013-06-10 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 室温硬化性オルガノポリシロキサン組成物及び電源部品 |
| WO2013161436A1 (ja) | 2012-04-24 | 2013-10-31 | 信越化学工業株式会社 | 加熱硬化型熱伝導性シリコーングリース組成物 |
| JP2014105283A (ja) * | 2012-11-28 | 2014-06-09 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 熱伝導性シリコーングリース組成物 |
| WO2015092889A1 (ja) * | 2013-12-18 | 2015-06-25 | ポリマテック・ジャパン株式会社 | 硬化型熱伝導性グリス、放熱構造および放熱構造の製造方法 |
| WO2016103424A1 (ja) * | 2014-12-25 | 2016-06-30 | ポリマテック・ジャパン株式会社 | シリコーン組成物 |
| EP3156456A1 (en) | 2015-10-13 | 2017-04-19 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | One-part addition-curing heat-conductive silicone grease composition |
| KR20170059440A (ko) | 2014-09-25 | 2017-05-30 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 자외선 증점형 열전도성 실리콘 그리스 조성물 |
| US9698077B2 (en) | 2013-01-22 | 2017-07-04 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Heat conductive silicone composition based on combination of components, heat conductive layer, and semiconductor device |
| WO2017159309A1 (ja) | 2016-03-14 | 2017-09-21 | 信越化学工業株式会社 | 付加一液加熱硬化型熱伝導性シリコーングリース組成物及びその硬化物の製造方法 |
| WO2017203924A1 (ja) * | 2016-05-24 | 2017-11-30 | 信越化学工業株式会社 | 熱伝導性シリコーン組成物及びその硬化物 |
| WO2018093030A1 (ko) * | 2016-11-21 | 2018-05-24 | 주식회사 케이씨씨 | 방열성이 우수한 실리콘 조성물 |
| US10023741B2 (en) | 2013-05-24 | 2018-07-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Heat-conductive silicone composition |
| WO2019021825A1 (ja) | 2017-07-24 | 2019-01-31 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 熱伝導性シリコーンゲル組成物、熱伝導性部材および放熱構造体 |
| JP2019077843A (ja) * | 2017-10-27 | 2019-05-23 | 信越化学工業株式会社 | 熱伝導性シリコーンポッティング組成物およびその硬化物 |
| WO2020080256A1 (ja) | 2018-10-15 | 2020-04-23 | デンカ株式会社 | 二液硬化型組成物セット、熱伝導性硬化物及び電子機器 |
| JP2020515652A (ja) * | 2017-11-30 | 2020-05-28 | エルジー・ケム・リミテッド | 放熱流体組成物、その製造方法、それを含む電池モジュール及びバッテリーパック |
| JPWO2021059936A1 (ja) * | 2019-09-27 | 2021-04-01 | ||
| US11549043B2 (en) | 2017-07-24 | 2023-01-10 | Dow Toray Co., Ltd. | Multicomponent-curable thermally-conductive silicone gel composition, thermally-conductive member and heat dissipation structure |
| US11674040B2 (en) | 2017-07-24 | 2023-06-13 | Dow Toray Co., Ltd. | Thermally-conductive silicone gel composition, thermally-conductive member, and heat dissipation structure |
| KR20240037182A (ko) | 2021-07-29 | 2024-03-21 | 세키수이 폴리머텍 가부시키가이샤 | 열전도성 조성물 및 경화물 |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2414300C1 (ru) * | 2009-08-04 | 2011-03-20 | Инфра Текнолоджиз Лтд. | Носитель для катализатора экзотермических процессов и катализатор на его основе |
| JP2011140566A (ja) * | 2010-01-07 | 2011-07-21 | Dow Corning Toray Co Ltd | 熱伝導性シリコーングリース組成物 |
| CN101982502B (zh) * | 2010-10-22 | 2012-05-09 | 北京化工大学 | 一种弹性体热界面材料及其制备方法 |
| JP5912600B2 (ja) * | 2011-09-16 | 2016-04-27 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置 |
| JP5704049B2 (ja) * | 2011-10-13 | 2015-04-22 | 信越化学工業株式会社 | 導電性回路形成方法 |
| JP2013159671A (ja) * | 2012-02-02 | 2013-08-19 | Dow Corning Toray Co Ltd | 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置 |
| JP5940325B2 (ja) * | 2012-03-12 | 2016-06-29 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 熱伝導性シリコーン組成物 |
| JP6065780B2 (ja) * | 2012-08-30 | 2017-01-25 | 信越化学工業株式会社 | 導電性回路描画用インク組成物、導電性回路形成方法及びそれにより形成された導電性回路 |
| JP2015005564A (ja) * | 2013-06-19 | 2015-01-08 | 信越化学工業株式会社 | 導電性回路の形成方法、導電性回路及び導電性回路描画用インク組成物 |
| US10232288B2 (en) * | 2014-08-05 | 2019-03-19 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Defoamer oil compound, production method therefor, and defoamer composition |
| CN107532000B (zh) * | 2015-05-22 | 2021-07-13 | 迈图高新材料日本合同公司 | 导热性组合物 |
| CN108473768A (zh) * | 2015-12-30 | 2018-08-31 | 美国圣戈班性能塑料公司 | 可辐射固化制品及其制备和使用方法 |
| US9920231B2 (en) * | 2016-04-06 | 2018-03-20 | Youngyiel Precision Co., Ltd. | Thermal compound composition containing Cu—CuO composite filler |
| WO2017190047A1 (en) | 2016-04-29 | 2017-11-02 | Saint-Gobain Performance Plastics Corporation | Radiation curable system and method for making a radiation curable article |
| JP6879690B2 (ja) | 2016-08-05 | 2021-06-02 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 放熱用樹脂組成物、その硬化物、及びこれらの使用方法 |
| US10316216B2 (en) * | 2016-08-31 | 2019-06-11 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Composition for forming silica layer, and silica layer |
| JP6874366B2 (ja) * | 2016-12-28 | 2021-05-19 | 信越化学工業株式会社 | シリコーン組成物およびその硬化物 |
| JP6784657B2 (ja) | 2017-11-10 | 2020-11-11 | 信越化学工業株式会社 | 消泡剤及び消泡剤の製造方法 |
| JP6866877B2 (ja) * | 2018-05-31 | 2021-04-28 | 信越化学工業株式会社 | 低熱抵抗シリコーン組成物 |
| JP6603777B1 (ja) * | 2018-10-24 | 2019-11-06 | 株式会社アドマテックス | 表面処理済金属酸化物粒子材料、その製造方法、及び電子材料用樹脂組成物、並びにシリコーン樹脂材料用のフィラー |
| CN109909494B (zh) * | 2019-03-14 | 2021-05-04 | 昆山市中迪新材料技术有限公司 | 一种高导热粉体及其制备方法和应用 |
| CN114761492A (zh) * | 2019-12-05 | 2022-07-15 | 美国陶氏有机硅公司 | 高度导热的可流动有机硅组合物 |
| EP4189000A1 (en) * | 2020-08-03 | 2023-06-07 | Henkel AG & Co. KGaA | Low viscosity thermally conductive paste |
| US11655369B2 (en) | 2020-10-28 | 2023-05-23 | Dow Silicones Corporation | Trialkoxy functional branched siloxane compositions |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6289584A (ja) * | 1985-10-16 | 1987-04-24 | Toyota Motor Corp | フユ−エルタンクにチユ−ブを接続する方法 |
| JP2000136307A (ja) * | 1998-08-24 | 2000-05-16 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 高電圧電気絶縁体用シリコ―ンゴム組成物、ポリマ―碍子用シ―ル材及びポリマ―碍子用補修材 |
| JP2000256558A (ja) * | 1999-03-11 | 2000-09-19 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 熱伝導性シリコーンゴム組成物及びその製造方法 |
| JP2001139815A (ja) * | 1999-11-15 | 2001-05-22 | Dow Corning Toray Silicone Co Ltd | 熱伝導性シリコーンゴム組成物 |
| JP2005112961A (ja) * | 2003-10-07 | 2005-04-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置 |
| JP2006022168A (ja) * | 2004-07-07 | 2006-01-26 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 粘着性支持体 |
| JP2006274154A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Dow Corning Toray Co Ltd | 熱伝導性シリコーンゴム組成物 |
| JP2007177001A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 熱伝導性シリコーングリース組成物 |
| JP2008038137A (ja) * | 2006-07-12 | 2008-02-21 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 熱伝導性シリコーングリース組成物およびその硬化物 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5679725A (en) | 1995-11-29 | 1997-10-21 | Dow Corning Corporation | Method of making a foundation polydiorganosiloxane-silica mixture using a hydrolyzable polydiorganosiloxane surface modifying agent, the resulting mixture and a room temperature curing sealant made from the foundation mixture |
| JP4646496B2 (ja) * | 2003-02-13 | 2011-03-09 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 熱伝導性シリコーン組成物 |
-
2008
- 2008-05-27 JP JP2008138777A patent/JP5507059B2/ja active Active
-
2009
- 2009-05-06 TW TW98115013A patent/TWI471379B/zh not_active IP Right Cessation
- 2009-05-12 KR KR1020107026468A patent/KR101602732B1/ko active IP Right Grant
- 2009-05-12 EP EP09754594.1A patent/EP2294138B1/en not_active Not-in-force
- 2009-05-12 HU HUE09754594A patent/HUE036296T2/hu unknown
- 2009-05-12 CN CN2009801192896A patent/CN102046728B/zh active Active
- 2009-05-12 US US12/994,475 patent/US8633276B2/en active Active
- 2009-05-12 WO PCT/JP2009/059230 patent/WO2009145086A1/en active Application Filing
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6289584A (ja) * | 1985-10-16 | 1987-04-24 | Toyota Motor Corp | フユ−エルタンクにチユ−ブを接続する方法 |
| JP2000136307A (ja) * | 1998-08-24 | 2000-05-16 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 高電圧電気絶縁体用シリコ―ンゴム組成物、ポリマ―碍子用シ―ル材及びポリマ―碍子用補修材 |
| JP2000256558A (ja) * | 1999-03-11 | 2000-09-19 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 熱伝導性シリコーンゴム組成物及びその製造方法 |
| JP2001139815A (ja) * | 1999-11-15 | 2001-05-22 | Dow Corning Toray Silicone Co Ltd | 熱伝導性シリコーンゴム組成物 |
| JP2005112961A (ja) * | 2003-10-07 | 2005-04-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置 |
| JP2006022168A (ja) * | 2004-07-07 | 2006-01-26 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 粘着性支持体 |
| JP2006274154A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Dow Corning Toray Co Ltd | 熱伝導性シリコーンゴム組成物 |
| JP2007177001A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 熱伝導性シリコーングリース組成物 |
| JP2008038137A (ja) * | 2006-07-12 | 2008-02-21 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 熱伝導性シリコーングリース組成物およびその硬化物 |
Cited By (45)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010059237A (ja) * | 2008-09-01 | 2010-03-18 | Dow Corning Toray Co Ltd | 熱伝導性シリコーン組成物及び半導体装置 |
| JP2011134779A (ja) * | 2009-12-22 | 2011-07-07 | Tdk Corp | 電子機器 |
| JP2012007057A (ja) * | 2010-06-24 | 2012-01-12 | Dow Corning Toray Co Ltd | 熱伝導性シリコーングリース組成物 |
| JP2012069783A (ja) * | 2010-09-24 | 2012-04-05 | Yokohama Rubber Co Ltd:The | 熱伝導性シリコーン組成物およびこれを用いる実装基板 |
| US9238734B2 (en) | 2011-07-29 | 2016-01-19 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Room temperature and humidity thickening thermo-conductive silicon grease composition |
| JP2013028742A (ja) * | 2011-07-29 | 2013-02-07 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 室温湿気増粘型熱伝導性シリコーングリース組成物 |
| WO2013018416A1 (ja) * | 2011-07-29 | 2013-02-07 | 信越化学工業株式会社 | 室温湿気増粘型熱伝導性シリコーングリース組成物 |
| KR101733692B1 (ko) * | 2011-07-29 | 2017-05-10 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 실온 습기 증점형 열전도성 실리콘 그리스 조성물 |
| JP2013112809A (ja) * | 2011-12-01 | 2013-06-10 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 室温硬化性オルガノポリシロキサン組成物及び電源部品 |
| US9481851B2 (en) | 2012-04-24 | 2016-11-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Thermally-curable heat-conductive silicone grease composition |
| WO2013161436A1 (ja) | 2012-04-24 | 2013-10-31 | 信越化学工業株式会社 | 加熱硬化型熱伝導性シリコーングリース組成物 |
| JP2014105283A (ja) * | 2012-11-28 | 2014-06-09 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 熱伝導性シリコーングリース組成物 |
| US9698077B2 (en) | 2013-01-22 | 2017-07-04 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Heat conductive silicone composition based on combination of components, heat conductive layer, and semiconductor device |
| US10023741B2 (en) | 2013-05-24 | 2018-07-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Heat-conductive silicone composition |
| JPWO2015092889A1 (ja) * | 2013-12-18 | 2017-03-16 | ポリマテック・ジャパン株式会社 | 硬化型熱伝導性グリス、放熱構造および放熱構造の製造方法 |
| WO2015092889A1 (ja) * | 2013-12-18 | 2015-06-25 | ポリマテック・ジャパン株式会社 | 硬化型熱伝導性グリス、放熱構造および放熱構造の製造方法 |
| US10626311B2 (en) | 2013-12-18 | 2020-04-21 | Sekisui Polymatech Co., Ltd. | Curable thermally conductive grease, heat dissipation structure, and method for producing heat dissipation structure |
| KR20170059440A (ko) | 2014-09-25 | 2017-05-30 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 자외선 증점형 열전도성 실리콘 그리스 조성물 |
| JPWO2016103424A1 (ja) * | 2014-12-25 | 2017-10-05 | ポリマテック・ジャパン株式会社 | シリコーン組成物 |
| WO2016103424A1 (ja) * | 2014-12-25 | 2016-06-30 | ポリマテック・ジャパン株式会社 | シリコーン組成物 |
| US10329424B2 (en) | 2014-12-25 | 2019-06-25 | Polymatech Japan Co., Ltd. | Silicone composition |
| KR20170043459A (ko) | 2015-10-13 | 2017-04-21 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 부가 일액 경화형 열전도성 실리콘 그리스 조성물 |
| EP3156456A1 (en) | 2015-10-13 | 2017-04-19 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | One-part addition-curing heat-conductive silicone grease composition |
| US10030184B2 (en) | 2015-10-13 | 2018-07-24 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Addition one part curing type heat-conductive silicone grease composition |
| WO2017159309A1 (ja) | 2016-03-14 | 2017-09-21 | 信越化学工業株式会社 | 付加一液加熱硬化型熱伝導性シリコーングリース組成物及びその硬化物の製造方法 |
| US10647830B2 (en) | 2016-05-24 | 2020-05-12 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Thermally conductive silicone composition and cured product thereof |
| WO2017203924A1 (ja) * | 2016-05-24 | 2017-11-30 | 信越化学工業株式会社 | 熱伝導性シリコーン組成物及びその硬化物 |
| CN109906249A (zh) * | 2016-11-21 | 2019-06-18 | Ｋｃｃ公司 | 具有优异的散热性能的硅氧烷组合物 |
| KR20180056838A (ko) * | 2016-11-21 | 2018-05-30 | 주식회사 케이씨씨 | 방열성이 우수한 실리콘 조성물 |
| WO2018093030A1 (ko) * | 2016-11-21 | 2018-05-24 | 주식회사 케이씨씨 | 방열성이 우수한 실리콘 조성물 |
| KR101864505B1 (ko) * | 2016-11-21 | 2018-06-29 | 주식회사 케이씨씨 | 방열성이 우수한 실리콘 조성물 |
| US11549043B2 (en) | 2017-07-24 | 2023-01-10 | Dow Toray Co., Ltd. | Multicomponent-curable thermally-conductive silicone gel composition, thermally-conductive member and heat dissipation structure |
| WO2019021825A1 (ja) | 2017-07-24 | 2019-01-31 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 熱伝導性シリコーンゲル組成物、熱伝導性部材および放熱構造体 |
| US11674040B2 (en) | 2017-07-24 | 2023-06-13 | Dow Toray Co., Ltd. | Thermally-conductive silicone gel composition, thermally-conductive member, and heat dissipation structure |
| JPWO2019021825A1 (ja) * | 2017-07-24 | 2020-07-02 | ダウ・東レ株式会社 | 熱伝導性シリコーンゲル組成物、熱伝導性部材および放熱構造体 |
| US11578245B2 (en) | 2017-07-24 | 2023-02-14 | Dow Toray Co., Ltd. | Thermally-conductive silicone gel composition, thermally-conductive member, and heat dissipation structure |
| JP2019077843A (ja) * | 2017-10-27 | 2019-05-23 | 信越化学工業株式会社 | 熱伝導性シリコーンポッティング組成物およびその硬化物 |
| JP2020515652A (ja) * | 2017-11-30 | 2020-05-28 | エルジー・ケム・リミテッド | 放熱流体組成物、その製造方法、それを含む電池モジュール及びバッテリーパック |
| US11101510B2 (en) | 2017-11-30 | 2021-08-24 | Lg Chem, Ltd. | Heat-dissipation fluid composition, method of preparing heat-dissipation fluid composition, and battery module and battery pack including heat-dissipation fluid composition |
| WO2020080256A1 (ja) | 2018-10-15 | 2020-04-23 | デンカ株式会社 | 二液硬化型組成物セット、熱伝導性硬化物及び電子機器 |
| US11915993B2 (en) | 2018-10-15 | 2024-02-27 | Denka Company Limited | Two-pack curable composition set, thermally conductive cured product, and electronic device |
| WO2021059936A1 (ja) * | 2019-09-27 | 2021-04-01 | 信越化学工業株式会社 | 熱伝導性シリコーン組成物及びその製造方法、並びに半導体装置 |
| JPWO2021059936A1 (ja) * | 2019-09-27 | 2021-04-01 | ||
| JP7283555B2 (ja) | 2019-09-27 | 2023-05-30 | 信越化学工業株式会社 | 熱伝導性シリコーン組成物及びその製造方法、並びに半導体装置、半導体装置の熱伝導性充填剤層の耐ポンプアウト性を改善する方法 |
| KR20240037182A (ko) | 2021-07-29 | 2024-03-21 | 세키수이 폴리머텍 가부시키가이샤 | 열전도성 조성물 및 경화물 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2009145086A1 (en) | 2009-12-03 |
| KR20110017864A (ko) | 2011-02-22 |
| CN102046728A (zh) | 2011-05-04 |
| EP2294138B1 (en) | 2018-01-10 |
| US20110188213A1 (en) | 2011-08-04 |
| US8633276B2 (en) | 2014-01-21 |
| KR101602732B1 (ko) | 2016-03-11 |
| TW201000559A (en) | 2010-01-01 |
| CN102046728B (zh) | 2013-04-17 |
| TWI471379B (zh) | 2015-02-01 |
| HUE036296T2 (hu) | 2018-06-28 |
| EP2294138A1 (en) | 2011-03-16 |
| JP5507059B2 (ja) | 2014-05-28 |
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