JP2009276215A - プローブ装置及びコンタクト位置の補正方法 - Google Patents

プローブ装置及びコンタクト位置の補正方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2009276215A
JP2009276215A JP2008128145A JP2008128145A JP2009276215A JP 2009276215 A JP2009276215 A JP 2009276215A JP 2008128145 A JP2008128145 A JP 2008128145A JP 2008128145 A JP2008128145 A JP 2008128145A JP 2009276215 A JP2009276215 A JP 2009276215A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
distance
mounting table
overdrive amount
probe
probe card
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008128145A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2009276215A5 (enExample
Inventor
Hiroshi Yamada
浩史 山田
Tomoya Endo
朋也 遠藤
Shinya Koizumi
慎也 小泉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2008128145A priority Critical patent/JP2009276215A/ja
Priority to KR1020090041659A priority patent/KR101059603B1/ko
Priority to TW098116016A priority patent/TWI437236B/zh
Priority to US12/466,107 priority patent/US8130004B2/en
Priority to CN2009101407989A priority patent/CN101581733B/zh
Publication of JP2009276215A publication Critical patent/JP2009276215A/ja
Publication of JP2009276215A5 publication Critical patent/JP2009276215A5/ja
Priority to US13/358,669 priority patent/US20120119766A1/en
Priority to US13/358,635 priority patent/US20120126841A1/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
    • G01R31/2891—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks related to sensing or controlling of force, position, temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
JP2008128145A 2008-05-15 2008-05-15 プローブ装置及びコンタクト位置の補正方法 Pending JP2009276215A (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008128145A JP2009276215A (ja) 2008-05-15 2008-05-15 プローブ装置及びコンタクト位置の補正方法
KR1020090041659A KR101059603B1 (ko) 2008-05-15 2009-05-13 프로브 장치 및 콘택트 위치의 보정 방법
TW098116016A TWI437236B (zh) 2008-05-15 2009-05-14 The method of modifying the probe device and the contact position
US12/466,107 US8130004B2 (en) 2008-05-15 2009-05-14 Probe apparatus and method for correcting contact position by adjusting overdriving amount
CN2009101407989A CN101581733B (zh) 2008-05-15 2009-05-15 探针装置和接触位置的修正方法
US13/358,669 US20120119766A1 (en) 2008-05-15 2012-01-26 Probe apparatus and method for correcting contact position
US13/358,635 US20120126841A1 (en) 2008-05-15 2012-01-26 Probe apparatus and method for correcting contact position

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008128145A JP2009276215A (ja) 2008-05-15 2008-05-15 プローブ装置及びコンタクト位置の補正方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009276215A true JP2009276215A (ja) 2009-11-26
JP2009276215A5 JP2009276215A5 (enExample) 2011-06-16

Family

ID=41315591

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008128145A Pending JP2009276215A (ja) 2008-05-15 2008-05-15 プローブ装置及びコンタクト位置の補正方法

Country Status (5)

Country Link
US (3) US8130004B2 (enExample)
JP (1) JP2009276215A (enExample)
KR (1) KR101059603B1 (enExample)
CN (1) CN101581733B (enExample)
TW (1) TWI437236B (enExample)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014021024A1 (ja) * 2012-07-31 2014-02-06 東京エレクトロン株式会社 プローブカードへの基板当接装置及び基板当接装置を備えた基板検査装置
JP2014029917A (ja) * 2012-07-31 2014-02-13 Tokyo Electron Ltd プローブカードへの基板当接方法
KR20180057351A (ko) * 2016-11-22 2018-05-30 세메스 주식회사 프로브 스테이션
WO2023106150A1 (ja) * 2021-12-08 2023-06-15 東京エレクトロン株式会社 検査方法、補正量算出方法および検査装置

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5308948B2 (ja) * 2009-07-23 2013-10-09 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体デバイスの検査装置及び方法
KR101083346B1 (ko) * 2010-12-09 2011-11-15 주식회사 이노비즈 엘이디 칩 검사장치
JP5687172B2 (ja) * 2011-11-01 2015-03-18 三菱電機株式会社 半導体テスト治具およびそれを用いた耐圧測定方法
CN104793118B (zh) * 2014-01-17 2017-11-03 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 设定测试针压的方法
CN103792483B (zh) * 2014-01-24 2016-04-06 苏州高新区世纪福科技有限公司 手机pcb板测试装置
US10281518B2 (en) * 2014-02-25 2019-05-07 Formfactor Beaverton, Inc. Systems and methods for on-wafer dynamic testing of electronic devices
JP6423660B2 (ja) * 2014-09-09 2018-11-14 東京エレクトロン株式会社 ウエハ検査装置における検査用圧力設定値決定方法
KR102396428B1 (ko) 2014-11-11 2022-05-11 삼성전자주식회사 반도체 테스트 장치 및 방법
CN104459230A (zh) * 2014-11-26 2015-03-25 上海华力微电子有限公司 一种探针保护装置
JP6890921B2 (ja) * 2015-10-21 2021-06-18 株式会社日本マイクロニクス プローブカード及び接触検査装置
US10372121B2 (en) * 2016-04-26 2019-08-06 Ford Global Technologies, Llc Determination of continuous user interaction and intent through measurement of force variability
DE112016007382T5 (de) * 2016-10-26 2019-09-26 Mitsubishi Electric Corporation Inspektionsvorrichtung und Inspektionsverfahren
JP6745197B2 (ja) * 2016-11-04 2020-08-26 浜松ホトニクス株式会社 超音波検査装置及び超音波検査方法
US10509071B2 (en) * 2016-11-18 2019-12-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and system for aligning probe card in semiconductor device testing
US10388579B2 (en) * 2017-09-21 2019-08-20 Texas Instruments Incorporated Multi-plate semiconductor wafer testing systems
JP7160051B6 (ja) * 2017-12-28 2022-11-11 日本電産リード株式会社 検査装置及び検査方法
CN111239448B (zh) * 2018-11-28 2024-05-03 长鑫存储技术有限公司 测试机以及用于校准探针卡与待测器件的方法
WO2020108352A1 (en) * 2018-11-28 2020-06-04 Changxin Memory Technologies, Inc. Tester and method for calibrating probe card and device under testing (dut)
CN109633273B (zh) * 2018-11-30 2021-06-04 上海无线电设备研究所 一种用于开孔式负载阻抗测试系统及其方法
US11656181B2 (en) 2018-12-21 2023-05-23 Industrial Technology Research Institute Inspection apparatus and inspection method for inspecting light-emitting diodes
CN110187255B (zh) * 2019-04-15 2021-10-15 上海华力集成电路制造有限公司 一种建立探针测试程式时确定过驱动量的方法
CN110045269A (zh) * 2019-05-09 2019-07-23 肇庆学院 一种芯片测试装置及方法
JP7374682B2 (ja) * 2019-09-17 2023-11-07 株式会社国際電気セミコンダクターサービス 抵抗率測定器、半導体装置の製造方法および抵抗率測定方法
JP7421990B2 (ja) * 2020-04-08 2024-01-25 株式会社日本マイクロニクス 電気的接続装置および検査方法
US20240094261A1 (en) * 2020-08-12 2024-03-21 Microfabrica Inc. Probe Arrays and Improved Methods for Making and Using Longitudinal Deformation of Probe Preforms
KR102721104B1 (ko) * 2020-09-22 2024-10-23 세메스 주식회사 프로브 스테이션

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004265895A (ja) * 2003-01-20 2004-09-24 Tokyo Electron Ltd 光学的測長器を備えたプローブ装置及びプローブ検査方法
JP2007165598A (ja) * 2005-12-14 2007-06-28 Tokyo Seimitsu Co Ltd プローバ、プローブ接触方法及びそのためのプログラム
JP2007183193A (ja) * 2006-01-10 2007-07-19 Micronics Japan Co Ltd プロービング装置
JP2007218850A (ja) * 2006-02-20 2007-08-30 Sumitomo Electric Ind Ltd プローブピン、プローブカード、検査装置および検査装置の制御方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3208734B2 (ja) * 1990-08-20 2001-09-17 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置
US7382142B2 (en) * 2000-05-23 2008-06-03 Nanonexus, Inc. High density interconnect system having rapid fabrication cycle
JP2002313857A (ja) * 2001-04-12 2002-10-25 Ando Electric Co Ltd 距離変化出力装置及び方法
JP4782953B2 (ja) 2001-08-06 2011-09-28 東京エレクトロン株式会社 プローブカード特性測定装置、プローブ装置及びプローブ方法
JP2003168707A (ja) 2001-11-30 2003-06-13 Tokyo Electron Ltd プローブ装置
JP4246010B2 (ja) 2003-07-30 2009-04-02 東京エレクトロン株式会社 検査装置
JP2006186130A (ja) 2004-12-28 2006-07-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体検査装置
JP2008028103A (ja) 2006-07-20 2008-02-07 Fujifilm Corp ウエハプローバ
JP2008243861A (ja) 2007-03-23 2008-10-09 Tokyo Electron Ltd 検査装置及び検査方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004265895A (ja) * 2003-01-20 2004-09-24 Tokyo Electron Ltd 光学的測長器を備えたプローブ装置及びプローブ検査方法
JP2007165598A (ja) * 2005-12-14 2007-06-28 Tokyo Seimitsu Co Ltd プローバ、プローブ接触方法及びそのためのプログラム
JP2007183193A (ja) * 2006-01-10 2007-07-19 Micronics Japan Co Ltd プロービング装置
JP2007218850A (ja) * 2006-02-20 2007-08-30 Sumitomo Electric Ind Ltd プローブピン、プローブカード、検査装置および検査装置の制御方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014021024A1 (ja) * 2012-07-31 2014-02-06 東京エレクトロン株式会社 プローブカードへの基板当接装置及び基板当接装置を備えた基板検査装置
JP2014029917A (ja) * 2012-07-31 2014-02-13 Tokyo Electron Ltd プローブカードへの基板当接方法
JP2014029916A (ja) * 2012-07-31 2014-02-13 Tokyo Electron Ltd プローブカードへの基板当接装置及び基板当接装置を備えた基板検査装置
US9863977B2 (en) 2012-07-31 2018-01-09 Tokyo Electron Limited Method of contacting substrate with probe card
US9915698B2 (en) 2012-07-31 2018-03-13 Tokyo Electron Limited Device of contacting substrate with probe card and substrate inspection apparatus having same
KR20180057351A (ko) * 2016-11-22 2018-05-30 세메스 주식회사 프로브 스테이션
KR102654604B1 (ko) 2016-11-22 2024-04-03 세메스 주식회사 프로브 스테이션
WO2023106150A1 (ja) * 2021-12-08 2023-06-15 東京エレクトロン株式会社 検査方法、補正量算出方法および検査装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW201007172A (en) 2010-02-16
CN101581733B (zh) 2011-12-21
US8130004B2 (en) 2012-03-06
TWI437236B (zh) 2014-05-11
US20120119766A1 (en) 2012-05-17
US20120126841A1 (en) 2012-05-24
CN101581733A (zh) 2009-11-18
KR101059603B1 (ko) 2011-08-25
KR20090119715A (ko) 2009-11-19
US20090284277A1 (en) 2009-11-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2009276215A (ja) プローブ装置及びコンタクト位置の補正方法
KR100653028B1 (ko) 피검사체의 전기적 특성을 검사하는 검사 방법 및 검사장치
US7504844B2 (en) Inspection apparatus and method
JP5295588B2 (ja) プローブカードの傾き調整方法、プローブカードの傾き検出方法及びプローブカードの傾き検出方法を記録したプログラム記録媒体
JP4357813B2 (ja) プローブ装置及びプローブ方法
KR100945328B1 (ko) 프로브의 침끝위치의 검출 방법, 얼라이먼트 방법,침끝위치 검출 장치 및 프로브 장치
KR101099990B1 (ko) 프로브 장치, 프로빙 방법, 및 기록 매체
JP4782953B2 (ja) プローブカード特性測定装置、プローブ装置及びプローブ方法
TWI416113B (zh) The parallelism adjustment method and the inspection program memory medium and the inspection apparatus of the probe card and the mounting table
TWI503549B (zh) Parallel adjustment mechanism of probe card and probe inspection device
JP2006186130A (ja) 半導体検査装置
JP2008028103A (ja) ウエハプローバ
CN106093741B (zh) 根据多个待测点的水平位置调整探针的位移距离的方法
JP2019009282A (ja) プローブ装置及び針跡転写方法
JP2005123293A (ja) プローブ検査方法
JP2007103860A (ja) プローブ接触痕検出方法、及び、プローバ
JP2006177787A (ja) 針圧調整用プローブカード、プローブ針の針圧調整方法および半導体装置の特性検査方法
KR101000843B1 (ko) 비전 검사기능이 구비된 프로브카드의 검사장치
JP2008084929A (ja) 検査装置の調整方法および半導体装置の検査方法
JP2014041959A (ja) ウェハテスト方法、およびウェハテスト方法に用いられるプローバ

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110420

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110420

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120705

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120717

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20121113