JP2014041959A - ウェハテスト方法、およびウェハテスト方法に用いられるプローバ - Google Patents
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Abstract
【課題】プローブの破損を防ぐことができるウェハテスト方法、およびウェハテスト方法に用いられるプローバを提供する。
【解決手段】吸着ステージに載置した半導体ウェハをダイシングしてチップを形成し、このチップを光学式変位計で測定して吸着ステージからの高さを求め、この高さに基づいて測定対象から外された測定回避チップAがチップ群に含まれていた場合、測定回避チップAを含むチップ群の手前のチップ群を測定した後、並列する方向にチャンネルとチップ群とが変位してチャンネルのうち端のチャンネルが測定回避チップAの側方に並列するチップに対応し、このチップをテスタで測定する。
【選択図】図3
【解決手段】吸着ステージに載置した半導体ウェハをダイシングしてチップを形成し、このチップを光学式変位計で測定して吸着ステージからの高さを求め、この高さに基づいて測定対象から外された測定回避チップAがチップ群に含まれていた場合、測定回避チップAを含むチップ群の手前のチップ群を測定した後、並列する方向にチャンネルとチップ群とが変位してチャンネルのうち端のチャンネルが測定回避チップAの側方に並列するチップに対応し、このチップをテスタで測定する。
【選択図】図3
Description
本発明は、チップ化された半導体ウェハの特性をテスタで測定し、適正を検査するウェハテスト方法、およびウェハテスト方法に用いられるプローバに関するものである。
従来、半導体製造工程では、ウェハが切断(ダイシング)されてチップが製作され、チップの適正がウェハテストにより検査される。ウェハテストに用いられるプローバは、ウェハが載置されるステージと、このステージと対面するプローブカードとが備えられている。プローブカードはチャンネルごとにプローブが備えられ、テスタが接続されている。
ウェハはステージ上に乗せられてプローブカードと対面させられ、チップの電極パッドが複数のチャンネルごとのプローブに触れられる。これにより複数のチップの特性が同時に測定されてチップの適正が検査される。測定ではチップにプローブを確実に接触させるため、チップに押し付けられたプローブは所定の範囲で撓む。
ウェハテストの際、ダイシングによって細分化されたウェハがバラバラになることを防ぐため、チップはダイシング用のテープが貼り付けられて繋ぎ留められる(下記特許文献1参照)。
しかし、テープの貼り付け方や粘着力によっては、チップは位置やステージからの高さが不揃いとなる場合がある。このような状態で突出したチップの電極パッドに触れたプローブは、許容する範囲を超えて撓み、破損する場合がある。
本発明は、上記の実情に鑑みて提案されたものである。すなわち、プローブの破損を防ぐことができるウェハテスト方法、およびウェハテスト方法に用いられるプローバの提供を目的とする。
本発明に係るウェハテスト方法は、ステージに載置した半導体ウェハをダイシングしてチップを形成し、このチップを第1撮像器で撮像して位置を求めると共に測定器で測定して前記ステージからの高さを求めるチップ測定手順を経た後、プローブカードが前記チップに対面して、前記プローブカードが有する複数のチャンネルが複数のチップにそれぞれ対応すると共に前記チャンネルごとに備わったプローブが前記複数のチップに電気的に接触し、前記プローブカードに接続したテスタで、前記チップを前記複数のチップであるチップ群ごとに測定するチップ検査手順を経る、ウェハテスト方法において、前記チップ測定手順で、前記ステージからの高さに基づいて測定対象から外されたチップである測定回避チップを検出し、前記チップ検査手順で、前記測定回避チップを含むチップ群の手前のチップ群を測定した後、前記複数のチャンネルと前記測定回避チップを含むチップ群とを変位させて前記測定回避チップを回避し、前記チャンネルを、前記測定回避チップを含むチップ群のうち前記測定回避チップに隣接するチップに対応させて、このチップを前記テスタで測定する、ことを特徴としている。
また、前記チャンネルが側方に並列して前記複数のチャンネルが構成されて、前記複数のチップが側方に並列して前記チップ群が構成され、前記チップ検査手順で、前記測定回避チップを含むチップ群の手前のチップ群を測定した後、並列する方向に前記複数のチャンネルと前記測定回避チップを含むチップ群とを変位させて前記測定回避チップを回避し、前記チャンネルを、前記測定回避チップを含むチップ群のうち前記測定回避チップの側方に並列するチップに対応させて、このチップを前記テスタで測定する、ことを特徴としている。
また、前記チップ検査手順で、前記複数のチャンネルのうち一方の側方の端のチャンネルを、前記測定回避チップを含むチップ群のうち前記測定回避チップの他方の側方に隣接するチップに対応させ、前記複数のチャンネルのうち他方の側方の端のチャンネルを、前記測定回避チップを含むチップ群のうち前記測定回避チップの一方の側方に隣接するチップに対応させる、ことを特徴としている。
また、前記測定器が光学式変位計であり、前記チップ測定手順で、前記光学式変位計からの測定光を前記半導体ウェハと略同一の高さに備えられた透過性の撮像ステージに照射すると共に、前記撮像ステージを介して前記光学式変位計に対向して備えられた第2撮像器で撮像し、この第2撮像器で撮像された前記測定光が照射する位置を前記チップの位置に基づいて校正する、ことを特徴としている。
また、前記チップ測定手順で、照射する位置が校正された前記測定光により前記ステージからの前記チップの高さを連続して測定する、ことを特徴としている。
また、本発明に係るプローバは、上記したウェハテスト方法に用いられる、ことを特徴としている。
本発明に係るウェハテスト方法およびこのウェハテスト方法に用いられるプローバは上記した構成である。この構成によれば、測定回避チップを回避してチップに接触したプローブが、許容する範囲で撓む。したがって、プローブの破損を防ぐことができる。
本発明に係るウェハテスト方法およびこのウェハテスト方法に用いられるプローバは、第1撮像器で撮像して算出したチップの位置に基づいて測定器が測定光をチップに照射する。この構成により、測定光を照射する位置がチップの位置として定まっているため、チップの高さを連続して測定することができる。また、測定光が照射される位置を校正したうえで、ステージからのチップの高さを光学式変位計で連続して測定する。したがって、時間を短縮して測定し、検査することができる。
以下、本発明に係る実施形態を図面に基づいて説明する。図1は第1の実施形態に係るプローバ43の概略を示す概略図である。
図1において、第1の実施形態に係るプローバ43は、基台44、この基台44上に備えられた各移動ステージ(Xステージ45、Yステージ46、およびZθステージ47)、Zθステージ47の上に備えられた吸着ステージ48、この吸着ステージ48と対面するプローブカード49、このプローブカード49に備えられた測定器としての光学式変位計50、吸着ステージ48上に載置される半導体ウェハ41と略同一の高さに水平に配置された撮像ステージ53、第1撮像器としてのチップ撮像カメラ(図示せず)、第2撮像器としてのアライメントカメラ54、撮像された画像から位置を算出する処理部(図示せず)、および各移動ステージ45、46、および47の移動を制御する制御部(図示せず)から構成されている。プローブカード49にはプローブニードル51が備えられ、テスタ(図示せず)が接続されている。
各移動ステージ45、46、および47は、吸着ステージ48をX、YおよびZの各軸方向に移動させると共にZ軸を中心に回転させる。吸着ステージ48は例えばポーラスチャックであり、半導体ウェハ41を吸着する。半導体ウェハ41はダイシングされて形成された複数のチップ42が整列している(図3(b)参照)。
プローブカード49はマルチチャンネルであり、並列した複数のチャンネルを有している。1つのチャンネルは1個のチップ42に対応する。チャンネルの数や並び方は任意である。チップ42に接触するプローブニードル51はカンチレバー式である。プローブニードル51は、チップ42の電極に対応して配置されている。光学式変位計(レーザ変位計)50は公知であり、測定光52の反射により吸着ステージ48からのチップ42の高さを測定する。この測定により、基準となるチップ42の高さと異なる高さのチップである測定回避チップA(図3(b)参照)が検出される。
撮像ステージ53は光を透過させる例えばガラスなどから形成されている。アライメントカメラ54はレンズが上方に向けられてYステージ46上に備えられ、撮像ステージ53の裏側、プローブカード49の裏側をレンズで捉えることができる。一方、チップ撮像カメラはレンズが下方に向けられてプローバ43の筐体(図示せず)に備えられ、半導体ウェハ41をレンズで捉えることができる。アライメントカメラ54は真下からプローブニードル51、または光学式変位計からの測定光52を撮像し、一方、チップ撮像カメラはチップ42を撮像する。撮像されたそれぞれの画像に基づいて処理部がそれぞれの位置や高さを算出する。算出された結果に基づいて制御部が各移動ステージ45、46、および47の移動を制御する。
ここで、撮像ステージ53およびアライメントカメラ54は、チップ測定手順において光学式変位計50から投光される測定光52が照射する位置の校正(キャリブレーション)に用いられる。なお、キャリブレーションについては後述する。
次に、第1の実施形態に係るウェハテスト方法について説明する。ウェハテスト方法は、チップ42のチップデータを測定するチップ測定手順、および測定回避チップAを回避するチップ検査手順を経る。先にチップ検査手順のフローを図面に基づいて説明し、チップ測定手順については具体的な処理と共に後述する。図2は第1の実施形態に係るウェハテスト方法のうちチップ検査手順のフロー図である。
なお、以下の説明において、測定回避チップAの「手前のチップ群」とは、各チップ群のうち測定される順番が測定回避チップAの直前であるものをいう。「側方」とは、測定される順番にチップ群が並ぶ方向に対して直角の向きをいう。
ステップS1において、処理部は同時に測定される複数のチップ42から構成されたチップ群の位置および高さ(チップデータ)を取得する。ここで、チップ群に含まれるチップ42の数は、プローブカード49のチャンネルの数である。チャンネルが4つであれば、チップ群のチップ42の数は4個である(図3(a)参照)。
ステップS2において、処理部はチップデータからチップ群における測定の対象となるチップ42の有無を判定する。判定の結果、測定の対象となるチップ42があれば次のステップS3を処理し、チップ42がなければ次のチップ群を処理するべくステップS1に戻る(ステップS1)。
ステップS3において、処理部はチップデータからチップ群における測定回避チップAの有無を判定する。判定の結果、測定回避チップAがなければ次のステップS4を処理し、測定回避チップAがあればステップS5を処理する。
ステップS4において、プローブカード49はプローブニードル51が未測定のチップ42に接触する。テスタがプローブカード49を通じてチップ42の特性(例えば電気的特性、光学的特性)を測定する。
ステップS5において、処理部はチップが並ぶ方向を判定する。すなわち、チップが並ぶ方向が縦方向であればステップS6を処理し、横方向であればステップS11を処理する。ステップS6からS9、およびステップS11からS14の処理は同じであるため、以下、ステップS6からS9までについて説明し、ステップS11からS14までの説明を省略する。
ステップS6において、処理部は測定回避チップAの一方の側方に隣接する未測定のチップ42があるか否かを判定する。判定の結果、未測定のチップ42があればステップS7を処理し、なければステップS8を処理する。
ステップS7において、プローブカード49はプローブニードル51が測定回避チップAの一方の側方に隣接する未測定のチップ42に接触する(図4(b)参照)。テスタがプローブカード49を通じてチップ42の特性を測定する。
ステップS8において、処理部は測定回避チップAの他方の側方に隣接する未測定のチップ42があるか否かを判定する。判定の結果、未測定のチップ42があればステップS9を処理し、なければステップS10を処理する。
ステップ9において、プローブカード49はプローブニードル51が測定回避チップAの他方の側方に隣接する未測定のチップ42に接触する(図4(d)参照)。テスタがプローブカード49を通じてチップ42の特性を測定する。
ステップ10において、処理部はすべてのチップ42の測定が終了したか否かを判定する。測定が終了していなければステップS1に戻り、終了していれば処理を終える。
次に、第1の実施形態に係るウェハテスト方法の具体的な処理を図面に基づいて説明する。はじめにチップ測定手順を図1に基づいて説明する。
図1において、チップ42は吸着ステージ48が各移動ステージ45、46、および47によりチップ撮像カメラの真下に移動する。チップ撮像カメラがチップ42を撮像し、撮像した画像から処理部がチップ42の座標を算出する。なお、チップ撮像カメラおよびアライメントカメラ54の位置は、それぞれのカメラが撮像ステージ53の所定の箇所(例えば十字などの印)を撮像することで測定され、キャリブレーションがなされる。
チップ42は吸着ステージ48が各移動ステージ45、46、および47により光学式変位計50の真下に移動する。光学式変位計50によりチップ42の高さが測定される。この際、光学式変位計50が照射する測定光52の位置のキャリブレーションがなされる。
詳説すれば、各移動ステージ45、46、および47によりアライメントカメラ54が光学式変位計50の真下に移動し、撮像ステージ53を介して測定光52を撮像する。処理部は撮像した画像から測定光52が照射する位置を算出する。測定光52が照射する位置は、チップ42の座標に基づいてキャリブレーションがなされる。なお、撮像ステージ53の位置は、アライメントカメラ54のピントが合う高さの範囲、かつ、光学式変位計50により測定することができる高さの範囲である。
光学式変位計50はキャリブレーションがなされた測定光52の位置に基づいて測定光をチップ42に照射する。各チップ42は各移動ステージ45、46、および47の移動により連続して照射され、吸着ステージ48からの高さが連続して測定される。ここで、基準となるチップ42の高さと異なる高さのチップである測定回避チップAが検出される。
チップ42のチップデータを算出した後、各移動ステージ45、46、および47は、チップ42の電極をプローブニードル51の真下に配置し、チップ42の電極の配列方向をプローブニードル51の配列方向に一致させる。Zθステージ47が上下に移動してチップ42の電極はプローブニードル51に接近、離反する。
次に、チップ測定手順を図3および図4に基づいて説明する。図3は第1の実施形態に係るウェハテスト方法における検査手順の概略を示し、図4は測定回避チップAを回避するフローを示している。
図3(a)において、プローブカード49は4チャンネルであり、各チャンネルのプローブニードル51がチップ42に接触する。したがって、4個のチップ42から構成されたチップ群が同時に処理される。チャンネルは一方の側方の端である第1チャンネルから他方の側方の端である第4チャンネルまでが並列し、チップ群の第1番チップから第4番チップにそれぞれ対応している。
図3(b)において、プローブカード49は整列した複数のチップ42のうち左端にある第1チップ群1に照準を合わせ、第1チャンネルから第4チャンネルのプローブニードル51が第1番チップから第4番チップにそれぞれ接触する。第1チップ群1の各チップ42は、プローブカード49を通じてテスタによって特性が測定される。第1チップ群1から第13チップ群13に測定回避チップAが含まれていないため、この処理を第13チップ群13まで繰り返す(図3(c)参照)(ステップS1からS4)。
第14チップ群14に測定回避チップAが含まれているため(ステップS6)、プローブカード49は測定回避チップAの手前の第13チップ群13を測定した後、測定回避チップAを回避して第14チップ群14を処理する。ここで、マルチチャンネルであるプローブカード49は、第14チップ群14における測定回避チップAの位置によってチップ42に対応するチャンネルが異なる。以下、第14チップ群14における測定回避チップAの位置ごとに、それぞれの処理を説明する。
<第2番チップが測定回避チップAである場合>
図4(a)、(b)において、第14チップ群14のうちの第2番チップが測定回避チップAであるため、測定回避チップAの一方の側方(平面視して上側)に隣接する第1番チップを処理する(ステップS6)。プローブカード49は、他方の側方の端のチャンネルである第4チャンネルの照準を測定回避チップAの一方の側方に隣接する第1番チップに合わせ、第4チャンネルのプローブニードル51を第1番チップに接触させる(ステップS7)。
図4(a)、(b)において、第14チップ群14のうちの第2番チップが測定回避チップAであるため、測定回避チップAの一方の側方(平面視して上側)に隣接する第1番チップを処理する(ステップS6)。プローブカード49は、他方の側方の端のチャンネルである第4チャンネルの照準を測定回避チップAの一方の側方に隣接する第1番チップに合わせ、第4チャンネルのプローブニードル51を第1番チップに接触させる(ステップS7)。
次に、図4(c)、(d)において、測定回避チップAの他方の側方(平面視して下側)に隣接する第3番チップおよび並列する第4番チップを処理する(ステップS8)。プローブカード49は、一方の側方の端のチャンネルである第1チャンネルの照準を測定回避チップAの他方の側方に隣接する第3番チップに合わせると共に、第2チャンネルの照準を第4番チップに合わせ、第1チャンネルおよび第2チャンネルの各プローブニードル51を、第3番チップおよび第4番チップに接触させる(ステップS9)。このようにして第14チップ群14は第1番チップ、第3番チップ、および第4番チップの特性がテスタにより測定される。
<第3番チップが測定回避チップAである場合>
図5(a)において、第14チップ群14のうちの第3番チップが測定回避チップAであるため、測定回避チップAの一方の側方に隣接する第2番チップおよび並列する第1番チップを処理する(ステップS6)。プローブカード49は、他方の側方の端のチャンネルである第4チャンネルの照準を測定回避チップAの一方の側方に隣接する第2番チップに合わせると共に、第3チャンネルの照準を第1番チップに合わせ、第4チャンネルおよび第3チャンネルの各プローブニードル51を第2番チップおよび第1番チップに接触させる(ステップS7)。
図5(a)において、第14チップ群14のうちの第3番チップが測定回避チップAであるため、測定回避チップAの一方の側方に隣接する第2番チップおよび並列する第1番チップを処理する(ステップS6)。プローブカード49は、他方の側方の端のチャンネルである第4チャンネルの照準を測定回避チップAの一方の側方に隣接する第2番チップに合わせると共に、第3チャンネルの照準を第1番チップに合わせ、第4チャンネルおよび第3チャンネルの各プローブニードル51を第2番チップおよび第1番チップに接触させる(ステップS7)。
次に、測定回避チップAの他方の側方に隣接する第4番チップを処理する(ステップS8)。プローブカード49は、一方の側方の端のチャンネルである第1チャンネルの照準を測定回避チップAの他方の側方に隣接する第4番チップに合わせ、第1チャンネルのプローブニードル51を第4番チップに接触させる(ステップS9)。このようにして第14チップ群14は第1番チップ、第2番チップ、および第4番チップの特性がテスタにより測定される。
<第1番チップが測定回避チップAである場合>
図5(b)において、第14チップ群14のうちの第1番チップが測定回避チップAであるため、測定回避チップAの他方の側方に隣接する第2番チップ、並列する第3番チップおよび第4番チップを処理する(ステップS8)。
図5(b)において、第14チップ群14のうちの第1番チップが測定回避チップAであるため、測定回避チップAの他方の側方に隣接する第2番チップ、並列する第3番チップおよび第4番チップを処理する(ステップS8)。
プローブカード49は、一方の側方の端のチャンネルである第1チャンネルの照準を測定回避チップAの他方の側方に隣接する第2番チップに合わせると共に、第2チャンネルおよび第3チャンネルの照準を第3番チップおよび第4番チップに合わせ、第1チャンネル、第2チャンネル、および第3チャンネルの各プローブニードル51を第2番チップ、第3番チップ、および第4番チップに接触させる(ステップS9)。このようにして第14チップ群14は第2番チップ、第3番チップ、および第4番チップの特性がテスタにより測定される。
<第4番チップが測定回避チップAである場合>
図5(c)において、第14チップ群14のうちの第4番チップが測定回避チップAであるため、測定回避チップAの一方の側方に隣接する第3番チップ、並列する第2番チップおよび第1番チップを処理する(ステップS6)。
図5(c)において、第14チップ群14のうちの第4番チップが測定回避チップAであるため、測定回避チップAの一方の側方に隣接する第3番チップ、並列する第2番チップおよび第1番チップを処理する(ステップS6)。
プローブカード49は、他方の側方の端のチャンネルである第4チャンネルの照準を測定回避チップAの一方の側方に隣接する第3番チップに合わせると共に、第3チャンネルおよび第2チャンネルの照準を第2番チップおよび第1番チップに合わせ、第4チャンネル、第3チャンネル、および第2チャンネルのプローブニードル51を第3番チップ、第2番チップ、および第1番チップに接触させる(ステップS7)。このようにして第14チップ群14は第3番チップ、第2番チップ、および第1番チップの特性がテスタにより測定される。
第14チップ群14の測定の後、プローブカード49は第15チップ群15に照準を合わせ、各チャンネルのプローブニードル51を各チップ42にそれぞれ接触させる(ステップS1からS4)。
以上の処理を繰り返し全てのチップ42がチップ群ごとにテスタにより測定される。
次に、第1の実施形態の変形例1および2を図面に基づいて説明する。図6および図7は、それぞれ第1の実施形態の変形例1および変形例2の概略を示している。
<変形例1>
図6において、上記した第1の実施形態と同様に第1チップ群1から第13チップ群13まで処理した後(ステップS1からS4)、第14チップ群14における測定回避チップAの一方の側方に隣接する第1番チップを処理する(ステップS6)。ここで、第1の実施形態と異なり、測定回避チップAの他方の側方に隣接する第3番チップおよび第4番チップを処理せず、第15チップ群15から第19チップ群19までを処理する(ステップS1からS4)。
図6において、上記した第1の実施形態と同様に第1チップ群1から第13チップ群13まで処理した後(ステップS1からS4)、第14チップ群14における測定回避チップAの一方の側方に隣接する第1番チップを処理する(ステップS6)。ここで、第1の実施形態と異なり、測定回避チップAの他方の側方に隣接する第3番チップおよび第4番チップを処理せず、第15チップ群15から第19チップ群19までを処理する(ステップS1からS4)。
第19チップ群19を処理した後、第14チップ群14のうち測定回避チップAの他方の側方に隣接する第3番チップおよび第4番チップを処理する。プローブカード49は第14チップ群14の第3番チップおよび第4番チップに第1チャンネルおよび第2チャンネルの照準を合わせ、第1チャンネルおよび第2チャンネルのプローブニードル51を第3番チップおよび第4番チップに接触させる。このようにして第14番チップ群14は第1チップ群1、第3番チップおよび第4番チップの特性がテスタにより測定される。
<変形例2>
図7において、上記した第1の実施形態と同様に第1チップ群1から第13チップ群13まで処理した後(ステップS1からS4)、第14番チップ群14における測定回避チップAの一方の側方に隣接する第1番チップを処理する(ステップS6)。ここで、第1の実施形態と異なり、第14チップ群14の第3番チップおよび第4番チップを処理せず、第15チップ群15から最後のチップ群である第24チップ群24までを処理する(ステップS1からS4)。最後のチップ群を処理した後、第14チップ群14に戻って第3番チップおよび第4番チップを処理する。
図7において、上記した第1の実施形態と同様に第1チップ群1から第13チップ群13まで処理した後(ステップS1からS4)、第14番チップ群14における測定回避チップAの一方の側方に隣接する第1番チップを処理する(ステップS6)。ここで、第1の実施形態と異なり、第14チップ群14の第3番チップおよび第4番チップを処理せず、第15チップ群15から最後のチップ群である第24チップ群24までを処理する(ステップS1からS4)。最後のチップ群を処理した後、第14チップ群14に戻って第3番チップおよび第4番チップを処理する。
なお、第2の実施形態はチップ42の並び方が横方向であるが各処理は上記した第1の実施形態と同じであるため、説明を省略する(図8、図9、および図10)。第2の実施形態においても上記した第1の実施形態の変形例1および2と同様に変形することができる。
次に、本発明の実施形態に係るウェハテスト方法およびプローバ43の効果について説明する。
上記したように第1の実施形態によれば、第14チップ群14のうちの第2番チップが測定回避チップAであるため、測定回避チップAの一方の側方(平面視して上側)に隣接する第1番チップを処理する。プローブカード49は、他方の側方の端のチャンネルである第4チャンネルの照準を測定回避チップAの一方の側方に隣接する第1番チップに合わせ、第4チャンネルのプローブニードル51を第1番チップに接触させる。
次に、測定回避チップAの他方の側方(平面視して下側)に隣接する第3番チップおよび並列する第4番チップを処理する。プローブカード49は、一方の側方の端のチャンネルである第1チャンネルの照準を測定回避チップAの他方の側方に隣接する第3番チップに合わせると共に、第2チャンネルの照準を第4番チップに合わせ、第1チャンネルおよび第2チャンネルの各プローブニードル51を、第3番チップおよび第4番チップに接触させる。このようにして第14チップ群14は第1番チップ、第3番チップ、および第4番チップの特性がテスタにより測定される。
この構成により、チップ群のうち測定回避チップAを回避して両側方に隣接するチップ42を測定するため、チップ42に接触したプローブニードル51は許容する範囲で撓む。したがって、プローブニードル51の破損を防ぐことができる。
また、第2の実施形態のように、チップ群が並ぶ方向が横方向である場合でも上記と同様にプローブニードル51の破損を防ぐことができる。
第1の実施形態によれば、チップ撮像カメラで撮像して算出されたチップ42の座標に基づいて光学式変位計50が測定光52をチップ42に照射する。この構成により、測定光52を照射する位置がチップ42の座標として定まっているため、チップ42の座標に基づいて吸着ステージ48からのチップ42の高さを連続して測定することができる。したがって、時間を短縮して吸着ステージ48からのチップ42の高さを測定することができ、チップ42の適正を検査することができる。
第1の実施形態によれば、アライメントカメラ54が光学式変位計50の真下に移動し、撮像ステージ53を介して測定光52を撮像する。処理部は撮像した画像から測定光52が照射する位置を算出する。測定光52が照射する位置は、チップ42の座標に基づいてキャリブレーションがなされる。この構成により、測定光52を正確にチップ42に照射することができる。したがって、吸着ステージ48からのチップ42の高さを正確に測定することができる。
以上、本発明の実施形態を詳述したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。そして本発明は、特許請求の範囲に記載された事項を逸脱することがなければ、種々の設計変更を行うことが可能である。
1 第1チップ群
2 第2チップ群
3 第3チップ群
4 第4チップ群
5 第5チップ群
6 第6チップ群
7 第7チップ群
8 第8チップ群
9 第9チップ群
10 第10チップ群
11 第11チップ群
12 第12チップ群
13 第13チップ群
14 第14チップ群
15 第15チップ群
16 第16チップ群
17 第17チップ群
18 第18チップ群
19 第19チップ群
20 第20チップ群
21 第21チップ群
22 第22チップ群
23 第23チップ群
24 第24チップ群
41 半導体ウェハ
42 チップ
43 プローバ
44 基台
45 Xステージ
46 Yステージ
47 Zθステージ
48 吸着ステージ
49 プローブカード
50 光学式変位計(測定器)
51 プローブニードル(プローブ)
52 測定光
53 撮像ステージ
54 アライメントカメラ(第2撮像器)
A 測定回避チップ
2 第2チップ群
3 第3チップ群
4 第4チップ群
5 第5チップ群
6 第6チップ群
7 第7チップ群
8 第8チップ群
9 第9チップ群
10 第10チップ群
11 第11チップ群
12 第12チップ群
13 第13チップ群
14 第14チップ群
15 第15チップ群
16 第16チップ群
17 第17チップ群
18 第18チップ群
19 第19チップ群
20 第20チップ群
21 第21チップ群
22 第22チップ群
23 第23チップ群
24 第24チップ群
41 半導体ウェハ
42 チップ
43 プローバ
44 基台
45 Xステージ
46 Yステージ
47 Zθステージ
48 吸着ステージ
49 プローブカード
50 光学式変位計(測定器)
51 プローブニードル(プローブ)
52 測定光
53 撮像ステージ
54 アライメントカメラ(第2撮像器)
A 測定回避チップ
Claims (6)
- ステージに載置した半導体ウェハをダイシングしてチップを形成し、このチップを第1撮像器で撮像して位置を求めると共に測定器で測定して前記ステージからの高さを求めるチップ測定手順を経た後、
プローブカードが前記チップに対面して、前記プローブカードが有する複数のチャンネルが複数のチップにそれぞれ対応すると共に前記チャンネルごとに備わったプローブが前記複数のチップに電気的に接触し、前記プローブカードに接続したテスタで、前記チップを前記複数のチップであるチップ群ごとに測定するチップ検査手順を経る、ウェハテスト方法において、
前記チップ測定手順で、前記ステージからの高さに基づいて測定対象から外されたチップである測定回避チップを検出し、
前記チップ検査手順で、前記測定回避チップを含むチップ群の手前のチップ群を測定した後、前記複数のチャンネルと前記測定回避チップを含むチップ群とを変位させて前記測定回避チップを回避し、前記チャンネルを、前記測定回避チップを含むチップ群のうち前記測定回避チップに隣接するチップに対応させて、このチップを前記テスタで測定する、
ことを特徴とするウェハテスト方法。 - 前記チャンネルが側方に並列して前記複数のチャンネルが構成されて、前記複数のチップが側方に並列して前記チップ群が構成され、
前記チップ検査手順で、前記測定回避チップを含むチップ群の手前のチップ群を測定した後、並列する方向に前記複数のチャンネルと前記測定回避チップを含むチップ群とを変位させて前記測定回避チップを回避し、前記チャンネルを、前記測定回避チップを含むチップ群のうち前記測定回避チップの側方に並列するチップに対応させて、このチップを前記テスタで測定する、
ことを特徴とする請求項1に記載のウェハテスト方法。 - 前記チップ検査手順で、前記複数のチャンネルのうち一方の側方の端のチャンネルを、前記測定回避チップを含むチップ群のうち前記測定回避チップの他方の側方に隣接するチップに対応させ、
前記複数のチャンネルのうち他方の側方の端のチャンネルを、前記測定回避チップを含むチップ群のうち前記測定回避チップの一方の側方に隣接するチップに対応させる、
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のウェハテスト方法。 - 前記測定器が光学式変位計であり、
前記チップ測定手順で、前記光学式変位計からの測定光を前記半導体ウェハと略同一の高さに備えられた透過性の撮像ステージに照射すると共に、前記撮像ステージを介して前記光学式変位計に対向して備えられた第2撮像器で撮像し、この第2撮像器で撮像された前記測定光が照射する位置を前記チップの位置に基づいて校正する、
ことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のウェハテスト方法。 - 前記チップ測定手順で、照射する位置が校正された前記測定光により前記ステージからの前記チップの高さを連続して測定する、
ことを特徴とする請求項4に記載のウェハテスト方法。 - 請求項1から請求項5のいずれか1項に記載のウェハテスト方法に用いる、
ことを特徴とするプローバ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012184116A JP2014041959A (ja) | 2012-08-23 | 2012-08-23 | ウェハテスト方法、およびウェハテスト方法に用いられるプローバ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012184116A JP2014041959A (ja) | 2012-08-23 | 2012-08-23 | ウェハテスト方法、およびウェハテスト方法に用いられるプローバ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014041959A true JP2014041959A (ja) | 2014-03-06 |
Family
ID=50393977
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012184116A Pending JP2014041959A (ja) | 2012-08-23 | 2012-08-23 | ウェハテスト方法、およびウェハテスト方法に用いられるプローバ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2014041959A (ja) |
-
2012
- 2012-08-23 JP JP2012184116A patent/JP2014041959A/ja active Pending
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