JP2014041959A - ウェハテスト方法、およびウェハテスト方法に用いられるプローバ - Google Patents

Abstract

【課題】プローブの破損を防ぐことができるウェハテスト方法、およびウェハテスト方法に用いられるプローバを提供する。
【解決手段】吸着ステージに載置した半導体ウェハをダイシングしてチップを形成し、このチップを光学式変位計で測定して吸着ステージからの高さを求め、この高さに基づいて測定対象から外された測定回避チップＡがチップ群に含まれていた場合、測定回避チップＡを含むチップ群の手前のチップ群を測定した後、並列する方向にチャンネルとチップ群とが変位してチャンネルのうち端のチャンネルが測定回避チップＡの側方に並列するチップに対応し、このチップをテスタで測定する。
【選択図】図３

Description

本発明は、チップ化された半導体ウェハの特性をテスタで測定し、適正を検査するウェハテスト方法、およびウェハテスト方法に用いられるプローバに関するものである。

従来、半導体製造工程では、ウェハが切断（ダイシング）されてチップが製作され、チップの適正がウェハテストにより検査される。ウェハテストに用いられるプローバは、ウェハが載置されるステージと、このステージと対面するプローブカードとが備えられている。プローブカードはチャンネルごとにプローブが備えられ、テスタが接続されている。

ウェハはステージ上に乗せられてプローブカードと対面させられ、チップの電極パッドが複数のチャンネルごとのプローブに触れられる。これにより複数のチップの特性が同時に測定されてチップの適正が検査される。測定ではチップにプローブを確実に接触させるため、チップに押し付けられたプローブは所定の範囲で撓む。

ウェハテストの際、ダイシングによって細分化されたウェハがバラバラになることを防ぐため、チップはダイシング用のテープが貼り付けられて繋ぎ留められる（下記特許文献１参照）。

特開２００５−２２３２４４号公報

しかし、テープの貼り付け方や粘着力によっては、チップは位置やステージからの高さが不揃いとなる場合がある。このような状態で突出したチップの電極パッドに触れたプローブは、許容する範囲を超えて撓み、破損する場合がある。

本発明は、上記の実情に鑑みて提案されたものである。すなわち、プローブの破損を防ぐことができるウェハテスト方法、およびウェハテスト方法に用いられるプローバの提供を目的とする。

本発明に係るウェハテスト方法は、ステージに載置した半導体ウェハをダイシングしてチップを形成し、このチップを第１撮像器で撮像して位置を求めると共に測定器で測定して前記ステージからの高さを求めるチップ測定手順を経た後、プローブカードが前記チップに対面して、前記プローブカードが有する複数のチャンネルが複数のチップにそれぞれ対応すると共に前記チャンネルごとに備わったプローブが前記複数のチップに電気的に接触し、前記プローブカードに接続したテスタで、前記チップを前記複数のチップであるチップ群ごとに測定するチップ検査手順を経る、ウェハテスト方法において、前記チップ測定手順で、前記ステージからの高さに基づいて測定対象から外されたチップである測定回避チップを検出し、前記チップ検査手順で、前記測定回避チップを含むチップ群の手前のチップ群を測定した後、前記複数のチャンネルと前記測定回避チップを含むチップ群とを変位させて前記測定回避チップを回避し、前記チャンネルを、前記測定回避チップを含むチップ群のうち前記測定回避チップに隣接するチップに対応させて、このチップを前記テスタで測定する、ことを特徴としている。

また、前記チャンネルが側方に並列して前記複数のチャンネルが構成されて、前記複数のチップが側方に並列して前記チップ群が構成され、前記チップ検査手順で、前記測定回避チップを含むチップ群の手前のチップ群を測定した後、並列する方向に前記複数のチャンネルと前記測定回避チップを含むチップ群とを変位させて前記測定回避チップを回避し、前記チャンネルを、前記測定回避チップを含むチップ群のうち前記測定回避チップの側方に並列するチップに対応させて、このチップを前記テスタで測定する、ことを特徴としている。

また、前記チップ検査手順で、前記複数のチャンネルのうち一方の側方の端のチャンネルを、前記測定回避チップを含むチップ群のうち前記測定回避チップの他方の側方に隣接するチップに対応させ、前記複数のチャンネルのうち他方の側方の端のチャンネルを、前記測定回避チップを含むチップ群のうち前記測定回避チップの一方の側方に隣接するチップに対応させる、ことを特徴としている。

また、前記測定器が光学式変位計であり、前記チップ測定手順で、前記光学式変位計からの測定光を前記半導体ウェハと略同一の高さに備えられた透過性の撮像ステージに照射すると共に、前記撮像ステージを介して前記光学式変位計に対向して備えられた第２撮像器で撮像し、この第２撮像器で撮像された前記測定光が照射する位置を前記チップの位置に基づいて校正する、ことを特徴としている。

また、前記チップ測定手順で、照射する位置が校正された前記測定光により前記ステージからの前記チップの高さを連続して測定する、ことを特徴としている。

また、本発明に係るプローバは、上記したウェハテスト方法に用いられる、ことを特徴としている。

本発明に係るウェハテスト方法およびこのウェハテスト方法に用いられるプローバは上記した構成である。この構成によれば、測定回避チップを回避してチップに接触したプローブが、許容する範囲で撓む。したがって、プローブの破損を防ぐことができる。

本発明に係るウェハテスト方法およびこのウェハテスト方法に用いられるプローバは、第１撮像器で撮像して算出したチップの位置に基づいて測定器が測定光をチップに照射する。この構成により、測定光を照射する位置がチップの位置として定まっているため、チップの高さを連続して測定することができる。また、測定光が照射される位置を校正したうえで、ステージからのチップの高さを光学式変位計で連続して測定する。したがって、時間を短縮して測定し、検査することができる。

本発明の第１の実施形態に係るプローバの概略を示す概略図である。 本発明の第１の実施形態に係るウェハテスト方法におけるチップ検査手順のフローを示すフロー図である。 本発明の第１の実施形態に係るウェハテスト方法におけるチップ検査手順の概略を示し、（ａ）がチャンネルおよびチャンネルに対応するチップ群の構成を示した概略構成図、（ｂ）および（ｃ）が、各チップ群に対応するチャンネルの変位を説明する概略説明図である。 本発明の第１の実施形態に係るウェハテスト方法におけるチップ検査手順において測定回避チップを回避するフローを説明する説明図である。 本発明の第１の実施形態に係るウェハテスト方法における測定回避チップを含むチップ群を説明する説明図である。 本発明の第１の実施形態の変形例１の概略を説明する概略説明図である。 本発明の第１の実施形態の変形例２の概略を説明する概略説明図である。 本発明の第２の実施形態に係るウェハテスト方法におけるチップ検査手順の概略を示し、（ａ）がチャンネルおよびチャンネルに対応するチップ群の構成を示した概略構成図、（ｂ）および（ｃ）が、各チップ群に対応するチャンネルの変位を説明する概略説明図である。 本発明の第２の実施形態に係るウェハテスト方法におけるチップ検査手順において測定回避チップを回避するフローを説明する説明図である。 本発明の第２の実施形態に係るウェハテスト方法における測定回避チップを含むチップ群を説明する説明図である。

以下、本発明に係る実施形態を図面に基づいて説明する。図１は第１の実施形態に係るプローバ４３の概略を示す概略図である。

図１において、第1の実施形態に係るプローバ４３は、基台４４、この基台４４上に備えられた各移動ステージ（Ｘステージ４５、Ｙステージ４６、およびＺθステージ４７）、Ｚθステージ４７の上に備えられた吸着ステージ４８、この吸着ステージ４８と対面するプローブカード４９、このプローブカード４９に備えられた測定器としての光学式変位計５０、吸着ステージ４８上に載置される半導体ウェハ４１と略同一の高さに水平に配置された撮像ステージ５３、第１撮像器としてのチップ撮像カメラ（図示せず）、第２撮像器としてのアライメントカメラ５４、撮像された画像から位置を算出する処理部（図示せず）、および各移動ステージ４５、４６、および４７の移動を制御する制御部（図示せず）から構成されている。プローブカード４９にはプローブニードル５１が備えられ、テスタ（図示せず）が接続されている。

各移動ステージ４５、４６、および４７は、吸着ステージ４８をＸ、ＹおよびＺの各軸方向に移動させると共にＺ軸を中心に回転させる。吸着ステージ４８は例えばポーラスチャックであり、半導体ウェハ４１を吸着する。半導体ウェハ４１はダイシングされて形成された複数のチップ４２が整列している（図３（ｂ）参照）。

プローブカード４９はマルチチャンネルであり、並列した複数のチャンネルを有している。１つのチャンネルは１個のチップ４２に対応する。チャンネルの数や並び方は任意である。チップ４２に接触するプローブニードル５１はカンチレバー式である。プローブニードル５１は、チップ４２の電極に対応して配置されている。光学式変位計（レーザ変位計）５０は公知であり、測定光５２の反射により吸着ステージ４８からのチップ４２の高さを測定する。この測定により、基準となるチップ４２の高さと異なる高さのチップである測定回避チップＡ（図３（ｂ）参照）が検出される。

撮像ステージ５３は光を透過させる例えばガラスなどから形成されている。アライメントカメラ５４はレンズが上方に向けられてＹステージ４６上に備えられ、撮像ステージ５３の裏側、プローブカード４９の裏側をレンズで捉えることができる。一方、チップ撮像カメラはレンズが下方に向けられてプローバ４３の筐体（図示せず）に備えられ、半導体ウェハ４１をレンズで捉えることができる。アライメントカメラ５４は真下からプローブニードル５１、または光学式変位計からの測定光５２を撮像し、一方、チップ撮像カメラはチップ４２を撮像する。撮像されたそれぞれの画像に基づいて処理部がそれぞれの位置や高さを算出する。算出された結果に基づいて制御部が各移動ステージ４５、４６、および４７の移動を制御する。

ここで、撮像ステージ５３およびアライメントカメラ５４は、チップ測定手順において光学式変位計５０から投光される測定光５２が照射する位置の校正（キャリブレーション）に用いられる。なお、キャリブレーションについては後述する。

次に、第１の実施形態に係るウェハテスト方法について説明する。ウェハテスト方法は、チップ４２のチップデータを測定するチップ測定手順、および測定回避チップＡを回避するチップ検査手順を経る。先にチップ検査手順のフローを図面に基づいて説明し、チップ測定手順については具体的な処理と共に後述する。図２は第１の実施形態に係るウェハテスト方法のうちチップ検査手順のフロー図である。

なお、以下の説明において、測定回避チップＡの「手前のチップ群」とは、各チップ群のうち測定される順番が測定回避チップＡの直前であるものをいう。「側方」とは、測定される順番にチップ群が並ぶ方向に対して直角の向きをいう。

ステップＳ１において、処理部は同時に測定される複数のチップ４２から構成されたチップ群の位置および高さ（チップデータ）を取得する。ここで、チップ群に含まれるチップ４２の数は、プローブカード４９のチャンネルの数である。チャンネルが４つであれば、チップ群のチップ４２の数は４個である（図３（ａ）参照）。

ステップＳ２において、処理部はチップデータからチップ群における測定の対象となるチップ４２の有無を判定する。判定の結果、測定の対象となるチップ４２があれば次のステップＳ３を処理し、チップ４２がなければ次のチップ群を処理するべくステップＳ１に戻る（ステップＳ１）。

ステップＳ３において、処理部はチップデータからチップ群における測定回避チップＡの有無を判定する。判定の結果、測定回避チップＡがなければ次のステップＳ４を処理し、測定回避チップＡがあればステップＳ５を処理する。

ステップＳ４において、プローブカード４９はプローブニードル５１が未測定のチップ４２に接触する。テスタがプローブカード４９を通じてチップ４２の特性（例えば電気的特性、光学的特性）を測定する。

ステップＳ５において、処理部はチップが並ぶ方向を判定する。すなわち、チップが並ぶ方向が縦方向であればステップＳ６を処理し、横方向であればステップＳ１１を処理する。ステップＳ６からＳ９、およびステップＳ１１からＳ１４の処理は同じであるため、以下、ステップＳ６からＳ９までについて説明し、ステップＳ１１からＳ１４までの説明を省略する。

ステップＳ６において、処理部は測定回避チップＡの一方の側方に隣接する未測定のチップ４２があるか否かを判定する。判定の結果、未測定のチップ４２があればステップＳ７を処理し、なければステップＳ８を処理する。

ステップＳ７において、プローブカード４９はプローブニードル５１が測定回避チップＡの一方の側方に隣接する未測定のチップ４２に接触する（図４（ｂ）参照）。テスタがプローブカード４９を通じてチップ４２の特性を測定する。

ステップＳ８において、処理部は測定回避チップＡの他方の側方に隣接する未測定のチップ４２があるか否かを判定する。判定の結果、未測定のチップ４２があればステップＳ９を処理し、なければステップＳ１０を処理する。

ステップ９において、プローブカード４９はプローブニードル５１が測定回避チップＡの他方の側方に隣接する未測定のチップ４２に接触する（図４（ｄ）参照）。テスタがプローブカード４９を通じてチップ４２の特性を測定する。

ステップ１０において、処理部はすべてのチップ４２の測定が終了したか否かを判定する。測定が終了していなければステップＳ１に戻り、終了していれば処理を終える。

次に、第１の実施形態に係るウェハテスト方法の具体的な処理を図面に基づいて説明する。はじめにチップ測定手順を図１に基づいて説明する。

図１において、チップ４２は吸着ステージ４８が各移動ステージ４５、４６、および４７によりチップ撮像カメラの真下に移動する。チップ撮像カメラがチップ４２を撮像し、撮像した画像から処理部がチップ４２の座標を算出する。なお、チップ撮像カメラおよびアライメントカメラ５４の位置は、それぞれのカメラが撮像ステージ５３の所定の箇所（例えば十字などの印）を撮像することで測定され、キャリブレーションがなされる。

チップ４２は吸着ステージ４８が各移動ステージ４５、４６、および４７により光学式変位計５０の真下に移動する。光学式変位計５０によりチップ４２の高さが測定される。この際、光学式変位計５０が照射する測定光５２の位置のキャリブレーションがなされる。

詳説すれば、各移動ステージ４５、４６、および４７によりアライメントカメラ５４が光学式変位計５０の真下に移動し、撮像ステージ５３を介して測定光５２を撮像する。処理部は撮像した画像から測定光５２が照射する位置を算出する。測定光５２が照射する位置は、チップ４２の座標に基づいてキャリブレーションがなされる。なお、撮像ステージ５３の位置は、アライメントカメラ５４のピントが合う高さの範囲、かつ、光学式変位計５０により測定することができる高さの範囲である。

光学式変位計５０はキャリブレーションがなされた測定光５２の位置に基づいて測定光をチップ４２に照射する。各チップ４２は各移動ステージ４５、４６、および４７の移動により連続して照射され、吸着ステージ４８からの高さが連続して測定される。ここで、基準となるチップ４２の高さと異なる高さのチップである測定回避チップＡが検出される。

チップ４２のチップデータを算出した後、各移動ステージ４５、４６、および４７は、チップ４２の電極をプローブニードル５１の真下に配置し、チップ４２の電極の配列方向をプローブニードル５１の配列方向に一致させる。Ｚθステージ４７が上下に移動してチップ４２の電極はプローブニードル５１に接近、離反する。

次に、チップ測定手順を図３および図４に基づいて説明する。図３は第１の実施形態に係るウェハテスト方法における検査手順の概略を示し、図４は測定回避チップＡを回避するフローを示している。

図３（ａ）において、プローブカード４９は４チャンネルであり、各チャンネルのプローブニードル５１がチップ４２に接触する。したがって、４個のチップ４２から構成されたチップ群が同時に処理される。チャンネルは一方の側方の端である第１チャンネルから他方の側方の端である第４チャンネルまでが並列し、チップ群の第１番チップから第４番チップにそれぞれ対応している。

図３（ｂ）において、プローブカード４９は整列した複数のチップ４２のうち左端にある第１チップ群１に照準を合わせ、第１チャンネルから第４チャンネルのプローブニードル５１が第１番チップから第４番チップにそれぞれ接触する。第１チップ群１の各チップ４２は、プローブカード４９を通じてテスタによって特性が測定される。第１チップ群１から第１３チップ群１３に測定回避チップＡが含まれていないため、この処理を第１３チップ群１３まで繰り返す（図３（ｃ）参照）（ステップＳ１からＳ４）。

第１４チップ群１４に測定回避チップＡが含まれているため（ステップＳ６）、プローブカード４９は測定回避チップＡの手前の第１３チップ群１３を測定した後、測定回避チップＡを回避して第１４チップ群１４を処理する。ここで、マルチチャンネルであるプローブカード４９は、第１４チップ群１４における測定回避チップＡの位置によってチップ４２に対応するチャンネルが異なる。以下、第１４チップ群１４における測定回避チップＡの位置ごとに、それぞれの処理を説明する。

＜第２番チップが測定回避チップＡである場合＞
図４（ａ）、（ｂ）において、第１４チップ群１４のうちの第２番チップが測定回避チップＡであるため、測定回避チップＡの一方の側方（平面視して上側）に隣接する第１番チップを処理する（ステップＳ６）。プローブカード４９は、他方の側方の端のチャンネルである第４チャンネルの照準を測定回避チップＡの一方の側方に隣接する第１番チップに合わせ、第４チャンネルのプローブニードル５１を第１番チップに接触させる（ステップＳ７）。

次に、図４（ｃ）、（ｄ）において、測定回避チップＡの他方の側方（平面視して下側）に隣接する第３番チップおよび並列する第４番チップを処理する（ステップＳ８）。プローブカード４９は、一方の側方の端のチャンネルである第１チャンネルの照準を測定回避チップＡの他方の側方に隣接する第３番チップに合わせると共に、第２チャンネルの照準を第４番チップに合わせ、第１チャンネルおよび第２チャンネルの各プローブニードル５１を、第３番チップおよび第４番チップに接触させる（ステップＳ９）。このようにして第１４チップ群１４は第１番チップ、第３番チップ、および第４番チップの特性がテスタにより測定される。

＜第３番チップが測定回避チップＡである場合＞
図５（ａ）において、第１４チップ群１４のうちの第３番チップが測定回避チップＡであるため、測定回避チップＡの一方の側方に隣接する第２番チップおよび並列する第１番チップを処理する（ステップＳ６）。プローブカード４９は、他方の側方の端のチャンネルである第４チャンネルの照準を測定回避チップＡの一方の側方に隣接する第２番チップに合わせると共に、第３チャンネルの照準を第１番チップに合わせ、第４チャンネルおよび第３チャンネルの各プローブニードル５１を第２番チップおよび第１番チップに接触させる（ステップＳ７）。

次に、測定回避チップＡの他方の側方に隣接する第４番チップを処理する（ステップＳ８）。プローブカード４９は、一方の側方の端のチャンネルである第１チャンネルの照準を測定回避チップＡの他方の側方に隣接する第４番チップに合わせ、第１チャンネルのプローブニードル５１を第４番チップに接触させる（ステップＳ９）。このようにして第１４チップ群１４は第１番チップ、第２番チップ、および第４番チップの特性がテスタにより測定される。

＜第１番チップが測定回避チップＡである場合＞
図５（ｂ）において、第１４チップ群１４のうちの第１番チップが測定回避チップＡであるため、測定回避チップＡの他方の側方に隣接する第２番チップ、並列する第３番チップおよび第４番チップを処理する（ステップＳ８）。

プローブカード４９は、一方の側方の端のチャンネルである第１チャンネルの照準を測定回避チップＡの他方の側方に隣接する第２番チップに合わせると共に、第２チャンネルおよび第３チャンネルの照準を第３番チップおよび第４番チップに合わせ、第１チャンネル、第２チャンネル、および第３チャンネルの各プローブニードル５１を第２番チップ、第３番チップ、および第４番チップに接触させる（ステップＳ９）。このようにして第１４チップ群１４は第２番チップ、第３番チップ、および第４番チップの特性がテスタにより測定される。

＜第４番チップが測定回避チップＡである場合＞
図５（ｃ）において、第１４チップ群１４のうちの第４番チップが測定回避チップＡであるため、測定回避チップＡの一方の側方に隣接する第３番チップ、並列する第２番チップおよび第１番チップを処理する（ステップＳ６）。

プローブカード４９は、他方の側方の端のチャンネルである第４チャンネルの照準を測定回避チップＡの一方の側方に隣接する第３番チップに合わせると共に、第３チャンネルおよび第２チャンネルの照準を第２番チップおよび第１番チップに合わせ、第４チャンネル、第３チャンネル、および第２チャンネルのプローブニードル５１を第３番チップ、第２番チップ、および第１番チップに接触させる（ステップＳ７）。このようにして第１４チップ群１４は第３番チップ、第２番チップ、および第１番チップの特性がテスタにより測定される。

第１４チップ群１４の測定の後、プローブカード４９は第１５チップ群１５に照準を合わせ、各チャンネルのプローブニードル５１を各チップ４２にそれぞれ接触させる（ステップＳ１からＳ４）。

以上の処理を繰り返し全てのチップ４２がチップ群ごとにテスタにより測定される。

次に、第１の実施形態の変形例１および２を図面に基づいて説明する。図６および図７は、それぞれ第１の実施形態の変形例１および変形例２の概略を示している。

＜変形例１＞
図６において、上記した第１の実施形態と同様に第１チップ群１から第１３チップ群１３まで処理した後（ステップＳ１からＳ４）、第１４チップ群１４における測定回避チップＡの一方の側方に隣接する第１番チップを処理する（ステップＳ６）。ここで、第１の実施形態と異なり、測定回避チップＡの他方の側方に隣接する第３番チップおよび第４番チップを処理せず、第１５チップ群１５から第１９チップ群１９までを処理する（ステップＳ１からＳ４）。

第１９チップ群１９を処理した後、第１４チップ群１４のうち測定回避チップＡの他方の側方に隣接する第３番チップおよび第４番チップを処理する。プローブカード４９は第１４チップ群１４の第３番チップおよび第４番チップに第１チャンネルおよび第２チャンネルの照準を合わせ、第１チャンネルおよび第２チャンネルのプローブニードル５１を第３番チップおよび第４番チップに接触させる。このようにして第１４番チップ群１４は第１チップ群１、第３番チップおよび第４番チップの特性がテスタにより測定される。

＜変形例２＞
図７において、上記した第１の実施形態と同様に第１チップ群１から第１３チップ群１３まで処理した後（ステップＳ１からＳ４）、第１４番チップ群１４における測定回避チップＡの一方の側方に隣接する第１番チップを処理する（ステップＳ６）。ここで、第１の実施形態と異なり、第１４チップ群１４の第３番チップおよび第４番チップを処理せず、第１５チップ群１５から最後のチップ群である第２４チップ群２４までを処理する（ステップＳ１からＳ４）。最後のチップ群を処理した後、第１４チップ群１４に戻って第３番チップおよび第４番チップを処理する。

なお、第２の実施形態はチップ４２の並び方が横方向であるが各処理は上記した第１の実施形態と同じであるため、説明を省略する（図８、図９、および図１０）。第２の実施形態においても上記した第１の実施形態の変形例１および２と同様に変形することができる。

次に、本発明の実施形態に係るウェハテスト方法およびプローバ４３の効果について説明する。

上記したように第１の実施形態によれば、第１４チップ群１４のうちの第２番チップが測定回避チップＡであるため、測定回避チップＡの一方の側方（平面視して上側）に隣接する第１番チップを処理する。プローブカード４９は、他方の側方の端のチャンネルである第４チャンネルの照準を測定回避チップＡの一方の側方に隣接する第１番チップに合わせ、第４チャンネルのプローブニードル５１を第１番チップに接触させる。

次に、測定回避チップＡの他方の側方（平面視して下側）に隣接する第３番チップおよび並列する第４番チップを処理する。プローブカード４９は、一方の側方の端のチャンネルである第１チャンネルの照準を測定回避チップＡの他方の側方に隣接する第３番チップに合わせると共に、第２チャンネルの照準を第４番チップに合わせ、第１チャンネルおよび第２チャンネルの各プローブニードル５１を、第３番チップおよび第４番チップに接触させる。このようにして第１４チップ群１４は第１番チップ、第３番チップ、および第４番チップの特性がテスタにより測定される。

この構成により、チップ群のうち測定回避チップＡを回避して両側方に隣接するチップ４２を測定するため、チップ４２に接触したプローブニードル５１は許容する範囲で撓む。したがって、プローブニードル５１の破損を防ぐことができる。

また、第２の実施形態のように、チップ群が並ぶ方向が横方向である場合でも上記と同様にプローブニードル５１の破損を防ぐことができる。

第１の実施形態によれば、チップ撮像カメラで撮像して算出されたチップ４２の座標に基づいて光学式変位計５０が測定光５２をチップ４２に照射する。この構成により、測定光５２を照射する位置がチップ４２の座標として定まっているため、チップ４２の座標に基づいて吸着ステージ４８からのチップ４２の高さを連続して測定することができる。したがって、時間を短縮して吸着ステージ４８からのチップ４２の高さを測定することができ、チップ４２の適正を検査することができる。

第１の実施形態によれば、アライメントカメラ５４が光学式変位計５０の真下に移動し、撮像ステージ５３を介して測定光５２を撮像する。処理部は撮像した画像から測定光５２が照射する位置を算出する。測定光５２が照射する位置は、チップ４２の座標に基づいてキャリブレーションがなされる。この構成により、測定光５２を正確にチップ４２に照射することができる。したがって、吸着ステージ４８からのチップ４２の高さを正確に測定することができる。

以上、本発明の実施形態を詳述したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。そして本発明は、特許請求の範囲に記載された事項を逸脱することがなければ、種々の設計変更を行うことが可能である。

１ 第１チップ群
２ 第２チップ群
３ 第３チップ群
４ 第４チップ群
５ 第５チップ群
６ 第６チップ群
７ 第７チップ群
８ 第８チップ群
９ 第９チップ群
１０ 第１０チップ群
１１ 第１１チップ群
１２ 第１２チップ群
１３ 第１３チップ群
１４ 第１４チップ群
１５ 第１５チップ群
１６ 第１６チップ群
１７ 第１７チップ群
１８ 第１８チップ群
１９ 第１９チップ群
２０ 第２０チップ群
２１ 第２１チップ群
２２ 第２２チップ群
２３ 第２３チップ群
２４ 第２４チップ群
４１ 半導体ウェハ
４２ チップ
４３ プローバ
４４ 基台
４５ Ｘステージ
４６ Ｙステージ
４７ Ｚθステージ
４８ 吸着ステージ
４９ プローブカード
５０ 光学式変位計（測定器）
５１ プローブニードル（プローブ）
５２ 測定光
５３ 撮像ステージ
５４ アライメントカメラ（第２撮像器）
Ａ 測定回避チップ

Claims (6)

1. ステージに載置した半導体ウェハをダイシングしてチップを形成し、このチップを第１撮像器で撮像して位置を求めると共に測定器で測定して前記ステージからの高さを求めるチップ測定手順を経た後、
   プローブカードが前記チップに対面して、前記プローブカードが有する複数のチャンネルが複数のチップにそれぞれ対応すると共に前記チャンネルごとに備わったプローブが前記複数のチップに電気的に接触し、前記プローブカードに接続したテスタで、前記チップを前記複数のチップであるチップ群ごとに測定するチップ検査手順を経る、ウェハテスト方法において、
   前記チップ測定手順で、前記ステージからの高さに基づいて測定対象から外されたチップである測定回避チップを検出し、
   前記チップ検査手順で、前記測定回避チップを含むチップ群の手前のチップ群を測定した後、前記複数のチャンネルと前記測定回避チップを含むチップ群とを変位させて前記測定回避チップを回避し、前記チャンネルを、前記測定回避チップを含むチップ群のうち前記測定回避チップに隣接するチップに対応させて、このチップを前記テスタで測定する、
   ことを特徴とするウェハテスト方法。
2. 前記チャンネルが側方に並列して前記複数のチャンネルが構成されて、前記複数のチップが側方に並列して前記チップ群が構成され、
   前記チップ検査手順で、前記測定回避チップを含むチップ群の手前のチップ群を測定した後、並列する方向に前記複数のチャンネルと前記測定回避チップを含むチップ群とを変位させて前記測定回避チップを回避し、前記チャンネルを、前記測定回避チップを含むチップ群のうち前記測定回避チップの側方に並列するチップに対応させて、このチップを前記テスタで測定する、
   ことを特徴とする請求項１に記載のウェハテスト方法。
3. 前記チップ検査手順で、前記複数のチャンネルのうち一方の側方の端のチャンネルを、前記測定回避チップを含むチップ群のうち前記測定回避チップの他方の側方に隣接するチップに対応させ、
   前記複数のチャンネルのうち他方の側方の端のチャンネルを、前記測定回避チップを含むチップ群のうち前記測定回避チップの一方の側方に隣接するチップに対応させる、
   ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のウェハテスト方法。
4. 前記測定器が光学式変位計であり、
   前記チップ測定手順で、前記光学式変位計からの測定光を前記半導体ウェハと略同一の高さに備えられた透過性の撮像ステージに照射すると共に、前記撮像ステージを介して前記光学式変位計に対向して備えられた第２撮像器で撮像し、この第２撮像器で撮像された前記測定光が照射する位置を前記チップの位置に基づいて校正する、
   ことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のウェハテスト方法。
5. 前記チップ測定手順で、照射する位置が校正された前記測定光により前記ステージからの前記チップの高さを連続して測定する、
   ことを特徴とする請求項４に記載のウェハテスト方法。
6. 請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のウェハテスト方法に用いる、
   ことを特徴とするプローバ。

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