JP2009253208A - 半導体記憶装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】メモリセル部と、周辺回路部と、を有する半導体記憶装置であって、メモリセル部は、絶縁部1の所定方向に平行な側面上に順に設けられた下部電極と誘電体膜と上部電極とプレート電極とを備えたピラー型キャパシタと下部電極に電気的に接続されたトランジスタとを有する。周辺回路部は、プレート電極と、プレート電極の所定方向に平行な側面を覆うように順に設けられた上部電極と誘電体膜と下部電極とを有するシリンダ型キャパシタと、下部電極に電気的に接続されたトランジスタと、を有する。
【選択図】図10
Description
メモリセル部と、周辺回路部と、を有する半導体記憶装置であって、
前記メモリセル部は、
所定方向に伸張する絶縁部1と、前記絶縁部1の所定方向に平行な側面上に順に設けられた下部電極と誘電体膜と上部電極と、前記上部電極に電気的に接続されたプレート電極と、を備えたキャパシタと、
前記下部電極に、ソース領域及びドレイン領域の何れか一方が電気的に接続されたトランジスタと、
を有し、
前記周辺回路部は、
前記所定方向と同じ方向に伸張するプレート電極と、前記プレート電極の所定方向に平行な側面上に順に設けられた上部電極と誘電体膜と下部電極と、を有するキャパシタと、
前記下部電極に、ソース領域及びドレイン領域の何れか一方が電気的に接続されたトランジスタと、
を有することを特徴とする半導体記憶装置に関する。
メモリセル部形成領域及び周辺回路部形成領域に、トランジスタと、前記トランジスタのソース領域及びドレイン領域の何れか一方に電気的に接続されたコンタクトプラグを設ける工程と、
全面に層間絶縁膜を堆積させる工程と、
前記メモリセル部形成領域の層間絶縁膜内に前記コンタクトプラグが露出するように複数の開口1を形成し、前記周辺回路部形成領域の層間絶縁膜内に所定領域を囲むと共に前記コンタクトプラグが露出するように開口2を形成する開口形成工程と、
開口部分が残るように前記開口1及び2の内壁上に導電材料を堆積させて下部電極を形成する工程と、
前記下部電極を形成した開口1内に絶縁材料を充填して絶縁部1を形成すると共に、前記下部電極を形成した開口2内に絶縁材料を充填する工程と、
前記メモリセル部形成領域の層間絶縁膜を除去し、前記周辺回路部形成領域内の前記所定領域を構成する層間絶縁膜を除去して開口3を形成する工程と、
誘電体膜を堆積させて、前記メモリセル部形成領域の下部電極の表面を誘電体膜で被覆し、前記周辺回路部形成領域の開口3の内壁を誘電体膜で被覆する工程と、
前記メモリセル部形成領域において前記誘電体膜及び下部電極を設けた絶縁部1間に導電材料を充填して上部電極を形成し、前記周辺回路部形成領域において開口部分が残るように前記開口3内に導電材料を堆積させることにより上部電極を形成する工程と、
前記メモリセル部形成領域において前記上部電極に電気的に接続されるようにプレート電極を形成し、前記周辺回路部形成領域において前記開口3の開口部分に導電材料を充填させてプレート電極を形成する工程と、
を有する半導体記憶装置の製造方法に関する。
図10はDRAMを備えた半導体記憶装置の一例を表す図であり、図10(a)は半導体記憶装置の上面図、図10(b)は、図10(a)の半導体記憶装置のA−A’方向の断面図を表す。なお、本例の半導体記憶装置は、キャパシタに電気的に接続されたトランジスタを有するが、図10では、このトランジスタは省略している。
まず、メモリセル部形成領域及び周辺回路部形成領域に、トランジスタ(図示していない)を設けた後、全面に層間絶縁膜1を設けた。次に、図1に示すように、層間絶縁膜1内に、トランジスタのソース領域及びドレイン領域の何れか一方に電気的に接続されるようにコンタクトプラグ2を形成した。次に、LP−CVD法により窒化シリコン膜3を、30nm〜100nm成膜した後、プラズマCVD法により層間絶縁膜として酸化シリコン膜4を0.5μm〜1.5μm、成膜した。次に、酸化シリコン膜4上にフォトレジストを設けた後、リソグラフィ法を用いてフォトレジストパターン5を形成した。
以上により、本例の半導体記憶装置を形成することができた。
2 タングステンプラグ
3 窒化シリコン膜
4 層間絶縁膜
5 フォトレジスト
6 容量パターン
7 溝パターン
8 容量パターン
9 容量下部電極用TiN膜
10 窒化シリコン膜
11 フォトレジスト
12 メモリセル部ウェット用抜きパターン
13 周辺回路部ウェット用抜きパターン
14 周辺回路部容量下部電極
15 容量膜
16 容量上部電極
17 容量プレート電極
18 フォトレジスト
19 容量電極パターン
23 開口1
24 開口2
26 所定領域
27 開口3
101 層間絶縁膜
102 タングステンプラグ
103 窒化シリコン膜
104 層間絶縁膜
105 容量下部電極
106 WETやられ
107 パターン倒れ
200 シリコン基板
Claims (9)
- メモリセル部と、周辺回路部と、を有する半導体記憶装置であって、
前記メモリセル部は、
所定方向に伸張する絶縁部1と、前記絶縁部1の所定方向に平行な側面上に順に設けられた下部電極と誘電体膜と上部電極と、前記上部電極に電気的に接続されたプレート電極と、を備えたキャパシタと、
前記下部電極に、ソース領域及びドレイン領域の何れか一方が電気的に接続されたトランジスタと、
を有し、
前記周辺回路部は、
前記所定方向と同じ方向に伸張するプレート電極と、前記プレート電極の所定方向に平行な側面上に順に設けられた上部電極と誘電体膜と下部電極と、を有するキャパシタと、
前記下部電極に、ソース領域及びドレイン領域の何れか一方が電気的に接続されたトランジスタと、
を有することを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記絶縁部1の形状が、円筒形状であることを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記メモリセル部は、
前記側面上に下部電極及び誘電体膜が設けられた絶縁部1が、特定の方向に一定の間隔で配置された配列を複数、有し、
隣り合う配列は、前記絶縁部1が互い違いとなるように配置され、
前記下部電極及び誘電体膜が設けられた絶縁部1間に、導電材料を充填することにより前記上部電極が設けられていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体記憶装置。 - 前記周辺回路部は、
前記プレート電極の形状が、直方体状であることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の半導体記憶装置。 - 前記メモリセル部と周辺回路部の間に更に、
前記所定方向と同じ方向に伸張する開口の内壁上に設けられた導電材料膜と、前記開口内に充填された絶縁部2と、を有する境界部を備えることを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載の半導体記憶装置。 - メモリセル部形成領域及び周辺回路部形成領域に、トランジスタと、前記トランジスタのソース領域及びドレイン領域の何れか一方に電気的に接続されたコンタクトプラグを設ける工程と、
全面に層間絶縁膜を堆積させる工程と、
前記メモリセル部形成領域の層間絶縁膜内に前記コンタクトプラグが露出するように複数の開口1を形成し、前記周辺回路部形成領域の層間絶縁膜内に所定領域を囲むと共に前記コンタクトプラグが露出するように開口2を形成する開口形成工程と、
開口部分が残るように前記開口1及び2の内壁上に導電材料を堆積させて下部電極を形成する工程と、
前記下部電極を形成した開口1内に絶縁材料を充填して絶縁部1を形成すると共に、前記下部電極を形成した開口2内に絶縁材料を充填する工程と、
前記メモリセル部形成領域の層間絶縁膜を除去し、前記周辺回路部形成領域内の前記所定領域を構成する層間絶縁膜を除去して開口3を形成する工程と、
誘電体膜を堆積させて、前記メモリセル部形成領域の下部電極の表面を誘電体膜で被覆し、前記周辺回路部形成領域の開口3の内壁を誘電体膜で被覆する工程と、
前記メモリセル部形成領域において前記誘電体膜及び下部電極を設けた絶縁部1間に導電材料を充填して上部電極を形成し、前記周辺回路部形成領域において開口部分が残るように前記開口3内に導電材料を堆積させることにより上部電極を形成する工程と、
前記メモリセル部形成領域において前記上部電極に電気的に接続されるようにプレート電極を形成し、前記周辺回路部形成領域において前記開口3の開口部分に導電材料を充填させてプレート電極を形成する工程と、
を有する半導体記憶装置の製造方法。 - 前記開口形成工程において、
円筒形状の前記開口1を形成することを特徴とする請求項6に記載の半導体記憶装置の製造方法。 - 前記開口形成工程において、
特定の方向に一定の間隔で配置された前記開口1の配列を複数、有し、
隣り合う開口1の配列において開口1が互い違いとなるように、前記開口1を形成することを特徴とする請求項6又は7に記載の半導体記憶装置の製造方法。 - 前記開口形成工程において、
前記所定領域が直方体状となるように、前記開口2を形成することを特徴とする請求項6〜8の何れか1項に記載の半導体記憶装置の製造方法。
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