JP2011108927A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】偽下部電極および下部電極となる導電膜を形成し、下部電極の内径を十分に大きくすることができ、しかも、境界領域から周辺回路領域にわたって空洞が形成されることを防止できる微細化に対応可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜24に、キャパシタの形状を規定するシリンダ孔91と偽下部電極51aの形状を規定する偽下部電極溝91aとを形成する工程と、シリンダ孔91内および偽下部電極溝91a内に導電膜51bを形成する工程と、導電膜51bをストッパとしてウエットエッチングすることにより、偽下部電極溝91aのメモリセル領域側に設けられている層間絶縁膜24を除去するウエットエッチング工程と、導電膜51bを薄膜化する薄膜化工程とを備える半導体装置の製造方法とする。
【選択図】図1
【解決手段】層間絶縁膜24に、キャパシタの形状を規定するシリンダ孔91と偽下部電極51aの形状を規定する偽下部電極溝91aとを形成する工程と、シリンダ孔91内および偽下部電極溝91a内に導電膜51bを形成する工程と、導電膜51bをストッパとしてウエットエッチングすることにより、偽下部電極溝91aのメモリセル領域側に設けられている層間絶縁膜24を除去するウエットエッチング工程と、導電膜51bを薄膜化する薄膜化工程とを備える半導体装置の製造方法とする。
【選択図】図1
Description
本発明は、メモリセル領域と周辺回路領域とを有する半導体装置の製造方法に関し、特に、DRAM(Dynamic Random Access Memory)やDRAMを含む混載LSIを備える半導体装置の製造方法に好適に用いることができる半導体装置の製造方法に関する。
DRAM等のメモリセルは、選択用トランジスタとキャパシタとからなる。近年、微細加工技術の進展によるメモリセルの微細化に伴って、キャパシタの電荷蓄積量の減少が問題となってきている。この問題を解決するため、クラウン形状のキャパシタを採用する技術がある。クラウン形状のキャパシタでは、下部電極の表裏両面を電極として機能させることで、キャパシタの電極面積を増加させている。
特許文献1には、クラウン形状のキャパシタが記載されており、メモリセル(セルアレイ)領域と周辺回路領域の間の段差を最小化し、セルアレイ領域と周辺回路領域の間の段差による導電層の信頼度低下問題を防止できるだけではなく、周辺回路領域の表面平坦化を同時に達成できる技術が記載されている。
また、特許文献1には、メモリセル領域と周辺回路領域との境界領域にチャネルが形成された半導体メモリ装置の製造方法として、絶縁物質層を部分的に除去することにより、ストリッジ電極形成のための凹部とチャネル形成のための一つ以上の溝を形成してから、基板全面に導電物質を形成し、湿式蝕刻(ウエットエッチング)することにより、各セル単位に限定されたストリッジ電極とチャネルとを形成する方法が記載されている。
さらに、特許文献1には、湿式蝕刻後除去されず残らねばならない周辺回路領域上の絶縁物質層まで除去されることによる問題点を防止するために、チャネル形成のための溝を一つ以上形成することが記載されている。
また、特許文献1には、メモリセル領域と周辺回路領域との境界領域にチャネルが形成された半導体メモリ装置の製造方法として、絶縁物質層を部分的に除去することにより、ストリッジ電極形成のための凹部とチャネル形成のための一つ以上の溝を形成してから、基板全面に導電物質を形成し、湿式蝕刻(ウエットエッチング)することにより、各セル単位に限定されたストリッジ電極とチャネルとを形成する方法が記載されている。
さらに、特許文献1には、湿式蝕刻後除去されず残らねばならない周辺回路領域上の絶縁物質層まで除去されることによる問題点を防止するために、チャネル形成のための溝を一つ以上形成することが記載されている。
しかしながら、発明者らが検討した結果、以下に示すように、従来の技術では、微細化の要求に対応させると、キャパシタのリーク電流が増大したり、下部電極と接続プラグとが短絡したりするという問題が生じることが判明した。
ここで、図面を用いて従来の技術の問題点について説明する。図21は、従来の半導体記憶装置の製造方法の問題点を説明するための図であり、従来の半導体記憶装置の製造方法を用いて製造途中の一工程を示した半導体記憶装置の一部の縦断面図である。図22は、従来の半導体記憶装置の一例を示した縦断面図であり、図21に示す製造方法を用いて製造された半導体記憶装置の一部を示した図である。
図22に示す従来の半導体記憶装置では、メモリセル領域のシリコン基板10の主面を分離絶縁膜2によって区画した活性領域に、2つの選択用トランジスタが形成されている。各々の選択用トランジスタは、シリコン基板10の主面上にゲート絶縁膜3を介して形成されたゲート電極4、及びソース領域、ドレイン領域となる一対の拡散層領域5、6からなるものである。
一対の拡散層領域5、6のうち一方の拡散層領域6は、層間絶縁膜21を貫通する接続プラグ11aによって層間絶縁膜21、31上に形成されたビット線8と接続されている。ビット線8は層間絶縁膜22に覆われている。層間絶縁膜22上には、下部電極51と容量絶縁膜52と上部電極53とからなる複数のキャパシタが形成されている。
キャパシタの下部電極51は、コップ形状をしていて、ランディングパッド81を介して接続プラグ12と接続されている。接続プラグ12は、一対の拡散層領域5、6のうち他方の拡散層領域5に、接続プラグ11を介して電気的に接続されている。また、上部電極53上には、第2層配線61が形成されており、上部電極53と第2層配線61とが、層間絶縁膜25を貫通する接続プラグ44によって電気的に接続されている。
また、キャパシタの隣接する下部電極51同士は、梁として機能する層間絶縁膜36によって、相互に接触しないように、また倒壊しないように支えられている。
また、キャパシタの隣接する下部電極51同士は、梁として機能する層間絶縁膜36によって、相互に接触しないように、また倒壊しないように支えられている。
一方、周辺回路領域(ロジック回路領域)には、周辺回路用のトランジスタが形成されている。このトランジスタは、ゲート絶縁膜3を介して形成されたゲート電極4、及びソース領域、ドレイン領域となる一対の拡散層領域7、7aからなる。一方の拡散層領域7は、接続プラグ41、42、43、第一層配線8a、局所配線81aを介して第2層配線61と電気的に接続されている。また、他方の拡散層領域7aは、接続プラグ41a、第1層配線8b、接続プラグ42a、局所配線81b、接続プラグ43aを介して第2層配線61aと電気的に接続されている。
また、図22に示すように、メモリセル領域と周辺回路領域(ロジック回路領域)との境界領域には、メモリセル領域を囲む平面視枠状の溝形状を有する偽下部電極(チャネル)51aが設けられている。偽下部電極51aは、土手81c上に設けられ、偽下部電極51aの内側には、下部電極51内と同様に容量絶縁膜52と上部電極53とが設けられている。
図22に示す従来の半導体記憶装置においては、偽下部電極51aの周辺回路領域側に空洞111が形成されており、空洞111の内壁に沿って形成された金属膜112によって、偽下部電極51aと接続プラグ43とが電気的に接続されている。接続プラグ43の周辺回路領域側には、層間絶縁膜24が設けられている。
図22に示す従来の半導体記憶装置においては、偽下部電極51aの周辺回路領域側に空洞111が形成されており、空洞111の内壁に沿って形成された金属膜112によって、偽下部電極51aと接続プラグ43とが電気的に接続されている。接続プラグ43の周辺回路領域側には、層間絶縁膜24が設けられている。
図22に示す従来の半導体記憶装置を、従来の半導体記憶装置の製造方法を用いて製造する場合、まず、層間絶縁膜24よりも下層の各部材を形成する。その後、層間絶縁膜24よりも下層の各部材の形成されたシリコン基板10上の全面に層間絶縁膜24を形成し、層間絶縁膜24を部分的に除去することにより、キャパシタの形状を規定するシリンダ孔と、メモリセル領域を囲む平面視枠状の溝形状を有する偽下部電極51aの形状を規定する偽下部電極溝とを形成する。次いで、シリンダ孔内および偽下部電極溝内に、下部電極51および偽下部電極51aとなる導電層を形成する。その後、偽下部電極溝のメモリセル領域側に設けられている層間絶縁膜24を、ウエットエッチング法を用いて除去する。
図21は、偽下部電極溝のメモリセル領域側に設けられている層間絶縁膜24を、ウエットエッチング法を用いて除去した後の状態を示している。
ここで、特許文献1に記載の技術のように、層間絶縁膜24を、ウエットエッチング法を用いて除去すると、図21に示すように、境界領域から周辺回路領域にわたって空洞111が形成されてしまう場合がある。図21に示す空洞111は、層間絶縁膜24、32、36a、偽下部電極51aの周辺回路領域側の外壁に囲まれたものである。空洞111は、層間絶縁膜24をウエットエッチングする薬液が、偽下部電極溝の周辺回路領域側に浸透して、残さなければならない層間絶縁膜24の配置されている偽下部電極溝の周辺回路領域側の領域にまで達し、偽下部電極溝の周辺回路領域側に配置されている層間絶縁膜24が除去されてしまうことによって形成される。
ここで、特許文献1に記載の技術のように、層間絶縁膜24を、ウエットエッチング法を用いて除去すると、図21に示すように、境界領域から周辺回路領域にわたって空洞111が形成されてしまう場合がある。図21に示す空洞111は、層間絶縁膜24、32、36a、偽下部電極51aの周辺回路領域側の外壁に囲まれたものである。空洞111は、層間絶縁膜24をウエットエッチングする薬液が、偽下部電極溝の周辺回路領域側に浸透して、残さなければならない層間絶縁膜24の配置されている偽下部電極溝の周辺回路領域側の領域にまで達し、偽下部電極溝の周辺回路領域側に配置されている層間絶縁膜24が除去されてしまうことによって形成される。
図21に示すように、境界領域から周辺回路領域にわたって空洞111が形成されると、その後に行われる周辺回路領域に配置される接続プラグ43を形成する工程において、図22に示すように、空洞111の内壁に沿って接続プラグ43の材料からなる金属膜112が形成されてしまう場合がある。この金属膜112は、上述したように、周辺回路領域に配置された接続プラグ43と偽下部電極51aとを電気的に接続させるものであるので、接続プラグ43と偽下部電極51aとを短絡させてしまう。その結果、半導体装置が不良となり、歩留まりが低下する。
なお、ウエットエッチング法を用いて層間絶縁膜24を除去しても、空洞111が形成されないようにする方法としては、偽下部電極51aとなる導電膜の膜厚を厚くして、導電膜をウエットエッチングのストッパとして十分に機能しうるものとする方法が考えられる。
しかし、偽下部電極51aとなる導電膜は、効率よく製造するために、下部電極51となる導電膜と同時に形成することが好ましい。偽下部電極51aとなる導電膜と下部電極51となる導電膜とを同時に形成する場合、キャパシタの形状を規定するシリンダ孔の大きさを大きくせずに、単に下部電極51および偽下部電極51aとなる導電膜の膜厚を厚くすると、シリンダ孔内に形成される下部電極51の内径が小さくなる。このため、下部電極51となる導電膜の内側に、容量絶縁膜52と上部電極53とをカバレッジ良く形成することができなくなり、下部電極51内側のキャパシタでリーク電流が増大してしまう。しかしながら、容量絶縁膜52と上部電極53とをカバレッジ良く形成するために、キャパシタの形状を規定するシリンダ孔の大きさを大きくすることは、微細化の要求に対応するために好ましくない。
このように、偽下部電極溝のメモリセル領域側に設けられている層間絶縁膜を、ウエットエッチング法を用いて除去する場合、偽下部電極となる導電膜と下部電極となる導電膜とを同時に形成し、微細化の要求に対応させると、キャパシタのリーク電流が増大したり、偽下部電極と周辺回路領域に配置された接続プラグとが短絡したりするという問題が生じる。
したがって、偽下部電極となる導電膜と下部電極となる導電膜とを同時に形成でき、かつ、下部電極の内径を十分に大きくすることができ、しかも、境界領域から周辺回路領域にわたって空洞が形成されることを防止できる微細化に対応可能な半導体装置の製造方法が望まれている。
したがって、偽下部電極となる導電膜と下部電極となる導電膜とを同時に形成でき、かつ、下部電極の内径を十分に大きくすることができ、しかも、境界領域から周辺回路領域にわたって空洞が形成されることを防止できる微細化に対応可能な半導体装置の製造方法が望まれている。
本発明者は、上記問題を解決し、キャパシタのリーク電流が増大する問題や、偽下部電極と接続プラグとが短絡する問題の生じない半導体装置の製造方法を提供するために、鋭意検討を重ねた。
その結果、メモリセル領域に設けられたキャパシタと、前記メモリセル領域を囲む平面視枠状の溝形状を有する偽下部電極とを有する半導体装置の製造方法において、キャパシタの形状を規定するシリンダ孔と、メモリセル領域を囲む溝形状を有する偽下部電極の形状を規定する偽下部電極溝とを層間絶縁膜に形成し、シリンダ孔内および偽下部電極溝内に下部電極および偽下部電極となる導電膜として、層間絶縁膜のウエットエッチングのストッパとして機能する十分に膜厚の厚い導電膜を形成しておき、偽下部電極溝のメモリセル領域側に設けられている層間絶縁膜をウエットエッチング法により除去する際に、必要以上に層間絶縁膜をウエットエッチングする薬液が浸透しないようにするとともに、偽下部電極溝のメモリセル領域側に設けられている層間絶縁膜を除去した後、少なくとも下部電極となる導電膜を薄膜化して下部電極となる導電膜の内径を十分に大きくし、下部電極となる導電膜の内側に容量絶縁膜と上部電極とをカバレッジ良く形成できるようにすればよいことを見出した。
その結果、メモリセル領域に設けられたキャパシタと、前記メモリセル領域を囲む平面視枠状の溝形状を有する偽下部電極とを有する半導体装置の製造方法において、キャパシタの形状を規定するシリンダ孔と、メモリセル領域を囲む溝形状を有する偽下部電極の形状を規定する偽下部電極溝とを層間絶縁膜に形成し、シリンダ孔内および偽下部電極溝内に下部電極および偽下部電極となる導電膜として、層間絶縁膜のウエットエッチングのストッパとして機能する十分に膜厚の厚い導電膜を形成しておき、偽下部電極溝のメモリセル領域側に設けられている層間絶縁膜をウエットエッチング法により除去する際に、必要以上に層間絶縁膜をウエットエッチングする薬液が浸透しないようにするとともに、偽下部電極溝のメモリセル領域側に設けられている層間絶縁膜を除去した後、少なくとも下部電極となる導電膜を薄膜化して下部電極となる導電膜の内径を十分に大きくし、下部電極となる導電膜の内側に容量絶縁膜と上部電極とをカバレッジ良く形成できるようにすればよいことを見出した。
本発明の半導体装置の製造方法は、メモリセル領域に設けられたキャパシタと、前記メモリセル領域を囲む溝形状を有する偽下部電極とを有する半導体装置の製造方法であって、層間絶縁膜に、前記キャパシタの形状を規定するシリンダ孔と前記偽下部電極の形状を規定する偽下部電極溝とを形成する工程と、前記シリンダ孔内および前記偽下部電極溝内に導電膜を形成する工程と、前記導電膜をストッパとしてウエットエッチングすることにより、前記偽下部電極溝の前記メモリセル領域側に設けられている前記層間絶縁膜を除去するウエットエッチング工程と、前記導電膜を薄膜化する薄膜化工程とを備えることを特徴とする。
本発明の半導体装置の製造方法は、メモリセル領域に設けられたキャパシタと、前記メモリセル領域を囲む溝形状を有する偽下部電極とを有する半導体装置の製造方法であって、層間絶縁膜に、前記キャパシタの形状を規定するシリンダ孔と前記偽下部電極の形状を規定する偽下部電極溝とを形成する工程と、前記シリンダ孔内および前記偽下部電極溝内に導電膜を形成する工程と、前記導電膜をストッパとしてウエットエッチングすることにより、前記偽下部電極溝の前記メモリセル領域側に設けられている前記層間絶縁膜を除去するウエットエッチング工程を備えているので、導電膜のストッパとしての機能によって、ウエットエッチング工程において層間絶縁膜をウエットエッチングする薬液が必要以上に浸透しないようにすることができる。したがって、偽下部電極溝の周辺回路領域側に配置されている層間絶縁膜が除去されて空洞が形成されることを防止することができ、周辺回路領域に配置される接続プラグと偽下部電極との短絡を防止できるため、歩留まりを向上させることができる。
また、本発明の半導体装置の製造方法は、導電膜を薄膜化する薄膜化工程を備えているので、導電膜として、偽下部電極およびキャパシタの下部電極となるものを形成し、導電膜の膜厚を、層間絶縁膜をウエットエッチングする薬液が必要以上に浸透しないように十分に厚くしても、シリンダ孔内に形成される下部電極の内径を小さくすることができる。このため、下部電極となる導電膜の内側に、容量絶縁膜と上部電極とをカバレッジ良く形成することができ、キャパシタのリーク電流の増大が生じず、微細化の要求に対応できる。
本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。
図1〜図19は、本発明の半導体装置の製造方法の一例を説明するための図である。図1は、本発明の半導体装置の製造方法を用いて製造された半導体装置の一例である半導体記憶装置の一部を示した縦断面図である。
図1に示す半導体記憶装置は、メモリセル領域に設けられたクラウン形状の複数のキャパシタと、1つの偽下部電極(チャネル)51aとを有している。偽下部電極51aは、メモリセル領域を囲む平面視枠状の溝形状を有するものであり、メモリセル領域と周辺回路領域(ロジック回路領域)との間に配置された境界領域に設けられている。
図1〜図19は、本発明の半導体装置の製造方法の一例を説明するための図である。図1は、本発明の半導体装置の製造方法を用いて製造された半導体装置の一例である半導体記憶装置の一部を示した縦断面図である。
図1に示す半導体記憶装置は、メモリセル領域に設けられたクラウン形状の複数のキャパシタと、1つの偽下部電極(チャネル)51aとを有している。偽下部電極51aは、メモリセル領域を囲む平面視枠状の溝形状を有するものであり、メモリセル領域と周辺回路領域(ロジック回路領域)との間に配置された境界領域に設けられている。
図1に示す半導体記憶装置では、メモリセル領域のシリコン基板10(半導体基板)の主面を分離絶縁膜2によって区画した活性領域に、2つの選択用のトランジスタが形成されている。各々の選択用のトランジスタは、シリコン基板10の主面上にゲート絶縁膜3を介して形成されたゲート電極4、及びソース領域、ドレイン領域となる一対の拡散層領域5、6からなるものである。2つの選択用トランジスタの拡散層領域6は、一体化されており、2つの選択用トランジスタに共有化されている。
一対の拡散層領域5、6のうち一方の拡散層領域6は、層間絶縁膜21を貫通するポリシリコンなどの導電材料からなる接続プラグ11aによって層間絶縁膜21、31上に形成されたビット線8と接続されている。ビット線8は、タングステン(W)膜などの導電膜からなるものであり、層間絶縁膜22に覆われている。層間絶縁膜22上には、下部電極51と容量絶縁膜52と上部電極53とからなる複数のキャパシタが形成されている。
キャパシタの下部電極51は、窒化チタン膜などの導電膜からなる平面視円形のコップ形状のものである。図1に示すように、下部電極51の底面は、ランディングパッド81に接しており、下部電極51の底部の外壁は、窒化シリコン膜からなる層間絶縁膜32(ストッパ絶縁膜)に覆われている。また、下部電極51の底面および層間絶縁膜32と接する外壁は、その他の領域と比較して、下部電極51の膜厚が厚くなっている。
また、キャパシタの隣接する下部電極51同士は、梁として機能する層間絶縁膜36(耐エッチング膜)によって、相互に接触しないように、また倒壊しないように支えられている。
また、キャパシタの隣接する下部電極51同士は、梁として機能する層間絶縁膜36(耐エッチング膜)によって、相互に接触しないように、また倒壊しないように支えられている。
容量絶縁膜52は、酸化アルミニウム膜と酸化ジルコニウム膜との多重積層膜(絶縁膜)からなるものである。容量絶縁膜52は、平面視でメモリセル領域および境界領域に設けられており、図1に示すように、下部電極51の内壁および下部電極51の層間絶縁膜32と接する部分より上側の外壁、偽下部電極51aの内壁全面および偽下部電極51aのメモリセル領域側の外壁、層間絶縁膜36の上面および下面、層間絶縁膜36aの上面に沿って連続して設けられている。
また、上部電極53は、窒化チタン膜などの導電膜(上部導電膜)からなるものである。上部電極53は、平面視でメモリセル領域および境界領域に設けられており、図1に示すように、偽下部電極51aのメモリセル領域側の領域において、下部電極51の内壁および外壁、偽下部電極51aの内壁および偽下部電極51aのメモリセル領域側の外壁に沿って、容量絶縁膜52を介して覆うように埋め込まれている。
キャパシタの下部電極51は、下部電極51の底面に接して設けられたランディングパッド81を介して接続プラグ12と接続されている。なお、下部電極51と接続プラグ12とをランディングパッド81を介して接続する目的は、下部電極51と接続プラグ12との接触面積を大きくして、電気的接続を安定化するためである。接続プラグ12は、一対の拡散層領域5、6のうち他方の拡散層領域5に、ポリシリコンなどの導電材料からなる接続プラグ11を介して電気的に接続されている。また、上部電極53上には、層間絶縁膜25が設けられ、層間絶縁膜25上には、第2層配線61が形成されている。上部電極53と第2層配線61とは、層間絶縁膜25を貫通する接続プラグ44によって電気的に接続されている。
一方、周辺回路領域(ロジック回路領域)には、周辺回路用のトランジスタが形成されている。このトランジスタは、周辺回路領域のシリコン基板10の主面を分離絶縁膜2によって区画した活性領域に設けられている。このトランジスタは、ゲート絶縁膜3を介して形成されたゲート電極4、及びソース領域、ドレイン領域となる一対の拡散層領域7、7aからなる。
一方の拡散層領域7は、接続プラグ41、42、43、第一層配線8a、局所配線81aを介して第2層配線61と電気的に接続されている。また、他方の拡散層領域7aは、接続プラグ41a、第1層配線8b、接続プラグ42a、局所配線81b、接続プラグ43aを介して第2層配線61aと電気的に接続されている。なお、第1層配線8bは、図面の奥行き方向で他の接続プラグを介して他の拡散層領域に電気的に接続されている。
一方の拡散層領域7は、接続プラグ41、42、43、第一層配線8a、局所配線81aを介して第2層配線61と電気的に接続されている。また、他方の拡散層領域7aは、接続プラグ41a、第1層配線8b、接続プラグ42a、局所配線81b、接続プラグ43aを介して第2層配線61aと電気的に接続されている。なお、第1層配線8bは、図面の奥行き方向で他の接続プラグを介して他の拡散層領域に電気的に接続されている。
また、図1に示すように、メモリセル領域と周辺回路領域(ロジック回路領域)との境界領域には、メモリセル領域を囲む平面視枠状の溝形状を有する偽下部電極51aが設けられている。偽下部電極51aは、土手81c上に設けられ、偽下部電極51aの内側には、下部電極51内と同様に容量絶縁膜52と上部電極53とが設けられ、偽下部電極51aの周辺回路領域側には、層間絶縁膜24が設けられている。偽下部電極51aの底面および層間絶縁膜24、32と接する外壁は、その他の領域と比較して、偽下部電極51aの膜厚が厚くなっている。土手81cは、後述する製造方法において、偽下部電極51aと下部電極51とを同時に形成するために、キャパシタの形状を規定するシリンダ孔と偽下部電極51aの形状を規定する偽下部電極溝とを層間絶縁膜24に同時に設けることができるように形成されたものである。
次に、図1に示す半導体記憶装置の製造方法を説明する。
図2は、図1に示す半導体記憶装置の製造途中の一部を示した図であり、図1に対応する縦断面図である。図3は、図1に示す半導体記憶装置の製造途中の一部を示した上面図であって、図2に示す工程に対応する図であり、図3に示す上面図のA−B線の範囲が図2に示すA−B線の断面図と対応している。
図1に示す半導体記憶装置を製造するには、まず、シリコン基板10(半導体基板)の主面に分離絶縁膜2を設け、活性領域を区画する。その後、メモリセル領域および周辺回路領域(ロジック回路領域)に同時に、ゲート酸化膜3、ゲート電極4、拡散層領域5,6,7,7aを備えるトランジスタを形成する。
図2は、図1に示す半導体記憶装置の製造途中の一部を示した図であり、図1に対応する縦断面図である。図3は、図1に示す半導体記憶装置の製造途中の一部を示した上面図であって、図2に示す工程に対応する図であり、図3に示す上面図のA−B線の範囲が図2に示すA−B線の断面図と対応している。
図1に示す半導体記憶装置を製造するには、まず、シリコン基板10(半導体基板)の主面に分離絶縁膜2を設け、活性領域を区画する。その後、メモリセル領域および周辺回路領域(ロジック回路領域)に同時に、ゲート酸化膜3、ゲート電極4、拡散層領域5,6,7,7aを備えるトランジスタを形成する。
続いて、ゲート電極4を覆うように窒化シリコン膜などからなる層間絶縁膜31を形成する。その後、酸化シリコン膜などからなる層間絶縁膜21を形成して表面を平坦化し、層間絶縁膜21を貫通するコンタクト孔を開孔して、メモリセル領域のコンタクト孔内に拡散層領域5,6を露出させ、周辺回路領域(ロジック回路領域)のコンタクト孔内に拡散層領域7,7aを露出させる。そして、コンタクト孔内に、ポリシリコンなどの導電材料を埋め込むことにより、拡散層領域5,6,7,7aにそれぞれ電気的に接続する接続プラグ11、11a、41,41aを同時に形成する。
次に、接続プラグ11aに電気的に接続するビット線8と、接続プラグ41,41aに電気的に接続する第1配線層8a、8bとなる導電層を形成し、部分的に除去することにより、ビット線8と第1配線層8a、8bとを同時に形成する。
なお、ビット線8と第1層配線8a、8bは、効率よく製造するために、同じ材料を用いて同時に形成することが好ましいが、別々の材料を用いて個別に形成してもよい。
なお、ビット線8と第1層配線8a、8bは、効率よく製造するために、同じ材料を用いて同時に形成することが好ましいが、別々の材料を用いて個別に形成してもよい。
続いて、ビット線8上および第1層配線8a,8b上に、酸化シリコン膜(SiO)などからなる層間絶縁膜22を形成する。その後、層間絶縁膜22にコンタクト孔を開孔して、メモリセル領域のコンタクト孔内に接続プラグ11を露出させ、周辺回路領域(ロジック回路領域)のコンタクト孔内に第1配線8a,8bを露出させる。そして、コンタクト孔の開孔された層間絶縁膜22上に、例えば、チタン膜と窒化チタン膜とタングステン膜とを順に形成し、コンタクト孔外のチタン膜と窒化チタン膜とタングステン膜とをCMP法により除去することにより、コンタクト孔内に導電材料を埋め込み、接続プラグ12、42、42aを形成する。
その後、層間絶縁膜22上および接続プラグ12、42、42a上に、例えば、窒化タングステン膜(WN)とタングステン膜(W)とをスパッタ法により形成し、フォトリソグラフィー技術とドライエッチング技術などを用いてパターニングする。このことにより、図2および図3に示すように、メモリセル領域において接続プラグ12に電気的に接続された平面視円形のランディングパッド81と、周辺回路領域において接続プラグ42、42aにそれぞれ電気的に接続された局所配線81a、81b(図3においては不図示)と、境界領域の層間絶縁膜22上にメモリセル領域を囲むように設けられた平面視枠状のランディングパッドの土手81cとを同時に形成する。
次に、層間絶縁膜22上、ランディングパッド81上、土手81c上、局所配線81a、81b上を覆うように、層間絶縁膜32(ストッパ絶縁膜)を形成する。層間絶縁膜32は、層間絶縁膜24をウエットエッチングする際にストッパとして機能させるために、層間絶縁膜24をウエットエッチングする薬液のエッチングレートが、層間絶縁膜24よりも十分に遅い材料を用いて形成することが好ましい。具体的には、層間絶縁膜24を酸化シリコン膜なるものとし、層間絶縁膜24をウエットエッチングする薬液として希釈フッ化水素酸(HF)溶液を用いる場合、窒化シリコン膜(SiN)からなる層間絶縁膜32を形成することが好ましい。窒化シリコン膜(SiN)からなる層間絶縁膜32は、LPCVD(Low Pressure CVD)法またはALD法などにより形成できる。
また、層間絶縁膜32の厚みは厚いほど、層間絶縁膜24をウエットエッチングする際のストッパとしての機能が向上するため好ましい。しかし、層間絶縁膜32の厚みが厚すぎると、後述する導電膜51bのうち層間絶縁膜32に埋め込まれてキャパシタとして十分に機能しない領域が多くなり、好ましくない。また、層間絶縁膜32の厚みが厚すぎると、後述するシリンダ孔91の開孔時に非開孔などの問題が生じたり、後述する接続プラグ43を形成するためのコンタクト孔の開孔時に非開孔などの問題が生じたりするので、好ましくない。このため、層間絶縁膜32の厚みは、15nm〜150nmの範囲であることが好ましく、50nm程度とすることが好ましい。
次いで、図4に示すように、層間絶縁膜32上に、例えば、酸化シリコン膜からなる層間絶縁膜24と、窒化シリコン膜(SiN)からなる層間絶縁膜36(耐エッチング膜)とを順次形成する。
層間絶縁膜24の厚みは、キャパシタの高さを規定するものであり、厚くするほどキャパシタの電極面積を増加させることができ好ましい。しかし、層間絶縁膜24の厚みが厚すぎると、後述するシリンダ孔91の開孔時に非開孔などの問題が生じたり、後述する接続プラグ43を形成するためのコンタクト孔の開孔時に非開孔などの問題が生じたりするし、後述する層間絶縁膜24をウエットエッチングする工程において層間絶縁膜24を除去しにくくなる。
層間絶縁膜24の厚みは、キャパシタの高さを規定するものであり、厚くするほどキャパシタの電極面積を増加させることができ好ましい。しかし、層間絶縁膜24の厚みが厚すぎると、後述するシリンダ孔91の開孔時に非開孔などの問題が生じたり、後述する接続プラグ43を形成するためのコンタクト孔の開孔時に非開孔などの問題が生じたりするし、後述する層間絶縁膜24をウエットエッチングする工程において層間絶縁膜24を除去しにくくなる。
キャパシタの高さは特に限定されないが、シリンダ孔91の開孔のしやすさや、隣接するシリンダ孔が繋がる問題を生じることなく開孔する点から、シリンダ孔91の直径の15倍〜35倍の範囲とすることが好ましく、15〜25倍の範囲とすることがより好ましい。例えば、シリンダ孔91の直径を80nm、層間絶縁膜24の厚みを1.5μmとすることができる。なお、本実施形態においては、キャパシタの高さを、層間絶縁膜24の厚みを便宜的に用いて表記する(層間絶縁膜32と36の厚みを除いて表記する)。
層間絶縁膜24は、1層の絶縁膜からなる単層膜であってもよいが、積層膜であってもよい。層間絶縁膜24が積層膜からなるものである場合、例えば、層間絶縁膜24として、B(ボロン)とP(リン)を含むSiO2膜であるBPSG(Boron Phosphor Silicate Glass)膜(下層)とPTEOS(プラズマテトラエトキシシラン(Plasma Tetra ethoxy silane))膜(上層)との積層膜を用いることができる。
ドライエッチング技術を用いて層間絶縁膜24にシリンダ孔91を開孔すると、シリンダ孔91の直径は下端側よりも上端側が大きくなりやすく、下端側と上端側との直径の差が10〜30nm程度と大きくなってしまう恐れがある。層間絶縁膜24が、BPSG膜とPTEOS膜との積層膜である場合、ドライエッチング技術を用いてシリンダ孔91を開孔した後に、PTEOS膜よりもBPSG膜の方がエッチングレートの大きい希釈フッ化水素酸(HF)溶液などの薬液を用いてウエットエッチングすることにより、シリンダ孔91の下端側の直径をシリンダ孔91の上端側よりも優先的に拡大し、シリンダ孔91の直径を均一化することができる。
また、BPSG膜は、希釈フッ化水素酸(HF)溶液によるウエットエッチングレートが大きいため、層間絶縁膜24をウエットエッチングする薬液として希釈フッ化水素酸(HF)溶液を用いる場合のウエットエッチング時間を短くでき、層間絶縁膜24をウエットエッチングする際にストッパとして機能する層間絶縁膜36の厚みを薄くすることができる。その結果、層間絶縁膜36に後述する窓71を形成する際の加工を容易とすることができる。
ドライエッチング技術を用いて層間絶縁膜24にシリンダ孔91を開孔すると、シリンダ孔91の直径は下端側よりも上端側が大きくなりやすく、下端側と上端側との直径の差が10〜30nm程度と大きくなってしまう恐れがある。層間絶縁膜24が、BPSG膜とPTEOS膜との積層膜である場合、ドライエッチング技術を用いてシリンダ孔91を開孔した後に、PTEOS膜よりもBPSG膜の方がエッチングレートの大きい希釈フッ化水素酸(HF)溶液などの薬液を用いてウエットエッチングすることにより、シリンダ孔91の下端側の直径をシリンダ孔91の上端側よりも優先的に拡大し、シリンダ孔91の直径を均一化することができる。
また、BPSG膜は、希釈フッ化水素酸(HF)溶液によるウエットエッチングレートが大きいため、層間絶縁膜24をウエットエッチングする薬液として希釈フッ化水素酸(HF)溶液を用いる場合のウエットエッチング時間を短くでき、層間絶縁膜24をウエットエッチングする際にストッパとして機能する層間絶縁膜36の厚みを薄くすることができる。その結果、層間絶縁膜36に後述する窓71を形成する際の加工を容易とすることができる。
また、層間絶縁膜36は、層間絶縁膜24をウエットエッチングする際にストッパとして機能させるために、層間絶縁膜24をウエットエッチングする薬液のエッチングレートが、層間絶縁膜24よりも十分に遅い材料を用いて形成することが好ましい。具体的には、層間絶縁膜24を酸化シリコン膜からなるものとし、層間絶縁膜24をウエットエッチングする薬液として希釈フッ化水素酸(HF)溶液を用いる場合、窒化シリコン膜からなる層間絶縁膜36を形成することが好ましい。特に、層間絶縁膜36を、成膜温度550℃のALD法で成膜した窒化シリコン膜(SiN)からなるものとした場合、ウエットエッチングする薬液として希釈フッ化水素酸(HF)溶液を用いる場合における酸化シリコン膜とのエッチングレート比が大きいものとなるため、好ましい。
希釈フッ化水素酸(HF)溶液としては、49重量%(wt%)のものを用いることが好ましい。希釈フッ化水素酸(HF)溶液として49重量%(wt%)のものを用いる場合、工業用として通常供給される希釈フッ化水素酸(HF)溶液を原液のまま用いることができる。
層間絶縁膜36の厚みは厚いほど、梁としての機能や、層間絶縁膜24をウエットエッチングする際のストッパとしての機能が向上するため好ましい。しかし、層間絶縁膜36の厚みが厚すぎると、後述する短冊状の窓71の形成時に非開孔の問題を生じ、層間絶縁膜24をウエットエッチングする際に、梁として機能する層間絶縁膜36の直下に存在している層間絶縁膜24が除去されずに残ってしまう恐れが生じる。このため、層間絶縁膜36の厚みは、20nm〜200nmの範囲であることが好ましく、層間絶縁膜24をウエットエッチングした後の層間絶縁膜36の厚みが40nm以上となるように、70nm以上であることがより好ましく、製造時のマージンを考慮して100nm程度とすることがさらに好ましい。
次に、図5および図6に示すように、メモリセル領域の層間絶縁膜36、24、32にキャパシタの形状を規定する複数のシリンダ孔91を設けると同時に、境界領域の層間絶縁膜36、24、32に偽下部電極51aの形状を規定する1つの偽下部電極溝91aを設ける。シリンダ孔91および偽下部電極溝91aは、例えば、フォトリソグラフィー技術とドライエッチング技術とを用いて、所定の位置に所定の形状で層間絶縁膜36、24、32を貫く孔を開孔することによって形成できる。図5および図6に示すように、シリンダ孔91の底面部分には、ランディングパッド81の表面を露出されており、偽下部電極溝91aの底面部分には土手81cの表面が露出されている。本実施形態においては、図5および図6に示すように、シリンダ孔91が平面視円形とされており、偽下部電極溝91aがメモリセル領域を囲む平面視枠状の溝形状とされている。
また、図6に示すように、層間絶縁膜36は、偽下部電極溝91aを設けることにより、偽下部電極溝91aのメモリセル領域側に配置された層間絶縁膜36と、偽下部電極溝91aの周辺回路領域側に配置された層間絶縁膜36aとに分離される。
次に、図7に示すように、メモリセル領域と境界領域と周辺回路領域とに、例えば、化学気相成長法(CVD(Chemical Vapor Deposition)法)により導電膜51b形成することにより、層間絶縁膜36、36a上とシリンダ孔91の内壁と偽下部電極溝91aの内壁とに沿って、下部電極および偽下部電極となる導電膜51bが形成される。
ここで、導電膜51bの膜厚は、層間絶縁膜24をウエットエッチングする薬液が必要以上に浸透しないように十分に厚くする必要がある。しかし、導電膜51bの膜厚が厚すぎると、後述する導電膜51bを薄膜化する際に薄膜化しにくくなり、薄膜化に長い時間が必要となるので、生産性が低下する。具体的には、例えば、導電膜51bが窒化チタン(TiN)膜であって、層間絶縁膜24が酸化シリコン膜であって、層間絶縁膜24をウエットエッチングする薬液として希釈フッ化水素酸(HF)溶液を用いる場合、導電膜51bの厚さは18nm〜25nmの範囲であることが好ましく、20nm〜24nmであることがより好ましい。
続いて、図7に示すように、プラズマCVD法などを用いて、導電膜51b上に、窒化シリコン膜(SiN)などからなる層間絶縁膜37を形成する。このことにより、図7に示すようにシリンダ孔91内および偽下部電極溝91a内には上部にのみ、層間絶縁膜37が埋め込まれる。
ここで形成された層間絶縁膜37は、メモリセル領域に配置された層間絶縁膜36の一部を除去して層間絶縁膜36を梁として機能するものとする際に、表面に形成するレジスト膜がシリンダ孔91内および偽下部電極溝91a内へ浸入することを防止する。レジスト膜は、シリンダ孔91内および偽下部電極溝91a内に浸入すると、除去するのが困難であるものである。また、層間絶縁膜37は、メモリセル領域に配置された層間絶縁膜36の一部を除去して、層間絶縁膜36を梁として機能するものとする際に行われる層間絶縁膜36のエッチング工程において、シリンダ孔91の内壁および偽下部電極溝91aの内壁に沿って設けられている導電膜51bがエッチングされてしまうことや、周辺回路領域に設けられている導電膜51bがエッチングされてしまうこと防止する。
ここで形成された層間絶縁膜37は、メモリセル領域に配置された層間絶縁膜36の一部を除去して層間絶縁膜36を梁として機能するものとする際に、表面に形成するレジスト膜がシリンダ孔91内および偽下部電極溝91a内へ浸入することを防止する。レジスト膜は、シリンダ孔91内および偽下部電極溝91a内に浸入すると、除去するのが困難であるものである。また、層間絶縁膜37は、メモリセル領域に配置された層間絶縁膜36の一部を除去して、層間絶縁膜36を梁として機能するものとする際に行われる層間絶縁膜36のエッチング工程において、シリンダ孔91の内壁および偽下部電極溝91aの内壁に沿って設けられている導電膜51bがエッチングされてしまうことや、周辺回路領域に設けられている導電膜51bがエッチングされてしまうこと防止する。
次に、フォトリソグラフィー技術を用いて、層間絶縁膜37上の全面にフォトレジスト膜101を形成し、図8および図9に示すように、メモリセル領域に並行して並べられた複数の短冊状の開口101aを形成する。
次に、フォトレジスト膜101をマスクとして、ドライエッチングを行うことにより、層間絶縁膜37と導電膜51bと層間絶縁膜36の一部を除去して、図10に示す窓71を開孔し、層間絶縁膜36を梁として機能するものとする。なお、ここでの層間絶縁膜36のエッチングでは、偽下部電極溝91aの周辺回路領域側に配置された層間絶縁膜36aは全て除去されずに残される。
その後、図10に示すように、例えば、アッシングなどを行うことにより、フォトレジスト膜101を除去する。
その後、図10に示すように、例えば、アッシングなどを行うことにより、フォトレジスト膜101を除去する。
続いて、ドライエッチング技術などにより、層間絶縁膜37と、シリンダ孔91の内壁および偽下部電極溝91aの内壁に沿って設けられている導電膜51b以外の導電膜51bとを除去し、シリンダ孔91内および前記偽下部電極溝91a内にのみ前記導電膜を残存させる。このことにより、図11(a)および図12に示すように、導電膜51bからなる偽下部電極51aと下部電極51とが同時に形成される。
なお、層間絶縁膜37がプラズマCVD法で形成した窒化シリコン膜であり、層間絶縁膜32がLPCVD法またはALD法で形成した窒化シリコン膜であり、層間絶縁膜36が成膜温度550℃のALD法で形成した窒化シリコン膜である場合、シリンダ孔91の内壁および偽下部電極溝91aの内壁に沿って設けられている導電膜51b以外の導電膜51bを除去した後に、シリンダ孔91内および偽下部電極溝91a内の上部に層間絶縁膜37が残存していたとしても、希釈フッ化水素酸(HF)溶液を用いて酸化シリコン膜からなる層間絶縁膜24を除去する際のエッチングによって除去できる(なお、図11(a)および図12には、層間絶縁膜37が全て除去された状況を示す)。すなわち、層間絶縁膜37がプラズマCVD法で形成した窒化シリコン膜であり、層間絶縁膜32がLPCVD法またはALD法で形成した窒化シリコン膜であり、層間絶縁膜36が成膜温度550℃のALD法で形成した窒化シリコン膜である場合、希釈フッ化水素酸(HF)溶液に対するエッチングレートは、層間絶縁膜32(LPCVD―SiN)が1.3nm/s、層間絶縁膜36(ALD−SiN)が0.58nm/s、層間絶縁膜37(プラズマCVD−SiN)が5nm/s程度である。したがって、希釈フッ化水素酸(HF)溶液を用いる酸化シリコン膜からなる層間絶縁膜24のエッチングにおいて、層間絶縁膜32、36を残しつつ、層間絶縁膜37を除去できる。
次に、図13および図14に示すように、導電膜51bからなる偽下部電極51aと層間絶縁膜32、36、36aとをストッパとして、ウエットエッチングすることにより、偽下部電極溝91aのメモリセル領域側に設けられている層間絶縁膜24を除去する。
層間絶縁膜24をウエットエッチングする薬液は、例えば、導電膜51bが窒化チタン膜であって、層間絶縁膜24が酸化シリコン膜である場合、希釈フッ化水素酸(HF)溶液を用いることが好ましい。
層間絶縁膜24をウエットエッチングする薬液は、例えば、導電膜51bが窒化チタン膜であって、層間絶縁膜24が酸化シリコン膜である場合、希釈フッ化水素酸(HF)溶液を用いることが好ましい。
層間絶縁膜24のウエットエッチングは等方的に進むので、梁として機能する層間絶縁膜36の直下に存在していた層間絶縁膜24はすべて除去される。しかし、偽下部電極溝91aの周辺回路領域側に配置された層間絶縁膜24は、層間絶縁膜36aと偽下部電極51aとによって、除去されずに残存する。なお、偽下部電極溝91aのメモリセル領域側に設けられている層間絶縁膜24を除去した後、隣接する下部電極51同士は、図13および図14に示すように、梁として機能する層間絶縁膜36によって相互に接触しないように、また倒壊しないように支えられている。
層間絶縁膜24を除去する際、偽下部電極51aは、層間絶縁膜24をウエットエッチングする薬液が必要以上に浸透して偽下部電極溝91aの周辺回路領域側に達しないようにするガードリングとして機能する。また、層間絶縁膜32は、層間絶縁膜24をウエットエッチングする薬液が、層間絶縁膜32の下層に設けられている層間絶縁膜22に達しないようにするストッパとして機能する。層間絶縁膜24および層間絶縁膜22が、酸化シリコン膜などからなるものである場合など、層間絶縁膜22と層間絶縁膜24とが同じ材料からなるものである場合、層間絶縁膜24をウエットエッチングする薬液が層間絶縁膜22に達すると、層間絶縁膜22も除去されてしまい、歩留まりを低下させてしまう恐れがある。
次に、下部電極51および偽下部電極51aを構成する導電膜51bを薄膜化する。下部電極51および偽下部電極51a(導電膜51b)の薄膜化は、ウエットエッチング法により行ってもよいし、ドライエッチング法により行ってもよい。また、導電膜51bの薄膜化においては、製造工程を簡略化するために、下部電極51を薄膜化すると同時に偽下部電極51aも薄膜化することが好ましいが、下部電極51のみ薄膜化し、偽下部電極51aを薄膜化しなくてもよい。
薄膜化後の導電膜51bの厚みは、薄くするほど、下部電極51の内径を大きくすることができるので、容量絶縁膜52と上部電極53とをカバレッジ良く形成することができる。具体的には、薄膜化後の導電膜51bの厚みは、18nm未満であることが好ましい。しかし、薄膜化後の導電膜51bの厚みは、厚いほど強度の高いものとなり、変形したり折損したりすることを防止でき、好ましい。このため、薄膜化後の導電膜51bの厚みは、8nm〜18nm未満の範囲であることが好ましく、14nm〜15nmであることがより好ましい。
また、薄膜化後の導電膜51bからなる下部電極51の内径は、2枚分の容量絶縁膜52の厚みと、1枚分の上部電極53となる導電膜の厚みとを足した寸法以上であればよく、特に限定されないが、大きいほど容量絶縁膜52と上部電極53とをカバレッジ良く形成することができ、好ましい。したがって、薄膜化後の導電膜51bからなる下部電極51の内径は、15nm以上であることが好ましく、20nm以上であることがより好ましい。
下部電極51および偽下部電極51a(導電膜51b)が窒化チタン膜であって、ウエットエッチング法により下部電極51および偽下部電極51aを薄膜化する場合、ウエットエッチング液としては、例えば、市販のN−311(ナガセケムテック(株)製)用いることができる。N−311は、主にヒドロキシルアミンと2−アミノエタノール(アルカノールアミン類)とジメチルスルホキシドを含有するものであり、ヒドロキシルアミンと2−アミノエタノールとが窒化チタン膜を溶解する。窒化チタン膜からなる下部電極51および偽下部電極51aは、N−311を用いて20分程度エッチング処理することにより、3nm程度薄くなる。
次に、下部電極51および偽下部電極51a(導電膜51b)の薄膜化をドライエッチング法により行う場合について説明する。下部電極51および偽下部電極51aが窒化チタン膜である場合、エッチング装置として、ICP型のドライエッチング装置などプラズマのダウンフローをウエハに導く方式のものを用い、エッチングガスとして、塩素(Cl2)とアルゴン(Ar)、塩素と窒素(N2)、あるいは塩素と酸素(O2)から選ばれる混合ガスを、それぞれ1sccm(前者)と10sccm(後者)の割合でエッチング装置内に導き、圧力を1から10mTorr、温度を20〜30℃に保ち、1000〜2000WのRFパワー(ソース側)を印加してエッチングすることが好ましい。
なお、下部電極51および偽下部電極51aをエッチング法により薄膜化する際、下部電極51および偽下部電極51aを構成する導電膜51bのうち、ランディングパッド81、土手81c、層間絶縁膜24、32のいずれかに接している部分は、エッチングされない。このことにより、図15に示すように、下部電極51の底面および下部電極51の層間絶縁膜32と接する外壁が、その他の領域と比較して膜厚が厚いものとなるとともに、偽下部電極51aの底面および偽下部電極51aの層間絶縁膜24、32と接する外壁が、その他の領域と比較して膜厚が厚いものとなる。
次に、層間絶縁膜36、36a上、下部電極51および偽下部電極51aの露出面を覆うように、例えば、酸化アルミニウム膜と酸化ジルコニウム膜とからなる合計厚さ6nm〜7nm程度の容量絶縁膜52となる多重積層膜(図16においては符号52で示す)を、ALD(Atomic Layer Deposition;原子層堆積)法などにより形成する。
続いて、図16に示すように、周辺回路領域の容量絶縁膜52となる多重積層膜を覆い、メモリセル領域および境界領域の容量絶縁膜52となる多重積層膜上を埋め込むように、例えば、窒化チタン膜などからなる厚さ8nm程度の上部電極53となる導電膜(図16においては符号53で示す)を、CVD法などにより形成する。なお、上部電極53となる導電膜は、シリコン基板10の厚み方向よりも、シリコン基板10の延在方向の厚みが薄いものとなる。具体的には、例えば、シリコン基板10の厚み方向の厚みを8nmとし、シリコン基板10の延在方向の厚みを5nmとすることができる。
続いて、図16に示すように、周辺回路領域の容量絶縁膜52となる多重積層膜を覆い、メモリセル領域および境界領域の容量絶縁膜52となる多重積層膜上を埋め込むように、例えば、窒化チタン膜などからなる厚さ8nm程度の上部電極53となる導電膜(図16においては符号53で示す)を、CVD法などにより形成する。なお、上部電極53となる導電膜は、シリコン基板10の厚み方向よりも、シリコン基板10の延在方向の厚みが薄いものとなる。具体的には、例えば、シリコン基板10の厚み方向の厚みを8nmとし、シリコン基板10の延在方向の厚みを5nmとすることができる。
なお、上部電極53となる導電膜は、1層の導電膜からなる単層膜であってもよいが、積層膜であってもよい。上部電極53となる導電膜が積層膜からなるものである場合、例えば、CVD法によって形成された厚さ8nm程度の窒化チタン膜と、CVD法によって形成されたBドープされた厚さ130nm程度のポリSiGe膜と、スパッタ法によって形成された厚さ100nm程度のタングステン膜とを順に積層した多重積層膜を用いることができる。この場合、窒化チタン膜が、主にキャパシタの上部電極として機能するものとなる。また、ポリSiGe膜は、隣接する下部電極51間の間隙や、下部電極51と偽下部電極51aとの間の間隙を埋め込み、後の配線工程などでキャパシタが変形してキャパシタのリーク電流が増加したり、下部電極51と偽下部電極51aとの間の間隙を起点としてクラックが生じたりすることを防止する。また、タングステン膜は、上部電極53を低抵抗化して、キャパシタに蓄えられた電荷の情報を読み取る際の電気的ノイズを低減させる。
次に、容量絶縁膜52となる多重積層膜(絶縁膜)と、上部電極53となる導電膜(上部導電膜)と、層間絶縁膜36aの周辺回路領域に配置された部分を、例えば、フォトリソグラフィー技術とドライエッチング技術とを用いて選択的に除去することにより、周辺回路領域の層間絶縁膜24を露出させるとともに、図17に示すように、下部電極51と容量絶縁膜52と上部電極53とからなる高さが1.5μm程度のクラウン形状のキャパシタが得られる。
なお、容量絶縁膜52となる多重積層膜と、上部電極53となる導電膜の周辺回路領域に配置された部分を除去する際に、同時に、層間絶縁膜36aの周辺回路領域に配置された部分を除去するのは、後述する接続プラグ43,43aを形成するためのコンタクト孔の開孔時に、開孔不良を引き起こしにくくするためである。
次に、上部電極53上および層間絶縁膜24上に、例えば、酸化シリコン膜からなる層間絶縁膜25を形成し、CMP法によりメモリセル領域および境界領域と周辺回路領域との段差を平坦化する(図18)。
なお、層間絶縁膜25は、酸化シリコン膜からなるものに限定されないが、後述する接続プラグ43,43aを形成するためのコンタクト孔を容易に開孔できるように、層間絶縁膜24と同じ材料で形成することが好ましい。
なお、層間絶縁膜25は、酸化シリコン膜からなるものに限定されないが、後述する接続プラグ43,43aを形成するためのコンタクト孔を容易に開孔できるように、層間絶縁膜24と同じ材料で形成することが好ましい。
次に、層間絶縁膜24、25、32を貫通するコンタクト孔を開孔して、コンタクト孔内に上部電極53、局所配線81a、81bを露出させ、コンタクト孔内に窒化チタン膜とタングステン膜との積層膜などの導電材料を埋め込む。その後、コンタクト孔外に設けられた導電材料をCMP法により除去することにより、図19に示すように、上部電極53、局所配線81a、81bにそれぞれ電気的に接続された接続プラグ43,43a、44を、同時に形成する。
次に、スパッタ法などにより、例えば、チタン膜とアルミニウム膜と窒化チタン膜とを順に形成してなる積層膜からなる導電膜を形成し、リソグラフィー技術とドライエッチング技術を用いる方法などによりパターニングして、上部電極53および局所配線81aに接続プラグ43、44を介して接続された第2層配線61と、局所配線81bに接続プラグ43aを介して接続された第2層配線61aを形成する。
以上の工程により、図1に示す半導体記憶装置が得られる。
以上の工程により、図1に示す半導体記憶装置が得られる。
本実施形態の半導体記憶装置の製造方法では、層間絶縁膜24に、キャパシタの形状を規定するシリンダ孔91と偽下部電極51aの形状を規定する偽下部電極溝91aとを設け、シリンダ孔91内および偽下部電極溝91a内に導電膜51bを形成し、導電膜51bをストッパとしてウエットエッチングすることにより、偽下部電極溝91aのメモリセル領域側に設けられている層間絶縁膜24を除去するウエットエッチング工程を備えているので、導電膜51bのストッパとしての機能によって、ウエットエッチング工程において層間絶縁膜24をウエットエッチングする薬液が必要以上に浸透しないようにすることができる。したがって、偽下部電極溝91aの周辺回路領域側に配置されている層間絶縁膜24が除去されて空洞が形成されることを防止することができ、周辺回路領域に配置される接続プラグ43と偽下部電極51aとの短絡を防止できる。
また、本実施形態の半導体記憶装置の製造方法では、導電膜51bを薄膜化する薄膜化工程を備えているので、導電膜51bとして、偽下部電極51aおよびキャパシタの下部電極51となるものを形成し、導電膜51bの膜厚を、層間絶縁膜24をウエットエッチングする薬液が必要以上に浸透しないように十分に厚くしても、シリンダ孔91内に形成される下部電極51の内径を小さくすることができる。このため、下部電極51となる導電膜51bの内側に、容量絶縁膜52と上部電極53とをカバレッジ良く形成することができ、キャパシタのリーク電流の増大が生じず、微細化の要求に対応できる。
また、本実施形態の半導体記憶装置の製造方法では、土手81cとランディングパッド81とを同時に、偽下部電極51aと下部電極51とを同時に、周辺回路領域の層間絶縁膜36aと、梁として機能する層間絶縁膜36とを同時に、それぞれ一度のホトリソグラィー工程とドライエッチング工程を用いて形成している。よって、本実施形態によれば、メモリセル領域および境界領域と周辺回路領域との段差を緩和するために特別な工程数を増やすことなく、メモリセル領域および境界領域と周辺回路(ロジック回路)領域との段差を平坦化できるという利点が得られる。
また、本実施形態の半導体記憶装置の製造方法では、メモリセル領域を囲む平面視枠状の溝形状を有する偽下部電極51aと、偽下部電極51aの周辺回路領域側に設けられた層間絶縁膜24とを形成することにより、キャパシタを設けることによるメモリセル領域と周辺回路領域との段差をなくすことができるので、偽下部電極51aを設けない場合のように、境界領域の面積を広くして、メモリセル領域と周辺回路領域との段差を緩和する必要はなく、境界領域の面積を狭くすることができる。
また、本実施形態の半導体記憶装置の製造方法では、境界領域の面積を広くして、メモリセル領域と周辺回路領域との段差を緩和する必要がないので、上部電極53および局所配線81aに接続プラグ43、44を介して接続された第2層配線61を、チップ面積を増大させることなく設けることができる。
また、本実施形態の半導体記憶装置の製造方法では、境界領域の面積を広くして、メモリセル領域と周辺回路領域との段差を緩和する必要がないので、上部電極53および局所配線81aに接続プラグ43、44を介して接続された第2層配線61を、チップ面積を増大させることなく設けることができる。
なお、以上説明した本実施形態の半導体記憶装置の製造方法において、本発明の特徴とする部分以外の製造方法や、配線構造等は適宜変更を加えることが可能である。
例えば、図10に示すように、層間絶縁膜37と導電膜51bと層間絶縁膜36の一部を除去して、窓71を開孔し、層間絶縁膜36を梁として機能するものとした後の製造工程を、以下に示す製造工程とすることができる。
例えば、図10に示すように、層間絶縁膜37と導電膜51bと層間絶縁膜36の一部を除去して、窓71を開孔し、層間絶縁膜36を梁として機能するものとした後の製造工程を、以下に示す製造工程とすることができる。
上述した実施形態の半導体記憶装置の製造方法と同様にして、窓71を開孔し、層間絶縁膜36を梁として機能するものとした後、上述した実施形態と同様にして、フォトレジスト膜101を除去する。
その後、図11(b)に示すように、ドライエッチング技術などにより、層間絶縁膜37を除去する。なお、層間絶縁膜37がプラズマCVD法で形成した窒化シリコン膜であり、層間絶縁膜32がLPCVD法またはALD法で形成した窒化シリコン膜であり、層間絶縁膜36が成膜温度550℃のALD法で形成した窒化シリコン膜である場合、層間絶縁膜37は、層間絶縁膜24を除去する際のエッチングによって除去してもよい。
次いで、上述した実施形態と同様に、導電膜51bと層間絶縁膜32、36aとをストッパとして、ウエットエッチングすることにより、偽下部電極溝91aのメモリセル領域側に設けられている層間絶縁膜24を除去する。
その後、図11(b)に示すように、ドライエッチング技術などにより、層間絶縁膜37を除去する。なお、層間絶縁膜37がプラズマCVD法で形成した窒化シリコン膜であり、層間絶縁膜32がLPCVD法またはALD法で形成した窒化シリコン膜であり、層間絶縁膜36が成膜温度550℃のALD法で形成した窒化シリコン膜である場合、層間絶縁膜37は、層間絶縁膜24を除去する際のエッチングによって除去してもよい。
次いで、上述した実施形態と同様に、導電膜51bと層間絶縁膜32、36aとをストッパとして、ウエットエッチングすることにより、偽下部電極溝91aのメモリセル領域側に設けられている層間絶縁膜24を除去する。
その後、ドライエッチング技術などにより、シリンダ孔91の内壁および偽下部電極溝91aの内壁に沿って設けられている導電膜51b以外の導電膜51bを除去し、シリンダ孔91内および前記偽下部電極溝91a内にのみ前記導電膜を残存させる。このことにより、図13に示すように、導電膜51bからなる偽下部電極51aと下部電極51とが同時に形成される。
次に、上述した実施形態と同様にして、下部電極51および偽下部電極51aを構成する導電膜51bを薄膜化する。
次に、上述した実施形態と同様にして、下部電極51および偽下部電極51aを構成する導電膜51bを薄膜化する。
(実験例1)
以下に示す方法により、図1に示す半導体記憶装置を製造し、偽下部電極溝91aの周辺回路領域側に配置されている層間絶縁膜24に形成された空洞数を調べた。
まず、図1に示すシリコン基板10の主面に分離絶縁膜2を設け、活性領域を区画した。次いで、メモリセル領域および周辺回路領域(ロジック回路領域)に同時に、ゲート酸化膜3、ゲート電極4、拡散層領域5,6,7,7aを備えるトランジスタを形成した。
以下に示す方法により、図1に示す半導体記憶装置を製造し、偽下部電極溝91aの周辺回路領域側に配置されている層間絶縁膜24に形成された空洞数を調べた。
まず、図1に示すシリコン基板10の主面に分離絶縁膜2を設け、活性領域を区画した。次いで、メモリセル領域および周辺回路領域(ロジック回路領域)に同時に、ゲート酸化膜3、ゲート電極4、拡散層領域5,6,7,7aを備えるトランジスタを形成した。
続いて、ゲート電極4を覆うように窒化シリコン膜からなる層間絶縁膜31を形成した。その後、酸化シリコン膜からなる層間絶縁膜21を形成して表面を平坦化し、層間絶縁膜21を貫通するコンタクト孔を開孔し、コンタクト孔内に、ポリシリコンを埋め込み、拡散層領域5,6,7,7aにそれぞれ電気的に接続する接続プラグ11、11a、41,41aを同時に形成した。
次に、接続プラグ11aに電気的に接続するビット線8と、接続プラグ41,41aに電気的に接続する第1配線層8a、8bとを同時に形成した。
続いて、ビット線8上および第1層配線8a,8b上に、酸化シリコン膜からなる層間絶縁膜22し、層間絶縁膜22にコンタクト孔を開孔した。そして、コンタクト孔の開孔された層間絶縁膜22上に、チタン膜と窒化チタン膜とタングステン膜とを順に形成し、コンタクト孔外のチタン膜と窒化チタン膜とタングステン膜とをCMP法により除去することにより、接続プラグ12、42、42aを形成した。
続いて、ビット線8上および第1層配線8a,8b上に、酸化シリコン膜からなる層間絶縁膜22し、層間絶縁膜22にコンタクト孔を開孔した。そして、コンタクト孔の開孔された層間絶縁膜22上に、チタン膜と窒化チタン膜とタングステン膜とを順に形成し、コンタクト孔外のチタン膜と窒化チタン膜とタングステン膜とをCMP法により除去することにより、接続プラグ12、42、42aを形成した。
その後、層間絶縁膜22上および接続プラグ12、42、42a上に、窒化タングステン膜とタングステン膜とをスパッタ法により形成し、フォトリソグラフィー技術とドライエッチング技術を用いてパターニングし、平面視円形のランディングパッド81と、周辺回路領域において接続プラグ42、42aにそれぞれ電気的に接続された局所配線81a、81bと、境界領域の層間絶縁膜22上にメモリセル領域を囲むように設けられた平面視枠状の土手81cとを同時に形成した。
次に、層間絶縁膜22上、ランディングパッド81上、土手81c上、局所配線81a、81b上を覆うように、窒化シリコン膜からなる膜厚50nmの層間絶縁膜32をLPCVD法により形成し、層間絶縁膜32上に、酸化シリコン膜からなる膜厚1.5μmの層間絶縁膜24と、成膜温度550℃のALD法で成膜した窒化シリコン膜からなる膜厚100nmの層間絶縁膜36とを順次形成した。
次に、図5および図6に示すように、フォトリソグラフィー技術とドライエッチング技術とを用いて、メモリセル領域の層間絶縁膜36、24、32に平面視円形の直径80nmの複数のシリンダ孔91を設けると同時に、境界領域の層間絶縁膜36、24、32にメモリセル領域を囲む平面視枠状の溝形状の偽下部電極溝91aを設けた。
次に、図7に示すように、層間絶縁膜36、36a上およびシリンダ孔91の内壁および偽下部電極溝91aの内壁に沿って、下部電極および偽下部電極となる膜厚18nmの窒化チタン膜からなる導電膜51bをCVD法により形成した。
続いて、プラズマCVD法などを用いて、導電膜51b上に、窒化シリコン膜からなる層間絶縁膜37を形成した。
次に、フォトリソグラフィー技術を用いて、層間絶縁膜37上の全面にフォトレジスト膜101を形成し、図8および図9に示すように、メモリセル領域に並行して並べられた複数の短冊状の開口を形成した。
続いて、プラズマCVD法などを用いて、導電膜51b上に、窒化シリコン膜からなる層間絶縁膜37を形成した。
次に、フォトリソグラフィー技術を用いて、層間絶縁膜37上の全面にフォトレジスト膜101を形成し、図8および図9に示すように、メモリセル領域に並行して並べられた複数の短冊状の開口を形成した。
次に、フォトレジスト膜101をマスクとして、ドライエッチングを行うことにより、層間絶縁膜37と導電膜51bと層間絶縁膜36の一部を除去して、図10に示す窓71を開孔し、層間絶縁膜36を梁として機能するものとした。その後、アッシングを行うことにより、フォトレジスト膜101を除去した。
続いて、ドライエッチング技術により、層間絶縁膜37と、シリンダ孔91の内壁および偽下部電極溝91aの内壁に沿って設けられている導電膜51b以外の導電膜51bとを除去し、図11(a)および図12に示すように、導電膜51bからなる偽下部電極51aと下部電極51とを同時に形成した。
次に、図13および図14に示すように、導電膜51bからなる偽下部電極51aと層間絶縁膜32、36、36aとをストッパとして、希釈フッ化水素酸(HF)溶液を用いてウエットエッチングすることにより、偽下部電極溝91aのメモリセル領域側に設けられている層間絶縁膜24を除去した。
次に、図13および図14に示すように、導電膜51bからなる偽下部電極51aと層間絶縁膜32、36、36aとをストッパとして、希釈フッ化水素酸(HF)溶液を用いてウエットエッチングすることにより、偽下部電極溝91aのメモリセル領域側に設けられている層間絶縁膜24を除去した。
次に、下部電極51および偽下部電極51aを構成する導電膜51bを、N−311を用いて20分間ウエットエッチングすることにより薄膜化し、導電膜51bの厚みを15nmとした。このことにより下部電極51の内径は、50nmとなった。
次に、層間絶縁膜36、36a上、下部電極51および偽下部電極51aの露出面を覆うように、酸化アルミニウム膜と酸化ジルコニウム膜とからなる合計厚さ6nmの容量絶縁膜52となる多重積層膜を、ALD(Atomic Layer Deposition;原子層堆積)法により形成した。
続いて、図16に示すように、周辺回路領域の容量絶縁膜52となる多重積層膜を覆い、メモリセル領域および境界領域の容量絶縁膜52となる多重積層膜上を埋め込むように、窒化チタン膜からなる厚さ8nmの上部電極53となる導電膜を、CVD法により形成した。
次に、層間絶縁膜36、36a上、下部電極51および偽下部電極51aの露出面を覆うように、酸化アルミニウム膜と酸化ジルコニウム膜とからなる合計厚さ6nmの容量絶縁膜52となる多重積層膜を、ALD(Atomic Layer Deposition;原子層堆積)法により形成した。
続いて、図16に示すように、周辺回路領域の容量絶縁膜52となる多重積層膜を覆い、メモリセル領域および境界領域の容量絶縁膜52となる多重積層膜上を埋め込むように、窒化チタン膜からなる厚さ8nmの上部電極53となる導電膜を、CVD法により形成した。
次に、容量絶縁膜52となる多重積層膜と、上部電極53となる導電膜と、層間絶縁膜36aの周辺回路領域に配置された部分を、フォトリソグラフィー技術とドライエッチング技術とを用いて選択的に除去することにより、図17に示すように、下部電極51と容量絶縁膜52と上部電極53とからなる高さ1.5μmのクラウン形状のキャパシタを得た。
次に、上部電極53上および層間絶縁膜24上に、酸化シリコン膜からなる層間絶縁膜25を形成し、CMP法によりメモリセル領域および境界領域と周辺回路領域との段差を平坦化した(図18)。
次に、層間絶縁膜24、25、32を貫通するコンタクト孔を開孔して、コンタクト孔内に上部電極53、局所配線81a、81bを露出させ、コンタクト孔内に窒化チタン膜とタングステン膜からなる導電材料を埋め込んだ。その後、コンタクト孔外に設けられた導電材料をCMP法により除去することにより、図19に示すように、上部電極53、局所配線81a、81bにそれぞれ電気的に接続された接続プラグ43,43a、44を、同時に形成した。
次に、層間絶縁膜24、25、32を貫通するコンタクト孔を開孔して、コンタクト孔内に上部電極53、局所配線81a、81bを露出させ、コンタクト孔内に窒化チタン膜とタングステン膜からなる導電材料を埋め込んだ。その後、コンタクト孔外に設けられた導電材料をCMP法により除去することにより、図19に示すように、上部電極53、局所配線81a、81bにそれぞれ電気的に接続された接続プラグ43,43a、44を、同時に形成した。
次に、スパッタ法により、チタン膜とアルミニウム膜と窒化チタン膜とを順に形成してなる積層膜からなる導電膜を形成し、リソグラフィー技術とドライエッチング技術を用いる方法によりパターニングして、上部電極53および局所配線81aに接続プラグ43、44を介して接続された第2層配線61と、局所配線81bに接続プラグ43aを介して接続された第2層配線61aを形成した。
以上の工程により得られた実験例1の半導体記憶装置の偽下部電極溝91aの周辺回路領域側に配置されている層間絶縁膜24に形成された空洞数を調べた。その結果、シリコン基板10上に半導体記憶装置が形成されてなるウエハ1枚における空洞数が100(個/ウエハ)以下となった。
(実験例2)
下部電極および偽下部電極となる導電膜51bの膜厚以外は、実験例1と同様にして、複数の半導体記憶装置を形成し、実験例1と同様にして、空洞数を調べた。その結果を図20に示す。
下部電極および偽下部電極となる導電膜51bの膜厚以外は、実験例1と同様にして、複数の半導体記憶装置を形成し、実験例1と同様にして、空洞数を調べた。その結果を図20に示す。
図20は、導電膜の膜厚と、周辺回路領域側に配置されている層間絶縁膜に形成された空洞数との関係を示したグラフである。図20に示すように、導電膜の膜厚を18nm以上にすることにより、空洞が形成されることを防止できることが分かる。また、導電膜の膜厚を20nm以上にすることにより、空洞が形成されることをより効果的に防止できることが分かる。
2…分離絶縁膜、3…ゲート絶縁膜、4…ゲート電極、5,6,7,7a…拡散層領域、8…ビット線,8a,8b…第1層配線、10…シリコン基板、11,11a、12…接続プラグ、21,22,24、25、31,32、36、36a、37…層間絶縁膜、41,41a,42,42a,43,43a,44…接続プラグ、51…下部電極、51a…偽下部電極、52…容量絶縁膜、53…上部電極、61,61a…第2層配線、71…窓、81…ランディングパッド、81a,81b…局所配線、81c…土手、91…シリンダ孔、91a…偽下部電極溝、101…フォトレジスト膜、111…空洞、112…金属膜。
Claims (20)
- メモリセル領域に設けられたキャパシタと、前記メモリセル領域を囲む溝形状を有する偽下部電極とを有する半導体装置の製造方法であって、
層間絶縁膜に、前記キャパシタの形状を規定するシリンダ孔と前記偽下部電極の形状を規定する偽下部電極溝とを形成する工程と、
前記シリンダ孔内および前記偽下部電極溝内に導電膜を形成する工程と、
前記導電膜をストッパとしてウエットエッチングすることにより、前記偽下部電極溝の前記メモリセル領域側に設けられている前記層間絶縁膜を除去するウエットエッチング工程と、
前記導電膜を薄膜化する薄膜化工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - メモリセル領域に設けられたキャパシタと、前記メモリセル領域を囲む溝形状を有する偽下部電極とを有する半導体装置の製造方法であって、
層間絶縁膜に、前記キャパシタの形状を規定するシリンダ孔と前記偽下部電極の形状を規定する偽下部電極溝とを形成する工程と、
前記シリンダ孔内および前記偽下部電極溝内に導電膜を形成する工程と、
前記導電膜をストッパとしてウエットエッチングすることにより、前記偽下部電極溝の前記メモリセル領域側に設けられている前記層間絶縁膜を除去するウエットエッチング工程と、
前記シリンダ孔内の前記導電膜を薄膜化する薄膜化工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記薄膜化工程において、前記シリンダ孔内の前記導電膜と同時に前記偽下部電極溝内の前記導電膜を薄膜化することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記導電膜が窒化チタン膜であり、前記層間絶縁膜が酸化シリコン膜であることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記シリンダ孔内および前記偽下部電極溝内に導電膜を形成する工程が、
前記メモリセル領域と、周辺回路領域と、前記メモリセル領域と前記周辺回路領域との間に配置された境界領域とに前記導電膜を形成する工程と、
前記シリンダ孔の内壁および前記偽下部電極溝の内壁に沿って設けられている前記導電膜以外の導電膜を除去することにより、前記シリンダ孔内および前記偽下部電極溝内にのみ前記導電膜を残存させる工程とを備えることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。 - 前記シリンダ孔内および前記偽下部電極溝内に導電膜を形成する工程が、
前記メモリセル領域と、周辺回路領域と、前記メモリセル領域と前記周辺回路領域との間に配置された境界領域とに前記導電膜を形成することにより、前記シリンダ孔内および前記偽下部電極溝内に前記導電膜を形成する工程と、
前記ウエットエッチング工程の後、前記薄膜化工程の前に、
前記シリンダ孔の内壁および前記偽下部電極溝の内壁に沿って設けられている前記導電膜以外の導電膜を除去することにより、前記シリンダ孔内および前記偽下部電極溝内にのみ前記導電膜を残存させる工程を備えることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。 - キャパシタの設けられたメモリセル領域と、周辺回路領域と、前記メモリセル領域と前記周辺回路領域との間に配置され、前記メモリセル領域を囲む溝形状を有する偽下部電極の設けられた境界領域とを有する半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板上の前記メモリセル領域と前記境界領域と前記周辺回路領域とに層間絶縁膜を形成する工程と、
前記メモリセル領域の少なくとも前記層間絶縁膜に前記キャパシタの形状を規定するシリンダ孔を形成する工程と、
前記境界領域の少なくとも前記層間絶縁膜に前記偽下部電極の形状を規定する偽下部電極溝を設ける工程と、
少なくとも前記メモリセル領域および前記境界領域に導電膜を形成する工程と、
前記導電膜をストッパとしてウエットエッチングすることにより、前記偽下部電極溝の前記メモリセル領域側に設けられている前記層間絶縁膜を除去するウエットエッチング工程と、
少なくとも前記メモリセル領域上に位置する前記導電膜を薄膜化する薄膜化工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記薄膜化工程において、前記メモリセル領域上に位置する前記導電膜を薄膜化すると同時に前記境界領域の前記導電膜を薄膜化することを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記導電膜を形成する工程の後、前記ウエットエッチング工程の前に、
前記シリンダ孔の内壁および前記偽下部電極溝の内壁に沿って設けられている前記導電膜以外の導電膜を除去することにより、前記シリンダ孔内および前記偽下部電極溝内にのみ前記導電膜を残存させる工程を備えることを特徴とする請求項7または請求項8に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記ウエットエッチング工程の後、前記薄膜化工程の前に、
前記シリンダ孔の内壁および前記偽下部電極溝の内壁に沿って設けられている前記導電膜以外の導電膜を除去することにより、前記シリンダ孔内および前記偽下部電極溝内にのみ前記導電膜を残存させる工程を備えることを特徴とする請求項7または請求項8に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記薄膜化工程の後、薄膜化した少なくとも前記メモリセル領域上の前記導電膜上に、絶縁膜と上部導電膜とをこの順に形成し、前記導電膜と前記絶縁膜と前記上部導電膜とからなる前記キャパシタを形成する工程を備えることを特徴とする請求項7〜請求項10のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記シリンダ孔を形成する工程と、前記偽下部電極溝を設ける工程とを同時に行うことを特徴とする請求項7〜請求項11のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記層間絶縁膜に前記シリンダ孔および前記偽下部電極溝を設ける前に、前記層間絶縁膜上に耐エッチング膜を形成する工程を備え、
前記シリンダ孔を形成する工程が、前記メモリセル領域の少なくとも前記層間絶縁膜と前記耐エッチング膜とに前記キャパシタの形状を規定するシリンダ孔を形成する工程であり、
前記偽下部電極溝を設ける工程が、前記境界領域の少なくとも前記層間絶縁膜と前記耐エッチング膜とに前記偽下部電極の形状を規定する偽下部電極溝を設ける工程であり、
前記ウエットエッチング工程の前に、前記メモリセル領域上の前記耐エッチング膜の一部を除去する工程を行い、
前記ウエットエッチング工程において、少なくとも前記耐エッチング膜と前記導電膜とをストッパとしてウエットエッチングすることを特徴とする請求項7〜請求項12のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。 - 前記導電膜が窒化チタン膜であり、前記層間絶縁膜が酸化シリコン膜であり、前記耐エッチング膜が窒化シリコン膜であることを特徴とする請求項13に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記層間絶縁膜を形成する前に、半導体基板上の前記メモリセル領域と前記境界領域と前記周辺回路領域とにストッパ絶縁膜を形成する工程を備え、
前記シリンダ孔を形成する工程が、前記メモリセル領域の少なくとも前記層間絶縁膜と前記ストッパ絶縁膜とに前記キャパシタの形状を規定するシリンダ孔を形成する工程であり、
前記偽下部電極溝を設ける工程が、前記境界領域の少なくとも前記層間絶縁膜と前記ストッパ絶縁膜とに前記偽下部電極の形状を規定する偽下部電極溝を設ける工程であり、
前記ウエットエッチング工程において、少なくとも前記ストッパ絶縁膜と前記導電膜とをストッパとしてウエットエッチングすることを特徴とする請求項7〜請求項14のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。 - 前記導電膜が窒化チタン膜であり、前記層間絶縁膜が酸化シリコン膜であり、前記ストッパ絶縁膜が窒化シリコン膜であることを特徴とする請求項15に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記層間絶縁膜をウエットエッチングする薬液が希釈フッ化水素酸溶液であることを特徴とする請求項1〜請求項16のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記薄膜化工程前の前記導電膜の膜厚が18nm以上であり、前記薄膜化工程後の前記導電膜の膜厚が18nm未満であることを特徴とする請求項1〜請求項17のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記薄膜化工程が、ウエットエッチングすることにより前記導電膜を薄膜化する工程であることを特徴とする請求項1〜請求項18のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記薄膜化工程が、ドライエッチングすることにより前記導電膜を薄膜化する工程であることを特徴とする請求項1〜請求項18のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
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