JP2006216649A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 複数の蓄積電極124と、前記蓄積電極124の表面を覆う容量絶縁膜120と、前記複数の蓄積電極124の間に設けられたプレート電極118とを含むキャパシタ層11が複数積層され(11,12,・・・,1n)、積層された各キャパシタ層のプレート電極及び対応する蓄積電極が互いに電気的に接続されている。
【選択図】 図20
Description
100 シリコン基板
101 素子分離領域
102 ゲート
103,104 拡散層
105,107,138,238 層間絶縁膜
106,108,112,113,119,130,226,227,239,240 コンタクトプラグ
109,219,233 配線
110,121,122,125,132,133,221,222,225,235,236 シリコン酸化膜
111,115,136,215,229 シリコン窒化膜
114,123,134,223 タングステン膜
116,127,216,230 キャップ絶縁膜
117,128,217a,217b,231 開口
118,129,218,232 プレート電極
120,131,220,234 タンタルオキサイド膜
124,135,224,237 蓄積電極
126,137 接続部
139,142,241 配線層
140,242 絶縁膜
214,228 導電膜
M メモリセル領域
P 周辺回路領域
Claims (13)
- 複数の蓄積電極と、前記蓄積電極の表面を覆う容量絶縁膜と、前記複数の蓄積電極間に設けられたプレート電極とを含むキャパシタ層が複数積層されており、積層された各キャパシタ層のプレート電極及び対応する蓄積電極が互いに電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
- 前記複数のキャパシタ層の少なくとも2つは、実質的に同じ構成を有していることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 周辺回路領域に設けられ、前記プレート電極と同じ材料からなるコンタクトプラグをさらに備えることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体装置。
- 周辺回路領域に設けられ、前記プレート電極と同じ材料からなる配線をさらに備えることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体装置。
- 各キャパシタ層に含まれる前記蓄積電極は、基板側に位置する下面の面積が前記基板とは反対側に位置する上面の面積よりも小さいことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 半導体基板上に、柱状の第1蓄積電極と、前記第1蓄積電極の側面を覆う第1容量絶縁膜と、前記第1容量絶縁膜を介して前記第1蓄積電極の側面の少なくとも一部を覆う第1プレート電極とを有する第1キャパシタ層を形成する第1のステップと、
前記第1キャパシタ層上に、前記第1蓄積電極に接続された柱状の第2蓄積電極と、前記第2蓄積電極の側面を覆う第2容量絶縁膜と、前記第2容量絶縁膜を介して前記第2蓄積電極の側面の少なくとも一部を覆い、前記第1プレート電極に接続された第2プレート電極とを有する第2キャパシタ層を形成する第2のステップとを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1のステップは、
前記半導体基板上に第1電極材料を成膜する第1のサブステップと、
前記第1電極材料をパターニングすることにより、第1スルーホールを有する前記第1プレート電極を形成する第2のサブステップと、
前記第1スルーホールの内壁に前記第1容量絶縁膜を形成する第3のサブステップと、
前記第1スルーホール内に第2電極材料を充填することにより、前記第1蓄積電極を形成する第4のサブステップとを有し、
前記第2のステップは、
前記第1のキャパシタ層上に第3電極材料を成膜する第5のサブステップと、
前記第3電極材料をパターニングすることにより、第2スルーホールを有する前記第2プレート電極を形成する第6のサブステップと、
前記第2スルーホールの内壁に前記第2容量絶縁膜を形成する第7のサブステップと、
前記第2スルーホール内に第4電極材料を充填することにより、前記第2蓄積電極を形成する第8のサブステップとを有することを特徴とする請求項6記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1のサブステップの後に前記第1電極材料上に第1絶縁膜を形成し、前記第2のサブステップにおいて、前記第1絶縁膜を前記第1プレート電極と同一パターンにパターニングすることにより前記第1プレート電極上に第1キャップ絶縁膜を形成し、前記第1キャップ絶縁膜を除去することなく、前記第3のサブステップを行い、
前記第5のサブステップの後に前記第3電極材料上に第2絶縁膜を形成し、前記第6のサブステップにおいて、前記第2絶縁膜を前記第2プレート電極と同一パターンにパターニングすることにより前記第2プレート電極上に第2キャップ絶縁膜を形成し、前記第2キャップ絶縁膜を除去することなく、前記第7のサブステップを行うことを特徴とする請求項7記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第4のサブステップは、前記第1キャップ絶縁膜をストッパとして、前記第2電極材料を研磨するステップを含み、
前記第8のサブステップは、前記第2キャップ絶縁膜をストッパとして、前記第4電極材料を研磨するステップを含むことを特徴とする請求項8記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第3のサブステップは、前記第1容量絶縁膜を覆う第1保護絶縁膜を形成するステップと、前記第1保護絶縁膜をエッチバックするステップと、前記第1容量絶縁膜をエッチバックするステップと、前記第1保護絶縁膜を除去するステップとを含み、
前記第7のサブステップは、前記第2容量絶縁膜を覆う第2保護絶縁膜を形成するステップと、前記第2保護絶縁膜をエッチバックするステップと、前記第2容量絶縁膜をエッチバックするステップと、前記第2保護絶縁膜を除去するステップとを含むことを特徴とする請求項7乃至9のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1及び第2容量絶縁膜は、タンタルオキサイド膜、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、及び、酸化アルミニウム膜と酸化ハフニウム膜の積層膜のいずれかであることを特徴とする請求項6乃至10のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2及び第4のサブステップのパターニングによって、周辺回路領域にコンタクトプラグを同時に形成することを特徴とする請求項7乃至11のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2及び第4のサブステップのパターニングによって、周辺回路領域に配線を同時に形成することを特徴とする請求項7乃至11のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
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