JP7457140B2 - 半導体構造及びその製造方法 - Google Patents
半導体構造及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7457140B2 JP7457140B2 JP2022548072A JP2022548072A JP7457140B2 JP 7457140 B2 JP7457140 B2 JP 7457140B2 JP 2022548072 A JP2022548072 A JP 2022548072A JP 2022548072 A JP2022548072 A JP 2022548072A JP 7457140 B2 JP7457140 B2 JP 7457140B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode layer
- layer
- lower electrode
- capacitor dielectric
- dielectric layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 329
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 50
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 287
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 263
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 261
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 94
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 68
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 67
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 27
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 874
- 230000008569 process Effects 0.000 description 27
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 26
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 26
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 25
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 22
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 16
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 12
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 9
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N [C].[Si] Chemical compound [C].[Si] HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 5
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- -1 phosphorus ion Chemical class 0.000 description 3
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Chemical compound [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- ZXEYZECDXFPJRJ-UHFFFAOYSA-N $l^{3}-silane;platinum Chemical compound [SiH3].[Pt] ZXEYZECDXFPJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NCMAYWHYXSWFGB-UHFFFAOYSA-N [Si].[N+][O-] Chemical compound [Si].[N+][O-] NCMAYWHYXSWFGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SFXCACAILYNDQM-UHFFFAOYSA-N [Si]=O.[N].[C] Chemical compound [Si]=O.[N].[C] SFXCACAILYNDQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOIHABYNKOEWFG-UHFFFAOYSA-N [Sr].[Ba] Chemical compound [Sr].[Ba] WOIHABYNKOEWFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001439 antimony ion Inorganic materials 0.000 description 1
- HAYXDMNJJFVXCI-UHFFFAOYSA-N arsenic(5+) Chemical compound [As+5] HAYXDMNJJFVXCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- ZGDWHDKHJKZZIQ-UHFFFAOYSA-N cobalt nickel Chemical compound [Co].[Ni].[Ni].[Ni] ZGDWHDKHJKZZIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001449 indium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATFCOADKYSRZES-UHFFFAOYSA-N indium;oxotungsten Chemical compound [In].[W]=O ATFCOADKYSRZES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 229910021334 nickel silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N nickel silicide Chemical compound [Ni]=[Si]=[Ni] RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N oxalonitrile Chemical compound N#CC#N JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MMKQUGHLEMYQSG-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);praseodymium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Pr+3].[Pr+3] MMKQUGHLEMYQSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910021339 platinum silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003447 praseodymium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/30—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
- H10B12/31—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells having a storage electrode stacked over the transistor
- H10B12/315—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells having a storage electrode stacked over the transistor with the capacitor higher than a bit line
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/01—Manufacture or treatment
- H10B12/02—Manufacture or treatment for one transistor one-capacitor [1T-1C] memory cells
- H10B12/03—Making the capacitor or connections thereto
- H10B12/033—Making the capacitor or connections thereto the capacitor extending over the transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/55—Capacitors with a dielectric comprising a perovskite structure material
- H01L28/56—Capacitors with a dielectric comprising a perovskite structure material the dielectric comprising two or more layers, e.g. comprising buffer layers, seed layers, gradient layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/60—Electrodes
- H01L28/75—Electrodes comprising two or more layers, e.g. comprising a barrier layer and a metal layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/60—Electrodes
- H01L28/82—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation
- H01L28/90—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation having vertical extensions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78642—Vertical transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/01—Manufacture or treatment
- H10B12/02—Manufacture or treatment for one transistor one-capacitor [1T-1C] memory cells
- H10B12/05—Making the transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/30—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
- H10B12/34—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells the transistor being at least partially in a trench in the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/30—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
- H10B12/48—Data lines or contacts therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B80/00—Assemblies of multiple devices comprising at least one memory device covered by this subclass
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Description
本願は、2021年07月16日に中国特許局に提出された、出願番号が202110807121.7であり、発明の名称が「半導体構造及びその製造方法」である中国特許出願の優先権を主張し、その内容の全てが参照により本願に組み込まれるものとする。
Claims (16)
- 半導体構造であって、
基板と、前記基板上に位置するストレージユニットと、を含み、前記ストレージユニットは、
第1誘電体層および前記第1誘電体層内に位置する金属ビット線であって、前記第1誘電体層は、前記金属ビット線の表面を露出する、第1誘電体層および前記第1誘電体層内に位置する金属ビット線と、
前記金属ビット線の表面の一部に位置し、前記金属ビット線に向かう底面が前記金属ビット線に電気的に接続される半導体チャネルと、
前記半導体チャネルの一部のエリアを取り囲んで配置されるワード線と、
前記金属ビット線と前記ワード線との間に位置し、且つ前記ワード線における前記基板から離れる一側にも位置する第2誘電体層と、
前記半導体チャネルにおける前記金属ビット線から離れる上面に積層して配置される第1下部電極層及び第2下部電極層であって、前記第1下部電極層は、前記半導体チャネルの上面と接触する、第1下部電極層及び第2下部電極層と、
前記第2下部電極層の上面に位置し、且つ前記第1下部電極層及び前記第2下部電極層を取り囲む上部電極層と、
前記上部電極層と前記第1下部電極層との間に位置し、且つ前記上部電極層と前記第2下部電極層との間にも位置するキャパシタ誘電体層と、を含み、
前記第1下部電極層と、前記第2下部電極層と、前記キャパシタ誘電体層と、前記上部電極層とがキャパシタを構成し、前記半導体構造に、前記金属ビット線の延在方向において複数の前記キャパシタが含まれ、隣接するキャパシタの上部電極層は、互いに隔離される、
前記半導体構造。 - 前記基板上の前記第2下部電極層の底面の正投影は、前記基板上の前記第1下部電極層の上面の正投影内に位置する、
請求項1に記載の半導体構造。 - 前記キャパシタ誘電体層は、前記第2下部電極層の上面と側面を覆い、且つ、前記第1下部電極層の側面及び前記第2下部電極層が露出する前記第1下部電極層の上面を覆う、
請求項1に記載の半導体構造。 - 前記キャパシタ誘電体層は、
前記第1下部電極層の側面を覆う第1キャパシタ誘電体層と、
前記第2下部電極層が露出する前記第1下部電極層の上面を覆う第2キャパシタ誘電体層と、
前記第2下部電極層の上面及び側面を覆う第3キャパシタ誘電体層と、を含み、
前記第1キャパシタ誘電体層と前記第2キャパシタ誘電体層は、一体成型される構造である、
請求項1に記載の半導体構造。 - 前記キャパシタ誘電体層は更に、前記第1キャパシタ誘電体層の底面に接続され、且つ前記基板の表面に垂直である前記第1下部電極層の軸から離れる方向に延びる第4キャパシタ誘電体層を含み、
前記上部電極層は、前記第4キャパシタ誘電体層の表面にも位置し、
前記第4キャパシタ誘電体層と前記第1キャパシタ誘電体層は、一体成型される構造である、
請求項4に記載の半導体構造。 - 前記第2キャパシタ誘電体層は、前記第1キャパシタ誘電体層の上面にも位置し、且つ、前記基板の表面に垂直である前記第2下部電極層の軸から離れる方向に延びる
請求項4に記載の半導体構造。 - 前記上部電極層は、
前記第1下部電極層を取り囲み、且つ、前記第1キャパシタ誘電体層の側面に位置する第1上部電極層と、
前記第2下部電極層を取り囲み、前記第3キャパシタ誘電体層の表面に位置し、且つ底面は前記第1上部電極層の上面と接触する第2上部電極層と、を含む、
請求項4に記載の半導体構造。 - 前記キャパシタ誘電体層の材料の比誘電率は、前記第2誘電体層の材料の比誘電率より大きい、
請求項1に記載の半導体構造。 - 前記半導体構造は、前記基板上に積層して配置された少なくとも2つの前記ストレージユニットを含む、
請求項1に記載の半導体構造。 - 前記半導体チャネルの材料は、IGZO、IWO、又はITOのうちの少なくとも1つ又は複数を含み、
前記半導体チャネルは、JLT(junctionless transistor)のチャネルを構成する、
請求項1に記載の半導体構造。 - 前記基板から前記金属ビット線に指す方向で、前記半導体チャネルは、順に配列される第1ドープ領域と、チャネル領域と、第2ドープ領域と、を含み、
前記第1ドープ領域は、前記金属ビット線に電気的に接続され、
前記ワード線は、前記チャネル領域を取り囲んで配置され、
前記第1下部電極層は、前記第2ドープ領域における前記チャネル領域から離れる一側と接触する、
請求項1に記載の半導体構造。 - 前記ワード線は、
前記半導体チャネルの側壁の表面の全部を取り囲むゲート誘電体層と、
前記半導体チャネルの一部のエリアを取り囲んで配置されるゲート導電層と、を含み、
前記ゲート誘電体層は、前記半導体チャネルと前記ゲート導電層との間に位置する、
請求項1に記載の半導体構造。 - 半導体構造の製造方法であって、
基板を提供することと、
前記基板上にストレージユニットを形成することと、を含み、
前記ストレージユニットを形成するプロセスステップは、
第1誘電体層及び前記第1誘電体層内に位置する金属ビット線を提供することであって、前記第1誘電体層は、前記金属ビット線の表面を露出することと、
半導体チャネルを形成することであって、前記半導体チャネルは、前記金属ビット線の表面の一部に位置し、前記半導体チャネルにおける前記金属ビット線に向かう底面が前記金属ビット線に電気的に接続されることと、
ワード線を形成することであって、前記ワード線は、前記半導体チャネルの一部のエリアを取り囲んで配置されることと、
第2誘電体層を形成することであって、前記第2誘電体層は、前記金属ビット線と前記ワード線との間に位置し、且つ前記ワード線における前記基板から離れる一側にも位置することと、
第1下部電極層を形成することであって、前記第1下部電極層は、前記半導体チャネルの上面と接触することと、
第2下部電極層を形成することであって、前記第2下部電極層は、前記第1下部電極層の上面に位置することと、
上部電極層を形成することであって、前記上部電極層は、前記第2下部電極層の上面に位置し、且つ前記第1下部電極層及び前記第2下部電極層を取り囲むことと、
キャパシタ誘電体層を形成することであって、前記キャパシタ誘電体層は、前記上部電極層と前記第1下部電極層との間に位置し、且つ前記上部電極層と前記第2下部電極層との間にも位置することと、を含み、
前記第1下部電極層と、前記第2下部電極層と、前記キャパシタ誘電体層と、前記上部電極層とを形成するプロセスステップは、
前記第1下部電極層を形成することであって、前記第1下部電極層の上面は、中央領域と中央領域を取り囲む周辺領域を含むことと、
第1キャパシタ誘電体膜を形成することであって、前記第1キャパシタ誘電体膜は、前記第1下部電極層の上面と側面を覆うことと、
第1上部電極層を形成することであって、前記第1上部電極層は、前記第1下部電極層を包み込み、且つ、前記第1キャパシタ誘電体膜は、前記第1上部電極層と前記第1下部電極層との間に位置することと、
前記中央領域に位置する前記第1キャパシタ誘電体膜を除去して、前記中央領域の前記第1下部電極層の上面を露出し、前記第1下部電極層の側面に位置する前記第1キャパシタ誘電体膜を第1キャパシタ誘電体層として使用し、前記第1下部電極層の上面に位置する残りの前記第1キャパシタ誘電体膜を第2キャパシタ誘電体層として使用することと、
第2下部電極層を形成することであって、前記第2下部電極層は、前記中央領域の前記第1下部電極層の上面と接触することと、
第3キャパシタ誘電体層を形成することであって、前記第3キャパシタ誘電体層は、前記第2下部電極層の上面と側面を覆うことと、を含む、
半導体構造の製造方法。 - 前記第1キャパシタ誘電体膜を形成するプロセスステップは、
表面全体に連続的な第1初期キャパシタ誘電体膜を形成することであって、前記第1初期キャパシタ誘電体膜は、更に前記第1下部電極層の上面と側面を覆うことと、
前記第1初期キャパシタ誘電体膜をパターン化して、前記第1キャパシタ誘電体膜と第4キャパシタ誘電体層を形成することであって、前記第4キャパシタ誘電体層は、前記第1キャパシタ誘電体膜の底面と接続し、且つ、前記基板の表面に垂直である前記第1下部電極層の軸から離れる方向に延びることと、を含む、
請求項13に記載の半導体構造の製造方法。 - 前記基板から前記金属ビット線に指す方向で、前記半導体チャネルは順に配列される第1ドープ領域と、チャネル領域と、第2ドープ領域と、を含み、前記第1下部電極層と、前記第1キャパシタ誘電体膜と、前記第1上部電極層とを形成するプロセスステップは、
前記第2ドープ領域における前記チャネル領域から離れる一側に犠牲層を形成することであって、前記犠牲層内には、前記犠牲層を貫通し且つ前記第2ドープ領域を露出する第1貫通孔を有することと、
前記第1貫通孔を充填する前記第1下部電極層を形成することと、
前記犠牲層を除去し、且つ、前記第1キャパシタ誘電体膜を形成することと、
前記第1キャパシタ誘電体膜を覆う第1絶縁層を形成することであって、前記第1絶縁層は、前記第1キャパシタ誘電体膜の上面を露出することと、
前記第1下部電極層を取り囲む第2貫通孔を形成するために、前記第1絶縁層をパターン化することであって、前記第2貫通孔は、前記第1キャパシタ誘電体膜の側面を露出することと、
前記第2貫通孔を充填する前記第1上部電極層を形成することと、を含む、
請求項13に記載の半導体構造の製造方法。 - 前記第1下部電極層を形成する前に、前記半導体構造の製造方法は、前記第2誘電体層上に第4キャパシタ誘電体層を形成することであって、前記第4キャパシタ誘電体層は、前記第4キャパシタ誘電体層を貫通する開け口を有することと、
前記第1下部電極層を形成するプロセスステップで、前記第1下部電極層は前記開け口を充填することと、を含む
請求項13に記載の半導体構造の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110807121.7A CN115701210A (zh) | 2021-07-16 | 2021-07-16 | 半导体结构及其制造方法 |
CN202110807121.7 | 2021-07-16 | ||
PCT/CN2021/120429 WO2023284123A1 (zh) | 2021-07-16 | 2021-09-24 | 半导体结构及其制造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023537545A JP2023537545A (ja) | 2023-09-04 |
JP7457140B2 true JP7457140B2 (ja) | 2024-03-27 |
Family
ID=83460019
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022548072A Active JP7457140B2 (ja) | 2021-07-16 | 2021-09-24 | 半導体構造及びその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230019891A1 (ja) |
EP (1) | EP4148792A4 (ja) |
JP (1) | JP7457140B2 (ja) |
KR (1) | KR20220130242A (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006216649A (ja) | 2005-02-02 | 2006-08-17 | Elpida Memory Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2010034198A (ja) | 2008-07-28 | 2010-02-12 | Elpida Memory Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2015111663A (ja) | 2013-11-01 | 2015-06-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
US20170077230A1 (en) | 2015-09-15 | 2017-03-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
JP2017168623A (ja) | 2016-03-16 | 2017-09-21 | 株式会社東芝 | トランジスタ及び半導体記憶装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3403231B2 (ja) * | 1993-05-12 | 2003-05-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP3745392B2 (ja) * | 1994-05-26 | 2006-02-15 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
WO1999066558A1 (fr) * | 1998-06-19 | 1999-12-23 | Hitachi, Ltd. | Dispositif a semiconducteur et son procede de production |
KR100568733B1 (ko) * | 2004-02-10 | 2006-04-07 | 삼성전자주식회사 | 개선된 구조적 안정성을 갖는 캐패시터와 그 제조 방법 및이를 포함하는 반도체 장치와 그 제조 방법 |
-
2021
- 2021-09-24 EP EP21912333.8A patent/EP4148792A4/en active Pending
- 2021-09-24 KR KR1020227031204A patent/KR20220130242A/ko not_active Application Discontinuation
- 2021-09-24 JP JP2022548072A patent/JP7457140B2/ja active Active
-
2022
- 2022-02-11 US US17/669,544 patent/US20230019891A1/en active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006216649A (ja) | 2005-02-02 | 2006-08-17 | Elpida Memory Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2010034198A (ja) | 2008-07-28 | 2010-02-12 | Elpida Memory Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2015111663A (ja) | 2013-11-01 | 2015-06-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
US20170077230A1 (en) | 2015-09-15 | 2017-03-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
JP2017059607A (ja) | 2015-09-15 | 2017-03-23 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP2017168623A (ja) | 2016-03-16 | 2017-09-21 | 株式会社東芝 | トランジスタ及び半導体記憶装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20230019891A1 (en) | 2023-01-19 |
EP4148792A4 (en) | 2023-08-23 |
EP4148792A1 (en) | 2023-03-15 |
JP2023537545A (ja) | 2023-09-04 |
KR20220130242A (ko) | 2022-09-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8859363B2 (en) | Semiconductor devices including vertical channel transistors and methods of fabricating the same | |
WO2023284123A1 (zh) | 半导体结构及其制造方法 | |
US20210225849A1 (en) | Semiconductor structure and method for fabricating the same | |
US20240114690A1 (en) | Three-dimensional memory device and method | |
CN114121962A (zh) | 动态随机存取存储器装置及其形成方法 | |
CN115224032A (zh) | 半导体结构及其制造方法 | |
JP7457140B2 (ja) | 半導体構造及びその製造方法 | |
RU2808029C1 (ru) | Полупроводниковая структура и способ ее изготовления | |
WO2023245803A1 (zh) | 半导体结构及其制作方法、存储器 | |
JP7445775B2 (ja) | 半導体構造及びその製造方法 | |
TWI803367B (zh) | 半導體結構及其製造方法 | |
EP4328968A1 (en) | Semiconductor structure and manufacturing method therefor, memory chip and electronic device | |
CN116761423B (zh) | 3d堆叠的半导体器件及其制造方法、3d存储器、电子设备 | |
CN216818341U (zh) | 半导体存储装置 | |
CN113097381B (zh) | 电阻式存储器装置及其制造方法 | |
US20240215229A1 (en) | Semiconductor device | |
US20230269931A1 (en) | Semiconductor device with a vertical channel, and method for manufacturing the same | |
CN115224031A (zh) | 半导体结构及其制造方法 | |
CN115411033A (zh) | 半导体结构及其制造方法 | |
CN115224033A (zh) | 半导体结构及其制造方法 | |
KR20230144815A (ko) | 반도체 소자 | |
KR20230154692A (ko) | 반도체 장치 | |
KR20230159337A (ko) | 반도체 장치 및 그의 제조 방법 | |
CN115274668A (zh) | 存储器件及其制造方法及包括该存储器件的电子设备 | |
CN118234233A (zh) | 一种半导体器件及其制造方法、电子设备 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220805 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220805 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20231003 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231218 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240227 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240314 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7457140 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |