JP2015111663A - 半導体装置およびその作製方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本実施の形態では、本発明の一態様に係るトランジスタについて図を用いて説明する。
本実施の形態では、実施の形態1で示した酸化物半導体104について、詳細な説明を行う。
本実施の形態では、実施の形態1で示したトランジスタ110の作製方法について、図面を用いて説明する。
本実施の形態では、実施の形態1で示した酸化物半導体104およびトランジスタ110の変形例について、図面を用いて説明する。
実施の形態1では、半導体領域が円錐台形状の場合を示したが、半導体領域の形状はこれに限定されない。図6に半導体領域を立体的に加工した際の形状例を示す。
図7(A)に示すトランジスタ410は、図2(C)のトランジスタ110において、ソース電極113のみが酸素供給能力を有し、ドレイン電極415は酸素供給能力を有さない場合の例である。この場合、ドレイン電極415は、材料の選択肢が広がるため、ゲート電極102を異方性エッチングで形成する際にゲート電極102と選択比のとれる材料を選択することが可能になる。
図7(B)に示すトランジスタ420は、図2(C)のトランジスタ110において、ドレイン電極115のみが酸素供給能力を有し、ソース電極423は酸素供給能力を有さない場合の例である。この場合、ソース電極423と配線101との間に、酸素を遮断するための導電膜111を設ける必要がなく、工程を簡略化することが可能になる。
図8(A)に示すトランジスタ430は、図2(C)のトランジスタ110において、ソース電極113および導電膜111を省略した場合のトランジスタである。この場合、配線101がソース電極を兼ねている。トランジスタ430はソース電極113を省略したことで、工程の短縮およびソース電極113をエッチングで形成する際に、酸化物半導体104に加わるダメージを無くすことができる。
図8(B)に示すトランジスタ440は、図2(C)のトランジスタ110において、ドレイン電極115を省略し、酸化物半導体104とプラグ446を直接接合させた場合の例である。この場合、プラグ446がソース電極を兼ねている。なお、図8(B)において、ハッチパターンが施されていない領域は絶縁体で構成されている。また、プラグ446は抵抗の低い導電層と、半導体中に金属が拡散することを防ぐ導電性バリア膜の積層であってもよい。トランジスタ440はドレイン電極115を省略したことで、工程の短縮およびドレイン電極115をエッチングで形成する際に、酸化物半導体104に加わるダメージを無くすことができる。
本実施の形態では、本発明の一態様であるトランジスタを使用した記憶装置の一例について図面を参照して説明する。
本実施の形態では、実施の形態5で示した記憶装置と半導体基板上に作製したトランジスタを組み合わせた例について図面を参照して説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様であるトランジスタを使用し、電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い記憶装置の一例を、図面を参照して説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様であるトランジスタを使用した表示装置の構成例について説明する。
図15(A)は、本発明の一態様の表示装置の上面図であり、図15(B)は、本発明の一態様の表示装置の画素に液晶素子を適用する場合に用いることができる画素回路を説明するための回路図である。また、図15(C)は、本発明の一態様の表示装置の画素に有機EL(エレクトロルミネッセンス)素子を適用する場合に用いることができる画素回路を説明するための回路図である。
また、画素の回路構成の一例を図15(B)に示す。ここでは、VA型液晶表示装置の画素に適用することができる画素回路を示す。
画素の回路構成の他の一例を図15(C)に示す。ここでは、有機EL素子を用いた表示装置の画素構造を示す。
本発明の一態様に係る半導体装置は、表示機器、パーソナルコンピュータ、記録媒体を備えた画像再生装置(代表的にはDVD:Digital Versatile Disc等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを有する装置)に用いることができる。その他に、携帯電話、携帯型を含むゲーム機、携帯情報端末、電子書籍端末、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレイ)、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオ、デジタルオーディオプレイヤー等)、複写機、ファクシミリ、プリンタ、プリンタ複合機などが挙げられる。これら電子機器の具体例を図16に示す。
上記の実施の形態で説明した記憶装置は、様々なプロセッサ(例えば、CPU、マイクロコントローラ、FPGAなどのプログラマブルデバイス、RFタグ)のキャッシュメモリ、メインメモリ、ストレージに用いることができる。本実施の形態では、上記記憶装置を用いたRFタグの使用例について図17を用いながら説明する。RFタグの用途は広範にわたるが、例えば、紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、証書類(運転免許証や住民票等、図17(A)参照)、包装用容器類(包装紙やボトル等、図17(C)参照)、記録媒体(DVDやビデオテープ等、図17(B)参照)、乗り物類(自転車等、図17(D)参照)、身の回り品(鞄や眼鏡等)、食品類、植物類、動物類、人体、衣類、生活用品類、薬品や薬剤を含む医療品、または電子機器(液晶表示装置、EL表示装置、テレビジョン装置、または携帯電話)等の物品、若しくは各物品に取り付ける荷札(図17(E)、図17(F)参照)等に設けて使用することができる。
101 配線
102 ゲート電極
103 ソース電極
104 酸化物半導体
105 ドレイン電極
106 ゲート絶縁膜
107 保護絶縁膜
108 層間絶縁膜
109 基板
110 トランジスタ
111 導電膜
113 ソース電極
113a 導電膜
113b 導電膜
115 ドレイン電極
115a 導電膜
115b 導電膜
202 導電膜
203 導電膜
204 酸化物半導体
205 導電膜
209 層間絶縁膜
211 導電膜
212 プラグ
410 トランジスタ
415 ドレイン電極
420 トランジスタ
423 ソース電極
430 トランジスタ
440 トランジスタ
446 プラグ
500 記憶装置
510 コンタクト
511 導電膜
512 キャパシタ電極
513 キャパシタ電極
514 キャパシタ絶縁体
515 プラグ
516 導電膜
520 記憶素子
530 トランジスタ
532 ゲート電極
533 ソース電極
533a 導電膜
533b 導電膜
535 ドレイン電極
535a 導電膜
535b 導電膜
536 ゲート絶縁膜
700 基板
701 画素部
702 走査線駆動回路
703 走査線駆動回路
704 信号線駆動回路
710 容量配線
712 ゲート配線
713 ゲート配線
714 ドレイン電極
716 トランジスタ
717 トランジスタ
718 液晶素子
719 液晶素子
720 画素
721 スイッチング用トランジスタ
722 駆動用トランジスタ
723 容量素子
724 発光素子
725 信号線
726 走査線
727 電源線
728 共通電極
901 筐体
902 筐体
903 表示部
904 表示部
905 マイクロフォン
906 スピーカー
907 操作キー
908 スタイラス
911 筐体
912 筐体
913 表示部
914 表示部
915 接続部
916 操作キー
921 筐体
922 表示部
923 キーボード
924 ポインティングデバイス
931 筐体
932 冷蔵室用扉
933 冷凍室用扉
941 筐体
942 筐体
943 表示部
944 操作キー
945 レンズ
946 接続部
951 車体
952 車輪
953 ダッシュボード
954 ライト
2200 トランジスタ
2201 素子分離層
2202 プラグ
2205 プラグ
2207 絶縁層
2208 配線
2210 配線
2211 半導体基板
2212 絶縁層
2213 ゲート電極
2214 ゲート絶縁膜
2215 ドレイン領域
3001 配線
3002 配線
3003 配線
3004 配線
3005 配線
3200 トランジスタ
3300 トランジスタ
3400 容量素子
4000 RFタグ
Claims (5)
- 酸化物半導体と、
前記酸化物半導体の下面に接する第1の電極と、
前記酸化物半導体の上面に接する第2の電極と、
前記酸化物半導体の側面と面するゲート電極と、
前記酸化物半導体と前記ゲート電極との間に設けられたゲート絶縁膜と、を有し、
前記第1の電極は前記第2の電極と重なる領域を有し、
前記第1の電極および前記第2の電極の一方または双方は、少なくとも第1の層および第2の層を含み、
前記第1の層は前記酸化物半導体と接し、かつ前記第2の層よりも酸素濃度が低いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1において、
前記第1の層は前記酸化物半導体よりも酸化反応のギブス自由エネルギーが高い物質を含むことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1または請求項2において、
前記第1の層および前記第2の層が、銀、銅、ルテニウム、イリジウム、白金および金から選ばれた一種以上を含むことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、
前記第1の層および前記第2の層よりも酸素透過性の低い導電膜を有し、
前記第1の層および前記第2の層が、前記酸化物半導体と前記導電膜との間に設けられることを特徴とする半導体装置。 - 酸化物半導体と、
前記酸化物半導体の下面に接する第1の電極と、
前記酸化物半導体の上面に接する第2の電極と、
前記酸化物半導体の側面と面するゲート電極と、
前記酸化物半導体と前記ゲート電極との間に設けられたゲート絶縁膜と、を有し、
前記第1の電極は前記第2の電極と重なる領域を有し、
前記第1の電極および前記第2の電極の一方または双方は、少なくとも第1の層および第2の層を含み、
前記第1の層は前記酸化物半導体と接し、かつ前記第2の層よりも酸素濃度が低いことを特徴とする半導体装置の作製方法において、
加熱処理を行うことで、前記第1の電極または前記第2の電極から前記酸化物半導体へ酸素を供給することを特徴とする前記半導体装置の作製方法。
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Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017168623A (ja) * | 2016-03-16 | 2017-09-21 | 株式会社東芝 | トランジスタ及び半導体記憶装置 |
US20200111919A1 (en) * | 2018-10-09 | 2020-04-09 | Micron Technology, Inc. | Devices including vertical transistors, and related methods and electronic systems |
JP2020155495A (ja) * | 2019-03-18 | 2020-09-24 | キオクシア株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2020532854A (ja) * | 2017-08-31 | 2020-11-12 | マイクロン テクノロジー,インク. | 半導体デバイス、トランジスタ、および金属酸化物半導体デバイスを接触させるための関連する方法 |
JP2021502701A (ja) * | 2017-11-06 | 2021-01-28 | クロミス,インコーポレイテッド | 加工基板構造物を使用して実現された電力デバイスおよびrfデバイス |
WO2021106090A1 (ja) * | 2019-11-26 | 2021-06-03 | キオクシア株式会社 | メモリデバイス及びメモリデバイスの製造方法 |
CN112970121A (zh) * | 2018-10-09 | 2021-06-15 | 美光科技公司 | 包含异构沟道的晶体管及相关装置、电子系统及方法 |
WO2022075278A1 (en) * | 2020-10-05 | 2022-04-14 | Tokyo Electron Limited | Method for fabricating semiconductor device with oxide semiconductor material |
JP2023537545A (ja) * | 2021-07-16 | 2023-09-04 | チャンシン メモリー テクノロジーズ インコーポレイテッド | 半導体構造及びその製造方法 |
JP7387475B2 (ja) | 2020-02-07 | 2023-11-28 | キオクシア株式会社 | 半導体装置及び半導体記憶装置 |
US11856799B2 (en) | 2017-08-31 | 2023-12-26 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor devices, hybrid transistors, and related methods |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010263064A (ja) * | 2009-05-07 | 2010-11-18 | Videocon Global Ltd | 薄膜トランジスタ、液晶表示装置及びこれらの製造方法 |
US20110136301A1 (en) * | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2013062533A (ja) * | 2009-11-27 | 2013-04-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 非線形素子 |
US20130134415A1 (en) * | 2011-11-30 | 2013-05-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
-
2014
- 2014-10-30 JP JP2014221300A patent/JP6444135B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010263064A (ja) * | 2009-05-07 | 2010-11-18 | Videocon Global Ltd | 薄膜トランジスタ、液晶表示装置及びこれらの製造方法 |
JP2013062533A (ja) * | 2009-11-27 | 2013-04-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 非線形素子 |
US20110136301A1 (en) * | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2011139050A (ja) * | 2009-12-04 | 2011-07-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
US20130134415A1 (en) * | 2011-11-30 | 2013-05-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2013138195A (ja) * | 2011-11-30 | 2013-07-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
Cited By (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017168623A (ja) * | 2016-03-16 | 2017-09-21 | 株式会社東芝 | トランジスタ及び半導体記憶装置 |
KR20210149196A (ko) * | 2017-08-31 | 2021-12-08 | 마이크론 테크놀로지, 인크 | 금속 산화물 반도체 디바이스의 접촉을 위한 반도체 디바이스, 트랜지스터, 및 관련된 방법 |
US11908913B2 (en) | 2017-08-31 | 2024-02-20 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor devices, transistors, and related methods for contacting metal oxide semiconductor devices |
US11856799B2 (en) | 2017-08-31 | 2023-12-26 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor devices, hybrid transistors, and related methods |
JP2020532854A (ja) * | 2017-08-31 | 2020-11-12 | マイクロン テクノロジー,インク. | 半導体デバイス、トランジスタ、および金属酸化物半導体デバイスを接触させるための関連する方法 |
JP7124059B2 (ja) | 2017-08-31 | 2022-08-23 | マイクロン テクノロジー,インク. | 半導体デバイス、トランジスタ、および金属酸化物半導体デバイスを接触させるための関連する方法 |
KR102402945B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-30 | 마이크론 테크놀로지, 인크 | 금속 산화물 반도체 디바이스의 접촉을 위한 반도체 디바이스, 트랜지스터, 및 관련된 방법 |
US11335788B2 (en) | 2017-08-31 | 2022-05-17 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor devices, transistors, and related methods for contacting metal oxide semiconductor devices |
JP7324197B2 (ja) | 2017-11-06 | 2023-08-09 | クロミス,インコーポレイテッド | 加工基板構造物を使用して実現された電力デバイスおよびrfデバイス |
JP2021502701A (ja) * | 2017-11-06 | 2021-01-28 | クロミス,インコーポレイテッド | 加工基板構造物を使用して実現された電力デバイスおよびrfデバイス |
JP7177260B2 (ja) | 2018-10-09 | 2022-11-22 | マイクロン テクノロジー,インク. | 水素障壁材料を有する垂直トランジスタを含むデバイス及び関連する方法 |
US11658246B2 (en) | 2018-10-09 | 2023-05-23 | Micron Technology, Inc. | Devices including vertical transistors, and related methods and electronic systems |
US20200111919A1 (en) * | 2018-10-09 | 2020-04-09 | Micron Technology, Inc. | Devices including vertical transistors, and related methods and electronic systems |
CN112970121A (zh) * | 2018-10-09 | 2021-06-15 | 美光科技公司 | 包含异构沟道的晶体管及相关装置、电子系统及方法 |
JP2022502865A (ja) * | 2018-10-09 | 2022-01-11 | マイクロン テクノロジー,インク. | 水素障壁材料を有する垂直トランジスタを含むデバイス及び関連する方法 |
JP2020155495A (ja) * | 2019-03-18 | 2020-09-24 | キオクシア株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP7210344B2 (ja) | 2019-03-18 | 2023-01-23 | キオクシア株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
WO2021106090A1 (ja) * | 2019-11-26 | 2021-06-03 | キオクシア株式会社 | メモリデバイス及びメモリデバイスの製造方法 |
TWI766448B (zh) * | 2019-11-26 | 2022-06-01 | 日商鎧俠股份有限公司 | 記憶體裝置及記憶體裝置之製造方法 |
WO2021106234A1 (ja) * | 2019-11-26 | 2021-06-03 | キオクシア株式会社 | メモリデバイス及びメモリデバイスの製造方法 |
JP7387475B2 (ja) | 2020-02-07 | 2023-11-28 | キオクシア株式会社 | 半導体装置及び半導体記憶装置 |
WO2022075278A1 (en) * | 2020-10-05 | 2022-04-14 | Tokyo Electron Limited | Method for fabricating semiconductor device with oxide semiconductor material |
JP2023537545A (ja) * | 2021-07-16 | 2023-09-04 | チャンシン メモリー テクノロジーズ インコーポレイテッド | 半導体構造及びその製造方法 |
JP7457140B2 (ja) | 2021-07-16 | 2024-03-27 | チャンシン メモリー テクノロジーズ インコーポレイテッド | 半導体構造及びその製造方法 |
Also Published As
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