JP2009170637A - 半導体記憶装置の製造方法および半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】従来に比べて小さいチップ面積で、信頼性の高いメモリセルを実現することができる半導体記憶装置の製造方法および半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】ロジック領域200の半導体基板1表面に基板コンタクト用不純物層3が形成される。DRAM領域100の層間絶縁膜9にメモリセルキャパシタの下部電極11aが形成される。ロジック領域200の層間絶縁膜9には不純物層3に接続する第1の導電体パターン11bが形成される。下部電極11aおよび第1の導電体パターン11b上に絶縁膜12が形成され、絶縁膜12を加工することにより下部電極11a上に容量絶縁膜12aが形成される。そして、当該容量絶縁膜12aが形成された半導体基板1上に導電膜14が形成され、導電膜14を加工することにより、メモリセルキャパタの上部電極14aおよび第1の導電体パターン11b上に配置された第2の導電体パターン14bが形成される。
【選択図】図3
【解決手段】ロジック領域200の半導体基板1表面に基板コンタクト用不純物層3が形成される。DRAM領域100の層間絶縁膜9にメモリセルキャパシタの下部電極11aが形成される。ロジック領域200の層間絶縁膜9には不純物層3に接続する第1の導電体パターン11bが形成される。下部電極11aおよび第1の導電体パターン11b上に絶縁膜12が形成され、絶縁膜12を加工することにより下部電極11a上に容量絶縁膜12aが形成される。そして、当該容量絶縁膜12aが形成された半導体基板1上に導電膜14が形成され、導電膜14を加工することにより、メモリセルキャパタの上部電極14aおよび第1の導電体パターン11b上に配置された第2の導電体パターン14bが形成される。
【選択図】図3
Description
本発明は、半導体記憶装置の製造方法および半導体記憶装置に関し、特に、DRAM(Dynamic Random Access Memory)とロジック回路とが同一半導体基板上に混載された半導体記憶装置の製造方法および半導体記憶装置に関する。
近年の半導体装置のパターン寸法の微細化に伴って、DRAM、特にスタック型のキャパシタを備えたDRAMでは、蓄積電荷量を確保するために、Ta2O5、Al2O3、HfO2等の高誘電率絶縁膜が容量絶縁膜として使用されている。これらの高誘電率絶縁膜は、メモリセルのキャパシタ形成後の配線工程(例えば、キャパシタの上部電極を形成する工程)で、プラズマダメージ等により信頼性が低下することが知られている。特に、近年の微細化された半導体記憶装置では、容量絶縁膜が薄膜化されており、信頼性低下が顕著になっている。従来、このような信頼性低下を回避する種々の手法が提案されている。
例えば、後掲の特許文献1は、チップ上でのメモリセルの占有面積の増大を抑制しつつ、高誘電率絶縁膜のダメージによる信頼性低下を回避する技術を開示している。図8は、当該技術を適用したDRAMの構造を示す断面図である。図8に示すように、特許文献1に開示された技術では、DRAM形成領域に、メモリセル120とダミーセル130とが設けられる。メモリセル120は、層間絶縁膜109に形成された凹部に、下部電極111a、容量絶縁膜112および上部電極114が順に積層された構造を有する。また、ダミーセル130は、層間絶縁膜109に形成された凹部に、下部電極111b、容量絶縁膜112および上部電極114が順に積層された構造を有する。メモリセル120の下部電極111aおよびダミーセル130の下部電極111bは、コンタクトプラグ107を介して半導体基板101に形成された不純物層103に電気的に接続されている。また、ダミーセル130の下部電極111bの短辺寸法は、メモリセル120の下部電極111aの短辺寸法に比べて小さくなっている。
本構成によれば、ダミーセル130を構成するキャパシタに生じる単位面積あたりのリーク電流量が、メモリセル120を構成するキャパシタに生じる単位面積あたりのリーク電流量に比べて大きくなる。したがって、プラズマ処理等により上部電極114に蓄積された電荷は、ダミーセル130を通じて半導体基板101へ流れる。したがって、上部電極114に蓄積された電荷が、メモリセル120を通じで半導体基板101へ流れることに起因して発生するダメージを回避することができる。また、特許文献1では、ダミーセル130として、例えば、メモリセルアレイの周縁部等にリソグラフィ精度(パターニング精度)向上のために形成されるダミーのメモリセルを使用している。
また、図9は、同一の半導体基板上にDRAMとロジック回路とが混載されたeDRAM(Embedded DRAM)の従来構造を示す断面図である。eDRAMでは、上部電極形成時のメモリセルに対するアンテナ比が比較的大きいため、上部電極に少量の電荷が蓄積した場合であっても信頼性の低下が発生する。
図9に示すように、eDRAMは、同一の半導体基板101上に、DRAM形成領域100とロジック回路形成領域200とを備える。DRAM形成領域100には、下部電極111a、容量絶縁膜112、上部電極114が下層から順に積層された構造を有するメモリセル120が形成される。また、メモリセル120の上部電極114よりも上層の配線層を用いて形成される配線117(例えば、ビット線)と、メモリセルトランジスタ121を構成する不純物層103とを電気的に接続するコンタクトプラグ(絶縁膜106を貫通する第1のコンタクトプラグ107と、絶縁膜108、109および115を貫通する第2のコンタクトプラグ116)が形成されている。ロジック回路形成領域200にも、上層配線117と半導体基板101表面に形成された不純物層103、104とを電気的に接続するコンタクトプラグ107、116が形成されている。しかしながら、ロジック回路形成領域200には、メモリセル120を構成する、下部電極111a、容量絶縁膜112、上部電極114は形成されていない。したがって、上部電極114となる導電膜を形成する際のプラズマ処理等により上部電極114に蓄積した電荷は、メモリセル120のみを通じて半導体基板101に流れることになる。
特開2006−203128号公報
eDRAM(Embedded DRAM)では、近年のパターン寸法の微細化およびチップサイズの縮小化により、メモリセルアレイの周縁部にダミーセルを配置しない構成が採用されている。このため、特許文献1に記載された技術を適用するためには、チップ上にダミーセルを設ける領域を余分に確保する必要がある。このような領域を確保することは、チップ面積が増大、すなわち、製造コストの増大を招くため好ましくない。
本発明は、上記従来の事情を鑑みて提案されたものであり、従来に比べて小さいチップ面積で、信頼性の高いメモリセルを実現することができる半導体記憶装置の製造方法および半導体記憶装置を提供することを目的とする。
前記の目的を達成するため、本発明は以下の技術的手段を採用している。まず、本発明は、DRAMとロジック回路とが同一半導体基板上に混載された半導体記憶装置の製造方法を前提としている。そして、本発明に係る半導体記憶装置の製造方法は、まず、ロジック回路形成領域の半導体基板表面に基板コンタクト用不純物層が形成される。また、半導体基板上に層間絶縁膜が形成される。次いで、層間絶縁膜が形成された半導体基板上のDRAM形成領域にメモリセルキャパシタの下部電極が形成される。層間絶縁膜が形成された半導体基板上のロジック回路形成領域には、上記基板コンタクト用不純物層に電気的に接続する第1の導電体パターンが形成される。その後、上記下部電極および上記第1の導電体パターンが形成された半導体基板上に絶縁膜が形成され、当該絶縁膜を加工することにより上記下部電極上に容量絶縁膜が形成される。そして、当該容量絶縁膜が形成された半導体基板上に導電膜が形成され、当該導電膜を加工することにより、上記メモリセルキャパシタの上部電極および上記第1の導電体パターン上に配置された第2の導電体パターンが形成される。
本構成によれば、メモリセルの上部電極を形成するために半導体基板上に堆積された導電膜が、ロジック回路形成領域に形成された第1の導電体パターンを介して半導体基板に電気的に接続されている。このため、上部電極となる導電膜を形成する際のプラズマ処理等により上部電極に蓄積する電荷は、第1の導電体パターンを通じて半導体基板に放出される。したがって、上部電極を形成する際に、上部電極に蓄積する電荷量を従来に比べて著しく低減することができる。この結果、DRAM形成領域にダミーセルを配置することなく容量絶縁膜に付与されるダメージを従来比べて低減でき、信頼性の高いメモリセルを備えた半導体記憶装置を形成することができる。
また、上記構成において、下部電極および第1の導電体パターンは、前記層間絶縁膜に設けられた凹部内に形成することができる。この場合、下部電極が、下部電極と半導体基板表面との間の層間絶縁膜を貫通するコンタクトプラグを介してDRAM形成領域の半導体基板表面に形成されたメモリセルトランジスタと電気的に接続され、第1の導電体パターンが、第1の導電体パターンと半導体基板表面との間の層間絶縁膜を貫通するコンタクトプラグを介して基板コンタクト用不純物層と電気的に接続され、第2の導電体パターンが、第2の導電体パターン上を被覆する層間絶縁膜を貫通するコンタクトプラグを介して上層の配線と接続された構成を採用することができる。
本構成では、上記第1および第2の導電体パターンが、ロジック回路形成領域において、上層配線と半導体基板とを電気的に接続するコンタクト構造の一部を構成する。すなわち、本構成では、最終的にロジック回路の一部として使用されるコンタクト構造の一部を使用して、上部電極となる導電膜を堆積する際のプラズマ処理等により上部電極に蓄積する電荷を半導体基板へ放出させる。したがって、チップ面積を増大させることなく、信頼性の高いメモリセルを備えた半導体記憶装置を形成することができる。
さらに、上記構成において、第1の導電体パターンが前記層間絶縁膜上に配置された平坦部を有する状態で形成されるとともに、当該平坦部と第2の導電体パターンとの間に、容量絶縁膜を形成するための絶縁膜が残存された構成を採用することができる。本構成では、平坦部に堆積された絶縁膜がメモリセル形成領域に形成された絶縁膜(容量絶縁膜)よりも単位面積当たりのリーク電流量が大きくなる。このため、上部電極となる導電膜を堆積する際のプラズマ処理等により上部電極に蓄積する電荷は、第1の導電体パターンを通じて半導体基板に放出される。したがって、信頼性の高いメモリセルを備えた半導体記憶装置を形成することができる。なお、この構成においても、下部電極が、下部電極と半導体基板表面との間の層間絶縁膜を貫通するコンタクトプラグを介してDRAM形成領域の半導体基板表面に形成されたメモリセルトランジスタと電気的に接続され、第1の導電体パターンが、第1の導電体パターンと半導体基板表面との間の層間絶縁膜を貫通するコンタクトプラグを介して基板コンタクト用不純物層と電気的に接続され、第2の導電体パターンが、第2の導電体パターンを被覆する層間絶縁膜を貫通するコンタクトプラグを介して上層の配線と接続された構成を採用することができる。
以上の構成において、下部電極および第1の導電体パターンは、半導体基板上に堆積された同一の導電膜を加工することにより形成することができる。
一方、他の観点では、本発明は、DRAMとロジック回路とが同一半導体基板上に混載された半導体記憶装置を提供することができる。すなわち、本発明は、ロジック回路形成領域の半導体基板に形成された基板コンタクト用不純物層と、半導体基板上に形成された層間絶縁膜とを備える。また、DRAM形成領域の上記層間絶縁膜中に形成されたメモリセルキャパシタの下部電極と、ロジック回路形成領域の上記層間絶縁膜中に形成された、上記基板コンタクト用不純物層に電気的に接続する第1の導電体パターンを備える。さらに、上記下部電極上に形成された容量絶縁膜と、容量絶縁膜上に形成された上記メモリセルキャパシタの上部電極とを備える。そして、上記上部電極を形成するために半導体基板上に堆積された導電膜を加工することにより、前記第1の導電体パターン上に形成された第2の導電体パターンを備える。
本構成において、第1の導電体パターンと第2の導電体パターンとの間の単位面積あたりのリーク電流量が、下部電極と上部電極との間の単位面積あたりのリーク電流量よりも大きい状態で、容量絶縁膜を形成するために半導体基板上に堆積された絶縁膜が上記第1の導電体パターンと上記第2の導電体パターンとの間に配置された構成を採用することも可能である。
本発明によれば、メモリセルを構成するキャパシタの上部電極形成時に、当該上部電極とロジック回路形成領域内の基板コンタクト用不純物層とが電気的に接続されているため、上部電極を形成する工程に起因して、容量絶縁膜に付与されるダメージを従来に比べて低減することができる。この結果、信頼性の高いメモリセルを備えた半導体記憶装置を実現することができる。また、上部電極とロジック回路形成領域内の基板コンタクト用不純物層とを、ロジック回路を構成するコンタクト構造の一部を一時的に使用して接続すれば、チップ面積を増大させることなく、信頼性の高いメモリセルを備えた半導体記憶装置を実現することができる。
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下の実施形態では、1つのトランジスタと1つのスタック型キャパシタとで構成されるメモリセルを有するeDRAMの事例により、本発明を具体化している。
(第1の実施形態)
図1〜図3は本発明の第1の実施形態における半導体記憶装置の製造過程を示す工程断面図である。本実施形態の半導体記憶装置は、図9に示した従来例と異なり、DRAM形成領域100(以下、DRAM領域100という。)だけでなく、ロジック回路形成領域200(以下、ロジック領域200という。)にも、メモリセルキャパシタの下部電極と同一レイヤの導電膜で形成された第1の導電体パターンと、メモリセルキャパシタの上部電極と同一レイヤの導電膜で形成された第2の導電体パターンとが形成される。なお、図1〜図3では、DRAM領域100を左方に、ロジック領域200を右方にそれぞれ分離して示しているが、両領域は同一の半導体基板上に存在している。
図1〜図3は本発明の第1の実施形態における半導体記憶装置の製造過程を示す工程断面図である。本実施形態の半導体記憶装置は、図9に示した従来例と異なり、DRAM形成領域100(以下、DRAM領域100という。)だけでなく、ロジック回路形成領域200(以下、ロジック領域200という。)にも、メモリセルキャパシタの下部電極と同一レイヤの導電膜で形成された第1の導電体パターンと、メモリセルキャパシタの上部電極と同一レイヤの導電膜で形成された第2の導電体パターンとが形成される。なお、図1〜図3では、DRAM領域100を左方に、ロジック領域200を右方にそれぞれ分離して示しているが、両領域は同一の半導体基板上に存在している。
図1(a)に示すように、まず、P型のシリコン基板等の半導体基板1の表面部に、素子分離絶縁膜2が形成される。そして、素子分離絶縁膜2により区分された半導体基板1の表面部に、公知の微細加工技術により各種半導体素子が形成される。図1(a)では、DRAM領域100の半導体基板1の表面部に、N型不純物層3とゲート電極5とを備えるN型のメモリセルトランジスタ21が形成されている。また、ロジック領域200の半導体基板1の表面部には、ロジック回路を構成するトランジスタと、P型の半導体基板1への基板コンタクト用のP型の不純物層4が形成されている。なお、図1(a)では、ロジック領域200のトランジスタとして、N型のトランジスタを構成するゲート電極5とN型不純物層3とを例示している。
各種半導体素子が形成された半導体基板1上には、例えば、CVD(Chemical Vapor Deposition)法により、BPSG(Boro-Phospho Silicate Glass)膜からなる第1の層間絶縁膜6が形成される。第1の層間絶縁膜6の上面はCMP(Chemical Mechanical Polishing)法やエッチバック法等により平坦化される。平坦化された第1の層間絶縁膜6には、以降で形成される上層の配線との電気的な接続を実現するための第1のコンタクトプラグ7が形成される。第1のコンタクトプラグ7は、例えば、公知のリソグラフィ技術およびエッチング技術を適用して第1の層間絶縁膜6に貫通孔を形成し、当該貫通孔に導電体を充填することにより形成される。図1(a)では、DRAM領域100のメモリセルトランジスタ21の不純物層3上と、ロジック領域200の基板コンタクト用不純物層4上と、ロジック領域200のN型トランジスタの不純物層3上とに第1のコンタクトプラグ7が形成されている。
第1のコンタクトプラグ7が形成された第1の層間絶縁膜6上には、例えば、CVD法等により、窒化シリコン(Si3N4)膜からなるエッチングストッパ膜8が形成される。当該エッチングストッパ膜8上には、BPSG膜等からなる第2の層間絶縁膜9が形成される。第2の層間絶縁膜9上には、DRAM領域100およびロジック領域200の下部電極形成領域上に開口を有するレジストパターン(図示せず)がフォトリソグラフィにより形成される。そして、当該レジストパターンをマスクとして、第2の層間絶縁膜9がエッチングされた後、底面に露出したエッチングストッパ膜8がエッチングされる。これにより、DRAM領域100に、底部に第1のコンタクトプラグ7の上面が露出した凹部10aが形成されるとともに、ロジック領域200に、底部に第1のコンタクトプラグ7の上面が露出した凹部10bが形成される。特に限定されないが、本実施形態では、ロジック領域200の凹部10bの開口面積が、第1のコンタクトプラグ7上面の面積と同等になっている。したがって、ロジック領域200の凹部10bの開口面積は、DRAM領域100の凹部10aの開口面積よりも小さくなっている。
次いで、図1(b)に示すように、CVD法等により窒化チタン(TiN)膜からなる導電膜11が、凹部10a、10bが形成された第2の層間絶縁膜9上に堆積される。当該導電膜11上には全面にレジストが塗布され、その全面が露光された後に現像される。これにより、凹部10a、10bのみにレジスト31が充填される。当該状態で、導電膜11をエッチバックすることにより、図1(c)に示すように、凹部10aの内部にTiN膜からなるメモリセルの下部電極11aが形成されるとともに、凹部10bの内部にTiN膜からなる基板コンタクト用の下部電極11b(第1の導電体パターン)が形成される。
凹部10a、10b内に残留しているレジスト31が除去された後、図2(a)に示すように、例えば、CVD法等によりHfO2からなる厚さ15nm程度の絶縁膜12が半導体基板1上に堆積される。なお、DRAM領域100の下部電極11a上に堆積された絶縁膜12は、メモリセルの容量絶縁膜として機能する。
続いて、図2(b)に示すように、絶縁膜12上に、ロジック領域200の基板コンタクト用の下部電極11b上に開口を有するレジストパターン32がフォトリソグラフィにより形成され、当該レジストパターン32をマスクとしたドライエッチングにより、下部電極11b上のHfO2膜が除去される。
レジストパターン32が除去された後、図2(c)に示すように、半導体基板1上にCVD法等によりTiN膜からなる厚さ50nm程度の導電膜14が堆積される。このとき、堆積される導電膜14は、ロジック領域200に形成されている下部電極11bおよび第1のコンタクトプラグ7を通じて、半導体基板1に電気的に接続される。このため、導電膜14を半導体基板1上に堆積する過程で導電膜14中に生じた電荷は、下部電極11bおよび第1のコンタクトプラグ7を通じて、P型不純物層4からP型の半導体基板1に優先的に流れ込む。したがって、導電膜14中に蓄積した電荷がDRAM領域100に形成された絶縁膜12、下部電極11a、第1のコンタクトプラグ7を通じて半導体基板1に流入することを抑制できる。その結果、メモリセルキャパシタの容量絶縁膜にダメージが付与されることが回避される。
続いて、図3(a)に示すように、以降の工程で形成される、DRAM領域100の上層配線と半導体基板1とを電気的に接続するための第2のコンタクトプラグ形成位置に開口を有するとともに、ロジック領域200の下部電極11b上を被覆するレジストパターン33がフォトリソグラフィにより形成される。そして、当該レジストパターン33をマスクとして導電膜14および絶縁膜12がエッチング除去される。これにより、DRAM領域100に、上部電極14aおよび容量絶縁膜12aのパターンが形成されるとともに、ロジック領域200の下部電極11b上に上部電極14b(第2の導電体パターン)が形成される。なお、当該エッチングがプラズマエッチングにより実行される場合、導電膜14が完全に分割されるまでの間は、導電膜14に生じた電荷は、下部電極11bおよび第1のコンタクトプラグ7を通じて半導体基板1に流入する。
レジストパターン33が除去された後、図3(b)に示すように、半導体基板1上に、NSG(Non-doped Silicate Glass)膜等からなる第3の層間絶縁膜15が形成される。第3の層間絶縁膜15の上面はCMP法やエッチバック法等により平坦化される。平坦化された第3の層間絶縁膜15上には、第2のコンタクトプラグ形成領域に開口を有するレジストパターン34がフォトリソグラフィにより形成される。当該レジストパターン34をマスクとしたエッチングにより、第3の層間絶縁膜15、第2の層間絶縁膜9が順に除去され、その後、底部に露出したエッチングストッパ膜8がエッチング除去される。このようにして形成された貫通孔に導電体を充填することにより、図3(c)に示すように第2のコンタクトプラグ16が形成される。なお、図3(c)では、DRAM領域100のメモリセルトランジスタ21の不純物層3に形成された第1のコンタクトプラグ7上と、ロジック領域200のN型トランジスタの不純物層3に形成された第1のコンタクトプラグ7上に第2のコンタクトプラグ16が形成されている。
そして、第2のコンタクトプラグ16が形成された第3の層間絶縁膜15上には、公知のリソグラフィ技術およびエッチング技術を適用することにより上層配線17が形成され、本実施形態の半導体記憶装置が完成する。
以上説明したように、本実施形態によれば、メモリセルキャパシタを構成する上部電極14aを形成するために半導体基板1上に堆積された導電膜14が、ロジック領域200に形成された下部電極11bを介して半導体基板1に電気的に接続されている。このため、上部電極14aとなる導電膜14を堆積する際のプラズマ処理等により上部電極14aに蓄積する電荷は、下部電極11bを通じて速やかに半導体基板1に放出される。したがって、上部電極14aを形成する際に、上部電極14aに蓄積する電荷量を従来に比べて著しく低減することができる。この結果、DRAM領域100にダミーセルを配置することなく容量絶縁膜12aに付与されるダメージを従来比べて低減でき、信頼性の高いメモリセル20を備えた半導体記憶装置を形成することができる。
なお、本実施形態において、基板コンタクト用の下部電極11bは、図3(c)に示すように、上層配線17の直下等の半導体基板1上の空きスペースに形成することができる。したがって、チップ面積を増大させることなく信頼性の高いメモリセル20を備えた半導体記憶装置を実現することができる。
(第2の実施形態)
上記第1の実施形態では、最終的にロジック回路を構成しない下部電極をロジック領域に備えた構成について説明した。しかしながら、上部電極となる導電膜の電荷を半導体基板へ逃がす下部電極は、最終的にロジック回路を構成してもよい。本実施形態では、最終的にロジック回路を構成する下部電極を用いて、上部電極の電荷を半導体基板へ逃がす構成について説明する。
上記第1の実施形態では、最終的にロジック回路を構成しない下部電極をロジック領域に備えた構成について説明した。しかしながら、上部電極となる導電膜の電荷を半導体基板へ逃がす下部電極は、最終的にロジック回路を構成してもよい。本実施形態では、最終的にロジック回路を構成する下部電極を用いて、上部電極の電荷を半導体基板へ逃がす構成について説明する。
図4は、本発明の第2の実施形態における半導体記憶装置の製造過程を示す工程断面図である。本実施形態では、上部電極および容量絶縁膜のパターニング以降の工程が第1の実施形態と異なっている。
本実施形態の半導体記憶装置は、第1の実施形態において、図1(a)〜図1(c)、図2(a)〜図2(c)および図3(a)により説明した同一の工程を経て、図4(a)に示すように、DRAM領域100に、上部電極14aおよび容量絶縁膜12aのパターンが形成されるとともに、ロジック領域200の下部電極11b上に上部電極14b(第2の導電体パターン)が形成される。
レジストパターン33が除去された後、図4(b)に示すように、半導体基板1上に、NSG膜等からなる第3の層間絶縁膜15が形成される。第3の層間絶縁膜15の上面はCMP法やエッチバック法等により平坦化される。平坦化された第3の層間絶縁膜15上には、第2のコンタクトプラグ形成領域に開口を有するレジストパターン35がフォトリソグラフィにより形成される。本実施形態では、第1の実施形態で説明したレジストパターン34とは異なり、レジストパターン35はDRAM領域100のメモリセルトランジスタ21の不純物層3に形成された第1のコンタクトプラグ7上と、ロジック領域200のN型トランジスタの不純物層3に形成された第1のコンタクトプラグ7上とに加えて、上部電極14b上にも開口を有している。
当該レジストパターン35をマスクとしたエッチングにより、第3の層間絶縁膜15、第2の層間絶縁膜9が順に除去され、その後、底部に露出したエッチングストッパ膜8がエッチング除去される。本実施形態では、このとき、上部電極14b上のレジストパターン35の開口を通じたエッチングは、底面に上部電極14bが露出した時点で停止する。すなわち、上部電極14bがエッチングストッパとして機能する。このようにして形成された貫通孔に導電体を充填することにより、図3(c)に示すように第2のコンタクトプラグ16が形成される。そして、第2のコンタクトプラグ16が形成された第3の層間絶縁膜15上には、公知のリソグラフィ技術およびエッチング技術を適用することにより上層配線17が形成され、本実施形態の半導体記憶装置が完成する。
以上説明したように、本実施形態では、ロジック領域200に形成された上部電極14bおよび下部電極11bが、ロジック領域200において、上層配線17と半導体基板1とを電気的に接続するコンタクト構造の一部を構成する。すなわち、本実施形態では、最終的にロジック回路の一部として使用されるコンタクト構造の一部を使用して、メモリセルキャパシタを構成する上部電極14aとなる導電膜14を堆積する際のプラズマ処理等により上部電極14aに蓄積する電荷を半導体基板1へ流出させる。したがって、本実施形態によれば、チップ面積を増大させることなく、容量絶縁膜12aに付与されるダメージを従来比べて低減でき、信頼性の高いメモリセル20を備えた半導体記憶装置を形成することができる。
(第3の実施形態)
上記第1および第2の実施形態では、ロジック領域200の下部電極11bと上部電極14bとを直接接触させることにより、上部電極となる導電膜の電荷を半導体基板へ流入させた。しかしながら、特定の条件下では、ロジック領域の下部電極と上部電極との間に、メモリセルキャパシタの容量絶縁膜を形成するために堆積された絶縁膜が残存していても、同様の効果を得ることができる。そこで、本実施形態では、ロジック領域の下部電極と上部電極との間に絶縁膜を介在させた構成について説明する。
上記第1および第2の実施形態では、ロジック領域200の下部電極11bと上部電極14bとを直接接触させることにより、上部電極となる導電膜の電荷を半導体基板へ流入させた。しかしながら、特定の条件下では、ロジック領域の下部電極と上部電極との間に、メモリセルキャパシタの容量絶縁膜を形成するために堆積された絶縁膜が残存していても、同様の効果を得ることができる。そこで、本実施形態では、ロジック領域の下部電極と上部電極との間に絶縁膜を介在させた構成について説明する。
図5〜図7は本発明の第3の実施形態における半導体記憶装置の製造過程を示す工程断面図である。
本実施形態の半導体記憶装置は、第1の実施形態において、図1(a)により説明した同一の工程を経て、図5(a)に示すように、DRAM領域100に、底部に第1のコンタクトプラグ7の上面が露出した凹部10aが形成されるとともに、ロジック領域200に、底部に第1のコンタクトプラグ7の上面が露出した凹部10bが形成される。
次いで、図5(b)に示すように、CVD法等によりTiN膜からなる導電膜11が、凹部10a、10bが形成された第2の層間絶縁膜9上に堆積される。当該導電膜11上には、DRAM領域100のメモリセルの下部電極形成領域およびロジック領域200の基板コンタクト用の下部電極形成領域を被覆するレジストパターン41が形成される。このとき、ロジック領域200の基板コンタクト用の下部電極形成領域を被覆するレジストパターン41は、平面視において凹部10bを内包する状態で形成される。
当該状態で、導電膜11をプラズマエッチングし、残留したレジストを除去することにより、図5(c)に示すように、凹部10aの内部にTiN膜からなるメモリセルの下部電極11aが形成されるとともに、ロジック領域200のレジストパターン41に対応する位置にTiN膜からなる基板コンタクト用の下部電極11c(第1の導電体パターン)が形成される。この場合、下部電極11cは、凹部10b内に加えて、層間絶縁膜9上に配置された平坦部を有する状態で形成される。
続いて、図6(a)に示すように、例えば、CVD法等によりHfO2からなる厚さ15nm程度の絶縁膜12が半導体基板1上に堆積される。なお、DRAM領域100の下部電極11a上に堆積された絶縁膜12は、メモリセルの容量絶縁膜として機能する。
絶縁膜12上には、図6(b)に示すように、CVD法等によりTiN膜からなる厚さ50nm程度の導電膜14が堆積される。このとき、導電膜14を半導体基板1上に堆積する過程で導電膜14中に生じた電荷は、下部電極11c上の絶縁膜12、下部電極11cおよび第1のコンタクトプラグ7を通じて、P型不純物層4からP型の半導体基板1に流れ込む。これは、平坦部に堆積したHfO2膜は結晶化しやすく、結晶化したHfO2膜は多くのリーク電流が流れるからである。したがって、本構成によれば、導電膜14中に蓄積した電荷がDRAM領域100に形成された絶縁膜12、下部電極11a、第1のコンタクトプラグ7を通じて半導体基板1に流入することを抑制できる。その結果、メモリセルキャパシタの容量絶縁膜にダメージが付与されることが回避される。
続いて、図6(c)に示すように、以降の工程で形成される、DRAM領域100の上層配線と半導体基板1とを電気的に接続するための第2のコンタクトプラグ形成位置に開口を有するとともに、ロジック領域200の下部電極11c上を被覆するレジストパターン42がフォトリソグラフィにより形成される。そして、当該レジストパターン42をマスクとして導電膜14および絶縁膜12がエッチングされる。これにより、DRAM領域100に、上部電極14aおよび容量絶縁膜12aのパターンが形成されるとともに、ロジック領域200の下部電極11c上に、絶縁膜12cおよび上部電極14b(第2の導電体パターン)が積層したパターンが形成される。なお、当該エッチングがプラズマエッチングにより実行される場合、導電膜14が完全に分割されるまでの間は、導電膜14に生じた電荷は、絶縁膜12、下部電極11cおよび第1のコンタクトプラグ7を通じて半導体基板1に流入する。
レジストパターン42が除去された後、図7(a)に示すように、半導体基板1上に、NSG膜等からなる第3の層間絶縁膜15が形成される。第3の層間絶縁膜15の上面はCMP法やエッチバック法等により平坦化される。平坦化された第3の層間絶縁膜15上には、第2のコンタクトプラグ形成領域に開口を有するレジストパターン43がフォトリソグラフィにより形成される。本実施形態では、レジストパターン43は、第2の実施形態で説明したレジストパターン35と同様に、DRAM領域100のメモリセルトランジスタ21の不純物層3に形成された第1のコンタクトプラグ7上と、ロジック領域200のN型トランジスタの不純物層3に形成された第1のコンタクトプラグ7上と、上部電極14c上とに開口を有している。
当該レジストパターン43をマスクとしたエッチングにより、第3の層間絶縁膜15、第2の層間絶縁膜9が順に除去され、その後、底部に露出したエッチングストッパ膜8がエッチング除去される。このとき、上部電極14c上のレジストパターン43の開口を通じたエッチングは、第2の実施形態と同様に、底面に上部電極14cが露出した時点で停止する。このようにして形成された貫通孔に導電体を充填することにより、図7(b)に示すように第2のコンタクトプラグ16が形成される。そして、第2のコンタクトプラグ16が形成された第3の層間絶縁膜15上には、公知のリソグラフィ技術およびエッチング技術を適用することにより上層配線17が形成され、本実施形態の半導体記憶装置が完成する。
以上説明したように、本実施形態によれば、第1および第2の実施形態と同様に、チップ面積を増大させることなく容量絶縁膜12aに付与されるダメージを従来比べて低減でき、信頼性の高いメモリセル20を備えた半導体記憶装置を形成することができる。なお、上記では、上部電極14c、絶縁膜12cおよび下部電極11cが、ロジック回路の一部となる構成を説明したが、第1の実施形態で説明したように、上部電極14c、絶縁膜12cおよび下部電極11cは最終的にロジック回路を構成しない構成であってもよい。
以上説明したように、本発明によれば、メモリセルを構成するキャパシタの上部電極形成時に、当該上部電極とロジック回路形成領域内の基板コンタクト用不純物層とが電気的に接続されているため、上部電極を形成する工程に起因して、容量絶縁膜に付与されるダメージを従来に比べて低減することができる。この結果、信頼性の高いメモリセルを備えた半導体記憶装置を実現することができる。また、上部電極とロジック回路形成領域内の基板コンタクト用不純物層とを、ロジック回路を構成するコンタクト構造の一部を一時的に使用して接続すれば、チップ面積を増大させることなく、信頼性の高いメモリセルを備えた半導体記憶装置を実現することができる。
なお、以上で説明した実施形態は本発明の技術的範囲を制限するものではなく、既に記載したもの以外でも、本発明の範囲内で種々の変形や応用が可能である。例えば、上記各実施形態では、メモリセルキャパシタの下部電極と第1の導電体パターンとを同一の導電膜を加工することにより形成したが、個別に形成した場合であっても同様の効果をそうすることができる。また、上記各実施形態で例示した、半導体記憶装置の形成プロセスは、公知の等価なプロセスで置換可能である。
本発明は、従来に比べて小さいチップ面積で、信頼性の高いメモリセルを実現することができ、半導体記憶装置の製造方法および半導体記憶装置として有用である。
1 半導体基板
3 基板コンタクト用不純物層
7 第1のコンタクトプラグ
6 第1の層間絶縁膜
8 エッチングストッパ膜
9 第2の層間絶縁膜
11a 下部電極
11b 下部電極(第1の導電体パターン)
11c 下部電極(第1の導電体パターン)
12a 容量絶縁膜
12c リークを増大させた絶縁膜
14a 上部電極
14b 上部電極(第2の導電体パターン)
14c 上部電極(第2の導電体パターン)
15 第3の層間絶縁膜(層間絶縁膜)
16 第2のコンタクトプラグ
17 上層配線
100 DRAM形成領域
200 ロジック回路形成領域
3 基板コンタクト用不純物層
7 第1のコンタクトプラグ
6 第1の層間絶縁膜
8 エッチングストッパ膜
9 第2の層間絶縁膜
11a 下部電極
11b 下部電極(第1の導電体パターン)
11c 下部電極(第1の導電体パターン)
12a 容量絶縁膜
12c リークを増大させた絶縁膜
14a 上部電極
14b 上部電極(第2の導電体パターン)
14c 上部電極(第2の導電体パターン)
15 第3の層間絶縁膜(層間絶縁膜)
16 第2のコンタクトプラグ
17 上層配線
100 DRAM形成領域
200 ロジック回路形成領域
Claims (6)
- DRAM(Dynamic Random Access Memory)とロジック回路とが同一半導体基板上に混載された半導体記憶装置の製造方法であって、
ロジック回路形成領域の半導体基板表面に基板コンタクト用不純物層を形成する工程と、
半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜が形成された半導体基板上のDRAM形成領域にメモリセルキャパシタの下部電極を形成する工程と、
前記層間絶縁膜が形成された半導体基板上のロジック回路形成領域に前記基板コンタクト用不純物層に電気的に接続する第1の導電体パターンを形成する工程と、
前記下部電極および前記第1の導電体パターンが形成された半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜を加工することにより前記下部電極上に容量絶縁膜を形成する工程と、
前記容量絶縁膜が形成された半導体基板上に、導電膜を形成する工程と、
前記導電膜を加工することにより、前記メモリセルキャパシタの上部電極および前記第1の導電体パターン上に配置された第2の導電体パターンを形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。 - 前記下部電極および前記第1の導電体パターンが、前記層間絶縁膜に設けられた凹部内に形成され、
前記下部電極が、当該下部電極と前記半導体基板表面との間の層間絶縁膜を貫通するコンタクトプラグを介して前記DRAM形成領域の半導体基板表面に形成されたメモリセルトランジスタと電気的に接続され、
前記第1の導電体パターンが、当該第1の導電体パターンと前記半導体基板表面との間の層間絶縁膜を貫通するコンタクトプラグを介して前記基板コンタクト用不純物層と電気的に接続され、
前記第2の導電体パターンが、当該第2の導電体パターンを被覆する層間絶縁膜を貫通するコンタクトプラグを介して上層の配線と接続される請求項1記載の半導体記憶装置の製造方法。 - 前記第1の導電体パターンが前記層間絶縁膜上に配置された平坦部を有する状態で形成されるとともに、当該平坦部と前記第2の導電体パターンとの間に、前記容量絶縁膜を形成するための絶縁膜が残存され、
前記下部電極が、当該下部電極と前記半導体基板表面との間の層間絶縁膜を貫通するコンタクトプラグを介して前記DRAM形成領域の半導体基板表面に形成されたメモリセルトランジスタと電気的に接続され、
前記第1の導電体パターンが、当該第1の導電体パターンと前記半導体基板表面との間の層間絶縁膜を貫通するコンタクトプラグを介して前記基板コンタクト用不純物層と電気的に接続され、
前記第2の導電体パターンが、当該第2の導電体パターンを被覆する層間絶縁膜を貫通するコンタクトプラグを介して上層の配線と接続される請求項1記載の半導体記憶装置の製造方法。 - 前記下部電極および前記第1の導電体パターンが、半導体基板上に堆積された同一の導電膜を加工することにより形成される請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体記憶装置の製造方法。
- DRAM(Dynamic Random Access Memory)とロジック回路とが同一半導体基板上に混載された半導体記憶装置であって、
ロジック回路形成領域の半導体基板に形成された基板コンタクト用不純物層と、
半導体基板上に形成された層間絶縁膜と、
DRAM形成領域の前記層間絶縁膜中に形成されたメモリセルキャパシタの下部電極と、
ロジック回路形成領域の前記層間絶縁膜中に形成された、前記基板コンタクト用不純物層に電気的に接続する第1の導電体パターンと、
前記下部電極上に形成された容量絶縁膜と、
前記容量絶縁膜上に形成された前記メモリセルキャパシタの上部電極と、
前記上部電極を形成するために半導体基板上に堆積された導電膜を加工することにより、前記第1の導電体パターン上に形成された第2の導電体パターンと、
を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記第1の導電体パターンと前記第2の導電体パターンとの間の単位面積あたりのリーク電流量が、前記下部電極と前記上部電極との間の単位面積あたりのリーク電流量よりも大きい状態で、前記容量絶縁膜を形成するために半導体基板上に堆積された絶縁膜が、前記第1の導電体パターンと前記第2の導電体パターンとの間に配置された請求項5記載の半導体記憶装置。
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JP2008006725A JP2009170637A (ja) | 2008-01-16 | 2008-01-16 | 半導体記憶装置の製造方法および半導体記憶装置 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012038978A (ja) * | 2010-08-09 | 2012-02-23 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置、及び半導体装置の製造方法 |
US20230389296A1 (en) * | 2022-05-26 | 2023-11-30 | Nanya Technology Corporation | Method of manufacturing semiconductor device with programmable feature |
-
2008
- 2008-01-16 JP JP2008006725A patent/JP2009170637A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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