JP2009238332A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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- H10B10/00—Static random access memory [SRAM] devices
- H10B10/12—Static random access memory [SRAM] devices comprising a MOSFET load element
Abstract
【解決手段】第1および第2の読出用ワード線RWL1(i),RWL2(i)は、隣接する2つの行を1組とし、各組ごとに設けられる。第1〜第4の読出用ビット線RBL1A(j),RBL1B(j),RBL2A(j),RBL2B(j)は、列ごとに設けられる。第1および第2の読出用ワード線RWL1(j),RWL2(j)の各々は、対応の組のメモリセルと接続する。第1および第3の読出用ビット線RBL1A(j),RBL2A(j)の各々は、対応の列のメモリセルのうち、各組の一方の行のメモリセルと接続する。第2および第4の読出用ビット線RBL1B(j),RBL2B(j)の各々は、対応の列のメモリセルのうち、各組の他方の行のメモリセルと接続する。
【選択図】図1
Description
[第1の実施形態]
本発明の実施形態は、10個のトランジスタを含み、1個の書込用ポートおよび2個の読出用ポートを備え、メモリセルからのデータの読出前に、ビット線対をプリチャージするタイプの半導体記憶装置に関する。
図1を参照して、この半導体記憶装置は、書込用アドレスバッファ14と、第1読出用アドレスバッファ34と、第2読出用アドレスバッファ36と、書込用行デコーダ10と、第1読出用行デコーダ30と、第2読出用行デコーダ32と、書込用列デコーダ18と、第1読出用列デコーダ38と、第2読出用列デコーダ40と、入力回路24と、第1出力回路42と、第2出力回路44と、メモリセルアレイ82と、プリチャージ回路99を備える。
図2は、図1におけるメモリセルMC(0,0)の構成を示した回路図である。
図3は、第1の実施形態におけるメモリセルアレイのウェル、拡散領域、ポリシリコン、コンタクトホール、第1層金属配線、および第1ビアホールを含む下層のレイヤの配置を示した平面図である。
以下では、メモリセルMC(0,0)内の配置について説明する。
メモリセルMC(1,0)は、メモリセルMC(0,0)に対して、基本的にメモリセル境界BDERに対して対称に配置されている。しかし、メモリセルMC(0,0)が、第1の読出用ビット線RBL1A(0)および第3の読出用ビット線RBL2A(0)と接続するのに対して、メモリセルMC(1,0)が、第2の読出用ビット線RBL1B(0)および第4の読出用ビット線RBL2B(0)と接続することから、以下の点で、メモリセルMC(1,0)は、メモリセルMC(0,0)と相違する。
図4は、第1の実施形態における第1ビアホール、第2層金属配線、第2ビアホール、および第3層金属配線を含む上層のレイヤの配置を示した平面図である。
次に、本発明の実施形態のメモリセルのレイアウトの特徴について説明する。
本発明の実施形態は、10個のトランジスタを含み、1個の書込用ポートおよび1個の読出用ポートを備え、メモリセルからのデータの読出前にビット線対をプリチャージしないタイプの半導体記憶装置に関する。
図5を参照して、この半導体記憶装置は、書込用アドレスバッファ14と、読出用アドレスバッファ16と、書込用行デコーダ10と、読出用行デコーダ12と、書込用列デコーダ18と、読出用列デコーダ20と、入力回路24と、出力回路22と、メモリセルアレイ84を備える。
図6は、図5におけるメモリセルMC(0,0)の構成を示した回路図である。
図7は、第2の実施形態におけるメモリセルアレイのウェル、拡散領域、ポリシリコン、コンタクトホール、第1層金属配線、および第1ビアホールを含む下層のレイヤの配置を示した平面図である。
以下では、メモリセルMC(0,0)内の配置について説明する。
メモリセルMC(1,0)は、メモリセルMC(0,0)に対して、基本的にメモリセル境界BDERに対して対称に配置されている。しかし、メモリセルMC(0,0)が、第1の読出用ビット線RBLA(0)と接続するのに対して、メモリセルMC(1,0)が、第2の読出用ビット線RBLB(0)と接続することから、以下の点で、メモリセルMC(1,0)は、メモリセルMC(0,0)と相違する。
図8は、第2の実施形態における第1ビアホール、第2層金属配線、第2ビアホール、および第3層金属配線を含む上層のレイヤの配置を示した平面図である。
図8では、メモリセルMC(0,0)内に、図4の第1の読出用ワード線RWL1(0)に代えて、読出用ワード線RWL(0)が配置される。また、メモリセルMC(1,0)内に、図4の第2の読出用ワード線RWL2(0)に代えて、読出用ワード線/RWL(0)が配置される。
次に、本発明の実施形態のメモリセルのレイアウトの特徴について説明する。
本発明の実施形態は、第2の実施形態におけるメモリセルの実装例(上層および下層)の変形例に関するものである。
図9は、第3の実施形態におけるメモリセルアレイのウェル、拡散領域、ポリシリコン、コンタクトホール、第1層金属配線、および第1ビアホールを含む下層のレイヤの配置を示した平面図である。
以下では、メモリセルMC(0,0)内の配置について説明する。
メモリセルMC(1,0)は、メモリセルMC(0,0)に対して、基本的にメモリセル境界BDERに対して対称に配置されている。しかし、メモリセルMC(0,0)が、第1の読出用ビット線RBLA(0)と接続するのに対して、メモリセルMC(1,0)が、第2の読出用ビット線RBLB(0)と接続することから、以下の点で、メモリセルMC(1,0)は、メモリセルMC(0,0)と相違する。
図10は、第3の実施形態における第1ビアホール、第2層金属配線、第2ビアホール、および第3層金属配線を含む上層のレイヤの配置を示した平面図である。
次に、本発明の実施形態のメモリセルのレイアウトの特徴について説明する。
本発明の実施形態は、第2の実施形態におけるSRAMセル内部の構造の変形例に関するものである。
図11は、図5におけるメモリセルMC(0,0)の別の構成を示した回路図である。
本発明の実施形態の読出バッファ回路は、トライステートインバータ回路で構成されるので、電源VDDから接地ノードVSSへ流れるリーク電流を低減効果に優れている。
図12は、第4の実施形態におけるメモリセルアレイのウェル、拡散領域、ポリシリコン、コンタクトホール、第1層金属配線、および第1ビアホールを含む下層のレイヤの配置を示した平面図である。
すなわち、図7の第2の実施形態では、NチャネルMOSトランジスタN14およびN15を構成するN型拡散領域FL212にコンタクトホールCTが配置され、PチャネルMOSトランジスタP12およびP13を構成するP型拡散領域FL215にコンタクトホールCTが配置され、これらのコンタクトホールCTが、第1層金属配線MA212を介して電気的に接続されていた。これによって、第2の実施形態では、PチャネルMOSトランジスタP13がNチャネルMOSトランジスタN14と接続し、かつPチャネルMOSトランジスタP12がNチャネルMOSトランジスタN15と接続した。
図13は、第4の実施形態における第1ビアホール、第2層金属配線、第2ビアホール、および第3層金属配線を含む上層のレイヤの配置を示した平面図である。
本発明の実施形態の回路のレイアウトと、第2の実施形態の回路のレイアウトとは、コンタクトと金属配線の一部が異なるのみであり、レイアウトサイズも同一である。したがって、実装品のチップレイアウト設計の後半において、第2の実施形態の回路から第4の実施形態の回路へ、またはその逆へ容易に変更することができる。たとえば、実負荷検証にてSRAMのアクセスタイムが十分に速ければ、リーク電流を低減するために、本発明の実施形態の回路を採用するのが望ましい。また、その逆に、SRAMのアクセスタイムが遅い場合には、タイミングエラーを回避するために、第2の実施形態の回路を採用するのが望ましい。
次に、本発明の実施形態のメモリセルのレイアウトの特徴について説明する。
本発明の実施形態は、第4の実施形態におけるメモリセルの実装例(上層および下層)の変形例に関するものである。
図14は、第5の実施形態におけるメモリセルアレイのウェル、拡散領域、ポリシリコン、コンタクトホール、第1層金属配線、および第1ビアホールを含む下層のレイヤの配置を示した平面図である。
すなわち、図9の第3の実施形態では、NチャネルMOSトランジスタN14およびN15を構成するN型拡散領域FL313にコンタクトホールCTが配置され、PチャネルMOSトランジスタP12およびP13を構成するP型拡散領域FL316にコンタクトホールCTが配置され、これらのコンタクトホールCTが、第1層金属配線MA311を介して電気的に接続されていた。これによって、第3の実施形態では、PチャネルMOSトランジスタP13がNチャネルMOSトランジスタN14と接続し、かつPチャネルMOSトランジスタP12がNチャネルMOSトランジスタN15と接続した。
図15は、第5の実施形態における第1ビアホール、第2層金属配線、第2ビアホール、および第3層金属配線を含む上層のレイヤの配置を示した平面図である。
次に、本発明の実施形態のメモリセルのレイアウトの特徴について説明する。
第2の実施形態との比較のため、Y方向で隣接するメモリセルの間で、読出用ワード線対RWL,/RWLを共有しなかった場合(参考例)について説明する。
Claims (21)
- 行列上に配置された複数のメモリセルを有するメモリセルアレイと、
隣接する2つの行を1組とし、各組ごとに設けられる第1および第2の読出用ワード線と、
列ごとに設けられる、第1〜第4の読出用ビット線とを備え、
前記第1および第2の読出用ワード線の各々は、対応の組のメモリセルと接続し、
前記第1および第3の読出用ビット線の各々は、対応の列のメモリセルのうち、各組の一方の行のメモリセルと接続し、前記第2および第4の読出用ビット線の各々は、対応の列のメモリセルのうち、各組の他方の行のメモリセルと接続する、半導体記憶装置。 - 前記半導体記憶装置は、さらに、
第1の読出アドレスのうち組を指定するアドレスに基づいて、前記第1の読出用ワード線の活性化を制御する第1の読出用行デコーダと、
第2の読出アドレスのうち組を指定するアドレスに基づいて、前記第2の読出用ワード線の活性化を制御する第2の読出用行デコーダと、
列ごとに設けられ、前記第1の読出用ビット線および前記第2の読出用ビット線が接続される第1のセレクタと、
列ごとに設けられ、前記第3の読出用ビット線および前記第4の読出用ビット線が接続される第2のセレクタと、
前記第1の読出アドレスのうち列を指定するアドレスに基づいて、すべての列の第1のセレクタのうちいずれの出力信号を選択すべきかを制御する第1の読出用列デコーダと、
前記第2の読出アドレスのうち列を指定するアドレスに基づいて、すべての列の第2のセレクタのうちいずれの出力信号を選択すべきかを制御する第2の読出用列デコーダとを備え、
前記第1のセレクタは、前記第1の読出アドレスのうち、組内の行を指定するアドレスに基づいて、前記第1の読出用ビット線および前記第2の読出用ビット線のうち、いずれかのビット線の信号を選択して出力し、
前記第2のセレクタは、前記第2の読出アドレスのうち、組内の行を指定するアドレスに基づいて、前記第3の読出用ビット線および前記第4の読出用ビット線のうち、いずれかのビット線の信号を選択して出力する、請求項1記載の半導体記憶装置。 - 前記半導体記憶装置は、さらに、
前記メモリセルからのデータの読出前に、前記第1〜第4の読出用ビット線をプリチャージするプリチャージ回路を備える、請求項2記載の半導体記憶装置。 - 前記半導体記憶装置は、さらに、
行ごとに設けられる書込用ワード線と、
列ごとに設けられる正相および逆相の書込用ビット線対とを備え、
前記書込用ワード線の各々は、対応の行のメモリセルと接続し、
前記書込用ビット線対の各々は、対応の列のメモリセルと接続する、請求項3記載の半導体記憶装置。 - 前記メモリセルは、
第1導電型の第1のMOSトランジスタと第2導電型の第2のMOSトランジスタからなる第1のCMOSインバータと、
第1導電型の第3のMOSトランジスタと第2導電型の第4のMOSトランジスタからなる第2のCMOSインバータとを備え、
前記第1のCMOSインバータの入力端子である第1の記憶端子は、前記第2のCMOSインバータの出力端子と接続し、
前記第2のCMOSインバータの入力端子である第2の記憶端子は、前記第1のCMOSインバータの出力端子と接続し、
前記メモリセルは、さらに、
前記逆相の書込用ビット線と前記第2の記憶端子との間に接続され、かつその制御電極に前記書込用ワード線が接続される、第2導電型の第5のMOSトランジスタと、
前記正相の書込用ビット線と前記第1の記憶端子との間に接続され、かつその制御電極に前記書込用ワード線が接続される、第2導電型の第6のMOSトランジスタと、
前記第1または第2の読出用ビット線と、接地ノードとの間に直列に接続される第2導電型の第7のMOSトランジスタおよび第2導電型の第8のMOSトランジスタと、
前記第3または第4の読出用ビット線と、接地ノードとの間に直列に接続される第2導電型の第9のMOSトランジスタおよび第2導電型の第10のMOSトランジスタとを備え、
前記第7のMOSトランジスタの制御電極は、前記第1の読出用ワード線と接続し、
前記第9のMOSトランジスタの制御電極は、前記第2の読出用ワード線と接続し、
前記第8および第10のMOSトランジスタの制御電極は、前記第2の記憶端子と接続する、請求項4記載の半導体記憶装置。 - 前記半導体記憶装置は、前記第1〜第10のMOSトランジスタのいずれかとコンタクトホールを介して接続する第1層金属配線を含み、
前記書込用ビット線対は、前記第1層金属配線よりも上層の第2層金属配線で列方向に配線され、
前記第1〜第4の読出用ビット線は、前記第2層金属配線で列方向に配線される、請求項5記載の半導体記憶装置。 - 各列内に、前記列に対応する前記第1〜第4の読出用ビット線が列方向に配線され、
各列内に、前記列に対応する書込用ビット線対が列方向に配線される、請求項6記載の半導体記憶装置。 - 前記半導体記憶装置は、さらに、
前記第2層金属配線で列方向に配線される電源線および接地線を備え、
前記書込用ビット線対のいずれかと、前記第1〜第4の読出用ビット線のいずれかの間に、前記接地線が、または、前記接地線と前記電源線が配置される、請求項7記載の半導体記憶装置。 - 前記書込用ワード線が、前記第2層金属配線よりも上層の第3層金属配線で行方向に配線され、
前記第1および第2の読出用ワード線が、前記第3層金属配線で行方向に配線される、請求項6記載の半導体記憶装置。 - 各行内には、前記行に対応する前記書込用ワード線が行方向に配線され、
各組内の一方の行には、前記組に対応する前記第1の読出用ワード線が行方向に配線され、各組内の他方の行には、前記組に対応する前記第2の読出用ワード線が行方向に配線される、請求項9記載の半導体記憶装置。 - 行列上に配置された複数のメモリセルを有するメモリセルアレイと、
隣接する2つの行を1組とし、各組ごとに設けられる正相および逆相の読出用ワード線対と、
列ごとに設けられる、第1の読出用ビット線と第2の読出用ビット線とを備え、
前記読出用ワード線対の各々は、対応の組のメモリセルと接続し、
前記第1の読出用ビット線は、対応の列のメモリセルのうち、各組の一方の行のメモリセルと接続し、前記第2の読出用ビット線は、対応の列のメモリセルのうち、各組の他方の行のメモリセルと接続する、半導体記憶装置。 - 前記半導体記憶装置は、さらに、
読出アドレスのうち組を指定するアドレスに基づいて、前記読出用ワード線対の活性化を制御する読出用行デコーダと、
列ごとに設けられ、前記第1の読出用ビット線および前記第2の読出用ビット線が接続されるセレクタと、
読出アドレスのうち列を指定するアドレスに基づいて、すべての列のセレクタのうちいずれの出力信号を選択すべきかを制御する読出用列デコーダとを備え、
前記セレクタは、前記読出アドレスのうち、組内の行を指定するアドレスに基づいて、前記第1の読出用ビット線および前記第2の読出用ビット線のうち、いずれかのビット線の信号を選択して出力する、請求項11記載の半導体記憶装置。 - 前記半導体記憶装置は、さらに、
行ごとに設けられる書込用ワード線と、
列ごとに設けられる正相および逆相の書込用ビット線対とを備え、
前記書込用ワード線の各々は、対応の行のメモリセルと接続し、
前記書込用ビット線対の各々は、対応の列のメモリセルと接続する、請求項12記載の半導体記憶装置。 - 前記メモリセルは、
第1導電型の第1のMOSトランジスタと第2導電型の第2のMOSトランジスタからなる第1のCMOSインバータと、
第1導電型の第3のMOSトランジスタと第2導電型の第4のMOSトランジスタからなる第2のCMOSインバータと、
前記第1のCMOSインバータの入力端子である第1の記憶端子は、前記第2のCMOSインバータの出力端子と接続し、
前記第2のCMOSインバータの入力端子である第2の記憶端子は、前記第1のCMOSインバータの出力端子と接続し、
前記メモリセルは、さらに、
前記逆相の書込用ビット線と前記第2の記憶端子との間に接続され、かつその制御電極に前記書込用ワード線が接続される、第2導電型の第5のMOSトランジスタと、
前記正相の書込用ビット線と前記第1の記憶端子との間に接続され、かつその制御電極に前記書込用ワード線が接続される、第2導電型の第6のMOSトランジスタと、
第1導電型の第7のMOSトランジスタと第2導電型の第8のMOSトランジスタからなる第3のCMOSインバータと、
第1導電型の第9のMOSトランジスタと第2導電型の第10のMOSトランジスタからなるトランスファゲートとを備え、
前記第3のCMOSインバータの出力端子は、前記第2の記憶端子と接続し、
前記トランスファゲートは、前記第1または第2の読出用ビット線と、前記第3のCMOSインバータの入力との間に接続され、かつその制御電極の一方に正相の読出用ワード線が接続され、他方に逆相の読出用ワード線が接続される、請求項13記載の半導体記憶装置。 - 前記メモリセルは、
第1導電型の第1のMOSトランジスタと第2導電型の第2のMOSトランジスタからなる第1のCMOSインバータと、
第1導電型の第3のMOSトランジスタと第2導電型の第4のMOSトランジスタからなる第2のCMOSインバータと、
前記第1のCMOSインバータの入力端子である第1の記憶端子は、前記第2のCMOSインバータの出力端子と接続し、
前記第2のCMOSインバータの入力端子である第2の記憶端子は、前記第1のCMOSインバータの出力端子と接続し、
前記メモリセルは、さらに、
前記逆相の書込用ビット線と前記第2の記憶端子との間に接続され、かつその制御電極に前記書込用ワード線が接続される、第2導電型の第5のMOSトランジスタと、
前記正相の書込用ビット線と前記第1の記憶端子との間に接続され、かつその制御電極に前記書込用ワード線が接続される、第2導電型の第6のMOSトランジスタと、
電源ノードと接地ノードとの間に直列に接続された第1導電型の第7のMOSトランジスタ、第1導電型の第8のMOSトランジスタ、第2導電型の第9のMOSトランジスタ、第2導電型の第10のMOSトランジスタからなるトライステートインバータとを備え、
前記トライステートインバータの入力は、前記第1または第2の読出用ビット線と接続し、
前記トライステートインバータの出力は、前記第2の記憶端子と接続し、
前記第8のMOSトランジスタの制御電極は、前記逆相の読出用ワード線と接続し、
前記第9のMOSトランジスタの制御電極は、前記正相の読出用ワード線と接続する、請求項13記載の半導体記憶装置。 - 前記半導体記憶装置は、前記第1〜第10のMOSトランジスタのいずれかとコンタクトホールを介して接続する第1層金属配線を含み、
前記書込用ビット線対は、前記第1層金属配線よりも上層の第2層金属配線で列方向に配線され、
前記第1および第2の読出用ビット線は、前記第2層金属配線で列方向に配線される、請求項14または15記載の半導体記憶装置。 - 各列内に、前記列に対応する前記第1および第2の読出用ビット線が列方向に配線され、
各列内に、前記列に対応する前記書込用ビット線対が行方向に配線される、請求項16記載の半導体記憶装置。 - 前記半導体記憶装置は、さらに、
前記第2層金属配線で列方向に配線される電源線および接地線を備え、
前記書込用ビット線対のいずれかと、前記第1または前記第2の読出用ビット線のいずれかの間に、前記電源線および前記接地線が配置される、請求項17記載の半導体記憶装置。 - 前記半導体記憶装置は、さらに、
前記第2層金属配線で列方向に配線される電源線を備え、
前記第1の読出用ビット線と前記第2の読出用ビット線の間に、前記電源線が配置される、請求項17記載の半導体記憶装置。 - 前記書込用ワード線が、前記第2層金属配線よりも上層の第3層金属配線で行方向に配線され、
前記読出用ワード線対が、前記第3層金属配線で行方向に配線される、請求項16記載の半導体記憶装置。 - 各行内には、前記行に対応する前記書込用ワード線が行方向に配線され、
各組内の一方の行には、前記組に対応する前記正相の読出用ワード線が行方向に配線され、各組内の他方の行には、前記組に対応する前記逆相の読出用ワード線が行方向に配線される、請求項20記載の半導体記憶装置。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010086643A (ja) * | 2008-10-03 | 2010-04-15 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP2011134839A (ja) * | 2009-12-24 | 2011-07-07 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
WO2011145245A1 (ja) * | 2010-05-21 | 2011-11-24 | パナソニック株式会社 | 半導体記憶装置 |
US9515076B2 (en) | 2013-08-06 | 2016-12-06 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor integrated circuit device |
JP2018508991A (ja) * | 2015-02-12 | 2018-03-29 | クアルコム,インコーポレイテッド | 3ポートのビットセルのための金属層 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009238332A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Renesas Technology Corp | 半導体記憶装置 |
US8976573B2 (en) * | 2012-04-13 | 2015-03-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus for SRAM cells |
US8929153B1 (en) * | 2013-08-23 | 2015-01-06 | Qualcomm Incorporated | Memory with multiple word line design |
US9001611B1 (en) * | 2013-11-01 | 2015-04-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Three-dimensional two port register file |
US9449667B2 (en) * | 2014-03-31 | 2016-09-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Memory circuit having shared word line |
US9368443B1 (en) * | 2015-01-20 | 2016-06-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Memory metal scheme |
US9607685B2 (en) * | 2015-07-30 | 2017-03-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Memory array with strap cells |
US9659635B1 (en) * | 2016-01-29 | 2017-05-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Memory array with bit-lines connected to different sub-arrays through jumper structures |
US10128253B2 (en) | 2016-01-29 | 2018-11-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Two-port SRAM structure |
CN112216323A (zh) * | 2017-09-04 | 2021-01-12 | 华为技术有限公司 | 一种存储单元和静态随机存储器 |
US11170292B2 (en) * | 2017-09-21 | 2021-11-09 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Static random-access memory for deep neural networks |
US10867641B2 (en) * | 2018-09-14 | 2020-12-15 | Toshiba Memory Corporation | Data latch circuit and semiconductor memory device |
TWI820090B (zh) * | 2018-09-14 | 2023-11-01 | 日商鎧俠股份有限公司 | 半導體記憶裝置 |
US20220415378A1 (en) * | 2021-06-25 | 2022-12-29 | Advanced Micro Devices, Inc. | Split read port latch array bit cell |
US20220415377A1 (en) * | 2021-06-25 | 2022-12-29 | Advanced Micro Devices, Inc. | Dual read port latch array bitcell |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63308783A (ja) * | 1987-06-11 | 1988-12-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 記憶装置 |
JPH03105788A (ja) * | 1989-09-19 | 1991-05-02 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
JPH03137893A (ja) * | 1989-10-23 | 1991-06-12 | Nec Corp | レジスタ回路 |
JPH04163790A (ja) * | 1990-10-29 | 1992-06-09 | Nec Corp | 半導体スタチックメモリ |
JPH04205787A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-27 | Seiko Epson Corp | マルチポートメモリ |
JPH05282869A (ja) * | 1992-03-31 | 1993-10-29 | Nec Corp | 半導体記憶装置 |
JPH06162774A (ja) * | 1992-11-24 | 1994-06-10 | Mitsubishi Electric Corp | マルチポートram |
JP2001312888A (ja) * | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Texas Instr Japan Ltd | 半導体記憶装置 |
JP2007059026A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
JP2007213699A (ja) * | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3824343B2 (ja) | 1996-03-29 | 2006-09-20 | 富士通株式会社 | 半導体装置 |
JP3523762B2 (ja) | 1996-12-19 | 2004-04-26 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
JP4885365B2 (ja) | 2000-05-16 | 2012-02-29 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
KR100380347B1 (ko) * | 2000-11-21 | 2003-04-11 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치 및 이 장치의 데이터 리드 방법 |
TW522546B (en) | 2000-12-06 | 2003-03-01 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor memory |
JP4236903B2 (ja) * | 2002-10-29 | 2009-03-11 | Necエレクトロニクス株式会社 | 半導体記憶装置及びその制御方法 |
JP4914034B2 (ja) * | 2005-06-28 | 2012-04-11 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体集積回路 |
JP4911508B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2012-04-04 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置及びその動作方法 |
US7646648B2 (en) * | 2007-12-03 | 2010-01-12 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for implementing memory array device with built in computational capability |
JP2009238332A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Renesas Technology Corp | 半導体記憶装置 |
-
2008
- 2008-03-27 JP JP2008084442A patent/JP2009238332A/ja active Pending
-
2009
- 2009-03-13 US US12/403,715 patent/US7969811B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-05-19 US US13/111,422 patent/US8305836B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63308783A (ja) * | 1987-06-11 | 1988-12-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 記憶装置 |
JPH03105788A (ja) * | 1989-09-19 | 1991-05-02 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
JPH03137893A (ja) * | 1989-10-23 | 1991-06-12 | Nec Corp | レジスタ回路 |
JPH04163790A (ja) * | 1990-10-29 | 1992-06-09 | Nec Corp | 半導体スタチックメモリ |
JPH04205787A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-27 | Seiko Epson Corp | マルチポートメモリ |
JPH05282869A (ja) * | 1992-03-31 | 1993-10-29 | Nec Corp | 半導体記憶装置 |
JPH06162774A (ja) * | 1992-11-24 | 1994-06-10 | Mitsubishi Electric Corp | マルチポートram |
JP2001312888A (ja) * | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Texas Instr Japan Ltd | 半導体記憶装置 |
JP2007059026A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
JP2007213699A (ja) * | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010086643A (ja) * | 2008-10-03 | 2010-04-15 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP2011134839A (ja) * | 2009-12-24 | 2011-07-07 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
WO2011145245A1 (ja) * | 2010-05-21 | 2011-11-24 | パナソニック株式会社 | 半導体記憶装置 |
US8665637B2 (en) | 2010-05-21 | 2014-03-04 | Panasonic Corporation | Semiconductor memory |
US9515076B2 (en) | 2013-08-06 | 2016-12-06 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor integrated circuit device |
JPWO2015019411A1 (ja) * | 2013-08-06 | 2017-03-02 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路装置 |
US9711512B2 (en) | 2013-08-06 | 2017-07-18 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor integrated circuit device |
US9972629B2 (en) | 2013-08-06 | 2018-05-15 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor integrated circuit device |
JP2018508991A (ja) * | 2015-02-12 | 2018-03-29 | クアルコム,インコーポレイテッド | 3ポートのビットセルのための金属層 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
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