JP2009231275A - 成膜方法及び発光装置の作製方法 - Google Patents

Abstract

【課題】材料と被成膜基板との間にマスクを設けることなく、被成膜基板に微細なパターンの薄膜を形成する成膜方法を提供することを課題の一とする。また、このような成膜方法を用いて発光素子を形成し、高精細な発光装置を作製することを課題の一とする。
【解決手段】反射層、光吸収層及び材料層が形成された成膜用基板を透過して、光吸収層にレーザ光を照射することによって材料層に含まれる材料を、対向して配置された被成膜基板へ成膜する。反射層を選択的に形成することによって、被成膜基板に成膜される膜は、反射層のパターンを反映した微細なパターンで選択的に成膜することができる。材料層の形成は、湿式法を用いて行う。
【選択図】図１

Description

本発明は、成膜方法及び発光装置の作製方法に関する。

エレクトロルミネセンス（以下、ＥＬとも記す）素子を備える発光装置には、フルカラー表示を行うため、カラー発光するカラー発光素子を用いる。カラー発光素子を形成するには、各色の発光材料を微細なパターンに電極上に形成する必要がある。

蒸着法などを用いて材料を形成する際、蒸着材料と被成膜基板との間にマスクを設けて微細パターンに形成する方法が一般的に用いられている。

しかし高精細化に伴う画素領域の微細化、大面積化に伴う被成膜基板の大型化によって、蒸着時に用いるマスクの精度とたわみなどによる不良が問題となっている。この問題に対し、画素電極層上にマスクを支持するスペーサを設けることによって、マスクのよじれやたわみなどによる成膜不良を防止する研究が報告されている（例えば、特許文献１参照。）。

特開２００６−１１３５６８号公報

本発明では、上記問題を有する蒸着材料と被成膜基板との間にマスクを設けることなく、被成膜基板に微細なパターンの薄膜を形成する成膜方法を提供することを課題の一とする。また、このような成膜方法を用いて発光素子を形成し、高精細な発光装置を作製することを課題の一とする。

本発明は、基板上に反射層、光吸収層及び材料層が形成された成膜用基板にレーザ光を照射し、基板を透過させて、光吸収層にレーザ光を照射することによって材料層に含まれる材料を、対向して配置された被成膜基板へ成膜する。反射層を選択的に形成することによって、被成膜基板に成膜される膜は、反射層のパターンを反映した微細なパターンで選択的に成膜することができる。材料層の形成は、湿式法を用いて行う。

なお、本明細書において、微細なパターンで薄膜が形成される基板を被成膜基板と記し、被成膜基板に形成するための材料を提供する基板を成膜用基板と記す。

本発明の成膜方法の一形態は、第１の基板上に開口部を有する反射層を形成し、反射層上に光吸収層を形成し、光吸収層上に膜材料を含む液状の組成物を用いる湿式法によって材料層を形成して成膜用基板を作製し、成膜用基板の材料層形成面と、被成膜基板の被成膜面とが向き合うように、成膜用基板と被成膜基板とを配置し、第１の基板及び反射層の開口部を通過させてレーザ光を光吸収層に照射し、レーザ光を照射された光吸収層上の材料層に含まれる材料を被成膜基板に成膜する。

本発明の成膜方法の一形態は、第１の基板上に開口部を有する反射層を形成し、反射層上に光吸収層を形成し、光吸収層上に膜材料を含む液状の組成物を用いる湿式法によって材料層を形成して成膜用基板を作製し、成膜用基板の材料層形成面と、被成膜基板の被成膜面とが向き合うように、成膜用基板上方に被成膜基板を配置し、第１の基板及び反射層の開口部を通過させてレーザ光を光吸収層に照射し、レーザ光を照射された光吸収層上の材料層に含まれる材料を被成膜基板に成膜する。

本発明の成膜方法の一形態は、第１の基板上に開口部を有する反射層を形成し、反射層上に透光性の断熱層を形成し、断熱層上に光吸収層を形成し、光吸収層上に膜材料を含む液状の組成物を用いる湿式法によって材料層を形成して成膜用基板を作製し、成膜用基板の材料層形成面と、被成膜基板の被成膜面とが向き合うように、成膜用基板と被成膜基板とを配置し、第１の基板、反射層の開口部、及び断熱層を通過させてレーザ光を光吸収層に照射し、レーザ光を照射された光吸収層上の材料層に含まれる材料を被成膜基板に成膜する。

本発明では、蒸着材料と被成膜基板との間にマスクを設けることなく、被成膜基板に微細なパターンの薄膜を形成することができる。

本発明の成膜方法の一形態は、第１の基板上に開口部を有する反射層を形成し、反射層上に透光性の断熱層を形成し、断熱層上に光吸収層を形成し、光吸収層上に膜材料を含む液状の組成物を用いる湿式法によって材料層を形成して成膜用基板を作製し、成膜用基板の材料層形成面と、被成膜基板の被成膜面とが向き合うように、成膜用基板上方に被成膜基板を配置し、第１の基板、反射層の開口部、及び断熱層を通過させてレーザ光を光吸収層に照射し、レーザ光を照射された光吸収層上の材料層に含まれる材料を被成膜基板に成膜する。

本発明では、上記構成のように、湿式法により成膜用基板に材料層を形成し、成膜用基板下側より光を照射して、上方に配置された被成膜基板に材料層に含まれる材料を成膜することができる。よって、成膜用基板は、成膜工程時はずっと、材料層側を上方にして（所謂フェイスアップ配置ともいう）配置することができる。成膜用基板を工程中に材料層側を下方にして（所謂フェイスダウン配置ともいう）配置しなくてよいため、工程中に材料層がゴミ等によって汚染されるのを軽減することができる。この場合下方とは、自由落下する方向である。

成膜用基板に湿式法によって形成された材料層に加熱処理を行ってもよい。加熱処理によって材料層に含まれる溶媒の除去や平坦化を行うことができるため、材料層の膜質が向上する。

光吸収層にレーザ光を照射する工程は減圧下で行うことが好ましい。減圧下でレーザを照射し、被成膜基板に材料を成膜する工程を行うと、成膜される膜へのゴミ等の汚染物の影響を軽減することができる。

湿式法はスピンコート法、インクジェット法などに代表される塗布法を用いることができる。湿式法は、大気圧下で行うことができるため、真空装置などにかかる設備を軽減することができる。さらに真空チャンバーの大きさに処理基板は制限されないために、基板の大型化にも対応でき、処理領域が拡大するので、低コストのうえ、生産性が向上する。

レーザ光として周波数１０ＭＨｚ以上、パルス幅１００ｆｓ以上１０ｎｓ以下のレーザ光を用いることができる。このように、パルス幅が非常に小さいレーザ光を用いることにより、光吸収層における熱変換が効率よく行われ、材料を効率よく加熱することができる。また周波数１０ＭＨｚ以上、パルス幅１００ｆｓ以上１０ｎｓ以下のレーザ光は、短時間のレーザ光の照射が可能であるため、熱の拡散を抑制することができ、微細なパターンの成膜が可能となる。また、周波数１０ＭＨｚ以上、パルス幅１００ｆｓ以上１０ｎｓ以下のレーザ光は、高出力が可能であるため、大面積を一度に処理することができる。また、レーザ光を照射面で線状または矩形状とすることにより、処理基板にレーザ光を効率よく走査することができる。よって、成膜に要する時間（タクトタイム）が短くなり、生産性が向上する。

断熱層を、レーザ光に対する透過率は６０％以上とし、かつ熱伝導率が反射層及び光吸収層に用いる材料の熱伝導率よりも小さい材料を用いて形成することが好ましい。熱伝導率が低いと、照射されたレーザ光から得られる熱を効率よく成膜に用いることができる。

材料層を、有機化合物を含む液状の組成物を用いて形成し、被成膜基板の被成膜面上に形成されている第１の電極上に成膜して発光素子を形成することができる。微細なパターンで被成膜基板にＥＬ層を形成することができ、発光色ごとに塗りわけて成膜することができる。このような発光素子を有する高精細な発光装置を作製することができる。

本発明を用いると大面積の被成膜基板に薄膜を形成することができるため、大型の発光装置及び電子機器を作製することができる。

蒸着材料と被成膜基板との間にマスクを設けることなく、被成膜基板に微細なパターンの薄膜を形成することができる。さらに、このような成膜方法を用いて発光素子を形成し、高精細な発光装置を作製することができる。また、大面積の被成膜基板に薄膜を形成することができるため、大型の発光装置及び電子機器を作製することができる。

成膜方法を示した断面図である。 成膜方法を示した断面図である。 成膜用基板の一例の断面図である。 成膜用基板の一例の断面図である。 発光装置を示した平面図及び断面図である。 発光装置を示した平面図及び断面図である。 発光装置の作製工程を示した断面図である。 発光装置を示した平面図及び断面図である。 発光装置の作製工程を示した断面図である。 発光装置の作製工程を示した平面図である。 発光装置の作製工程を示した平面図である。 発光素子の構成を示した断面図である。 発光表示モジュールを示した断面図である。 発光表示モジュールを示した平面図及び断面図である。 電子機器を示した図である。 電子機器を示した図である。 電子機器を示した図である。

以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明を用いて被成膜基板に微細なパターンで薄膜を形成することを目的とした成膜方法の一例について図１乃至図４を用いて説明する。

図１（Ａ）に成膜用基板の一例を示す。第１の基板１０１上に選択的に反射層１０２が形成され、反射層１０２上に断熱層１０３、断熱層１０３上に光吸収層１０４が形成されている。反射層１０２は開口部１０６を有して形成されており、図１（Ａ）では断熱層１０３及び光吸収層１０４は第１の基板１０１全面に形成されている。

本発明では、成膜用基板に形成される光吸収層１０４に第１の基板１０１側より光を照射して成膜する。従って、用いる光に対して、第１の基板１０１は透光性を、反射層１０２は反射性を、断熱層１０３は透光性を、光吸収層１０４は吸収性をそれぞれ有する必要がある。よって、照射される光の波長により、第１の基板１０１、反射層１０２、断熱層１０３、光吸収層１０４に好適な材料の種類が変化するため、適宜材料を選択する必要がある。

また、第１の基板１０１は熱伝導率が低い材料であることが好ましい。熱伝導率が低いと、照射された光から得られる熱を効率よく成膜に用いることができる。第１の基板１０１としては、例えば、ガラス基板、石英基板、無機材料を含むプラスチック基板などを用いることができる。ガラス基板としては、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスのような無アルカリガラスと呼ばれる電子工業用に使われる各種ガラス基板を適用することができる。

反射層１０２は、成膜の際、光吸収層１０４の一部分に選択的に光を照射するために、それ以外の部分に照射される光を反射するための層である。よって、反射層１０２は、照射する光に対して高い反射率を有する材料で形成されていることが好ましい。具体的には、反射層１０２は、照射される光に対して、反射率が８５％以上、さらに好ましくは、反射率が９０％以上であることが好ましい。

反射層１０２に用いることができる材料としては、例えば、銀、金、白金、銅、アルミニウムを含む合金、銀を含む合金、または酸化インジウム−酸化スズなどを用いることができる。

反射層１０２の膜厚は、材料や照射する光により異なるが、１００ｎｍ以上とすることが好ましい。１００ｎｍ以上の膜厚とすることにより、照射した光が反射層を透過することを抑制することができる。

また、反射層１０２に開口部１０６を形成する際には種々の方法を用いることができるが、ドライエッチングを用いることが好ましい。ドライエッチングを用いることにより、開口部１０６の側壁が鋭くなり、微細なパターンを形成することができる。

断熱層１０３は、成膜の際に照射された光のうち、反射層１０２によって反射された光の一部が熱となって反射層に残った場合に、その熱が後に形成される光吸収層１０４および材料層１０５に伝わるのを防ぐための層である。従って、断熱層１０３は、熱伝導率が反射層１０２および光吸収層１０４を形成する材料よりも低い材料を用いる必要がある。また、図１に示すように、反射層１０２の開口部１０６を透過した光を、断熱層１０３を透過させて光吸収層に照射する構成の場合には、断熱層１０３は透光性を有する必要がある。この場合、本発明における断熱層１０３は、熱伝導率の低い材料であると共に光透過率の高い材料を用いる必要がある。具体的には、断熱層１０３には、光に対する透過率が６０％以上となる材料を用いることが好ましい。

断熱層１０３に用いる材料としては、例えば、酸化チタン、酸化珪素、窒化酸化珪素、酸化ジルコニウム、炭化珪素等を用いることができる。

断熱層１０３の膜厚は、材料により異なるが、１０ｎｍ以上２μｍ以下とすることが好ましく、より好ましくは、１００ｎｍ以上６００ｎｍ以下とする。１０ｎｍ以上２μｍ以下の膜厚とすることにより、反射層１０２の開口部１０６を透過して照射される光を透過させつつ、反射層１０２に存在する熱が光吸収層１０４や材料層１０５に伝わるのを遮断する効果を有する。なお、断熱層１０３は、図１では、反射層１０２および反射層１０２の開口部１０６を覆って形成されているが、反射層１０２と重なる位置のみに断熱層が形成された構造としてもよい。

光吸収層１０４は、成膜の際に照射された光を吸収する層である。よって、光吸収層１０４は、照射する光に対して低い反射率を有し、高い吸収率を有する材料で形成されていることが好ましい。具体的には、光吸収層１０４は、照射される光に対して、７０％以下の反射率を示すことが好ましい。

光吸収層１０４には、種々の材料を用いることができる。例えば、窒化チタン、窒化タンタル、窒化モリブデン、窒化タングステンなどの金属窒化物、チタン、モリブデン、タングステンなどの金属、カーボンなどを用いることができる。なお、照射される光の波長に応じて、光吸収層１０４に好適な材料の種類が変化することから、適宜材料を選択する必要がある。また、光吸収層１０４は一層に限らず複数の層により構成されていてもよい。例えば、金属と金属窒化物の積層構造としてもよい。

反射層１０２、断熱層１０３、及び光吸収層１０４は、種々の方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法、化学気相成長（ＣＶＤ；Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などにより形成することができる。

光吸収層１０４の膜厚は、材料や照射する光によって異なるが、照射した光が透過しない膜厚であることが好ましい。具体的には、１０ｎｍ以上２μｍ以下の膜厚であることが好ましい。また、光吸収層の膜厚が薄い方がより小さいエネルギーのレーザ光で成膜することができるため、１０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の膜厚であることがより好ましい。例えば、波長５３２ｎｍの光を照射した場合、光吸収層１０４の膜厚を５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の膜厚とすることにより、照射した光を効率良く吸収して発熱させることができる。また、光吸収層１０４の膜厚を５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下とすることで、被成膜基板上への成膜を精度良く行うことができる。

光吸収層１０４は、材料層１０５に含まれる材料の成膜可能温度（材料層に含まれる材料の少なくとも一部が被成膜基板へ成膜される温度）まで加熱できるのであれば、照射する光の一部が透過してもよい。ただし、一部が透過する場合には、材料層１０５に含まれる材料として、光によって分解しない材料を用いることが必要である。

さらに、反射層１０２と光吸収層１０４の反射率は差が大きいほど好ましい。具体的には、照射する光の波長に対して、反射率の差が２５％以上、より好ましくは３０％以上であることが好ましい。

光吸収層１０４上に被成膜基板上に成膜される材料を含む材料層１０５を形成する（図１（Ｂ）参照。）。本発明では、材料層１０５を、湿式法を用いて形成する。湿式法は、薄膜の形成材料を溶媒に溶解し、その液状の組成物を被形成領域に付着させ、溶媒を除去し固化させることによって薄膜として形成する方法である。本実施の形態では、材料を含む液滴の組成物１５１を光吸収層１０４上に塗布し、固化させて材料層１０５を形成する。

また、組成物を塗布する工程は、減圧下で行ってもよい。塗布時に基板を加熱しておいてもよい。材料層１０５の固化は、液状の組成物の塗布後、乾燥と焼成の一方又は両方の工程により行えばよい。乾燥と焼成の工程は、両工程とも加熱処理の工程であるが、その目的、温度と時間が異なるものである。乾燥の工程、焼成の工程は、常圧下又は減圧下で、レーザ光の照射や瞬間熱アニール、加熱炉などにより行う。なお、この加熱処理を行うタイミング、加熱処理の回数は特に限定されない。乾燥と焼成の工程を良好に行うための温度及び時間などの条件は、基板の材質及び組成物の性質に依存する。

材料層１０５は、被成膜基板上に成膜する材料を含んで形成される層である。そして、成膜用基板に光を照射することにより、材料層１０５に含まれる材料が加熱され、材料層１０５に含まれる材料の少なくとも一部が被成膜基板上に成膜される。材料層１０５が加熱されると、材料層に含まれる材料の少なくとも一部が気化すること、もしくは、材料層の少なくとも一部に熱変形が生じ、その結果応力が変化するために膜が剥がれ、被成膜基板上に成膜される。

湿式法としては、スピンコート法、ロールコート法、スプレー法、キャスト法、ディップ法、液滴吐出（噴出）法（インクジェット法）、ディスペンサ法、各種印刷法（スクリーン（孔版）印刷、オフセット（平版）印刷、凸版印刷やグラビア（凹版）印刷など所望なパターンで形成される方法）などを用いることができる。

湿式法は、蒸着法やスパッタリング法などの乾式法に比べ、材料がチャンバー内に飛散しないため、材料の利用効率が高い。また、大気圧下で行うことができるため、真空装置などにかかる設備を軽減することができる。さらに真空チャンバーの大きさに処理基板は制限されないために、基板の大型化にも対応でき、処理領域が拡大するので、低コストのうえ、生産性が向上する。組成物中の溶媒を除去する程度の温度の加熱処理が必要なだけであるので、いわゆる低温プロセスである。従って、高い加熱処理では分解や変質が生じてしまう基板、材料も用いることができる。

材料層１０５に含まれる材料としては、湿式法により成膜することが可能な材料であれば、有機化合物、無機化合物にかかわらず、種々の材料を用いることができる。発光素子のＥＬ層を形成する場合には、ＥＬ層を形成する成膜可能な材料を用いる。例えば、ＥＬ層を形成する発光性材料、キャリア輸送性材料などの有機化合物の他、ＥＬ層を構成するキャリア輸送層やキャリア注入層の材料の他、発光素子の電極などに用いられる金属酸化物、金属窒化物、ハロゲン化金属、金属単体といった無機化合物を用いることもできる。

また、材料層１０５は、複数の材料を含んでいてもよい。また、材料層１０５は、単層でもよいし、複数の層が積層されていてもよい。

本発明のように湿式法を用いて材料層１０５を形成する場合には、所望の材料を溶媒に溶解あるいは分散させ、液状の組成物（溶液あるいは分散液）を調整すればよい。溶媒は、材料を溶解あるいは分散させることができ、且つ材料と反応しないものであれば特に限定されない。例えば、クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、或いはクロロベンゼンなどのハロゲン系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ｎ−プロピルメチルケトン、或いはシクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、ベンゼン、トルエン、或いはキシレンなどの芳香族系溶媒、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、プロピオン酸エチル、γ−ブチロラクトン、或いは炭酸ジエチルなどのエステル系溶媒、テトラヒドロフラン、或いはジオキサンなどのエーテル系溶媒、ジメチルホルムアミド、或いはジメチルアセトアミドなどのアミド系溶媒、ジメチルスルホキシド、ヘキサン、又は水等を用いることができる。また、これらの溶媒複数種を混合して用いてもよい。

材料層１０５によって被成膜基板上に形成される膜の膜厚および均一性を制御する場合には、材料層１０５の膜厚および均一性は制御される必要がある。しかし、被成膜基板上に形成される膜の膜厚および均一性に影響しないのであれば、材料層１０５は必ずしも均一の層である必要はない。例えば、微細な島状に形成されていてもよいし、凹凸を有する層状に形成されていてもよい。

次に、第１の基板１０１の一方の面であって、反射層１０２、断熱層１０３、光吸収層１０４、および材料層１０５が形成された面に対向する位置に、被成膜基板である第２の基板１０７を配置する（図１（Ｃ）参照。）。第２の基板１０７は、成膜処理により所望の層が成膜される被成膜基板である。第１の基板１０１と第２の基板１０７とを至近距離、具体的には第１の基板１０１表面と、第２の基板１０７表面との距離ｄを、０ｍｍ以上２ｍｍ以下、好ましくは０ｍｍ以上０．０５ｍｍ以下、さらに好ましくは０ｍｍ以上０．０３ｍｍ以下となるように近づけて対向させる。第１の基板１０１及び第２の基板１０７が特に大型基板であると、基板のたわみやそりなどによって基板間で距離ｄに誤差が生じ、距離ｄの値に分布を有する場合がある。この場合、距離ｄは第１の基板１０１及び第２の基板１０７間の最短距離とする。基板の大きさや配置方法によっては、第１の基板１０１及び第２の基板１０７は一部接触する場合もある。

第１の基板１０１の裏面（反射層１０２、断熱層１０３、光吸収層１０４、および材料層１０５が形成されていない面）側から光１１０を照射する（図１（Ｄ）参照。）。このとき、第１の基板１０１上に形成された反射層１０２に照射された光１１０は反射されるが、反射層１０２の開口部１０６に照射された光１１０は、断熱層１０３を透過し、光吸収層１０４に吸収される。そして、光吸収層１０４は、吸収した光から得た熱を材料層１０５に含まれる材料に与えることにより、材料層１０５に含まれる材料の少なくとも一部を、第２の基板１０７上に膜１１１として成膜する。これにより、第２の基板１０７上に所望のパターンに成形された膜１１１が形成される（図１（Ｅ）参照。）。

照射する光１１０としては、レーザ光を用いることができる。また、レーザ光の波長は特に限定されず、様々な波長のレーザ光を用いることができる。例えば、３５５、５１５、５３２、１０３０、１０６４ｎｍなどの波長のレーザ光を用いることができる。

また、レーザ光には、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、エキシマレーザなどの気体レーザ、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ_４、フォルステライト（Ｍｇ_２ＳｉＯ_４）、ＹＡｌＯ_３、ＧｄＶＯ_４、若しくは多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ_２Ｏ_３、ＹＶＯ_４、ＹＡｌＯ_３、ＧｄＶＯ_４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザのうち一種または複数種から発振されるものを用いることができる。また、上記固体レーザから発振される第２高調波や第３高調波、さらに高次の高調波を用いることもできる。なお、レーザ媒体が固体である固体レーザを用いると、メンテナンスフリーの状態を長く保てるという利点や、出力が比較的に安定している利点を有している。

また、レーザスポットの形状は、線状または矩形状とすることが好ましい。線状または矩形状とすることにより、処理基板にレーザ光を効率よく走査することができる。よって、成膜に要する時間（タクトタイム）が短くなり、生産性が向上する。また、レーザスポットの形状は楕円形状でもよい。

また、本発明では、照射された光源からの光による輻射熱を利用するのではなく、光源からの光を吸収した光吸収層１０４が材料層１０５に熱を与えることが特徴である。従って、光が照射された部分の光吸収層１０４から光が照射されていない部分の光吸収層１０４へ、面方向に熱が伝わることにより、加熱される材料層１０５の範囲が広がることのないように、光の照射時間は、短くすることが好ましい。

また、光照射による成膜は、減圧雰囲気下で行うことが好ましい。従って、成膜室内を５×１０^−３Ｐａ以下、好ましくは１０^−６Ｐａ以上１０^−４Ｐａ以下の雰囲気とすることが好ましい。

さらに、照射する光１１０としては、周波数１０ＭＨｚ以上、かつ、パルス幅１００ｆｓ以上１０ｎｓ以下のレーザ光が好ましい。このように、パルス幅が非常に小さいレーザ光を用いることにより、光吸収層１０４における熱変換が効率よく行われ、材料を効率よく加熱することができる。

周波数１０ＭＨｚ以上、パルス幅１００ｆｓ以上１０ｎｓ以下のレーザ光は、短時間のレーザ光の照射が可能であるため、熱の拡散を抑制することができ、微細なパターンの成膜が可能となる。また、周波数１０ＭＨｚ以上、パルス幅１００ｆｓ以上１０ｎｓ以下のレーザ光は、高出力が可能であるため、大面積を一度に処理することができ、成膜に要する時間を短縮することができる。よって、生産性を向上させることができる。

第１の基板１０１表面と第２の基板１０７表面との最短距離で定義される距離ｄを短くすると第１の基板１０１の最表面の層と第２の基板１０７の最表面とが接する場合がある。図２に距離ｄを短くする例を示す。

図２（Ａ）に示すように、第１の基板１０１と第２の基板１０７とは、第１の基板１０１上の最表面である材料層１０５と第２の基板１０７とが一部接するほど短い距離ｄで配置されている。このように、第１の基板１０１及び第２の基板１０７の最表面の層が凹凸を有する場合、最表面の層同士は接する領域と接しない領域とが存在する場合がある。

図２（Ｂ）においても図１同様に第１の基板１０１側より光吸収層１０４に光１１０を照射し、吸収した光から得た熱を材料層１０５に含まれる材料に与えることにより、材料層１０５に含まれる材料の少なくとも一部を、第２の基板１０７上に膜１１１として成膜する。第２の基板１０７上に選択的に設けられた反射層１０２の形状に反映したパターンに成形された膜１１１が形成される（図２（Ｃ）参照。）。このように距離ｄを小さくすると、図２（Ｂ）に示すように光を照射した際に、第２の基板１０７上に成膜される膜１１１の形状を精度良く形成することができる。

また、反射層１０２の開口部を透過した光がまわりこむ可能性がある場合には、照射する光がまわりこむことを考慮して、反射層１０２の開口部を小さくした構造としてもよい。

本発明では、湿式法により成膜用基板に材料層を形成し、成膜用基板下側より光を照射して、上方に配置された被成膜基板に材料層に含まれる材料を成膜する。よって、成膜用基板は、成膜工程時はずっと、材料層側を上方にして（所謂フェイスアップ配置ともいう）配置することができる。成膜用基板を工程中に材料層側を下方にして（所謂フェイスダウン配置ともいう）配置しなくてよいため、工程中に材料層がゴミ等によって汚染されるのを軽減することができる。

フルカラーディスプレイを作製する場合には、発光層を作り分ける必要があるため、本発明の成膜方法を用いて発光層を形成すれば、容易に所望のパターンで発光層を作り分けることができる。また、精度良く発光層を作り分けることができる。

本発明を適用することにより、第１の基板上に形成された材料層の膜厚を制御することによって、被成膜基板である第２の基板上に成膜される膜の膜厚を制御することができる。つまり、第１の基板上に形成された材料層に含まれる材料を全て成膜することにより第２の基板上に形成される膜が所望の膜厚となるように予め材料層の膜厚が制御されているため、第２の基板上に成膜する際の膜厚モニターは不要となる。よって、膜厚モニターを利用した成膜速度の調節を使用者が行う必要がなく、成膜工程を全自動化することが可能である。そのため、生産性の向上を図ることができる。

また、本発明を適用することにより、第１の基板上に形成された材料層１０５に含まれる材料を均一に成膜することができる。また、材料層１０５が複数の材料を含む場合でも、材料層１０５と同じ材料をほぼ同じ重量比で含有する膜を被成膜基板である第２の基板上に成膜することができる。従って、本発明に係る成膜方法は、成膜温度の異なる複数の材料を用いて成膜する場合でも、共蒸着のようにそれぞれ蒸着レートを制御する必要がない。そのため、蒸着レート等の複雑な制御を行うことなく、所望の異なる材料を含む層を容易に精度良く成膜することができる。

また、本発明の成膜方法では、所望の材料を無駄にすることなく、被成膜基板に成膜することが可能である。よって、材料の利用効率が向上し、製造コストの低減を図ることができる。また、成膜室内壁に材料が付着することも防止でき、成膜装置のメンテナンスを容易にすることができる。

また、本発明を適用することにより、平坦でムラのない膜を成膜することが可能となる。また、所望の領域のみに成膜することが可能であるため、微細パターンの形成が可能となり、高精細な発光装置を作製することができる。

また、本発明を適用することにより、レーザ光を用いた成膜の際に選択的に所望の領域に成膜することができるので、材料の利用効率を高めることができ、精度良く、所望の形状に成膜することが容易であるため生産性向上を図ることができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明に用いることのできる成膜用基板の他の例を図３及び図４を用いて説明する。

図３（Ａ）は、光吸収層１０４と材料層１０５の間に、第２の断熱層となる断熱層１１２を設ける構造である。断熱層１１２は反射層１０２と重なる領域に選択的に形成されている。成膜のために光が照射された際に、開口部１０６と重なる位置に形成されている光吸収層１０４における熱が、反射層１０２と重なる位置に形成されている光吸収層１０４に伝わる（光吸収層１０４の面方向に熱が伝わる）ことが起こったとしても、断熱層１１２が設けられているため、その熱が材料層１０５に伝わることを防ぐことができる。よって、反射層１０２と重なる領域に形成されている材料層１０５が加熱されることで生じる、成膜パターンのぼけを防ぐことができる。また、断熱層１１２を設けることにより、熱源となる光吸収層１０４と被成膜基板との間に距離を設けることができるため、光吸収層１０４からの熱により、第２の基板１０７が加熱され、成膜不良が生じるのを防ぐことができる。さらに、材料層１０５から被成膜基板上へ成膜する材料の成膜方向を制御することができるため、被成膜面の成膜パターンのぼけを防ぐことができる。なお、第２の断熱層である断熱層１１２に用いる材料および成膜方法は、断熱層１０３に用いる材料および成膜方法と同様とすることができるが、材料の透過率に関しては、断熱層１０３の場合と異なり特に限定されない。

また、第２の断熱層である断熱層１１２の膜厚は、断熱層１０３に比べ大きくすることが好ましい。具体的には、断熱層１１２の膜厚は１μｍ〜１０μｍとするのが好ましい。断熱層１１２を厚くすることにより、上述した第２の断熱層を設ける効果がより顕著になる。図３（Ｂ）に示すように、断熱層１１２を厚くすることにより、断熱層１１２上に形成される材料層１０５が不連続になるため、材料層１０５の面方向に熱が伝わることを防ぐことができ、よりいっそう成膜パターンのぼけを防ぐことができる。

なお、図１では、光吸収層１０４が第１の基板１０１の全面に形成される場合について示したが、図３（Ｃ）に示すように、光吸収層１０４が選択的に形成されていてもよい。この様に光吸収層１０４を島状にパターン形成することにより、成膜のために光が照射された際に、光吸収層１０４における熱が、光吸収層１０４に面方向に伝わり、反射層１０２と重なる領域に形成されている材料層１０５を加熱することで生じる、被成膜面の成膜パターンのずれや、ぼけを防ぐことができる。なお、図３（Ｃ）では、反射層１０２の端部と光吸収層１０４の端部が揃っている場合を示したが、被成膜基板に光が照射されないように、反射層１０２と光吸収層１０４が一部重なるように形成してもよい。

また、図３（Ｃ）に示す構造に加えて、図３（Ｄ）のように第２の断熱層である断熱層１１２を形成してもよい。図３（Ｄ）に示す構造は、第１の基板１０１上に反射層１０２、断熱層１０３、光吸収層１０４が順次形成されており、反射層１０２と重なる位置に断熱層１１２が形成され、光吸収層１０４および断熱層１１２上に材料層１０５が形成される構造である。

また、図４（Ａ）に示すように、断熱層１０３が島状にパターン形成されていてもよい。このとき、断熱層１０３は、反射層１０２と重なるようにし、開口部１０６には形成されないようにする。図４（Ａ）のように断熱層１０３を島状に形成しても、図１と同様に、成膜パターンのぼけを防ぐことができる。また、このように断熱層１０３を島状にパターン形成することにより、断熱層を開口部にも形成する場合に比べて、断熱層１０３の膜厚を大きくすることが可能となる。例えば、図４（Ｂ）に示すように、断熱層１０３の膜厚を大きくし、光吸収層１０４および材料層１０５が不連続になるようにすることができる。

また、図４（Ｃ）に示すように、図４（Ａ）に示した構成にさらに第２の断熱層である断熱層１１２を設けることもできる。図４（Ｃ）は、第１の基板１０１上に順次形成された反射層１０２、断熱層１０３、光吸収層１０４上の反射層１０２と重なる位置に断熱層１１２が形成され、光吸収層１０４および断熱層１１２上に材料層１０５が形成される構造である。この様な構造とすることにより、成膜パターンのぼけをより防ぐことができる。

また、図４（Ｄ）のように断熱層１１２の膜厚は、断熱層１０３に比べ大きくすることが好ましい。断熱層１１２を厚くすることにより、上述した第２の断熱層を設ける効果がより顕著になる。また、断熱層１１２を厚くすることにより、材料層１０５が不連続になるため、材料層１０５の面方向に熱が伝わることを防ぐことができ、よりいっそう成膜パターンのぼけを防ぐことができる。

図３（Ａ）乃至（Ｄ）及び図４（Ａ）乃至（Ｄ）に示す成膜用基板を用いて、実施の形態１と同様に光を照射して、被成膜基板へ所望のパターンで膜を成膜することができる。従って本実施の形態に示す成膜用基板を用いて、実施の形態１と同様の効果を奏することができる。

本発明では、材料と被成膜基板との間にマスクを設けることなく、被成膜基板に微細なパターンの薄膜を形成することができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態１及び実施の形態２で説明した成膜用基板を複数用いて、発光素子のＥＬ層を形成することにより、フルカラー表示が可能な発光装置の作製方法について説明する。

本発明は、１回の成膜工程で、被成膜基板である第２の基板上に形成された複数の電極上には、全て同一の材料からなるＥＬ層を形成することができる。また、本発明は、第２の基板上に形成された複数の電極上に、３種類の発光の異なるＥＬ層のいずれかを形成し、フルカラー表示が可能な発光装置を作製することもできる。

まず、実施の形態１において、例えば、図１（Ａ）に示した成膜用基板を３枚用意する。それぞれの成膜用基板には、発光の異なるＥＬ層を形成するための材料層が形成されている。具体的には、赤色発光を示すＥＬ層（ＥＬ層（Ｒ））を形成するための材料を含む材料層（Ｒ）を有する第１の成膜用基板と、緑色発光を示すＥＬ層（ＥＬ層（Ｇ））を形成するための材料を含む材料層（Ｇ）を有する第２の成膜用基板と、青色発光を示すＥＬ層（ＥＬ層（Ｂ））を形成するための材料を含む材料層（Ｂ）を有する第３の成膜用基板とを用意する。

また、複数の第１の電極を有する被成膜基板を１枚用意する。なお、被成膜基板上の複数の第１の電極は、その端部が絶縁層で覆われているため、発光領域は、第１の電極の一部であって、絶縁層と重ならずに露呈している領域に相当する。

まず、１回目の成膜工程として、図１（Ｃ）と同様に被成膜基板と第１の成膜用基板とを重ね、位置合わせをする。なお、被成膜基板には、位置合わせ用のマーカを設けることが好ましい。また、第１の成膜用基板にも位置合わせ用のマーカを設けることが好ましい。なお、第１の成膜用基板には、光吸収層が設けられているため、位置合わせのマーカ周辺の光吸収層は予め除去しておくことが好ましい。また、第１の成膜用基板には、材料層（Ｒ）が設けられているため、位置合わせのマーカ周辺の材料層（Ｒ）も予め除去しておくことが好ましい。

そして、第１の成膜用基板の裏面（図１に示す反射層１０２、断熱層１０３、光吸収層１０４、および材料層１０５が形成されていない面）側から光を照射する。光吸収層が、照射された光を吸収して材料層（Ｒ）に熱を与えることで、材料層（Ｒ）に含まれる材料を加熱し、被成膜基板上の一部の第１の電極上にＥＬ層（Ｒ）４１１が形成する。そして、１回目の成膜を終えたら、第１の成膜用基板は、被成膜基板と離れた場所へ移動させる。

次いで、２回目の成膜工程として、被成膜基板と第２の成膜用基板とを重ね、位置合わせをする。第２の成膜用基板には、１回目の成膜時で使用した第１の成膜用基板とは１画素分ずらして反射層の開口部が形成されている。

そして、第２の成膜用基板の裏面（図１に示す反射層１０２、断熱層１０３、光吸収層１０４、および材料層１０５が形成されていない面）側から光を照射する。光吸収層が、照射された光を吸収して材料層（Ｇ）に熱を与えることで、材料層（Ｇ）に含まれる材料を加熱し、被成膜基板上の一部であって、１回目の成膜でＥＬ層（Ｒ）が形成された第１の電極のとなりの第１の電極上にＥＬ層（Ｇ）が形成する。そして、２回目の成膜を終えたら、第２の成膜用基板は、被成膜基板と離れた場所へ移動させる。

次いで、３回目の成膜工程として、被成膜基板と第３の成膜用基板とを重ね、位置合わせをする。第３の成膜用基板には、１回目の成膜時で使用した第１の成膜用基板とは２画素分ずらして反射層の開口部が形成されている。

そして、第３の成膜用基板の裏面（図１に示す反射層１０２、断熱層１０３、光吸収層１０４、および材料層１０５が形成されていない面）側から光を照射する。この３回目の成膜を行う直前の様子が図１０（Ａ）の平面図に相当する。図１０（Ａ）において、反射層４０１は開口部４０２を有している。従って、第３の成膜用基板の反射層４０１の開口部４０２を透過した光は、断熱層を透過して、光吸収層に吸収される。また、被成膜基板の第３の成膜用基板の開口部４０２と重なる領域には、第１の電極が形成されている。なお、図１０（Ａ）中に点線で示した領域の下方には、既に１回目の成膜により形成されたＥＬ層（Ｒ）４１１と２回目の成膜により形成されたＥＬ層（Ｇ）４１２が位置している。

そして、３回目の成膜により、ＥＬ層（Ｂ）４１３が形成される。光吸収層が、照射された光を吸収して材料層（Ｂ）に熱を与えることで、材料層（Ｂ）に含まれる材料を加熱し、被成膜基板上の一部であって、２回目の成膜でＥＬ層（Ｇ）４１２が形成された第１の電極のとなりの第１の電極上にＥＬ層（Ｂ）４１３が形成される。３回目の成膜を終えたら、第３の成膜用基板は、被成膜基板と離れた場所へ移動させる。

こうしてＥＬ層（Ｒ）４１１、ＥＬ層（Ｇ）４１２、ＥＬ層（Ｂ）４１３を一定の間隔をあけて同一の被成膜基板上に形成することができる。そして、これらの膜上に第２の電極を形成することによって、発光素子を形成することができる。

以上の工程で、同一基板上に異なる発光を示す発光素子が形成されることにより、フルカラー表示が可能な発光装置を形成することができる。

図１０では、成膜用基板に形成された反射層の開口部４０２の形状を矩形とした例を示したが、特に限定されず、ストライプ状の開口部としても良い。ストライプ状の開口部とした場合、同じ発光色となる発光領域の間にも成膜が行われるが、絶縁層４１４の上に形成されるため、絶縁層４１４と重なる部分は発光領域とはならない。

また、画素の配列も特に限定されず、図１１（Ａ）に示すように、１つの画素形状を多角形、例えば六角形としてもよく、ＥＬ層（Ｒ）５１１、ＥＬ層（Ｇ）５１２、ＥＬ層（Ｂ）５１３を配置してフルカラーの発光装置を実現させることもできる。なお、図１１（Ａ）に示す多角形の画素を形成するために、図１１（Ｂ）に示す多角形の開口部５０２を有する反射層５０１を有する成膜用基板を用いて成膜すればよい。

本実施の形態に示すフルカラー表示が可能な発光装置の作製において、成膜用基板に形成される材料層の膜厚を制御することによって、被成膜基板上に成膜される膜の膜厚を制御することができる。つまり、成膜用基板上に形成された材料層に含まれる材料を全て成膜することにより被成膜基板上に形成される膜が所望の膜厚となるように予め材料層の膜厚が制御されているため、被成膜基板上に成膜する際の膜厚モニターは不要となる。よって、膜厚モニターを利用した成膜速度の調節を使用者が行う必要がなく、成膜工程を全自動化することが可能である。そのため、生産性の向上を図ることができる。

また、本実施の形態に示すフルカラー表示が可能な発光装置の作製において、本発明を適用することにより、成膜用基板上に形成された材料層に含まれる材料を均一に成膜することができる。また、材料層が複数の材料を含む場合でも、材料層と同じ材料をほぼ同じ重量比で含有する膜を被成膜基板上に成膜することができる。従って、本発明に係る成膜方法は、成膜温度の異なる複数の材料を用いて成膜する場合でも、蒸着レート等の複雑な制御を行うことなく、所望の異なる材料を含む層を容易に精度良く成膜することができる。

また、本実施の形態に示すフルカラー表示が可能な発光装置の作製において、本発明を適用することにより、所望の材料を無駄にすることなく、被成膜基板に成膜することが可能である。よって、材料の利用効率が向上し、製造コストの低減を図ることができる。また、成膜室内壁に材料が付着することも防止でき、成膜装置のメンテナンスを簡便にすることができる。

また、本実施の形態に示すフルカラー表示が可能な発光装置の作製において、本発明を適用することにより、平坦でムラのない膜を成膜することが可能であり、また、微細なパターン形成が可能となるため、高精細な発光装置を得ることができる。

また、本発明を適用することにより、レーザ光を用いた成膜の際に選択的に所望の領域に成膜することができるので、材料の利用効率を高めることができ、精度良く、所望の形状に成膜することが容易であるため発光装置の生産性向上を図ることができる。また、本発明では、光源として高出力のレーザ光を用いることができるため、大面積を成膜することが可能となる。よって、成膜に要する時間（タクトタイム）を短縮することができ、生産性を向上させることができる。

なお、本実施の形態に示す構成は、実施の形態１及び実施の形態２に示した構成を適宜組み合わせて用いることができることとする。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明を適用して、発光素子および発光装置を作製する方法について説明する。

本発明を適用して、例えば、図１２（Ａ）、（Ｂ）に示す発光素子を作製することができる。図１２（Ａ）に示す発光素子は、基板９０１上に第１の電極９０２、発光層９１３のみで形成されたＥＬ層９０３、第２の電極９０４が順に積層して設けられている。第１の電極９０２及び第２の電極９０４のいずれか一方は陽極として機能し、他方は陰極として機能する。陽極から注入される正孔及び陰極から注入される電子がＥＬ層９０３で再結合して、発光を得ることができる。本実施の形態において、第１の電極９０２は陽極として機能する電極であり、第２の電極９０４は陰極として機能する電極であるとする。

また、図１２（Ｂ）に示す発光素子は、図１２（Ａ）のＥＬ層９０３が複数の層が積層された構造である場合を示しており、具体的には、第１の電極９０２側から正孔注入層９１１、正孔輸送層９１２、発光層９１３、電子輸送層９１４、および電子注入層９１５が順次設けられている。なお、ＥＬ層９０３は、図１２（Ａ）に示すように少なくとも発光層９１３を有していれば機能するため、これらの層を全て設ける必要はなく、必要に応じて適宜選択して設ければよい。

図１２に示す基板９０１には、絶縁表面を有する基板または絶縁基板を適用する。具体的には、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスのような電子工業用に使われる各種ガラス基板、石英基板、セラミック基板又はサファイヤ基板等を用いることができる。

また、第１の電極９０２および第２の電極９０４は、様々な金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。具体的には、例えば、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム等が挙げられる。この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。

これらの材料は、通常スパッタリング法により成膜される。例えば、酸化インジウム−酸化亜鉛は、酸化インジウムに対し１〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムは、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５〜５ｗｔ％、酸化亜鉛を０．１〜１ｗｔ％含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。その他、ゾル−ゲル法などを応用して、インクジェット法、スピンコート法などにより作製してもよい。

また、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、アルミニウムを含む合金等を用いることができる。その他、仕事関数の小さい材料である、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（アルミニウム、マグネシウムと銀との合金、アルミニウムとリチウムの合金）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等を用いることもできる。

アルカリ金属、アルカリ土類金属、これらを含む合金の膜は、真空蒸着法を用いて形成することができる。また、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含む合金はスパッタリング法により形成することも可能である。また、銀ペーストなどをインクジェット法などにより成膜することも可能である。また、第１の電極９０２および第２の電極９０４は、単層膜に限らず、積層膜で形成することもできる。

なお、ＥＬ層９０３で発光する光を外部に取り出すため、第１の電極９０２または第２の電極９０４のいずれか一方、または両方が光を通過するように形成する。例えば、インジウム錫酸化物等の透光性を有する導電材料を用いて形成するか、或いは、銀、アルミニウム等を数ｎｍ乃至数十ｎｍの厚さとなるように形成する。また、膜厚を薄くした銀、アルミニウムなどの金属薄膜と、ＩＴＯ膜等の透光性を有する導電材料を用いた薄膜との積層構造とすることもできる。

なお、本実施の形態で示す発光素子のＥＬ層９０３（正孔注入層９１１、正孔輸送層９１２、発光層９１３、電子輸送層９１４又は電子注入層９１５）は、実施の形態１で示した成膜方法を適用して形成することができる。また、電極を実施の形態１で示した成膜方法を適用して形成することもできる。

例えば、図１２（Ａ）に示す発光素子を形成する場合、実施の形態１で示した成膜用基板の材料層をＥＬ層９０３を形成する材料で形成し、この成膜用基板を用いて基板９０１上の第１の電極９０２上にＥＬ層９０３を形成する。そして、ＥＬ層９０３上に第２の電極９０４を形成することにより、図１２（Ａ）に示す発光素子を得ることができる。

本発明の成膜方法を用いて発光層９１３を成膜する場合、例えば発光材料としてＮ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）や、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ａｃａｃ））が用いることができる。２ＰＣＡＰＡを発光材料として用いる場合、９−［４−（９Ｈ−カルバゾリル）フェニル］−１０−フェニルアントラセン（略称：ＣｚＰＡ）及び２ＰＣＡＰＡを溶媒トルエンに溶解して作製した液状の組成物を湿式法を用いて成膜用基板に材料層として形成する。

また、Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ａｃａｃ）を発光材料として用いる場合、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ａｃａｃ）を溶媒２−メトキシエタノールに溶解して作製した液状の組成物を湿式法を用いて成膜用基板に材料層として形成する。

光吸収層にレーザ光を照射することによって、それぞれ材料層に含まれる２ＰＣＡＰＡ又はＩｒ（ｔｐｐｒ）_２（ａｃａｃ）を被成膜基板の電極上に成膜する。

発光層９１３としては種々の材料を用いることができる。例えば、蛍光を発光する蛍光性化合物や燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる。

発光層９１３に用いることのできる燐光性化合物としては、例えば、青色系の発光材料として、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス［２−（３’，５’ビストリフルオロメチルフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ_３ｐｐｙ）_２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒａｃａｃ）などが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ａｃａｃ））、ビス（１，２−ジフェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｂｉ）_２（ａｃａｃ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）_２（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、黄色系の発光材料として、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オキサゾラト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｄｐｏ）_２（ａｃａｃ））、ビス［２−（４’−パーフルオロフェニルフェニル）ピリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）_２（ａｃａｃ））、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ）_２（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、橙色系の発光材料として、トリス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｑ）_３）、ビス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｑ）_２（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、赤色系の発光材料として、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^３’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔｐ）_２（ａｃａｃ））、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）_２（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）等の有機金属錯体が挙げられる。また、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）_３（Ｐｈｅｎ））、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）_３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）_３（Ｐｈｅｎ））等の希土類金属錯体は、希土類金属イオンからの発光（異なる多重度間の電子遷移）であるため、燐光性化合物として用いることができる。

発光層９１３に用いることのできる蛍光性化合物としては、例えば、青色系の発光材料として、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）などが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルアントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）などが挙げられる。また、黄色系の発光材料として、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−６，１１−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）などが挙げられる。また、赤色系の発光材料として、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１３−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）などが挙げられる。

また、発光層９１３として、発光性の高い物質（ドーパント材料）を他の物質（ホスト材料）に分散させた構成を用いることもできる。発光性の高い物質（ドーパント材料）を他の物質（ホスト材料）に分散させた構成を用いるにより、発光層の結晶化を抑制することができる。また、発光性の高い物質の濃度が高いことによる濃度消光を抑制することができる。

発光性の高い物質を分散させる物質としては、発光性の高い物質が蛍光性化合物の場合には、蛍光性化合物よりも一重項励起エネルギー（基底状態と一重項励起状態とのエネルギー差）が大きい物質を用いることが好ましい。また、発光性の高い物質が燐光性化合物の場合には、燐光性化合物よりも三重項励起エネルギー（基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差）が大きい物質を用いることが好ましい。

発光層９１３に用いるホスト材料としては、例えば４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、４，４’−ビス［Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）などの他、４，４’−ジ（９−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９−［４−（９−カルバゾリル）フェニル］−１０−フェニルアントラセン（略称：ＣｚＰＡ）などが挙げられる。

また、ドーパント材料としては、上述した燐光性化合物や蛍光性化合物を用いることができる。

発光層９１３として、発光性の高い物質（ドーパント材料）を他の物質（ホスト材料）に分散させた構成を用いる場合には、成膜用基板上の材料層として、ホスト材料とゲスト材料とを混合した層を形成すればよい。または、成膜用基板上の材料層として、ホスト材料を含む層とドーパント材料を含む層とが積層した構成としてもよい。このような構成の材料層を有する成膜用基板を用いて発光層９１３を形成することにより、発光層９１３は発光材料を分散させる物質（ホスト材料）と発光性の高い物質（ドーパント材料）とを含み、発光材料を分散させる物質（ホスト材料）に発光性の高い物質（ドーパント材料）が分散された構成となる。なお、発光層９１３として、２種類以上のホスト材料とドーパント材料を用いてもよいし、２種類以上のドーパント材料とホスト材料を用いてもよい。また、２種類以上のホスト材料及び２種類以上のドーパント材料を用いてもよい。

また、図１２（Ｂ）に示す発光素子を形成する場合には、ＥＬ層９０３（正孔注入層９１１、正孔輸送層９１２、発光層９１３、電子輸送層９１４、および電子注入層９１５）のそれぞれの層を形成する材料で形成された材料層を有する実施の形態１で示した成膜用基板を各層毎に用意し、各層の成膜毎に異なる成膜用基板を用いて、実施の形態１で示した方法により、基板９０１上の第１の電極９０２上にＥＬ層９０３を形成することができる。そして、ＥＬ層９０３上に第２の電極９０４を形成することにより、図１２（Ｂ）に示す発光素子を得ることができる。なお、この場合には、ＥＬ層９０３の全ての層に実施の形態１で示した方法を用いることもできるが、一部の層のみに実施の形態１で示した方法を用いても良い。

湿式法で被成膜基板に膜を積層する場合、直接下層の膜上に材料を含む液状の組成物を付着させて形成するために、組成物中に含まれる溶媒によっては下層の膜が溶解してしまうため、積層できる材料が限定されてしまう。しかし、本発明の成膜方法を用いて積層を形成する場合、下層の膜に直接溶媒が付着しないため、溶媒による下層の膜への影響を考慮しなくてよい。従って、積層できる材料の選択性において自由度が広い。また、被成膜基板とは別基板の成膜用基板に湿式法で材料層を形成するために、溶媒を除去し膜質を向上させるための加熱処理を十分に行うことができる。一方、湿式法で直接被成膜基板に膜を形成してしまうと被成膜基板に既に成膜されている下層の膜に影響を与えない加熱条件で加熱処理を行わねばならないために、十分な膜質の向上を達成できない場合がある。

例えば、正孔注入層９１１としては、モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。この他、フタロシアニン（略称：Ｈ_２Ｐｃ）や銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物、或いはポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子等によっても正孔注入層を形成することができる。

また、正孔注入層９１１として、正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質を含む層を用いることができる。正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質とを含む層は、キャリア密度が高く、正孔注入性に優れている。また、正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質とを含む層を、陽極として機能する電極に接する正孔注入層として用いることにより、陽極として機能する電極材料の仕事関数の大小に関わらず、様々な金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。

正孔注入層９１１に用いる電子受容性を示す物質としては、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）、クロラニル等を挙げることができる。また、遷移金属酸化物を挙げることができる。また元素周期表における第４族から第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。

正孔注入層９１１に用いる正孔輸送性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の化合物を用いることができる。なお、正孔注入層に用いる正孔輸送性の高い物質としては、１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、正孔注入層９１１に用いることのできる正孔の輸送性の高い物質を具体的に列挙する。

例えば、正孔注入層９１１に用いることのできる芳香族アミン化合物としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）等を用いることができる。また、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−メチルフェニル）（ｐ−トリル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰＰＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）等を挙げることができる。

正孔注入層９１１に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、具体的には、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等を挙げることができる。

また、正孔注入層９１１に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、１，４−ビス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］−２，３，５，６−テトラフェニルベンゼン等を用いることができる。

また、正孔注入層９１１に用いることのできる芳香族炭化水素としては、例えば、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス（４−フェニルフェニル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＢＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＡｎｔｈ）、９，１０−ビス（４−メチル−１−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＭＮＡ）、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］−２−ｔｅｒｔ−ブチル−アントラセン、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン、９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ジフェニル−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス（２−フェニルフェニル）−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス［（２，３，４，５，６−ペンタフェニル）フェニル］−９，９’−ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン等が挙げられる。また、この他、ペンタセン、コロネン等も用いることができる。このように、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有し、炭素数１４〜４２である芳香族炭化水素を用いることがより好ましい。

なお、正孔注入層９１１に用いることのできる芳香族炭化水素は、ビニル骨格を有していてもよい。ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０−ビス［４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル］アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）等が挙げられる。

また、正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質とを含む層は、正孔注入性だけでなく、正孔輸送性も優れているため、上述した正孔注入層９１１を正孔輸送層として用いてもよい。

また、正孔輸送層９１２は、正孔輸送性の高い物質を含む層であり、正孔輸送性の高い物質としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。

電子輸送層９１４は、電子輸送性の高い物質を含む層であり、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ_２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）など、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等を用いることができる。また、この他ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンズオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）_２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）_２）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）や、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ０１）バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）なども用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いても構わない。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。

また、電子注入層９１５としては、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）等のようなアルカリ金属化合物、又はアルカリ土類金属化合物を用いることができる。さらに、電子輸送性を有する物質とアルカリ金属又はアルカリ土類金属が組み合わされた層も使用できる。例えばＡｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたものを用いることができる。なお、電子注入層として、電子輸送性を有する物質とアルカリ金属又はアルカリ土類金属を組み合わせた層を用いることは、第２の電極９０４からの電子注入が効率良く起こるためより好ましい。

なお、ＥＬ層９０３は、層の積層構造については特に限定されず、電子輸送性の高い物質または正孔輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、正孔注入性の高い物質、バイポーラ性（電子及び正孔の輸送性の高い物質）の物質等を含む層と、発光層とを適宜組み合わせて構成すればよい。

ＥＬ層９０３で得られた発光は、第１の電極９０２または第２の電極９０４のいずれか一方または両方を通って外部に取り出される。従って、第１の電極９０２または第２の電極９０４のいずれか一方または両方は、透光性を有する電極である。第１の電極９０２のみが透光性を有する電極である場合、光は第１の電極９０２を通って基板９０１側から取り出される。また、第２の電極９０４のみが透光性を有する電極である場合、光は第２の電極９０４を通って基板９０１と逆側から取り出される。第１の電極９０２および第２の電極９０４がいずれも透光性を有する電極である場合、光は第１の電極９０２および第２の電極９０４を通って、基板９０１側および基板９０１と逆側の両方から取り出される。

なお、図１２では、陽極として機能する第１の電極９０２を基板９０１側に設けた構成について示したが、陰極として機能する第２の電極９０４を基板９０１側に設けてもよい。

また、ＥＬ層９０３の形成方法としては、実施の形態１で示した成膜方法を用いればよく、他の成膜方法と組み合わせてもよい。また、各電極または各層ごとに異なる成膜方法を用いて形成しても構わない。乾式法としては、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。また、湿式法としては、インクジェット法またはスピンコート法などが挙げられる。

本実施の形態に係る発光素子は、本発明を適用したＥＬ層の形成が可能であり、それにより、高精度な膜が効率よく形成される為、発光素子の特性向上のみならず、歩留まり向上やコストダウンを図ることができる。

本実施の形態は、上記の実施の形態１乃至３と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明を用いて作製されたパッシブマトリクス型の発光装置について図５乃至図９を用いて説明する。

図５に、本発明を適用したパッシブマトリクス型の発光素子を有する発光装置を示す。図５（Ａ）は発光装置の平面図であり、図５（Ｂ）は図５（Ａ）における線Ｙ１−Ｚ１の断面図である。

図５（Ａ）の発光装置は、素子基板７５９上に第１の方向に延びた発光素子に用いる電極層である第１の電極層７５１ａ、７５１ｂ、７５１ｃ、第１の電極層７５１ａ、７５１ｂ、７５１ｃ上に選択的に形成されたＥＬ層７５２ａ、７５２ｂ、７５２ｃと、第１の方向と垂直な第２の方向に延びた発光素子に用いる電極層である第２の電極層７５３ａ、７５３ｂ、７５３ｃとを有している。第２の電極層７５３ａ、７５３ｂ、７５３ｃを覆うように、保護膜として機能する絶縁層７５４を設けている（図５（Ａ）（Ｂ）参照。）。

図５において、データ線（信号線）として機能する第１の電極層７５１ｂと、走査線（ソース線）として機能する第２の電極層７５３ｂとはＥＬ層７５２ｂを間に挟持して交差しており、発光素子７５０を形成している。

本実施の形態では、ＥＬ層７５２ａ、７５２ｂ、７５２ｃを実施の形態１で示したように、本発明の成膜方法を用いて形成する。図５に示す本実施の形態の発光装置の作製方法を図７（Ａ）乃至（Ｅ）を用いて説明する。

図７（Ａ）は実施の形態１で示した図３（Ｃ）の成膜用基板と同様な構造である。成膜用基板である基板７０１上に、開口部７０６を有して反射層７０２が選択的に設けられ、反射層７０２上に断熱層７０３が形成されている。断熱層７０３上において、反射層７０２と重ならない領域に選択的に光吸収層７０４が形成されている。

断熱層７０３及び光吸収層７０４上に湿式法により成膜材料を含む液状の組成物１６１を用いて材料層７０５を形成する（図７（Ｂ）参照。）。

被成膜基板である素子基板７５９には、第１の電極層７５１ａ、７５１ｂ、７５１ｃが形成されており、第１の電極層７５１ａ、７５１ｂ、７５１ｃと、材料層７０５とが向き合うように、素子基板７５９と基板７０１とを配置する（図７（Ｃ）参照。）。

基板７０１の裏面（材料層７０５の形成面と反対の面）よりレーザ光７１０を照射し、光吸収層７０４より与えられた熱によって材料層７０５に含まれる材料の少なくとも一部が素子基板７５９へＥＬ層７５２ａ、７５２ｂ、７５２ｃとして成膜される（図７（Ｄ）参照。）。上記工程によって、基板７０１上に設けられた第１の電極層７５１ａ、７５１ｂ、７５１ｃ上にそれぞれ、選択的にＥＬ層７５２ａ、７５２ｂ、７５２ｃを形成することができる（図７（Ｅ）参照。）。

図７（Ｅ）のＥＬ層７５２ａ、７５２ｂ、７５２ｃ上に第２の電極層７５３ｂ、絶縁層７５４を形成し、封止基板７５８を用いて封止して図５（Ｂ）の発光装置を完成させることができる。

図５の発光装置では、第１の電極層７５１ａ、７５１ｂ、７５１ｃの幅（Ｙ１−Ｚ１方向の幅）より、ＥＬ層７５２ａ、７５２ｂ、７５２ｃのサイズが大きく、第１の電極層７５１ａ、７５１ｂ、７５１ｃ端部を覆うような形状の例である。これは図７において、選択的に形成され、かつ反射層と重ならない光吸収層のパターンが対応する第１の電極層のパターンより幅が大きく設定されたためである。

第１の電極層上にＥＬ層のすべての領域が形成される例を図６（Ａ）（Ｂ）に示す。図６（Ａ）は発光装置の平面図であり、図６（Ｂ）は図５（Ａ）における線Ｙ２−Ｚ２の断面図である。図６（Ａ）（Ｂ）の発光装置においては、第１の電極層７５１ａ、７５１ｂ、７５１ｃのサイズよりも、ＥＬ層７９２ａ、７９２ｂ、７９２ｃのサイズが小さいため、ＥＬ層７９２ａ、７９２ｂ、７９２ｃは領域全てが、それぞれ第１の電極層７５１ａ、７５１ｂ、７５１ｃ上に形成される。本発明の成膜法では、成膜用基板において反射層と重ならない光吸収層上に形成される材料層のパターンを反映して、被成膜基板に膜が形成される。よって、反射層と重ならない光吸収層上に形成される材料層のパターンを、第１の電極層７５１ａ、７５１ｂ、７５１ｃよりも小さく設定するとＥＬ層７９２ａ、７９２ｂ、７９２ｃのような形状に成膜することができる。

また、パッシブマトリクスの発光装置において、発光素子間を分離する隔壁（絶縁層）を設けてもよい。２層の隔壁を有する発光装置の例を図８（Ａ）（Ｂ）及び図９（Ａ）乃至（Ｅ）に示す。

図８（Ａ）は発光装置の平面図であり、図８（Ｂ）は図８（Ａ）における線Ｙ３−Ｚ３の断面図、図８（Ｃ）は図８（Ａ）における線Ｖ３−Ｘ３の断面図である。しかし、図８（Ａ）は隔壁７８２を形成した工程までの平面図であり、ＥＬ層及び第２の電極層は省略している。

図８（Ａ）乃至（Ｃ）に示すように、第１の電極層７５１ａ、７５１ｂ、７５１ｃ上に、画素領域に開口部を有して隔壁７８０が選択的に形成されている。図８（Ｂ）に示すように、隔壁７８０は、第１の電極層７５１ａ、７５１ｂ、７５１ｃの端部を覆うようにテーパーを有する形状で形成されている。

隔壁７８０上に選択的に隔壁７８２を形成する。隔壁７８２は隔壁７８２上に形成するＥＬ層及び第２の電極層を非連続に分断する機能を有する。隔壁７８２の側壁は、素子基板７５９に近くなるに伴って、一方の側壁と他方の側壁との間隔が狭くなっていくような傾斜を有する。つまり、隔壁７８２の短辺方向の断面は、台形状であり、底辺（隔壁７８０の面方向と同様の方向を向き、隔壁７８０と接する辺）の方が上辺（隔壁７８０の面方向と同様の方向を向き、隔壁７８０と接しない辺）よりも短い。隔壁７８２はいわゆる逆テーパー形状であるために、自己整合的にＥＬ層７５２ｂは、隔壁７８２によって分断され、第１の電極層７５１ｂ上に選択的に形成することができる。従ってエッチングにより形状を加工しなくても、隣接する発光素子間は分断されており発光素子間のショートなどの電気的不良を防止することができる。

本発明の成膜方法を用いた図８（Ｂ）に示す本実施の形態の発光装置の作製方法を図９（Ａ）乃至（Ｅ）を用いて説明する。

図９（Ａ）は実施の形態１で示した図４（Ａ）の成膜用基板と同様な構造である。成膜用基板である基板７１１上に、開口部７１６を有して反射層７１２が選択的に設けられ、反射層７１２上に反射層７１２と同じパターンで断熱層７１３が選択的に形成されている。基板７１１、反射層７１２及び断熱層７１３上に光吸収層７１４が形成されている。

光吸収層７１４上に湿式法により成膜材料を含む液状の組成物１７１を用いて材料層７１５を形成する（図９（Ｂ）参照。）。

被成膜基板である素子基板７５９には、第１の電極層７５１ａ、７５１ｂ、７５１ｃ、及び隔壁７８０が形成されており、第１の電極層７５１ａ、７５１ｂ、７５１ｃ及び隔壁７８０と、材料層７１５とが向き合うように、素子基板７５９と基板７１１とを配置する（図９（Ｃ）参照。）。

基板７１１の裏面（材料層７１５の形成面と反対の面）よりレーザ光７２０を照射し、光吸収層７１４より与えられた熱によって材料層７１５に含まれる材料の少なくとも一部が素子基板７５９へＥＬ層７５２ａ、７５２ｂ、７５２ｃとして成膜される（図９（Ｄ）参照。）。上記工程によって、素子基板７５９上に設けられた第１の電極層７５１ａ、７５１ｂ、７５１ｃ上にそれぞれ、選択的にＥＬ層７５２ａ、７５２ｂ、７５２ｃを形成することができる（図９（Ｅ）参照。）。

図９（Ｅ）のＥＬ層７５２ａ、７５２ｂ、７５２ｃ上に第２の電極層７５３ｂを形成し、充填層７８１を形成し、封止基板７５８を用いて封止して図８（Ｂ）の発光装置を完成させることができる。

封止基板７５８としては、ガラス基板や石英基板等を用いることができる。また可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板とは、折り曲げることができる（フレキシブル）基板のことであり、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン等からなる、プラスチック基板の他、高温では可塑化されてプラスチックと同じような成型加工ができ、常温ではゴムのような弾性体の性質を示す高分子材料エラストマー等が挙げられる。また、フィルム（ポリプロピレン、ポリエステル、ビニル、ポリフッ化ビニル、塩化ビニルなどからなる）、無機蒸着フィルムを用いることもできる。

隔壁７８０、隔壁７８２としては、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、その他の無機絶縁性材料、又はアクリル酸、メタクリル酸及びこれらの誘導体、又はポリイミド、芳香族ポリアミド、ポリベンゾイミダゾールなどの耐熱性高分子、又はシロキサン樹脂を用いてもよい。また、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラールなどのビニル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ノボラック樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂等の樹脂材料を用いる。作製法としては、プラズマＣＶＤ法や熱ＣＶＤ法などの気相成長法やスパッタリング法を用いることができる。また、液滴吐出法や、印刷法（を用いることもできる。塗布法で得られる膜なども用いることができる。

次に、図５に示したパッシブマトリクス型の発光装置にＦＰＣなどを実装した場合の平面図を図１３に示す。

図１３において、画像表示を構成する画素部は、走査線群とデータ線群が互いに直交するように交差している。

ここで、図５における第１の電極層７５１ａ、７５１ｂ、７５１ｃが、図１３のデータ線１１０２に相当し、図５における第２の電極層７５３ａ、７５３ｂ、７５３ｃが、図１３の走査線１１０３に相当し、ＥＬ層７５２ａ、７５２ｂ、７５２ｃが図１３のＥＬ層１１０４に相当する。基板１１０１上において、データ線１１０２と走査線１１０３の間にはＥＬ層１１０４が挟まれており、領域１１０５で示される交差部が画素１つ分（図５では発光素子７５０で示される）となる。

なお、走査線１１０３は配線端で接続配線１１０８と電気的に接続され、接続配線１１０８が入力端子１１０７を介してＦＰＣ１１０９ｂに接続される。また、データ線１１０２は入力端子１１０６を介してＦＰＣ１１０９ａに接続される。

また、必要であれば、射出面に偏光板、又は円偏光板（楕円偏光板を含む）、位相差板（λ／４板、λ／２板）、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けてもよい。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。

なお、図１３では、駆動回路を基板上に設けない例を示したが、本発明は特に限定されず、基板上に駆動回路を有するＩＣチップを実装させてもよい。

また、ＩＣチップを実装させる場合、画素部の周辺（外側）の領域に、画素部へ各信号を伝送する駆動回路が形成されたデータ線側ＩＣ、走査線側ＩＣをＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりそれぞれ実装する。ＣＯＧ方式以外の実装技術としてＴＣＰやワイヤボンディング方式を用いて実装してもよい。ＴＣＰはＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープにＩＣを実装したものであり、ＴＡＢテープを素子形成基板上の配線に接続してＩＣを実装する。データ線側ＩＣ、および走査線側ＩＣは、単結晶シリコン基板を用いたものであってもよいし、ガラス基板、石英基板もしくはプラスチック基板上にＴＦＴで駆動回路を形成したものであってもよい。また、片側に一つのＩＣを設けた例を説明しているが、片側に複数個に分割して設けても構わない。

本発明を用いると、材料と被成膜基板との間にマスクを設けることなく、被成膜基板に微細なパターンの薄膜を形成することができる。本実施の形態のように、このような成膜方法を用いて発光素子を形成し、高精細な発光装置を作製することができる。

本実施の形態は、上記の実施の形態１乃至４と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明を用いて作製されたアクティブマトリクス型の発光装置について図１４を用いて説明する。

図１４（Ａ）は、発光装置を示す平面図、図１４（Ｂ）は図１４（Ａ）をＡ−ＢおよびＣ−Ｄで切断した断面図である。点線で示された６０１は駆動回路部（ソース側駆動回路）、６０２は画素部、６０３は駆動回路部（ゲート側駆動回路）である。また、６０４は封止基板、６０５はシール材であり、シール材６０５で囲まれた内側は、空間６０７になっている。

なお、引き回し配線６０８はソース側駆動回路６０１及びゲート側駆動回路６０３に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）６０９からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。

次に、断面構造について図１４（Ｂ）を用いて説明する。素子基板６１０上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース側駆動回路６０１と、画素部６０２中の一つの画素が示されている。

なお、ソース側駆動回路６０１はｎチャネル型トランジスタ６２３とｐチャネル型トランジスタ６２４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される。また、駆動回路を形成するトランジスタは、種々のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバ一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、駆動回路を基板上ではなく外部に形成することもできる。

また、画素部６０２はスイッチング用トランジスタ６１１と、電流制御用トランジスタ６１２とそのドレインに電気的に接続された第１の電極６１３とを含む複数の画素により形成される。なお、第１の電極６１３の端部を覆って絶縁層６１４が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。第１の電極６１３は層間絶縁層である絶縁層６１９上に形成されている。

また、被覆性を良好なものとするため、絶縁層６１４の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁層６１４の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、絶縁層６１４の上端部のみに曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁層６１４として、光の照射によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光の照射によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。

なお、トランジスタの構造は、特に限定されない。トランジスタはチャネル形成領域が一つ形成されるシングルゲート構造でも、二つ形成されるダブルゲート構造もしくは三つ形成されるトリプルゲート構造であっても良い。また、周辺駆動回路領域のトランジスタも、シングルゲート構造、ダブルゲート構造もしくはトリプルゲート構造であっても良い。

トランジスタは、トップゲート型（例えば順スタガ型、コプラナ型）、ボトムゲート型（例えば、逆コプラナ型）、あるいはチャネル領域の上下にゲート絶縁膜を介して配置された２つのゲート電極層を有する、デュアルゲート型やその他の構造においても適用できる。

また、トランジスタに用いる半導体の結晶性についても特に限定されない。半導体層を形成する材料は、シランやゲルマンに代表される半導体材料ガスを用いて気相成長法やスパッタリング法で作製される非晶質半導体、該非晶質半導体を光エネルギーや熱エネルギーを利用して結晶化させた多結晶半導体、また単結晶半導体などを用いることができる。

非晶質半導体としては、代表的には水素化アモルファスシリコン、結晶性半導体としては代表的にはポリシリコンなどがあげられる。ポリシリコン（多結晶シリコン）には、８００℃以上のプロセス温度を経て形成されるポリシリコンを主材料として用いた所謂高温ポリシリコンや、６００℃以下のプロセス温度で形成されるポリシリコンを主材料として用いた所謂低温ポリシリコン、また結晶化を促進する元素などを用いて非晶質シリコンを結晶化させたポリシリコンなどを含んでいる。また、このような薄膜プロセスに換えて、絶縁表面に単結晶半導体層を設けたＳＯＩ基板を用いても良い。ＳＯＩ基板は、ＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ ｂｙ ＩＭｐｌａｎｔｅｄ Ｏｘｙｇｅｎ）法や、Ｓｍａｒｔ−Ｃｕｔ法を用いて形成することができる。ＳＩＭＯＸ法は、単結晶シリコン基板に酸素イオンを注入し、所定の深さに酸素含有層を形成した後、熱処理を行い、表面から一定の深さで埋込絶縁層を形成し、埋込絶縁層の上に単結晶シリコン層を形成する方法である。また、Ｓｍａｒｔ−Ｃｕｔ法は、酸化された単結晶シリコン基板に水素イオン注入を行い、所望の深さに相当する所に水素含有層を形成し、他の支持基板（表面に貼り合わせ用の酸化シリコン膜を有する単結晶シリコン基板など）と貼り合わせる、加熱処理を行うことにより水素含有層にて単結晶シリコン基板を分断し、支持基板上に酸化シリコン膜と単結晶シリコン層との積層を形成する方法である。

第１の電極６１３上には、ＥＬ層６１６、および第２の電極６１７がそれぞれ形成されている。本実施の形態で示す発光素子のＥＬ層６１６は、実施の形態１で示した成膜方法を適用して形成することができる。

シール材６０５で封止基板６０４を素子基板６１０と貼り合わせることにより、素子基板６１０、封止基板６０４、およびシール材６０５で囲まれた空間６０７に発光素子６１８が備えられた構造になっている。なお、空間６０７には、充填材が充填されており、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材６０５で充填される場合もある。

なお、シール材６０５には可視光硬化性、紫外線硬化性または熱硬化性の樹脂を用いるのが好ましい。具体的にはエポキシ系樹脂を用いることができる。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板６０４に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。また、フィルム（ポリプロピレン、ポリエステル、ビニル、ポリフッ化ビニル、塩化ビニルなどからなる）、無機蒸着フィルムを用いることもできる。

また、発光素子上にパッシベーション膜（保護膜）として絶縁層を設けてもよい。パッシベーション膜としては、窒化珪素、酸化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒素含有量が酸素含有量よりも多い窒化酸化アルミニウムまたは酸化アルミニウム、ダイアモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、窒素含有炭素膜を含む絶縁膜からなり、該絶縁膜を単層もしくは組み合わせた積層を用いることができる。又はシロキサン樹脂を用いてもよい。

充填材の代わりに、窒素雰囲気下で封止することによって、窒素等を封入してもよい。充填材を通して光を発光装置外に取り出す場合、充填材も透光性を有する必要がある。充填材は、例えば可視光硬化、紫外線硬化または熱硬化のエポキシ樹脂を用いればよい。充填材は、液状の状態で滴下し、発光装置内に充填することもできる。充填材として、乾燥剤などの吸湿性を含む物質を用いる、または充填材中に吸湿物質を添加すると、さらなる吸水効果が得られ、素子の劣化を防ぐことができる。

また、位相差板や偏光板を用いて、外部から入射する光の反射光を遮断するようにしてもよい。隔壁となる絶縁層を着色しブラックマトリクスとして用いてもよい。この隔壁は液滴吐出法により形成することができ、ポリイミドなどの樹脂材料に、カーボンブラック等を混合させてもよく、その積層でもよい。液滴吐出法によって、異なった材料を同領域に複数回吐出し、隔壁を形成してもよい。位相差板としてはλ／４板、λ／２板を用い、光を制御できるように設計すればよい。構成としては、順に素子基板、発光素子、封止基板（封止材）、位相差板（λ／４、λ／２）、偏光板となり、発光素子から放射された光は、これらを通過し偏光板を介して外部に放射される。この位相差板や偏光板は光が放射される側に設置すればよく、両面放射される両面放射型の発光装置であれば両方に設置することもできる。また、偏光板の外側に反射防止膜を有していても良い。これにより、より高精細で精密な画像を表示することができる。

本実施の形態では、上記のような回路で形成するが、本発明はこれに限定されず、周辺駆動回路としてＩＣチップを前述したＣＯＧ方式やＴＡＢ方式によって実装したものでもよい。また、ゲート線駆動回路、ソース線駆動回路は複数であっても単数であっても良い。

また、本発明の発光装置において、画面表示の駆動方法は特に限定されず、例えば、点順次駆動方法や線順次駆動方法や面順次駆動方法などを用いればよい。代表的には、線順次駆動方法とし、時分割階調駆動方法や面積階調駆動方法を適宜用いればよい。また、発光装置のソース線に入力する映像信号は、アナログ信号であってもよいし、デジタル信号であってもよく、適宜、映像信号に合わせて駆動回路などを設計すればよい。

発光層は、発光波長帯の異なる発光層を画素毎に形成して、カラー表示を行う構成としても良い。典型的には、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色に対応した発光層を形成する。この場合にも、画素の光放射側にその発光波長帯の光を透過するフィルターを設けた構成とすることで、色純度の向上や、画素領域の鏡面化（映り込み）の防止を図ることができる。フィルターを設けることで、発光層から放射される光の損失を無くすことができる。さらに、斜方から画素領域（表示画面）を見た場合に起こる色調の変化を低減することができる。

本発明を用いると、材料と被成膜基板との間にマスクを設けることなく、被成膜基板に微細なパターンの薄膜を形成することができる。本実施の形態のように、このような成膜方法を用いて発光素子を形成し、高精細な発光装置を作製することができる。

本実施の形態は、上記の実施の形態１乃至４と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態７）
本発明を適用して、様々な表示機能を有する発光装置を作製することができる。即ち、それら表示機能を有する発光装置を表示部に組み込んだ様々な電子機器に本発明を適用できる。

その様な本発明に係る電子機器として、テレビジョン装置（単にテレビ、又はテレビジョン受信機ともよぶ）、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ等のカメラ、携帯電話装置（単に携帯電話機、携帯電話ともよぶ）、ＰＤＡ等の携帯情報端末、携帯型ゲーム機、コンピュータ用のモニタ、コンピュータ、カーオーディオ等の音響再生装置、家庭用ゲーム機等の記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ））等が挙げられる。また、パチンコ機、スロットマシン、ピンボール機、大型ゲーム機など発光装置を有するあらゆる遊技機に適用することができる。その具体例について、図１５乃至図１７を参照して説明する。

本発明の発光装置の適用範囲は極めて広く、この発光装置をあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。本発明の実施の形態１に示す成膜方法を用いるため、大型の表示部又は照明部を有する高画質の電子機器を提供することができる。

図１５（Ａ）に示す携帯情報端末機器は、本体９２０１、表示部９２０２等を含んでいる。表示部９２０２は、本発明の発光装置を適用することができる。その結果、高画質の携帯情報端末機器を提供することができる。

図１５（Ｂ）に示すデジタルビデオカメラは、表示部９７０１、表示部９７０２等を含んでいる。表示部９７０１は本発明の発光装置を適用することができる。その結果、高画質のデジタルビデオカメラを提供することができる。

図１５（Ｃ）に示す携帯電話機は、本体９１０１、表示部９１０２等を含んでいる。表示部９１０２は、本発明の発光装置を適用することができる。その結果、高画質の携帯電話機を提供することができる。

図１７は本発明を適用した携帯電話機の一例であり、図１５（Ｃ）に示した携帯電話機とは異なる例を示す。図１７の携帯電話機において図１７（Ａ）が正面図、図１７（Ｂ）が背面図、図１７（Ｃ）が展開図である。携帯電話機は、電話と携帯情報端末の双方の機能を備えており、コンピュータを内蔵し、音声通話以外にも様々なデータ処理が可能な所謂スマートフォンである。

携帯電話機は、筐体８００１及び８００２の二つの筐体で構成されている。筐体８００１には、表示部８１０１、スピーカー８１０２、マイクロフォン８１０３、操作キー８１０４、ポインティングデバイス８１０５、カメラ用レンズ８１０６、外部接続端子８１０７等が備えられ、筐体８００２には、キーボード８２０１、外部メモリスロット８２０２、カメラ用レンズ８２０３、ライト８２０４、イヤホン端子８００８等が備えられている。また、アンテナは筐体８００１内部に内蔵されている。

また、上記構成に加えて、非接触ＩＣチップ、小型記録装置等を内蔵していてもよい。

他の上記実施の形態に示される発光装置を組み込むことが可能である表示部８１０１は、使用形態に応じて表示の方向が適宜変化する。表示部８１０１と同一面上にカメラ用レンズ８１０６を備えているため、テレビ電話が可能である。また、表示部８１０１をファインダーとしてカメラ用レンズ８２０３及びライト８２０４で静止画及び動画の撮影が可能である。スピーカー８１０２及びマイクロフォン８１０３は音声通話に限らず、テレビ電話、録音、再生等が可能である。操作キー８１０４では、電話の発着信、電子メール等の簡単な情報入力、画面のスクロール、カーソル移動等が可能である。更に、図１７（Ａ）に示す重なり合った筐体８００１と筐体８００２は、スライドして図１７（Ｃ）のように展開し、携帯情報端末として使用できる。この場合、キーボード８２０１、ポインティングデバイス８１０５を用い円滑な操作が可能である。外部接続端子８１０７はＡＣアダプタ及びＵＳＢケーブル等の各種ケーブルと接続可能であり、充電及びコンピュータ等とのデータ通信が可能である。また、外部メモリスロット８２０２に記録媒体を挿入しより大量のデータ保存及び移動に対応できる。

また、上記機能に加えて、赤外線通信機能、テレビ受信機能等を備えたものであってもよい。

表示部８１０１は、本発明の発光装置を適用することができるため、高画質の携帯電話機を提供することができる。

図１５（Ｄ）に示す携帯型のコンピュータは、本体９４０１、表示部９４０２等を含んでいる。表示部９４０２は、本発明の発光装置を適用することができる。その結果、高画質の携帯型のコンピュータを提供することができる。

本発明を適用した発光装置は、小型の電気スタンドや室内の大型な照明装置として用いることもできる。図１５（Ｅ）は卓上照明器具であり、照明部９５０１、傘９５０２、可変アーム９５０３、支柱９５０４、台９５０５、電源９５０６を含む。本発明の発光装置を照明部９５０１に用いることにより作製される。なお、照明器具には天井固定型の照明器具または壁掛け型の照明器具なども含まれる。本発明により大型な照明器具も提供することができる。

さらに、本発明の発光装置を液晶表示装置のバックライトとして用いることもできる。本発明の発光装置は、面発光の照明装置であり大面積化も可能であるため、バックライトの大面積化が可能であり、液晶表示装置の大面積化も可能になる。さらに、本発明の発光装置は薄型であるため、液晶表示装置の薄型化も可能となる。

図１５（Ｆ）に示す携帯型のテレビジョン装置は、本体９３０１、表示部９３０２等を含んでいる。表示部９３０２は、本発明の発光装置を適用することができる。その結果、高画質の携帯型のテレビジョン装置を提供することができる。またテレビジョン装置としては、携帯電話機などの携帯端末に搭載する小型のものから、持ち運びをすることができる中型のもの、また、大型のもの（例えば４０インチ以上）まで、幅広いものに、本発明の発光装置を適用することができる。

図１６（Ａ）は大型の表示部を有するテレビジョン装置である。本発明の発光装置により主画面２００３が形成され、その他付属設備としてスピーカー部２００９、操作スイッチなどが備えられている。このように、テレビジョン装置を完成させることができる。

図１６（Ａ）に示すように、筐体２００１に発光素子を利用した表示用パネル２００２が組みこまれ、受信機２００５により一般のテレビ放送の受信をはじめ、モデム２００４を介して有線又は無線による通信ネットワークに接続することにより一方向（送信者から受信者）又は双方向（送信者と受信者間、又は受信者間同士）の情報通信をすることもできる。テレビジョン装置の操作は、筐体に組みこまれたスイッチ又は別体のリモコン操作機２００６により行うことが可能であり、このリモコン装置にも出力する情報を表示する表示部２００７が設けられていても良い。

また、テレビジョン装置にも、主画面２００３の他にサブ画面２００８を第２の表示用パネルで形成し、チャネルや音量などを表示する構成が付加されていても良い。

図１６（Ｂ）は例えば２０〜８０インチの大型の表示部を有するテレビジョン装置であり、筐体２０１０、表示部２０１１、操作部であるリモコン装置２０１２、スピーカー部２０１３等を含む。本発明は、表示部２０１１の作製に適用される。本発明を適用することによって大型でかつ高画質なテレビジョン装置を提供することができる。また図１６（Ｂ）のテレビジョン装置は、壁かけ型となっており、設置するスペースを広く必要としない。

勿論、本発明は鉄道の駅や空港などにおける情報表示盤や、街頭における広告表示盤など大面積の表示媒体としても様々な用途に適用することができる。

本実施の形態は、上記の実施の形態１乃至６と適宜組み合わせることができる。

Claims (12)

1. 第１の基板上に開口部を有する反射層を形成し、
   前記反射層上に光吸収層を形成し、
   前記光吸収層上に膜材料を含む液状の組成物を用いる湿式法によって材料層を形成して成膜用基板を作製し、
   前記成膜用基板の前記材料層形成面と、被成膜基板の被成膜面とが向き合うように、前記成膜用基板と前記被成膜基板とを配置し、
   前記第１の基板及び前記反射層の開口部を通過させてレーザ光を前記光吸収層に照射し、前記レーザ光を照射された前記光吸収層上の前記材料層に含まれる材料を前記被成膜基板に成膜する成膜方法。
2. 第１の基板上に開口部を有する反射層を形成し、
   前記反射層上に光吸収層を形成し、
   前記光吸収層上に膜材料を含む液状の組成物を用いる湿式法によって材料層を形成して成膜用基板を作製し、
   前記成膜用基板の前記材料層形成面と、被成膜基板の被成膜面とが向き合うように、前記成膜用基板上方に前記被成膜基板を配置し、
   前記第１の基板及び前記反射層の開口部を通過させてレーザ光を前記光吸収層に照射し、前記レーザ光を照射された前記光吸収層上の前記材料層に含まれる材料を前記被成膜基板に成膜する成膜方法。
3. 第１の基板上に開口部を有する反射層を形成し、
   前記反射層上に透光性の断熱層を形成し、
   前記断熱層上に光吸収層を形成し、
   前記光吸収層上に膜材料を含む液状の組成物を用いる湿式法によって材料層を形成して成膜用基板を作製し、
   前記成膜用基板の前記材料層形成面と、被成膜基板の被成膜面とが向き合うように、前記成膜用基板と前記被成膜基板とを配置し、
   前記第１の基板、前記反射層の開口部、及び前記断熱層を通過させてレーザ光を前記光吸収層に照射し、前記レーザ光を照射された前記光吸収層上の前記材料層に含まれる材料を前記被成膜基板に成膜する成膜方法。
4. 第１の基板上に開口部を有する反射層を形成し、
   前記反射層上に透光性の断熱層を形成し、
   前記断熱層上に光吸収層を形成し、
   前記光吸収層上に膜材料を含む液状の組成物を用いる湿式法によって材料層を形成して成膜用基板を作製し、
   前記成膜用基板の前記材料層形成面と、被成膜基板の被成膜面とが向き合うように、前記成膜用基板上方に前記被成膜基板を配置し、
   前記第１の基板、前記反射層の開口部、及び前記断熱層を通過させてレーザ光を前記光吸収層に照射し、前記レーザ光を照射された前記光吸収層上の前記材料層に含まれる材料を前記被成膜基板に成膜する成膜方法。
5. 請求項１乃至４のいずれか一項において、前記湿式法によって形成された材料層に加熱処理を行うことを特徴とする成膜方法。
6. 請求項１乃至５のいずれか一項において、前記光吸収層にレーザ光を照射する工程は減圧下で行うことを特徴とする成膜方法。
7. 請求項１乃至６のいずれか一項において、前記湿式法は塗布法を用いることを特徴とする成膜方法。
8. 請求項１乃至７のいずれか一項において、前記レーザ光として周波数１０ＭＨｚ以上、パルス幅１００ｆｓ以上１０ｎｓ以下のレーザ光を用いることを特徴とする成膜方法。
9. 請求項１乃至８のいずれか一項において、前記断熱層を、前記レーザ光に対する透過率は６０％以上とし、かつ熱伝導率が前記反射層及び前記光吸収層に用いる材料の熱伝導率よりも小さい材料を用いて形成することを特徴とする成膜方法。
10. 請求項１乃至９のいずれか一項において、前記材料層を、有機化合物を含む液状の組成物を用いて形成することを特徴とする成膜方法。
11. 請求項１乃至１０のいずれか一項において、前記レーザ光を照射面で線状に成形することを特徴とする成膜方法。
12. 請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の成膜方法を用い、前記材料層の一部を、前記被成膜基板の被成膜面上に形成されている第１の電極上に成膜することを特徴とする発光装置の作製方法。

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