JP5394048B2 - 蒸着用基板 - Google Patents

Description

本明細書で開示する発明は、発光装置およびその作製方法に関する。また、基板上に成膜可能な材料の成膜に用いられる蒸着用基板に関する。

有機化合物は無機化合物に比べて、多様な構造をとることができ、適切な分子設計により様々な機能を有する材料を合成できる可能性がある。これらの利点から、近年、機能性有機材料を用いたフォトエレクトロニクスやエレクトロニクスに注目が集まっている。

例えば、有機化合物を機能性有機材料として用いたエレクトロニクスデバイスの例として、太陽電池や発光素子、有機トランジスタ等が挙げられる。これらは有機化合物の電気物性および光物性を利用したデバイスであり、特に発光素子はめざましい発展を見せている。

発光素子の発光機構は、一対の電極間にエレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、以下ＥＬとも記す）層を挟んで電圧を印加することにより、陰極から注入された電子および陽極から注入された正孔がＥＬ層の発光中心で再結合して分子励起子を形成し、その分子励起子が基底状態に緩和する際にエネルギーを放出して発光するといわれている。励起状態には一重項励起と三重項励起が知られ、発光はどちらの励起状態を経ても可能であると考えられている。

発光素子を構成するＥＬ層は、少なくとも発光層を有する。また、ＥＬ層は、発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層などを有する積層構造とすることもできる。

また、ＥＬ層を形成するＥＬ材料は低分子系（モノマー系）材料と高分子系（ポリマー系）材料に大別される。一般に、低分子系材料は蒸着装置を用いて成膜され、高分子系材料はインクジェット法などを用いて成膜されることが多い。従来の蒸着装置は基板ホルダに基板を設置し、ＥＬ材料、つまり蒸着材料を封入したルツボ（または蒸着ボート）と、ルツボ内のＥＬ材料を加熱するヒーターと、昇華するＥＬ材料の拡散を防止するシャッターとを有している。そして、ヒーターにより加熱されたＥＬ材料が昇華し、基板に成膜される。このとき、均一に成膜を行うために、被成膜基板を回転させ、さらに、３００ｍｍ×３６０ｍｍの大きさの基板でも、基板とルツボとの間の距離は１ｍ程度離す必要がある。

上記の方法で、赤、緑、青の発光色を用いてフルカラーのフラットパネルディスプレイを作製することを考えた場合、基板と蒸発源との間に、基板と接してメタルマスクが設置され、このマスクを介して塗り分けが実現される。しかし、この方法は、成膜精度がそれほど高くないため、異なる画素間の間隔を広く設計し、画素間に設けられる絶縁物からなる隔壁（バンク）の幅を広くする必要がある。このため、高精細の表示装置への適用が困難になっている。

また、赤、緑、青の発光色を用いるフルカラーのフラットパネルディスプレイとして、より高精細化や高開口率化や高信頼性の要求が高まっている。こうした要求は、発光装置の高精細化（画素数の増大）及び小型化に伴う各表示画素ピッチの微細化を進める上で大きな課題となっている。また、同時に生産性の向上や低コスト化の要求も高まっている。

そこで、レーザ熱転写により、発光素子のＥＬ層を形成する方法が提案されている（特許文献１参照）。特許文献１では、光熱変換層を介して支持基板上に転写層が成膜されている転写用基板と、素子作成用基板とを対向配置して、転写用基板にレーザ光（以下、レーザビームとも表記する）を照射することにより転写層を素子作成用基板に転写するＥＬ層の形成方法について記載されている。

また、特許文献１には、素子作成用基板に転写層を転写した転写用基板を、別の素子作成用基板への転写に用いることで、転写用基板に設けられた転写層の利用効率を向上させる方法が開示されている。
特開２００６−３０９９９４号公報

しかしながら、特許文献１の転写用基板では、一画素に対応する領域を選択的にレーザ照射して転写しているため、高精度なレーザ照射が必要となる。また、精度良くレーザが照射された場合であっても、光電変換層内を熱が伝導することで、転写される領域が広がってしまう可能性がある。

また、特許文献１の図１０に記載された構成では、開口を有する遮蔽マスクを介して転写用基板の全面に熱源からの熱を与えることにより、遮蔽マスクの開口に対応した転写層を素子作成用基板へ転写している。この構成によっても、光熱変換層内を面方向に熱が伝導することによって、所望の転写層だけでなく、その周りの転写層も転写されてしまう可能性がある。さらに、レーザ照射された遮蔽マスクが、レーザ光の熱によって膨張してしまうため、膨張によって遮蔽マスクが撓んでしまい、ＥＬ層を精度良く形成することができない。

よって、発光装置の高精細化（画素数の増大）及び小型化に伴う各表示画素ピッチの微細化を進めることが可能な発光装置の作製方法および蒸着用基板を提供することを目的の一とする。また、精度良くＥＬ層を成膜することが可能な発光装置の作製方法を提供することを目的の一とする。

また、赤、緑、青の発光色を用いるフルカラーのフラットパネルディスプレイを作製する場合において、製造コストを削減した発光装置の作製方法を提供することを目的の一とする。

本明細書で開示する蒸着用基板の一は、第１の支持基板上に形成された開口部を有する反射層と、反射層と裏面が接して配置された第２の支持基板と、第２の支持基板表面に形成された光吸収層と、光吸収層上に形成された材料層と、を有し、光吸収層は、島状またはストライプ状にパターン形成されており、反射層の開口部と、光吸収層と、が重なるように、第１及び第２の支持基板が配置されている。

また、上記構成において、反射層の開口部は、Ｎ箇所（Ｎは２以上の整数）の光吸収層のパターンに対して１箇所の間隔で設けられている。また、反射層の開口部は、３箇所の前記光吸収層のパターンに対して１箇所の間隔で設けられているのが好ましい。

また、上記構成において、第１の支持基板と第２の支持基板とは、同一の熱膨張率を有する。また、第１の支持基板及び第２の支持基板として、同じ材質の基板が用いられているのが好ましい。

本明細書で開示する発光装置の作製方法の一は、開口部を有する反射層が表面に形成された第１の支持基板と、島状又はストライプ状にパターン形成された光吸収層、及び光吸収層上に形成された材料層を表面に有する第２の支持基板と、を用意し、反射層の開口部と、光吸収層が重なり、且つ、反射層と第２の支持基板の裏面が接するように、第１及び第２の支持基板を配置し、第２の支持基板の表面と、被成膜基板を対向させて配置し、第１の支持基板の裏面側から光の照射を行い、材料層を加熱して被成膜基板にＥＬ層を形成する。

また、本明細書で開示する発光装置の作製方法の一は、開口部を有する反射層が表面に形成された第１の支持基板と、島状又はストライプ状にパターン形成され、少なくとも第１及び第２の領域を有する光吸収層、及び、光吸収層上に形成された材料層を表面に有する第２の支持基板と、を用意する工程と、反射層の開口部と、光吸収層の第１の領域が重なり、且つ、反射層と第２の支持基板の裏面が接するように、第１及び第２の支持基板を配置し、第２の支持基板の表面と、被成膜基板を対向させて配置し、第１の支持基板の裏面側から光の照射を行い、光吸収層の第１の領域と接する前記材料層を加熱して被成膜基板に蒸着する第１の転写工程と、反射層の開口部と、光吸収層の第２の領域が重なり、且つ、反射層と第２の支持基板の裏面が接するように、第１及び第２の支持基板を配置し、第２の支持基板の表面と、被成膜基板を対向させて配置し、第１の支持基板の裏面側から光の照射を行い、光吸収層の第２の領域と接する材料層を加熱して、被成膜基板に蒸着する第２の転写工程と、を有する。

また、上記の発光装置の作製方法において、反射層の開口部は、Ｎ箇所（Ｎは２以上の整数）の光吸収層のパターンに対して１箇所の間隔で設けられている。また、反射層の開口部は、３箇所の前記光吸収層のパターンに対して１箇所の間隔で設けられているのが好ましい。

また、上記の発光装置の作製方法において、第１の支持基板、第２の支持基板及び被成膜基板は、同一の熱膨張率を有する。また、第１の支持基板、第２の支持基板及び被成膜基板として、同じ材質の基板が用いられているのが好ましい。

なお、本明細書において、転写工程とは、蒸着用基板を構成する第１の支持基板及び第２の支持基板を配置する工程と、蒸着用基板と被成膜基板を対向させて配置する工程と、蒸着用基板に光を照射して、蒸着用基板上に設けられた材料層を加熱して、被成膜基板にＥＬ層を成膜する工程と、を含むものとする。

なお、本明細書において使用した程度を表す用語、例えば「同一」、「同じ」、「近似」などは、最終結果が顕著には変化しないように幾分変更された用語の合理的な逸脱の程度を意味する。これらの用語は、幾分変更された用語の少なくとも±５％の逸脱を含むものとして解釈されるべきであるが、この逸脱が幾分変更される用語の意味を否定しないことを条件とする。

被成膜基板にＥＬ層を形成する際のパターン形成の精度が高くなる。よって、特性の優れた発光装置を得ることができる。

また、発光装置の製造コストを削減することができる。

本発明の実施の形態について、図面を用いて以下に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の主旨及びその範囲から逸脱することなく、その形態及び詳細を様々に変更しうることは、当業者であれば容易に可能である。したがって、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構成において、同じものを指す符号は異なる図面間で共通して用いる場合がある。

（実施の形態１）
本発明の一態様である発光装置の作製方法および蒸着用基板を、図１及び図２を用いて説明する。

図１（Ａ）は蒸着用基板１１０である。図１（Ａ）において、第１の支持基板１０１の表面に反射層１０３が形成されている。反射層１０３は島状又はストライプ状の開口部を有している。また、反射層１０３と、第２の支持基板１０５の裏面が接して配置されている。第２の支持基板１０５の表面には、島状又はストライプ状にパターン形成された光吸収層１０７が形成されている。また、光吸収層１０７上には、材料層１０９が形成されている。図１（Ａ）においては、材料層１０９は、第２の支持基板１０５全面を覆うように形成されている。

第１の支持基板１０１は、反射層１０３の支持基板であり、発光装置の作製工程において、材料層を加熱する為に照射する光を透過する基板である。よって、第１の支持基板１０１は、光の透過率の高い基板であることが好ましい。具体的には、材料層１０９を蒸着するためにランプ光やレーザ光を用いた場合、第１の支持基板１０１として、それらの光を透過する基板を用いることが好ましい。第１の支持基板としては、例えば、ガラス基板、石英基板、無機ガラスを含むプラスチック基板などを用いることができる。

反射層１０３は、発光装置の作製工程において、材料層１０９を加熱するために照射する光を反射して、反射層１０３と重なる領域に配置された材料層１０９に、蒸着に必要な熱を与えないように遮断する層である。反射層１０３は、照射される光に対して、反射率が８５％以上、さらに好ましくは、９０％以上の高い反射率を有する材料で形成されていることが好ましい。例えば、８００ｎｍ乃至２５００ｎｍの赤外領域の光を照射する場合、反射層１０３の材料として、銀、金、白金、銅、アルミニウム、アルミニウムを含む合金、または、銀を含む合金などを用いることができる。特に、アルミニウム−チタン合金、アルミニウム−ネオジム合金、銀−ネオジム合金は、赤外領域の光（波長８００ｎｍ以上）に対して高い反射率を有しているため、反射層として好適に用いることができる。例えば、アルミニウム−チタン合金膜は、膜厚が４００ｎｍの場合、赤外領域（波長８００ｎｍ以上２５００ｎｍ以下）にわたって、８５％以上の反射率を示し、特に、波長が９００ｎｍ以上２５００ｎｍ以下の範囲については９０％以上の反射率を示す。なお、第１の支持基板１０１に照射する光の波長により、反射層１０３に好適な材料の種類は変化する。また、反射層は一層に限らず複数の層により構成されていてもよい。

さらに好ましくは、反射層１０３は、熱伝導率の低い材料で形成されていることが好ましい。熱伝導率の低い材料を用いることにより、被成膜基板へのＥＬ層の微細なパターン形成が可能となる。

また、反射層１０３は一層に限らず複数の層により構成されていてもよい。例えば、反射率の高い材料からなる膜と熱伝導率の低い材料からなる膜を積層して、反射層として用いても良い。

反射層１０３は、種々の方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法などにより形成することができる。また、反射層の膜厚は、材料により異なるが、概ね１００ｎｍ以上２μｍ以下であることが好ましい。１００ｎｍ以上であることにより、照射した光が反射層を透過することを抑制できる。

また、反射層１０３に開口部を形成する際には種々の方法を用いることができるが、ドライエッチングを用いることが好ましい。ドライエッチングを用いることにより、開口部の側壁が垂直に近い形状となり、微細なパターンを形成することができる。

第２の支持基板１０５は、光吸収層１０７及び材料層１０９の支持基板であり、発光装置の作製工程において、材料層１０９を加熱するために照射する光を透過する基板である。よって、第２の支持基板１０５は、光の透過率の高い基板であることが好ましい。具体的には、材料層１０９を蒸着するための光源にランプ光やレーザ光を用いた場合、第２の支持基板１０５として、それらの光を透過する基板を用いることが好ましい。また、第２の支持基板１０５としては、熱伝導率が低い材料を用いることが好ましい。熱伝導率が低いことにより、第１の支持基板１０１上に形成された反射層１０３が加熱された場合でも、反射層１０３に接する第２の支持基板１０５を介して光吸収層１０７に熱が伝わることを抑制することができ、反射層１０３と重なる領域に位置する材料層１０９が加熱されて蒸着するのを防止できる。第２の支持基板としては、例えば、ガラス基板、石英基板、無機ガラスを含むプラスチック基板などを用いることができる。

光吸収層１０７は発光装置の作製工程において、材料層１０９を加熱するために照射する光を吸収して熱へと変換する層である。光吸収層１０７は、照射される光に対して、７０％以下の低い反射率を有し、また、高い吸収率を有する材料で形成されていることが好ましい。また、光吸収層１０７は、それ自体が熱によって変化しないように、耐熱性に優れた材料で形成されていることが好ましい。光吸収層１０７は一層に限らず複数の層により構成されていてもよい。光吸収層１０７は、反射層１０３の開口部と重なる領域に配置されている。また、反射層の開口部を透過した光が、光吸収層１０７で吸収され、当該領域の光吸収層と接する材料層１０９を加熱するため、光吸収層１０７は、被成膜基板に形成される画素と概略同じ大きさにパターン形成されているのが好ましい。なお、光吸収層１０７をストライプ状とする場合は、被成膜基板に形成される画素の幅と光吸収層１０７の幅を概略等しく形成するのが好ましい。

反射層１０３の開口部は、Ｎ箇所（Ｎは２以上の整数）の光吸収層１０７のパターンに対して１箇所の間隔で設けられているのが好ましく、３箇所の光吸収層１０７のパターンに対して１箇所の間隔で設けられていることがより好ましい。Ｎ箇所の光吸収層１０７のパターンに対して１箇所の反射層１０３の開口部を設けることで、Ｎ回の転写工程によって、光吸収層１０７の第１乃至第Ｎの領域上に位置する材料層１０９がそれぞれ加熱されて、光吸収層１０７の第１乃至第Ｎの全ての領域上に位置する材料層１０９を被成膜基板２０１に転写することができる。例えば、３箇所の光吸収層１０７のパターンに対して１箇所の間隔で反射層１０３の開口部が設けられている場合、３回の転写工程によって、第１乃至第３の領域の光吸収層１０７上に位置する材料層１０９を被成膜基板２０１に転写することができる。

また、３箇所の光吸収層１０７のパターンに対して１箇所の間隔で反射層１０３の開口部を設けることで、一度の転写工程で２画素おきに材料層を被成膜基板へと転写することができるため、被成膜基板を用いてフルカラー表示可能な表示装置を作製する場合に有効となる。本実施の形態においては、３箇所の光吸収層１０７のパターンに対して、１箇所の間隔で反射層１０３の開口部が設けられた蒸着用基板を用いて、フルカラー表示に対応する被成膜基板を作製する工程を例に説明する。

光吸収層１０７に好適な材料の種類は、材料層を加熱するために照射する光の波長により異なる。例えば、波長８００ｎｍの光に対しては、モリブデン、窒化タンタル、チタン、タングステンなどを用いることが好ましい。また、波長１３００ｎｍの光に対しては、窒化タンタル、チタンなどを用いることが好ましい。

なお、モリブデン膜およびタングステン膜は、例えば、膜厚４００ｎｍとした場合、波長８００ｎｍ以上９００ｎｍ以下の光に対しては、反射率が６０％以下であるため、光吸収層として好適に用いることができる。また、波長２０００ｎｍ〜２５００ｎｍの光に対しては、反射率が８５％以上であるため、反射層として用いることができる。

光吸収層１０７は、種々の方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタリング法で、モリブデン、タンタル、チタン、タングステンなどのターゲット、またはこれらの合金を用いたターゲットを用い、光吸収層１０７を形成することができる。また、光吸収層は一層に限らず複数の層により構成されていてもよい。

なお、光吸収層１０７をパターン形成する際には、種々の方法を用いることができるが、ドライエッチングを用いることが好ましい。ドライエッチングを用いることにより、パターン形成された光吸収層１０７の側壁が垂直に近い形状となり、微細なパターンを形成することができる。

光吸収層の膜厚は、照射される光が透過しない膜厚であることが好ましい。材料によって異なるが、１００ｎｍ以上２μｍ以下の膜厚であることが好ましい。特に、光吸収層１０７の膜厚を２００ｎｍ以上６００ｎｍ以下とすることで、照射される光を効率良く吸収して発熱させることができる。

なお、光吸収層１０７は、材料層１０９に含まれる蒸着材料が昇華温度まで加熱されるのであれば、照射する光の一部が透過してもよい。ただし、一部が透過する場合には、光が照射しても分解しない材料を、材料層１０９に用いることが好ましい。

なお、反射層と光吸収層の反射率は差が大きいほど好ましい。具体的には、照射する光の波長に対して、反射率の差が２５％以上、より好ましくは３０％以上であることが好ましい。

材料層１０９は加熱により転写される層である。材料層に含まれる蒸着材料としては、種々の材料が挙げられる。また、材料層１０９は複数の材料を含んでいてもよい。また、材料層１０９は、単層でもよいし、複数の層が積層されていてもよい。材料層を複数積層することにより、共蒸着することが可能である。なお、材料層を複数積層する場合には、第２の支持基板１０５側に分解温度が低い蒸着材料を含むように積層されていることが好ましい。または、第２の支持基板１０５側に蒸着温度が低い蒸着材料を含むように積層されていることが好ましい。このような構成とすることにより、蒸着材料を含む複数の材料層を効率良く加熱することができ、蒸着することができる。なお、本明細書において「蒸着温度」とは、材料が昇華する温度を示す。また、「分解温度」とは、熱の作用によって、材料を示す化学式の少なくとも一部に変化が起こる温度を示す。

材料層１０９は、種々の方法により形成される。例えば、乾式法である真空蒸着法、スパッタリング法等を用いることができる。また、湿式法であるスピンコート法、スプレーコート法、インクジェット法、ディップコート法、キャスト法、ダイコート法、ロールコート法、ブレードコート法、バーコート法、グラビアコート法、又は印刷法等を用いることができる。これら湿式法を用いて材料層１０９を形成するには、所望の蒸着材料を溶媒に溶解あるいは分散させ、溶液あるいは分散液を調整すればよい。溶媒は、蒸着材料を溶解あるいは分散させることができ、且つ蒸着材料と反応しないものであれば特に限定されない。例えば、クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、或いはクロロベンゼンなどのハロゲン系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ｎ−プロピルメチルケトン、或いはシクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、ベンゼン、トルエン、或いはキシレンなどの芳香族系溶媒、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、プロピオン酸エチル、γ−ブチロラクトン、或いは炭酸ジエチルなどのエステル系溶媒、テトラヒドロフラン、或いはジオキサンなどのエーテル系溶媒、ジメチルホルムアミド、或いはジメチルアセトアミドなどのアミド系溶媒、ジメチルスルホキシド、ヘキサン、又は水等を用いることができる。また、これらの溶媒複数種を混合して用いてもよい。湿式法を用いることにより、材料の利用効率を高めることができ、発光装置を作製するコストを低減することができる。

なお、後の工程で被成膜基板２０１上に形成されるＥＬ層の膜厚および均一性は、第２の支持基板１０５上に形成された材料層１０９に依存する。従って、均一に材料層１０９を形成することが重要となってくる。なお、ＥＬ層の膜厚および均一性が保たれるのであれば、材料層１０９は必ずしも均一の層である必要はない。例えば、微細な島状に形成されていてもよいし、凹凸を有する層状に形成されていてもよい。また、材料層１０９の膜厚を制御することにより、容易に被成膜基板２０１上に形成されるＥＬ層２０７の膜厚を制御することができる。

なお、蒸着材料としては、有機化合物、無機化合物、又は、無機化合物を含有する有機化合物にかかわらず、種々の材料を用いることができる。特に、有機化合物は無機化合物に比べ、蒸着温度が低い材料が多いため、光の照射により蒸着することが容易であり、発光装置の作製方法に好適である。例えば、有機化合物としては、発光装置に用いられる発光材料、キャリア輸送材料などが挙げられる。また、無機化合物としては、発光装置のキャリア輸送層やキャリア注入層、電極などに用いられる金属酸化物、金属窒化物、ハロゲン化金属、金属単体などがあげられる。

なお、図１（Ａ）において、反射層１０３の開口部と、光吸収層１０７の第１の領域と、が重なるように、第１の支持基板１０１と第２の支持基板１０５が位置合わせされている。第１の支持基板１０１及び第２の支持基板１０５の少なくとも一方には、位置合わせ用のマーカを設けることが好ましい。なお、第１の支持基板１０１において、位置合わせのマーカ周辺の反射層１０３は予め除去しておくのが好ましく、第２の支持基板１０５において、位置合わせのマーカ周辺の光吸収層及び材料層は予め除去しておくことが好ましい。

次に、図１（Ｂ）に示すように、蒸着用基板１１０において、光吸収層１０７および材料層１０９が形成された面に対向する位置に、被成膜基板２０１を配置する。被成膜基板２０１は、蒸着処理により所望のＥＬ層が成膜される基板である。そして、蒸着用基板１１０と被成膜基板２０１とを至近距離、具体的には蒸着用基板１１０に設けられた材料層１０９の表面と被成膜基板２０１との距離ｄを、０ｍｍ以上２ｍｍ以下、好ましくは０ｍｍ以上０．０５ｍｍ以下、より好ましくは０ｍｍ以上０．０３ｍｍ以下となるように近づけて近接させる。

なお、距離ｄは、第２の支持基板１０５上に形成された材料層１０９の表面と、被成膜基板２０１の表面との距離で定義する。また、被成膜基板２０１上に何らかの層（例えば、電極として機能する導電層や隔壁として機能する絶縁層等）が形成されている場合、距離ｄは、材料層１０９の表面と、被成膜基板上に形成された層の表面との距離で定義する。ただし、材料層１０９或いは被成膜基板２０１上に形成された層の表面に凹凸を有する場合は、距離ｄは、材料層１０９の最表面と、被成膜基板或いは被成膜基板上に形成された層の最表面との間の最も短い距離で定義する。

距離ｄを小さくすることで、材料の利用効率を向上させることができる。また、被成膜基板に形成される層のパターン形成の精度を向上させることができる。なお、材料の利用効率を向上させるため、また、パターン形成の精度を向上させるために、蒸着用基板１１０と被成膜基板２０１の基板間の距離は短いほうが好ましいが、本発明はこれに限定されるものではない。

図１（Ｂ）、（Ｃ）において、被成膜基板２０１は、第１の電極層２０３を有している。第１の電極層２０３の端部は絶縁物２０５で覆われていることが好ましい。絶縁物２０５を設けることで、距離ｄを０ｍｍとした場合、すなわち蒸着用基板１１０の最表面と被成膜基板２０１の最表面が接している場合にも、第２または第３の領域の光吸収層１０７上に位置する材料層１０９と、画素形成領域と、が接するのを防ぐことができる。本実施の形態において、第１の電極層２０３は、発光素子の陽極あるいは陰極となる電極を示している。

なお、図１（Ｂ）において、反射層１０３の開口部と、第１の電極層２０３とが重なるように、蒸着用基板１１０と被成膜基板２０１が位置合わせされている。よって、被成膜基板には、位置合わせ用のマーカを設けることが好ましい。また、第２の支持基板１０５にも、位置合わせ用のマーカを設けることが好ましい。なお、第２の支持基板１０５において、位置合わせのマーカ周辺の光吸収層１０７及び材料層１０９は予め除去しておくのが好ましい。また、蒸着用基板１１０と被成膜基板２０１との位置合わせに用いるマーカは、第１の支持基板１０１と第２の支持基板１０５との位置合わせに用いたマーカと兼用することができる。

そして、図１（Ｃ）に示すように、蒸着用基板１１０の第１の支持基板１０１側から光を照射する。照射された光は、反射層１０３が形成された領域においては反射し、反射層１０３に設けられた開口部においては透過して、開口部と重なる光吸収層１０７の第１の領域において吸収される。吸収された光が熱エネルギーへと変換されることで、当該領域の光吸収層１０７と接する材料層１０９が加熱され、蒸着材料が第１の電極層上に蒸着される。これによってＥＬ層２０７が成膜される（第１の転写工程）。

なお、反射率が８５％以上の材料を用いて反射層１０３を形成したとしても、蒸着用基板１１０に光を照射した際に、照射する光の熱量によっては、ある程度の熱の吸収が考えられる。しかしながら、蒸着用基板としては、反射層１０３に接して、熱伝導率の低い材料を用いた第２の支持基板１０５が設けられていることが好ましく、反射層１０３が加熱された場合であっても、第２の支持基板１０５において光吸収層１０７への熱の伝導を遮断することができる。また、光吸収層１０７は、島状またはストライプ状にパターン形成されているため、光吸収層が第２の支持基板１０５の全面に形成されている場合と比較して、光吸収層１０７で発生した熱が面方向に伝導するのを防ぐことができる。これによって、反射層１０３の開口部と重なる領域の材料層１０９を選択的に加熱して、被成膜基板上に高精度で所望のパターンを有するＥＬ層２０７を形成することができる。

本実施の形態において、第１の支持基板１０１、第２の支持基板１０５及び被成膜基板２０１は、同じ材質の基板を用いることが好ましい。第１の支持基板１０１、第２の支持基板１０５及び被成膜基板を同じ材質とすることで、当該３枚の基板の有する熱膨張率を等しくすることができる。したがって、蒸着用基板に光を照射した際に、蒸着用基板が熱によって膨張した場合であっても、被成膜基板も同じ熱膨張率で膨張するため、膨張率の違いによる転写精度の低減を抑制することができる。なお、第１の支持基板１０１、第２の支持基板１０５及び被成膜基板２０１は、必ずしも同じ材質の基板とする必要はなく、熱膨張率の差異が転写精度に影響を与えない程度近似している場合は、異なる材質の基板を用いても構わない。

また、蒸着用基板は、従来の遮光マスクに変えて、開口部を有する反射層１０３が設けられた第１の支持基板１０１を用いている。第１の支持基板１０１において、反射層１０３の開口部は、フォトリソグラフィ法によって形成されているため、開口部の側壁を垂直に近い形状に、かつ反射層の上面を平坦に形成することができ、第１の支持基板１０１と第２の支持基板１０５の密着性も向上する。第１の支持基板１０１と第２の支持基板１０５を密着させることで、反射層１０３と第２の支持基板１０５との隙間から光が入り込むのを防ぐことができるため、所望の光吸収層を精度良く照射することが可能となる。さらに、第１の支持基板１０１として、例えば、ガラス基板、石英基板、無機ガラスを含むプラスチック基板などを用いると、従来の遮光マスクと比較してハンドリングが容易であるため、好ましい。

照射する光の光源としては、種々の光源を用いることができる。

例えば、レーザ光の光源としては、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、エキシマレーザなどの気体レーザ、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ_４、フォルステライト（Ｍｇ_２ＳｉＯ_４）、ＹＡｌＯ_３、ＧｄＶＯ_４、若しくは多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ_２Ｏ_３、ＹＶＯ_４、ＹＡｌＯ_３、ＧｄＶＯ_４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ、銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザのうち一種または複数種から発振されるものを用いることができる。また、レーザ媒体が固体である固体レーザを用いると、メンテナンスフリーの状態を長く保てるという利点や、出力が比較的に安定している利点を有している。

また、レーザ光以外の光源としては、キセノンランプ、メタルハライドランプのような放電灯、ハロゲンランプ、タングステンランプのような発熱灯を用いることができる。また、これらの光源をフラッシュランプ（例えば、キセノンフラッシュランプ、クリプトンフラッシュランプなど）として用いてもよい。フラッシュランプは短時間（０．１ミリ秒乃至１０ミリ秒）で非常に強度の高い光を繰り返し、大面積に照射することができるため、蒸着用基板の面積にかかわらず、効率よく均一に加熱することができる。また、発光させる時間の長さを変えることによって蒸着用基板の加熱の制御もできる。また、フラッシュランプは寿命が長く、発光待機時の消費電力が低いため、ランニングコストを低く抑えることができる。

なお、照射する光としては、赤外光（波長８００ｎｍ以上）であることが好ましい。赤外光であることにより、光吸収層１０７が効率よく加熱され、蒸着材料を効率よく加熱することができる。

ここで、反射層１０３の開口部は、３箇所の光吸収層１０７のパターンに対して１箇所の間隔で設けられているため、材料層１０９も反射層１０３の開口部の繰り返しパターンに合わせて転写され、その間は光吸収層１０７上に材料層１０９が残った状態となる。本実施の形態の蒸着用基板は、反射層１０３が形成された第１の支持基板１０１と、光吸収層１０７及び材料層１０９が形成された第２の支持基板１０５の２枚の支持基板によって構成されているため、この２枚の支持基板の位置関係をずらすことによって、第１の転写工程で残った材料層１０９を、次の転写においても利用することができる。

図２（Ａ）は、上述した第１の転写工程で使用した蒸着用基板１１０を用いた、第２の転写工程を示す。図２（Ａ）に示す第２の転写工程においては、反射層１０３の開口部と、光吸収層１０７の第２の領域と、が重なるように、第１の支持基板１０１と第２の支持基板１０５が位置合わせされている。よって、第１の支持基板１０１及び第２の支持基板１０５の少なくとも一方には、第２の転写工程に対応する位置合わせ用のマーカを設けることが好ましい。なお、光吸収層１０７の第２の領域は、先の転写工程で光が照射された光吸収層１０７の第１の領域に隣接する領域であり、第１の支持基板１０１及び第２の支持基板１０５のどちらか、又は双方を、光吸収層のパターンの間隔分シフトさせて配置させればよい。

第１の支持基板１０１と第２の支持基板１０５を位置合わせした蒸着用基板１１０を、被成膜基板２０１と対向配置して、位置合わせをする。よって、蒸着用基板１１０及び被成膜基板２０１の少なくとも一方には、第２の転写工程に対応する位置合わせ用のマーカを設けることが好ましい。蒸着用基板１１０と被成膜基板２０１とは第１の転写工程とは、蒸着用基板１１０の幅分ずらして配置されている。なお、本実施の形態の蒸着用基板１１０を用いて、単色表示に対応する被成膜基板を作製する場合には、蒸着用基板１１０の開口部及び被成膜基板２０１を、第１の転写工程とは、１画素分ずらして配置するのが好ましい。また、位置合わせの際には、蒸着用基板１１０及び被成膜基板２０１のどちらを移動させても良く、双方を移動させても良い。または、被成膜基板２０１を移動させる代わりに、別の被成膜基板と対向配置させてもよい。

位置合わせを行った後は、蒸着用基板１１０の第１の支持基板１０１側から光を照射する。照射された光は、反射層１０３が形成された領域においては反射し、反射層１０３に設けられた開口部においては透過して、開口部と重なる光吸収層１０７の第２の領域において吸収される。吸収された光が熱エネルギーへと変換されることで、当該領域の光吸収層１０７と接する材料層１０９が加熱され、蒸着材料が第１の電極層上に蒸着される。これによってＥＬ層２０７が成膜される（第２の転写工程）。

図２（Ｂ）は、上述した第１及び第２の転写工程で使用した蒸着用基板１１０を用いた、第３の転写工程を示す。図２（Ｂ）に示す第３の転写工程においては、反射層１０３の開口部と、光吸収層１０７の第３の領域と、が重なるように、第１の支持基板１０１と第２の支持基板１０５が位置合わせされている。よって、第１の支持基板１０１及び第２の支持基板１０５の少なくとも一方には、第３転写工程に対応する位置合わせ用のマーカを設けることが好ましい。なお、光吸収層１０７の第３の領域は、第２の転写工程で光が照射された光吸収層１０７の第２の領域に隣接する領域であり、第１の支持基板１０１及び第２の支持基板１０５のどちらか、又は双方を、光吸収層のパターンの間隔分シフトさせて配置させればよい。

第１の支持基板１０１と第２の支持基板１０５を位置合わせした蒸着用基板１１０を、被成膜基板２０１と対向配置して、位置合わせをする。よって、蒸着用基板１１０及び被成膜基板２０１の少なくとも一方には、第３の転写工程に対応する位置合わせ用のマーカを設けることが好ましい。蒸着用基板１１０と被成膜基板２０１とは第２の転写工程とは、蒸着用基板１１０の幅分ずらして配置されている。なお、本実施の形態の蒸着用基板１１０を用いて、単色表示に対応する被成膜基板を作製する場合には、蒸着用基板１１０の開口部及び被成膜基板２０１を、第２の転写工程とは、１画素分ずらして配置するのが好ましい。また、位置合わせの際には、蒸着用基板１１０及び被成膜基板２０１のどちらを移動させても良く、双方を移動させても良い。または、被成膜基板２０１を移動させる代わりに、別の被成膜基板と対向配置させてもよい。

位置合わせを行った後は、蒸着用基板１１０の第１の支持基板１０１側から光を照射する。照射された光は、反射層１０３が形成された領域においては反射し、反射層１０３に設けられた開口部においては透過して、開口部と重なる光吸収層１０７の第３の領域において吸収される。吸収された光が熱エネルギーへと変換されることで、当該領域の光吸収層１０７と接する材料層１０９が加熱され、蒸着材料が第１の電極層上に蒸着される。これによってＥＬ層２０７が成膜される（第３の転写工程）。

以上示した第１乃至第３の転写工程によって、蒸着用基板１１０上に形成された第１乃至第３の領域の光吸収層上の全ての領域の材料層１０９を被成膜基板２０１に転写することができる。

本実施の形態の発光装置の作製方法において、輻射熱ではなく、光源からの光で光吸収層を加熱させることが特徴である。また、蒸着用基板１１０に形成された材料層１０９の全てが蒸着されないようにするため、光を照射する時間は、比較的短くてよい。例えば、ハロゲンランプを光源として用いた場合、５００℃〜８００℃を７〜１５秒間程度保持することで、材料層を蒸着することができる。

また、成膜は減圧雰囲気で行われることが好ましい。減圧雰囲気は、成膜室内を真空排気手段により真空度が５×１０^−３Ｐａ以下、好ましくは１０^−４Ｐａ乃至１０^−６Ｐａ程度の範囲になるように真空排気することで得られる。

また、光源として、レーザ光などの指向性が高い光源を用いる場合には、反射層１０３の開口部を透過した光が指向性を持って光吸収層１０７に照射され、光吸収層１０７の光が照射された部分に接する材料層１０９が加熱される。つまり、反射層１０３の開口部を通過した光の広がりが少ない。よって、反射層１０３の開口部に対応する領域とほぼ同じ範囲の材料層１０９が蒸着されるため、反射層１０３の開口部の幅及び光吸収層１０７のパターンの幅は画素の幅と概略等しくすることができる。また、照射する光のまわりこみが少ないため、光を照射する面から見て、反射層１０３の端部の位置と光吸収層１０７の端部の位置が揃っている構成としてもよい。

一方、光源として、フラッシュランプなどの指向性が低い光源を用いる場合には、反射層１０３の開口部を通過した光が第２の支持基板１０５を通過する間に広がって、光吸収層１０７に照射されるという現象が起こる。そして、反射層１０３の開口部に対応する領域よりも広範囲の材料層１０９が蒸着される。したがって、照射する光が広がることを考慮して、反射層１０３の開口部を画素の大きさよりも小さくすることが好ましい。また、反射層１０３の開口部の大きさを光吸収層１０７のパターンの幅よりも小さくすることが望ましい。

また、本実施の形態では、被成膜基板２０１が、蒸着用基板１１０の下方に位置する場合を図示したが、本発明はこれに限定されない。基板の設置する向きは適宜設定することができる。

本実施の形態の発光装置に適用する成膜方法は、第２の支持基板に形成した材料層１０９の膜厚によって、蒸着処理により被成膜基板２０１に成膜されるＥＬ層２０７の膜厚を制御することができる。つまり、第２の支持基板１０５に成膜した材料層１０９をそのまま蒸着すればよいため、膜厚モニターが不要である。よって、膜厚モニターを利用した蒸着速度の調節を使用者が行う必要がなく、成膜工程を全自動化することが可能である。そのため、生産性の向上を図ることができる。

また、本実施の形態の発光装置に適用する成膜方法は、材料層１０９に含有される蒸着材料を均一に加熱することができる。また、材料層１０９が複数の蒸着材料を含む場合、材料層１０９と同じ蒸着材料を略同じ重量比で含有するＥＬ層２０７を被成膜基板２０１に成膜することができる。このように、本発明に係る成膜方法は、蒸着温度の異なる複数の蒸着材料を用いて成膜する場合、共蒸着のようにそれぞれ蒸着レートを制御する必要がない。そのため、蒸着レート等の複雑な制御を行うことなく、所望の異なる蒸着材料を含む層を容易に精度良く成膜することができる。

また、本発明の一態様である蒸着用基板を適用することで、平坦でムラのない膜を成膜することが可能となる。また、発光層のパターン形成が容易となるため、発光装置の製造も簡便となる。また、微細なパターン形成が可能となるため、高精細な発光装置を得ることができる。また、光源として、レーザ光だけでなく、安価ではあるが熱量の大きなランプヒーター等を用いることができる。また、光源として、ランプヒーター等を用いることにより、大面積を一括して成膜することが可能となるため、タクト時間を短縮することができる。よって、発光装置の作製コストを削減することができる。

また、本発明の一態様である成膜方法は、所望の蒸着材料を無駄にすることなく、被成膜基板に成膜することが可能である。よって、蒸着材料の利用効率が向上し、コスト削減を図ることができる。また、成膜室内壁に蒸着材料が付着することも防止でき、成膜装置のメンテナンスを簡便にすることができる。

よって、この成膜方法を適用することで、所望の異なる蒸着材料を含む層の成膜が容易になり、当該異なる蒸着材料を含む層を用いた発光装置等の製造における生産性を向上させることが可能となる。

また、本実施の形態の蒸着用基板を用いることにより、蒸着材料の利用効率良く成膜することが可能となり、コスト削減を図ることができる。また、本実施の形態の蒸着用基板を用いることにより、精度良く、所望の形状の膜を形成することが可能となる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、上記実施の形態で説明した蒸着用基板を用いてフルカラー表示装置を作製する方法について説明する。

実施の形態１では、１枚の蒸着用基板を用いて、２画素おきに１色のＥＬ層を形成する例を示しているが、フルカラー表示装置を作製する場合には、複数回の成膜工程に分けて、発光色の異なる発光層をそれぞれ異なる領域に形成する。

フルカラー表示可能な発光装置の作製例を以下に説明する。ここでは、３色の発光層を用いる発光装置の例を示す。

図１（Ａ）に示す蒸着用基板を３枚用意する。それぞれの蒸着用基板には、それぞれ異なる蒸着材料を含む材料層を形成する。具体的には、赤色発光層用の材料層を設けた第１の蒸着用基板と、緑色発光層用の材料層を設けた第２の蒸着用基板と、青色発光層用の材料層を設けた第３の蒸着用基板とを用意する。

また、第１の電極層が設けられた被成膜基板を１枚用意する。なお、隣り合う第１の電極層同士が短絡しないように、第１の電極層の端部を覆う隔壁となる絶縁物を設けることが好ましい。発光領域となる領域は、第１の電極層の一部、即ち絶縁物と重ならずに露呈している領域に相当する。

そして、被成膜基板と第１の蒸着用基板とを重ね、位置合わせをした後、第１の蒸着用基板の第１の支持基板側から光を照射する。照射された光を、反射層の開口部上に位置する光吸収層が吸収することで、当該領域の光吸収層が発熱し、その光吸収層と接している赤色発光層用の材料層が加熱され、被成膜基板に設けられている第１の電極層上に、第１の蒸着用基板による第１の転写が行われる。また、第１の転写工程の後は、上記実施の形態で示したように、蒸着用基板を構成する第１又は第２の支持基板、あるいは被成膜基板を適宜移動させ、第２乃至第３の転写工程を行う。以上によって、赤色発光層用の材料層の成膜が行われる。第１の支持基板と第２の支持基板の配置をずらして複数回の転写に用いることで、赤色発光層用の材料層を効率よく利用することができる。成膜を終えたら、第１の蒸着用基板は、被成膜基板と離れた場所へ移動させる。

本実施の形態の蒸着用基板は、光吸収層がパターン形成されているため、光吸収層において変換された熱が光吸収層の面方向に伝導して、反射層の上部に位置する材料層が加熱されるのを防ぐことができる。また、反射層が加熱された場合であっても、第２の支持基板によって、光吸収層へ反射層の加熱により生じた熱が伝導するのを防ぐことができる。これによって、被成膜基板上に、精度良くＥＬ層を形成することができる。

次いで、被成膜基板と第２の蒸着用基板とを重ね、位置合わせをする。第２の蒸着用基板には、第１の蒸着用基板を用いて蒸着されたＥＬ層とは１画素分ずらした領域と重なる位置に反射層の開口部が配置されている。

そして、第２の蒸着用基板の裏面側から光を照射する。照射された光を、反射層の開口部上に位置する光吸収層が吸収することで、当該領域の光吸収層が発熱し、その光吸収層と接している緑色発光層用の材料層が加熱され、被成膜基板に設けられている第１の電極層上に、第２の蒸着用基板による第１の転写が行われる。また、第１の転写工程の後は、上記実施の形態で示したように、蒸着用基板を構成する第１又は第２の支持基板、あるいは被成膜基板を適宜移動させ、第２乃至第３の転写工程を行う。以上によって、緑色発光層用の材料層の成膜が行われる。第１の支持基板と第２の支持基板の配置をずらして複数回の転写に用いることで、緑色発光層用の材料層を効率よく利用することができる。成膜を終えたら、第２の蒸着用基板は、被成膜基板と離れた場所へ移動させる。

次いで、被成膜基板と第３の蒸着用基板とを重ね、位置合わせをする。第３の蒸着用基板には、第１の蒸着用基板を用いて蒸着されたＥＬ層とは２画素分ずらした領域と重なる位置に反射層の開口部が配置されている。

そして、第３の蒸着用基板の裏面側から光を照射して３回目の成膜を行う。この３回目の成膜を行う直前の様子が図３（Ａ）の上面図に相当する。反射層４１１は開口部４１２を有している。また、開口部４１２に対応する領域に光吸収層が形成されている。また、被成膜基板における開口部４１２に対応する領域は、第１の電極層が絶縁物４１３で覆われておらず露出している領域である。なお、図３（Ａ）中に点線で示した領域の下方にある被成膜基板には、既に１回目で成膜された第１の膜（Ｒ）４２１と２回目で成膜された第２の膜（Ｇ）４２２が位置している。

そして、３回目の成膜により、第３の膜（Ｂ）４２３が形成される（図３（Ｂ））。照射された光が反射層の開口部を通過し、開口部に対応する領域に形成された光吸収層において吸収されると、当該領域の光吸収層が発熱する。これによって、開口部に対応する領域に形成された光吸収層と接している青色発光層用の材料層が加熱され、被成膜基板に設けられている第１の電極層上に、第３の蒸着用基板による第１の転写が行われる。また、第１の転写工程の後は、上記実施の形態で示したように、蒸着用基板を構成する第１又は第２の支持基板、あるいは被成膜基板を適宜移動させ、第２乃至第３の転写工程を行う。以上によって、青色発光層用の材料層の成膜が行われる。第１の支持基板と第２の支持基板の配置をずらして複数回の転写に用いることで、青色発光層用の材料層を効率よく利用することができる。成膜を終えたら、第３の蒸着用基板は、被成膜基板と離れた場所へ移動させる。

こうして、第１の膜（Ｒ）４２１、第２の膜（Ｇ）４２２、第３の膜（Ｂ）４２３を一定の間隔をあけて選択的に形成する。そして、これらの膜上に第２の電極層を形成し、発光素子を形成する。

以上の工程でフルカラー表示装置を作製することができる。

図３では、蒸着用基板に形成された反射層の開口部４１２の形状を矩形とした例を示したが、特にこの形状に限定されず、ストライプ状の開口部としても良い。ストライプ状の開口部とした場合、同じ発光色となる発光領域の間にも成膜が行われるが、絶縁物４１３の上に形成されるため、絶縁物４１３と重なる部分は発光領域とはならない。

また、画素の配列も特に限定されず、図４（Ｂ）に示すように、１つの画素形状を多角形、例えば六角形としてもよく、第１の膜（Ｒ）４４１、第２の膜（Ｇ）４４２、第３の膜（Ｂ）４４３を配置してフルカラー表示装置を実現してもよい。図４（Ｂ）に示す多角形の画素を形成するために、図４（Ａ）に示す多角形の開口部４３２が設けられた反射層４３１を有する第１の支持基板と第２の支持基板を蒸着用基板として成膜すればよい。

本実施の形態を適用することで、発光素子を構成するＥＬ層を容易に形成することができ、当該発光素子を有する発光装置の製造も簡便になる。また、発光層のパターン形成が容易となるため、発光装置の製造も簡便となる。また、微細なパターン形成が可能となるため、高精細な発光装置を得ることができる。また、光源として、レーザ光だけでなく、安価ではあるが熱量の大きなランプヒーター等を用いることができる。よって、発光装置の作製コストを削減することができる。

また、本実施の形態を適用することにより、ホスト材料にドーパント材料が分散された発光層を形成する場合、共蒸着を適用する場合と比べ複雑な制御を必要としない。さらに、ドーパント材料の添加量等も制御し易いため、容易に精度良く成膜でき、所望の発光色も得られやすくなる。また、蒸着材料の利用効率も向上させることができるため、コスト削減を図ることもできる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、発光装置の作製を可能とする成膜装置の例について説明する。本実施の形態に係る成膜装置の断面の模式図を図５、図６に示す。

図５（Ａ）において、成膜室８０１は、真空チャンバーであり、第１のゲート弁８０２、及び第２のゲート弁８０３によって他の処理室と連結している。また、成膜室８０１内には、蒸着用基板支持手段８０４である蒸着用基板支持機構と、被成膜基板支持手段８０５である被成膜基板支持機構と、光源８１０を少なくとも有している。

まず、他の成膜室において、上記実施の形態で示した構成で、光吸収層を形成した第２の支持基板上に、材料層８０８を形成する。本実施の形態において、蒸着用基板は、第１の支持基板８０６及び第２の支持基板８０７を有する。また、第２の支持基板８０７は図１に示した第２の支持基板１０５に相当し、材料層１０９に相当する材料層８０８が設けられている。また、第１の支持基板８０６は、図１に示した第１の支持基板１０１に相当する。なお、図示していないが、第１の支持基板８０６と第２の支持基板８０７との間には、開口部を有する反射層が形成されており、また、第２の支持基板８０７と、材料層８０８との間には、上記実施の形態で示した構成で、光吸収層が形成されている。本実施の形態では、第１または第２の支持基板として、銅を主材料とした四角平板状の基板を用いる。また、材料層８０８としては、蒸着可能である材料を用いる。

なお、第１の支持基板８０６及び第２の支持基板８０７としては、特に形状は限定されない。また、材料層８０８の形成方法は乾式法や湿式法を用いることができ、特に湿式法であることが好ましい。例えば、スピンコート法、印刷法、またはインクジェット法などを用いることができる。

次いで、第１の支持基板８０６及び第２の支持基板８０７を成膜室８０１に搬送し、蒸着用基板支持機構にセットする。ここで、マーカによって、第１の支持基板８０６と第２の支持基板８０７とを位置合わせする。また、第２の支持基板８０７における材料層８０８の形成されている面と、被成膜基板８０９の被成膜面とが、対向するように、被成膜基板８０９を被成膜基板支持機構に固定する。

被成膜基板支持手段８０５を移動させて、第２の支持基板８０７と被成膜基板８０９の基板間隔が距離ｄとなるように近づける。なお、距離ｄは、第２の支持基板８０７上に形成された材料層８０８の表面と、被成膜基板８０９の表面との距離で定義する。また、被成膜基板８０９上に何らかの層（例えば、電極として機能する導電層や隔壁として機能する絶縁層等）が形成されている場合、距離ｄは、第２の支持基板８０７上の材料層８０８の表面と、被成膜基板８０９上に形成された層の表面との距離で定義する。ただし、被成膜基板８０９或いは被成膜基板８０９上に形成された層の表面に凹凸を有する場合は、距離ｄは、第２の支持基板８０７上の材料層８０８の表面と、被成膜基板８０９或いは被成膜基板８０９上に形成された層の最表面との間の最も短い距離で定義する。また、被成膜基板８０９が石英基板のように硬く、ほとんど変形（反り、撓みなど）しない材料であれば、距離ｄは０ｍｍを下限として近づけることができる。なお、距離ｄが０ｍｍとは、被成膜基板の最表面と蒸着用基板の最表面とが接している状態のことをいう。また、図５では基板間隔の制御は、蒸着用基板支持機構を固定し、被成膜基板支持機構を移動させる例を示しているが、蒸着用基板支持機構を移動させ、被成膜基板支持機構を固定する構成としてもよい。また、蒸着用基板支持機構と被成膜基板支持機構の両方を移動させても良い。なお、図５（Ａ）では、被成膜基板支持手段８０５を移動させて、蒸着用基板と被成膜基板を近づけて距離ｄとした段階の断面を示している。

また、蒸着用基板支持機構及び被成膜基板支持機構は、上下方向だけでなく、水平方向にも移動させる機構としてもよく、精密な位置合わせを行う構成としてもよい。また、精密な位置合わせや距離ｄの測定を行うため、成膜室８０１にＣＣＤなどのアライメント機構を設けてもよい。また、成膜室８０１内を測定する温度センサや、湿度センサなどを設けてもよい。

光源８１０から光を蒸着用基板に照射する。これにより、短時間に第２の支持基板上の材料層８０８を加熱して、対向して配置された被成膜基板８０９の被成膜面（即ち、下面）に蒸着材料が成膜される。図５（Ａ）に示す成膜装置において、蒸着源である材料層８０８をそのまま蒸着すれば良いため、膜厚モニターを設置しなくとも、被成膜基板に膜厚均一性の高い成膜を行うことができる。また、従来の蒸着装置は、基板を回転させていたが、図５（Ａ）に示す成膜装置は、被成膜基板を停止して成膜するため、割れやすい大面積のガラス基板への成膜に適している。また、図５（Ａ）に示す成膜装置は、成膜中、蒸着用基板も停止して成膜する。

なお、均一な加熱が行われるように、光源８１０と蒸着用基板は広い面積で対向することが好ましい。

また、待機時の光源からの蒸着用基板上の材料層８０８への熱の影響を緩和するため、待機時（蒸着処理前）は光源８１０と蒸着用基板との間に断熱化のための開閉式のシャッターを設けてもよい。

また、光源８１０は、短時間に均一な加熱を行える加熱手段であればよい。例えば、レーザ発振器やランプを用いればよい。

例えば、レーザ光の光源としては、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、エキシマレーザなどの気体レーザ、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ_４、フォルステライト（Ｍｇ_２ＳｉＯ_４）、ＹＡｌＯ_３、ＧｄＶＯ_４、若しくは多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ_２Ｏ_３、ＹＶＯ_４、ＹＡｌＯ_３、ＧｄＶＯ_４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ、銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザのうち一種または複数種から発振されるものを用いることができる。また、レーザ媒体が固体である固体レーザを用いると、メンテナンスフリーの状態を長く保てるという利点や、出力が比較的に安定している利点を有している。

例えば、ランプとしては、キセノンランプ、メタルハライドランプのような放電灯、ハロゲンランプ、タングステンランプのような発熱灯を光源として用いることができる。また、これらの光源をフラッシュランプ（例えば、キセノンフラッシュランプ、クリプトンフラッシュランプなど）として用いてもよい。フラッシュランプは短時間（０．１ミリ秒乃至１０ミリ秒）で非常に強度の高い光を繰り返し、大面積に照射することができるため、蒸着用基板の面積にかかわらず、効率よく均一に加熱することができる。また、発光させる時間の長さを変えることによって蒸着用基板の加熱の制御もできる。また、フラッシュランプは寿命が長く、発光待機時の消費電力が低いため、ランニングコストを低く抑えることができる。また、フラッシュランプを用いることにより、急加熱が容易となり、ヒーターを用いた場合の上下機構やシャッター等を簡略化できる。従って、さらなる成膜装置の小型化が図れる。

また、図５（Ａ）では、光源８１０を成膜室８０１内に設置する例を示しているが、成膜室の内壁の一部を透光性部材として、成膜室の外側に光源８１０を配置してもよい。成膜室８０１の外側に光源８１０を配置すると、光源８１０のライトバルブの交換などのメンテナンスを簡便なものとすることができる。

また、図５（Ｂ）は、被成膜基板８０９の温度を調節する機構を備えた成膜装置の例を示す。図５（Ｂ）において、図５（Ａ）と共通の部分には同じ符号を用いて説明する。図５（Ｂ）では、被成膜基板支持手段８０５に熱媒体を流すチューブ８１１が設けられている。チューブ８１１に、熱媒体として冷媒を流すことにより、被成膜基板支持手段８０５は、コールドプレートとすることができる。なお、チューブ８１１は、被成膜基板支持手段８０５の上下移動に追随できるような仕組みとなっている。熱媒体としては、例えば、水やシリコンオイルなどを用いることができる。なお、ここでは冷媒ガスや、液体の冷媒を流すチューブを用いた例を示したが、冷却する手段として、ペルチェ素子などを被成膜基板支持手段８０５に設けてもよい。また、冷却する手段ではなく、加熱する手段を設けてもよい。例えば、加熱するための熱媒体をチューブ８１１に流してもよい。

異なる材料層を積層する場合に、図５（Ｂ）の成膜装置は有用である。例えば、被成膜基板に既に第１のＥＬ層が設けられている場合、その上に第１のＥＬ層よりも蒸着温度が高い蒸着材料からなる第２のＥＬ層を積層することができる。図５（Ａ）においては、被成膜基板と蒸着用基板が近接するため、被成膜基板に予め成膜されている第１のＥＬ層が、昇華してしまう恐れがある。そこで、図５（Ｂ）の成膜装置とすると、冷却機構によって被成膜基板に予め成膜されている第１のＥＬ層の昇華を抑えつつ、第２のＥＬ層を積層することができる。

また、冷却機構だけでなく、被成膜基板支持手段８０５にヒーターなどの加熱手段を設けてもよい。被成膜基板の温度を調節する機構（加熱または冷却）を設けることで、基板の反りなどを抑えることができる。

なお、図５（Ａ）および（Ｂ）には、被成膜基板の成膜面が下方となるフェイスダウン方式の成膜装置の例を示したが、図６（Ａ）に示すようにフェイスアップ方式の成膜装置を適用することもできる。

図６（Ａ）において、成膜室９０１は、真空チャンバーであり、第１のゲート弁９０２、及び第２のゲート弁９０３によって他の処理室と連結している。また、成膜室９０１内には、被成膜基板支持手段９０５である被成膜基板支持機構と、蒸着用基板支持手段９０４である蒸着用基板支持機構と、光源９１０を少なくとも有している。

成膜の手順は、まず、他の成膜室において、上記実施の形態で示した構成で、光吸収層を形成した第２の支持基板９０７上に材料層９０８を形成する。本実施の形態において、蒸着用基板は、第１の支持基板９０６及び第２の支持基板９０７を有する。また、第２の支持基板９０７は図１に示した第２の支持基板１０５に相当し、材料層１０９に相当する材料層９０８が設けられている。また、第１の支持基板９０６は、図１に示した第１の支持基板１０１に相当する。なお、図示していないが、第１の支持基板９０６と第２の支持基板９０７との間には、開口部を有する反射層が形成されており、また、第２の支持基板９０７と、材料層９０８との間には、上記実施の形態で示した構成で、光吸収層が形成されている。材料層９０８は蒸着可能であり、蒸着温度の異なる複数の材料を含有する。材料層９０８の形成方法は乾式法や湿式法を用いることができ、特に湿式法であることが好ましい。例えば、スピンコート法、印刷法、またはインクジェット法などを用いることができる。

次いで、第１の支持基板９０６及び第２の支持基板９０７を成膜室９０１に搬送し、蒸着用基板支持機構にセットする。ここで、マーカによって、第１の支持基板９０６と第２の支持基板９０７とを位置合わせする。また、第２の支持基板９０７における材料層９０８の形成されている面と、被成膜基板９０９の被成膜面とが、対向するように被成膜基板支持機構に被成膜基板を固定する。また、図６（Ａ）に示すように、この構成は、基板の成膜面が上方となるからフェイスアップ方式の例を示している。フェイスアップ方式の場合、撓みやすい大面積のガラス基板をフラットな台に載せる、或いは複数のピンで支持することで基板のたわみをなくし、基板全面において均一な膜厚が得られる成膜装置とすることができる。

被成膜基板支持手段９０５を移動させて、第２の支持基板９０７と被成膜基板９０９を近づけて距離ｄとする。なお、距離ｄは、第２の支持基板９０７に形成された材料層９０８の表面と、被成膜基板９０９の表面との距離で定義する。また、被成膜基板９０９上に何らかの層（例えば、電極として機能する導電層や隔壁として機能する絶縁層等）が形成されている場合、距離ｄは、第２の支持基板９０７の材料層９０８の表面と、被成膜基板９０９上に形成された層の表面との距離で定義する。ただし、被成膜基板９０９或いは被成膜基板９０９に形成された層の表面に凹凸を有する場合は、距離ｄは、第２の支持基板９０７上の材料層９０８の表面と、被成膜基板９０９或いは被成膜基板９０９上に形成された層の最表面との間の最も短い距離で定義する。また、蒸着用基板支持機構を固定し、被成膜基板支持機構を移動させる例を示したが、蒸着用基板支持機構を移動させ、被成膜基板支持機構を固定する構成としてもよい。また、蒸着用基板支持機構と被成膜基板支持機構の両方を移動させて距離ｄを調節しても良い。

図６（Ａ）に示すように基板距離ｄを保持した状態で、光源９１０から蒸着用基板に光を照射する。なお、均一な加熱が行われるように、光源９１０と蒸着用基板は広い面積で接することが好ましい。

光源９１０から光を蒸着用基板に照射することにより、短時間に蒸着用基板上の材料層９０８を加熱して、対向して配置された被成膜基板９０９の被成膜面（即ち、上面）に蒸着材料が成膜される。このようにすることで、従来の大容量のチャンバーである蒸着装置に比べチャンバー容量を大幅に小さい小型の成膜装置を実現できる。

また、光源は特に限定されず、短時間に均一な加熱を行える加熱手段であればよい。例えば、レーザやランプを用いればよい。図６（Ａ）に示す例では、光源９１０では被成膜基板の上方に固定して設けられており、光源９１０が点灯した直後に被成膜基板９０９の上面に成膜が行われる。

また、図５（Ａ）乃至（Ｂ）及び図６（Ａ）は基板横置き方式の成膜装置の例を示したが、図６（Ｂ）に示すように基板縦置き方式の成膜装置を適用することもできる。

図６（Ｂ）において、成膜室９５１は、真空チャンバーである。また、成膜室９５１内には、蒸着用基板支持手段９５４である蒸着用基板支持機構と、被成膜基板支持手段９５５である被成膜基板支持機構と、光源９６０と、を少なくとも有している。

成膜室９５１は、図示しないが、被成膜基板が縦置きで搬送される第１の搬送室と連結している。また、図示しないが、蒸着用基板が縦置きで搬送される第２の搬送室と連結している。また、本明細書では、基板面が水平面に対して垂直に近い角度（７０度乃至１１０度の範囲）にすることを基板の縦置きと呼ぶ。大面積のガラス基板などは撓みが生じやすいため、縦置きで搬送することが好ましい。

また、光源９６０は、レーザ光よりもランプを用いて加熱するほうが、大面積のガラス基板に適している。

成膜の手順は、まず、他の成膜室において、上記実施の形態で示した構成で、光吸収層を形成した第２の支持基板９５７の光吸収層を覆うように材料層９５８を形成する。なお、第２の支持基板９５７は、図１に示した第２の支持基板１０５に相当し、材料層９５８は材料層１０９に相当する。また、第１の支持基板９５６は、図１に示した第１の支持基板１０１に相当する。

次いで、第１の支持基板９５６及び第２の支持基板９５７を成膜室９５１に搬送し、蒸着用基板支持機構にセットする。ここで、マーカによって、第１の支持基板９５６と第２の支持基板９５７とを位置合わせする。また、第２の支持基板９５７における材料層９５８の形成されている面と、被成膜基板９５９の被成膜面とが、対向するように、被成膜基板９５９を被成膜基板支持機構に固定する。なお、図示しないが、第１の支持基板９５６と、第２の支持基板９５７との間には、開口部を有する反射層が形成されており、また、第２の支持基板９５７と材料層９５８との間には、上記実施の形態で示した構成で、光吸収層が形成されている。

次に、基板距離ｄを保持した状態で、光源９６０から光を照射して蒸着用基板を急速に加熱する。蒸着用基板を急速に加熱すると、間接的な熱伝導により短時間に蒸着用基板上の材料層９５８を加熱して、対向して配置された被成膜基板９５９の被成膜面に蒸着材料が成膜される。このようにすることで、従来の大容量のチャンバーである蒸着装置に比べチャンバー容量を大幅に小さい小型の成膜装置を実現できる。

また、本実施の形態に示した成膜装置を複数設け、マルチチャンバー型の成膜装置にすることができる。勿論、他の成膜方法の成膜装置との組み合わせも可能である。また、本実施の形態に示した成膜装置を直列に複数並べて、インライン型の成膜装置置にすることもできる。

このような成膜装置を用い、本発明の一態様である発光装置を作製することが可能である。本発明の一態様である発光装置の作製において、蒸着源を湿式法で容易に準備できる。また、蒸着源をそのまま蒸着すればよいため、膜厚モニターを不要にできる。よって、成膜工程を全自動化でき、スループットの向上を図ることができる。また、成膜室内壁に蒸着材料が付着することも防止でき、成膜装置のメンテナンスを簡便にすることができる。

また、本実施の形態で示した作製方法を適用することで、発光素子を構成するＥＬ層を容易に形成することができ、当該発光素子を有する発光装置の製造も簡便になる。また、本発明の一態様である蒸着用基板を適用することで、発光層のパターン形成が容易となるため、発光装置の製造も簡便となる。また、微細なパターン形成が可能となるため、高精細な発光装置を得ることができる。また、本発明を適用することにより、光源として、レーザ光だけでなく、安価で熱量の大きなランプヒーター等を用いることができる。さらに、蒸着用基板は２枚の支持基板で構成されており、この２枚の支持基板の位置関係をずらすことで、材料層の利用効率を向上させることができる。よって、発光装置の作製コストを削減することができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、発光装置の作製を可能とする成膜装置の例について説明する。

図７はレーザを用いた成膜装置の一例を示す斜視図である。射出されるレーザ光はレーザ発振装置１１０３（ＹＡＧレーザ装置、エキシマレーザ装置など）から出力され、ビーム形状を矩形状とするための第１の光学系１１０４と、整形するための第２の光学系１１０５と、平行光線にするための第３の光学系１１０６とを通過し、反射ミラー１１０７で光路が蒸着用基板に対して垂直となる方向に曲げられる。その後、蒸着用基板にレーザビームを照射する。

開口部を有する反射層１１１１は、レーザ光が照射されても耐えうる材料を用いる。

また、蒸着用基板に照射されるレーザスポットの形状は、矩形状または線状とすることが好ましく、具体的には、短辺が１ｍｍ〜５ｍｍ、且つ長辺が１０ｍｍ〜５０ｍｍの矩形状とすればよい。また、大面積基板を用いる場合には、処理時間を短縮するため、レーザスポットの長辺を２０ｃｍ〜１００ｃｍとすることが好ましい。また、図７に示すレーザ発振装置及び光学系を複数設置して大面積の基板を短時間に処理してもよい。具体的には、複数のレーザ発振装置からレーザビームをそれぞれ照射して基板１枚における処理面積を分担してもよい。

なお、図７は一例であり、レーザ光の光路に配置する各光学系や電気光学素子の位置関係は特に限定されない。例えば、レーザ発振装置１１０３を第１の支持基板１１１０の上方に配置し、レーザ発振装置１１０３から射出するレーザ光が第１の支持基板１１１０の主平面に垂直な方向となるように配置すれば、反射ミラーを用いずともよい。また、光学系は、集光レンズ、ビームエキスパンダ、ホモジナイザ、または偏光子などを用いればよく、これらを組み合わせてもよい。また、光学系としてスリットを組み合わせてもよい。

被照射面上でレーザビームの照射領域を２次元的に、適宜、走査させることによって、基板の広い面積に照射を行う。走査するために、レーザビームの照射領域と基板とを相対的に移動させる。ここでは、基板を保持している基板ステージ１１０９をＸＹ方向に移動させる移動手段（図示しない）で走査を行う。

また、制御装置１１１７は、基板ステージ１１０９をＸＹ方向に移動させる移動手段も制御できるように連動させることが好ましい。さらに、制御装置１１１７は、レーザ発振装置１１０３も制御できるように連動させることが好ましい。さらに、制御装置１１１７は、位置マーカを認識するための撮像素子１１０８を有する位置アライメント機構と連動させることが好ましい。

位置アライメント機構は、蒸着用基板と被成膜基板の位置合わせ、及び、蒸着用基板を構成する２枚の支持基板の位置合わせを行う。

また、レーザが照射される蒸着用基板としては、上記実施の形態１で示した蒸着用基板を用いる。蒸着用基板は、第１の支持基板１１１０と第２の支持基板１１１４とを有する。第１の支持基板１１１０には、反射層１１１１が形成されており、第２の支持基板１１１４には、光吸収層１１１５、材料層１１１６が順に積層されており、これらが積層された面が被成膜基板１１００と対向するように配置されている。光吸収層１１１５は、耐熱性金属を用いることが好ましく、例えばタングステンやタンタルなどを用いる。

また、蒸着用基板と被成膜基板との距離ｄを、０ｍｍ以上２ｍｍ以下、好ましくは０ｍｍ以上０．０５ｍｍ以下、さらに好ましくは０ｍｍ以上０．０３ｍｍ以下となるように近づけて対向させる。

図７に示す成膜装置を用いて成膜を行う場合には、少なくとも蒸着用基板と被成膜基板を真空チャンバー内に配置する。また、図７に示す構成を全て真空チャンバー内に設置してもよい。

また、図７に示す製造装置は、被成膜基板の成膜面が上を向いた、所謂フェイスアップ方式の成膜装置の例を示しているが、フェイスダウン方式の成膜装置とすることもできる。また、被成膜基板が大面積基板である場合、基板の自重により基板の中心が撓んでしまうことを抑えるために、所謂縦置き方式の装置とすることもできる。

また、被成膜基板を冷却する冷却手段をさらに設けることで、プラスチック基板などの可撓性基板を被成膜基板に用いることができる。

また、本実施の形態に示した成膜装置を複数設け、マルチチャンバー型の成膜装置にすることができる。勿論、他の成膜方法の成膜装置との組み合わせも可能である。また、本実施の形態に示した成膜装置を直列に複数並べて、インライン型の成膜装置にすることもできる。

このような成膜装置を用い、本発明の一態様である発光装置を作製することが可能である。この発光装置の作製においては、蒸着源を湿式法で容易に準備できる。また、蒸着源をそのまま蒸着すればよいため、膜厚モニターを不要にできる。よって、成膜工程を全自動化でき、スループットの向上を図ることができる。また、成膜室内壁に蒸着材料が付着することも防止でき、成膜装置のメンテナンスを簡便にすることができる。

また、本発明の一態様である蒸着用基板を適用することで、発光素子を構成するＥＬ層を容易に形成することができ、当該発光素子を有する発光装置の製造も簡便になる。また、本発明の一態様である蒸着用基板を適用することで、発光層のパターン形成が容易となるため、発光装置の製造も簡便となる。また、微細なパターン形成が可能となるため、高精細な発光装置を得ることができる。さらに、蒸着用基板は２枚の支持基板で構成されており、この２枚の支持基板の位置関係をずらすことで、材料層の利用効率を向上させることができるため、発光装置の作製コストを削減することができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、発光素子および発光装置を作製する方法について説明する。

例えば、図８（Ａ）、（Ｂ）に示す発光素子を作製することができる。図８（Ａ）に示す発光素子は、基板３００上に第１の電極層３０２、発光層３０４として機能するＥＬ層３０８、第２の電極層３０６が順に積層して設けられている。第１の電極層３０２及び第２の電極層３０６のいずれか一方は陽極として機能し、他方は陰極として機能する。陽極から注入される正孔及び陰極から注入される電子が発光層３０４で再結合して、発光を得ることができる。本実施の形態において、第１の電極層３０２は陽極として機能する電極であり、第２の電極層３０６は陰極として機能する電極であるとする。

また、図８（Ｂ）に示す発光素子は、上述の図８（Ａ）に示す構成に加えて、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層が設けられている。正孔輸送層は、陽極と発光層の間に設けられる。また、正孔注入層は陽極と発光層との間、或いは陽極と正孔輸送層との間に設けられる。一方、電子輸送層は、陰極と発光層との間に設けられる。電子注入層は陰極と発光層との間、或いは陰極と電子輸送層との間に設けられる。なお、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層は全ての層を設ける必要はなく、適宜求める機能等に応じて選択して設ければよい。図８（Ｂ）では、基板３００上に、陽極として機能する第１の電極層３０２、正孔注入層３２２、正孔輸送層３２４、発光層３０４、電子輸送層３２６、電子注入層３２８、及び陰極として機能する第２の電極層３０６が順に積層して設けられているものとする。

基板３００は、絶縁表面を有する基板または絶縁基板を適用する。具体的には、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスのような電子工業用に使われる各種ガラス基板、石英基板、セラミック基板又はサファイヤ基板等を用いることができる。

第１の電極層３０２又は第２の電極層３０６は、様々な金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。例えば、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム（ＩＷＺＯ）等が挙げられる。これらの導電性金属酸化物膜は、通常スパッタにより成膜されるが、ゾル−ゲル法などを応用して作製しても構わない。例えば、酸化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ）は、酸化インジウムに対し１〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム（ＩＷＺＯ）は、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５〜５ｗｔ％、酸化亜鉛を０．１〜１ｗｔ％含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。また、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、アルミニウムを含む合金（ＡｌＳｉ）等を用いることができる。また、仕事関数の小さい材料である、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（アルミニウム、マグネシウムと銀との合金、アルミニウムとリチウムの合金）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等を用いることもできる。アルカリ金属、アルカリ土類金属、これらを含む合金の膜は、真空蒸着法を用いて形成することができる。また、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含む合金はスパッタリング法により形成することも可能である。また、銀ペーストなどをインクジェット法などにより成膜することも可能である。また、第１の電極層３０２および第２の電極層３０６は、単層膜に限らず、積層膜で形成することもできる。

なお、発光層３０４で発光する光を外部に取り出すため、第１の電極層３０２又は第２の電極層３０６のいずれか一方或いは両方を、発光層における発光を通過させるように形成する。例えば、インジウム錫酸化物等の透光性を有する導電材料を用いて形成するか、或いは、銀、アルミニウム等を数ｎｍ乃至数十ｎｍの厚さとなるように形成する。また、膜厚を薄くした銀、アルミニウムなどの金属薄膜と、ＩＴＯ膜等の透光性を有する導電材料を用いた薄膜との積層構造とすることもできる。なお、第１の電極層３０２又は第２の電極層３０６は、種々の方法を用いて形成すればよい。

本実施の形態において、発光層３０４、正孔注入層３２２、正孔輸送層３２４、電子輸送層３２６又は電子注入層３２８は、上記実施の形態１で示した成膜方法を適用して形成することができる。

例えば、図８（Ａ）に示す発光素子を形成する場合、開口部を有する反射層が設けられた第１の支持基板と、光吸収層及び発光層を形成する蒸着源となる材料層とが設けられた第２の支持基板と、を有する蒸着用基板を、第１の電極層３０２を設けた基板３００に近接させて配置する。光を照射することにより、蒸着用基板に形成された材料層を加熱して昇華させ、基板３００上に発光層３０４を形成する。そして、発光層３０４上に第２の電極層３０６を形成する。

発光層３０４としては種々の材料を用いることができる。例えば、蛍光を発光する蛍光性化合物や燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる。

発光層に用いることのできる燐光性化合物としては、例えば、青色系の発光材料として、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス［２−（３’，５’ビストリフルオロメチルフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ_３ｐｐｙ）_２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒ（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ａｃａｃ））、ビス（１，２−ジフェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｂｉ）_２（ａｃａｃ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）_２（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、黄色系の発光材料として、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オキサゾラト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｄｐｏ）_２（ａｃａｃ））、ビス［２−（４’−パーフルオロフェニルフェニル）ピリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）_２（ａｃａｃ））、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ）_２（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、橙色系の発光材料として、トリス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｑ）_３）、ビス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｑ）_２（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、赤色系の発光材料として、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^３’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔｐ）_２（ａｃａｃ））、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）_２（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）等の有機金属錯体が挙げられる。また、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）_３（Ｐｈｅｎ））、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）_３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）_３（Ｐｈｅｎ））等の希土類金属錯体は、希土類金属イオンからの発光（異なる多重度間の電子遷移）であるため、燐光性化合物として用いることができる。

発光層に用いることのできる蛍光性化合物としては、例えば、青色系の発光材料として、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）などが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルアントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）などが挙げられる。また、黄色系の発光材料として、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−６，１１−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）などが挙げられる。また、赤色系の発光材料として、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１３−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）などが挙げられる。

また、発光層３０４として、発光性の高い物質（ドーパント材料）を他の物質（ホスト材料）に分散させた構成を用いることもできる。発光性の高い物質（ドーパント材料）を他の物質（ホスト材料）に分散させた構成を用いるにより、発光層の結晶化を抑制することができる。また、発光性の高い物質の濃度が高いことによる濃度消光を抑制することができる。

発光性の高い物質を分散させる物質としては、発光性の高い物質が蛍光性化合物の場合には、蛍光性化合物よりも一重項励起エネルギー（基底状態と一重項励起状態とのエネルギー差）が大きい物質を用いることが好ましい。また、発光性の高い物質が燐光性化合物の場合には、燐光性化合物よりも三重項励起エネルギー（基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差）が大きい物質を用いることが好ましい。

発光層に用いるホスト材料としては、例えば４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、４，４’−ビス［Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）などの他、４，４’−ジ（９−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９−［４−（９−カルバゾリル）フェニル］−１０−フェニルアントラセン（略称：ＣｚＰＡ）などが挙げられる。

また、ドーパント材料としては、上述した燐光性化合物や蛍光性化合物を用いることができる。

発光層として、発光性の高い物質（ドーパント材料）を他の物質（ホスト材料）に分散させた構成を用いる場合には、蒸着源となる材料層として、ホスト材料とゲスト材料とを混合した層を形成すればよい。または、蒸着源となる材料層として、ホスト材料を含む層とドーパント材料を含む層とが積層した構成としてもよい。このような構成の蒸着源を用いて発光層を形成することにより、発光層３０４は発光材料を分散させる物質（ホスト材料）と発光性の高い物質（ドーパント材料）とを含み、発光材料を分散させる物質（ホスト材料）に発光性の高い物質（ドーパント材料）が分散された構成となる。なお、発光層として、２種類以上のホスト材料とドーパント材料を用いてもよいし、２種類以上のドーパント材料とホスト材料を用いてもよい。また、２種類以上のホスト材料及び２種類以上のドーパント材料を用いてもよい。

また、図８（Ｂ）に示す各種機能層が積層した発光素子を形成する場合は、反射層が設けられた第１の支持基板と、光吸収層が設けられた第２の支持基板を用意し、第２の支持基板上に材料層を形成し、当該第１及び第２の支持基板を被成膜基板に近接させて配置し、材料層を加熱して、被成膜基板上に機能層を形成する手順を繰り返せばよい。例えば、正孔注入層を形成する蒸着源となる材料層を形成した蒸着用基板を被成膜基板に近接させて配置した後、材料層を加熱して、被成膜基板上に正孔注入層３２２を形成する。被成膜基板はここでは基板３００であり、予め第１の電極層３０２が設けられている。続けて、蒸着用基板上に正孔輸送層を形成する蒸着源となる材料層を形成し、当該蒸着用基板を被成膜基板に近接させて配置した後、材料層を加熱して、被成膜基板上の正孔注入層３２２上に正孔輸送層３２４を形成する。この後、同様に発光層３０４、電子輸送層３２６、電子注入層３２８を順に積層して形成した後、第２の電極層３０６を形成する。

正孔注入層３２２、正孔輸送層３２４、電子輸送層３２６又は電子注入層３２８は、種々のＥＬ材料を用いて形成すればよい。各層を形成する材料は１種類としてもよいし、複数種類の複合材料としてもよい。複合材料を用いて形成する場合は、上述したように、複数の蒸着材料を含む材料層を形成すればよい。または、蒸着材料を含む複数の層を積層して材料層を形成すればよい。１種類の材料を用いて形成する場合も、上記実施の形態１で示した成膜方法を適用することができる。また、正孔注入層３２２、正孔輸送層３２４、電子輸送層３２６又は電子注入層３２８は、それぞれ単層構造としてもよいし、積層構造としてもよい。例えば、正孔輸送層３２４を、第１の正孔輸送層及び第２の正孔輸送層からなる積層構造としてもよい。また、電極層についても実施の形態１で示した成膜方法を適用することができる。

例えば、正孔注入層３２２としては、モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。この他、フタロシアニン（略称：Ｈ_２Ｐｃ）や銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物、或いはポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子等によっても正孔注入層を形成することができる。

また、正孔注入層３２２として、正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質を含む層を用いることができる。正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質とを含む層は、キャリア密度が高く、正孔注入性に優れている。また、正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質とを含む層を、陽極として機能する電極に接する正孔注入層として用いることにより、陽極として機能する電極材料の仕事関数の大小に関わらず、様々な金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。

正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質を含む層は、例えば、正孔輸送性の高い物質を含む層と電子受容性を示す物質を含む層を積層したものを蒸着源として用いることにより形成することができる。

正孔注入層に用いる電子受容性を示す物質としては、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ_４−ＴＣＮＱ）、クロラニル等を挙げることができる。また、遷移金属酸化物を挙げることができる。また元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。

正孔注入層に用いる正孔輸送性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の化合物を用いることができる。なお、正孔注入層に用いる正孔輸送性の高い物質としては、１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、正孔注入層に用いることのできる正孔の輸送性の高い物質を具体的に列挙する。

正孔注入層に用いることのできる芳香族アミン化合物としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）等を用いることができる。また、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−メチルフェニル）（ｐ−トリル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰＰＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）等を挙げることができる。

正孔注入層に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、具体的には、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等を挙げることができる。

また、正孔注入層に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、１，４−ビス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］−２，３，５，６−テトラフェニルベンゼン等を用いることができる。

また、正孔注入層に用いることのできる芳香族炭化水素としては、例えば、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス（４−フェニルフェニル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＢＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＡｎｔｈ）、９，１０−ビス（４−メチル−１−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＭＮＡ）、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］−２−ｔｅｒｔ−ブチル−アントラセン、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン、９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ジフェニル−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス（２−フェニルフェニル）−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス［（２，３，４，５，６−ペンタフェニル）フェニル］−９，９’−ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン等が挙げられる。また、この他、ペンタセン、コロネン等も用いることができる。このように、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有し、炭素数１４〜４２である芳香族炭化水素を用いることがより好ましい。

なお、正孔注入層に用いることのできる芳香族炭化水素は、ビニル骨格を有していてもよい。ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０−ビス［４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル］アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）等が挙げられる。

これら正孔輸送性の高い物質を含む層と、電子受容性を示す物質を含む層を積層した蒸着源を用いることで、正孔注入層を形成することができる。電子受容性を示す物質として金属酸化物を用いた場合には、第１の基板上に正孔輸送性の高い物質を含む層を形成した後、金属酸化物を含む層を形成することが好ましい。金属酸化物は、正孔輸送性の高い物質よりも分解温度または蒸着温度が高い場合が多いためである。このような構成の蒸着源とすることにより、正孔輸送性の高い物質と金属酸化物とを効率良く昇華させることができる。また、蒸着して形成した膜において局所的な濃度の偏りを抑制することができる。また、正孔輸送性の高い物質と金属酸化物の両方を溶解させるまたは分散させる溶媒は種類が少なく、混合溶液を形成しにくい。よって、湿式法を用いて混合層を直接形成することは困難である。しかし、上記実施の形態で示した蒸着用基板を用いることにより、正孔輸送性の高い物質と金属酸化物とを含む混合層を容易に形成することができる。

また、正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質とを含む層は、正孔注入性だけでなく、正孔輸送性も優れているため、上述した正孔注入層を正孔輸送層として用いてもよい。

また、正孔輸送層３２４は、正孔輸送性の高い物質を含む層であり、正孔輸送性の高い物質としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα−ＮＰＤ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。

電子輸送層３２６は、電子輸送性の高い物質を含む層であり、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ_２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）など、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等を用いることができる。また、この他ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンズオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）_２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）_２）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）や、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ０１）バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）なども用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いても構わない。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。

また、電子注入層３２８としては、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）等のようなアルカリ金属化合物、又はアルカリ土類金属化合物を用いることができる。さらに、電子輸送性を有する物質とアルカリ金属又はアルカリ土類金属が組み合わされた層も使用できる。例えばＡｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたものを用いることができる。なお、電子注入層として、電子輸送性を有する物質とアルカリ金属又はアルカリ土類金属を組み合わせた層を用いることは、第２の電極層３０６からの電子注入が効率良く起こるためより好ましい。

なお、ＥＬ層３０８は、層の積層構造については特に限定されず、電子輸送性の高い物質または正孔輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、正孔注入性の高い物質、バイポーラ性（電子及び正孔の輸送性の高い物質）の物質等を含む層と、発光層とを適宜組み合わせて構成すればよい。

発光は、第１の電極層３０２または第２の電極層３０６のいずれか一方または両方を通って外部に取り出される。従って、第１の電極層３０２または第２の電極層３０６のいずれか一方または両方は、透光性を有する電極である。第１の電極層３０２のみが透光性を有する電極である場合、光は第１の電極層３０２を通って基板３００側から取り出される。また、第２の電極層３０６のみが透光性を有する電極である場合、光は第２の電極層３０６を通って基板３００と逆側から取り出される。第１の電極層３０２および第２の電極層３０６がいずれも透光性を有する電極である場合、光は第１の電極層３０２および第２の電極層３０６を通って、基板３００側および基板３００側と逆側の両方から取り出される。

なお、図８では、陽極として機能する第１の電極層３０２を基板３００側に設けた構成について示したが、図９（Ａ）に示すように、基板３００上に、陰極として機能する第２の電極層３０６、ＥＬ層３０８、陽極として機能する第１の電極層３０２とが順に積層された構成としてもよい。また、図９（Ｂ）に示すように、基板３００上に、陰極として機能する第２の電極層３０６、電子注入層３２８、電子輸送層３２６、発光層３０４、正孔輸送層３２４、正孔注入層３２２、陽極として機能する第１の電極層３０２とが順に積層された構成としても良い。

また、ＥＬ層の形成方法としては、実施の形態１で示した成膜方法を用いていればよく、他の成膜方法と組み合わせてもよい。また、各電極または各層ごとに異なる成膜方法を用いて形成しても構わない。乾式法としては、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。また、湿式法としては、インクジェット法またはスピンコート法などが挙げられる。

以上で、発光素子を作製することができる。本実施の形態に係る発光素子は、上記実施の形態で示した蒸着用基板を適用することで、発光層をはじめとする各種機能層を容易に形成することができる。そして、このような発光素子を適用して、発光装置を作製することができる。例えば、上記実施の形態で示した蒸着用基板を適用して作製したパッシブマトリクス型の発光装置の例を図１０、図１１、及び図１２を用いて説明する。

パッシブマトリクス型（単純マトリクス型ともいう）発光装置は、ストライプ状（帯状）に並列された複数の陽極と、ストライプ状に並列された複数の陰極とが互いに直交するように設けられており、その交差部に発光層が挟まれた構造となっている。従って、選択された（電圧が印加された）陽極と選択された陰極との交点にあたる画素が点灯することになる。

図１０（Ａ）は、封止前における画素部の上面図を示す図であり、図１０（Ａ）中の鎖線Ａ−Ａ’で切断した断面図が図１０（Ｂ）であり、鎖線Ｂ−Ｂ’で切断した断面図が図１０（Ｃ）である。

基板１５０１上には、下地絶縁層として絶縁層１５０４を形成する。なお、下地絶縁層が必要でなければ特に形成しなくともよい。絶縁層１５０４上には、ストライプ状に複数の第１の電極層１５１３が等間隔で配置されている。また、第１の電極層１５１３上には、各画素に対応する開口部を有する隔壁１５１４が設けられ、開口部を有する隔壁１５１４は絶縁材料（感光性または非感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジストまたはベンゾシクロブテン）、またはＳＯＧ膜（例えば、アルキル基を含む酸化珪素膜））で構成されている。なお、各画素に対応する開口部が発光領域１５２１となる。

開口部を有する隔壁１５１４上に、第１の電極層１５１３と交差する互いに平行な複数の逆テーパ状の隔壁１５２２が設けられる。逆テーパ状の隔壁１５２２はフォトリソグラフィ法に従い、未露光部分がパターンとして残るポジ型感光性樹脂を用い、パターンの下部がより多くエッチングされるように露光量または現像時間を調節することによって形成する。

また、平行な複数の逆テーパ状の隔壁１５２２を形成した直後における斜視図を図１１に示す。なお、図１０と同一の部分には同一の符号を用いている。

開口部を有する隔壁１５１４及び逆テーパ状の隔壁１５２２を合わせた高さは、発光層を含むＥＬ層及び第２の電極層となる導電層の膜厚より大きくなるように設定する。図１１に示す構成を有する基板に対して発光層を含むＥＬ層と、導電層とを積層形成すると、図１０に示すように複数の領域に分離された、発光層を含むＥＬ層１５１５Ｒ、ＥＬ層１５１５Ｇ、ＥＬ層１５１５Ｂと、第２の電極層１５１６とが形成される。なお、複数に分離された領域は、それぞれ電気的に独立している。第２の電極層１５１６は、第１の電極層１５１３と交差する方向に伸長する互いに平行なストライプ状の電極である。なお、逆テーパ状の隔壁１５２２上にも発光層を含むＥＬ層及び導電層が形成されるが、発光層を含むＥＬ層１５１５Ｒ、１５１５Ｇ、１５１５Ｂ及び第２の電極層１５１６とは分断されている。なお、本実施の形態において、ＥＬ層とは少なくとも発光層を含む層であって、該発光層の他に正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、又は電子注入層等を含んでいてもよい。

ここでは、発光層を含むＥＬ層１５１５Ｒ、１５１５Ｇ、１５１５Ｂを選択的に形成し、３種類（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の発光が得られるフルカラー表示可能な発光装置を形成する例を示している。発光層を含むＥＬ層１５１５Ｒ、１５１５Ｇ、１５１５Ｂはそれぞれ互いに平行なストライプパターンで形成されている。これらのＥＬ層を形成するには、上記実施の形態１に示す成膜方法を適用すればよい。例えば、赤色の発光が得られる発光層の蒸着源を形成した第１の蒸着用基板、緑色の発光が得られる発光層の蒸着源を形成した第２の蒸着用基板、青色の発光が得られる発光層の蒸着源を形成した第３の蒸着用基板をそれぞれ準備する。また、被成膜基板として第１の電極層１５１３が設けられた基板を準備する。そして、第１乃至第３の蒸着用基板を、被成膜基板と適宜対向して配置し、蒸着用基板に形成された蒸着源を加熱して昇華させ、被成膜基板に発光層を含むＥＬ層を形成する。

また、必要であれば、封止缶や封止のためのガラス基板などの封止材を用いて封止する。ここでは、封止基板としてガラス基板を用い、シール材などの接着材を用いて基板と封止基板とを貼り合わせ、シール材などの接着材で囲まれた空間を密閉なものとしている。密閉された空間には、充填材や、乾燥した不活性ガスを充填する。また、発光装置の信頼性を向上させるために、基板と封止材との間に乾燥材などを封入してもよい。乾燥材によって微量な水分が除去され、十分乾燥される。また、乾燥材としては、酸化カルシウムや酸化バリウムなどのようなアルカリ土類金属の酸化物のような化学吸着によって水分を吸収する物質を用いることが可能である。なお、他の乾燥材として、ゼオライトやシリカゲル等の物理吸着によって水分を吸着する物質を用いてもよい。

ただし、発光素子を覆って接する封止材が設けられ、十分に外気と遮断されている場合には、乾燥材は、特に設けなくともよい。

次いで、ＦＰＣなどを実装した発光モジュールの上面図を図１２に示す。

なお、本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイス、発光デバイス、もしくは光源（照明装置含む）を指す。また、発光装置にコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープもしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＡＢテープやＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子が形成された基板にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。

図１２に示すように画像表示を構成する画素部１６０１は、走査線群とデータ線群が互いに直交するように交差している。

図１０における第１の電極層１５１３が図１２の走査線１６０３に相当し、第２の電極層１５１６がデータ線１６０２に相当し、逆テーパ状の隔壁１５２２が隔壁１６０４に相当する。データ線１６０２と走査線１６０３の間には発光層を含むＥＬ層が挟まれており、領域１６０５で示される交差部が画素１つ分となる。

なお、走査線１６０３は配線端で接続配線１６０８と電気的に接続され、接続配線１６０８が入力端子１６０７を介してＦＰＣ１６０９ｂに接続される。また、データ線は入力端子１６０６を介してＦＰＣ１６０９ａに接続される。

また、必要であれば、射出面に偏光板、又は円偏光板（楕円偏光板を含む）、位相差板（λ／４板、λ／２板）、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けてもよい。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。

以上でパッシブマトリクス型の発光装置を作製できる。上記実施の形態で示した蒸着用基板を適用することで、発光素子を構成するＥＬ層を容易に形成することができ、当該発光素子を有する発光装置の製造も簡便になる。また、ホスト材料にドーパント材料が分散された発光層を形成する場合、共蒸着を適用する場合と比べ複雑な制御を必要としない。さらに、ドーパント材料の添加量等も制御し易いため、容易に精度良く成膜でき、所望の発光色も得られやすくなる。また、蒸着材料の利用効率も向上させることができるため、コスト削減を図ることもできる。

また、上記実施の形態で示した蒸着用基板を適用することで、発光層のパターン形成が容易となるため、発光装置の製造も簡便となる。また、微細なパターン形成が可能となるため、高精細な発光装置を得ることができる。また、上記実施の形態で示した蒸着用基板を適用することにより、光源として、レーザ光だけでなく、安価ではあるが熱量の大きなランプヒーター等を用いることができる。よって、発光装置の作製コストを削減することができる。

また、図１２では、駆動回路を基板上に設けていない例を示したが、特に限定されず、基板に駆動回路を有するＩＣチップを実装させてもよい。

ＩＣチップを実装させる場合、画素部の周辺（外側）の領域に、画素部へ各信号を伝送する駆動回路が形成されたデータ線側ＩＣ、走査線側ＩＣをＣＯＧ方式によりそれぞれ実装する。ＣＯＧ方式以外の実装技術としてＴＣＰやワイヤボンディング方式を用いて実装してもよい。ＴＣＰはＴＡＢテープにＩＣを実装したものであり、ＴＡＢテープを素子形成基板上の配線に接続してＩＣを実装する。データ線側ＩＣ、および走査線側ＩＣは、シリコン基板を用いたものであってもよいし、ガラス基板、石英基板もしくはプラスチック基板上にＴＦＴで駆動回路を形成したものであってもよい。また、片側に一つのＩＣを設けた例を説明しているが、片側に複数個に分割して設けても構わない。

次に、上記実施の形態で示した蒸着用基板を適用して作製したアクティブマトリクス型の発光装置の例について、図１３を用いて説明する。なお、図１３（Ａ）は発光装置を示す上面図であり、図１３（Ｂ）は図１３（Ａ）を鎖線Ａ−Ａ’で切断した断面図である。本実施の形態に係るアクティブマトリクス型の発光装置は、素子基板１７１０上に設けられた画素部１７０２と、駆動回路部（ソース側駆動回路）１７０１と、駆動回路部（ゲート側駆動回路）１７０３と、を有する。画素部１７０２、駆動回路部１７０１、及び駆動回路部１７０３は、シール材１７０５によって、素子基板１７１０と封止基板１７０４との間に封止されている。

また、素子基板１７１０上には、駆動回路部１７０１、及び駆動回路部１７０３に外部からの信号（例えば、ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、又はリセット信号等）や電位を伝達する外部入力端子を接続するための引き回し配線１７０８が設けられる。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）１７０９を設ける例を示している。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。

次に、断面構造について図１３（Ｂ）を用いて説明する。素子基板１７１０上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、ソース側駆動回路である駆動回路部１７０１と、画素部１７０２が示されている。

駆動回路部１７０１はｎチャネル型ＴＦＴ１７２３とｐチャネル型ＴＦＴ１７２４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される例を示している。なお、駆動回路部を形成する回路は、種々のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバー一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、基板上ではなく外部に駆動回路を形成することもできる。

また、画素部１７０２はスイッチング用ＴＦＴ１７１１と、電流制御用ＴＦＴ１７１２と当該電流制御用ＴＦＴ１７１２の配線（ソース電極又はドレイン電極）に電気的に接続された第１の電極層１７１３とを含む複数の画素により形成される。なお、第１の電極層１７１３の端部を覆って絶縁物１７１４が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂を用いることにより形成する。

また、上層に積層形成される膜の被覆性を良好なものとするため、絶縁物１７１４の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにするのが好ましい。例えば、絶縁物１７１４の材料としてポジ型の感光性アクリル樹脂を用いた場合、絶縁物１７１４の上端部に曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物１７１４として、感光性の光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができ、有機化合物に限らず無機化合物、例えば、酸化珪素、酸化窒化珪素等、の両者を使用することができる。

第１の電極層１７１３上には、発光層を含むＥＬ層１７００及び第２の電極層１７１６が積層形成されている。第１の電極層１７１３は上述の第１の電極層３０２に相当し、第２の電極層１７１６は第２の電極層３０６に相当する。なお、第１の電極層１７１３をＩＴＯ膜とし、第１の電極層１７１３と接続する電流制御用ＴＦＴ１７１２の配線として窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜との積層膜、或いは窒化チタン膜、アルミニウムを主成分とする膜、窒化チタン膜との積層膜を適用すると、配線としての抵抗も低く、ＩＴＯ膜との良好なオーミックコンタクトがとれる。なお、ここでは図示しないが、第２の電極層１７１６は外部入力端子であるＦＰＣ１７０９に電気的に接続されている。

ＥＬ層１７００は、少なくとも発光層が設けられており、発光層の他に正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層又は電子注入層を適宜設ける構成とする。第１の電極層１７１３、ＥＬ層１７００及び第２の電極層１７１６との積層構造で、発光素子１７１５が形成されている。

また、図１３（Ｂ）に示す断面図では発光素子１７１５を１つのみ図示しているが、画素部１７０２において、複数の発光素子がマトリクス状に配置されているものとする。画素部１７０２には、３種類（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の発光が得られる発光素子をそれぞれ選択的に形成し、フルカラー表示可能な発光装置を形成することができる。また、カラーフィルタと組み合わせることによってフルカラー表示可能な発光装置としてもよい。

さらにシール材１７０５で封止基板１７０４を素子基板１７１０と貼り合わせることにより、素子基板１７１０、封止基板１７０４、およびシール材１７０５で囲まれた空間１７０７に発光素子１７１５が備えられた構造になっている。なお、空間１７０７には、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材１７０５で充填される構成も含むものとする。

なお、シール材１７０５にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板１７０４に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。

以上のようにして、発光装置を得ることができる。アクティブマトリクス型の発光装置は、ＴＦＴを作製するため、１枚あたりの製造コストが高くなりやすいが、本発明の一態様である発光装置の作製方法を適用することで、発光素子を形成する際の材料のロスを大幅に削減することが可能である。よって、コスト削減を図ることができる。

また、上記実施の形態で示した蒸着用基板を適用することで、発光素子を構成するＥＬ層を容易に形成することができ、当該発光素子を有する発光装置の製造も簡便になる。また、上記実施の形態で示した蒸着用基板を適用することで、発光層のパターン形成が容易となるため、発光装置の製造も簡便となる。また、微細なパターン形成が可能となるため、高精細な発光装置を得ることができる。また、光源として、レーザ光だけでなく、安価ではあるが熱量の大きなランプヒーター等を用いることができる。よって、発光装置の作製コストを削減することができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態６）
本実施の形態では、上記実施の形態で示した発光装置を用いて完成させた様々な電子機器について、図１４、図１５を用いて説明する。

発光装置を適用した電子機器として、テレビジョン、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、ノート型コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、スマートフォン、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはデジタルビデオディスク（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうる表示装置を備えた装置）、照明器具などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を図１４、図１５に示す。

図１４（Ａ）は表示装置であり、筐体８００１、支持台８００２、表示部８００３、スピーカー部８００４、ビデオ入力端子８００５等を含む。上記実施の形態で示した蒸着用基板を用いて形成される発光装置をその表示部８００３に用いることにより作製される。なお、表示装置は、パーソナルコンピュータ用、ＴＶ放送受信用、広告表示用などの全ての情報表示用装置が含まれる。上記実施の形態で示した蒸着用基板を適用することで、発光層を形成する際のパターン形成の精度が高くなるため、特性の優れた発光装置を得ることができる。また、上記実施の形態で示した蒸着用基板を適用することでスループットを向上できるため、表示装置の製造における生産性を向上させることができる。また、表示装置の製造における材料のロスを削減できるため、製造コストの低減を図ることができ、安価な表示装置を提供することができる。

図１４（Ｂ）はコンピュータであり、本体８１０１、筐体８１０２、表示部８１０３、キーボード８１０４、外部接続ポート８１０５、マウス８１０６等を含む。本発明の一態様である成膜装置を用いて形成された発光素子を有する発光装置をその表示部８１０３に用いることにより作製される。上記実施の形態で示した蒸着用基板を適用することで、発光層を形成する際のパターン形成の精度が高くなるため、特性の優れた発光装置を得ることができる。また、上記実施の形態で示した蒸着用基板を適用することでスループットを向上できるため、表示装置の製造における生産性を向上させることができる。また、表示装置の製造における材料のロスを削減できるため、製造コストの低減を図ることができ、安価なコンピュータを提供することができる。

図１４（Ｃ）はビデオカメラであり、本体８２０１、表示部８２０２、筐体８２０３、外部接続ポート８２０４、リモコン受信部８２０５、受像部８２０６、バッテリー８２０７、音声入力部８２０８、操作キー８２０９、接眼部８２１０等を含む。上記実施の形態で示した成膜装置を用いて形成された発光素子を有する発光装置をその表示部８２０２に用いることにより作製される。この成膜方法を適用することで、発光層を形成する際のパターン形成の精度が高くなるため、特性の優れた発光装置を得ることができる。また、上記実施の形態で示した蒸着用基板を適用することでスループットを向上できるため、表示装置の製造における生産性を向上させることができる。また、表示装置の製造における材料のロスを削減できるため、製造コストの低減を図ることができ、安価なビデオカメラを提供することができる。

図１４（Ｄ）は卓上照明器具であり、照明部８３０１、傘８３０２、可変アーム８３０３、支柱８３０４、台８３０５、電源スイッチ８３０６を含む。上記実施の形態で示した成膜装置を用いて形成される発光装置を照明部８３０１に用いることにより作製される。なお、照明器具には天井固定型の照明器具または壁掛け型の照明器具なども含まれる。この成膜方法を適用することで、発光層を形成する際のパターン形成の精度が高くなるため、特性の優れた発光装置を得ることができる。また、上記実施の形態で示した蒸着用基板を適用することでスループットを向上できるため、発光装置の製造における生産性を向上させることができる。また、発光装置の製造における材料のロスを削減できるため、製造コストの低減を図ることができ、安価な卓上照明器具を提供することができる。

ここで、図１４（Ｅ）は携帯電話であり、本体８４０１、筐体８４０２、表示部８４０３、音声入力部８４０４、音声出力部８４０５、操作キー８４０６、外部接続ポート８４０７、アンテナ８４０８等を含む。上記実施の形態で示した成膜装置を用いて形成された発光素子を有する発光装置をその表示部８４０３に用いることにより作製される。この成膜方法を適用することで、発光層を形成する際のパターン形成の精度が高くなるため、特性の優れた発光装置を得ることができる。また、上記実施の形態で示した蒸着用基板を適用することでスループットを向上できるため、表示装置の製造における生産性を向上させることができる。また、表示装置の製造における材料のロスを削減できるため、製造コストの低減を図ることができ、安価な携帯電話を提供することができる。

また、図１５は携帯電話８５００の構成の別の一例であり、図１５（Ａ）が正面図、図１５（Ｂ）が背面図、図１５（Ｃ）が展開図である。携帯電話８５００は、電話と携帯情報端末の双方の機能を備えており、コンピュータを内蔵し、音声通話以外にも様々なデータ処理が可能な所謂スマートフォンである。

携帯電話８５００は、筐体８５０１及び８５０２二つの筐体で構成されている。筐体８５０１には、表示部８５１１、スピーカー８５１２、マイクロフォン８５１３、操作キー８５１４、ポインティングデバイス８５１５、カメラ用レンズ８５１６、外部接続端子８５１７、イヤホン端子８５１８等を備え、筐体８５０２には、キーボード８５２１、外部メモリスロット８５２２、カメラ用レンズ８５２３、ライト８５２４等を備えている。また、アンテナは筐体８５０１内部に内蔵されている。携帯電話８５００は、上記実施の形態で示した成膜装置を用いて形成された発光素子を有する発光装置を表示部８５１１に用いている。

また、上記構成に加えて、非接触ＩＣチップ、小型記録装置等を内蔵していてもよい。

表示部８５１１には、使用形態に応じて表示の方向が適宜変化する。表示部８５１１と同一面上にカメラ用レンズ８５１６を備えているため、テレビ電話が可能である。また、表示部８５１１をファインダーとしカメラ用レンズ８５２３及びライト８５２４で静止画及び動画の撮影が可能である。スピーカー８５１２及びマイクロフォン８５１３は音声通話に限らず、テレビ電話、録音、再生等が可能である。操作キー８５１４では、電話の発着信、電子メール等の簡単な情報入力、画面のスクロール、カーソル移動等が可能である。更に、重なり合った筐体８５０１と筐体８５０２（図１５（Ａ））は、スライドし図１５（Ｃ）のように展開し、携帯情報端末として使用できる。この場合、キーボード８５２１、ポインティングデバイス８５１５を用い円滑な操作が可能である。外部接続端子８５１７はＡＣアダプタ及びＵＳＢケーブル等の各種ケーブルと接続可能であり、充電及びパーソナルコンピュータ等とのデータ通信が可能である。また、外部メモリスロット８５２２に記録媒体を挿入し、より大量のデータ保存及び移動に対応できる。

また、上記機能に加えて、赤外線通信機能、テレビ受信機能等を備えたものであってもよい。

携帯電話８５００に、上記実施の形態で示した成膜方法を適用することで、発光層を形成する際のパターン形成の精度が高くなるため、特性の優れた発光装置を得ることができる。また、上記実施の形態で示した蒸着用基板を適用することでスループットを向上できるため、表示装置の製造における生産性を向上させることができる。また、表示装置の製造における材料のロスを削減できるため、製造コストの低減を図ることができ、安価な携帯電話を提供することができる。

以上のようにして、上記実施の形態で示した発光装置を適用して電子機器や照明器具を得ることができる。この発光装置の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

成膜工程の断面を示す模式図。 成膜工程の断面を示す模式図。 成膜工程を説明する図。 成膜工程を説明する図。 成膜装置の例を示す図。 成膜装置の例を示す図。 成膜装置の例を示す図。 発光素子の例を示す図。 発光素子の例を示す図。 パッシブマトリクス型発光装置の上面図および断面図の例。 パッシブマトリクス型発光装置の斜視図の一例。 パッシブマトリクス型発光装置の上面図の一例。 アクティブマトリクス型発光装置の上面図および断面図の一例。 電子機器の例を示す図。 電子機器の例を示す図。

符号の説明

１０１ 支持基板
１０３ 反射層
１０５ 支持基板
１０７ 光吸収層
１０９ 材料層
１１０ 蒸着用基板
２０１ 被成膜基板
２０３ 電極層
２０５ 絶縁物
２０７ ＥＬ層
３００ 基板
３０２ 電極層
３０４ 発光層
３０６ 電極層
３０８ ＥＬ層
３２２ 正孔注入層
３２４ 正孔輸送層
３２６ 電子輸送層
３２８ 電子注入層
４１１ 反射層
４１２ 開口部
４１３ 絶縁物
４２１ 膜（Ｒ）
４２２ 膜（Ｇ）
４２３ 膜（Ｂ）
４３１ 反射層
４３２ 開口部
４４１ 膜（Ｒ）
４４２ 膜（Ｇ）
４４３ 膜（Ｂ）

Claims (2)

1. 第１の支持基板の上方に形成された開口部を有する反射層と、
   前記反射層と接して配置された第２の支持基板と、
   前記第２の支持基板の上方に形成された光吸収層と、
   前記第２の支持基板の上方、及び前記光吸収層の上方に形成された材料層と、を有し、
   前記第２の支持基板は、前記第１の支持基板との位置を合わせる機能を有する第１のマーカーが設けられ、
   前記光吸収層は、島状またはストライプ状にパターンが形成されており、
   前記材料層は、第１の層と、前記第１の層の上方に形成された第２の層とを有し、
   前記第１の層は、第１の材料を含み、
   前記第２の層は、前記第１の材料に比較して分解温度が高い第２の材料を含むことを特徴とする蒸着用基板。
2. 請求項１において、
   前記第２の支持基板は、ガラス基板、石英基板、無機ガラスを含むプラスチック基板のいずれか一であって、前記第１の支持基板と同じ材質の基板が用いられていることを特徴とする蒸着用基板。

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