JP2009295574A - 成膜用基板及びその基板を用いた成膜方法、発光装置、照明装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】発光装置の高精細化（画素数の増大）及び小型化に伴う各表示画素ピッチの微細化を進めることが可能な発光装置の作製方法および成膜用基板を提供する。また、発光装置の作製において、製造に要する時間を短くし、生産性を向上させることを目的とする。
【解決手段】一方の面にレンズアレイが設けられ、対向する他方の面に光吸収層が設けられた支持基板上に、光吸収層に接する材料層を形成し、支持基板の材料層が形成された面と、被成膜基板の被成膜面とを対向させ、支持基板のレンズアレイが設けられた面側から光を光吸収層の少なくとも一部に選択的に照射して、光を照射された領域の光吸収層と重なる領域に位置する材料層を加熱して、被成膜基板の被成膜面に成膜を行う。
【選択図】図１

Description

本発明は有機化合物を含む層の成膜に用いる成膜用基板及びその基板を用いた成膜方法に関する。また、有機化合物を含む層を発光層とする発光装置の作製方法、及びその発光装置を用いた照明装置及び電子機器に関する。

薄型軽量、高速応答性、直流低電圧駆動などの特徴を有する有機化合物を発光体として用いた発光素子は、次世代のフラットパネルディスプレイへの応用が期待されている。特に、発光素子をマトリクス状に配置した表示装置は、従来の液晶表示装置と比較して、視野角が広く視認性に優れる。

発光素子の発光機構は、一対の電極間にエレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、以下ＥＬとも記す）層を挟んで電圧を印加することにより、陰極から注入された電子および陽極から注入された正孔がＥＬ層の発光中心で再結合して分子励起子を形成し、その分子励起子が基底状態に緩和する際にエネルギーを放出して発光するといわれている。励起状態には一重項励起と三重項励起が知られ、発光はどちらの励起状態を経ても可能であると考えられている。

発光素子を構成するＥＬ層は、少なくとも発光層を有する。また、ＥＬ層は、発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層などを有する積層構造とすることもできる。

また、ＥＬ層を形成するＥＬ材料は低分子系（モノマー系）材料と高分子系（ポリマー系）材料に大別される。一般に、低分子系材料は蒸着法を用いて成膜され、高分子系材料はインクジェット法やスピンコート法などを用いて成膜されることが多い。

蒸着法の場合に用いられる蒸着装置は、基板ホルダに基板を設置し、ＥＬ材料、つまり蒸着材料を封入したルツボ（または蒸着ボート）と、ルツボ内のＥＬ材料を加熱するヒーターと、昇華するＥＬ材料の拡散を防止するシャッターとを有している。そして、ヒーターにより加熱されたＥＬ材料が昇華し、基板に成膜される。このとき、均一に成膜を行うために、被成膜基板を回転させ、さらに、３００ｍｍ×３６０ｍｍの大きさの基板でも、基板とルツボとの間の距離は１ｍ程度離す必要がある。よって、処理する基板が大型化した場合には、蒸着装置もそれ以上に大型化する必要があるため、蒸着法を用いて成膜できる基板の大きさには、現実的には限界がある。

また、上記の蒸着法で、赤、緑、青の発光素子を用いてフルカラーの表示装置を作製することを考えた場合、基板と蒸着源との間に、基板と接してシャドーマスクが設置され、このマスクを介して塗り分けが実現される。

しかしながら、フルカラーの表示装置を作製するために用いるシャドーマスクは、開口部を精密に作製する必要があるため、非常に薄くなっている。よって、基板の大型化に従い、シャドーマスクを大型化すると、シャドーマスクがたわみ、開口部の大きさが変化するなどの問題が生じることがある。また、シャドーマスクの画素部に対応する領域にシャドーマスクの強度を補強する手段を導入することは難しいため、大面積の表示領域を作製する場合には、補強手段の適用も困難となる。

また、表示装置の高精細化（画素数の増大）に伴う各表示画素ピッチの微細化への要望はより高まっており、さらにシャドーマスクが薄くなる傾向にある。

一方、被成膜基板に直接ＥＬ層をインクジェット法やスピンコート法などの湿式法より成膜する方法は、基板が大型化した場合にも対応が可能であるが、均一な膜を形成することが困難である。また、湿式法を用いる場合には、ＥＬ材料を含む組成物または溶液を塗布した後、焼成し溶媒を除去する必要がある。よって、ＥＬ材料を含む層を積層する場合には、塗布する工程と焼成する工程を繰り返す必要があり、非常に時間を要する。また、インクジェット法などの湿式法を用いて積層する場合、既に形成されている層が溶解しない溶媒を用いて成膜しなければならず、用いる材料の選択肢や積層構造の選択肢が限られてしまう。用いる材料の選択肢や積層構造の選択肢が限られてしまうと、発光素子の性能（発光効率や寿命など）が大きく制限されてしまう。よって、優れた構成の発光素子であっても発光装置に応用できないなど、発光装置の性能の向上にとって大きな障害となってしまう。

そこで、レーザ熱転写により、発光素子のＥＬ層を形成する方法が提案されている。例えば特許文献１では、スリットを透過させたレーザ光を、レンズを介してドナー基板へと転送し、ドナー基板に設けられた有機物薄膜層を基板へと転写するＥＬ表示パネルの作製方法が開示されている。

特開２００２−２２２６９４号公報

しかしながら、特許文献１に記載された成膜方法によってＥＬ層を成膜する場合、レンズによって集光された光をドナー基板へと転送しているため、微細化されたＥＬ層を成膜するためには、レンズとドナー基板との平面方向および垂直方向の位置あわせを高精度に行う必要が生じる。また、レンズよって一つのビームスポットが形成され、当該一つのビームスポットをドナー基板の全面に照射するため、特に大面積の表示領域を作製する場合には、製造に多くの時間を要する問題がある。

よって、本発明の一態様は、発光装置の高精細化（画素数の増大）及び小型化に伴う各表示画素ピッチの微細化を進めることが可能な発光装置の作製方法および成膜用基板を提供することを目的とする。また、本発明の一態様は、発光装置の作製において、製造に要する時間（タクトタイム）を短くし、生産性を向上させることを目的とする。

本発明の一態様は、一方の面にレンズアレイを有し、対向する他方の面に光吸収層、及び前記光吸収層と接する材料層を有する成膜用基板である。

また、上記の本発明の一態様である成膜用基板において、光吸収層及び材料層のどちらか一方または両方が、島状またはストライプ状にパターン形成されていても良い。

また、本発明の一態様は、一方の面にレンズアレイが設けられた成膜用基板の、他方の面に光吸収層を形成し、光吸収層に接する材料層を形成し、成膜用基板の材料層が形成された面と、被成膜基板の被成膜面とを対向させ、成膜用基板のレンズアレイが設けられた面側から光を光吸収層の少なくとも一部に選択的に照射して、光を照射された領域の光吸収層と重なる領域に位置する材料層を加熱して、被成膜基板の被成膜面に成膜を行う成膜方法である。

なお、本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイス、発光デバイス、もしくは光源（照明装置含む）を指す。また、発光装置にコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープもしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＡＢテープやＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。

また、本明細書において使用した程度を表す用語、例えば「概略」などは、最終結果が顕著には変化しないように幾分変更された用語の合理的な逸脱の程度を意味する。これらの用語は、幾分変更された用語の少なくとも±５％の逸脱を含むものとして解釈されるべきであるが、この逸脱が幾分変更される用語の意味を否定しないことを条件とする。

本発明の一態様を適用することにより、微細なＥＬ層のパターン形成が可能となり、高精細な発光装置を作製することができる。

また、本発明の一態様を適用することにより、発光装置の製造に要する時間（タクトタイム）を短くし、生産性を向上させることができる。

成膜用基板の一例を説明する図。 成膜方法の一例を説明する図。 成膜方法の一例を説明する図。 成膜方法の一例を説明する図。 成膜方法の一例を説明する図。 発光装置の作製方法の一例説明する図。 発光装置の作製方法の一例説明する図。 成膜装置の一例について説明する図。 成膜装置の一例について説明する図 発光素子の一例について説明する図。 パッシブマトリクス型の発光装置を示す図。 パッシブマトリクス型の発光装置を示す図。 アクティブマトリクス型の発光装置を示す図。 電子機器の一例を示す図。 電子機器の一例を示す図。

以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることが可能である。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構成において、同じものを指す符号は異なる図面間で共通して用いる場合がある。

（実施の形態１）
本実施の形態では、成膜用基板、及びその成膜用基板を用いた発光装置の作製方法について図１及び図２を用いて説明する。なお、本明細書では、成膜する材料が設けられており、かつ、被成膜基板に成膜を行うために用いる基板を、成膜用基板と記す。

図１は本実施の形態の成膜用基板１１０の斜視図（図１（Ａ））、及び断面図（図１（Ｂ））である。図１において、支持基板１００の一方の面には、複数のレンズ１０２から構成されるレンズアレイ１０４が形成されている。レンズアレイ１０４を構成するレンズ１０２としては、シリンドリカルレンズ、または輪郭が多角形の球面レンズ等を用いることができる。または、輪郭が円形や楕円形である球面レンズを用いても良い。なお、本実施の形態においてレンズアレイ１０４は、支持基板の概略全面に形成されている。レンズアレイを構成するレンズ間の距離が狭いほど、支持基板１００がより多くの光を受光することができるため、後の工程で照射する光を有効利用するために、支持基板１００上に複数のレンズ１０２を高密度で配置するのが好ましい。

支持基板１００は、光吸収層１０６及び材料層１０８の支持基板であり、発光装置の作製工程において、材料層１０８を加熱する為に照射する光を透過する基板である。よって、支持基板１００は、光の透過率の高い基板であることが好ましい。具体的には、材料層１０８を蒸着するために照射する光を透過する基板を支持基板１００として用いることが好ましい。また、熱伝導率が低い材料であることが好ましい。熱伝導率が低い材料を用いることにより、ＥＬ層の成膜工程において、照射された光から得られる熱を効率よく成膜に用いることができる。支持基板１００としては、例えば、ガラス基板、石英基板などを用いることができる。ガラス基板や石英基板などは、フィルム基板などよりも不純物（水分など）が吸着または付着しにくい。よって、成膜する際に不純物の混入を防ぐことができる。

レンズアレイ１０４は、支持基板１００を電子ビーム又はレーザビーム等で加工することにより作製することができる。または、支持基板１００をエッチングによって加工しても良い。レンズアレイ１０４は、複数の凸型のレンズ１０２が配列したものであり、各々のレンズ１０２を通過した光を集光して、光吸収層の一部の領域へ選択的に投影する機能を有する。レンズアレイ１０４が照射する領域の光吸収層１０６のサイズは、支持基板１００の材質及び板厚、レンズ１０２の曲率半径等によって適宜変更することができる。レンズアレイ１０４によって集光された光が、光吸収層１０６で吸収され、当該領域の光吸収層と重なる領域に位置する材料層１０８を加熱するため、光吸収層１０６において光が照射される領域が、被成膜基板に形成される画素と概略同じ大きさ、または、被成膜基板に形成される画素の幅と概略同じ幅となるように、レンズアレイ１０４を設けることが好ましい。

例えば、レンズアレイ１０４の材質としてＢＫ７を使用し、支持基板１００の厚さを０．７ｍｍ、レンズ１０２の曲率半径を０．１６ｍｍとした場合、レンズアレイ１０４が設けられた面側から光を照射すると、光吸収層１０６に幅２０μｍのビームスポットを照射することができる。

なお、フルカラー表示に対応する被成膜基板を作製する場合には、被成膜基板に形成される複数の画素のうち、３画素に対して１つのレンズ１０２を形成するのが好ましい。このような成膜用基板を３枚用いることで、被成膜基板の複数の画素領域の全てに対して、成膜用基板の材料層を転写することができる。また、単色表示に対応する被成膜基板を作製する場合には、例えば島状のＥＬ層を成膜する場合、被成膜基板に形成される複数の画素のそれぞれに対して１つのレンズ１０２を形成するのが好ましい。また、ストライプ状のＥＬ層を成膜する場合、一の画素列に対して、一つのレンズ１０２を形成するのが好ましい。レンズ１０２のサイズは、被成膜基板の画素ピッチによって適宜決定される。

本実施の形態においては、１つの画素列に対して１つのレンズ形成された成膜用基板を用いて、単色表示に対応する被成膜基板を作製する場合を例に説明する。

支持基板１００において、レンズアレイ１０４が設けられた面と対向する面は、平面であり、光吸収層１０６が形成されている。また、光吸収層１０６に接するように、材料層１０８が形成されている。図１においては、材料層１０８は、支持基板１００全面を覆うように形成されている。

光吸収層１０６は発光装置の作製工程において、材料層１０８を加熱するために照射する光を吸収して熱へと変換する層である。光吸収層１０６は、照射される光に対して、７０％以下の低い反射率を有し、また、高い吸収率を有する材料で形成されていることが好ましい。また、光吸収層１０６は、それ自体が熱によって変化しないように、耐熱性に優れた材料で形成されていることが好ましい。また、光吸収層１０６は一層に限らず複数の層により構成されていてもよい。

光吸収層１０６に好適な材料の種類は、材料層を加熱するために照射する光の波長により変化する。例えば、波長８００ｎｍの光に対しては、モリブデン、窒化タンタル、チタン、タングステンなどを用いることが好ましい。また、波長１３００ｎｍの光に対しては、窒化タンタル、チタンなどを用いることが好ましい。

なお、モリブデン膜およびタングステン膜は、例えば、膜厚４００ｎｍとした場合、波長８００ｎｍ以上９００ｎｍ以下の光に対しては、反射率が６０％以下であるため、光吸収層として好適に用いることができる。

光吸収層１０６は、種々の方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタリング法で、モリブデン、タンタル、チタン、タングステンなどのターゲット、またはこれらの合金を用いたターゲットを用い、光吸収層１０６を形成することができる。また、光吸収層は一層に限らず複数の層により構成されていてもよい。

光吸収層の膜厚は、照射される光が透過しない膜厚であることが好ましい。材料によって異なるが、１００ｎｍ以上２μｍ以下の膜厚であることが好ましい。特に、光吸収層１０６の膜厚を２００ｎｍ以上６００ｎｍ以下とすることで、照射される光を効率良く吸収して発熱させることができる。

なお、光吸収層１０６は、材料層１０８に含まれる蒸着材料が蒸着（被成膜基板へと移動する）温度まで加熱されるのであれば、照射する光の一部が透過してもよい。ただし、一部が透過する場合には、光を照射しても分解しない材料を、材料層１０８に用いることが好ましい。

材料層１０８は被成膜基板に成膜されるＥＬ層の材料を含む層である。材料層に含まれるＥＬ層の成膜材料としては、種々の材料が挙げられる。また、材料層１０８は複数の材料を含んでいてもよい。また、材料層１０８は、単層でもよいし、複数の層が積層されていてもよい。なお、材料層を複数積層する場合には、支持基板１００側に分解温度が低い蒸着材料を含むように積層されていることが好ましい。または、支持基板１００側に蒸着温度が低い蒸着材料を含むように積層されていることが好ましい。このような構成とすることにより、蒸着材料を含む複数の材料層を効率良く蒸着することができる。また、材料層を複数積層することにより、共蒸着することが可能である。なお、本明細書において「蒸着温度」とは、材料層に含まれるＥＬ層成膜材料が被成膜基板へと移動する温度を示す。また、「分解温度」とは、熱の作用によって、材料を示す化学式の少なくとも一部に変化が起こる温度を示す。

材料層１０８は、種々の方法により形成される。例えば、乾式法である真空蒸着法、スパッタリング法等を用いることができる。また、湿式法であるスピンコート法、スプレーコート法、インクジェット法、ディップコート法、キャスト法、ダイコート法、ロールコート法、ブレードコート法、バーコート法、グラビアコート法、又は印刷法等を用いることができる。これら湿式法を用いて材料層１０８を形成するには、所望の蒸着材料を溶媒に溶解あるいは分散させ、溶液あるいは分散液を調整すればよい。溶媒は、蒸着材料を溶解あるいは分散させることができ、且つ蒸着材料と反応しないものであれば特に限定されない。例えば、クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、或いはクロロベンゼンなどのハロゲン系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ｎ−プロピルメチルケトン、或いはシクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、ベンゼン、トルエン、或いはキシレンなどの芳香族系溶媒、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、プロピオン酸エチル、γ−ブチロラクトン、或いは炭酸ジエチルなどのエステル系溶媒、テトラヒドロフラン、或いはジオキサンなどのエーテル系溶媒、ジメチルホルムアミド、或いはジメチルアセトアミドなどのアミド系溶媒、ジメチルスルホキシド、ヘキサン、又は水等を用いることができる。また、これらの溶媒複数種を混合して用いてもよい。湿式法を用いることにより、材料の利用効率を高めることができ、発光装置を作製するコストを低減することができる。

なお、後の工程で被成膜基板２００上に形成されるＥＬ層の膜厚および均一性は、支持基板１００上に形成された材料層１０８に依存する。従って、均一に材料層１０８を形成することが重要となってくる。なお、ＥＬ層の膜厚および均一性が保たれるのであれば、材料層１０８は必ずしも均一の層である必要はない。例えば、微細な島状に形成されていてもよいし、凹凸を有する層状に形成されていてもよい。また、材料層１０８の膜厚を制御することにより、容易に被成膜基板２００上に形成されるＥＬ層２０７の膜厚を制御することができる。

なお、蒸着材料としては、有機化合物、無機化合物にかかわらず、種々の材料を用いることができる。特に、有機化合物は無機化合物に比べ、蒸着温度が低い材料が多いため、光の照射により蒸着することが容易であり、本実施の形態の発光装置の作製方法に好適である。例えば、有機化合物としては、ＥＬ層に用いられる発光材料、キャリア輸送材料などが挙げられる。また、無機化合物としては、ＥＬ層のキャリア輸送材料やキャリア注入材料、電極などに用いられる金属酸化物、金属窒化物、ハロゲン化金属、金属単体などがあげられる。

次に、図２（Ａ）に示すように、成膜用基板１１０の光吸収層１０６および材料層１０８が形成された面に対向する位置に、被成膜基板２００を配置する。被成膜基板２００は、蒸着処理により所望のＥＬ層が成膜される基板である。そして、成膜用基板１１０と被成膜基板２００とを至近距離、具体的には成膜用基板１１０に設けられた材料層１０８の表面と被成膜基板２００との距離ｄを、０ｍｍ以上０．０５ｍｍ以下、好ましくは０ｍｍ以上０．０３ｍｍ以下となるように近づけて近接させる。

なお、距離ｄは、支持基板１００上に形成された材料層１０８の表面と、被成膜基板２００の表面との距離で定義する。また、被成膜基板２００上に何らかの層（例えば、電極として機能する導電層や隔壁として機能する絶縁層等）が形成されている場合、距離ｄは、材料層１０８の表面と、被成膜基板上に形成された層の表面との距離で定義する。ただし、材料層１０８或いは被成膜基板２００上に形成された層の表面に凹凸を有する場合は、距離ｄは、材料層１０８の最表面と、被成膜基板或いは被成膜基板上に形成された層の最表面との間の最も短い距離で定義する。

距離ｄを小さくすることで、材料の利用効率を向上させることができる。また、被成膜基板に形成される層のパターン形成の精度を向上させることができる。なお、材料の利用効率を向上させるため、また、パターン形成の精度を向上させるために、成膜用基板１１０と被成膜基板２００の基板間の距離は狭いほうが好ましいが、本実施の形態はこれに限定されるものではない。

図２において、被成膜基板２００は、第１の電極層２０３を有している。第１の電極層２０３の端部は絶縁物２０５で覆われていることが好ましい。絶縁物２０５を設けることで、距離ｄを０ｍｍとした場合、すなわち成膜用基板１１０の最表面と被成膜基板２００の最表面が接している場合にも、材料層１０８と、画素形成領域と、が接するのを防ぐことができる。本実施の形態において、第１の電極層２０３は、発光素子の陽極あるいは陰極となる電極を示している。

なお、図２（Ａ）において、レンズアレイ１０４によって集光された光が照射する領域の光吸収層１０６と、被成膜基板２００の第１の電極層２０３と、が重なるように、成膜用基板１１０と被成膜基板２００が位置合わせされている。成膜用基板１１０及び被成膜基板２００の少なくとも一方には、位置合わせ用のマーカを設けることが好ましい。なお、成膜用基板１１０において、位置合わせのマーカ周辺の光吸収層１０６及び材料層１０８は予め除去しておくことが好ましい。

次いで、図２（Ｂ）に示すように、成膜用基板１１０のレンズアレイ１０４が設けられた面側から光を照射する。光は、レンズアレイ１０４によって集光され、光吸収層１０６の少なくとも一部を選択的に照射する。照射された領域の光吸収層１０６において、吸収された光が熱エネルギーへと変換されることで、当該領域の光吸収層１０６と重なる領域に位置する材料層１０８が加熱され、昇華される。昇華した蒸着材料は第１の電極層上に付着する。これによってＥＬ層２０７が成膜される。

本実施の形態において、支持基板１００及び被成膜基板２００は、同じ材質の基板を用いることが好ましい。支持基板１００及び被成膜基板２００を同じ材質とすることで、当該２枚の基板の有する熱膨張率を等しくすることができる。したがって、成膜用基板に光を照射した際に、成膜用基板が熱によって膨張した場合であっても、被成膜基板も同じ熱膨張率で膨張するため、膨張率の違いによる転写精度の低下を抑制することができる。なお、支持基板１００及び被成膜基板２００は、必ずしも同じ材質の基板とする必要はなく、熱膨張率の差異が転写精度に影響を与えない程度近似している場合は、異なる材質の基板を用いても構わない。

照射する光の光源としては、例えば、レーザ光を用いることができる。レーザ光の光源としては、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、エキシマレーザなどの気体レーザ、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ_４、フォルステライト（Ｍｇ_２ＳｉＯ_４）、ＹＡｌＯ_３、ＧｄＶＯ_４、若しくは多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ_２Ｏ_３、ＹＶＯ_４、ＹＡｌＯ_３、ＧｄＶＯ_４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ、ファイバーレーザ、銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザのうち一種または複数種から発振されるものを用いることができる。また、レーザ媒体が固体である固体レーザやファイバーレーザを用いると、メンテナンスフリーの状態を長く保てるという利点や、出力が比較的に安定している利点を有している。または、光源としてフラッシュランプ、ハロゲンランプ等を用いてもよい。

また、レーザスポットの形状は、線状または矩形状とすることが好ましい。線状または矩形状とすることにより、処理基板にレーザ光を効率よく走査することができる。よって、成膜に要する時間（タクトタイム）が短くなり、生産性が向上する。

レーザ光の波長は特に限定されず、様々な波長のレーザ光を用いることができる。例えば、３５５、５１５、５３２、１０３０、１０６４ｎｍなどの波長のレーザ光を用いることができる。

また、本実施の形態では、光源からの光を吸収した光吸収層１０６が材料層１０８に熱を与えることが特徴の一である。よって、光が照射された部分の光吸収層１０６の面方向に熱が伝わって、所望の領域外の材料層１０８の範囲が広がることを防止するために、光の照射時間を短くすることが好ましい。

また、成膜は減圧雰囲気で行われることが好ましい。減圧雰囲気は、成膜室内を真空排気手段により真空度が５×１０^−３Ｐａ以下、好ましくは１０^−４Ｐａ乃至１０^−６Ｐａ程度の範囲なるように真空排気することで得られる。

なお、図２では、被成膜基板２００が成膜用基板１１０の下方に位置する場合を図示したが、本実施の形態はこれに限定されない。基板の設置する向きは適宜設定することができる。

また本実施の形態は、図１及び２に示した構成に限られない。例えば、図３（Ａ）に示すように、光吸収層１０６及び材料層１０８を支持基板１００の全面に形成した後に、材料層１０８を島状またはストライプ状にパターン形成してもよい。材料層１０８をパターン形成することで、光を照射された光吸収層において面方向への熱の伝導が起こった場合であっても、所望のパターン以外に成膜されてしまうボケを抑制することができる。なお、支持基板１００の全面に形成した後に材料層１０８をパターン形成するのでなく、インクジェット法などを用いて、島状またはストライプ状の材料層１０８を形成してもよい。インクジェット法などで、成膜する領域に対応するように材料層１０８を選択的に形成することにより、材料の利用効率をさらに向上させることができる。

また、図３（Ｂ）に示すように、支持基板１００に島状またはストライプ状にパターン形成された光吸収層１０６を設け、その後、支持基板１００の全面に材料層１０８を形成しても良い。光吸収層１０６を島状またはストライプ状に形成した場合、全面に光吸収層を形成する場合に比べ、光吸収層内を面方向に熱が伝導することを防止することができるため、より微細なＥＬ層のパターン形成が可能となり、高精細な発光装置を作製することができる。なお、光吸収層１０６をパターン形成する際には、種々の方法を用いることができるが、ドライエッチングを用いることが好ましい。ドライエッチングを用いることにより、パターン形成された光吸収層１０６の側壁が鋭くなり、微細なパターンを成膜することができる。

または、図３（Ｃ）に示すように、支持基板１００のレンズアレイ１０４と対向する面に、島状またはストライプ状にパターン形成された光吸収層１０６と、当該光吸収層１０６に接し、且つ島状またはストライプ状にパターン形成された材料層１０８と、を有する構成としても良い。図３（Ｃ）に示した構成とすることで、光吸収層内を面方向に熱が伝導することを防止することができ、材料層１０８が所望のパターン以外に成膜されてしまうボケを抑制することができる。従って、微細パターンの形成が可能となるため、高精細な発光装置を作製することができる。

また、図３（Ｄ）に示すように、光吸収層１０６と、材料層１０８との間に開口部を有する断熱層１０７を形成しても良い。断熱層１０７の開口部は、光吸収層１０６において、光を照射される領域と重なるように形成されている。断熱層１０７としては、例えば、酸化チタン、酸化珪素、酸化窒化珪素、酸化ジルコニウム、炭化チタン等を好ましく用いることができる。ただし断熱層１０７は、光吸収層１０６に用いた材料よりも熱伝導率の低い材料を用いる。なお、本明細書において、酸化窒化物とは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多い物質である。

断熱層１０７は、様々な方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法、又は、ＣＶＤ法などにより形成することができる。また、断熱層の膜厚は、材料により異なるが、１０ｎｍ以上２μｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以上６００ｎｍ以下とすることができる。断熱層１０７を１０ｎｍ以上２μｍ以下の膜厚とすることにより、光吸収層内を面方向に熱が伝導した場合でも、所定の領域以外の材料層へ縦方向に熱が伝導するのを抑制することができる。したがって、より微細なＥＬ層のパターン形成が可能となり、高精細な発光装置を作製することができる。

なお、図３（Ｄ）においては、光吸収層１０６及び材料層１０８が支持基板の全面に形成された構成としたが、光吸収層１０６及び材料層１０８のどちらか一方又は両方が、島状またはストライプ状にパターン形成された構成としても良い。

なお、図３において、光吸収層１０６または材料層１０８を島状とする場合は、被成膜基板に形成される画素と概略同じ大きさにパターン形成するのが好ましい。また、光吸収層１０６または材料層１０８をストライプ状とする場合は、被成膜基板に形成される画素の幅と光吸収層１０６または材料層１０８の幅を概略等しく形成するのが好ましい。

本実施の形態で示す成膜用基板において、レンズアレイ１０４を構成する支持基板として、ガラス基板又は石英基板を好ましく用いている。従って、支持基板１００上に形成された層にエッチング処理やフォトリソグラフィを施しても、レンズアレイ１０４の形状に影響を与えることないため、光吸収層又は材料層を所望の形状にパターン形成することができる。

本実施の形態において、発光装置に適用する成膜方法は、支持基板１００に形成した材料層１０８の膜厚によって、蒸着処理により被成膜基板２００に成膜されるＥＬ層２０７の膜厚を制御することができる。つまり、支持基板１００に成膜した材料層１０８をそのまま蒸着すればよいため、膜厚モニターが不要である。よって、膜厚モニターを利用した蒸着速度の調節を使用者が行う必要がなく、成膜工程を全自動化することが可能である。そのため、生産性の向上を図ることができる。

また、本実施の形態において発光装置に適用する成膜方法は、材料層１０８に含有される蒸着材料を均一に加熱することができる。また、材料層１０８が複数の蒸着材料を含む場合、材料層１０８と同じ蒸着材料を略同じ重量比で含有するＥＬ層２０７を被成膜基板２００に成膜することができる。このように、本実施の形態に係る成膜方法は、蒸着温度の異なる複数の蒸着材料を用いて成膜する場合、共蒸着のようにそれぞれ蒸着レートを制御する必要がない。そのため、蒸着レート等の複雑な制御を行うことなく、所望の異なる蒸着材料を含む層を容易に精度良く成膜することができる。

本実施の形態を適用することで、平坦でムラのない膜を成膜することが可能となる。また、本実施の形態を適用することで、ＥＬ層のパターン形成が容易となるため、発光装置の製造も簡便となる。さらに、微細なパターン形成が可能となるため、高精細な発光装置を得ることができる。

よって、本実施の形態を適用することで、所望の異なる蒸着材料を含む層の成膜が容易になり、当該異なる蒸着材料を含む層を用いた発光装置等の製造における生産性を向上させることが可能となる。

また、本実施の形態の成膜用基板は、一方の面にレンズアレイを有しており、当該レンズアレイによって照射される光を集光することで、光の利用効率を向上させることができるため、タクト時間を短縮することができ、発光装置の作製コストを削減することができる。また、成膜用基板に照射された光エネルギーの利用効率を向上させることができる。特に、集光特性の悪いマルチモードの大出力レーザを光源として利用した場合にも、レンズアレイを用いることで、エネルギーを有効に利用することができる。よって、光源として高出力のレーザ光を用いることができるため、大面積を一括して成膜することが可能となる。

さらに、本実施の形態の成膜用基板は、レーザ光を集光するためのレンズアレイが、光吸収層及び材料層の支持基板に直接設けられているために、レーザ光の集光レンズと支持基板との位置合わせをする必要がなく、光吸収層の一定の領域に正確にレーザ光を照射することができる。また、レンズアレイは、支持基板を加工して形成したものであるため、レンズアレイと支持基板とは同じ熱膨張率を有する。従って、照射位置のずれ、及び熱膨張率の違いによるＥＬ層の転写領域のずれを防止することができ、微細なパターンのＥＬ層を形成することができる。

また、本実施の形態の成膜用基板を用いることにより、蒸着材料の利用効率良く成膜することが可能となり、コスト削減を図ることができる。また、本実施の形態の成膜用基板を用いることにより、精度良く、所望の形状の層を形成することが可能となる。

本実施の形態において、一度成膜に用いた成膜用基板は、材料層を除去し、再度新しい材料層を形成することにより、複数回使用することができる。よって、発光装置の作製におけるコストを削減することができる。本実施の形態で示す成膜用基板は、支持基板として、ガラス基板や石英基板を用いている。これらの基板は、フィルム基板などよりも不純物（水分など）が吸着または付着しにくい。よって、本実施の形態の成膜用基板は再利用に好適である。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１に示した方法とは異なる発光装置の作製方法について図４及び図５を用いて説明する。具体的には、実施の形態１で示した成膜用基板と、スリットとを組み合わせた成膜方法の例を示す。なお、実施の形態１と重複する構成は、簡略化及び一部省略して説明する。

図４（Ａ）に示すように、成膜用基板１１０のレンズアレイが設けられた面に対向する位置にスリット３０１を配置する。また、実施の形態１と同様に、成膜用基板１１０の光吸収層１０６および材料層１０８が形成された面に対向する位置に、被成膜基板２００を配置する。なお、図４において成膜用基板１１０は、図１に示したように、光吸収層及び材料層が支持基板１００の全面に形成された構成としているが、本実施の形態はこれに限られるものではなく、図３（Ａ）乃至（Ｄ）で示した成膜用基板の構成としても構わない。

本実施の形態において使用するスリットの形状については特に制限されることはなく、例えば、図４で示すような、開口部を有する板状のスリット３０１を用いることができる。また、スリット３０１は、照射する光の種類やエネルギーに応じて開口部の大きさを調整することができるのが好ましい。また、照射する光によって変形又は損傷しないような材質でスリットを形成するのが望ましい。

また、スリット３０１の開口部とレンズアレイ１０４の凸部とが、重なるようにスリット３０１と、成膜用基板１１０とを位置合わせするのが望ましい。例えば、レンズアレイ１０４の有する凸部の頂点を検出することで、成膜用基板１１０とスリット３０１の位置合わせを行うことができる。または、スリット３０１にアライメント用のマーカを設けても構わない。

次いで、図４（Ｂ）に示すように、スリット３０１を介して、成膜用基板１１０のレンズアレイ１０４が設けられた面に光を照射する。

上述したように、照射する光の光源として、レーザ光用いる場合、光吸収層１０６へと照射されるレーザ光のビームスポットの形状は、線状または矩形状とすることが好ましい。線状または矩形状とすることにより、処理基板にレーザ光を効率よく走査することができる。レーザ光のビームスポットを線状または矩形状とする光学系は、集光レンズ、ビームエキスパンダ、ホモジナイザ、または偏光子などを用いればよく、これらを組み合わせてもよい。また、各光学系は、レーザ光の断面形状を線状に変換するだけでなく、同時に、照射面におけるレーザ光のエネルギー均一性を向上させるものである。

しかしながら、一般に光学系によって形成されるビームスポットの両端部には、レンズの収差などにより、エネルギー密度の低い箇所が存在する。エネルギー密度の低い領域を有するレーザ光を光吸収層１０６へと照射すると、材料層１０８を均一に加熱することができない場合がある。

本実施の形態においては、スリット３０１を通過させることで、光吸収層１０６に照射されるレーザ光の両端のエネルギー密度の低い箇所を切り取ることができる。また、スリット３０１の開口部における像は、成膜用基板１１０に設けられたレンズアレイ１０４によって、光吸収層１０６へと転写される。従って、エネルギー分布が均一なビームスポットによって、光吸収層１０６の少なくとも一部を選択的に照射することができる。これによって、当該領域の光吸収層１０６と重なる領域に位置する材料層１０８を均一に加熱することができる。加熱された蒸着材料が第１の電極層上に付着することで、ＥＬ層２０７が成膜される。

また、図５（Ａ）に示すように、図４に示した構成に追加して、成膜用基板１１０へ照射する光の光路上であってスリット３０１の前方に、集光レンズアレイ３０３を配置しても良い。線状または矩形状に形成されたレーザ光は、集光レンズアレイ３０３を通過して、スリット３０１の開口部へと投影される。また、スリット３０１の開口部を通過することで、両端のエネルギー密度の低い箇所が切り取られる。

集光レンズアレイ３０３を構成するレンズは、特に限定されるものではなく、例えば、球面レンズ、シリンドリカルレンズ等を用いることができる。また、集光レンズアレイ３０３によって集光されるそれぞれのビームスポットの大きさは、レンズアレイを構成するレンズの曲率半径や、レンズアレイの材質、またはスリット３０１と集光レンズアレイ３０３の距離等で適宜設定することができ、スリット３０１の開口部と概略同じ大きさとするのが好ましい。

なお、集光レンズアレイ３０３によって集光された光が通過する領域と、スリット３０１の開口部とが、重なるように集光レンズアレイ３０３と、スリット３０１とを位置合わせするのが望ましい。例えば、集光レンズアレイ３０３の有する凸部の頂点を検出することで、位置合わせを行うことができる。または、集光レンズアレイ３０３の射出面（以下、第２面）又はスリット３０１の少なくとも一方にアライメント用のマーカを設けても構わない。

被成膜基板２００、成膜用基板１１０、スリット３０１、及び集光レンズアレイ３０３をそれぞれ配置した後、図５（Ｂ）に図示するように、集光レンズアレイ３０３及びスリット３０１を介して、成膜用基板１１０に光を照射する。図５に示した構成によれば、光源から照射された光を集光レンズアレイ３０３で集光した後に、スリット３０１を通過させているため、スリットで遮断されるエネルギーを低減させることができ、照射した光のエネルギーを有効に利用することが可能となる。

図５（Ｂ）において、例えば、集光レンズアレイ３０３のレンズ材質としてＢＫ７を使用し、集光レンズアレイ３０３を構成するレンズの厚さを０．７ｍｍ、第１面の曲率半径を０．３ｍｍとする。また、成膜用基板１１０に設けられたレンズアレイ１０４の材質としてＢＫ７を使用し、支持基板１００の厚さを０．７ｍｍ、曲率半径を０．１６ｍｍとし、集光レンズアレイ３０３の第２面に接してスリット３０１を配置し、集光レンズアレイ３０３の第２面と支持基板１００の距離を０．７ｍｍとする。この場合、成膜用基板に設けられた光吸収層１０６に、幅２０μｍのビームスポットを照射することができる。

本実施の形態で示した作製方法は、スリットを通過して、エネルギー密度の低い箇所を切り取ったレーザ光を、レンズアレイによって光吸収層へと選択的に照射することができる。これによって、光を照射された領域の光吸収層１０６と重なる領域に位置する材料層１０８を均一に加熱することができるため、ＥＬ層２０７を均一に成膜することができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態１又は実施の形態２で説明した成膜用基板を複数枚用いて、発光素子のＥＬ層を形成することにより、フルカラー表示が可能な発光装置を製造する方法を説明する。

実施の形態１及び実施の形態２では、１回の成膜工程で、被成膜基板である第２の基板上に形成された複数の電極上には、全て同一の材料からなるＥＬ層を形成する場合について示したが、本実施の形態では、第２の基板上に形成された複数の電極上には、３種類の発光の異なるＥＬ層のいずれかが形成される場合について説明する。

まず、実施の形態１又は実施の形態２に示した成膜用基板を用意する。本実施の形態においては、例えば、図３（Ａ）に示した成膜用基板を３枚用意する。それぞれの成膜用基板には、発光の異なるＥＬ層を形成するための材料層が形成されている。具体的には、赤色発光を示すＥＬ層（ＥＬ層（Ｒ））を形成するための材料を含む材料層（Ｒ）を有する第１の成膜用基板と、緑色発光を示すＥＬ層（ＥＬ層（Ｇ））を形成するための材料を含む材料層（Ｇ）を有する第２の成膜用基板と、青色発光を示すＥＬ層（ＥＬ層（Ｂ））を形成するための材料を含む材料層（Ｂ）を有する第３の成膜用基板とを用意する。

また、実施の形態１において図２に示した複数の第１の電極を有する被成膜基板２００を１枚用意する。なお、被成膜基板上の複数の第１の電極は、その端部が絶縁物で覆われているため、発光領域は、第１の電極の一部であって、絶縁物と重ならずに露呈している領域に相当する。

まず、１回目の成膜工程として、図２（Ａ）と同様に被成膜基板と第１の成膜用基板とを重ね、位置合わせをする。なお、被成膜基板には、位置合わせ用のマーカを設けることが好ましい。また、第１の成膜用基板にも位置合わせ用のマーカを設けることが好ましい。第１の成膜用基板には、光吸収層が設けられているため、位置合わせのマーカ周辺の光吸収層は予め除去しておくことが好ましい。また、第１の成膜用基板には、材料層（Ｒ）が設けられているため、位置合わせ用のマーカ周辺の材料層（Ｒ）も予め除去しておくことが好ましい。なお、本実施の形態においては、実施の形態１で示した作製方法を例に説明するが、実施の形態２で示した作製方法に従って、成膜を行っても構わない。

次いで、第１の成膜用基板のレンズアレイが設けられた面側から光を照射する。レンズアレイによって縮小された光を光吸収層が吸収し、材料層（Ｒ）に熱を与えることで、材料層（Ｒ）に含まれる材料を加熱し、被成膜基板上の第１の電極上の一部にＥＬ層（Ｒ）が形成される。１回目の成膜を終えた第１の成膜用基板は、被成膜基板と離れた場所へ移動させる。

次いで、２回目の成膜工程として、被成膜基板と第２の成膜用基板とを重ね、位置合わせをする。第２の成膜用基板は、１回目の成膜時で使用した第１の成膜用基板とは１画素分ずらして配置される。

そして、第２の成膜用基板のレンズアレイが設けられた面側から光を照射する。レンズアレイによって縮小された光を光吸収層が吸収し、材料層（Ｇ）に熱を与えることで、材料層（Ｇ）に含まれる材料を加熱し、１回目の成膜でＥＬ層（Ｒ）が形成された第１の電極の隣の画素に位置する第１の電極上にＥＬ層（Ｇ）が形成される。２回目の成膜を終えた第２の成膜用基板は、被成膜基板と離れた場所へ移動させる。

次いで、３回目の成膜工程として、被成膜基板と第３の成膜用基板とを重ね、位置合わせをする。第３の成膜用基板は、１回目の成膜時で使用した第１の成膜用基板とは２画素分ずらして（すなわち、２回目の成膜時で使用した第２の成膜用基板とは１画素分ずらして）配置される。

そして、第３の成膜用基板のレンズアレイが設けられた面側から光を照射する。この３回目の成膜を行う直前の様子が図６（Ａ）の上面図に相当する。図６（Ａ）において、光吸収層４０１上に、島状の材料層４０２が形成されている。そして、被成膜基板の第３の成膜用基板の材料層４０２と重なる領域には、第１の電極が形成されている。なお、図６（Ａ）中に点線で示した領域の下方には、既に１回目の成膜により形成されたＥＬ層（Ｒ）４１１と２回目の成膜により形成されたＥＬ層（Ｇ）４１２が位置している。

そして、３回目の成膜により、ＥＬ層（Ｂ）４１３が形成される。成膜用基板に照射された光は、レンズアレイによって縮小され、材料層４０２上に位置する光吸収層４０１において吸収される。光を吸収した光吸収層４０１が発熱し、材料層（Ｂ）に熱を与えることで、材料層（Ｂ）に含まれる材料を加熱し、被成膜基板上の一部であって、２回目の成膜でＥＬ層（Ｇ）４１２が形成された第１の電極のとなりの第１の電極上にＥＬ層（Ｂ）４１３が形成される。３回目の成膜を終えたら、第３の成膜用基板は、被成膜基板と離れた場所へ移動させる。

こうしてＥＬ層（Ｒ）４１１、ＥＬ層（Ｇ）４１２、ＥＬ層（Ｂ）４１３を一定の間隔をあけて同一の被成膜基板上に形成することができる。そして、これらの膜上に第２の電極を形成することによって、発光素子を形成することができる。

以上の工程で、同一基板上に異なる発光を呈する発光素子が形成されることにより、フルカラー表示が可能な発光装置を形成することができる。

図６では、成膜用基板に形成された材料層４０２の形状を島状とした例を示した。なお、特に、図６の構成に限定されず、支持基板上に１画素ごとに対応する球面レンズを複数配置することで、島状のＥＬ層を形成しても良く、又は、形成されるＥＬ層をストライプ状としても良い。ストライプ状とした場合、同じ発光色となる発光領域の間にも成膜が行われるが、絶縁物４１４の上に形成されるため、絶縁物４１４と重なる部分は発光領域とはならない。なお、ＥＬ層をストライプ状とする場合には、支持基板に設けられたレンズアレイをシリンドリカルレンズ形状とするのが好ましい。

また、画素の配列も特に限定されず、図７（Ａ）に示すように、１つの画素形状を多角形、例えば六角形としてもよく、ＥＬ層（Ｒ）６１１、ＥＬ層（Ｇ）６１２、ＥＬ層（Ｂ）６１３を配置してフルカラーの発光装置を実現させることもできる。なお、図７（Ａ）に示す多角形の画素を形成するために、図７（Ｂ）に示す多角形の材料層６０１を有する成膜用基板を用いて成膜すればよい。または、光吸収層を多角形としても良く、光吸収層と材料層の双方を多角形としてもよい。なお、図７に示すような多角形の画素を形成するには、支持基板１００の一方の面に形成されるレンズ１０２を、半球状のマイクロレンズとするのが好ましい。

本実施の形態に示すフルカラー表示が可能な発光装置の作製において、実施の形態１又は２で示した成膜方法を適用することにより、平坦でムラのない膜を成膜することが可能となる。また、微細なパターン形成が可能となり、所望のパターン以外へ成膜されてしまうボケを抑制することができる。よって、高精細な発光装置を得ることができる。

本実施の形態の発光装置の作製方法は、あらかじめ材料層を形成した成膜用基板を用意しておき、成膜用基板を入れ替えることによって、被成膜基板に次々と成膜することができる。よって、本実施の形態を適用することにより、発光装置の製造に要する時間（タクトタイム）を短くし、生産性を向上させることができる。

また、一度成膜に用いた成膜用基板は、材料層を除去し、再度新しい材料層を形成することにより、複数回使用することができる。よって、発光装置の作製におけるコストを削減することができる。実施の形態１又は２で示した成膜用基板は、支持基板として、ガラス基板や石英基板を用いている。これらの基板は、フィルム基板などよりも不純物（水分など）が吸着または付着しにくい。よって、実施の形態１又は２で示した成膜用基板は再利用に好適である。

また、本実施の形態で示す成膜方法は、湿式法を用いてＥＬ層を形成する場合とは異なり、すでに形成された層の溶解性等を考慮する必要がないため、成膜する材料の種類の選択肢が広がる。また、積層する層の数についても自由に設定できる。よって、所望の材料を用いて、所望の積層構造の発光装置を作製することができる。特に、基板が大型化した場合において、用いる材料の種類や積層構造を自由に設計できるということは、発光装置の性能を向上させる点において、重要である。

また、本実施の形態に示すフルカラー表示が可能な発光装置の作製において、実施の形態１又は２で示した成膜用基板を適用することにより、所望の材料を無駄にすることなく、被成膜基板に成膜することが可能である。よって、材料の利用効率が向上し、製造コストの低減を図ることができる。また、成膜室内壁に材料が付着することも防止でき、成膜装置のメンテナンスを簡便にすることができる。

また、本実施の形態では、光源として高出力のレーザ光を用いることができるため、大面積を一括して成膜することが可能となる。よって、発光装置の製造に要する時間（タクトタイム）を短縮することができ、生産性を向上させることができる。

本実施の形態に示すフルカラー表示が可能な発光装置の作製において、成膜用基板に形成される材料層の膜厚を制御することによって、被成膜基板上に成膜される膜の膜厚を制御することができる。つまり、成膜用基板上に形成された材料層に含まれる材料を全て成膜することにより被成膜基板上に形成される膜が所望の膜厚となるように予め材料層の膜厚が制御されているため、被成膜基板上に成膜する際の膜厚モニターは不要となる。よって、膜厚モニターを利用した成膜速度の調節を使用者が行う必要がなく、成膜工程を全自動化することが可能である。そのため、生産性の向上を図ることができる。

また、本実施の形態に示すフルカラー表示が可能な発光装置の作製において、実施の形態１又は２で示した成膜用基板を適用することにより、成膜用基板上に形成された材料層に含まれる材料を均一に成膜することができる。また、材料層が複数の材料を含む場合でも、材料層と同じ材料をほぼ同じ重量比で含有する膜を被成膜基板上に成膜することができる。従って、本実施の形態で示す成膜方法は、被成膜基板へ移動する温度の異なる複数の材料を用いて成膜する場合でも、蒸着レート等の複雑な制御を行うことなく、所望の異なる材料を含む層を容易に精度良く成膜することができる。

なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、成膜用基板にレーザを照射させることにより成膜を行う成膜装置の例およびレーザを照射する方法について説明する。

図８は、製造装置の上面図を示す一例である。

図８に示す製造装置は、第１の搬送室５８２と、第２の搬送室５５２とを有し、これらの搬送室を第１の受渡室５５１を介して連結させている。さらに、第３の搬送室５０２を有し、第２の搬送室５５２と第２の受渡室５０１を介して連結させている。さらに、封止室５０４を有し、第３の搬送室５０２と第３の受渡室５０３を介して連結させている。

第２の搬送室５５２、第３の搬送室５０２、及び封止室５０４は、水分などが混入しないように、真空排気処理室と連結させ、真空排気して真空にすることができる。また、真空排気した後、不活性ガスを導入して大気圧にしても良い。真空排気処理室としては、磁気浮上型のターボ分子ポンプ、クライオポンプ、またはドライポンプを用いる。これにより各室と連結された搬送室の到達真空度を１０^−３〜１０^−６Ｐａにすることが可能であり、さらにポンプ側および排気系からの不純物の逆拡散を制御することができる。

まず、成膜用基板の支持基板を第１のカセット室５７１、第２のカセット室５７２、或いは第３のカセット室５７３にセットする。成膜用基板に成膜しようとする膜に合わせて、これら３つのカセット室のいずれか一を選択する。支持基板は、一方の面にレンズアレイを有し、他方の面には少なくとも光吸収層が形成されている。なお、支持基板を搬送用のロボットで把持できるように、支持基板の外周部を避けてレンズアレイを形成しても良い。

液滴吐出装置を用いて支持基板に材料層を選択的に形成する場合には、第１のカセット室５７１に支持基板をフェイスアップ方式でセットし、第１のカセット室５７１に設けられた搬送ユニット５２４を用いて、液滴吐出装置を有する処理室５７４に搬送し、液滴吐出を行う。なお、搬送ユニット５２４は、基板の表裏を反転させることができ、処理室５７４に反転させて搬入することができるため、支持基板の光吸収層へのゴミ付着を防止するのであれば、支持基板をフェイスダウン方式で第１のカセット室５７１にセットしてもよい。

処理室５７４は、複数のノズルが一軸方向に配列されたヘッドを具備する液滴吐出手段５８３、該液滴吐出手段５８３を制御する制御部、基板を固定しＸＹθ方向に移動するステージ５８０、液滴吐出手段５８３に組成物を供給するためのインクボトル５８１等が設けられている。

液滴吐出を行った後、支持基板を、処理室５７４に連結された第１の搬送室５８２の搬送ユニット５２２によって、ベーク室５７６に搬送し、乾燥または焼成を行う。なお、ベーク室５７６は複数の基板を加熱することができ、また支持基板をストックしておくストック室としても機能させることができる。

また、スピンコート法やスプレー法などを用いたコーティング装置を用いて、支持基板全面に材料層を形成する場合には、第２のカセット室５７２に支持基板をフェイスアップ方式でセットし、搬送ユニット５２３を用いて、コーティング装置を有する処理室５７５に搬送し、塗布を行う。なお、搬送ユニット５２３も、基板の表裏を反転させることができ、ステージ５７８に反転させて載置することができるため、支持基板の光吸収層へのゴミ付着を防止するのであれば、支持基板をフェイスダウン方式で第２のカセット室５７２にセットしてもよい。

処理室５７５は、材料液を滴下するノズルと、基板を固定して回転するステージ５７８、該ステージの回転数を制御する制御部、コーティングを終えた基板を載置する台５７９、ノズルに材料液を供給するためのタンク等が設けられている。

液滴吐出を行った後、支持基板を、処理室５７５に連結された第１の搬送室５８２の搬送ユニット５２２によって、ベーク室５７６に搬送し、乾燥または焼成を行う。

また、抵抗加熱法を用いて材料層を支持基板に形成する場合には、第３のカセット室５７３に支持基板をフェイスダウン方式でセットし、第３のカセット室５７３に連結された第１の搬送室５８２の搬送ユニット５２２によって、第１の受渡室５５１に搬送する。さらに第１の受渡室５５１に連結された第２の搬送室５５２に設けられた搬送ユニット５２０によって、前処理室５５３に搬送し、基板に含まれる水分やその他のガスを除去するために、脱気のためのアニールを真空（５×１０^−３Ｐａ以下、好ましくは１０^−４〜１０^−６Ｐａ）で行う。そして、搬送ユニット５２０によって処理室５５５に搬送し、抵抗加熱法により蒸着を行う。

処理室５５５は、室内において点線で示す軌道で蒸着源５５７を移動する手段と、基板を固定する手段と、真空排気処理室等が設けられている。蒸着源５５７は複数のルツボがセットされており、ルツボに収納された蒸着材料が抵抗加熱法によって加熱される。処理室５５５においては、フェイスダウン方式でセットされた基板の下方で蒸着源を移動させることで蒸着を行う。また、蒸着マスクを用いて選択的に成膜を行う場合には、処理室５５４にストックされている蒸着マスクを処理室５５５に搬送し、基板と位置合わせを行って蒸着を行えばよい。

次いで、処理室で材料層を形成した成膜用基板を、第３の搬送室５０２に搬送し、第３の搬送室５０２に設けられた搬送ユニット５２１により、材料層が設けられた面が上となる状態、即ちフェイスアップでレーザ光照射室５１５に搬送する。なお、成膜用基板の材料層を蒸着法で成膜する場合、成膜後の段階ではフェイスダウンとなっているため、処理室５１８に設けた基板反転機構により基板の表裏を反転させた後、レーザ光照射室５１５に搬送する。

処理室５１８は基板を反転させるだけでなく、基板を複数枚ストックする部屋としてもよい。また、搬送ユニット５２１が基板の表裏を反転させることができるのであれば、特に処理室５１８に基板反転機構を設けなくともよく、基板を複数枚ストックする部屋として用いればよい。

また、被成膜基板となる第２の基板を、第４のカセット室５７０にフェイスダウンでセットし、第４のカセット室５７０に連結した第１の搬送室５８２の搬送ユニット５２２によって、第１の受渡室５５１に搬送する。さらに第１の受渡室５５１に連結された第２の搬送室５５２に設けられた搬送ユニット５２０によって、前処理室５５３に搬送し、第２の基板に含まれる水分やその他のガスを除去するために、脱気のためのアニールを真空で行う。特に第２の基板にＴＦＴを設ける場合、層間絶縁膜や隔壁の材料として有機樹脂材料を用いると、有機樹脂材料によっては水分を吸着しやすく、さらに脱ガスが発生する恐れがあるため、当該有機樹脂材料を用いた層を形成する前に１００℃〜３５０℃、好ましくは１５０℃〜２００℃で、例えば３０分以上の加熱を行った後、３０分程度の自然冷却を行って吸着水分を除去する真空加熱を行うことは有効である。

パッシブマトリクス型の発光装置を作製する場合には、第２の基板には少なくともストライプ状の第１の電極を形成しておく。また、アクティブマトリクス型の発光装置を作製する場合には、第２の基板には第１の電極と、該第１の電極と電気的に接続されたスイッチング素子、例えば非晶質半導体膜、多結晶半導体膜、微結晶半導体膜、単結晶半導体膜を活性層とする薄膜トランジスタ等を形成しておく。

そして、被成膜基板となる第２の基板は、搬送ユニット５２０によって、第２の受渡室５０１に搬送し、さらに第２の受渡室５０１に連結された第３の搬送室５０２に設けられた搬送ユニット５２１により、第１の電極が設けられた面が下となる状態、即ちフェイスダウンでレーザ光照射室５１５に搬送する。

レーザ光照射室５１５はレーザ光源から射出されたレーザ光をレーザ光照射室内部に導入するための窓１２０を下部に有している。

成膜用基板をレーザ光照射室５１５に搬送した後、被成膜基板となる第２の基板と対向させて位置合わせを行い、一対の基板保持手段５１６により基板の間隔ｄを一定に保持する。その後、一対の基板にレーザ光を照射し、レーザ光照射領域を相対的に移動させてレーザ光の走査を行う。

ここで成膜時における窓１２０とレーザ発振装置８０３との位置関係を示す模式図を図９に示す。

射出されるレーザ光はレーザ発振装置８０３から出力され、ビーム形状を線状とするための光学系８０４、８０５、８０６とを通過し、反射ミラー８０７で光路が成膜用基板１１０に対して垂直となる方向に曲げられる。その後、光透過する窓１２０及び成膜用基板１１０にレーザビームを通過させて、レーザビームを光吸収層１０６に照射する。窓１２０をレーザビーム幅と同じまたはそれより小さいサイズとしてスリットとして機能させることもできる。なお、図９に示すように、支持基板に設けられたレンズアレイをシリンドリカルレンズ形状とする場合、シリンドリカルレンズの軸方向（光が屈折しない方向）と平行に、レーザ光（または成膜用基板及び被成膜用基板）を走査するのが好ましい。

なお、制御装置８１６は、一対の基板を移動させる一対の基板保持手段５１６も制御できるように動作させることが好ましい。さらに、制御装置８１６は、レーザ発振装置８０３も制御できるように動作させることが好ましい。さらに、制御装置８１６は、位置マーカを認識するための撮像素子を有する位置アライメント機構と連動させることが好ましい。

レーザ光の走査が終わると、成膜用基板１１０においては、光を照射された領域の光吸収層１０６と重なる材料層１０８が消失し、対向して配置されていた被成膜基板２００に選択的に成膜が行われる。

レーザ光の走査を終えた成膜用基板１１０は回収し、残存した材料層１０８を除去すれば、再度使用することができる。レーザ光の走査を終えた成膜用基板は、レーザ照射後の成膜用基板を洗浄するための洗浄室５７７に搬送し、残存した材料層１０８を除去する。

なお、図８、図９においては、レーザ光を走査する成膜方法を示したが、本実施の形態はこれに限定されるものではない。例えば、光学系によって照射領域に合わせたビームスポットを形成し、当該ビームスポットを局所的にずらしながら照射しても良い。

上述の手順で被成膜基板２００に選択的に材料層の単層を成膜できるが、積層成膜を行う場合には、予め、第２の成膜用基板を用意し、レーザ光の走査を終えた第１の成膜用基板と交換して、レーザ光照射室５１５内で被成膜基板と対向させて位置合わせを行い、一対の基板保持手段５１６により基板の間隔を一定に保持する。その後、一対の基板にレーザ光を照射し、レーザ光照射領域を相対的に移動させて２回目のレーザ光の走査を行う。

なお、第２の成膜用基板は、一方の面にレンズアレイを有し、他方の面に光吸収層が設けられており、第１の成膜用基板と同様に、第１のカセット室５７１、第２のカセット室５７２、或いは第３のカセット室５７３にセットし、適宜、処理室で２層目となる材料層を形成する。

さらにレーザ光照射室５１５内で積層させる場合には、被成膜基板２００をレーザ光照射室５１５から搬出させずに、第３の成膜用基板を搬入し、被成膜基板２００と第３の成膜用基板とを対向させて位置合わせを行い、レーザ光を照射し、レーザ光照射領域を相対的に移動させて３回目のレーザ光の走査を行う。同様の手順で４層以上の積層を行うことができる。

レーザ光照射室５１５を用いて成膜を行う場合には、被成膜基板を搬入する前に予め、第１の成膜用基板、第２の成膜用基板、第３の成膜用基板などにそれぞれ材料層の形成を終えて、処理室５１８にストックしておき、レーザ光照射室５１５に被成膜基板を搬入した後、第１乃至第３の成膜用基板を順次交換し、積層成膜を行うと作業効率よく工程を進めることができる。被成膜基板とは異なる基板に予め成膜した材料層をレーザ光で加熱する成膜方法は、成膜に必要な量を制限し、従来の抵抗加熱法よりも蒸発する材料の量を少なく抑えているため、成膜を行うレーザ光照射室５１５に複数の搬送ロボットや位置合わせ手段や基板移動手段などを設置することができる。また、被成膜基板とは異なる基板に予め成膜した材料層をレーザ光で加熱する成膜方法は、異なる発光層を同一の処理室（レーザ光照射室５１５）で成膜しても異なる発光材料が混ざることを防止することができる。

また、発光素子を構成するＥＬ層として５層以上の全ての層をレーザ光照射室５１５を用いて成膜を行うことも可能であるが、少なくとも１層をレーザ光照射室５１５を用いて成膜を行えばよい。

例えば、レーザ光照射室５１５を用いて第１の電極上に正孔注入層、正孔輸送層を積層形成した後、さらに赤色の発光層、及び緑色の発光層を選択的に成膜し、青色の発光層を処理室５１２内で基板を回転させる抵抗加熱法により成膜してもよい。青色の発光層を選択的に成膜する場合には、処理室５５４にストックされている蒸着マスクを処理室５１２に搬送し、被成膜基板と位置合わせを行って蒸着を行えばよい。処理室５１２には、蒸着源と、基板回転手段と、蒸着マスクとの位置合わせ手段等が設けられている。

また、電子輸送層または電子注入層を抵抗加熱法で形成する場合には、処理室５１３で成膜すればよい。処理室５１３は、室内において矢印で示す方向に被成膜基板を移動させ、蒸着源５３７の上方を通過させる手段と、真空排気処理室等が設けられている。蒸着源５３７は線状に長く、蒸着材料が抵抗加熱法によって加熱される。選択的に成膜を行う場合は、処理室５５４にストックされている蒸着マスクを処理室５１３に搬送し、被成膜基板と位置合わせを行って固定し、被成膜基板と蒸着マスクを移動させて蒸着を行えばよい。

また、正孔注入層または正孔輸送層を抵抗加熱法で形成する場合には、処理室５５５で成膜すればよい。

また、赤色の発光層を抵抗加熱法で形成する場合には、処理室５１１で成膜すればよい。また、緑色の発光層を抵抗加熱法で形成する場合には、処理室５５６で成膜すればよい。処理室５１１、５５６にはそれぞれ蒸着源と、基板回転手段と、蒸着マスクとの位置合わせ手段と、真空排気処理室等が設けられている。なお、本実施の形態では、異なる発光色の発光層を処理室５５６、５１１、５１２でそれぞれ成膜する例を示したが特に限定されず、例えば、赤色発光層を処理室５５５や処理室５１３で成膜してもよく、実施者が適宜選択すればよい。勿論、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、または電子注入層を処理室５５６や処理室５１１や処理室５１２で成膜してもよい。

また、第４のカセット室５７０に被成膜基板をセットした後、他の処理室に搬入することなく第２の搬送室５５２に搬送する例を示したが、第２の搬送室５５２に搬送する前に被成膜基板に処理室５７５や処理室５７４で成膜を行った後、レーザ光照射室５１５に搬送し、積層を行ってもよい。その場合、第１の電極上に正孔注入層として、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子等を用いることができる。また、正孔注入層に用いる正孔輸送性の高い物質としては、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の化合物を用いることができる。

また、スピンコート法により成膜した場合、支持基板の全面に成膜されるため、被成膜基板の端面や周縁部、端子部、陰極（第２の電極）と下部配線との接続領域などは選択的に除去することが好ましく、前処理室５５３でマスクを使用してＯ_２アッシングなどにより選択的に除去することが好ましい。前処理室５５３にプラズマ発生手段を設け、Ａｒ、Ｈ、Ｆ、およびＯから選ばれた一種または複数種のガスを励起してプラズマを発生させることによって、ドライエッチングを行う。マスクを使用することによって不要な部分だけ選択的に除去することができる。また、陽極（第１の電極）表面処理として紫外線照射が行えるように前処理室５５３にＵＶ照射機構を備えてもよい。このように、前処理室５５３は、真空加熱だけでなく、他の処理、例えばプラズマ処理やＵＶ照射処理を行える処理室とすることが好ましい。

上述した成膜手順のいずれか一により、被成膜基板へのＥＬ層の成膜を終了させた後、発光素子の第２の電極となる電極を形成する。なお、第２の電極は、スパッタ法または電子ビーム法などを用いて成膜を行う。スパッタ法を用いる場合、処理室５１４にはプラズマ発生手段を設け、スパッタリングターゲットと、材料ガスを導入する手段を設ける。スパッタ法または電子ビーム法はフェイスダウン方式で成膜を行うため、レーザ光照射室５１５や抵抗加熱法を用いる処理室からスムーズに被成膜基板を搬送することができる。

また、第２の電極を形成した後、搬送ユニット５２１を用いてゲート弁５４０を介し受渡室５０３へ搬入し、さらにゲート弁５４１を介して封止室５０４に搬送する。封止室５０４で封止を終えた基板は、ゲート弁５４２を介してアンロード室５０５に搬送され、製造装置外に取り出すことができる。以上の手順で発光ダイオード（ＥＬ素子とも呼ぶ）を作製することができる。

なお、図８に示す製造装置において、減圧下とする各処理室または各搬送室にはそれぞれゲート弁５３０〜５３５、５３８、５６０〜５６６が設けられている。

このような成膜装置を用い、発光装置を作製することが可能である。本実施の形態で示した成膜装置を用い、あらかじめ材料層を形成した成膜用基板を用意しておき、成膜用基板を入れ替えることによって、被成膜基板に次々と成膜することができる。よって、成膜に要する時間（タクトタイム）を短くし、生産性を向上させることができる。

また、本実施の形態を適用することより、平坦でムラのない膜を成膜することが可能となる。また、微細なパターン形成が可能となり、所望のパターン以外へ成膜されてしまうボケを抑制することができる。よって、高精細な発光装置を得ることができる。

また、本実施の形態は、湿式法を用いてＥＬ層を形成する場合とは異なり、すでに形成された層の溶解性等を考慮する必要がないため、成膜する材料の種類の選択肢が広がる。また、積層する層の数についても自由に設定できる。よって、所望の材料を用いて、所望の積層構造の発光装置を作製することができる。特に、基板が大型化した場合において、用いる材料の種類や積層構造を自由に設計できるということは、発光装置の性能を向上させる点において、重要である。

また、本実施の形態に示すフルカラー表示が可能な発光装置の作製において、上記実施の形態で示した成膜用基板を適用することにより、所望の材料を無駄にすることなく、被成膜基板に成膜することが可能である。よって、材料の利用効率が向上し、製造コストの低減を図ることができる。また、成膜室内壁に材料が付着することも防止でき、成膜装置のメンテナンスを簡便にすることができる。

また、本実施の形態では、光源として高出力のレーザ光を用いることができるため、大面積を一括して成膜することが可能となる。よって、発光装置の製造に要する時間（タクトタイム）を短縮することができ、生産性を向上させることができる。

また、本実施の形態では、成膜用基板に形成される材料層の膜厚を制御することによって、被成膜基板上に成膜される膜の膜厚を制御することができるため、被成膜基板上に成膜する際の膜厚モニターは不要となる。よって、膜厚モニターを利用した成膜速度の調節を使用者が行う必要がなく、成膜工程を全自動化することが可能である。そのため、生産性の向上を図ることができる。

また、本実施の形態を適用することにより、成膜用基板上に形成された材料層に含まれる材料を均一に成膜することができる。また、材料層が複数の材料を含む場合でも、材料層と同じ材料をほぼ同じ重量比で含有する膜を被成膜基板上に成膜することができる。従って、本実施の形態に係る成膜方法は、気化する温度の異なる複数の材料を用いて成膜する場合でも、蒸着レート等の複雑な制御を行うことなく、所望の異なる材料を含む層を容易に精度良く成膜することができる。

なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、上記実施の形態で示した成膜用基板及び成膜方法を適用して、発光素子および発光装置を作製する方法について説明する。

上記実施の形態で示した成膜方法を適用して、例えば、図１０（Ａ）、（Ｂ）に示す発光素子を作製することができる。図１０（Ａ）に示す発光素子は、基板９０１上に第１の電極９０２、発光層９１３のみで形成されたＥＬ層９０３、第２の電極９０４が順に積層して設けられている。第１の電極９０２及び第２の電極９０４のいずれか一方は陽極として機能し、他方は陰極として機能する。陽極から注入される正孔及び陰極から注入される電子がＥＬ層９０３で再結合して、発光を得ることができる。

本実施の形態において、第１の電極９０２は陽極として機能する電極であり、第２の電極９０４は陰極として機能する電極であるとする。

また、図１０（Ｂ）に示す発光素子は、図１０（Ａ）のＥＬ層９０３が複数の層が積層された構造である場合を示しており、具体的には、第１の電極９０２側から正孔注入層９１１、正孔輸送層９１２、発光層９１３、電子輸送層９１４、および電子注入層９１５が順次設けられている。なお、ＥＬ層９０３は、図１０（Ａ）に示すように少なくとも発光層９１３を有していれば機能するため、これらの層を全て設ける必要はなく、必要に応じて適宜選択して設ければよい。

図１０に示す基板９０１には、絶縁表面を有する基板または絶縁基板を適用する。具体的には、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスのような電子工業用に使われる各種ガラス基板、石英基板、セラミック基板又はサファイヤ基板等を用いることができる。

また、第１の電極９０２および第２の電極９０４は、様々な金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。具体的には、例えば、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム等が挙げられる。この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。

これらの材料は、通常スパッタリング法により成膜される。例えば、酸化インジウム−酸化亜鉛は、酸化インジウムに対し１〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムは、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５〜５ｗｔ％、酸化亜鉛を０．１〜１ｗｔ％含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。その他、ゾル−ゲル法などを応用して、インクジェット法、スピンコート法などにより作製してもよい。

また、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、アルミニウムを含む合金等を用いることができる。その他、仕事関数の小さい材料である、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（アルミニウム、マグネシウムと銀との合金、アルミニウムとリチウムの合金）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等を用いることもできる。

アルカリ金属、アルカリ土類金属、これらを含む合金の膜は、真空蒸着法を用いて形成することができる。また、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含む合金はスパッタリング法により形成することも可能である。また、銀ペーストなどをインクジェット法などにより成膜することも可能である。また、第１の電極９０２および第２の電極９０４は、単層膜に限らず、積層膜で形成することもできる。

なお、ＥＬ層９０３で発光する光を外部に取り出すため、第１の電極９０２または第２の電極９０４のいずれか一方、または両方が光を通過するように形成する。例えば、インジウム錫酸化物等の透光性を有する導電材料を用いて形成するか、或いは、銀、アルミニウム等を数ｎｍ乃至数十ｎｍの厚さとなるように形成する。また、膜厚を薄くした銀、アルミニウムなどの金属薄膜と、ＩＴＯ膜等の透光性を有する導電材料を用いた薄膜との積層構造とすることもできる。

なお、本実施の形態で示す発光素子のＥＬ層９０３（正孔注入層９１１、正孔輸送層９１２、発光層９１３、電子輸送層９１４又は電子注入層９１５）は、実施の形態１及び実施の形態２で示した成膜方法を適用して形成することができる。また、電極を実施の形態１及び実施の形態２で示した成膜方法を適用して形成することもできる。

例えば、図１０（Ａ）に示す発光素子を形成する場合、実施の形態１で示した成膜用基板の材料層を、ＥＬ層９０３を形成する材料で形成し、この成膜用基板を用いて基板９０１上の第１の電極９０２上にＥＬ層９０３を形成する。そして、ＥＬ層９０３上に第２の電極９０４を形成することにより、図１０（Ａ）に示す発光素子を得ることができる。

発光層９１３としては種々の材料を用いることができる。例えば、蛍光を発光する蛍光性化合物や燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる。

発光層９１３に用いることのできる燐光性化合物としては、例えば、青色系の発光材料として、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス［２−（３’，５’ビストリフルオロメチルフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ_３ｐｐｙ）_２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒａｃａｃ）などが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ａｃａｃ））、ビス（１，２−ジフェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｂｉ）_２（ａｃａｃ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）_２（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、黄色系の発光材料として、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オキサゾラト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｄｐｏ）_２（ａｃａｃ））、ビス［２−（４’−パーフルオロフェニルフェニル）ピリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）_２（ａｃａｃ））、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ）_２（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、橙色系の発光材料として、トリス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｑ）_３）、ビス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｑ）_２（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、赤色系の発光材料として、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^３’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔｐ）_２（ａｃａｃ））、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）等の有機金属錯体が挙げられる。また、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）_３（Ｐｈｅｎ））、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）_３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）_３（Ｐｈｅｎ））等の希土類金属錯体は、希土類金属イオンからの発光（異なる多重度間の電子遷移）であるため、燐光性化合物として用いることができる。

発光層９１３に用いることのできる蛍光性化合物としては、例えば、青色系の発光材料として、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）などが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルアントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）などが挙げられる。また、黄色系の発光材料として、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−６，１１−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）などが挙げられる。また、赤色系の発光材料として、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１３−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）などが挙げられる。

また、発光層９１３として、発光性の高い物質（ドーパント材料）を他の物質（ホスト材料）に分散させた構成を用いることもできる。発光性の高い物質（ドーパント材料）を他の物質（ホスト材料）に分散させた構成を用いるにより、発光層の結晶化を抑制することができる。また、発光性の高い物質の濃度が高いことによる濃度消光を抑制することができる。

発光性の高い物質を分散させる物質としては、発光性の高い物質が蛍光性化合物の場合には、蛍光性化合物よりも一重項励起エネルギー（基底状態と一重項励起状態とのエネルギー差）が大きい物質を用いることが好ましい。また、発光性の高い物質が燐光性化合物の場合には、燐光性化合物よりも三重項励起エネルギー（基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差）が大きい物質を用いることが好ましい。

発光層９１３に用いるホスト材料としては、例えば４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、４，４’−ビス［Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）などの他、４，４’−ジ（９−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９−［４−（９−カルバゾリル）フェニル］−１０−フェニルアントラセン（略称：ＣｚＰＡ）などが挙げられる。

また、ドーパント材料としては、上述した燐光性化合物や蛍光性化合物を用いることができる。

発光層９１３として、発光性の高い物質（ドーパント材料）を他の物質（ホスト材料）に分散させた構成を用いる場合には、成膜用基板上の材料層として、ホスト材料とゲスト材料とを混合した層を形成すればよい。または、成膜用基板上の材料層として、ホスト材料を含む層とドーパント材料を含む層とが積層した構成としてもよい。このような構成の材料層を有する成膜用基板を用いて発光層９１３を形成することにより、発光層９１３は発光材料を分散させる物質（ホスト材料）と発光性の高い物質（ドーパント材料）とを含み、発光材料を分散させる物質（ホスト材料）に発光性の高い物質（ドーパント材料）が分散された構成となる。なお、発光層９１３として、２種類以上のホスト材料とドーパント材料を用いてもよいし、２種類以上のドーパント材料とホスト材料を用いてもよい。また、２種類以上のホスト材料及び２種類以上のドーパント材料を用いてもよい。

また、図１０（Ｂ）に示す発光素子を形成する場合には、ＥＬ層９０３（正孔注入層９１１、正孔輸送層９１２、電子輸送層９１４、および電子注入層９１５）のそれぞれの層を形成する材料で形成された材料層を有する実施の形態１及び実施の形態２で示した成膜用基板を各層毎に用意し、各層の成膜毎に異なる成膜用基板を用いて、実施の形態１及び実施の形態２で示した方法により、基板９０１上の第１の電極９０２上にＥＬ層９０３を形成することができる。そして、ＥＬ層９０３上に第２の電極９０４を形成することにより、図１０（Ｂ）に示す発光素子を得ることができる。なお、この場合には、ＥＬ層９０３の全ての層に実施の形態１及び実施の形態２で示した方法を用いることもできるが、一部の層のみに実施の形態１〜実施の形態３で示した方法を用いても良い。なお、実施の形態１〜実施の形態３で示した方法は、微細パターンの形成が可能であるため、フルカラーの表示装置を作製する場合には、発光層に適用することが好ましい。また、実施の形態１〜実施の形態３で示した方法は、低分子の有機化合物に適用することが好ましい。

例えば、正孔注入層９１１としては、モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。この他、フタロシアニン（略称：Ｈ_２Ｐｃ）や銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物、或いはポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子等によっても正孔注入層を形成することができる。

また、正孔注入層９１１として、正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質を含む層を用いることができる。正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質とを含む層は、キャリア密度が高く、正孔注入性に優れている。また、正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質とを含む層を、陽極として機能する電極に接する正孔注入層として用いることにより、陽極として機能する電極材料の仕事関数の大小に関わらず、様々な金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。

正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質を含む層は、例えば、正孔輸送性の高い物質を含む層と電子受容性を示す物質を含む層とが積層された材料層を有する成膜用基板を用いることにより形成することができる。

正孔注入層９１１に用いる電子受容性を示す物質としては、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）、クロラニル等を挙げることができる。また、遷移金属酸化物を挙げることができる。また元素周期表における第４族から第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。

正孔注入層９１１に用いる正孔輸送性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の化合物を用いることができる。なお、正孔注入層に用いる正孔輸送性の高い物質としては、１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、正孔注入層９１１に用いることのできる正孔の輸送性の高い物質を具体的に列挙する。

例えば、正孔注入層９１１に用いることのできる芳香族アミン化合物としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）等を用いることができる。また、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−メチルフェニル）（ｐ−トリル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰＰＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）等を挙げることができる。

正孔注入層９１１に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、具体的には、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等を挙げることができる。

また、正孔注入層９１１に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、１，４−ビス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］−２，３，５，６−テトラフェニルベンゼン等を用いることができる。

また、正孔注入層９１１に用いることのできる芳香族炭化水素としては、例えば、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス（４−フェニルフェニル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＢＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＡｎｔｈ）、９，１０−ビス（４−メチル−１−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＭＮＡ）、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］−２−ｔｅｒｔ−ブチル−アントラセン、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン、９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ジフェニル−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス（２−フェニルフェニル）−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス［（２，３，４，５，６−ペンタフェニル）フェニル］−９，９’−ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン等が挙げられる。また、この他、ペンタセン、コロネン等も用いることができる。このように、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有し、炭素数１４〜４２である芳香族炭化水素を用いることがより好ましい。

なお、正孔注入層９１１に用いることのできる芳香族炭化水素は、ビニル骨格を有していてもよい。ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０−ビス［４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル］アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）等が挙げられる。

これら正孔輸送性の高い物質を含む層と、電子受容性を示す物質を含む層とが積層された材料層を有する成膜用基板を用いることで、正孔注入層９１１を形成することができる。電子受容性を示す物質として金属酸化物を用いた場合には、成膜用基板の支持基板上に正孔輸送性の高い物質を含む層を形成した後、金属酸化物を含む層を形成することが好ましい。金属酸化物は、正孔輸送性の高い物質よりも蒸着可能温度が高い場合が多いためである。このような構成の成膜用基板とすることにより、正孔輸送性の高い物質と金属酸化物とを効率良く成膜することができる。また、成膜した膜において局所的な濃度の偏りを抑制することができる。また、正孔輸送性の高い物質と金属酸化物の両方を溶解させるまたは分散させる溶媒は種類が少なく、混合溶液を形成しにくい。よって、湿式法を用いて混合層を直接形成することは困難である。しかし、上記実施の形態で示した成膜方法を適用することにより、正孔輸送性の高い物質と金属酸化物とを含む混合層を容易に形成することができる。

また、正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質とを含む層は、正孔注入性だけでなく、正孔輸送性も優れているため、上述した正孔注入層９１１を正孔輸送層として用いてもよい。

また、正孔輸送層９１２は、正孔輸送性の高い物質を含む層であり、正孔輸送性の高い物質としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα−ＮＰＤ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。

電子輸送層９１４は、電子輸送性の高い物質を含む層であり、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ_２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）など、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等を用いることができる。また、この他ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンズオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）_２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）_２）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）や、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ０１）バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）なども用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いても構わない。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。

また、電子注入層９１５としては、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）等のようなアルカリ金属化合物、又はアルカリ土類金属化合物を用いることができる。さらに、電子輸送性を有する物質とアルカリ金属又はアルカリ土類金属が組み合わされた層も使用できる。例えばＡｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたものを用いることができる。なお、電子注入層として、電子輸送性を有する物質とアルカリ金属又はアルカリ土類金属を組み合わせた層を用いることは、第２の電極９０４からの電子注入が効率良く起こるためより好ましい。

なお、ＥＬ層９０３は、層の積層構造については特に限定されず、電子輸送性の高い物質または正孔輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、正孔注入性の高い物質、バイポーラ性（電子及び正孔の輸送性の高い物質）の物質等を含む層と、発光層とを適宜組み合わせて構成すればよい。

ＥＬ層９０３で得られた発光は、第１の電極９０２または第２の電極９０４のいずれか一方または両方を通って外部に取り出される。従って、第１の電極９０２または第２の電極９０４のいずれか一方または両方は、透光性を有する電極である。第１の電極９０２のみが透光性を有する電極である場合、光は第１の電極９０２を通って基板９０１側から取り出される。また、第２の電極９０４のみが透光性を有する電極である場合、光は第２の電極９０４を通って基板９０１と逆側から取り出される。第１の電極９０２および第２の電極９０４がいずれも透光性を有する電極である場合、光は第１の電極９０２および第２の電極９０４を通って、基板９０１側および基板９０１と逆側の両方から取り出される。

なお、図１０では、陽極として機能する第１の電極９０２を基板９０１側に設けた構成について示したが、陰極として機能する第２の電極９０４を基板９０１側に設けてもよい。

また、ＥＬ層９０３の形成方法としては、実施の形態１及び実施の形態２で示した成膜方法と、他の成膜方法とを組み合わせてもよい。また、各電極または各層ごとに異なる成膜方法を用いて形成しても構わない。乾式法としては、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。また、湿式法としては、スピンコート法、スプレーコート法、インクジェット法、ディップコート法、キャスト法、ダイコート法、ロールコート法、ブレードコート法、バーコート法、グラビアコート法、又は印刷法などが挙げられる。

本実施の形態に係る発光素子は、上記実施の形態で示した成膜方法を適用したＥＬ層の形成が可能である。よって、発光素子を構成するＥＬ層を容易に形成することができると共に、発光素子を有する発光装置を容易に作製することができる。

また、上記実施の形態で示した成膜方法を適用することにより、平坦でムラのない膜を成膜することができるため、優れた性能の発光装置を生産性良く作製することができる。

また、上記実施の形態で示した成膜方法を適用することにより、微細なパターン形成が可能であり、且つ、所望のパターン外の領域へ成膜されてしまうボケを抑制することができるため、高精細の発光装置を作製することができる。

また、上記実施の形態で示した成膜方法は、湿式法を用いてＥＬ層を形成する場合とは異なり、すでに形成された層の溶解性等を考慮する必要がないため、成膜する材料の種類の選択肢が広がる。また、積層する層の数についても自由に設定できる。よって、所望の材料を用いて、所望の積層構造の発光装置を作製することができる。

また、上記実施の形態で示した成膜方法を適用することにより、成膜室内壁に材料が付着することも防止でき、成膜装置のメンテナンスを簡便にすることができる。

また、上記実施の形態で示した成膜方法では、光源として高出力のレーザ光を用いることができるため、大面積を一括して成膜することが可能となる。よって、発光装置の製造に要する時間（タクトタイム）を短縮することができ、生産性を向上させることができる。

また、上記実施の形態で示した成膜方法では、成膜用基板に形成される材料層の膜厚を制御することによって、被成膜基板上に成膜される膜の膜厚を制御することができるため、被成膜基板上に成膜する際の膜厚モニターは不要となる。よって、膜厚モニターを利用した成膜速度の調節を使用者が行う必要がなく、成膜工程を全自動化することが可能である。そのため、生産性の向上を図ることができる。

また、成膜用基板上に形成された材料層に含まれる材料を均一に成膜することができる。また、材料層が複数の材料を含む場合でも、材料層と同じ材料をほぼ同じ重量比で含有する膜を被成膜基板上に成膜することができる。従って、本実施の形態に係る成膜方法は、気化する温度の異なる複数の材料を用いて成膜する場合でも、蒸着レート等の複雑な制御を行うことなく、所望の異なる材料を含む層を容易に精度良く成膜することができる。

なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態６）
本実施の形態では、実施の形態５で説明した発光素子を用いて形成される発光装置について説明する。

まず、パッシブマトリクス型の発光装置の一例について、図１１、図１２を用いて説明することとする。

パッシブマトリクス型（単純マトリクス型ともいう）の発光装置は、ストライプ状（帯状）に並列された複数の陽極と、ストライプ状に並列された複数の陰極とが互いに直交するように設けられており、その交差部に発光層が挟まれた構造となっている。従って、選択された（電圧が印加された）陽極と選択された陰極との交点にあたる画素が点灯することになる。

図１１（Ａ）は、封止前における画素部の上面図を示す図であり、図１１（Ａ）中の鎖線Ａ−Ａ’で切断した断面図が図１１（Ｂ）であり、鎖線Ｂ−Ｂ’で切断した断面図が図１１（Ｃ）である。

基板１００１上には、下地絶縁層として絶縁層１００４を形成する。なお、下地絶縁層が必要でなければ特に形成しなくともよい。絶縁層１００４上には、ストライプ状に複数の第１の電極１０１３が等間隔で配置されている。また、第１の電極１０１３上には、各画素に対応する開口部を有する隔壁１０１４が設けられ、開口部を有する隔壁１０１４は絶縁材料（感光性または非感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、またはベンゾシクロブテン）、またはＳＯＧ膜（例えば、アルキル基を含むＳｉＯｘ膜））で構成されている。なお、各画素に対応する開口部が発光領域１０２１となる。

開口部を有する隔壁１０１４上に、第１の電極１０１３と交差する互いに平行な複数の逆テーパ状の隔壁１０２２が設けられる。逆テーパ状の隔壁１０２２はフォトリソグラフィ法に従い、未露光部分がパターンとしてポジ型感光性樹脂を用い、パターンの下部がより多くエッチングされるように露光量または現像時間を調節することによって形成する。

開口部を有する隔壁１０１４及び逆テーパ状の隔壁１０２２を合わせた高さは、ＥＬ層及び第２の電極１０１６の膜厚より大きくなるように設定する。これにより、複数の領域に分離されたＥＬ層、具体的には赤色発光を示す材料で形成されたＥＬ層（Ｒ）（１０１５Ｒ）、緑色発光を示す材料で形成されたＥＬ層（Ｇ）（１０１５Ｇ）、青色発光を示す材料で形成されたＥＬ層（Ｂ）（１０１５Ｂ）と、第２の電極１０１６とが形成される。なお、複数に分離された領域は、それぞれ電気的に独立している。

第２の電極１０１６は、第１の電極１０１３と交差する方向に伸長する互いに平行なストライプ状の電極である。なお、逆テーパ状の隔壁１０２２上にもＥＬ層及び第２の電極１０１６を形成する導電層の一部が形成されるが、ＥＬ層（Ｒ）（１０１５Ｒ）、ＥＬ層（Ｇ）（１０１５Ｇ）、ＥＬ層（Ｂ）（１０１５Ｂ）、及び第２の電極１０１６とは分断されている。なお、本実施の形態におけるＥＬ層は、少なくとも発光層を含む層であって、発光層の他に正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、又は電子注入層等を含んでいてもよい。

ここでは、ＥＬ層（Ｒ）（１０１５Ｒ）、ＥＬ層（Ｇ）（１０１５Ｇ）、ＥＬ層（Ｂ）（１０１５Ｂ）を選択的に形成し、３種類（赤（Ｒ）、青（Ｇ）、緑（Ｂ））の発光が得られるフルカラー表示可能な発光装置を形成する例を示している。なお、ＥＬ層（Ｒ）（１０１５Ｒ）、ＥＬ層（Ｇ）（１０１５Ｇ）、ＥＬ層（Ｂ）（１０１５Ｂ）は、それぞれ互いに平行なストライプパターンで形成されている。これらのＥＬ層を形成するには、上記実施の形態１又は実施の形態２に示す成膜方法を適用すればよい。

また、必要であれば、封止缶や封止のためのガラス基板などの封止材を用いて封止する。ここでは、封止基板としてガラス基板を用い、シール材などの接着材を用いて基板と封止基板とを貼り合わせ、シール材などの接着材で囲まれた空間を密閉なものとしている。密閉された空間には、充填材や、乾燥した不活性ガスを充填する。また、発光装置の信頼性を向上させるために、基板と封止材との間に乾燥材などを封入してもよい。乾燥材によって微量な水分が除去され、十分乾燥される。また、乾燥材としては、酸化カルシウムや酸化バリウムなどのようなアルカリ土類金属の酸化物のような化学吸着によって水分を吸収する物質を用いることが可能である。なお、他の乾燥材として、ゼオライトやシリカゲル等の物理吸着によって水分を吸着する物質を用いてもよい。

ただし、発光素子を覆って接する封止材が設けられ、十分に外気と遮断されている場合には、乾燥材は、特に設けなくともよい。

次に、図１１に示したパッシブマトリクス型の発光装置にＦＰＣなどを実装した場合の上面図を図１２に示す。

図１２において、画像表示を構成する画素部は、走査線群とデータ線群が互いに直交するように交差している。

ここで、図１１における第１の電極１０１３が、図１２の走査線１１０３に相当し、図１１における第２の電極１０１６が、図１２のデータ線１１０２に相当し、逆テーパ状の隔壁１０２２が隔壁１１０４に相当し、基板１００１が基板１１０１に相当する。データ線１１０２と走査線１１０３の間にはＥＬ層が挟まれており、領域１１０５で示される交差部が画素１つ分となる。

なお、走査線１１０３は配線端で接続配線１１０８と電気的に接続され、接続配線１１０８が入力端子１１０７を介してＦＰＣ１１０９ｂに接続される。また、データ線は入力端子１１０６を介してＦＰＣ１１０９ａに接続される。

また、必要であれば、射出面に偏光板、又は円偏光板（楕円偏光板を含む）、位相差板（λ／４板、λ／２板）、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けてもよい。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。

なお、図１２では、駆動回路を基板上に設けない例を示したが、本実施の形態はこれに限られるものではなく、例えば、基板上に駆動回路を有するＩＣチップを実装させてもよい。

また、ＩＣチップを実装させる場合、画素部の周辺（外側）の領域に、画素部へ各信号を伝送する駆動回路が形成されたデータ線側ＩＣ、走査線側ＩＣをＣＯＧ方式によりそれぞれ実装する。ＣＯＧ方式以外の実装技術としてＴＣＰやワイヤボンディング方式を用いて実装してもよい。ＴＣＰはＴＡＢテープにＩＣを実装したものであり、ＴＡＢテープを素子形成基板上の配線に接続してＩＣを実装する。データ線側ＩＣ、および走査線側ＩＣは、シリコン基板を用いたものであってもよいし、ガラス基板、石英基板もしくはプラスチック基板上にＴＦＴで駆動回路を形成したものであってもよい。また、片側に一つのＩＣを設けた例を説明しているが、片側に複数個に分割して設けても構わない。

次に、アクティブマトリクス型の発光装置の例について、図１３を用いて説明する。なお、図１３（Ａ）は発光装置を示す上面図であり、図１３（Ｂ）は図１３（Ａ）を鎖線Ａ−Ａ’で切断した断面図である。本実施の形態に係るアクティブマトリクス型の発光装置は、素子基板１２１０上に設けられた画素部１２０２と、駆動回路部（ソース側駆動回路）１２０１と、駆動回路部（ゲート側駆動回路）１２０３と、を有する。画素部１２０２、駆動回路部１２０１、及び駆動回路部１２０３は、シール材１２０５によって、素子基板１２１０と封止基板１２０４との間に封止されている。

また、素子基板１２１０上には、駆動回路部１２０１、及び駆動回路部１２０３に外部からの信号（例えば、ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、又はリセット信号等）や電位を伝達する外部入力端子を接続するための引き回し配線１２０８が設けられる。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）１２０９を設ける例を示している。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。

次に、断面構造について図１３（Ｂ）を用いて説明する。素子基板１２１０上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、ソース側駆動回路である駆動回路部１２０１と、画素部１２０２が示されている。

駆動回路部１２０１はｎチャネル型ＴＦＴ１２２３とｐチャネル型ＴＦＴ１２２４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される例を示している。なお、駆動回路部を形成する回路は、種々のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、画素部が形成された基板上に駆動回路を形成したドライバー一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、画素部が形成された基板上ではなく外部に駆動回路を形成することもできる。

また、画素部１２０２はスイッチング用ＴＦＴ１２１１と、電流制御用ＴＦＴ１２１２と電流制御用ＴＦＴ１２１２の配線（ソース電極又はドレイン電極）に電気的に接続された第１の電極１２１３とを含む複数の画素により形成される。なお、第１の電極１２１３の端部を覆って絶縁物１２１４が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂を用いることにより形成する。

また、上層に積層形成される膜の被覆性を良好なものとするため、絶縁物１２１４の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにするのが好ましい。例えば、絶縁物１２１４の材料としてポジ型の感光性アクリル樹脂を用いた場合、絶縁物１２１４の上端部に曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物１２１４として、感光性の光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができ、有機化合物に限らず無機化合物、例えば、酸化シリコン、酸窒化シリコン等、の両者を使用することができる。

第１の電極１２１３上には、ＥＬ層１２００及び第２の電極１２１６が積層形成されている。なお、第１の電極１２１３をＩＴＯ膜とし、第１の電極１２１３と接続する電流制御用ＴＦＴ１２１２の配線として窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜との積層膜、或いは窒化チタン膜、アルミニウムを主成分とする膜、窒化チタン膜との積層膜を適用すると、配線としての抵抗も低く、ＩＴＯ膜との良好なオーミックコンタクトがとれる。なお、ここでは図示しないが、第２の電極１２１６は外部入力端子であるＦＰＣ１２０９に電気的に接続されている。

ＥＬ層１２００は、少なくとも発光層が設けられており、発光層の他に正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層又は電子注入層を適宜設ける構成とする。第１の電極１２１３、ＥＬ層１２００及び第２の電極１２１６との積層構造で、発光素子１２１５が形成されている。

また、図１３（Ｂ）に示す断面図では発光素子１２１５を１つのみ図示しているが、画素部１２０２において、複数の発光素子がマトリクス状に配置されているものとする。画素部１２０２には、３種類（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の発光が得られる発光素子をそれぞれ選択的に形成し、フルカラー表示可能な発光装置を形成することができる。また、カラーフィルタと組み合わせることによってフルカラー表示可能な発光装置としてもよい。

さらにシール材１２０５で封止基板１２０４を素子基板１２１０と貼り合わせることにより、素子基板１２１０、封止基板１２０４、およびシール材１２０５で囲まれた空間１２０７に発光素子１２１５が備えられた構造になっている。なお、空間１２０７には、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材１２０５で充填される構成も含むものとする。

なお、シール材１２０５にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板１２０４に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。

以上のようにして、本実施の形態の発光装置を得ることができる。アクティブマトリクス型の発光装置は、ＴＦＴを作製するため、１枚あたりの製造コストがパッシブマトリクス型の発光装置に比べ高くなりやすいが、上記実施の形態で示した成膜方法を適用することで、発光装置の製造コストの低減を図ることができる。

また、上記実施の形態で示した成膜方法を適用することで、発光素子を構成するＥＬ層を容易に形成することができると共に、発光素子を有する発光装置を容易に作製することができる。

また、上記実施の形態で示した成膜方法を適用することにより、平坦でムラのない膜を成膜することができるため、優れた性能の発光装置を生産性良く作製することができる。

また、上記実施の形態で示した成膜方法を適用することにより、微細なパターン形成が可能であり、所望のパターン以外へ成膜されてしまうボケを抑制することができるため、高精細の発光装置を作製することができる。

また、上記実施の形態で示した成膜方法は、湿式法を用いてＥＬ層を形成する場合とは異なり、すでに形成された層の溶解性等を考慮する必要がないため、成膜する材料の種類の選択肢が広がる。また、積層する層の数についても自由に設定できる。よって、所望の材料を用いて、所望の積層構造の発光装置を作製することができる。

また、上記実施の形態で示した成膜方法を適用することにより、所望の材料を無駄にすることなく、被成膜基板に成膜することが可能であるため、材料の利用効率が向上し、製造コストの低減を図ることができる。また、成膜室内壁に材料が付着することも防止でき、成膜装置のメンテナンスを簡便にすることができる。

また、上記実施の形態で示した成膜方法は、光源として高出力のレーザ光を用いることができるため、大面積を一括して成膜することが可能となる。よって、発光装置の製造に要する時間（タクトタイム）を短縮することができ、生産性を向上させることができる。

また、上記実施の形態で示した成膜方法は、成膜用基板に形成される材料層の膜厚を制御することによって、被成膜基板上に成膜される膜の膜厚を制御することができるため、被成膜基板上に成膜する際の膜厚モニターは不要となる。よって、膜厚モニターを利用した成膜速度の調節を使用者が行う必要がなく、成膜工程を全自動化することが可能である。そのため、生産性の向上を図ることができる。

また、上記実施の形態で示した成膜方法を適用することにより、成膜用基板上に形成された材料層に含まれる材料を、被成膜基板上に均一に成膜することができる。また、成膜用基板上の材料層が複数の材料を含む場合でも、材料層と同じ材料をほぼ同じ重量比で含有する膜を被成膜基板上に成膜することができる。従って、この成膜方法は、気化する温度の異なる複数の材料を用いて成膜する場合でも、蒸着レート等の複雑な制御を行うことなく、所望の異なる材料を含む層を容易に精度良く成膜することができる。

なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態７）
本実施の形態では、実施の形態６で示した発光装置を用いて完成させた様々な電子機器について、図１４を用いて説明する。

本実施の形態に係る電子機器として、テレビジョン、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、ノート型コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはデジタルビデオディスク（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうる表示装置を備えた装置）、照明装置などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を図１４に示す。

図１４（Ａ）は表示装置であり、筐体８００１、支持台８００２、表示部８００３、スピーカー部８００４、ビデオ入力端子８００５等を含む。上記実施の形態を用いて形成される発光装置をその表示部８００３に用いることにより作製される。なお、表示装置は、コンピュータ用、ＴＶ放送受信用の表示装置を含む。表示装置は、表示部に用いられた発光装置の成膜工程において光エネルギーの利用効率向上が図られているため、大面積を一度に成膜処理することが可能であり、発光装置の量産及び表示部の大画面化に好適である。また、製造効率向上、及び発光装置の性能の向上を図ることができるので、表示装置の製造における製造コストの低減、および生産性の向上を図ることができ、安価な表示装置を提供することができる。

図１４（Ｂ）はコンピュータであり、本体８１０１、筐体８１０２、表示部８１０３、キーボード８１０４、外部接続ポート８１０５、ポインティングデバイス８１０６等を含む。なお、コンピュータは、上記実施の形態を用いて形成される発光装置をその表示部８１０３に用いることにより作製される。上記実施の形態を適用することで、主に発光装置の成膜工程における材料の利用効率向上および製造効率向上、また、発光装置の性能の向上を図ることができるので、コンピュータの製造における製造コストの低減、および生産性の向上を図ることができ、安価なコンピュータを提供することができる。また、表示部に用いられた発光装置の成膜工程において光エネルギーの利用効率向上が図られているため、大面積を一度に成膜処理することが可能であり、発光装置の量産及び表示部の大画面化に好適である。

図１４（Ｃ）はビデオカメラであり、本体８２０１、表示部８２０２、筐体８２０３、外部接続ポート８２０４、リモコン受信部８２０５、受像部８２０６、バッテリー８２０７、音声入力部８２０８、操作キー８２０９、接眼部８２１０等を含む。なお、ビデオカメラは、上記実施の形態を用いて形成される発光装置をその表示部８２０２に用いることにより作製される。上記実施の形態を適用することで、主に発光装置の成膜工程における材料の利用効率向上および製造効率向上、また、発光装置の性能の向上を図ることができるので、ビデオカメラの製造における製造コストの低減、および生産性の向上を図ることができ、安価なビデオカメラを提供することができる。また、表示部に用いられた発光装置の成膜工程において光エネルギーの利用効率向上が図られているため、大面積を一度に成膜処理することが可能であり、発光装置の量産及び表示部の大画面化に好適である。

図１４（Ｄ）は卓上照明装置であり、照明部８３０１、傘８３０２、可変アーム８３０３、支柱８３０４、台８３０５、電源８３０６を含む。なお、卓上照明装置は、上記実施の形態を用いて形成される発光装置を照明部８３０１に用いることにより作製される。なお、照明装置には天井固定型の照明器具または壁掛け型の照明器具なども含まれる。上記実施の形態を適用することで、主に発光装置の成膜工程における材料の利用効率向上および製造効率向上、また、発光装置の性能の向上を図ることができるので、卓上照明器具の製造における製造コストの低減、および生産性の向上を図ることができ、安価な卓上照明器具を提供することができる。また、照明部に用いられた発光装置の成膜工程において光エネルギーの利用効率向上が図られているため、大面積を一度に成膜処理することが可能であり、発光装置の量産及び照明部の大画面化に好適である。

ここで、図１４（Ｅ）は携帯電話であり、本体８４０１、筐体８４０２、表示部８４０３、音声入力部８４０４、音声出力部８４０５、操作キー８４０６、外部接続ポート８４０７、アンテナ８４０８等を含む。なお、携帯電話は、上記実施の形態を用いて形成される発光装置をその表示部８４０３に用いることにより作製される。上記実施の形態を適用することで、主に発光装置の成膜工程における材料の利用効率向上および製造効率向上、また、発光装置の性能の向上を図ることができるので、携帯電話の製造における製造コストの低減、および生産性の向上を図ることができ、安価な携帯電話を提供することができる。また、表示部に用いられた発光装置の成膜工程において光エネルギーの利用効率向上が図られているため、大面積を一度に成膜処理することが可能であり、発光装置の量産に好適である。

また、図１５（Ａ）も携帯電話であり、図１５（Ａ）が正面図、図１５（Ｂ）が背面図、図１５（Ｃ）が展開図である。本体１４０１は、電話と携帯情報端末の双方の機能を備えており、コンピュータを内蔵し、音声通話以外にも様々なデータ処理が可能な所謂スマートフォンである。

本体１４０１は、筐体１４０２及び筐体１４０３の二つの筐体で構成されている。筐体１４０２には、表示部１４０４、スピーカー１４０５、マイクロフォン１４０６、操作キー１４０７、ポインティングデバイス１４０８、カメラ用レンズ１４０９、外部接続端子１４１０、イヤホン端子１４１１等を備え、筐体１４０３には、キーボード１４１２、外部メモリスロット１４１３、カメラ用レンズ１４１４、ライト１４１５等を備えている。また、アンテナは筐体１４０２内部に内蔵されている。

また、上記構成に加えて、非接触ＩＣチップ、小型記録装置等を内蔵していてもよい。

表示部１４０４には、上記実施の形態に示される表示装置を組み込むことが可能であり、使用形態に応じて表示の方向が適宜変化する。表示部１４０４と同一面上にカメラ用レンズ１４０９を備えているため、テレビ電話が可能である。また、表示部１４０４をファインダーとし、カメラ用レンズ１４１４及びライト１４１５で静止画及び動画の撮影が可能である。スピーカー１４０５、及びマイクロフォン１４０６は音声通話に限らず、テレビ電話、録音、再生等が可能である。

操作キー１４０７では、電話の発着信、電子メール等の簡単な情報入力、画面のスクロール、カーソル移動等が可能である。更に、重なり合った筐体１４０２と筐体１４０３（図１５（Ａ））は、スライドし、図１５（Ｃ）のように展開し、携帯情報端末として使用できる。この場合、キーボード１４１２、ポインティングデバイス１４０８を用い円滑な操作が可能である。外部接続端子１４１０はＡＣアダプタ及びＵＳＢケーブル等の各種ケーブルと接続可能であり、充電及びコンピュータ等とのデータ通信が可能である。また、外部メモリスロット１４１３に記録媒体を挿入しより大量のデータ保存及び移動に対応できる。

また、上記機能に加えて、赤外線通信機能、テレビ受信機能等を備えたものであってもよい。

なお、上述した携帯電話は、上記実施の形態を用いて形成される発光装置をその表示部１４０４に用いることにより作製される。上記実施の形態を適用することで、主に発光装置の成膜工程における材料の利用効率向上および製造効率向上、また、発光装置の性能の向上を図ることができるので、携帯電話の製造における製造コストの低減、および生産性の向上を図ることができ、安価な携帯電話を提供することができる。

以上のようにして、本実施の形態に係る電子機器や照明器具を得ることができる。本実施の形態の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。

なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。

１００ 支持基板
１０２ レンズ
１０４ レンズアレイ
１０６ 光吸収層
１０７ 断熱層
１０８ 材料層
１１０ 成膜用基板
１２０ 窓
２００ 被成膜基板
２０３ 電極層
２０５ 絶縁物
２０７ ＥＬ層
３０１ スリット
３０３ 集光レンズアレイ
４０１ 光吸収層
４０２ 材料層
４１１ ＥＬ層（Ｒ）
４１２ ＥＬ層（Ｇ）
４１３ ＥＬ層（Ｂ）
４１４ 絶縁物

Claims (14)

1. 一方の面にレンズアレイを有し、
   対向する他方の面に光吸収層、及び前記光吸収層と接する材料層を有する成膜用基板。
2. 請求項１において、
   前記光吸収層は、島状またはストライプ状に形成されている成膜用基板。
3. 請求項１または２において、
   前記材料層は、島状またはストライプ状に形成されている成膜用基板。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   前記光吸収層上に形成され、開口部を有する断熱層を有し、
   前記断熱層の前記開口部において、前記材料層と前記光吸収層とが接している成膜用基板。
5. 一方の面にレンズアレイが設けられ、対向する他方の面に光吸収層が設けられた支持基板上に、前記光吸収層に接する材料層を形成し、
   前記支持基板の前記材料層が形成された面と、被成膜基板の被成膜面とを対向させ、
   前記支持基板の前記レンズアレイが設けられた面側から光を前記光吸収層の少なくとも一部に選択的に照射して、
   光を照射された領域の前記光吸収層と重なる領域に位置する前記材料層を加熱して、前記被成膜基板の被成膜面に成膜を行う成膜方法。
6. 一方の面にレンズアレイが設けられ、対向する他方の面に光吸収層が設けられた支持基板上に、前記光吸収層に接する材料層を形成し、
   前記支持基板の前記レンズアレイが形成された面と対向するスリットを配置し、
   前記支持基板の前記材料層が形成された面と、被成膜基板の被成膜面とを対向させ、
   前記支持基板の前記レンズアレイが設けられた面側から、前記スリットを通過した光を前記光吸収層の少なくとも一部に選択的に照射して、
   光を照射された領域の前記光吸収層と重なる領域に位置にする前記材料層を加熱して、前記被成膜基板の被成膜面に成膜を行う成膜方法。
7. 請求項６において、
   前記光の光路上であって前記スリットの前方に、集光レンズアレイを配置し、
   前記集光レンズアレイ及び前記スリットを通過した光を、前記支持基板の前記レンズアレイが設けられた面側から前記光吸収層に照射する成膜方法。
8. 請求項５乃至７のいずれか一において、
   前記材料層が島状またはストライプ状に形成されている成膜方法。
9. 請求項５乃至８のいずれか一において、
   前記光吸収層が島状またはストライプ状に形成されている成膜方法。
10. 請求項５乃至９のいずれか一において、
    前記材料層は有機化合物からなる成膜方法。
11. 請求項５乃至１０のいずれか一において、
    前記光吸収層の膜厚は、１０ｎｍ以上６００ｎｍ以下である成膜方法。
12. 請求項５乃至１１のいずれか一に記載の成膜方法を用いて製造された発光装置。
13. 請求項１２に記載の発光装置を用いた照明装置。
14. 請求項１２に記載の発光装置を用いた電子機器。

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