JP5728068B2 - 成膜用基板 - Google Patents

Description

本発明は、蒸着法により成膜可能な材料の成膜に用いる成膜用基板、およびこれを用いた
発光装置の作製方法に関する。

薄型軽量、高速応答性、直流低電圧駆動などの特徴を有する有機化合物を発光体として用
いた発光素子は、次世代のフラットパネルディスプレイへの応用が期待されている。特に
、発光素子をマトリクス状に配置した表示装置は、従来の液晶表示装置と比較して、視野
角が広く視認性が優れる点に優位性があると考えられている。

発光素子の発光機構は、一対の電極間にＥＬ層を挟んで電圧を印加することにより、陰極
から注入された電子および陽極から注入された正孔がＥＬ層の発光中心で再結合して分子
励起子を形成し、その分子励起子が基底状態に緩和する際にエネルギーを放出して発光す
るといわれている。励起状態には一重項励起と三重項励起が知られ、発光はどちらの励起
状態を経ても可能であると考えられている。

発光素子を構成するＥＬ層は、少なくとも発光層を有する。また、ＥＬ層は、発光層の他
に、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層などを有する積層構造とすること
もできる。

また、ＥＬ層を形成するＥＬ材料は低分子系（モノマー系）材料と高分子系（ポリマー系
）材料に大別される。一般に、低分子系材料は蒸着法を用いて成膜され、高分子系材料は
インクジェット法などを用いて成膜されることが多い。

蒸着法の場合に用いられる蒸着装置は、基板を設置する基板ホルダと、ＥＬ材料、つまり
ＥＬ層形成材料を封入したルツボ（または蒸着ボート）と、ルツボ内のＥＬ材料を加熱す
るヒーターと、昇華するＥＬ材料の拡散を防止するシャッターとを有しており、ヒーター
により加熱されたＥＬ材料が昇華し、基板に成膜される構成となっている。

しかし、実際には均一に膜を成膜するために、被成膜基板を回転させることや、基板とル
ツボとの間の距離を一定以上離すことが必要となる。また、複数のＥＬ材料を用いてメタ
ルマスクなどのマスクを介した塗り分けを行う場合には、異なる画素間の間隔を広く設計
し、画素間に設けられる絶縁物からなる隔壁層（バンク）の幅を広くすることが必要とな
るなど発光素子を含む発光装置の高精細化（画素数の増大）及び各表示画素ピッチの微細
化を進める上で大きな課題となっている。また、被成膜基板が大型化すると、基板を覆う
マスクが撓んでしまい、精度良く塗り分けできないといった問題がある。

また、フラットパネルディスプレイとして、より高精細化を図るためにこれらの課題を解
決すると共に、生産性の向上や低コスト化を図ることも要求されている。

これに対して、レーザ熱転写により、発光素子のＥＬ層を形成する方法が提案されている
（例えば、特許文献１参照）。特許文献１では、支持基板上に、低反射層と高反射層から
構成される光熱変換層と、転写層を有する転写用基板について記載されている。このよう
な転写用基板にレーザ光を照射することにより、転写層を素子作成用基板に転写すること
ができる。

特開２００６−３０９９９５号公報

しかしながら、従来の光熱変換層を有する転写用基板では、光熱変換層において光から変
換された熱が、膜厚方向だけでなく、光熱変換層の面方向へも伝導してしまう。光熱変換
層の面方向への熱伝導が起こると、転写層において転写される領域が広がってしまうとい
う問題がある。

よって、本発明の一態様は、発光装置の高精細化（画素数の増大）及び小型化に伴う各表
示画素ピッチの微細化を進めることが可能な発光装置の作製方法および成膜用基板を提供
することを目的の一とする。また、精度良くＥＬ層を成膜することが可能な発光装置の作
製方法を提供することを目的の一とする。

また、本発明の一態様は、成膜用基板の作製を容易にすることで製造コストを低減させる
ことを目的の一とする。

本発明の一態様は、基板上に互いに離間して形成された光吸収層と、光吸収層の一と他の
光吸収層との間に形成された隔壁層と、光吸収層及び隔壁層上にそれぞれ分離形成された
材料層と、を有し、隔壁層は、逆テーパ形状であり、隔壁層の膜厚は、光吸収層の膜厚及
び材料層の膜厚との合計よりも厚い成膜用基板である。

また、本発明の一態様は、基板上に互いに離間して形成された光吸収層と、光吸収層の一
と他の光吸収層との間に形成された隔壁層と、光吸収層及び隔壁層上にそれぞれ分離形成
された反射層と、反射層上にそれぞれ分離形成された材料層と、を有し、隔壁層は、逆テ
ーパ形状であり、隔壁層の膜厚は、光吸収層の膜厚及び材料層の膜厚との合計よりも厚い
ことを特徴とする成膜用基板である。

なお、上記構成において、隔壁層は、基板との接辺と側壁とのなす角が１００度以上１３
０度以下であることを特徴とする。

また、上記構成において、光吸収層の膜厚は、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、隔
壁層の膜厚は、１μｍ以上２μｍ以下であることを特徴とする。

本発明の一態様は、上述した成膜用基板を用いた発光装置の作製方法であって、互いに離
間して形成された光吸収層と、光吸収層の一と他の光吸収層との間に形成された、逆テー
パ形状の隔壁層と、光吸収層及び隔壁層上にそれぞれ分離形成された材料層と、を少なく
とも有する第１の基板の一方の面と、第２の基板の被成膜面と、を対向させ、第１の基板
の他方の面側から光を照射し、光吸収層と重なる領域の材料層を選択的に加熱し、光吸収
層と重なる領域の材料層を第２の基板の被成膜面に蒸着させることを特徴とする発光装置
の作製方法である。

また、本発明の一態様は、上述した成膜用基板を用いた発光装置の作製方法であって、互
いに離間して形成された光吸収層と、光吸収層の一と他の光吸収層との間に形成された、
逆テーパ形状の隔壁層と、光吸収層及び隔壁層上にそれぞれ分離形成された反射層と、反
射層を介して、光吸収層及び隔壁層上にそれぞれ分離形成された材料層と、を少なくとも
有する第１の基板の一方の面と、第２の基板の被成膜面と、を対向させ、第１の基板の他
方の面側から光を照射し、光吸収層と重なる領域の材料層を選択的に加熱し、光吸収層と
重なる領域の材料層を第２の基板の被成膜面に蒸着させることを特徴とする発光装置の作
製方法である。

また、発光素子を有する発光装置だけでなく、その発光装置を有する電子機器も本発明の
一態様の範疇に含めるものである。従って、本明細書中における発光装置とは、画像表示
デバイス、発光デバイス、もしくは光源（照明装置含む）を指す。また、発光装置にコネ
クター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくは
ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープもしくはＴＣＰ（Ｔａ
ｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＡＢテープや
ＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉ
ｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て
発光装置に含むものとする。

本発明の一態様の成膜用基板は、隔壁層が逆テーパ形状を有しており、光吸収層との間に
間隙が存在するため、光吸収層で発生した熱が隔壁層へと伝導して隔壁層上に形成された
材料層が加熱されるのを抑制することができる。これによって、光吸収層と重なる領域の
材料層を選択的に昇華させて、第２の基板上に所望のパターンを有するＥＬ層を形成する
ことができる。

また、本発明の一態様の成膜用基板は、光吸収層と隔壁層に膜厚差をつけ、さらに隔壁層
を逆テーパ形状とすることにより、材料層または反射層を分離形成させることができるた
め、成膜用基板上に材料層や反射層を所望のパターンで形成することができる。従って、
通常、成膜用基板上にパターン形成の際に必要となるフォトリソグラフィ工程が不要とな
るため、成膜用基板の製造コストを低減させることができる。

また、本発明の一態様の成膜用基板を用いることにより、成膜用基板上に形成される材料
層の膜厚を制御することによって、成膜時に被成膜基板上に成膜される膜の膜厚を制御す
ることができるため、膜厚モニターを利用した蒸着速度の調節を使用者が行う必要がなく
、成膜工程を全自動化することが可能である。

また、本発明の一態様の成膜用基板を用いることにより、成膜時に成膜用基板上に形成さ
れた材料層に含まれるＥＬ層形成材料を均一に昇華させることができる。また、材料層が
複数のＥＬ層形成材料を含む場合でも、材料層と同じＥＬ層形成材料をほぼ同じ重量比で
含有する膜を被成膜基板上に成膜することができる。従って、本発明の一態様の成膜用基
板を用いて成膜する際、蒸着温度の異なる複数のＥＬ層形成材料を用いて成膜する場合で
も、共蒸着のようにそれぞれ蒸着レートを制御する必要がない。そのため、蒸着レート等
の複雑な制御を行うことなく、所望の異なるＥＬ層形成材料を含む層を容易に精度良く成
膜することができる。

従って、上述した成膜用基板を用いた発光装置の作製方法において、平坦でムラのない膜
を成膜することが可能であり、また、微細なパターン形成が可能となるため、高精細な発
光装置を得ることができるだけでなく、その特性の向上を図ることができる。

さらに、上述した成膜用基板を用いた発光装置の作製方法において、ＥＬ材料の利用効率
を高めることができる。また、本発明の一態様の成膜用基板は、ＥＬ層の成膜を終えた後
に、洗浄して再利用することが可能である。さらに、蒸着の際の光源として熱量の大きな
ランプヒーター等を用いて、大面積を一括して成膜することが可能となるため、発光装置
の製造コストを低減させることができる。

成膜用基板及び成膜方法を説明する図。 成膜用基板及び成膜方法を説明する図。 発光装置の作製方法について説明する図。 発光装置の作製方法について説明する図。 成膜装置について説明する図。 成膜装置について説明する図。 成膜装置について説明する図。 発光素子について説明する図。 パッシブマトリクス型の発光装置を示す図。 パッシブマトリクス型の発光装置を示す図。 アクティブマトリクス型の発光装置を示す図。 電子機器を示す図。

以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の
説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を
様々に変更し得ることが可能である。従って、以下に示す実施の形態の記載内容に限定し
て解釈されるものではない。

（実施の形態１）
本実施の形態に係る発光装置の作製方法および成膜用基板を、図１を用いて説明する。

図１（Ａ）は本実施の形態に係る成膜用基板１１０の一例である。図１（Ａ）において、
支持基板である第１の基板１０１上に島状又はストライプ状に形成された複数の光吸収層
１０３が、互いに離間して設けられている。また、光吸収層１０３と、他の光吸収層１０
３との間には隔壁層１０５が形成されている。また、光吸収層１０３及び隔壁層１０５上
にそれぞれ、材料層１０７が分離形成されている。

図１（Ａ）に示した本実施の形態の成膜用基板の作製方法、及びその成膜用基板を用いた
発光装置の作製方法を説明する。

はじめに、第１の基板１０１上に光吸収層を成膜した後、光吸収層を島状又はストライプ
状にパターン形成する。第１の基板１０１は、光吸収層、材料層、隔壁層などの支持基板
であり、発光装置の作製工程において、材料層を被成膜基板に蒸着するために照射する光
を透過する基板である。よって、第１の基板１０１は光の透過率が高い基板であることが
好ましい。具体的には、材料層を蒸着するためにランプ光やレーザ光を用いる場合、第１
の基板１０１として、それらの光を透過する基板を用いることが好ましい。第１の基板１
０１としては、例えば、ガラス基板、石英基板などを用いることができる。ガラス基板や
石英基板などは、フィルム基板などよりも不純物（水分など）が吸着または付着しにくい
。よって、成膜する際に不純物の混入を防ぐことができる。

光吸収層１０３は発光装置の作製工程において、材料層１０７を加熱するために照射する
光を吸収して熱へと変換する層である。光吸収層１０３は、照射される光に対して、７０
％以下の低い反射率を有し、また、高い吸収率を有する材料で形成されていることが好ま
しい。また、光吸収層１０３は、それ自体が熱によって変化しないように、耐熱性に優れ
た材料で形成されていることが好ましい。

光吸収層１０３には、種々の材料を用いることができる。例えば、窒化チタン、窒化タン
タル、窒化モリブデン、窒化タングステン、窒化クロムなどの金属窒化物、チタン、モリ
ブデン、タングステンなどの金属、カーボンなどを用いることができる。なお、照射され
る光の波長に応じて、光吸収層１０３に好適な材料の種類が変化することから、適宜材料
を選択する必要がある。例えば、波長８００ｎｍの光に対しては、モリブデン、窒化タン
タル、チタン、タングステンなどを用いることが好ましい。また、波長１３００ｎｍの光
に対しては、窒化タンタル、チタンなどを用いることが好ましい。また、光吸収層１０３
は一層に限らず複数の層により構成されていてもよい。例えば、金属と金属窒化物の積層
構造としてもよい。

光吸収層１０３は、種々の方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタリング
法で、モリブデン、タンタル、チタン、タングステンなどのターゲット、またはこれらの
合金を用いたターゲットを用い、光吸収層１０３を形成することができる。また、光吸収
層１０３は一層に限らず複数の層により構成されていてもよい。

光吸収層１０３の膜厚は、照射される光が透過しない膜厚であることが好ましい。材料に
よって異なるが、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の膜厚であることが好ましい。光吸収層
１０３の膜厚を１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下とすることで、照射される光を効率良く吸
収して発熱させることができる。

光吸収層１０３は、照射された光を吸収して熱へと変換し、光吸収層と重なる領域に位置
する材料層１０７を加熱するため、被成膜基板に形成される画素と概略同じ大きさ、また
は、被成膜基板に形成される画素の幅と概略同じ幅となるように設けることが好ましい。
なお、フルカラー表示に対応する被成膜基板を作製する場合には、被成膜基板に形成され
る複数の画素のうち、ＲＧＢの３画素おきに１つの光吸収層１０３を形成するのが好まし
い。このような成膜用基板を３枚用いることで、被成膜基板の複数の画素領域の全てに対
して、成膜用基板の材料層を転写することができる。

光吸収層１０３のパターンを形成する際には種々な方法を用いることができるが、ドライ
エッチングを用いることが好ましい。ドライエッチングを用いることにより、パターンの
側壁が鋭くなり、微細なパターンを成膜することができる。

なお、光吸収層１０３は、材料層１０７に含まれるＥＬ層形成材料が被成膜基板へ転写さ
れる温度まで加熱可能であれば、照射する光の一部が透過してもよい。ただし、一部が透
過する場合には、光を照射しても分解しない材料を、材料層１０７に用いることが好まし
い。

光吸収層１０３を形成後、光吸収層１０３と他の光吸収層１０３との間に隔壁層１０５を
形成する。隔壁層１０５は、発光装置の作製工程において、光吸収層１０３と重なる領域
以外の材料層１０７が加熱され、被成膜基板に形成されるＥＬ層が拡大するのを抑制する
ために設けられている。隔壁層１０５の材料としては、光硬化型樹脂又は熱硬化型樹脂を
用いることができる。光硬化型樹脂又は熱硬化型樹脂としては、例えば、アクリル系樹脂
、ノボラック樹脂、珪素を含む樹脂、ジアリルフタレート樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビ
ニル樹脂、ポリビニルアルコール、ポリスチレン、メタクリル樹脂、ポリエチレン樹脂、
ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリアミド（ナイロン）、ポリイミ
ド、フェノール樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂等を用いることが可能である。また、
光硬化型樹脂又は熱硬化型樹脂に代えて、無機材料を用いてもよい。ただし隔壁層１０５
は、光吸収層１０３に用いた材料よりも熱伝導率の低い材料を用いるのが望ましい。

第１の基板１０１全面に隔壁層の材料の層を形成した後、フォトリソグラフィ法に従い、
未露光部分が残存するポジ型感光性樹脂を用い、パターンの下部がより多くエッチングさ
れるように露光量または現像時間を調節することによって隔壁層１０５を形成することが
できる。

隔壁層１０５は、その断面が、第１の基板１０１と接する辺の幅が狭く、対向する辺の幅
が広いいわゆる逆テーパ形状を有している。隔壁層１０５のテーパ角（第１の基板１０１
との接辺と隔壁層の側壁のなす角）θは、１００度以上１３０度以下に形成するのが好ま
しい。隔壁層のテーパ角が大きいほど後に成膜する材料層１０７の分離形成が容易となる
が、隔壁層１０５の強度が低くなる。隔壁層１０５が逆テーパ形状を有していることによ
り、隔壁層１０５と光吸収層１０３とが接触しない。従って、光吸収層１０３から隔壁層
１０５へと熱が伝導して、隔壁層１０５上に位置する材料層１０７が加熱されるのを抑制
することができる。

また、隔壁層１０５の膜厚は、１μｍ以上２μｍ以下に形成されている。隔壁層１０５の
膜厚を１μｍ以上とすることで、光吸収層１０３との膜厚差をつけることができるため、
後に形成される材料層を分離形成することができる。さらに、隔壁層１０５の膜厚を１μ
ｍ以上とすることにより、隔壁層１０５内を光が透過、又は、熱が伝導して、隔壁層１０
５と重なる領域の材料層１０７が加熱されるのを抑制することができる。また、隔壁層１
０５の膜厚を２μｍ以下とすることで、光吸収層１０３と重なる領域に形成された材料層
１０７が加熱された際に、隔壁層１０５の側壁に付着するのを防止することができ、ＥＬ
層形成材料の利用効率を向上させることができる。また、被成膜基板に形成されるＥＬ層
のパターン形成の精度を向上させることができる。

次いで、隔壁層１０５及び光吸収層１０３上に、ＥＬ層形成材料を含む材料層１０７を形
成する。材料層１０７は加熱により第２の基板に転写される層である。ＥＬ層形成材料と
しては、種々の材料が挙げられる。また、材料層１０７は複数のＥＬ層形成材料を含んで
いてもよい。また、材料層１０７は、単層でもよいし、複数の層が積層されていてもよい
。ＥＬ層形成材料を含む層を複数積層することにより、共蒸着することも可能である。な
お、ＥＬ層形成材料を含む層を複数積層する場合には、第１の基板側に分解温度が低いＥ
Ｌ層形成材料を含むように積層されていることが好ましい。または、第１の基板側に蒸着
温度が低いＥＬ層形成材料を含むように積層されていることが好ましい。このような構成
とすることにより、ＥＬ層形成材料を含む複数の層を効率良く加熱し、効率よくＥＬ層を
形成することができる。なお、本明細書において「蒸着温度」とは、材料が昇華する温度
を示す。また、「分解温度」とは、熱の作用によって、材料を示す化学式の少なくとも一
部に変化が起こる温度を示す。

材料層１０７は、種々の方法により形成される。例えば、乾式法である真空蒸着法、スパ
ッタリング法等を用いることができる。また、湿式法であるスピンコート法、スプレーコ
ート法、インクジェット法、ディップコート法、キャスト法、ダイコート法、ロールコー
ト法、ブレードコート法、バーコート法、グラビアコート法、又は印刷法等を用いること
ができる。これら湿式法を用いて材料層１０７を形成するには、所望のＥＬ層形成材料を
溶媒に溶解あるいは分散させ、溶液あるいは分散液を調整すればよい。溶媒は、ＥＬ層形
成材料を溶解あるいは分散させることができ、且つＥＬ層形成材料と反応しないものであ
れば特に限定されない。例えば、クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロメタン、
１，２−ジクロロエタン、或いはクロロベンゼンなどのハロゲン系溶媒、アセトン、メチ
ルエチルケトン、ジエチルケトン、ｎ−プロピルメチルケトン、或いはシクロヘキサノン
などのケトン系溶媒、ベンゼン、トルエン、或いはキシレンなどの芳香族系溶媒、酢酸エ
チル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、プロピオン酸エチル、γ−ブチロラクトン、
或いは炭酸ジエチルなどのエステル系溶媒、テトラヒドロフラン、或いはジオキサンなど
のエーテル系溶媒、ジメチルホルムアミド、或いはジメチルアセトアミドなどのアミド系
溶媒、ジメチルスルホキシド、ヘキサン、又は水等を用いることができる。また、これら
の溶媒複数種を混合して用いてもよい。湿式法を用いることにより、材料の利用効率を高
めることができ、発光装置を作製するコストを低減することができる。

なお、光吸収層１０３の膜厚と隔壁層１０５の膜厚とに膜厚差があり、また隔壁層１０５
が逆テーパ形状であるために、材料層１０７を分離形成することができる。従って、材料
層１０７を分離形成するためのフォトリソグラフィー工程を省略することができる。材料
層１０７を分離形成することで、材料層１０７内を熱が横方向に伝導して転写される領域
が広がってしまうのを抑制することができるため、微細なＥＬ層のパターン形成が可能と
なる。隔壁層１０５の膜厚Ｔ_２は、光吸収層１０３の膜厚と光吸収層１０３上に設けられ
た材料層１０７の膜厚との合計の膜厚Ｔ_１よりも厚く形成されている。

後の工程で被成膜基板である第２の基板２０１上に形成されるＥＬ層２０７の膜厚は、支
持基板である第１の基板上に形成された材料層１０７に依存する。そのため、材料層の膜
厚を制御することにより、容易に被成膜基板である第２の基板２０１上に形成されるＥＬ
層２０７の膜厚を制御することができる。なお、ＥＬ層の膜厚および均一性が保たれるの
であれば、材料層は必ずしも均一の層である必要はない。例えば、微細な島状に形成され
ていてもよいし、凹凸を有する層状に形成されていてもよい。

なお、ＥＬ層形成材料としては、有機化合物、無機化合物にかかわらず、種々の材料を用
いることができる。特に、有機化合物は無機化合物に比べ、蒸着温度が低い材料が多いた
め、光の照射により蒸着することが容易であり、本実施の形態の発光装置の作製方法に好
適である。例えば、有機化合物としては、発光装置に用いられる発光材料、キャリア輸送
材料などが挙げられる。また、無機化合物としては、発光装置のキャリア輸送層やキャリ
ア注入層、電極などに用いられる金属酸化物、金属窒化物、ハロゲン化金属、金属単体な
どがあげられる。

次に、図１（Ｂ）に示すように、第１の基板１０１において、光吸収層１０３、隔壁層１
０５、および材料層１０７が形成された面に対向する位置に、被成膜基板である第２の基
板２０１を配置する。第２の基板２０１は、光照射による加熱処理により所望の層が成膜
される被成膜基板である。

第１の基板１０１と第２の基板２０１とを至近距離、具体的には第１の基板１０１に設け
られた材料層１０７の表面と第２の基板２０１との距離ｄは、０ｍｍ以上２ｍｍ以下、好
ましくは０ｍｍ以上０．０５ｍｍ以下、さらに好ましくは０ｍｍ以上０．０３ｍｍ以下と
なるように近づけて近接させる。距離ｄを上記の範囲程度まで小さくすることで、ＥＬ層
形成材料の利用効率を向上させることができる。また、被成膜基板に形成されるＥＬ層２
０７のパターン形成の精度を向上させることができる。

なお、距離ｄは、隔壁層１０５上に形成された材料層１０７の表面と、被成膜基板の表面
との距離で定義する。また、被成膜基板上に何らかの層（例えば、電極として機能する導
電層や隔壁層として機能する絶縁層等）が形成されている場合、距離ｄは、隔壁層１０５
上の材料層１０７の表面と、被成膜基板上に形成された層の表面との距離で定義する。た
だし、隔壁層１０５上に形成された材料層或いは被成膜基板上に形成された層の表面に凹
凸を有する場合は、距離ｄは、隔壁層１０５上の材料層１０７の表面と、被成膜基板或い
は被成膜基板上に形成された層の最表面との間の最も短い距離で定義する。

材料の利用効率を向上させるため、また、パターン形成の精度を向上させるために、第１
の基板と第２の基板の基板間の距離は狭いほうが好ましい。隔壁層１０５の膜厚Ｔ_２は、
光吸収層１０３の膜厚と光吸収層１０３上に設けられた材料層１０７の膜厚との合計の膜
厚Ｔ_１よりも厚く形成されている。従って、第２の基板２０１の表面と、隔壁層１０５上
に形成された材料層１０７とが接する場合であっても、光吸収層１０３上に形成された材
料層１０７は、第２の基板２０１の表面と接することがないため、距離ｄを０ｍｍまで近
接させることができる。

図１において、第２の基板２０１は、第１の電極層２０３を有している。第１の電極層２
０３の端部は絶縁物２０５で覆われていることが好ましい。本実施の形態において、第１
の電極層は、発光素子の陽極あるいは陰極となる電極を示している。

第１の基板１０１及び第２の基板２０１を配置した後、図１（Ｃ）に示すように、第１の
基板１０１の裏面、すなわち材料層１０７が形成された面と対向する面から光を照射する
。照射された光は、光吸収層１０３において吸収される。吸収された光が熱エネルギーへ
と変換されることで、光吸収層１０３と接する材料層１０７が加熱され、昇華される。昇
華したＥＬ層形成材料は第１の電極上に付着し、これによってＥＬ層２０７が成膜される
。

本実施の形態の成膜用基板は、隔壁層１０５が逆テーパ形状を有しているため、光吸収層
１０３との間には間隙が存在し、接することがない。固体中と比較して気体中では熱が伝
導しにくいため、間隙が存在することで、光吸収層で発生した熱が隔壁層１０５へと伝導
して隔壁層１０５上に形成された材料層１０７が加熱するのを抑制することができる。ま
た、減圧下では更に熱が伝導しにくいため、減圧雰囲気で蒸着を行うのが望ましい。減圧
雰囲気は、成膜室内を真空排気手段により真空度が５×１０^−３Ｐａ以下、好ましくは１
０^−４Ｐａ乃至１０^−６Ｐａ程度の範囲になるように真空排気することで得られる。

また、第１の基板１０１に光を照射した際に、隔壁層１０５が加熱されることがある。し
かしながら、本実施の形態の成膜用基板は、隔壁層１０５が、光吸収層１０３よりも熱伝
導率の低い材料で形成されており、且つ厚い膜厚を有しているため、隔壁層１０５上の材
料層１０７が加熱されるのを抑制することができる。これによって、光吸収層１０３と重
なる領域の材料層１０７を選択的に昇華させて、第２の基板上に所望のパターンを有する
ＥＬ層２０７を形成することができる。

照射する光の光源としては、種々の光源を用いることができる。

例えば、キセノンランプ、メタルハライドランプのような放電灯、ハロゲンランプ、タン
グステンランプのような発熱灯を光源として用いることができる。また、これらの光源を
フラッシュランプ（例えば、キセノンフラッシュランプ、クリプトンフラッシュランプな
ど）として用いてもよい。フラッシュランプは短時間（０．１ミリ秒乃至１０ミリ秒）で
非常に強度の高い光を繰り返し、大面積に照射することができるため、第１の基板の面積
にかかわらず、効率よく均一に加熱することができる。また、発光させる時間の間隔を変
えることによって第１の基板１０１の加熱の制御もできる。また、フラッシュランプは寿
命が長く、発光待機時の消費電力が低いため、ランニングコストを低く抑えることができ
る。

また、光源としてレーザ光を用いてもよい。レーザ光の光源としては、例えば、Ａｒレー
ザ、Ｋｒレーザ、エキシマレーザなどの気体レーザ、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ_４、フォル
ステライト（Ｍｇ_２ＳｉＯ_４）、ＹＡｌＯ_３、ＧｄＶＯ_４、若しくは多結晶（セラミック
）のＹＡＧ、Ｙ_２Ｏ_３、ＹＶＯ_４、ＹＡｌＯ_３、ＧｄＶＯ_４に、ドーパントとしてＮｄ、
Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているもの
を媒質とするレーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：
サファイアレーザ、銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザのうち一種または複数種から発振さ
れるものを用いることができる。また、レーザ媒体が固体である固体レーザを用いると、
メンテナンスフリーの状態を長く保てるという利点や、出力が比較的に安定している利点
を有している。

なお、照射する光としては、赤外光（波長８００ｎｍ以上）であることが好ましい。赤外
光であることにより、光吸収層１０３における熱変換が効率よく行われ、ＥＬ層形成材料
を効率よく加熱することができる。

本実施の形態の発光装置の作製方法においては、成膜用基板に形成された材料層のうち光
吸収層に接する領域を選択的に加熱するため、材料層全面を加熱する場合と比較して、光
を照射する時間は比較的短くてよい。例えば、ハロゲンランプを光源として用いた場合、
５００℃〜８００℃を７〜１５秒間程度保持することで、光吸収層と重なる領域を昇華し
て、第２の基板へと蒸着することができる。

なお、本実施の形態では、被成膜基板である第２の基板が、支持基板である第１の基板の
下方に位置する場合を図示したが、本実施の形態はこれに限定されない。基板の設置する
向きは適宜設定することができる。

第１の基板と第２の基板の距離ｄを小さくすることで、材料の利用効率を向上させること
ができる。また、第２の基板に形成される層のパターン形成の精度を向上させることがで
きる。なお、第２の基板の表面に凹凸がない場合には、被成膜基板である第２の基板２０
１と支持基板である第１の基板１０１との距離ｄは０ｍｍより大きいことが好ましい。

また、膜厚１μｍ以上２μｍ以下の隔壁層１０５を設けることにより、熱源となる光吸収
層１０３と被成膜基板との距離を設けることができるため、光吸収層１０３からの熱によ
り、第２の基板２０１が加熱され、成膜不良が生じるのを防ぐことができる。さらに、材
料層１０７から被成膜基板上へ蒸着する材料の蒸着方向を制御することができるため、被
成膜面の成膜パターンのぼけを防ぐことができる。

本実施の形態に係る発光装置に適用する成膜方法は、支持基板に形成した材料層の膜厚に
よって、蒸着処理により被成膜基板に成膜されるＥＬ層の膜厚を制御することができる。
つまり、支持基板に形成した材料層をそのまま蒸着すればよいため、膜厚モニターが不要
である。よって、膜厚モニターを利用した蒸着速度の調節を使用者が行う必要がなく、成
膜工程を全自動化することが可能である。

また、本実施の形態に係る発光装置に適用する成膜方法は、材料層が複数のＥＬ層形成材
料を含む場合、材料層と同じＥＬ層形成材料を略同じ重量比で含有するＥＬ層を被成膜基
板に成膜することができる。このように、本実施の形態に係る成膜方法は、蒸着温度の異
なる複数のＥＬ層形成材料を用いて成膜する場合、共蒸着のようにそれぞれ蒸着レートを
制御する必要がない。そのため、蒸着レート等の複雑な制御を行うことなく、所望の異な
るＥＬ層形成材料を含む層を容易に精度良く成膜することができる。

また、本実施の形態で示す成膜方法を適用することで、発光層の微細なパターン形成が容
易となるため、発光装置の製造も簡便となる。また、微細なパターン形成が可能となるた
め、高精細な発光装置を得ることができる。また、本実施の形態を適用することにより、
光源として、レーザ光だけでなく、安価ではあるが熱量の大きなランプヒーター等を用い
ることができる。また、光源として、ランプヒーター等を用いることにより、大面積を一
括して成膜することが可能となるため、タクト時間を短縮することができる。よって、生
産性が向上するため、発光装置の作製コストを削減することができる。

また、本実施の形態に係る成膜方法は、所望のＥＬ層形成材料を無駄にすることなく、被
成膜基板に成膜することが可能である。よって、ＥＬ層形成材料の利用効率が向上し、コ
スト削減を図ることができる。また、成膜室内壁にＥＬ層形成材料が付着することも防止
でき、成膜装置のメンテナンスを簡便にすることができる。

よって、本実施の形態を適用することで、所望の異なるＥＬ層形成材料を含む層の成膜が
容易になり、当該異なるＥＬ層形成材料を含む層を用いた発光装置等の製造における生産
性を向上させることが可能となる。

また、本実施の形態の成膜用基板は作製が容易であるため、成膜用基板のコストを低減す
ることができる。従って、発光装置の作製におけるコストも削減することができる。さら
に、本実施の形態において、一度成膜に用いた成膜用基板は、材料層を除去し、再度新し
い材料層を形成することにより、複数回使用することができる。よって、発光装置の作製
におけるコストを削減することができる。本実施の形態に係る成膜用基板は、支持基板と
して、ガラス基板や石英基板を好ましく用いている。これらの基板は、フィルム基板など
よりも不純物（水分など）が吸着または付着しにくいため、再利用に好適である。

また、本実施の形態に係る成膜用基板を用いることにより、ＥＬ層形成材料の利用効率良
く成膜することが可能となり、コスト削減を図ることができる。また、本実施の形態の成
膜用基板を用いることにより、精度良く、所望の形状の膜を形成することが可能となる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。

（実施の形態２）
本実施の形態では、上記実施の形態とは異なる構成を有する成膜用基板について説明する
。なお、本実施の形態に示す成膜用基板において、特に記載がない場合には、上記実施の
形態と同様の材料及び作製方法によって形成するものとする。

図２（Ａ）は本実施の形態に係る成膜用基板１３０の一例である。図２（Ａ）において、
支持基板である第１の基板１０１上に、島状又はストライプ状に形成された光吸収層１０
３が、互いに離間して設けられている。また、光吸収層１０３と、他の光吸収層１０３と
の間に隔壁層１０５が形成されている。光吸収層１０３及び隔壁層１０５上には、反射層
１０９がそれぞれ分離形成されている。反射層１０９を介して光吸収層１０３又は隔壁層
１０５上には、ＥＬ層形成材料が付着した材料層１０７がそれぞれ形成されている。

反射層１０９は、蒸着の際、隔壁層１０５と重なる領域に形成された材料層に熱を与えな
いように、当該領域の材料層１０７へ照射される光を反射するための層である。よって、
反射層１０９は、照射される光に対して高い反射率を有する材料で形成されているのが好
ましい。具体的には、反射層１０９は、照射される光に対して反射率が８５％以上、さら
に好ましくは、反射率が９０％以上の高い反射率を有する材料で形成されていることが好
ましい。例えば、８００ｎｍ乃至２５００ｎｍの赤外領域の光を照射する場合、反射層の
材料として、アルミニウム、銀、金、白金、銅、アルミニウムを含む合金、銀を含む合金
、または酸化インジウム−酸化スズなどを好ましく用いることができる。特に、アルミニ
ウム−チタン合金、アルミニウム−ネオジム合金、銀−ネオジム合金は、赤外領域の光（
波長８００ｎｍ以上）に対して高い反射率を有しているため、反射層として好適に用いる
ことができる。例えば、アルミニウム−チタン合金膜は、膜厚が４００ｎｍの場合、赤外
領域（波長８００ｎｍ以上２５００ｎｍ以下）にわたって、８５％以上の反射率を示し、
特に、波長が９００ｎｍ以上２５００ｎｍ以下の範囲については９０％以上の反射率を示
す。なお、第１の基板１０１に照射する光の波長により、反射層１０９に好適な材料の種
類は変化する。また、反射層は一層に限らず複数の層により構成されていてもよい。

なお、反射層１０９と光吸収層１０３の反射率は差が大きいほど好ましい。具体的には、
照射する光の波長に対して、反射率の差が２５％以上、より好ましくは３０％以上である
ことが好ましい。

反射層１０９は、種々の方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタリング法
、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法などにより形成することができる。また、反射層の膜厚
は、材料により異なるが、概ね１００ｎｍ以上２μｍ以下であることが好ましい。１００
ｎｍ以上であることにより、照射した光が反射層を透過することを抑制することができる
。なお、光吸収層１０３の膜厚と隔壁層１０５の膜厚とに膜厚差があり、また隔壁層１０
５が逆テーパ形状であるために、反射層１０９を分離形成することができる。従って、反
射層１０９を分離形成するためのフォトリソグラフィ工程を省略することができる。

図２（Ｂ）に示すように、第１の基板１０１の、光吸収層１０３、隔壁層１０５、反射層
１０９および材料層１０７が形成された面に対向する位置に、被成膜基板である第２の基
板２０１を配置する。第２の基板２０１は、蒸着処理により所望の層が成膜される被成膜
基板である。

第２の基板２０１は、第１の電極層２０３を有している。第１の電極層２０３の端部は絶
縁物２０５で覆われていることが好ましい。本実施の形態において、第１の電極層は、発
光素子の陽極あるいは陰極となる電極を示している。

第１の基板１０１及び第２の基板２０１を配置した後、図２（Ｃ）に示すように、第１の
基板１０１の裏面、すなわち材料層が形成された面と対向する面から光を照射する。照射
された光は、光吸収層１０３において吸収される。吸収された光は熱エネルギーへと変換
され、光吸収層１０３と接する反射層１０９を伝導して、反射層１０９を介して光吸収層
１０３上に形成された材料層１０７が加熱される。これによって材料層中のＥＬ層形成材
料が第１の電極上に付着し、ＥＬ層２０７が成膜される。

なお、第１の基板１０１に光を照射した際に、照射した光が隔壁層１０５を透過して、隔
壁層１０５上に形成された材料層１０７を加熱することがある。しかしながら、本実施の
形態で示す成膜用基板１３０は、隔壁層１０５上に形成された反射層１０９によって、隔
壁層１０５を透過した光を反射することができるため、隔壁層１０５上に形成された材料
層１０７が加熱されるのを抑制することができる。

また、本実施の形態の成膜用基板は、隔壁層１０５が逆テーパ形状を有しており、光吸収
層１０３と接することなく、間隙が存在する。固体中と比較して気体中では熱が伝導しに
くいため、間隙が存在することで、光吸収層で発生した熱が横方向へと伝導して隔壁層１
０５上に形成された材料層１０７が加熱するのを抑制することができる。また、減圧下で
は更に熱が伝導しにくいため、減圧下好ましくは真空中で蒸着を行うのが望ましい。

また、第１の基板１０１に光を照射した際に、隔壁層１０５が加熱されることがある。し
かしながら、本実施の形態の成膜用基板は、隔壁層１０５が、光吸収層１０３よりも熱伝
導率の低い材料で形成されており、且つ厚い膜厚を有しているため、隔壁層１０５上の材
料層１０７が加熱されるのを抑制することができる。これによって、光吸収層１０３と重
なる領域の材料層１０７を選択的に加熱して、第２の基板上に所望のパターンを有するＥ
Ｌ層２０７を形成することができる。

また、膜厚１μｍ以上２μｍ以下の隔壁層１０５を設けることにより、熱源となる光吸収
層１０３と被成膜基板との距離を設けることができるため、光吸収層１０３からの熱によ
り、第２の基板２０１が加熱され、成膜不良が生じるのを防ぐことができる。さらに、材
料層１０７から被成膜基板上へ蒸着する材料の蒸着方向を制御することができるため、被
成膜面の成膜パターンのぼけを防ぐことができる。

本実施の形態で示す成膜方法を適用することで、発光層のパターン形成が容易となるため
、発光装置の製造も簡便となる。また、微細なパターン形成が可能となるため、高精細な
発光装置を得ることができる。また、本実施の形態を適用することにより、光源として、
レーザ光だけでなく、安価ではあるが熱量の大きなランプヒーター等を用いることができ
る。また、光源として、ランプヒーター等を用いることにより、大面積を一括して成膜す
ることが可能となるため、タクト時間を短縮することができる。よって、発光装置の作製
コストを削減することができる。

また、本実施の形態に係る成膜方法は、所望のＥＬ層形成材料を無駄にすることなく、被
成膜基板に成膜することが可能である。よって、ＥＬ層形成材料の利用効率が向上し、コ
スト削減を図ることができる。また、成膜室内壁にＥＬ層形成材料が付着することも防止
でき、成膜装置のメンテナンスを簡便にすることができる。

よって、本実施の形態を適用することで、所望の異なるＥＬ層形成材料を含む層の成膜が
容易になり、当該異なるＥＬ層形成材料を含む層を用いた発光装置等の製造における生産
性を向上させることが可能となる。

さらに、本実施の形態の成膜用基板における反射層は、フォトリソグラフィの工程を用い
ることなくパターン形成が可能であるため、フォトマスクの枚数を減らすことができる。
従って、本実施の形態の成膜用基板は安価に作製することができる。このことは、発光装
置のコスト削減にもつながる。

また、本実施の形態の成膜用基板を用いることにより、ＥＬ層形成材料の利用効率良く成
膜することが可能となり、コスト削減を図ることができる。また、本実施の形態の成膜用
基板を用いることにより、精度良く、所望の形状の膜を形成することが可能となる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。

（実施の形態３）
本実施の形態では、上記実施の形態で示した成膜用基板を複数用いて、発光素子のＥＬ層
を形成することにより、フルカラー表示が可能な発光装置の作製方法について説明する。

まず、実施の形態１または２で示した成膜用基板を３枚用意する。本実施の形態では、実
施の形態１で図１を用いて説明した成膜用基板を用いるものとする。ただし、それぞれの
成膜用基板には、発光の異なるＥＬ層を形成するためのＥＬ層形成材料を含む材料層が形
成されている。具体的には、赤色発光を示すＥＬ層（ＥＬ層（Ｒ））を形成するためのＥ
Ｌ層形成材料を含む材料層（Ｒ）を有する第１の成膜用基板と、緑色発光を示すＥＬ層（
ＥＬ層（Ｇ））を形成するためのＥＬ層形成材料を含む材料層（Ｇ）を有する第２の成膜
用基板と、青色発光を示すＥＬ層（ＥＬ層（Ｂ））を形成するためのＥＬ層形成材料を含
む材料層（Ｂ）を有する第３の成膜用基板とを用意する。

また、被成膜基板として、複数の第１の電極を有する第２の基板を１枚用意する。なお、
第２の基板上の複数の第１の電極は、その端部が絶縁物で覆われているため、発光領域は
、第１の電極の一部であって、絶縁物と重ならずに露呈している領域に相当する。

まず、１回目の成膜工程として、図１（Ｂ）と同様に被成膜基板と第１の成膜用基板とを
重ね、位置合わせをする。なお、第２の基板には、位置合わせ用のマーカを設けることが
好ましい。また、第１の成膜用基板にも位置合わせ用のマーカを設けることが好ましい。
なお、第１の成膜用基板には、光吸収層、隔壁層、及び材料層（Ｒ）が設けられているた
め、位置合わせのマーカ周辺の光吸収層、隔壁層、及び材料層（Ｒ）も予め除去しておく
ことが好ましい。

そして、第１の成膜用基板の裏面（光吸収層、隔壁及び材料層が形成されていない面）側
から光を照射する。照射された光を光吸収層にて吸収して材料層（Ｒ）に熱を与えること
で、材料層（Ｒ）に含まれるＥＬ層形成材料が加熱され、被成膜基板上の一部の第１の電
極上にＥＬ層（Ｒ）が形成する。そして、１回目の成膜を終えたら、第１の成膜用基板は
、第２の基板と離れた場所へ移動させる。

次いで、２回目の成膜工程として、第２の基板と第２の成膜用基板とを重ね、位置合わせ
をする。第２の成膜用基板には、１回目の成膜時で使用した第１の成膜用基板とは１画素
分ずらして光吸収層が形成されている。

そして、第２の成膜用基板の裏面側から光を照射する。照射された光を光吸収層にて吸収
して材料層（Ｇ）に熱を与えることで、材料層（Ｇ）に含まれるＥＬ層形成材料が加熱さ
れ、被成膜基板上の一部であって、１回目の成膜でＥＬ層（Ｒ）が形成された第１の電極
のとなりの第１の電極上にＥＬ層（Ｇ）が形成する。そして、２回目の成膜を終えたら、
第２の成膜用基板は、第２の基板と離れた場所へ移動させる。

次いで、３回目の成膜工程として、第２の基板と第３の成膜用基板とを重ね、位置合わせ
をする。第３の成膜用基板には、１回目の成膜時で使用した第１の成膜用基板とは２画素
分ずらして光吸収層が形成されている。

そして、第３の成膜用基板の裏面側から光を照射する。この３回目の成膜を行う直前の様
子が図３（Ａ）の上面図に相当する。図３（Ａ）において、光吸収層６０２が互いに離間
して形成されている。また、図示しないが、光吸収層６０２と他の光吸収層６０２との間
の領域、すなわち、第１又は第２の成膜工程で成膜される画素領域と重なる領域６０１に
は、隔壁層が形成されている。また、被成膜基板の第３の成膜用基板の光吸収層と重なる
領域には、第１の電極が形成されている。なお、被成膜基板において、図３（Ａ）中に点
線で示した領域と重なる領域には、既に１回目の成膜により形成されたＥＬ層（Ｒ）６０
３と２回目の成膜により形成されたＥＬ層（Ｇ）６０４が位置している。

そして、３回目の成膜により、ＥＬ層（Ｂ）６０５が形成される。光吸収層が、照射され
た光を吸収して材料層（Ｂ）に熱を与えることで、材料層（Ｂ）に含まれるＥＬ層形成材
料が加熱され、被成膜基板上の一部であって、２回目の成膜でＥＬ層（Ｇ）６０４が形成
された第１の電極のとなりの第１の電極上にＥＬ層（Ｂ）６０５が形成される。３回目の
成膜を終えたら、第３の成膜用基板は、被成膜基板と離れた場所へ移動させる。

こうしてＥＬ層（Ｒ）６０３、ＥＬ層（Ｇ）６０４、ＥＬ層（Ｂ）６０５を一定の間隔を
あけて同一の被成膜基板上に形成することができる。そして、これらの膜上に第２の電極
を形成することによって、発光素子を形成することができる。なお、図３（Ａ）（Ｂ）で
は、ストライプ状の光吸収層６０２によって同じ発光色となる発光領域の間にも成膜が行
われる。しかしながら、発光領域と発光領域の間には、絶縁物が形成されており、材料層
は絶縁物上に蒸着されるため、絶縁物６０６と重なる部分は発光領域とはならない。

以上の工程で、同一基板上に異なる発光を示す発光素子が形成されることにより、フルカ
ラー表示が可能な発光装置を形成することができる。

図３（Ａ）（Ｂ）では、成膜用基板に形成された光吸収層をストライプ状とした例を示し
たが、特にこの形状に限定されず、図３（Ｃ）に示すように、光吸収層６０２を島状とし
ても良い。図３（Ｃ）において、第１又は第２の成膜工程で成膜される画素領域と重なる
領域６０１には、隔壁層が形成されているものとする。なお、上述したように、被成膜基
板において、同じ発光色となる発光領域の間には絶縁物が形成されているため、材料層が
蒸着された場合にも発光領域とはならない。従って、材料層（Ｂ）が設けられた光吸収層
６０２と、材料層（Ｂ）が設けられた他の光吸収層６０２との間には、必ずしも隔壁層を
形成しなくても構わない。

また、画素の配列も特に限定されず、図４（Ａ）に示すように、１つの画素形状を多角形
、例えば六角形としてもよく、ＥＬ層（Ｒ）６１１、ＥＬ層（Ｇ）６１２、ＥＬ層（Ｂ）
６１３を配置してフルカラーの発光装置を実現させることもできる。なお、図４（Ａ）に
示す多角形の画素を形成するために、図４（Ｂ）に示す多角形の光吸収層６０２を有する
成膜用基板を用いて成膜すればよい。

本実施の形態に示すフルカラー表示が可能な発光装置の作製において、成膜用基板上に形
成される材料層の膜厚を制御することによって、成膜時に被成膜基板上に成膜される膜の
膜厚を制御することができるため、膜厚モニターを利用した蒸着速度の調節を使用者が行
う必要がなく、成膜工程を全自動化することが可能である。

また、本実施の形態に示すフルカラー表示が可能な発光装置の作製において、上記実施の
形態で示した成膜用基板を用いて作製することにより、成膜時に成膜用基板上に形成され
た材料層に含まれるＥＬ層形成材料を均一に加熱することができる。また、材料層が複数
のＥＬ層形成材料を含む場合でも、材料層と同じＥＬ層形成材料をほぼ同じ重量比で含有
する膜を被成膜基板上に成膜することができる。従って、上記実施の形態で示した成膜用
基板を用いて成膜する際、蒸着温度の異なる複数のＥＬ層形成材料を用いて成膜する場合
でも、共蒸着のようにそれぞれ蒸着レートを制御する必要がない。そのため、蒸着レート
等の複雑な制御を行うことなく、所望の異なるＥＬ層形成材料を含む層を容易に精度良く
成膜することができる。

また、本実施の形態に示すフルカラー表示が可能な発光装置の作製において、上記実施の
形態で示した成膜用基板を用いて作製することにより、平坦でムラのない膜を成膜するこ
とが可能であり、また、微細なパターン形成が可能となるため、高精細な発光装置を得る
ことができるだけでなく、その特性の向上を図ることができる。また、ＥＬ材料の利用効
率を高めることができ、また、光源として熱量の大きなランプヒーター等を用いて、大面
積を一括して成膜することが可能となるため、発光装置の製造コストを低減させることが
できる。

なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成を適宜組み合わせて用い
ることができることとする。

（実施の形態４）
本実施の形態では、発光装置の作製を可能とする成膜装置の例について図５を用いて説明
する。なお、図５は、製造装置の上面図を示す一例である。

図５に示す製造装置は、第１の搬送室５８２と、第２の搬送室５５２とを有し、これらの
搬送室を第１の受渡室５５１を介して連結させている。さらに、第３の搬送室５０２を有
し、第２の搬送室５５２と第２の受渡室５０１を介して連結させている。さらに、封止室
５０４を有し、第３の搬送室５０２と第３の受渡室５０３を介して連結させている。

第２の搬送室５５２、第３の搬送室５０２、及び封止室５０４は、水分などが混入しない
ように、真空排気処理室と連結させ、真空排気して真空にすることも、真空排気した後、
不活性ガスを導入して大気圧にすることもできる。真空排気処理室としては、磁気浮上型
のターボ分子ポンプ、クライオポンプ、またはドライポンプを用いる。これにより各室と
連結された搬送室の到達真空度を１０^−３〜１０^−６Ｐａにすることが可能であり、さら
にポンプ側および排気系からの不純物の逆拡散を制御することができる。

まず、成膜用基板の支持基板となる第１の基板を第１のカセット室５７１、第２のカセッ
ト室５７２、或いは第３のカセット室５７３にセットする。成膜用基板に成膜しようとす
る膜に合わせて、これら３つのカセット室の一を選択する。支持基板は、一方の面に光吸
収層及び隔壁が少なくとも形成されている。

液滴吐出装置を用いて支持基板に材料層を形成する場合には、第１のカセット室５７１に
フェイスアップ方式でセットし、第１のカセット室５７１に設けられた搬送ユニット５２
４を用いて、液滴吐出装置を有する処理室５７４に搬送し、液滴吐出を行う。なお、搬送
ユニット５２４は、基板の表裏を反転させることができ、処理室５７４に反転させて搬入
することができるため、支持基板の光吸収層へのゴミ付着を防止するのであれば、フェイ
スダウン方式で第１のカセット室５７１にセットしてもよい。

処理室５７４は、複数のノズルが一軸方向に配列されたヘッドを具備する液滴吐出手段５
８３、該液滴吐出手段５８３を制御する制御部、基板を固定しＸＹθ方向に移動するステ
ージ５８０、液滴吐出手段５８３に組成物を供給するためのインクボトル５８１等が設け
られている。

液滴吐出を行った支持基板は、処理室５７４に連結された第１の搬送室５８２の搬送ユニ
ット５２２によって、ベーク室５７６に搬送し、乾燥または焼成を行う。なお、ベーク室
５７６は複数の基板を加熱でき、また支持基板をストックしておくストック室としても機
能させることができる。

また、スピンコート法やスプレー法などを用いたコーティング装置を用いて支持基板全面
に材料層を形成する場合には、第２のカセット室５７２にフェイスアップ方式でセットし
、コーティング装置を有する処理室５７５に設けられた搬送ユニット５２３を用いて、処
理室５７５に搬送し、塗布を行う。なお、搬送ユニット５２３も、基板の表裏を反転させ
ることができ、ステージ５７８に反転させて載置することができるため、支持基板の光吸
収層へのゴミ付着を防止するのであれば、フェイスダウン方式で第２のカセット室５７２
にセットしてもよい。

処理室５７５は、材料液を滴下するノズルと、基板を固定して回転するステージ５７８、
該ステージの回転数を制御する制御部、コーティングを終えた基板を載置する台５７９、
ノズルに材料液を供給するためのタンク等が設けられている。

液滴吐出を行った支持基板は、処理室５７５に連結された第１の搬送室５８２の搬送ユニ
ット５２２によって、ベーク室５７６に搬送し、乾燥または焼成を行う。

また、抵抗加熱法を用いて材料層を支持基板に形成する場合には、第３のカセット室５７
３にフェイスダウン方式でセットし、第３のカセット室５７３に連結された第１の搬送室
５８２の搬送ユニット５２２によって、第１の受渡室５５１に搬送する。さらに第１の受
渡室５５１に連結された第２の搬送室５５２に設けられた搬送ユニット５２０によって、
前処理室５５３に搬送し、基板に含まれる水分やその他のガスを徹底的に除去するために
、脱気のためのアニールを真空（５×１０^−３Ｐａ以下、好ましくは１０^−４〜１０^−６
Ｐａ）で行う。そして、搬送ユニット５２０によって処理室５５５に搬送し、抵抗加熱法
により蒸着を行う。

処理室５５５は、室内において点線で示す軌道で蒸着源５５７を移動する手段と、基板を
固定する手段と、膜厚モニターと、真空排気処理室等が設けられている。蒸着源５５７は
複数のルツボがセットされており、ルツボに収納されたＥＬ層形成材料が抵抗加熱法によ
って加熱される。処理室５５５においては、フェイスダウン方式でセットされた基板の下
方で蒸着源を移動させることで蒸着を行う。また、蒸着マスクを用いて選択的に成膜を行
う場合には、処理室５５４にストックされている蒸着マスクを処理室５５５に搬送し、基
板と位置合わせを行って蒸着を行えばよい。

第１のカセット室５７１、第２のカセット室５７２、或いは第３のカセット室５７３にセ
ットし、適宜、処理室で材料層を形成した成膜用基板は、第３の搬送室５０２に搬送し、
第３の搬送室５０２に設けられた搬送ユニット５２１により、材料層が設けられた面が上
となる状態、即ちフェイスアップで光照射室５１５に搬送する。なお、成膜用基板の材料
層を蒸着法で成膜する場合、成膜後の段階ではフェイスダウンとなっているため、処理室
５１８に設けた基板反転機構により基板の表裏を反転させた後、光照射室５１５に搬送す
る。

処理室５１８は基板を反転させるだけでなく、基板を複数枚ストックする部屋としてもよ
い。また、搬送ユニット５２１が基板の表裏を反転させることができるのであれば、特に
処理室５１８に基板反転機構を設けなくともよく、基板を複数枚ストックする部屋として
用いればよい。

また、被成膜基板となる第２の基板は、第４のカセット室５７０にフェイスダウンでセッ
トし、第４のカセット室５７０に連結した第１の搬送室５８２の搬送ユニット５２２によ
って、第１の受渡室５５１に搬送する。さらに第１の受渡室５５１に連結された第２の搬
送室５５２に設けられた搬送ユニット５２０によって、前処理室５５３に搬送し、第２の
基板に含まれる水分やその他のガスを徹底的に除去するために、脱気のためのアニールを
真空で行う。特に第２の基板にＴＦＴを設ける場合、層間絶縁膜や隔壁の材料として有機
樹脂膜を用いると、有機樹脂材料によっては水分を吸着しやすく、さらに脱ガスが発生す
る恐れがあるため、有機化合物を含む層を形成する前に１００℃〜３５０℃、好ましくは
１５０℃〜２００℃、例えば３０分以上の加熱を行った後、３０分の自然冷却を行って吸
着水分を除去する真空加熱を行うことは有効である。

パッシブマトリクス型の発光装置を作製する場合には、第２の基板には少なくともストラ
イプ状の第１の電極を形成しておく。また、アクティブマトリクス型の発光装置を作製す
る場合には、第２の基板には第１の電極と、該第１の電極と電気的に接続されたスイッチ
ング素子、例えば非晶質半導体膜、多結晶半導体膜、微結晶半導体膜、単結晶半導体膜を
活性層とする薄膜トランジスタを形成しておく。

そして、被成膜基板となる第２の基板は、搬送ユニット５２０によって、第２の受渡室５
０１に搬送し、さらに第２の受渡室５０１に連結された第３の搬送室５０２に設けられた
搬送ユニット５２１により、第１の電極が設けられた面が下となる状態、即ちフェイスダ
ウンで光照射室５１５に搬送する。

成膜用基板を光照射室５１５に搬送した後、被成膜基板となる第２の基板と対向させて位
置合わせを行い、一対の基板保持手段により基板の間隔ｄを一定に保持する。その後、一
対の基板に光を照射してＥＬ層の成膜を行う。

ここで成膜時における成膜用基板１１０と光源との位置関係を示す模式図を図６に示す。
本実施の形態では、光源としてレーザ発振装置８０３を用いる。但し、光源は特に限定さ
れず、短時間に均一な加熱を行える加熱手段であればよい。被照射面が大面積化されてい
る場合には、同時に光を照射できるランプの方が、レーザよりも好ましい。

射出されるレーザ光はレーザ発振装置８０３から出力され、ビーム形状を線状とするため
の光学系８０４、８０５、８０６とを通過し、反射ミラー８０７で光路が成膜用基板１１
０に対して垂直となる方向に曲げられる。その後、成膜用基板１１０に設けられた光吸収
層１０６にレーザビームを照射する。なお、レーザビームは、窓を介して成膜用基板へ照
射しても良く、窓をレーザビーム幅と同じまたはそれより小さいサイズとしてスリットと
して機能させてもよい。

なお、制御装置８１６によって、一対の基板を移動させる一対の基板保持手段を制御させ
ることが好ましい。さらに、制御装置８１６は、レーザ発振装置８０３も制御できるよう
に連動させることが好ましい。さらに、制御装置８１６は、位置マーカを認識するための
撮像素子を有する位置アライメント機構と連動させることが好ましい。

上記実施の形態で示した成膜用基板は、光を照射することで、光吸収層と重なる材料層が
選択的に昇華し、対向して配置されていた被成膜基板に選択的に成膜が行われる。

蒸着を終えた成膜用基板は回収し、残存した材料層を除去すれば、再度使用することがで
きる。蒸着を終えた成膜用基板は、洗浄のための洗浄室５７７に搬送し、残存した材料層
を除去する。残存した材料層の洗浄は、ウェットエッチングで行うことも可能だが、Ｏ_２
プラズマを用いたドライエッチングが好ましい。Ｏ_２プラズマを用いたドライエッチング
を材料層の洗浄に適用することで、材料層の形成、ＥＬ層の成膜及び残存した材料層の洗
浄を全て減圧下で行うことができる。したがって、成膜用基板を成膜装置から取り出すこ
となく、複数回使用することができる。このことは、発光装置のコスト削減につながる。

上述の手順で被成膜基板に選択的に材料層の単層を成膜できるが、積層成膜を行う場合に
は、予め、第２の成膜用基板を用意し、レーザ光の走査を終えた第１の成膜用基板と交換
して、光照射室５１５内で第２の成膜用基板と被成膜基板とを対向させて位置合わせを行
い、一対の基板保持手段により基板の間隔を一定に保持する。その後、一対の基板に光を
照射してＥＬ層の成膜を行う。

なお、第２の成膜用基板は、一方の面に光吸収層及び隔壁層が少なくとも設けられており
、第１の成膜用基板と同様に、第１のカセット室５７１、第２のカセット室５７２、或い
は第３のカセット室５７３にセットし、適宜、処理室で材料層を形成する。

さらに光照射室５１５内で積層させる場合には、被成膜基板を光照射室５１５から搬出さ
せずに、第３の成膜用基板を搬入し、被成膜基板と第３の成膜用基板とを対向させて位置
合わせを行い、光を照射してＥＬ層の成膜を行う。同様の手順で４層以上の積層を行うこ
とができる。

光照射室５１５を用いて成膜を行う場合には、被成膜基板を搬入する前に予め、第１の成
膜用基板、第２の成膜用基板、第３の成膜用基板などにそれぞれ材料層の形成を終えて、
処理室５１８にストックしておき、光照射室５１５に被成膜基板を搬入した後、第１乃至
第３の成膜用基板を順次交換し、積層成膜を行うと作業効率よく工程を進めることができ
る。被成膜基板とは異なる基板に予め成膜した材料層を光で加熱する成膜方法は、成膜に
必要な量を制限し、従来の抵抗加熱法よりも蒸発する材料の量を少なく抑えているため、
成膜を行う光照射室５１５に複数の搬送ロボットや位置合わせ手段や基板移動手段などを
設置することができる。また、被成膜基板とは異なる基板に予め成膜した材料層を、光で
加熱する成膜方法は、異なる発光層を同一の処理室（光照射室５１５）で成膜しても異な
る発光材料が混ざることを防止することができる。

また、発光素子を構成するＥＬ層として５層以上の全ての層を光照射室５１５を用いて成
膜を行うことも可能であるが、少なくとも１層を光照射室５１５を用いて成膜を行えばよ
い。

例えば、光照射室５１５を用いて第１の電極上に正孔注入層、正孔輸送層を積層形成した
後、さらに赤色の発光層、及び緑色の発光層を選択的に成膜し、青色の発光層を処理室５
１２内で基板を回転させる抵抗加熱法により成膜してもよい。青色の発光層を選択的に成
膜する場合には、処理室５５４にストックされている蒸着マスクを処理室５１２に搬送し
、被成膜基板と位置合わせを行って蒸着を行えばよい。処理室５１２には、蒸着源と、基
板回転手段と、蒸着マスクとの位置合わせ手段と、膜厚モニター等が設けられている。

また、電子輸送層または電子注入層を抵抗加熱法で形成する場合には、処理室５１３で成
膜すればよい。処理室５１３は、室内において矢印で示す方向に被成膜基板を移動させ、
蒸着源５３７の上方を通過させる手段と、膜厚モニターと、真空排気処理室等が設けられ
ている。蒸着源５５７は線状に長く、ＥＬ層形成材料が抵抗加熱法によって加熱される。
選択的に成膜を行う場合は、処理室５５４にストックされている蒸着マスクを処理室５１
３に搬送し、被成膜基板と位置合わせを行って固定し、被成膜基板と蒸着マスクを移動さ
せて蒸着を行えばよい。

また、正孔注入層または正孔輸送層を抵抗加熱法で形成する場合には、処理室５５５で成
膜すればよい。

また、赤色の発光層を抵抗加熱法で形成する場合には、処理室５１１で成膜すればよい。
また、緑色の発光層を抵抗加熱法で形成する場合には、処理室５５６で成膜すればよい。
処理室５１１、５５６にはそれぞれ蒸着源と、基板回転手段と、膜厚モニターと、蒸着マ
スクとの位置合わせ手段と、真空排気処理室等が設けられている。なお、本実施の形態で
は、異なる発光色の発光層を処理室５５６、５１１、５１２でそれぞれ成膜する例を示し
たが特に限定されず、例えば、赤色発光層を処理室５５５や処理室５１３で成膜してもよ
く、実施者が適宜選択すればよい。勿論、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、または
電子注入層を処理室５５６や処理室５１１や処理室５１２で成膜してもよい。

また、第４のカセット室５７０に被成膜基板をセットした後、他の処理室に搬入すること
なく第２の搬送室５５２に搬送する例を示したが、第２の搬送室５５２に搬送する前に被
成膜基板に処理室５７５や処理室５７４で成膜を行った後、光照射室５１５に搬送し、積
層を行ってもよい。その場合、第１の電極上に正孔注入層として、ポリ（３，４−エチレ
ンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分
子等を湿式塗布により成膜することができる。また、正孔注入層に用いる正孔輸送性の高
い物質としては、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の
化合物を用いることができる。

また、スピンコート法によりＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを成膜した場合、全面に成膜されるため
、被成膜基板の端面や周縁部、端子部、陰極（第２の電極）と下部配線との接続領域など
は選択的に除去することが好ましく、前処理室５５３でマスクを使用してＯ_２アッシング
などにより選択的に除去することが好ましい。前処理室５５３にプラズマ発生手段を設け
、Ａｒ、Ｈ、Ｆ、およびＯから選ばれた一種または複数種のガスを励起してプラズマを発
生させることによって、ドライエッチングを行う。マスクを使用することによって不要な
部分だけ選択的に除去することができる。また、陽極（第１の電極）表面処理として紫外
線照射が行えるように前処理室５５３にＵＶ照射機構を備えてもよい。このように、前処
理室５５３は、真空加熱だけでなく、他の処理、例えばプラズマ処理やＵＶ照射処理を行
える処理室とすることが好ましい。

上述した成膜手順のいずれか一により、被成膜基板へのＥＬ層の成膜を終了させた後、発
光素子の第２の電極となる電極を形成する。なお、第２の電極は、スパッタ法または電子
ビーム法などを用いて成膜を行う。スパッタ法を用いる場合、処理室５１４にはプラズマ
発生手段を設け、スパッタリングターゲットと、材料ガスを導入する手段を設ける。スパ
ッタ法または電子ビーム法はフェイスダウン方式で成膜を行うため、光照射室５１５や抵
抗加熱法を用いる処理室からスムーズに被成膜基板を搬送することができる。

また、第２の電極を形成した後、搬送ユニット５２１を用いてゲート弁５４０を介し受渡
室５０３へ搬入し、さらにゲート弁５４１を介して封止室５０４に搬送する。封止室５０
４で封止を終えた基板は、ゲート弁５４２を介してアンロード室５０５に搬送され、製造
装置外に取り出すことができる。以上の手順で発光ダイオード（ＥＬ素子とも呼ぶ）を作
製することができる。

なお、図５に示す製造装置において、減圧下とする各処理室または各搬送室にはそれぞれ
ゲート弁５３０〜５３５、５３８、５６０〜５６６、５９０が設けられている。

このような成膜装置を用い、発光装置を作製することが可能である。本実施の形態で示し
た成膜装置を用い、あらかじめ材料層を形成した成膜用基板を用意しておき、成膜用基板
を入れ替えることによって、被成膜基板に次々と成膜することができる。よって、成膜に
要する時間（タクトタイム）を短くし、生産性を向上させることができる。

また、本実施の形態を適用することより、平坦でムラのない膜を成膜することが可能とな
る。また、微細なパターン形成が可能となり、所望のパターン以外へ成膜されてしまうボ
ケを抑制することができる。よって、高精細な発光装置を得ることができる。

また、本実施の形態で示した成膜方法は、湿式法を用いてＥＬ層を形成する場合とは異な
り、すでに形成された層の溶解性等を考慮する必要がないため、成膜する材料の種類の選
択肢が広がる。また、積層する層の数についても自由に設定できる。よって、所望の材料
を用いて、所望の積層構造の発光装置を作製することができる。特に、基板が大型化した
場合において、用いる材料の種類や積層構造を自由に設計できるということは、発光装置
の性能を向上させる点において、重要である。

また、成膜用基板に形成される材料層の膜厚を制御することによって、被成膜基板上に成
膜される膜の膜厚を制御することができるため、被成膜基板上に成膜する際の膜厚モニタ
ーは不要となる。よって、膜厚モニターを利用した成膜速度の調節を使用者が行う必要が
なく、成膜工程を全自動化することが可能である。そのため、生産性の向上を図ることが
できる。

また、本実施の形態を適用することにより、成膜用基板上に形成された材料層に含まれる
材料を均一に成膜することができる。また、材料層が複数の材料を含む場合でも、材料層
と同じ材料をほぼ同じ重量比で含有する膜を被成膜基板上に成膜することができる。従っ
て、本実施の形態に係る成膜方法は、気化する温度の異なる複数の材料を用いて成膜する
場合でも、蒸着レート等の複雑な制御を行うことなく、所望の異なる材料を含む層を容易
に精度良く成膜することができる。

なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いる
ことができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、実施の形態４で示した成膜方法において、材料層を有する成膜用基
板に光源としてランプ光を照射する場合の装置について説明する。

図７において、光照射室９０１は、真空チャンバーであり、ゲート弁９０２によって他の
処理室と連結され、さらに、排気機構９０３を備えている。また、光照射室９０１内には
、成膜用基板９１１（材料層９１３を含む）を保持する為の基板ステージ９０４と、被成
膜基板９１２を保持する為の基板支持機構９０５と、光源９１０を少なくとも有している
。なお、図７において、光照射室９０１が図５の光照射室５１５に相当し、ゲート弁９０
２が図５のゲート弁５３５に相当する。

なお、基板ステージ９０４に保持されている成膜用基板９１１は、他の処理室において、
成膜用基板９１１の材料層の形成を行った後、これを光照射室９０１に搬送し、基板ステ
ージ９０４にセットする。また、成膜用基板９１１における材料層９１３の形成されてい
る面と、被成膜基板９１２の被成膜面とが、対向するように被成膜基板９１２を基板支持
機構９０５に固定する。

また、基板支持機構９０５を移動させて、成膜用基板９１１と被成膜基板９１２の基板間
隔が距離ｄとなるように近づける。なお、距離ｄは、具体的には、０ｍｍ以上２ｍｍ以下
とし、好ましくは０ｍｍ以上０．０５ｍｍ以下、さらに好ましくは０ｍｍ以上０．０３ｍ
ｍ以下とする。

図７では基板間隔の制御は、基板ステージ９０４を固定し、基板支持機構９０５を移動さ
せる例を示しているが、基板ステージ９０４を移動させ、基板支持機構９０５を固定する
構成としてもよい。また、基板ステージ９０４と基板支持機構９０５の両方を移動させて
も良い。なお、図７では、基板支持機構９０５を移動させて、成膜用基板９１１と被成膜
基板９１２を近づけて距離ｄとした段階の断面を示している。

また、基板ステージ９０４および基板支持機構９０５は、上下方向だけでなく、水平方向
にも移動させる機構としてもよく、精密な位置合わせを行う構成としてもよい。また、精
密な位置合わせや距離ｄの測定を行うため、光照射室９０１にＣＣＤなどのアライメント
機構を設けてもよい。また、光照射室９０１内を測定する温度センサや、湿度センサなど
を設けてもよい。

そして、成膜用基板９１１の材料層が形成されていない面側から光を照射する。これによ
り、短時間に光吸収層と重なる材料層が加熱され、対向して配置された被成膜基板９１２
の被成膜面にＥＬ層が成膜される。成膜用基板９１１は、逆テーパ形状の隔壁層を有して
いるため、光吸収層から隔壁層へと熱が伝導して、隔壁層上に位置する材料層が加熱され
るのを抑制することができる。

また、図７に示す成膜装置において、予め成膜用基板９１１に材料層９１３が均一な膜厚
で得られていれば、膜厚モニターを設置しなくとも、被成膜基板９１２に均一な膜厚とな
る成膜を行うことができる。また、従来の蒸着装置は、基板を回転させていたが、図７に
示す成膜装置は、被成膜基板を固定させた状態で成膜するため、割れやすい大面積のガラ
ス基板への成膜に適している。また、図７に示す成膜装置は、成膜中、成膜用基板も固定
させた状態で成膜する。

なお、均一な加熱が行われるように、光源９１０と成膜用基板９１１は広い面積で接する
ことが好ましい。

また、待機時の光源からの成膜用基板９１１上の材料層９１３への熱の影響を緩和するた
め、待機時（蒸着処理前）は光源９１０と成膜用基板９１１との間に断熱化のための開閉
式のシャッターを設けてもよい。

また、光源９１０に用いるランプ光としては、フラッシュランプ（キセノンフラッシュラ
ンプ、クリプトンフラッシュランプなど）、キセノンランプ、メタルハライドランプのよ
うな放電灯、ハロゲンランプ、タングステンランプのような発熱灯を用いることができる
。フラッシュランプは短時間（０．１ミリ秒から１０ミリ秒）で非常に強度の高い光を繰
り返し、大面積に照射することができるため、成膜用基板の面積にかかわらず、効率よく
均一に加熱することができる。また、発光させる時間の間隔を変えることによって成膜用
基板９１１の加熱の制御もできる。また、フラッシュランプは寿命が長く、発光待機時の
消費電力が低いため、ランニングコストを低く抑えることができる。また、フラッシュラ
ンプを用いることにより、急加熱が容易となり、ヒーターを用いた場合の上下機構やシャ
ッター等を簡略化できる。従って、さらなる成膜装置の小型化を図ることができる。

なお、図７では、光源９１０を光照射室９０１内に設置する例を示しているが、光照射室
の内壁の一部を透光性部材として、光照射室の外側に光源９１０を配置させてもよい。光
照射室９０１の外側に光源９１０を配置すると、光源９１０のライトバルブの交換などの
メンテナンスを簡便なものとすることができる。

また、被成膜基板９１２の温度を調節する機構を備えてもよい。温度を調節する機構とし
て、冷却機構を備える場合には、例えば、基板支持機構９０５に熱媒体を流すチューブを
設け、チューブに熱媒体として冷媒を流すことにより、基板支持機構９０５をコールドプ
レートとすることができる。この様に冷却機構を備えることは、異なる材料層を積層する
場合に有用である。一方、加熱機構を備える場合には、基板支持機構９０５にヒーターな
どの加熱手段を設ければよい。以上のように被成膜基板９１２の温度を調節する機構（加
熱または冷却）を設けることで、基板の反りなどを抑えることもできる。

なお、図７には、被成膜基板９１２の成膜面が下方となるフェイスダウン方式の成膜装置
の例を示したが、被成膜基板９１２の成膜面が上方となるフェイスアップ方式の成膜装置
を適用することもできる。さらに、図７では、基板横置き方式の成膜装置の例を示したが
、基板縦置き方式の成膜装置を適用することもできる。

このような成膜装置を用いることにより、成膜用基板上の材料層を被成膜基板上に蒸着さ
せることができる。

なお、光源として、ランプ光を用いることにより大面積を一括して成膜することが可能と
なるため、タクトタイムの短縮が可能であり、発光装置の製造コストをより低減させるこ
とができる。

なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成を適宜組み合わせて用い
ることができる。

（実施の形態６）
本実施の形態では、上記実施の形態を適用して、発光素子および発光装置を作製する方
法について説明する。

例えば、図８（Ａ）、（Ｂ）に示す発光素子を作製することができる。図８（Ａ）に示す
発光素子は、基板１００１上に第１の電極１００２、発光層１０１３のみで形成されたＥ
Ｌ層１００３、第２の電極１００４が順に積層して設けられている。第１の電極１００２
及び第２の電極１００４のいずれか一方は陽極として機能し、他方は陰極として機能する
。陽極から注入される正孔及び陰極から注入される電子がＥＬ層１００３で再結合して、
発光を得ることができる。本実施の形態において、第１の電極１００２は陽極として機能
する電極であり、第２の電極１００４は陰極として機能する電極であるとする。

また、図８（Ｂ）に示す発光素子は、図８（Ａ）のＥＬ層１００３が複数の層が積層され
た構造である場合を示しており、具体的には、第１の電極１００２側から正孔注入層１０
１１、正孔輸送層１０１２、発光層１０１３、電子輸送層１０１４、および電子注入層１
０１５が順次設けられている。なお、ＥＬ層１００３は、図８（Ａ）に示すように少なく
とも発光層１０１３を有していれば機能するため、これらの層を全て設ける必要はなく、
必要に応じて適宜選択して設ければよい。

図８に示す基板１００１には、絶縁表面を有する基板または絶縁基板を適用する。具体的
には、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラ
スのような電子工業用に使われる各種ガラス基板、石英基板、セラミック基板又はサファ
イヤ基板等を用いることができる。

また、第１の電極１００２および第２の電極１００４は、様々な金属、合金、電気伝導性
化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。具体的には、例えば、酸化イ
ンジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、珪素若しくは酸化
珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ：Ｉｎｄ
ｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジ
ウム等が挙げられる。この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングス
テン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅
（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙
げられる。

これらの材料は、通常スパッタリング法により成膜される。例えば、酸化インジウム−酸
化亜鉛の膜は、酸化インジウムに対し１〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛を加えたターゲットを用
いてスパッタリング法により形成することができる。また、酸化タングステン及び酸化亜
鉛を含有した酸化インジウムの膜は、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５〜
５ｗｔ％、酸化亜鉛を０．１〜１ｗｔ％含有したターゲットを用いてスパッタリング法に
より形成することができる。その他、ゾル−ゲル法などを応用して、インクジェット法、
スピンコート法などにより作製してもよい。

また、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、アルミニウムを含む合金等を用いることがで
きる。その他、仕事関数の小さい材料である、元素周期表の第１族または第２族に属する
元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシ
ウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、お
よびこれらを含む合金（アルミニウム、マグネシウムと銀との合金、アルミニウムとリチ
ウムの合金）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこ
れらを含む合金等を用いることもできる。

アルカリ金属、アルカリ土類金属、これらを含む合金の膜は、真空蒸着法を用いて形成す
ることができる。また、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含む合金の膜はスパッタ
リング法により形成することも可能である。また、銀ペーストなどをインクジェット法な
どにより成膜することも可能である。また、第１の電極１００２および第２の電極１００
４は、単層膜に限らず、積層膜で形成することもできる。

なお、ＥＬ層１００３で発光する光を外部に取り出すため、第１の電極１００２または第
２の電極１００４のいずれか一方、または両方が光を通過するように形成する。例えば、
インジウム錫酸化物等の透光性を有する導電材料を用いて形成するか、或いは、銀、アル
ミニウム等を数ｎｍ乃至数十ｎｍの厚さとなるように形成する。また、膜厚を薄くした銀
、アルミニウムなどの金属薄膜と、ＩＴＯ膜等の透光性を有する導電材料を用いた薄膜と
の積層構造とすることもできる。

なお、本実施の形態で示す発光素子のＥＬ層１００３（正孔注入層１０１１、正孔輸送層
１０１２、発光層１０１３、電子輸送層１０１４又は電子注入層１０１５）は、実施の形
態１で示した成膜方法を適用して形成することができる。また、電極を実施の形態１又は
２で示した成膜方法を適用して形成することもできる。

例えば、図８（Ａ）に示す発光素子を形成する場合、実施の形態１で示した成膜用基板の
材料層をＥＬ層１００３を形成する材料で形成し、この成膜用基板を用いて基板１００１
上の第１の電極１００２上にＥＬ層１００３を形成する。そして、ＥＬ層１００３上に第
２の電極１００４を形成することにより、図８（Ａ）に示す発光素子を得ることができる
。

発光層１０１３としては種々の材料を用いることができる。例えば、蛍光を発光する蛍光
性化合物や燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる。

発光層１０１３に用いることのできる燐光性化合物としては、例えば、青色系の発光材料
として、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリ
ジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２
−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）
ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス［２−（３’，５’ビストリフルオロメチル
フェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（
ＣＦ_３ｐｐｙ）_２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジ
ナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒａｃａｃ
）などが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、トリス（２−フェニルピリジナト
−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）、ビス（２−フェニル
ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐ
ｐｙ）_２（ａｃａｃ））、ビス（１，２−ジフェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾラト）イリ
ジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｂｉ）_２（ａｃａｃ））、ビス
（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（
ｂｚｑ）_２（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、黄色系の発光材料として、ビス（２
，４−ジフェニル−１，３−オキサゾラト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチル
アセトナート（略称：Ｉｒ（ｄｐｏ）_２（ａｃａｃ））、ビス［２−（４’−パーフルオ
ロフェニルフェニル）ピリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：
Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）_２（ａｃａｃ））、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，
Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ）_２（ａｃａｃ
））などが挙げられる。また、橙色系の発光材料として、トリス（２−フェニルキノリナ
ト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｑ）_３）、ビス（２−フェニル
キノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐ
ｑ）_２（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、赤色系の発光材料として、ビス［２−（
２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^３’］イリジウム（ＩＩＩ）
アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔｐ）_２（ａｃａｃ））、ビス（１−フェニルイ
ソキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（
ｐｉｑ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロ
フェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）_２（ａｃａ
ｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポ
ルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）等の有機金属錯体が挙げられる。また、ト
リス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔ
ｂ（ａｃａｃ）_３（Ｐｈｅｎ））、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオ
ナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）_３（Ｐ
ｈｅｎ））、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（
モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）_３（Ｐｈｅｎ）
）等の希土類金属錯体は、希土類金属イオンからの発光（異なる多重度間の電子遷移）で
あるため、燐光性化合物として用いることができる。

発光層１０１３に用いることのできる蛍光性化合物としては、例えば、青色系の発光材料
として、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’
−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カル
バゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン
（略称：ＹＧＡＰＡ）などが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、Ｎ−（９，１
０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−ア
ミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル
）−２−アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：
２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’
−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０
−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリ
フェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、９，１０−ビス（
１，１’−ビフェニル−２−イル）−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェ
ニル］−Ｎ−フェニルアントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，
９−トリフェニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）などが挙げられる
。また、黄色系の発光材料として、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル−
４−イル）−６，１１−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）などが挙げられる。また
、赤色系の発光材料として、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テ
トラセン−５，１１−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１３−ジフェニル−Ｎ，
Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオラ
ンテン−３，１０−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）などが挙げられる。

また、発光層１０１３として、上述の燐光性化合物や蛍光性化合物のような発光性の高い
物質を他の物質に分散させた構成を用いることもできる。発光性の高い物質を他の物質に
分散させた構成を用いることにより、発光層の結晶化を抑制することができる。また、発
光性の高い物質の濃度が高いことによる濃度消光を抑制することができる。

発光性の高い物質を分散させる物質（ホスト材料）としては、発光性の高い物質が蛍光性
化合物の場合には、蛍光性化合物よりも一重項励起エネルギー（基底状態と一重項励起状
態とのエネルギー差）が大きい物質を用いることが好ましい。また、発光性の高い物質が
燐光性化合物の場合には、燐光性化合物よりも三重項励起エネルギー（基底状態と三重項
励起状態とのエネルギー差）が大きい物質を用いることが好ましい。

発光層１０１３に用いるホスト材料としては、例えば４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチ
ル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、トリス（８−キノリノラト）
アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、４，４’−ビス［Ｎ−（９，９−ジメチルフ
ルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ）、ビ
ス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ
）（略称：ＢＡｌｑ）などの他、４，４’−ジ（９−カルバゾリル）ビフェニル（略称：
ＣＢＰ）、９，９’−（１，３−フェニレン）ビス（９Ｈ−カルバゾール）（略称：ｍＣ
Ｐ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−
ＢｕＤＮＡ）、９−［４−（９−カルバゾリル）フェニル］−１０−フェニルアントラセ
ン（略称：ＣｚＰＡ）などが挙げられる。

また、ホスト材料に分散する発光性の高い物質（ドーパント材料）としては、上述した燐
光性化合物や蛍光性化合物を用いることができる。

発光層１０１３として、ドーパント材料をホスト材料に分散させた構成を用いる場合には
、成膜用基板上の材料層として、ホスト材料とドーパント材料とを混合した層を形成すれ
ばよい。または、成膜用基板上の材料層として、ホスト材料を含む層とドーパント材料を
含む層とが積層した構成としてもよい。このような構成の材料層を有する成膜用基板を用
いて発光層１０１３を形成することにより、発光層１０１３はホスト材料とドーパント材
料とを含み、ホスト材料にドーパント材料が分散された構成となる。なお、発光層１０１
３として、２種類以上のホスト材料とドーパント材料を用いてもよいし、２種類以上のド
ーパント材料とホスト材料を用いてもよい。また、２種類以上のホスト材料及び２種類以
上のドーパント材料を用いてもよい。

また、図８（Ｂ）に示す発光素子を形成する場合には、ＥＬ層１００３（正孔注入層１０
１１、正孔輸送層１０１２、電子輸送層１０１４、および電子注入層１０１５）のそれぞ
れの層を形成する材料で形成された材料層を有する実施の形態１で示した成膜用基板を各
層毎に用意し、各層の成膜毎に異なる成膜用基板を用いて、実施の形態１で示した方法に
より、基板１００１上の第１の電極１００２上にＥＬ層１００３を形成する。そして、Ｅ
Ｌ層１００３上に第２の電極１００４を形成することにより、図８（Ｂ）に示す発光素子
を得ることができる。なお、この場合には、ＥＬ層１００３の全ての層に実施の形態１又
は２で示した方法を用いることもできるが、一部の層のみに実施の形態１又は２で示した
方法を用いても良い。

例えば、正孔注入層１０１１としては、モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウ
ム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。この他、フタ
ロシアニン（略称：Ｈ_２Ｐｃ）や銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニ
ン系の化合物、或いはポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンス
ルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子等によっても正孔注入層を形成することが
できる。

また、正孔注入層１０１１として、正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質を含む
層を用いることができる。正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質とを含む層は、
キャリア密度が高く、正孔注入性に優れている。また、正孔輸送性の高い物質と電子受容
性を示す物質とを含む層を、陽極として機能する電極に接する正孔注入層として用いるこ
とにより、陽極として機能する電極材料の仕事関数の大小に関わらず、様々な金属、合金
、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。

正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質を含む層は、例えば、正孔輸送性の高い物
質を含む層と電子受容性を示す物質を含む層とが積層された材料層を有する成膜用基板を
用いることにより形成することができる。

正孔注入層１０１１に用いる電子受容性を示す物質としては、７，７，８，８−テトラシ
アノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）、クロラ
ニル等を挙げることができる。また、遷移金属酸化物を挙げることができる。また元素周
期表における第４族から第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には
、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タン
グステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、
酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。

正孔注入層１０１１に用いる正孔輸送性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、カル
バゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー
等）など、種々の化合物を用いることができる。なお、正孔注入層に用いる正孔輸送性の
高い物質としては、１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好
ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いて
もよい。以下では、正孔注入層１０１１に用いることのできる正孔の輸送性の高い物質を
具体的に列挙する。

例えば、正孔注入層１０１１に用いることのできる芳香族アミン化合物としては、例えば
、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：Ｎ
ＰＢ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−
ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，
Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−
トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称
：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル
）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）等を用いることができる。また
、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−メチルフェニル）（ｐ−トリル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−
フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰＰＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルア
ミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’−ビス
（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ
−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−
ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）等を
挙げることができる。

正孔注入層１０１１に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、具体的には、３
−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニ
ルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾ
ール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰ
ＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）
アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）、４，４’−ジ（Ｎ−カ
ルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリ
ル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アント
リル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、１，４−ビス［４−（Ｎ−
カルバゾリル）フェニル］−２，３，５，６−テトラフェニルベンゼン等を用いることが
できる。

また、正孔注入層１０１１に用いることのできる芳香族炭化水素としては、例えば、２−
ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ
）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、９，１０−ビ
ス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブ
チル−９，１０−ビス（４−フェニルフェニル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＢＡ）
、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−ジフェニル
アントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−
ＢｕＡｎｔｈ）、９，１０−ビス（４−メチル−１−ナフチル）アントラセン（略称：Ｄ
ＭＮＡ）、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］−２−ｔｅｒｔ−ブチル−
アントラセン、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン、２，３
，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、２，３，６，７
−テトラメチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン、９，９’−ビアントリル
、１０，１０’−ジフェニル−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス（２−フェ
ニルフェニル）−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス［（２，３，４，５，６
−ペンタフェニル）フェニル］−９，９’−ビアントリル、アントラセン、テトラセン、
ルブレン、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン等が挙げ
られる。また、この他、ペンタセン、コロネン等も用いることができる。このように、１
×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有し、炭素数１４〜４２である芳香族炭化水
素を用いることがより好ましい。

なお、正孔注入層１０１１に用いることのできる芳香族炭化水素は、ビニル骨格を有して
いてもよい。ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、４，４’−ビス（
２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０−ビス［４−（
２，２−ジフェニルビニル）フェニル］アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）等が挙げられ
る。

これら正孔輸送性の高い物質を含む層と、電子受容性を示す物質を含む層とが積層された
材料層を有する成膜用基板を用いることで、正孔注入層１０１１を形成することができる
。電子受容性を示す物質として金属酸化物を用いた場合には、基板１００１上に正孔輸送
性の高い物質を含む層を形成した後、金属酸化物を含む層を形成することが好ましい。金
属酸化物は、正孔輸送性の高い物質よりも分解温度または蒸着温度が高い場合が多いため
である。このような構成の蒸着源とすることにより、正孔輸送性の高い物質と金属酸化物
とを効率良く昇華させることができる。また、蒸着して形成した膜において局所的な濃度
の偏りを抑制することができる。また、正孔輸送性の高い物質と金属酸化物の両方を溶解
させるまたは分散させる溶媒は種類が少なく、混合溶液を形成しにくい。よって、湿式法
を用いて混合層を直接形成することは困難である。しかし、本実施の形態の成膜方法を用
いることにより、正孔輸送性の高い物質と金属酸化物とを含む混合層を容易に形成するこ
とができる。

また、正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質とを含む層は、正孔注入性だけでな
く、正孔輸送性も優れているため、上述した正孔注入層１０１１を正孔輸送層として用い
てもよい。

また、正孔輸送層１０１２は、正孔輸送性の高い物質を含む層であり、正孔輸送性の高い
物質としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］
ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα−ＮＰＤ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）
−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰ
Ｄ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略
称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェ
ニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピ
ロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：Ｂ
ＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に
１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸
送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物
質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとし
てもよい。

電子輸送層１０１４は、電子輸送性の高い物質を含む層であり、例えば、トリス（８−キ
ノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）
アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）
ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ_２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニ
ルフェノラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）など、キノリン骨格またはベンゾキノリ
ン骨格を有する金属錯体等を用いることができる。また、この他ビス［２−（２−ヒドロ
キシフェニル）ベンズオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）_２）、ビス［２−（２
−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）_２）などのオキ
サゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、
金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）
−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）や、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒ
ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：Ｏ
ＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフ
ェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ０１）バソフェナントロリン（略称
：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）なども用いることができる。ここに
述べた物質は、主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、
正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いて
も構わない。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以
上積層したものとしてもよい。

また、電子注入層１０１５としては、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（Ｃｓ
Ｆ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）等のようなアルカリ金属化合物、又はアルカリ土類
金属化合物を用いることができる。さらに、電子輸送性を有する物質とアルカリ金属又は
アルカリ土類金属が組み合わされた層も使用できる。例えばＡｌｑ中にマグネシウム（Ｍ
ｇ）を含有させたものを用いることができる。なお、電子注入層として、電子輸送性を有
する物質とアルカリ金属又はアルカリ土類金属を組み合わせた層を用いることは、第２の
電極１００４からの電子注入が効率良く起こるためより好ましい。

なお、ＥＬ層１００３は、層の積層構造については特に限定されず、電子輸送性の高い物
質または正孔輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、正孔注入性の高い物質、バイポ
ーラ性（電子及び正孔の輸送性の高い物質）の物質等を含む層と、発光層とを適宜組み合
わせて構成すればよい。

ＥＬ層１００３で得られた発光は、第１の電極１００２または第２の電極１００４のいず
れか一方または両方を通って外部に取り出される。従って、第１の電極１００２または第
２の電極１００４のいずれか一方または両方は、透光性を有する電極である。第１の電極
１００２のみが透光性を有する電極である場合、光は第１の電極１００２を通って基板１
００１側から取り出される。また、第２の電極１００４のみが透光性を有する電極である
場合、光は第２の電極１００４を通って基板１００１と逆側から取り出される。第１の電
極１００２および第２の電極１００４がいずれも透光性を有する電極である場合、光は第
１の電極１００２および第２の電極１００４を通って、基板１００１側および基板１００
１と逆側の両方から取り出される。

なお、図８では、陽極として機能する第１の電極１００２を基板１００１側に設けた構成
について示したが、陰極として機能する第２の電極１００４を基板１００１側に設けても
よい。

また、ＥＬ層１００３の形成方法としては、上記実施の形態で示した成膜方法を用いれば
よく、他の成膜方法と組み合わせてもよい。また、各電極または各層ごとに異なる成膜方
法を用いて形成しても構わない。乾式法としては、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパ
ッタリング法などが挙げられる。また、湿式法としては、インクジェット法またはスピン
コート法などが挙げられる。

本実施の形態に係る発光素子は、上記実施の形態の成膜用基板を適用したＥＬ層の形成が
可能であり、それにより、高精度な膜が効率よく形成される為、発光素子の特性向上のみ
ならず、歩留まり向上やコストダウンを図ることができる。

（実施の形態７）
本実施の形態では、実施の形態６で説明した発光素子を用いて形成される発光装置につ
いて説明する。

まず、パッシブマトリクス型の発光装置について、図９、図１０を用いて説明することと
する。

パッシブマトリクス型（単純マトリクス型ともいう）の発光装置は、ストライプ状（帯状
）に並列された複数の陽極と、ストライプ状に並列された複数の陰極とが互いに直交する
ように設けられており、その交差部に発光層が挟まれた構造となっている。従って、選択
された（電圧が印加された）陽極と選択された陰極との交点にあたる画素が点灯すること
になる。

図９（Ａ）は、封止前における画素部の上面図を示す図であり、図９（Ａ）中の鎖線Ａ−
Ａ’で切断した断面図が図９（Ｂ）であり、鎖線Ｂ−Ｂ’で切断した断面図が図９（Ｃ）
である。

基板１１０１上には、下地絶縁層として絶縁層１１０４を形成する。なお、下地絶縁層が
必要でなければ特に形成しなくともよい。絶縁層１１０４上には、ストライプ状に複数の
第１の電極１１１３が等間隔で配置されている。また、第１の電極１１１３上には、各画
素に対応する開口部を有する隔壁１１１４が設けられ、開口部を有する隔壁１１１４は絶
縁材料（感光性または非感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイ
ミドアミド、レジストまたはベンゾシクロブテン）、またはＳＯＧ膜（例えば、アルキル
基を含むＳｉＯｘ膜））で構成されている。なお、各画素に対応する開口部が発光領域１
１２１となる。

開口部を有する隔壁１１１４上に、第１の電極１１１３と交差する互いに平行な複数の逆
テーパ状の隔壁１１２２が設けられる。逆テーパ状の隔壁１１２２はフォトリソグラフィ
法に従い、未露光部分が残存するポジ型感光性樹脂を用い、パターンの下部がより多くエ
ッチングされるように露光量または現像時間を調節することによって形成する。

開口部を有する隔壁１１１４及び逆テーパ状の隔壁１１２２を合わせた高さは、ＥＬ層及
び第２の電極１１１６の膜厚より大きくなるように設定する。これにより、複数の領域に
分離されたＥＬ層、具体的には赤色発光を示す材料で形成されたＥＬ層（Ｒ）（１１１５
Ｒ）、緑色発光を示す材料で形成されたＥＬ層（Ｇ）（１１１５Ｇ）、青色発光を示す材
料で形成されたＥＬ層（Ｂ）（１１１５Ｂ）と、第２の電極１１１６とが形成される。な
お、複数に分離された領域は、それぞれ電気的に独立している。

第２の電極１１１６は、第１の電極１１１３と交差する方向に伸長する互いに平行なスト
ライプ状の電極である。なお、逆テーパ状の隔壁１１２２上にもＥＬ層及び第２の電極１
１１６を形成する導電層の一部が形成されるが、ＥＬ層（Ｒ）（１１１５Ｒ）、ＥＬ層（
Ｇ）（１１１５Ｇ）、ＥＬ層（Ｂ）（１１１５Ｂ）、及び第２の電極１１１６とは分断さ
れている。なお、本実施の形態におけるＥＬ層は、少なくとも発光層を含む層であって、
発光層の他に正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、又は電子注入層等を含んでいてもよ
い。

ここでは、ＥＬ層（Ｒ）（１１１５Ｒ）、ＥＬ層（Ｇ）（１１１５Ｇ）、ＥＬ層（Ｂ）（
１１１５Ｂ）を選択的に形成し、３種類（赤（Ｒ）、青（Ｇ）、緑（Ｂ））の発光が得ら
れるフルカラー表示可能な発光装置を形成する例を示している。なお、ＥＬ層（Ｒ）（１
１１５Ｒ）、ＥＬ層（Ｇ）（１１１５Ｇ）、ＥＬ層（Ｂ）（１１１５Ｂ）は、それぞれ互
いに平行なストライプパターンで形成されている。これらのＥＬ層を形成するには、上記
実施の形態１および実施の形態２に示す成膜方法を適用すればよい。

また、必要であれば、封止缶や封止のためのガラス基板などの封止材を用いて封止する。
ここでは、封止基板としてガラス基板を用い、シール材などの接着材を用いて基板と封止
基板とを貼り合わせ、シール材などの接着材で囲まれた空間を密閉なものとしている。密
閉された空間には、充填材や、乾燥した不活性ガスを充填する。また、発光装置の信頼性
を向上させるために、基板と封止材との間に乾燥材などを封入してもよい。乾燥材によっ
て微量な水分が除去され、十分乾燥される。また、乾燥材としては、酸化カルシウムや酸
化バリウムなどのようなアルカリ土類金属の酸化物のような化学吸着によって水分を吸収
する物質を用いることが可能である。なお、他の乾燥材として、ゼオライトやシリカゲル
等の物理吸着によって水分を吸着する物質を用いてもよい。

ただし、発光素子を覆って接する封止材が設けられ、十分に外気と遮断されている場合に
は、乾燥材は、特に設けなくともよい。

次に、図９に示したパッシブマトリクス型の発光装置にＦＰＣなどを実装した場合の上面
図を図１０に示す。

図１０において、画像表示を構成する画素部は、走査線群とデータ線群が互いに直交する
ように交差している。

ここで、図９における第１の電極１１１３が、図１０の走査線１２０３に相当し、図９に
おける第２の電極１１１６が、図１０のデータ線１２０２に相当し、逆テーパ状の隔壁１
１２２が隔壁１２０４に相当する。データ線１２０２と走査線１２０３の間にはＥＬ層が
挟まれており、領域１２０５で示される交差部が画素１つ分となる。

なお、走査線１２０３は配線端で接続配線１２０８と電気的に接続され、接続配線１２０
８が入力端子１２０７を介してＦＰＣ１２０９ｂに接続される。また、データ線は入力端
子１２０６を介してＦＰＣ１２０９ａに接続される。

また、必要であれば、射出面に偏光板、又は円偏光板（楕円偏光板を含む）、位相差板（
λ／４板、λ／２板）、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けてもよい。また、
偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により反射光を拡
散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。

なお、図１０では、駆動回路を基板上に設けない例を示したが、特に限定されず、基板上
に駆動回路を有するＩＣチップを実装させてもよい。

また、ＩＣチップを実装させる場合、画素部の周辺（外側）の領域に、画素部へ各信号を
伝送する駆動回路が形成されたデータ線側ＩＣ、走査線側ＩＣをＣＯＧ方式によりそれぞ
れ実装する。ＣＯＧ方式以外の実装技術としてＴＣＰやワイヤボンディング方式を用いて
実装してもよい。ＴＣＰはＴＡＢテープにＩＣを実装したものであり、ＴＡＢテープを素
子形成基板上の配線に接続してＩＣを実装する。データ線側ＩＣ、および走査線側ＩＣは
、シリコン基板を用いたものであってもよいし、ガラス基板、石英基板もしくはプラスチ
ック基板上にＴＦＴで駆動回路を形成したものであってもよい。また、片側に一つのＩＣ
を設けた例を説明しているが、片側に複数個に分割して設けても構わない。

次に、アクティブマトリクス型の発光装置の例について、図１１を用いて説明する。なお
、図１１（Ａ）は発光装置を示す上面図であり、図１１（Ｂ）は図１１（Ａ）を鎖線Ａ−
Ａ’で切断した断面図である。本実施の形態に係るアクティブマトリクス型の発光装置は
、素子基板１３１０上に設けられた画素部１３０２と、駆動回路部（ソース側駆動回路）
１３０１と、駆動回路部（ゲート側駆動回路）１３０３と、を有する。画素部１３０２、
駆動回路部１３０１、及び駆動回路部１３０３は、シール材１３０５によって、素子基板
１３１０と封止基板１３０４との間に封止されている。

また、素子基板１３１０上には、駆動回路部１３０１、及び駆動回路部１３０３に外部か
らの信号（例えば、ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、又はリセット信号等）や
電位を伝達する外部入力端子を接続するための引き回し配線１３０８が設けられる。ここ
では、外部入力端子としてＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）１３０９を設ける
例を示している。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリン
ト配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発
光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むもの
とする。

次に、断面構造について図１１（Ｂ）を用いて説明する。素子基板１３１０上には駆動回
路部及び画素部が形成されているが、ここでは、ソース側駆動回路である駆動回路部１３
０１と、画素部１３０２が示されている。

駆動回路部１３０１はｎチャネル型ＴＦＴ１３２３とｐチャネル型ＴＦＴ１３２４とを組
み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される例を示している。なお、駆動回路部を形成する回路
は、種々のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。また、
本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバー一体型を示すが、必ずしもそ
の必要はなく、基板上ではなく外部に駆動回路を形成することもできる。

また、画素部１３０２はスイッチング用ＴＦＴ１３１１と、電流制御用ＴＦＴ１３１２と
電流制御用ＴＦＴ１３１２の配線（ソース電極又はドレイン電極）に電気的に接続された
第１の電極１３１３とを含む複数の画素により形成される。なお、第１の電極１３１３の
端部を覆って絶縁物１３１４が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂
を用いることにより形成する。

また、上層に積層形成される膜の被覆性を良好なものとするため、絶縁物１３１４の上端
部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにするのが好ましい。例えば、絶縁
物１３１４の材料としてポジ型の感光性アクリル樹脂を用いた場合、絶縁物１３１４の上
端部に曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、
絶縁物１３１４として、感光性の光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或い
は光によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができ、有機化
合物に限らず無機化合物、例えば、酸化シリコン、酸窒化シリコン等、の両者を使用する
ことができる。

第１の電極１３１３上には、ＥＬ層１３００及び第２の電極１３１６が積層形成されてい
る。なお、第１の電極１３１３をＩＴＯ膜とし、第１の電極１３１３と接続する電流制御
用ＴＦＴ１３１２の配線として窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜との積層膜
、或いは窒化チタン膜、アルミニウムを主成分とする膜、窒化チタン膜との積層膜を適用
すると、配線としての抵抗も低く、ＩＴＯ膜との良好なオーミックコンタクトがとれる。
なお、ここでは図示しないが、第２の電極１３１６は外部入力端子であるＦＰＣ１３０９
に電気的に接続されている。

ＥＬ層１３００は、少なくとも発光層が設けられており、発光層の他に正孔注入層、正孔
輸送層、電子輸送層又は電子注入層を適宜設ける構成とする。第１の電極１３１３、ＥＬ
層１３００及び第２の電極１３１６との積層構造で、発光素子１３１５が形成されている
。

また、図１１（Ｂ）に示す断面図では発光素子１３１５を１つのみ図示しているが、画素
部１３０２において、複数の発光素子がマトリクス状に配置されているものとする。画素
部１３０２には、３種類（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の発光が得られる発光素子をそれぞれ選択的に形
成し、フルカラー表示可能な発光装置を形成することができる。また、カラーフィルタと
組み合わせることによってフルカラー表示可能な発光装置としてもよい。

さらにシール材１３０５で封止基板１３０４を素子基板１３１０と貼り合わせることによ
り、素子基板１３１０、封止基板１３０４、およびシール材１３０５で囲まれた空間１３
０７に発光素子１３１５が備えられた構造になっている。なお、空間１３０７には、不活
性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材１３０５で充填される構成
も含むものとする。

なお、シール材１３０５にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料
はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板１３０
４に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅ
ｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステ
ルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。

以上のようにして、上記実施の形態を適用して発光装置を得ることができる。アクティブ
マトリクス型の発光装置は、ＴＦＴを作製するため、１枚あたりの製造コストが高くなり
やすいが、上記実施の形態を適用することで、発光素子を形成する際の材料のロスを大幅
に低減させることが可能である。よって、製造コストの低減を図ることができる。

また、上記実施の形態を適用することで、発光素子を構成するＥＬ層を容易に形成するこ
とができると共に、発光素子を有する発光装置を容易に作製することができる。また、平
坦でムラのない膜の成膜や微細なパターン形成が可能となるため、高精細な発光装置を得
ることができる。また、成膜時における光源として、熱量の大きなランプヒーター等を用
いることができることからタクト時間の短縮が可能となり、発光装置の製造コストを低減
させることができる。

なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成を適宜組み合わせて用い
ることができることとする。

（実施の形態８）
本実施の形態では、上記実施の形態を適用して作製した発光装置を用いて完成させた様
々な電子機器について、図１２を用いて説明する。

本実施の形態に係る発光装置を適用した電子機器として、テレビジョン、ビデオカメラ、
デジタルカメラ等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、
ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、ノー
ト型コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯
型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはデジタルビ
デオディスク（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうる表示装置を備えた
装置）、照明器具などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を図１２に示す。

図１２（Ａ）は表示装置であり、筐体８００１、支持台８００２、表示部８００３、スピ
ーカー部８００４、ビデオ入力端子８００５等を含む。上記実施の形態を用いて形成され
る発光装置をその表示部８００３に用いることにより作製される。なお、表示装置は、パ
ーソナルコンピュータ用、ＴＶ放送受信用、広告表示用などの全ての情報表示用装置が含
まれる。本実施の形態を適用することで、主に発光装置の成膜工程における材料の利用効
率向上、および製造効率向上を図ることができるので、表示装置の製造における製造コス
トの低減、および生産性の向上を図ることができ、安価な表示装置を提供することができ
る。

図１２（Ｂ）はコンピュータであり、筐体８１０２、表示部８１０３、キーボード８１０
４、外部接続ポート８１０５、ポインティングデバイス８１０６等を含む。なお、コンピ
ュータは、上記実施の形態を用いて形成される発光装置をその表示部８１０３に用いるこ
とにより作製される。本実施の形態を適用することで、主に発光装置の成膜工程における
材料の利用効率向上、および製造効率向上を図ることができるので、コンピュータの製造
における製造コストの低減、および生産性の向上を図ることができ、安価なコンピュータ
を提供することができる。

図１２（Ｃ）はビデオカメラであり、表示部８２０２、外部接続ポート８２０４、リモコ
ン受信部８２０５、受像部８２０６、操作キー８２０９等を含む。なお、ビデオカメラは
、上記実施の形態を用いて形成される発光装置をその表示部８２０２に用いることにより
作製される。本実施の形態を適用することで、主に発光装置の成膜工程における材料の利
用効率向上、および製造効率向上を図ることができるので、ビデオカメラの製造における
製造コストの低減、および生産性の向上を図ることができ、安価なビデオカメラを提供す
ることができる。

図１２（Ｄ）は携帯電話であり、表示部８４０３、音声入力部８４０４、音声出力部８４
０５、操作キー８４０６、外部接続ポート８４０７等を含む。なお、携帯電話は、上記実
施の形態を用いて形成される発光装置をその表示部８４０３に用いることにより作製され
る。また、赤外線通信機能、テレビ受信機能等を備えた携帯電話としてもよい。本実施の
形態を適用することで、主に発光装置の成膜工程における材料の利用効率向上、および製
造効率向上を図ることができるので、携帯電話の製造における製造コストの低減、および
生産性の向上を図ることができ、安価な携帯電話を提供することができる。

図１２（Ｅ）は卓上照明器具であり、照明部８３０１、傘８３０２、可変アーム８３０３
、電源８３０５等を含む。なお、卓上照明器具は、上記実施の形態を用いて形成される発
光装置を照明部８３０１に用いることにより作製される。なお、照明器具には天井固定型
の照明器具または壁掛け型の照明器具なども含まれる。本実施の形態を適用することで、
主に発光装置の成膜工程における材料の利用効率向上、および製造効率向上を図ることが
できるので、卓上照明器具の製造における製造コストの低減、および生産性の向上を図る
ことができ、安価な卓上照明器具を提供することができる。

以上のようにして、上記実施の形態に係る発光装置を適用して電子機器や照明器具を得る
ことができる。上記実施の形態に係る発光装置の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の
電子機器に適用することが可能である。

なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成を適宜組み合わせて用い
ることができることとする。

１０１ 基板
１０３ 光吸収層
１０５ 隔壁層
１０６ 光吸収層
１０７ 材料層
１０９ 反射層
１１０ 成膜用基板
１３０ 成膜用基板
２０１ 基板
２０３ 電極層
２０５ 絶縁物
２０７ ＥＬ層
５０１ 受渡室
５０２ 搬送室
５０３ 受渡室
５０４ 封止室
５０５ アンロード室
５１１ 処理室
５１２ 処理室
５１３ 処理室
５１４ 処理室
５１５ 光照射室
５１８ 処理室
５２０ 搬送ユニット
５２１ 搬送ユニット
５２２ 搬送ユニット
５２３ 搬送ユニット
５２４ 搬送ユニット
５３０ ゲート弁
５３５ ゲート弁
５３７ 蒸着源
５４０ ゲート弁
５４１ ゲート弁
５４２ ゲート弁
５５１ 受渡室
５５２ 搬送室
５５３ 前処理室
５５４ 処理室
５５５ 処理室
５５６ 処理室
５５７ 蒸着源
５７０ カセット室
５７１ カセット室
５７２ カセット室
５７３ カセット室
５７４ 処理室
５７５ 処理室
５７６ ベーク室
５７７ 洗浄室
５７８ ステージ
５７９ 台
５８０ ステージ
５８１ インクボトル
５８２ 搬送室
５８３ 液滴吐出手段
６０１ 領域
６０２ 光吸収層
６０３ ＥＬ層（Ｒ）
６０４ ＥＬ層（Ｇ）
６０５ ＥＬ層（Ｂ）
６０６ 絶縁物
６１１ ＥＬ層（Ｒ）
６１２ ＥＬ層（Ｇ）
６１３ ＥＬ層（Ｂ）
８０３ レーザ発振装置
８０４ 光学系
８０７ 反射ミラー
８１６ 制御装置
９０１ 光照射室
９０２ ゲート弁
９０３ 排気機構
９０４ 基板ステージ
９０５ 基板支持機構
９１０ 光源
９１１ 成膜用基板
９１２ 被成膜基板
９１３ 材料層
１００１ 基板
１００２ 電極
１００３ ＥＬ層
１００４ 電極
１０１１ 正孔注入層
１０１２ 正孔輸送層
１０１３ 発光層
１０１４ 電子輸送層
１０１５ 電子注入層
１１０１ 基板
１１０４ 絶縁層
１１１３ 電極
１１１４ 隔壁
１１１６ 電極
１１２１ 発光領域
１１２２ 隔壁
１２０２ データ線
１２０３ 走査線
１２０４ 隔壁
１２０５ 領域
１２０６ 入力端子
１２０７ 入力端子
１２０８ 接続配線
１２０９ａ ＦＰＣ
１２０９ｂ ＦＰＣ
１３００ ＥＬ層
１３０１ 駆動回路部
１３０２ 画素部
１３０３ 駆動回路部
１３０４ 封止基板
１３０５ シール材
１３０７ 空間
１３０８ 配線
１３０９ ＦＰＣ
１３１０ 素子基板
１３１１ スイッチング用ＴＦＴ
１３１２ 電流制御用ＴＦＴ
１３１３ 電極
１３１４ 絶縁物
１３１５ 発光素子
１３１６ 電極
１３２３ ｎチャネル型ＴＦＴ
１３２４ ｐチャネル型ＴＦＴ
８００１ 筐体
８００２ 支持台
８００３ 表示部
８００４ スピーカー部
８００５ ビデオ入力端子
８１０２ 筐体
８１０３ 表示部
８１０４ キーボード
８１０５ 外部接続ポート
８１０６ ポインティングデバイス
８２０２ 表示部
８２０４ 外部接続ポート
８２０５ リモコン受信部
８２０６ 受像部
８２０９ 操作キー
８３０１ 照明部
８３０２ 傘
８３０３ 可変アーム
８３０５ 電源
８４０３ 表示部
８４０４ 音声入力部
８４０５ 音声出力部
８４０６ 操作キー
８４０７ 外部接続ポート

Claims (2)

1. 基板上に接して、互いに離間して設けられた光吸収層と、
   前記基板上に接して、前記光吸収層の一と他の前記光吸収層との間に設けられた隔壁層と、
   前記光吸収層及び前記隔壁層上にそれぞれ分離形成された材料層と、を有し、
   前記隔壁層は、逆テーパ形状であり、
   前記光吸収層と前記材料層とは接しており、
   前記光吸収層と前記隔壁層との間に間隙を有し、
   前記光吸収層は、窒化チタン、窒化タンタル、窒化モリブデン、窒化タングステン、又は窒化クロムであり、
   前記隔壁層の熱伝導率は、前記光吸収層の熱伝導率よりも低く、
   前記隔壁層の膜厚は、前記光吸収層の膜厚及び前記材料層の膜厚との合計よりも厚いことを特徴とする成膜用基板。
2. 基板上に接して、互いに離間して設けられた光吸収層と、
   前記基板上に接して、前記光吸収層の一と他の前記光吸収層との間に設けられた隔壁層と、
   前記光吸収層及び前記隔壁層上にそれぞれ分離形成された反射層と、
   前記反射層上にそれぞれ分離形成された材料層と、を有し、
   前記隔壁層は、逆テーパ形状であり、
   前記光吸収層と前記反射層とは接しており、
   前記光吸収層と前記隔壁層との間に間隙を有し、
   前記光吸収層は、窒化チタン、窒化タンタル、窒化モリブデン、窒化タングステン、又は窒化クロムであり、
   前記隔壁層の熱伝導率は、前記光吸収層の熱伝導率よりも低く、
   前記隔壁層の膜厚は、前記光吸収層の膜厚及び前記材料層の膜厚との合計よりも厚いことを特徴とする成膜用基板。

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