JP2009218595A - 太陽電池 - Google Patents

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Abstract

【課題】高い変換効率を有し、耐用性の優れた太陽電池を提供する。
【解決手段】シリコン基板１４と、背面電極１２と、ドープシリコン層１６と、前面電極１８と、を含む。前記シリコン基板が第一表面１４４と該第一表面に相対する第二表面１４０を有し、該シリコン基板の第一表面に分離して設置された複数の凹槽１４２が形成され、前記背面電極が前記シリコン基板の第二表面に設置され、該第二表面とオーミック接触し、前記ドープシリコン層が前記凹槽の内表面１４６に設置され、前記前面電極が前記シリコン基板の第一表面に設置され、前記前面電極がカーボンナノチューブ構造体を含む。
【選択図】図１

Description

本発明は、太陽電池に関し、特にカーボンナノチューブを使用した太陽電池に関するものである。
太陽エネルギーは光起電力効果を利用し、光エネルギーを直接電力に変換する電力機器であり、光電池とも呼ばれる。一般的な一次電池や二次電池のように電力を蓄えるのではなく、光起電力効果により、受けた光を即時に電力に変換して出力する。主流のシリコン太陽電池（非特許文献１を参照する）の他、様々な化合物半導体などを素材にしたものが実用化されている。
図５を参照すると、従来技術のシリコン太陽電池３０は、背面電極３２、シリコン基板３４、ドープシリコン層３６及び前面電極３８を含む。前記シリコン基板３４は、第一表面３４０及び第二表面３４４を含む。前記背面電極３２は、該第一表面３４０とオーミック接触するように、前記シリコン基板３４の第一表面３４０に設置されている。前記シリコン基板３４の第二表面３４４に、複数の凹槽３４２が形成される。光電変換材料としての前記ドープシリコン層３６は、前記複数の凹槽３４２の内表面３４６に形成される。前記前面電極３８は、導電的な金属網を採用し、前記シリコン基板３４の第一表面３４４に設置されるが、前記導電的な金属が不透明な材料であるので、光の透過率に影響を与える。太陽電池の光電変換効率を高めるために、前記前面電極３８は、透明な酸化インジウムスズ層を採用する。
張明杰等、"太陽電池及び多晶シリコンの製造"、「材料及び冶金の学報」、２００７年、第１６巻、第３３頁〜第３８頁 Ｋａｉｌｉ Ｊｉａｎｇ、Ｑｕｎｑｉｎｇ Ｌｉ、Ｓｈｏｕｓｈａｎ Ｆａｎ、"Ｓｐｉｎｎｉｎｇ ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ ｃａｒｂｏｎ ｎａｎｏｔｕｂｅ ｙａｒｎｓ"、Ｎａｔｕｒｅ、２００２年、第４１９巻、ｐ．８０１
しかし、前記酸化インジウムスズ層の機械的及び化学的耐用性が良くなく、該酸化インジウムスズ層が前面電極３８になると、抵抗の分布が不均一であるので、前記太陽電池は、耐用性が良くなく、光電変換効率が高くない欠点がある。
従って、本発明は、高い光電変換効率を有し、耐用性の優れた太陽電池を提供することを課題とする。
太陽電池は、シリコン基板と、背面電極と、ドープシリコン層と、前面電極と、を含む。前記シリコン基板が第一表面と該第一表面に相対する第二表面を有し、該シリコン基板の第一表面に分離して設置された複数の凹槽が形成され、前記背面電極が前記シリコン基板の第二表面に設置され、該第二表面とオーミック接触し、前記ドープシリコン層が前記凹槽の内表面に設置され、前記前面電極が前記シリコン基板の第一表面に設置され、前記前面電極がカーボンナノチューブ構造体を含む。
前記カーボンナノチューブ構造体が均一に分布された複数のカーボンナノチューブを含む。
前記カーボンナノチューブ構造体が少なくとも一枚のカーボンナノチューブフィルムを含む。
前記カーボンナノチューブフィルムが、同じ方向又は複数の方向に沿って配列された複数のカーボンナノチューブを含む。
前記カーボンナノチューブフィルムが、絡み合った複数のカーボンナノチューブを含む。
前記カーボンナノチューブフィルムが、等方的に配列された複数のカーボンナノチューブを含む。
前記シリコン基板がｐ型単結晶シリコン基板である。
前記ドープシリコン層が燐又は砒素を混合したｎ型シリコン層である。
前記太陽電池が複数の金属層を含み、該複数の金属層がそれぞれ前記シリコン基板の第一表面と前記前面電極の間に設置される。
前記太陽電池が反射防止層を含み、該反射防止層が前記前面電極の第一表面又は第二表面に設置される。
従来の太陽電池と比べると、本発明の太陽電池の前面電極は、カーボンナノチューブ構造体を採用しており、太陽の光エネルギーをよく吸収することができるので、該太陽電池は高い光電変換効率を有している。前記カーボンナノチューブ構造体は、優れた強靭性と機械的強度を有しているので、該カーボンナノチューブ構造体を前面電極とする太陽電池の耐用性を高めることができる。
また、前記カーボンナノチューブ構造体は、カーボンナノチューブアレイから形成されるものであるので、製造された太陽電池のコストが低くなる。前記カーボンナノチューブ構造体が均一的な構造を有し、該カーボンナノチューブ構造体を使用した前面電極が均一的な抵抗を有するので、前記太陽電池の性能を高めることができる。前記カーボンナノチューブ構造体における隣接するカーボンナノチューブの間に均一的に配列された隙間を有するので、該カーボンナノチューブ構造体を使用した前面電極は、優れた透光性を有する。
本発明の実施形態に係る太陽電池の構造を示す断面図である。 図１に示す太陽電池の前面電極のカーボンナノチューブフィルムを示す図である。 図２に示すカーボンナノチューブフィルムにおけるカーボンナノチューブセグメントを示す図である。 本発明の実施形態に係る太陽電池の構造を示す下視図である。 従来技術の太陽電池の構造を示す図である。
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。
図１を参照すると、本実施形態は、太陽電池１０を提供する。該太陽電池１０は、背面電極１２、シリコン基板１４、ドープシリコン層１６及び前面電極１８を含む。前記シリコン基板１４は、第二表面１４０及び該第二表面１４０に相対する第一表面１４４を含む。前記背面電極１２は、前記シリコン基板１４の第二表面１４０に設置され、該第二表面１４０とオーミック接触する。前記シリコン基板１４の第一表面１４４には、複数の凹槽１４２が分離して設置されている。前記ドープシリコン層１６は光電変換材料として、前記複数の凹槽１４２の内表面１４６に形成される。前記前面電極１８は、前記シリコン基板１４の第一表面１４４に設置される。該前面電極１８は、第一表面１８２及び該第一表面１８２に相対する第二表面１８４を含む。
前記太陽電池１０は、複数の金属層２０を含む。該金属層２０の材料は、アルミニウム又は銀である。前記複数の金属層２０は、それぞれ前記シリコン基板１４の第一表面１４４に設置し、前記前面電極１８との間に複数のヘテロ接合（ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ）が形成されるので、該前面電極１８とシリコン基板１４との電気接続性を高めることができ、前記太陽電池１０の光電変換効率を高めることができる。
前記太陽電池１０は、さらに第一電極２２と第二電極２４を含む。該第一電極２２と第二電極２４は、銀又は金からなり、分離して前記前面電極１８の第一表面１８２に設置し、該第一表面１８２に電気的に接続される。前記第一電極２２と第二電極２４は、前記前面電極１８に流された電流を収集することに用いられる。
前記太陽電池１０は反射防止層２６を含む。該反射防止層２６は二酸化チタンからなり、前記前面電極１８の第一表面１８２又は第二表面１８４に設置される。前記反射防止層２６を利用することにより、太陽光を反射することを減少し、前記太陽電池１０の光電変換効率を高めることができる。
前記背面電極１２の材料は、アルミニウム、マグネシウム、銀などの金属である。該背面電極１２の厚さは１０マイクロメートル〜３００マイクロメートルである。
前記シリコン基板１４は、ｐ型単結晶シリコン基板であり、その厚さが２００マイクロメートル〜３００マイクロメートルである。隣接する前記凹槽１４２の距離が１０マイクロメートル〜３０マイクロメートルであり、前記凹槽１４２の深さが５０マイクロメートル〜７０マイクロメートルである。前記複数の凹槽１４２の形状と寸法は制限されることなく、該凹槽１４２の断面が正方形、台形又は三角形などの多角形である。前記ドープシリコン層１６は、ｎ型ドープシリコン層であり、その厚さは、５００ナノメートル〜１マイクロメートルである。前記ドープシリコン層１６は、例えば、前記シリコン基板１４に多量の燐又は砒素などのｎ型ドープト材料を打込むことによって形成される。これにより、前記ｎ型ドープト材料と前記ｐ型シリコン基板１４との間に複数のｐｎ接合を形成でき、光エネルギーを電気エネルギーに変換させることができる。前記シリコン基板１４の第一表面１４４に前記複数の凹槽１４２が形成されているので、前記太陽電池１０はよく光エネルギーを吸収することができ、大きなｐｎ接合の界面面積を有する。従って、太陽電池１０の光電変換の効率を高めることができる。
前記前面電極１８は、カーボンナノチューブ構造体を採用する。前記カーボンナノチューブ構造体は、均一に分布された複数のカーボンナノチューブを含む。
前記カーボンナノチューブ構造体におけるカーボンナノチューブは、単層カーボンナノチューブ、二層カーボンナノチューブ又は多層カーボンナノチューブである。該カーボンナノチューブ構造体におけるカーボンナノチューブが単層カーボンナノチューブである場合、該単層カーボンナノチューブの直径は０．５ナノメートル〜５０ナノメートルである。該カーボンナノチューブ構造体におけるカーボンナノチューブが二層カーボンナノチューブである場合、該二層カーボンナノチューブの直径は１.０ナノメートル〜５０ナノメートルである。該カーボンナノチューブ構造体におけるカーボンナノチューブが多層カーボンナノチューブである場合、該多層カーボンナノチューブの直径は１．５ナノメートル〜５０ナノメートルである。前記カーボンナノチューブ構造体におけるカーボンナノチューブが不純物を含まず、該カーボンナノチューブ自体の比表面積が大きいので、該カーボンナノチューブ構造体自体が強い接着性を有する。従って、該カーボンナノチューブ構造体は、自身の接着性を利用して、直接前記シリコン基板の第１表面１４４に接着し、前記複数の凹槽１４２の開口を被覆することができる。
さらに、前記カーボンナノチューブ構造体は少なくとも一枚のカーボンナノチューブフィルムを含むことができる。単一の前記カーボンナノチューブフィルムにおいて、複数のカーボンナノチューブが配向し又は配向せず配列している。
前記複数のカーボンナノチューブが配向して配列する場合、前記複数のカーボンナノチューブは前記カーボンナノチューブ構造体の表面に平行し、同じ方向又は複数の方向に沿って配列されている。前記複数のカーボンナノチューブが配向せず配列する場合、前記複数のカーボンナノチューブは、互いに絡み合って、或いは、等方的に配列されているである。
実施例１として、前記複数のカーボンナノチューブが配向して配列するカーボンナノチューブフィルムは、図２に示されている。前記カーボンナノチューブフィルムは、カーボンナノチューブアレイから引き伸ばし、形成されるものである。該カーボンナノチューブフィルムは、同じ方向に沿って、配列された複数のカーボンナノチューブを含む。図３を参照すると、具体的には、前記カーボンナノチューブフィルムは、端と端に接続され、長さが基本的に同じな複数のカーボンナノチューブセグメント１８６を含む。前記カーボンナノチューブセグメント１８６は、端と端が分子間力で連接される。各々のカーボンナノチューブセグメント１８６は、同じ方向に沿って、均一的に配列される複数のカーボンナノチューブ１８８からなり、各々の前記カーボンナノチューブ１８８が分子間力で緊密に連接される。前記カーボンナノチューブフィルムは、カーボンナノチューブアレイから引き伸ばすことによって、形成されるので、該カーボンナノチューブフィルムの長さと幅は、カーボンナノチューブアレイが成長された基板の寸法に関係する。
本実施形態において、化学気相成長（ＣＶＤ）法で４インチの基板に超配列カーボンナノチューブアレイ（非特許文献２を参照）を成長させる。前記カーボンナノチューブフィルムの幅は、０．０１センチメートル〜１０センチメートルであり、厚さは、１０ナノメートル〜１００マイクロメートルである。
また、前記カーボンナノチューブフィルムの寸法が実際の応用を満足することができない場合、複数の前記カーボンナノチューブフィルムを隙間なく平行して並列させて、大寸法のカーボンナノチューブフィルムを形成することができる。
実施例２として、単一のカーボンナノチューブフィルムは、絡み合った複数のカーボンナノチューブを含む。ここで、前記複数のカーボンナノチューブは、分子間力で接近して、相互に絡み合って、カーボンナノチューブネットで形成されている。前記複数のカーボンナノチューブは、等方的に、均一に前記カーボンナノチューブ構造体に分布されている。前記複数のカーボンナノチューブは配向せずに配列されて、多くの微小な穴が形成されている。ここで、単一の前記微小な穴の直径が１０マイクロメートル以下になる。前記カーボンナノチューブフィルムの厚さは、１マイクロメートル〜１ミリメートルである。前記カーボンナノチューブフィルムは、溶液に浸漬したカーボンナノチューブ原料をろ過して成るものである。
実施例３として、単一のカーボンナノチューブフィルムは、異なる方向に沿って配列された複数のカーボンナノチューブを含む。前記カーボンナノチューブフィルムは、押し器具を利用して、カーボンナノチューブアレイを同じ方向又は異なる方向に沿って押して形成するものである。前記カーボンナノチューブフィルムにおいて、隣接するカーボンナノチューブは分子間力で接続され、カーボンナノチューブフィルムの表面と０°〜１５°の角度が形成されている。前記カーボンナノチューブフィルムの厚さは、０．５ナノメートル〜１ミリメートルである。
前記カーボンナノチューブ構造体は、積層された二枚のカーボンナノチューブフィルムを含むことができる。隣接する二枚のカーボンナノチューブフィルムにおけるカーボンナノチューブは、同じ方向又は異なる方向に沿って、配列される。具体的には、隣接する二枚のカーボンナノチューブフィルムにおけるカーボンナノチューブは、角度αを成す。該角度αが０°以上９０°以下である。
前記カーボンナノチューブフィルムにおけるカーボンナノチューブの間に隙間があるので、前記前面電極１８は均一な抵抗、及び優れた透光性を有する。かつ、前記前面電極１８にカーボンナノチューブ構造体を利用するので、該前面電極１８は優れた強靭性と機械的強度を有する。従って、前記前面電極１８を使用した太陽電池１０の光電変換効率と耐用性を高めることができる。
前記前面電極１８は、例えば、カーボンナノチューブワイヤ、カーボンナノチューブ複合材料などのカーボンナノチューブ構造体でも良く、透光性、導電性及び耐用性などの特性を有するカーボンナノチューブ構造体でも良い。
太陽光は前記カーボンナノチューブ構造体に照射し、該カーボンナノチューブ構造体における隣接するカーボンナノチューブの間の隙間を通過して、前記太陽電池１０の複数の凹槽１４２を照射する。太陽光が該凹槽１４２の内表面に繰り返して反射されるので、該太陽電池１０におけるシリコン基板１４の第一表面１４４が更によく光エネルギーを吸収することができる。前記複数の凹槽１４２の内表面１４６において、ｐ型シリコン基板１４とｎ型ドープシリコン層１６とが接合して、複数のｐｎ接合が形成されている。接合する表面では、ｎ型ドープシリコンにおける余分の電子がｐ型シリコン基板に移動するようになり、抵抗層又は接触電位差(ｃｏｎｔａｃｔ ｐｏｔｅｎｔｉａｌ ｄｉｆｆｅｒｅｎｃｅ)が生じる。前記ｐ型シリコン基板が陽極に接続され、前記ｎ型ドープシリコンが陰極に接続されると、該ｎ型ドープシリコンにおける余分の電子及びｐｎ接合の電子が陽極に移動しやすいので、前記抵抗層が薄くなり、前記接触電位差が小さくなる。従って、抵抗が小さくなり、大きな電流を形成することができる。即ち、前記ｐｎ接合に太陽光があたると、それが刺激となって、複数の電子と正孔を発生する。複数の電子と正孔は、前記ｐｎ接合によって振り分けられ、前記ｎ型ドープシリコンにおける電子が前記前面電極１８に移動し、前記ｐ型シリコン基板における正孔が前記背面電極１２に移動する。これによって、該前面電極１８と該背面電極１２の間の外部回路に電流を生み出す。
前記前面電極１８は、カーボンナノチューブ構造体を採用しており、太陽の光エネルギーをよく吸収することができるので、該前面電極１８を使用した太陽電池１０は高い光電変換効率を有している。前記カーボンナノチューブ構造体は、優れた強靭性と機械的強度を有しているので、該カーボンナノチューブ構造体を前面電極１８とする太陽電池１０の耐用性を高めることができる。前記カーボンナノチューブ構造体は、カーボンナノチューブアレイから形成されるものであるので、製造された太陽電池１０がコストが低くなる。前記カーボンナノチューブ構造体が均一的な構造を有し、該カーボンナノチューブ構造体を使用した前面電極１８が均一的な抵抗を有するので、前記太陽電池１０の性能を高めることができる。前記カーボンナノチューブ構造体における隣接するカーボンナノチューブの間に均一的に配列された隙間を有するので、該カーボンナノチューブ構造体を使用した前面電極１８は、優れた透光性を有する。
１０、３０ 太陽電池
１２、３２ 背面電極
１４、３４ シリコン基板
１６、３６ ドープシリコン層
１８、３８ 前面電極
２０ 金属層
２２ 第一電極
２４ 第二電極
２６ 反射防止層
１４０、３４０ シリコン基板の第二表面
１４２、３４２ 凹槽
１４４、３４４ シリコン基板の第一表面
１４６、３４６ 凹槽の内表面
１８２ 前面電極の第一表面
１８４ 前面電極の第二表面
１８６ カーボンナノチューブセグメント
１８８ カーボンナノチューブ

Claims (10)

  1. シリコン基板と、背面電極と、ドープシリコン層と、前面電極と、を含む太陽電池において、
    前記シリコン基板が第一表面と該第一表面に相対する第二表面を有し、該シリコン基板の第一表面に分離して設置された複数の凹槽が形成され、
    前記背面電極が前記シリコン基板の第二表面に設置され、該第二表面とオーミック接触し、
    前記ドープシリコン層が前記凹槽の内表面に設置され、
    前記前面電極が前記シリコン基板の第一表面に設置され、
    前記前面電極がカーボンナノチューブ構造体を含むことを特徴とする太陽電池。
  2. 前記カーボンナノチューブ構造体が均一に分布された複数のカーボンナノチューブを含むことを特徴とする、請求項１に記載の太陽電池。
  3. 前記カーボンナノチューブ構造体が少なくとも一枚のカーボンナノチューブフィルムを含むことを特徴とする、請求項１に記載の太陽電池。
  4. 前記カーボンナノチューブフィルムが、同じ方向又は複数の方向に沿って配列された複数のカーボンナノチューブを含むことを特徴とする、請求項３に記載の太陽電池。
  5. 前記カーボンナノチューブフィルムが、絡み合った複数のカーボンナノチューブを含むことを特徴とする、請求項３に記載の太陽電池。
  6. 前記カーボンナノチューブフィルムが、等方的に配列された複数のカーボンナノチューブを含むことを特徴とする、請求項３に記載の太陽電池。
  7. 前記シリコン基板がｐ型単結晶シリコン基板であることを特徴とする、請求項１から３のいずれか一項に記載の太陽電池。
  8. 前記ドープシリコン層が燐又は砒素を混合したｎ型シリコン層であることを特徴とする、請求項１から４のいずれか一項に記載の太陽電池。
  9. 前記太陽電池が複数の金属層を含み、該複数の金属層がそれぞれ前記シリコン基板の第一表面と前記前面電極の間に設置されることを特徴とする、請求項１から５のいずれか一項に記載の太陽電池。
  10. 前記太陽電池が反射防止層を含み、該反射防止層が前記前面電極の第一表面又は第二表面に設置されることを特徴とする、請求項１から７のいずれか一項に記載の太陽電池。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010283328A (ja) * 2009-06-08 2010-12-16 Tatung Univ 光起電装置およびそれを製造する方法
WO2014080510A1 (ja) * 2012-11-26 2014-05-30 株式会社日立製作所 太陽電池およびその製造方法

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130112256A1 (en) * 2011-11-03 2013-05-09 Young-June Yu Vertical pillar structured photovoltaic devices with wavelength-selective mirrors
US9478685B2 (en) 2014-06-23 2016-10-25 Zena Technologies, Inc. Vertical pillar structured infrared detector and fabrication method for the same
US8299472B2 (en) 2009-12-08 2012-10-30 Young-June Yu Active pixel sensor with nanowire structured photodetectors
US9000353B2 (en) 2010-06-22 2015-04-07 President And Fellows Of Harvard College Light absorption and filtering properties of vertically oriented semiconductor nano wires
US9299866B2 (en) 2010-12-30 2016-03-29 Zena Technologies, Inc. Nanowire array based solar energy harvesting device
US8274039B2 (en) 2008-11-13 2012-09-25 Zena Technologies, Inc. Vertical waveguides with various functionality on integrated circuits
US8229255B2 (en) 2008-09-04 2012-07-24 Zena Technologies, Inc. Optical waveguides in image sensors
US9343490B2 (en) 2013-08-09 2016-05-17 Zena Technologies, Inc. Nanowire structured color filter arrays and fabrication method of the same
US8735797B2 (en) 2009-12-08 2014-05-27 Zena Technologies, Inc. Nanowire photo-detector grown on a back-side illuminated image sensor
US8748799B2 (en) 2010-12-14 2014-06-10 Zena Technologies, Inc. Full color single pixel including doublet or quadruplet si nanowires for image sensors
US8866065B2 (en) 2010-12-13 2014-10-21 Zena Technologies, Inc. Nanowire arrays comprising fluorescent nanowires
US9406709B2 (en) 2010-06-22 2016-08-02 President And Fellows Of Harvard College Methods for fabricating and using nanowires
US9515218B2 (en) * 2008-09-04 2016-12-06 Zena Technologies, Inc. Vertical pillar structured photovoltaic devices with mirrors and optical claddings
CN101789457A (zh) * 2010-03-05 2010-07-28 上海农新投资管理咨询有限公司 一种太阳能电池
US20130240027A1 (en) * 2010-06-07 2013-09-19 Solarno, Inc. Multijunction hybrid solar cell with parallel connection and nanomaterial charge collecting interlayers
CN103081126A (zh) * 2010-06-08 2013-05-01 太平洋银泰格拉泰德能源公司 具有增强场和电子发射的光学天线
CN101880035A (zh) 2010-06-29 2010-11-10 清华大学 碳纳米管结构
CN101950764A (zh) * 2010-07-30 2011-01-19 清华大学 一种带有酸溶液的碳纳米管-硅构成的太阳能电池
CN103035784B (zh) * 2011-10-07 2016-06-08 清华大学 发光二极管的制备方法
CN103035785B (zh) * 2011-10-07 2015-11-25 清华大学 发光二极管的制备方法
CN103035786B (zh) * 2011-10-07 2015-07-01 清华大学 发光二极管的制备方法
CN103094401B (zh) * 2011-10-27 2015-07-29 清华大学 太阳能电池的制备方法
CN103094374B (zh) * 2011-10-27 2016-03-09 清华大学 太阳能电池
TWI506801B (zh) 2011-12-09 2015-11-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 太陽能電池組
CN103165690B (zh) * 2011-12-16 2015-11-25 清华大学 太阳能电池
CN103165719B (zh) 2011-12-16 2016-04-13 清华大学 太阳能电池
CN103165742B (zh) * 2011-12-16 2016-06-08 清华大学 太阳能电池的制备方法
CN103187456B (zh) 2011-12-29 2015-08-26 清华大学 太阳能电池
CN103187453B (zh) 2011-12-29 2016-04-13 清华大学 太阳能电池
KR20130125114A (ko) * 2012-05-08 2013-11-18 삼성전자주식회사 태양 전지 및 그 제조 방법
US9142400B1 (en) 2012-07-17 2015-09-22 Stc.Unm Method of making a heteroepitaxial layer on a seed area
US10249684B2 (en) * 2012-12-17 2019-04-02 Nantero, Inc. Resistive change elements incorporating carbon based diode select devices
US20140251420A1 (en) * 2013-03-11 2014-09-11 Tsmc Solar Ltd. Transparent conductive oxide layer with localized electric field distribution and photovoltaic device thereof
CN104868045B (zh) * 2014-02-21 2017-10-24 清华大学 光电转换器件及其应用
CN108963078B (zh) * 2017-05-17 2020-03-17 清华大学 光电转换装置
CN107733057A (zh) * 2017-11-29 2018-02-23 李国强 一种移动通信终端的自动供电装置
CN112786714B (zh) * 2019-11-08 2022-11-22 清华大学 光电探测器

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0677511A (ja) * 1992-08-27 1994-03-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 太陽電池及びその製造方法
JP2003179241A (ja) * 2001-12-10 2003-06-27 Kyocera Corp 薄膜太陽電池
JP2004064028A (ja) * 2002-07-31 2004-02-26 Shin Etsu Handotai Co Ltd 太陽電池及びその製造方法
WO2004068548A2 (en) * 2003-01-21 2004-08-12 Rensselaer Polytechnic Institute Three dimensional radiation conversion semiconductor devices
JP2006171336A (ja) * 2004-12-15 2006-06-29 Takiron Co Ltd 画像表示用透明電極体および画像表示装置
WO2007015710A2 (en) * 2004-11-09 2007-02-08 Board Of Regents, The University Of Texas System The fabrication and application of nanofiber ribbons and sheets and twisted and non-twisted nanofiber yarns
JP2007161563A (ja) * 2005-12-16 2007-06-28 Kofukin Seimitsu Kogyo (Shenzhen) Yugenkoshi カーボンナノチューブ筋及びその製造方法
US20070153362A1 (en) * 2004-12-27 2007-07-05 Regents Of The University Of California Fabric having nanostructured thin-film networks
US20070273264A1 (en) * 2006-05-26 2007-11-29 Samsung Electronics Co., Ltd., Method of preparing patterned carbon nanotube array and patterned carbon nanotube array prepared thereby
JP2009117463A (ja) * 2007-11-02 2009-05-28 Kaneka Corp 薄膜光電変換装置

Family Cites Families (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57130483A (en) 1981-02-05 1982-08-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Mis type photoelectric transducer
JPS5923570A (ja) 1982-07-30 1984-02-07 Hitachi Ltd 太陽電池
JPH0795602B2 (ja) 1989-12-01 1995-10-11 三菱電機株式会社 太陽電池及びその製造方法
JPH0521821A (ja) 1991-07-16 1993-01-29 Sharp Corp 光電変換装置
JP2837296B2 (ja) * 1991-10-17 1998-12-14 シャープ株式会社 太陽電池
JPH05243594A (ja) 1992-03-02 1993-09-21 Sumitomo Electric Ind Ltd 太陽電池
JPH05335614A (ja) 1992-06-03 1993-12-17 Idemitsu Kosan Co Ltd 光電変換素子
US5890125A (en) * 1997-07-16 1999-03-30 Dolby Laboratories Licensing Corporation Method and apparatus for encoding and decoding multiple audio channels at low bit rates using adaptive selection of encoding method
JPH11103080A (ja) 1997-09-26 1999-04-13 Aisin Seiki Co Ltd 太陽電池
WO2000002253A2 (en) 1998-07-02 2000-01-13 Astropower Silicon thin-film, integrated solar cell, module, and methods of manufacturing the same
DE69831860T2 (de) 1998-07-04 2006-07-20 Au Optronics Corp. Elektrode zur verwendung in elektrooptischen bauelementen
US6262359B1 (en) * 1999-03-17 2001-07-17 Ebara Solar, Inc. Aluminum alloy back junction solar cell and a process for fabrication thereof
MXPA03001605A (es) 2000-08-22 2005-06-20 Harvard College Semiconductores alargado impurificados, desarrollo de tales semiconductores, dispositivos que los incluyen y fabricacion de dichos dispositivos.
NL1016779C2 (nl) 2000-12-02 2002-06-04 Cornelis Johannes Maria V Rijn Matrijs, werkwijze voor het vervaardigen van precisieproducten met behulp van een matrijs, alsmede precisieproducten, in het bijzonder microzeven en membraanfilters, vervaardigd met een dergelijke matrijs.
WO2002052654A1 (fr) 2000-12-26 2002-07-04 Kabushiki Kaisha Hayashibara Seibutsu Kagaku Kenkyujo Cellule solaire
EP1378946A1 (en) * 2001-03-19 2004-01-07 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd Solar cell and its manufacturing method
JP2003209270A (ja) 2002-01-15 2003-07-25 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 炭素系光電素子およびその製造方法
US7522040B2 (en) 2004-04-20 2009-04-21 Nanomix, Inc. Remotely communicating, battery-powered nanostructure sensor devices
JP4162516B2 (ja) 2003-03-14 2008-10-08 三洋電機株式会社 光起電力装置
US7605327B2 (en) 2003-05-21 2009-10-20 Nanosolar, Inc. Photovoltaic devices fabricated from nanostructured template
JP2005050669A (ja) 2003-07-28 2005-02-24 Tdk Corp 電極、及び、それを用いた電気化学素子
TWI241029B (en) 2003-12-05 2005-10-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Dye sensitized solar cell electrode and solar cell having same
WO2005083799A1 (en) 2004-02-24 2005-09-09 Bp Corporation North America Inc Process for manufacturing photovoltaic cells
JP2005327965A (ja) 2004-05-17 2005-11-24 Shachihata Inc 光起電力装置
US8075863B2 (en) * 2004-05-26 2011-12-13 Massachusetts Institute Of Technology Methods and devices for growth and/or assembly of nanostructures
US7442320B2 (en) 2004-06-18 2008-10-28 Ultradots, Inc. Nanostructured materials and photovoltaic devices including nanostructured materials
US8080487B2 (en) * 2004-09-20 2011-12-20 Lockheed Martin Corporation Ballistic fabrics with improved antiballistic properties
US20070240757A1 (en) * 2004-10-15 2007-10-18 The Trustees Of Boston College Solar cells using arrays of optical rectennas
JP2006210780A (ja) 2005-01-31 2006-08-10 Kyocera Chemical Corp 多層型光電変換装置
TWI251354B (en) 2005-02-02 2006-03-11 Ind Tech Res Inst Solar energy power module with carbon nano-tube
JP4481869B2 (ja) 2005-04-26 2010-06-16 信越半導体株式会社 太陽電池の製造方法及び太陽電池並びに半導体装置の製造方法
CN100539206C (zh) 2005-09-23 2009-09-09 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 可以充分吸收更广泛波长太阳光的太阳能电池结构
US20100212728A1 (en) 2005-09-29 2010-08-26 Masaru Hori Diode and Photovoltaic Device Using Carbon Nanostructure
JP5242009B2 (ja) 2005-09-29 2013-07-24 国立大学法人名古屋大学 カーボンナノウォールを用いた光起電力素子
JP4720426B2 (ja) 2005-10-19 2011-07-13 住友金属鉱山株式会社 カーボンナノチューブを用いた太陽電池
JP2007126338A (ja) 2005-11-07 2007-05-24 Ulvac Japan Ltd カーボンナノ材料及びその作製方法、並びに金属微粒子担持カーボンナノ材料及びその作製方法
US20070119496A1 (en) 2005-11-30 2007-05-31 Massachusetts Institute Of Technology Photovoltaic cell
CN100462301C (zh) 2005-12-09 2009-02-18 清华大学 一种碳纳米管阵列的制备方法
CN101411000A (zh) 2006-03-23 2009-04-15 索莱赞特公司 包括纳米颗粒敏化的碳纳米管的光伏器件
US7737357B2 (en) 2006-05-04 2010-06-15 Sunpower Corporation Solar cell having doped semiconductor heterojunction contacts
US20070277874A1 (en) * 2006-05-31 2007-12-06 David Francis Dawson-Elli Thin film photovoltaic structure
US8866007B2 (en) * 2006-06-07 2014-10-21 California Institute Of Technology Plasmonic photovoltaics
CN101086939B (zh) 2006-06-09 2010-05-12 清华大学 场发射元件及其制备方法
TWI320026B (en) 2006-06-30 2010-02-01 Field emission componet and method for making same
KR100813243B1 (ko) 2006-07-04 2008-03-13 삼성에스디아이 주식회사 탄소나노튜브를 이용한 반도체 소자의 층간 배선 및 그제조 방법
CN100530744C (zh) 2006-07-06 2009-08-19 西安交通大学 一种有机太阳电池的结构及其该结构制备的有机太阳电池
CN100405617C (zh) 2006-12-29 2008-07-23 清华大学 基于碳纳米管薄膜的太阳能电池及其制备方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0677511A (ja) * 1992-08-27 1994-03-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 太陽電池及びその製造方法
JP2003179241A (ja) * 2001-12-10 2003-06-27 Kyocera Corp 薄膜太陽電池
JP2004064028A (ja) * 2002-07-31 2004-02-26 Shin Etsu Handotai Co Ltd 太陽電池及びその製造方法
WO2004068548A2 (en) * 2003-01-21 2004-08-12 Rensselaer Polytechnic Institute Three dimensional radiation conversion semiconductor devices
WO2007015710A2 (en) * 2004-11-09 2007-02-08 Board Of Regents, The University Of Texas System The fabrication and application of nanofiber ribbons and sheets and twisted and non-twisted nanofiber yarns
JP2006171336A (ja) * 2004-12-15 2006-06-29 Takiron Co Ltd 画像表示用透明電極体および画像表示装置
US20070153362A1 (en) * 2004-12-27 2007-07-05 Regents Of The University Of California Fabric having nanostructured thin-film networks
JP2007161563A (ja) * 2005-12-16 2007-06-28 Kofukin Seimitsu Kogyo (Shenzhen) Yugenkoshi カーボンナノチューブ筋及びその製造方法
US20070273264A1 (en) * 2006-05-26 2007-11-29 Samsung Electronics Co., Ltd., Method of preparing patterned carbon nanotube array and patterned carbon nanotube array prepared thereby
JP2009117463A (ja) * 2007-11-02 2009-05-28 Kaneka Corp 薄膜光電変換装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010283328A (ja) * 2009-06-08 2010-12-16 Tatung Univ 光起電装置およびそれを製造する方法
WO2014080510A1 (ja) * 2012-11-26 2014-05-30 株式会社日立製作所 太陽電池およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20090223558A1 (en) 2009-09-10
CN101527327B (zh) 2012-09-19
CN101527327A (zh) 2009-09-09
JP5270406B2 (ja) 2013-08-21
US8796537B2 (en) 2014-08-05

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