JP2009161416A - 単結晶製造装置 - Google Patents

Abstract

【課題】育成中の単結晶を効率良く冷却することによって、単結晶の成長速度の高速化を図ることができる単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】少なくとも、原料融液５を収容するルツボ６及び原料融液５を加熱するヒータ８を格納するメインチャンバ２と、メインチャンバ２の上部に連設され、成長した単結晶４が引き上げられて収容される引上げチャンバ３と、引上げ中の単結晶４を取り囲むようにメインチャンバ２の少なくとも天井部から原料融液５表面に向かって延伸し、冷却媒体で強制冷却される冷却筒１２を有したチョクラルスキー法によって単結晶４を育成する単結晶製造装置１であって、少なくとも、冷却筒１２の内側に嵌合される冷却補助筒１９を有し、冷却補助筒１９は軸方向に貫く切れ目を有し、原料融液５表面に向かって延伸しているものである。
【選択図】図１

Description

本発明は、チョクラルスキー法（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ Ｍｅｔｈｏｄ、以下ＣＺ法と略する）によるシリコン単結晶の製造装置に関する。

以下、従来のチョクラルスキー法による単結晶製造装置について、シリコン単結晶の育成を例にとって説明する。
図４に従来の単結晶製造装置の一例を示す概略断面図を示す。
ＣＺ法でシリコン単結晶を製造する際に使用される単結晶製造装置１０１は、一般的に原料融液１０５が収容された昇降動可能なルツボ１０６、１０７と、該ルツボ１０６、１０７を取り囲むように配置されたヒータ１０８が単結晶を育成するメインチャンバ１０２内に配置されており、該メインチャンバ１０２の上部には育成した単結晶を収容し取り出すための引上げチャンバ１０３が連設されている。このような単結晶製造装置１０１を用いて単結晶を製造する際には、種結晶１１６を原料融液１０５に浸漬し、回転させながら静かに上方に引き上げて棒状の単結晶を成長させる一方、所望の直径と結晶品質を得るため融液面の高さが常に保たれるように結晶の成長に合わせルツボ１０６、１０７を上昇させている。

そして、単結晶を育成する際には、種ホルダ１１７に取り付けられた種結晶１１６を原料融液１０５に浸漬した後、引上げ機構（不図示）により種結晶１１６を所望の方向に回転させながら静かにワイヤ１１５を巻き上げ、種結晶１１６の先端部に単結晶１０４を成長させているが、種結晶１１６を融液に着液させた際に生じる転位を消滅させるため、一旦、成長初期の結晶を３〜５ｍｍ程度まで細く絞り、転位が抜けたところで径を所望の直径まで拡大して、目的とする品質の単結晶１０４を成長させていく。

このとき、単結晶１０４の一定の直径を有する定径部の引き上げ速度は、引き上げられる単結晶の直径に依存するが、０．４〜２．０ｍｍ／ｍｉｎ程度の非常にゆっくりとしたものであり、無理に早く引上げようとすると、育成中の単結晶が変形して定径を有する円柱状製品が得られなくなる。あるいは単結晶１０４にスリップ転位が発生したり、単結晶１０４が融液から切り離されて製品とならなくなってしまうなどの問題が生じてしまい、結晶成長速度の高速化を図るには限界があった。
しかし、前記ＣＺ法による単結晶１０４の製造において、生産性の向上を図り、コストを低減させるためには、単結晶１０４の成長速度を高速化することが一つの大きな手段であり、これまでにも単結晶１０４の成長速度の高速化を達成させるために多くの改良がなされてきた。

単結晶１０４の成長速度は、成長中の単結晶１０４の熱収支によって決定され、これを高速化するには、単結晶表面から放出される熱を効率的に除去すれば良いことが知られている。この際、単結晶１０４の冷却効果を高めることができれば更に効率の良い単結晶の製造が可能である。さらに、単結晶１０４の冷却速度によって、結晶の品質が変わることが知られている。例えば、シリコン単結晶で単結晶育成中に形成されるグローンイン（Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ）欠陥は結晶内温度勾配と単結晶の引上げ速度（成長速度）の比で制御可能であり、これをコントロールすることで無欠陥の単結晶を育成することもできる（特許文献１参照）。したがって無欠陥結晶を製造する上でも、単結晶の成長速度を高速化して生産性の向上を図る上でも、育成中の単結晶の冷却効果を高めることが重要である。

ＣＺ法において単結晶１０４を効率よく冷却するには、ヒータ１０８からの輻射を結晶に直接当てずにかつ単結晶１０４からの輻射熱をチャンバー等強制冷却された物体に吸収させる方法が有効である。これを実現可能な装置の構造としてスクリーン構造が挙げられる（特許文献２参照）。しかしこの構造ではルツボの上昇による接触を回避するほどのスクリーン形状にすると、スクリーン上部の内径を小さくする必要があり、その結果、結晶が冷え難くなるという欠点がある。
また結晶引き上げ中は酸化性ガスによる汚れ防止のため不活性ガスを流すが、これによる単結晶の冷却効果を活用できないという問題もある。

そこで不活性ガスを整流するための整流筒と該整流筒にヒータや原料融液からの直接輻射をさえぎるための断熱リングを有した構造が提案されている（特許文献３参照）。この方法では不活性ガスによる単結晶の冷却効果は期待できるが、単結晶からの輻射熱を冷却チャンバーに吸収させるという点において、その冷却能力は高いとは言えない。
そこで前記のスクリーンや整流筒の問題点を解決し効率よく冷却する方法として、結晶回りに水冷された冷却筒を配する方法が提案されている（特許文献４参照）。この方法では冷却筒の外側が黒鉛材等の保護カバーなど冷却筒保護材により保護され、冷却筒の内側から単結晶の熱を効率よく除去できる。しかし、安全のため冷却筒を融液面近くまで伸ばしておらず、冷却筒に至るまでの単結晶の冷却効果がやや弱かった。

また、特許文献５に冷却筒に嵌合して黒鉛材等を延伸する方法が挙げられている。しかしこの方法では、冷却筒及び延伸する黒鉛が外側からの熱を受けて十分な冷却効果が出せない上、冷却筒と黒鉛材の接触が難しく、効率よく黒鉛材から冷却筒への伝熱ができなかった。

特開平１１−１５７９９６号公報 特公昭５７−４０１１９号公報 特開昭６４-６５０８６号公報 国際公開第ＷＯ０１／５７２９３号パンフレット 特開平６−１９９５９０号公報

本発明は前述のような問題に鑑みてなされたもので、育成中の単結晶を効率良く冷却することによって、単結晶の成長速度の高速化を図ることができる単結晶製造装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明によれば、少なくとも、原料融液を収容するルツボ及び前記原料融液を加熱するヒータを格納するメインチャンバと、該メインチャンバの上部に連設され、成長した単結晶が引き上げられて収容される引上げチャンバと、前記引上げ中の単結晶を取り囲むように前記メインチャンバの少なくとも天井部から原料融液表面に向かって延伸し、冷却媒体で強制冷却される冷却筒を有したチョクラルスキー法によって単結晶を育成する単結晶製造装置であって、少なくとも、前記冷却筒の内側に嵌合される冷却補助筒を有し、該冷却補助筒は軸方向に貫く切れ目を有し、前記原料融液表面に向かって延伸しているものであることを特徴とする単結晶製造装置が提供される（請求項１）。

このように、本発明の単結晶製造装置は、少なくとも、前記冷却筒の内側に嵌合される冷却補助筒を有し、該冷却補助筒は軸方向に貫く切れ目を有し、前記原料融液表面に向かって延伸しているので、前記冷却補助筒は熱膨張により割れてしまうこともなく冷却筒にかたく密着して嵌合し、該冷却補助筒で育成中の単結晶から吸収した熱を、前記嵌合された部分から冷却筒に効率よく伝達することができる。これによって、育成中の単結晶を効率良く冷却することができ、単結晶の成長速度の高速化を図ることができる。

このとき、前記冷却補助筒の材質は、黒鉛材、炭素複合材（ＣＣ材）、ステンレス、モリブデン、タングステンのいずれかであることが好ましい（請求項２）。
このように、前記冷却補助筒の材質は、黒鉛材、炭素複合材（ＣＣ材）等の炭素材、およびステンレス、モリブデン、タングステン等の金属材のいずれかであれば、単結晶からの熱をより効率良く吸収するとができる。また、その熱を冷却筒により効率良く伝達することができる。また、耐熱性も高いものとすることができる。

またこのとき、前記冷却筒の外側に保護部材が設けられていることが好ましい（請求項３）。
このように、前記冷却筒の外側に保護部材が設けられていれば、ヒータおよび原料融液からの輻射熱が直接冷却筒の外側にあたるのを軽減できる。また、原料融液が飛散し冷却筒に付着することを防ぐことができる。これによって、冷却筒の劣化を防止できるとともに、冷却筒の内側にある育成中の単結晶をより効率良く冷却することができ、単結晶の成長速度の高速化の効果を高めることができる。

このとき、前記保護部材の材質は、黒鉛材、炭素繊維材、炭素複合材（ＣＣ材）、ステンレス、モリブデン、タングステンのいずれかであることが好ましい（請求項４）。
このように、前記保護部材の材質は、黒鉛材、炭素繊維材、炭素複合材（ＣＣ材）等の炭素材、およびステンレス、モリブデン、タングステン等の金属材のいずれかであれば、保護部材の輻射率を高くすることができ、ヒータおよび原料融液からの輻射熱が直接冷却筒にあたるのを軽減する効果をより高めることができる。また、耐熱性も高いものとすることができる。

またこのとき、前記冷却筒の下方に延伸する整流筒が設けられていることが好ましい（請求項５）。
このように、前記冷却筒の下方に延伸する整流筒が設けられていれば、ヒータおよび原料融液からの輻射熱を遮って単結晶を冷却することができる。また、冷却筒が融液面の直上まで近づくことが防がれ安全性が確保されるとともに、原料融液上方から結晶近傍を下流する不活性ガスの整流効果を発揮することができる。これにより、不活性ガスによる単結晶の冷却効果も期待できる。これによって、育成中の単結晶をより効率良く冷却することができ、単結晶の成長速度の高速化の効果を高めることができる。

本発明の単結晶製造装置は、少なくとも、前記冷却筒の内側に嵌合される冷却補助筒を有し、該冷却補助筒は軸方向に貫く切れ目を有し、前記原料融液表面に向かって延伸しているので、前記冷却補助筒は熱膨張により割れてしまうこともなく冷却筒にかたく密着して嵌合し、該冷却補助筒で育成中の単結晶から吸収した熱を、前記嵌合された部分から冷却筒に効率よく伝達することができる。これによって、育成中の単結晶を効率良く冷却することができ、単結晶の成長速度の高速化を図ることができる。

以下、本発明について実施の形態を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
従来のＣＺ法による単結晶の製造において、生産性の向上を図り、コストを低減させるためには、単結晶の成長速度を高速化することが一つの大きな手段であり、これを高速化するには、単結晶表面から放出される熱を効率的に除去すれば良いことが知られている。また、無欠陥結晶の製造においても、育成中の単結晶を冷却効果を高めることが重要である。

そこで、本発明者は、育成中の単結晶の冷却効果を高めるために鋭意検討を重ねた。その結果、冷却筒の内側に嵌合し、原料融液表面に向かって冷却筒よりも下方に延伸している冷却補助筒によって、育成中の単結晶から熱を効率的に吸収することができることを見出した。さらに、前記冷却補助筒は軸方向に貫く切れ目を有することによって、該冷却補助筒が熱によって膨張した際、破損することなく前記冷却筒にかたく嵌合し、双方の表面の接触面積が増え、十分に密着することによって、前記単結晶から吸収した熱を強制冷却された冷却筒へ効率的に伝達することができることに想到し、本発明を完成させた。

すなわち、本発明の単結晶製造装置は、少なくとも、強制冷却された冷却筒の内側に嵌合される冷却補助筒を有し、該冷却補助筒は軸方向に貫く切れ目を有し、前記原料融液表面に向かって延伸しているので、育成中の単結晶を効率良く冷却することができ、単結晶の成長速度の高速化を図ることができるものとなっている。

図１は本発明の単結晶製造装置の一例を示す概略断面図である。
図１に示すように、単結晶製造装置１は、原料融液５を収容するルツボ６、７、多結晶シリコン原料を加熱、融解するためのヒータ８などがメインチャンバ２内に格納され、メインチャンバ２上に連接された引上げチャンバ３の上部には、育成された単結晶４を引上げる引上げ機構（不図示）が設けられている。

引き上げチャンバ３の上部に取り付けられた引上げ機構からは引上げワイヤ１５が巻き出されており、その先端には、種結晶１６を取り付けるための種ホルダ１７が接続され、種ホルダ１７の先に取り付けられた種結晶１６を原料融液５に浸漬し、引上げワイヤ１５を引上げ機構によって巻き取ることで種結晶１６の下方に単結晶４を形成する。

なお、上記ルツボ６、７は、内側に原料融液５を直接収容する石英ルツボ６と、外側に該ルツボを支持するための黒鉛ルツボ７とから構成されている。ルツボ６、７は、単結晶製造装置１の下部に取り付けられた回転駆動機構（不図示）によって回転昇降動自在なルツボ回転軸１８に支持されており、単結晶製造装置１中の融液面の変化によって結晶直径や結晶品質が変わることのないよう、融液面を一定位置に保つため、結晶と逆方向に回転させながら単結晶４の引上げに応じて融液が減少した分だけルツボ６、７を上昇させている。

また、ルツボ６、７を取り囲むようにヒータ８が配置されており、このヒータ８の外側には、ヒータ８からの熱がメインチャンバ２に直接輻射されるのを防止するための断熱部材９が周囲を取り囲むように設けられている。
また、チャンバ内部には、炉内に発生した不純物を炉外に排出する等を目的とし、引上げチャンバ上部に設けられたガス導入口１１からアルゴンガス等の不活性ガスが導入され、引上げ中の単結晶４、原料融液５表面を通過してチャンバ内部を流通し、ガス流出口１０から排出される。

なお、メインチャンバ２及び引上げチャンバ３は、ステンレス等の耐熱性、熱伝導性に優れた金属により形成されており、冷却管（不図示）を通して水冷されている。
また、冷却筒１２が引上げ中の単結晶４を取り囲むようにメインチャンバ２の少なくとも天井部から原料融液５の表面に向かって延伸している。冷却筒１２内には、冷却媒体導入口１３から冷却媒体が導入され、該冷却媒体は冷却筒内を循環して冷却筒を強制冷却した後、外部へ排出される。
そして、単結晶を育成する際には、種ホルダ１７に取り付けられた種結晶１６を原料融液５に浸漬した後、引上げ機構（不図示）により種結晶１６を所望の方向に回転させながら静かにワイヤ１５を巻き上げ、種結晶１６の先端部に単結晶４を成長させているが、種結晶１６を融液に着液させた際に生じる転位を消滅させるため、一旦、成長初期の結晶を３〜５ｍｍ程度まで細く絞り、転位が抜けたところで径を所望の直径まで拡大して、目的とする品質の単結晶４を成長させていく。あるいは、前記種絞りを行わず、先端が尖った種結晶１６を用いて種結晶１６を原料融液５に静かに接触して所定径まで浸漬させてから引上げを行う無転位種付け法を適用して単結晶４を育成することもできる。
ここまでは従来の単結晶製造装置の構成と同様である。

本発明に係る単結晶製造装置は、冷却筒１２の内側に嵌合される冷却補助筒１９が設けられており、前記冷却補助筒１９は原料融液５の表面に向かって冷却筒１２よりも下方に延伸している。
このように、冷却筒１２の内側に嵌合し、原料融液５の表面に向かって冷却筒１２よりも下方に延伸している冷却補助筒１２を設置すれば、冷却補助筒１９によって育成中の単結晶４の下方まで取り囲むことができ、単結晶４から熱を効率的に吸収することができる。

図２に本発明で使用することができる冷却補助筒の一例を示す。
図２に示すように、冷却補助筒は軸方向に貫く切れ目２０を有している。
冷却筒１２の内側に冷却補助筒１９を嵌合させるために、単に冷却筒１２の内径と冷却補助筒１９の外形を概略同じにしただけでは、冷却補助筒１９を装着および脱着するのが困難であるが、冷却補助筒１９は軸方向に貫く切れ目２０を有すことで、冷却補助筒１９を容易に装脱着することができる。また、単結晶４の育成中に冷却筒１２と冷却補助筒１９の熱膨張差により冷却補助筒１９が割れてしまうことを防ぐことができる。すなわち、冷却筒は冷却媒体で強制冷却されているので、結晶育成時に熱がかかってもそれほど膨張しないが冷却補助筒は膨張する。さらに、冷却補助筒１９が熱膨張することによって、冷却補助筒１９は冷却筒１２にかたく嵌合し、双方の表面の接触面積が増え、十分に密着するので、冷却補助筒１９から冷却筒１２へ熱を効率よく伝達することができる。

ここで、切れ目２０の幅が１８０°未満であれば、冷却補助筒１９が熱膨張により冷却筒１２に密着するようになり、前記冷却補助筒１９から冷却筒１２への熱伝達の効率が高まる効果を得ることができる。さらに、切れ目２０の幅は小さい方がより好ましく、熱膨張により冷却補助筒１９が割れない効果を奏する幅以上を有していれば良い。

このとき、前記冷却補助筒１９の材質は、黒鉛材、炭素複合材（ＣＣ材）、ステンレス、モリブデン、タングステンのいずれかであることが好ましい。
このように、前記冷却補助筒１９の材質は、黒鉛材、炭素複合材（ＣＣ材）等の炭素材、およびステンレス、モリブデン、タングステン等の金属材のいずれかであれば、単結晶４からの熱をより効率良く吸収するとができる。また、その熱を強制冷却された冷却筒１２により効率良く伝達することができる。また、耐熱性も高いものとすることができる。冷却補助筒１９の材質は、これに限定されるわけではなく、熱伝導率及び輻射率が高い材質であれば適用し得る。

従来の単結晶製造装置において、冷却筒１２はヒータ８や原料融液５などの輻射で外側から熱を受けてしまうと、その内側で単結晶４からの熱を吸収する能力が低下するという問題があった。そこで、前記冷却筒１２の外側に、該冷却筒１２を熱などから保護し、該冷却筒の冷却効果を低下させないようにするための保護部材が設けられていれば、内側にある結晶の冷却効果をより高めることができる。
図３に前記保護部材を設けた本発明の単結晶製造装置の一例を示す。
図３に示すように、本発明の単結晶製造装置１’は、冷却筒１２の外側に保護部材２１が設けられているので、ヒータ８および原料融液５からの輻射熱が直接冷却筒１２の外側にあたるのを軽減できる。これによって、内側の育成中の単結晶４をより効率良く冷却することができ、単結晶４の成長速度の高速化の効果を高めることができる。また、原料融解時などに飛散する原料融液５が冷却筒１２の外側に付着し、冷却筒１２が破損、溶損等するのを防ぐことができる。
前記保護部材２１は、熱が冷却筒１２に伝達しないように冷却筒１２と接触していないことが好ましいが、これに限定されるわけではない。

このとき、前記保護部材２１の材質は、黒鉛材、炭素繊維材、炭素複合材（ＣＣ材）、ステンレス、モリブデン、タングステンのいずれかであることが好ましい。
このように、前記保護部材２１の材質は、黒鉛材、炭素繊維材、炭素複合材（ＣＣ材）等の炭素材、およびステンレス、モリブデン、タングステン等の金属材のいずれかであれば、保護部材２１の輻射率を高くすることができ、ヒータ８および原料融液５からの輻射熱が直接冷却筒１２にあたるのを軽減する効果をより高めることができる。また、耐熱性も高いものとすることができる。

またこのとき、前記冷却筒１２の下方に延伸する整流筒１４が設けられていることが好ましい。
このように、前記冷却筒１２の下方に延伸する整流筒１４が設けられていれば、ヒータ８および原料融液５からの輻射熱を遮って単結晶４を冷却することができる。また、冷却筒１２が融液面の直上まで近づくことが防がれ安全性が確保される。また、単結晶の引上げ中に発生する酸化性ガスによる汚れ防止のための不活性ガスが融液上方から結晶近傍を下流するように整流する効果を発揮することができ、また、不活性ガスによる単結晶４の冷却効果も期待できる。これによって、育成中の単結晶４をより効率良く冷却することができ、単結晶４の成長速度の高速化の効果を高めることができる。
また、冷却筒１２を非常に高温の融液面と十分離すことができ、原料融解時などに飛散する原料融液５が冷却筒１２に付着し、冷却筒１２が破損、溶損等が生じることもなく、極めて安全に単結晶５の育成を行うことができる。

以上説明したように、本発明の単結晶製造装置は、少なくとも、前記冷却筒１２の内側に嵌合される冷却補助筒１９を有し、該冷却補助筒１９は軸方向に貫く切れ目２０を有し、前記原料融液表面に向かって延伸しているものであることを特徴としているので、育成中の単結晶４を効率良く冷却することができ、単結晶４の成長速度の高速化を図ることができるものとなっている。
また、同様に無欠陥結晶の育成においても、その成長速度の高速化を図ることができるものとなっている。

以下、本発明の実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

（実施例１）
図１に示すような単結晶製造装置を用い、直径１２インチ（３００ｍｍ）のシリコン単結晶を磁場印加チョクラルスキー法（ＭＣＺ法）により製造した。ルツボ６の直径は３２インチ（８００ｍｍ）とした。
また、切れ目の幅２０が１．５°である図２に示すような冷却補助筒１９を使用した。また、その材質は、熱伝導率が金属に比較して同等であり、かつ輻射率が金属より高い黒鉛材を使用した。
このような単結晶製造装置１を用いて単結晶４を育成し、全てが無欠陥結晶となる成長速度を求めた。無欠陥結晶を得るための成長速度はそのマージンが非常に狭いため、適正な成長速度が判断しやすい。このとき、単結晶からサンプルを切り出し、無欠陥結晶になったかどうかを、選択エッチングにより確認した。
その結果、従来の単結晶製造装置を用いた場合と比較して約５．５％の成長速度の高速化が図れた。
このように、本発明の単結晶製造装置１は、育成中の単結晶を効率良く冷却することができ、単結晶の成長速度の高速化を図ることができるものとなっていることが確認できた。

（実施例２）
図３に示すような、冷却筒１２の外側に黒鉛材の保護部材２１を設けた単結晶製造装置１’を用いたこと以外は実施例１と同様な条件で単結晶を製造し、実施例１と同様の評価を行った。
その結果、実施例１に比べて約４％の成長速度の高速化を図ることができた。
このように、本発明の単結晶製造装置１’は、育成中の単結晶をより効率良く冷却することができ、単結晶の成長速度の高速化の効果を高めることができるものとなっていることが確認できた。

（比較例１）
図４に示すような単結晶製造装置を用いたこと以外は実施例１と同じ条件で単結晶を製造し、実施例１と同様の評価を行った。その結果、実施例１に比べ約５．５％成長速度が遅いことが分かった。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

本発明に係る単結晶製造装置の一つの形態を示した概略断面図である。 本発明で使用することができる冷却補助筒の一例を示した概略図である。 本発明に係る単結晶製造装置の一つの形態を示した概略断面図である。 従来の単結晶製造装置の一例を示した概略断面図である。

符号の説明

１、１’…単結晶製造装置、２…メインチャンバ、３…引上げチャンバ、
４…単結晶、５…原料融液、６、７…ルツボ、
８…ヒータ、９…断熱部材、 １０…ガス流出口、
１１…ガス導入口、１２…冷却筒、１３…冷却媒体導入口、
１４…整流筒、１５…ワイヤ、１６…種結晶、１７…種ホルダ、
１８…ルツボ回転軸、１９…冷却補助筒、２０…切れ目、
２１…保護部材。

Claims (5)

1. 少なくとも、原料融液を収容するルツボ及び前記原料融液を加熱するヒータを格納するメインチャンバと、該メインチャンバの上部に連設され、成長した単結晶が引き上げられて収容される引上げチャンバと、前記引上げ中の単結晶を取り囲むように前記メインチャンバの少なくとも天井部から原料融液表面に向かって延伸し、冷却媒体で強制冷却される冷却筒を有したチョクラルスキー法によって単結晶を育成する単結晶製造装置であって、少なくとも、前記冷却筒の内側に嵌合される冷却補助筒を有し、該冷却補助筒は軸方向に貫く切れ目を有し、前記原料融液表面に向かって延伸しているものであることを特徴とする単結晶製造装置。
2. 前記冷却補助筒の材質は、黒鉛材、炭素複合材、ステンレス、モリブデン、タングステンのいずれかであることを特徴とする請求項１に記載の単結晶製造装置。
3. 前記冷却筒の外側に保護部材が設けられていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の単結晶製造装置。
4. 前記保護部材の材質は、黒鉛材、炭素繊維材、炭素複合材、ステンレス、モリブデン、タングステンのいずれかであることを特徴とする請求項３に記載の単結晶製造装置。
5. さらに、前記冷却筒の下方に延伸する整流筒が設けられていることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の単結晶製造装置。
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   

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