JPH04321584A - 単結晶引上装置用カーボン坩堝 - Google Patents
単結晶引上装置用カーボン坩堝Info
- Publication number
- JPH04321584A JPH04321584A JP9071191A JP9071191A JPH04321584A JP H04321584 A JPH04321584 A JP H04321584A JP 9071191 A JP9071191 A JP 9071191A JP 9071191 A JP9071191 A JP 9071191A JP H04321584 A JPH04321584 A JP H04321584A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- carbon crucible
- pulling
- crucible
- upper cylindrical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 26
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 24
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、チョクラルスキー引上
方式に用いる単結晶引上装置用カーボン坩堝に関する。
方式に用いる単結晶引上装置用カーボン坩堝に関する。
【０００２】
【従来の技術】チョクラルスキー法によって単結晶を引
上する装置には、カーボン坩堝が用いられている。図２
に従来のカーボン坩堝１０を示した。図２の（ａ）は縦
断面図、（ｂ）はカーボン坩堝１０の平面図である。石
英坩堝１２を支持する従来のカーボン坩堝１０はシリコ
ン融液が凝固する際の熱膨張を吸収することができるよ
うに、複数個の縦割りピース１０ａ、１０ｂ、１０ｃ…
のように、縦に分割されている。そして、このカーボン
坩堝１０は坩堝受け皿１１の上に単に載置されているだ
けなのでカーボン坩堝１０の中心軸すなわち石英坩堝１
２の中心軸と坩堝回転軸８の中心軸とが傾くという問題
があった。このように石英坩堝１２が回転中心に対して
傾くと、石英坩堝１２が首振り運動をするので、引上単
結晶に偏りが生じアンバランスを生ずる。
上する装置には、カーボン坩堝が用いられている。図２
に従来のカーボン坩堝１０を示した。図２の（ａ）は縦
断面図、（ｂ）はカーボン坩堝１０の平面図である。石
英坩堝１２を支持する従来のカーボン坩堝１０はシリコ
ン融液が凝固する際の熱膨張を吸収することができるよ
うに、複数個の縦割りピース１０ａ、１０ｂ、１０ｃ…
のように、縦に分割されている。そして、このカーボン
坩堝１０は坩堝受け皿１１の上に単に載置されているだ
けなのでカーボン坩堝１０の中心軸すなわち石英坩堝１
２の中心軸と坩堝回転軸８の中心軸とが傾くという問題
があった。このように石英坩堝１２が回転中心に対して
傾くと、石英坩堝１２が首振り運動をするので、引上単
結晶に偏りが生じアンバランスを生ずる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題点を
解消した単結晶引上装置用カーボン坩堝を提供すること
を目的とする。
解消した単結晶引上装置用カーボン坩堝を提供すること
を目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、単結晶引上装
置用カーボン坩堝を、従来の縦割り構造を改め、下部湾
曲部と上部円筒部とに分割し、上部円筒部はその下辺か
ら上方に向けて切上がった複数のスリットを設けると共
に、前記下部湾曲部の上に嵌合載置する構造としたこと
を特徴とする単結晶引上装置用カーボン坩堝である。な
お、本発明の効果を一層高めるために、下部湾曲部を坩
堝回転軸に固着してもよい。
置用カーボン坩堝を、従来の縦割り構造を改め、下部湾
曲部と上部円筒部とに分割し、上部円筒部はその下辺か
ら上方に向けて切上がった複数のスリットを設けると共
に、前記下部湾曲部の上に嵌合載置する構造としたこと
を特徴とする単結晶引上装置用カーボン坩堝である。な
お、本発明の効果を一層高めるために、下部湾曲部を坩
堝回転軸に固着してもよい。
【０００５】
【作用】本発明の単結晶引上装置用カーボン坩堝では、
下部湾曲部は曲率を有しているので、シリコンが凝固す
る際の熱膨張による変形を上方に逃すことができる。上
部円筒部は下部にスリットを設けているので、熱膨張に
よる変形に対応することができる。このスリットは、円
筒の母線に沿って設けられた半径方向の切目を有するス
リットでもよいが、半径方向に対して角度をもつ切目を
有するスリット、円筒の母線に対して傾けて設けられた
スリットでもよい。下部湾曲部と上部円筒部は相欠き構
造などにより嵌合するようにする。
下部湾曲部は曲率を有しているので、シリコンが凝固す
る際の熱膨張による変形を上方に逃すことができる。上
部円筒部は下部にスリットを設けているので、熱膨張に
よる変形に対応することができる。このスリットは、円
筒の母線に沿って設けられた半径方向の切目を有するス
リットでもよいが、半径方向に対して角度をもつ切目を
有するスリット、円筒の母線に対して傾けて設けられた
スリットでもよい。下部湾曲部と上部円筒部は相欠き構
造などにより嵌合するようにする。
【０００６】
【実施例】図１に本発明の実施例の単結晶引上装置用カ
ーボン坩堝１を示した。図２に示す従来のカーボン坩堝
１０は石英坩堝１２との熱膨張差を吸収するために図２
の（ｂ）にその平面図の例を示すように複数の縦割した
ピース１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、…、を寄せ集めて椀状
の形にしていた。
ーボン坩堝１を示した。図２に示す従来のカーボン坩堝
１０は石英坩堝１２との熱膨張差を吸収するために図２
の（ｂ）にその平面図の例を示すように複数の縦割した
ピース１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、…、を寄せ集めて椀状
の形にしていた。
【０００７】本発明のカーボン坩堝１は図１に示すよう
に水平な分割線５によって下部湾曲部２と上部円筒部３
に分割されている。下部湾曲部２はカーボン製の取付ボ
ルト７によって回転軸８に固着されている。下部湾曲部
は湾曲しているので熱膨張による変形を上方に逃すこと
ができる。上部円筒部３は、図１の（ｂ）に示すように
、下部湾曲部２上に相欠き６の構造によって嵌合載置さ
れる。上部円筒部３の下部部分には下辺から切上がった
スリット４が設けられ、熱膨張による変形を吸収するこ
とができる。スリット４は実施例では円筒部の母線に沿
って円筒部の全高さに対して１／３〜１／２の長さとし
、半径方向に対して４５度の方向に切目が向くように設
けた。スリットは３〜８箇所が適切である。
に水平な分割線５によって下部湾曲部２と上部円筒部３
に分割されている。下部湾曲部２はカーボン製の取付ボ
ルト７によって回転軸８に固着されている。下部湾曲部
は湾曲しているので熱膨張による変形を上方に逃すこと
ができる。上部円筒部３は、図１の（ｂ）に示すように
、下部湾曲部２上に相欠き６の構造によって嵌合載置さ
れる。上部円筒部３の下部部分には下辺から切上がった
スリット４が設けられ、熱膨張による変形を吸収するこ
とができる。スリット４は実施例では円筒部の母線に沿
って円筒部の全高さに対して１／３〜１／２の長さとし
、半径方向に対して４５度の方向に切目が向くように設
けた。スリットは３〜８箇所が適切である。
【０００８】
【発明の効果】本発明によれば、カーボン坩堝は熱膨張
に対して充分に適応し、一方、中心軸が回転軸に対して
傾くことによって生ずる引上単結晶の各種のアンバラン
スが絶滅した。
に対して充分に適応し、一方、中心軸が回転軸に対して
傾くことによって生ずる引上単結晶の各種のアンバラン
スが絶滅した。
【図１】（ａ）は実施例の一部切欠側面図、（ｂ）はそ
のＡ部拡大図である。
のＡ部拡大図である。
【図２】従来のカーボン坩堝を示し、（ａ）は縦断面図
、（ｂ）はカーボン坩堝の平面図である。
、（ｂ）はカーボン坩堝の平面図である。
１ カーボン坩堝
２ 湾曲下底部 ３ 上部円筒部
４ スリット ５ 分割線
６ 相欠き７ 取付ボ
ルト
８ 回転軸１０ カーボン坩堝
１１ 受け皿１２ 石英
坩堝
２ 湾曲下底部 ３ 上部円筒部
４ スリット ５ 分割線
６ 相欠き７ 取付ボ
ルト
８ 回転軸１０ カーボン坩堝
１１ 受け皿１２ 石英
坩堝
Claims (1)
- 【請求項１】 単結晶引上装置用カーボン坩堝を下部
湾曲部と上部円筒部とに分割し、上部円筒部はその下辺
から上方に向けて切上った複数のスリットを設けると共
に、前記下部湾曲部上に嵌合載置する構造としたことを
特徴とする単結晶引上装置用カーボン坩堝。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9071191A JPH04321584A (ja) | 1991-04-22 | 1991-04-22 | 単結晶引上装置用カーボン坩堝 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9071191A JPH04321584A (ja) | 1991-04-22 | 1991-04-22 | 単結晶引上装置用カーボン坩堝 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04321584A true JPH04321584A (ja) | 1992-11-11 |
Family
ID=14006119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9071191A Withdrawn JPH04321584A (ja) | 1991-04-22 | 1991-04-22 | 単結晶引上装置用カーボン坩堝 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04321584A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2804132A1 (fr) * | 2000-01-20 | 2001-07-27 | Lorraine Carbone | Porte-creuset pour le tirage de monocristaux |
| FR2804131A1 (fr) * | 2000-01-20 | 2001-07-27 | Lorraine Carbone | Porte-creuset pour le tirage de monocristaux |
| WO2009087724A1 (ja) * | 2008-01-10 | 2009-07-16 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 単結晶製造装置 |
-
1991
- 1991-04-22 JP JP9071191A patent/JPH04321584A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2804132A1 (fr) * | 2000-01-20 | 2001-07-27 | Lorraine Carbone | Porte-creuset pour le tirage de monocristaux |
| FR2804131A1 (fr) * | 2000-01-20 | 2001-07-27 | Lorraine Carbone | Porte-creuset pour le tirage de monocristaux |
| US6334898B1 (en) | 2000-01-20 | 2002-01-01 | Le Carbone Lorraine | Crucible holder for pulling monocrystals |
| WO2001053572A3 (fr) * | 2000-01-20 | 2002-03-07 | Lorraine Carbone | Porte-creuset pour le tirage de monocristaux |
| KR100733798B1 (ko) * | 2000-01-20 | 2007-07-02 | 까르봉 로레인 꽁뽀장 | 단결정 인상용 도가니 홀더 |
| WO2009087724A1 (ja) * | 2008-01-10 | 2009-07-16 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 単結晶製造装置 |
| JP2009161416A (ja) * | 2008-01-10 | 2009-07-23 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 単結晶製造装置 |
| JP4582149B2 (ja) * | 2008-01-10 | 2010-11-17 | 信越半導体株式会社 | 単結晶製造装置 |
| US9217208B2 (en) | 2008-01-10 | 2015-12-22 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Apparatus for producing single crystal |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980711 |