JPS6364990A - 単結晶引上げ装置におけるルツボ駆動軸 - Google Patents

単結晶引上げ装置におけるルツボ駆動軸

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JPS6364990A
JPS6364990A JP20923886A JP20923886A JPS6364990A JP S6364990 A JPS6364990 A JP S6364990A JP 20923886 A JP20923886 A JP 20923886A JP 20923886 A JP20923886 A JP 20923886A JP S6364990 A JPS6364990 A JP S6364990A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
crucible
water
tube
ceramic
driving shaft
Prior art date
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Pending
Application number
JP20923886A
Other languages
English (en)
Inventor
Tetsuo Watanabe
哲郎 渡辺
Hisao Hosaka
保坂 尚夫
Yutaka Yamada
豊 山田
Yasuhito Konoe
鴻上 泰仁
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Heavy Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Heavy Industries Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS6364990A publication Critical patent/JPS6364990A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、単結晶引上げ装置におけるルツボ駆動軸に
関する。
〔従来の技術〕
A チョクラルスキー法(CZ法)を用いたSi。
GaAs、 Ge等の半導体或いは酸化物の単結晶引上
げ装置の引上炉構造は、第3図に示すようになっている
。すなわち、引上炉内にはヒーター13が設けられてお
り、溶融液を留めるルツボ1がヒーター13に囲まれる
ように中央に位置している。ルツボ1の外周はルツボ受
け2に覆われており、ルツボ受け2下面はルツボ受皿3
に支持され、ルツボ受皿3はルツボ駆動軸4に支持され
ている。
〔発明が解決すべき問題点〕
ところで、単結晶引上げ装置に使用されるルツボ駆動軸
においては、駆動軸4を介しての熱損失をできるだけ少
なくすると共に、熱による損傷をいかに防ぐかという2
つの問題がある。特に単結晶引上げ作業時には、ルツボ
1内の溶融液面とルツボ1周囲のヒーター13の相対的
高さを適正に保つため、溶融液面降下量を補正すべくル
ツボ駆動軸4を上昇させる必要がある。そのためヒータ
ー13からが7− の放射熱がルツボ駆動軸4に直接放射されることになり
、上記2つの問題をいかにして解決するかが重要となる
。このほか、ルツボ1内の温度を均一にするため、ルツ
ボ駆動軸4の同芯度も要求される。
そこで、ルツボ1直下の駆動軸4を熱伝動率の悪いセラ
ミック材で形成し、その下の水冷金属管と連結すること
が考えられるが、セラミックと水冷金属管とは熱膨張率
が違うため、単結晶引上げ作業時にルツボ駆動軸4の回
転、上下動を精度良く行うには、その接合方法が問題と
なる。一般に耐熱用として採用されるセラミック材は許
容引張応力が小さいので、内側を金属で継ぐ場合大きな
隙間が必要とされ、それゆえ組立精度が確定しにくい。
この発明は、以上の問題点を解決すべく創案されたもの
で、ルツボ直下の駆動軸をセラミック材で形成し、その
下の水冷金属管に熱応力が生じることな(、かつ精度良
く連結することにより、駆動軸を介しての熱損失をでき
るだけ少なくすると共に、熱による損傷を防ぐことがで
きる単結晶引上げ装置におけるルツボ駆動軸を提供する
ことを目的とする。
(問題点を解決するための手段〕 この発明の要旨は、単結晶引上げ装置の引上炉内に位置
するルツボの駆動軸を、ルツボ直下部分をセラミック管
で、その下の部分を水冷金属管で形成してなり、水冷金
属管上端に!!置したセラミック類の軸継ブロックを、
ボルト頭部と軸継ブロックとの間にスプリングを介在さ
せたボルトにより水冷金属管に螺着し、該軸継ブロック
と前記セラミック管下部内周とを嵌着してセラミック管
と水冷金属管とを連結したことを特徴とする。
〔実 施 例〕
以下、この発明を図面に示す実施例に基いて説明する。
第1図はルツボ駆動軸周囲を示す図、第2図はセラミッ
ク管と水冷金属管との連結状態を示す図である。
単結晶引上げ装置の引上炉内に位置するルツボ1は、ル
ツボ受け2で支持されており、ルツボ受け2はルツボ受
皿3を介して駆動軸4により回転・上下動可能に支持さ
れている。
駆動軸4のルツボ1直下部分はホー/ トゾーンに位置
するためセラミック管5により形成されており、該セラ
ミック管5の外周は、フェルト材等の熱伝動率の低い断
熱材12で被覆されている。
セラミック管5の下の部分は熱対策のため水冷金属管(
例えばステンレス管)6で形成する。水冷金属6内には
ウォータージャケットが形成されており、ウォータージ
ャケット内に水が流れるようになっている。
前記セラミック管5と水冷金属管6とは、以下のように
連結されている。
水冷金属管6の上面中央には溝が形成されており、位置
決め用のスリーブ10が嵌着されている。スリーブ10
の軸方向には熱膨張変形を吸収するためのスリットが設
けられている。スリーブ10の上方突出部は、セラミッ
ク材で形成された軸継ブロック7の溝と嵌合するように
なっている。このように水冷金属管6の上面にスリーブ
10を介して装着された軸継ブロック7には、上方より
複数の、サラバネ9を介して水冷金属管6と螺合するボ
ルト8が取付けられている。軸継ブロック7と水冷金属
管8は平面で接する構成とし、水冷金属管8の熱膨張に
よる損傷を避ける。
そして軸継ブロック7にセラミック管5下部内周を嵌着
し、セラミック管5と水冷金属管6とを連結する。
なお実施例では、ヒーター13からの放射熱が駆動軸4
に直接入射するのを防ぐと共に、駆動軸を介しての熱損
失を減少させるため、引上炉底部の駆動軸4周囲にセラ
ミックの囲い11が設けられている。
〔発明の効果〕
■ 駆動軸のルツボ直下部分はセラミック管で形成され
ているので、駆動軸を介しての熱損失が少なく、また熱
による損傷が生じることもない。
■ セラミック管と水冷金属管との連結は、水冷金属管
上面にボルト止めしだ軸継ブロックにセラミック管下部
を嵌合することにより行うので、容易かつ精度良く行う
ことができる。
■ 水冷金属管とセラミック製軸継ブロックは平面で接
するので熱膨張差による熱応力が生じない。
■ ボルト頭部と軸継ブロックとの間にはスプリングが
介在されているので、ボルトが熱膨張してもボルト頭部
はスプリングの反発力により押圧されるから、ボルトが
ゆるむおそれがない。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明のルツボ駆動軸周囲を示す断面図、第
2図はセラミック管と水冷金属管との連結部分の拡大断
面図、第3図は従来例を示す断面図である。 l−・−・ルツボ、2・−・−ルツボ受け、3−・−・
−ルツボ受皿、4−・−ルツボ駆動軸、5−m−〜−・
・セラミック管、6・−・・水冷金属管、?−−−−−
−−軸継ブロック、8・−−−一−−ボルト、9−−−
−−・−サラバネ、10−・−・−スリーブ、11−−
−−−−一囲い、12−−−−−−一断熱材、13−・
−−−〜ヒーター。 第3図 ↑ (] 第1図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 単結晶引き上げ装置の引上炉内に位置するルツボの駆動
    軸を、ルツボ直下部分をセラミック管で、その下の部分
    を水冷金属管で形成してなり、水冷金属管上端に載置し
    たセラミック製の軸継ブロックを、ボルト頭部と軸継ブ
    ロックとの間にスプリングを介在させたボルトにより水
    冷金属管に螺着し、該軸継ブロックと前記セラミック管
    下部内周とを嵌着してセラミック管と水冷金属管とを連
    結したことを特徴とする単結晶引上げ装置におけるルツ
    ボ駆動軸。
JP20923886A 1986-09-05 1986-09-05 単結晶引上げ装置におけるルツボ駆動軸 Pending JPS6364990A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60207691A (ja) * 1984-03-30 1985-10-19 株式会社 タカラ 合体玩具
JPH03131590A (ja) * 1989-10-18 1991-06-05 Komatsu Denshi Kinzoku Kk 単結晶シリコン引上げ用チヤンバー
WO2009087724A1 (ja) * 2008-01-10 2009-07-16 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 単結晶製造装置
CN111910247A (zh) * 2019-05-08 2020-11-10 赛维Ldk太阳能高科技(新余)有限公司 一种定向凝固生长晶体硅的铸锭炉及应用

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60207691A (ja) * 1984-03-30 1985-10-19 株式会社 タカラ 合体玩具
JPH0322792B2 (ja) * 1984-03-30 1991-03-27 Takara Co Ltd
JPH03131590A (ja) * 1989-10-18 1991-06-05 Komatsu Denshi Kinzoku Kk 単結晶シリコン引上げ用チヤンバー
WO2009087724A1 (ja) * 2008-01-10 2009-07-16 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 単結晶製造装置
JP2009161416A (ja) * 2008-01-10 2009-07-23 Shin Etsu Handotai Co Ltd 単結晶製造装置
JP4582149B2 (ja) * 2008-01-10 2010-11-17 信越半導体株式会社 単結晶製造装置
US9217208B2 (en) 2008-01-10 2015-12-22 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Apparatus for producing single crystal
CN111910247A (zh) * 2019-05-08 2020-11-10 赛维Ldk太阳能高科技(新余)有限公司 一种定向凝固生长晶体硅的铸锭炉及应用

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