JPS589895A - 側熱型るつぼ - Google Patents
側熱型るつぼInfo
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- JPS589895A JPS589895A JP10648081A JP10648081A JPS589895A JP S589895 A JPS589895 A JP S589895A JP 10648081 A JP10648081 A JP 10648081A JP 10648081 A JP10648081 A JP 10648081A JP S589895 A JPS589895 A JP S589895A
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- Japan
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- bottom plate
- side wall
- crucible
- carbon
- view
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/10—Crucibles or containers for supporting the melt
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は化合物半導体単結晶を引上法により成長させ
る時に使用するるつぼに関する。
る時に使用するるつぼに関する。
ＧａＰ等の化合物半導体をチョクラルスキー法で結晶成
長させる場合、従来は側壁部と底板部とが一体として成
形されたカーボンるつぼを使っていた。 ゛ 第１２図は従来使用されているカーボンるつぼの断面図
である。このるつぼ２０は、円筒形の側壁部２１の底に
、平坦な円板状の底板部２２を一体になるよう成形した
ものである。
長させる場合、従来は側壁部と底板部とが一体として成
形されたカーボンるつぼを使っていた。 ゛ 第１２図は従来使用されているカーボンるつぼの断面図
である。このるつぼ２０は、円筒形の側壁部２１の底に
、平坦な円板状の底板部２２を一体になるよう成形した
ものである。
第１３図は他の従来例にかかるカーボンるつぼの断面図
である。このるつぼ２３は、円筒形側壁部２４と、下に
凸の半丸底の底板部２５とよりなり、一体のものとして
製作される点は前例と同じである。
である。このるつぼ２３は、円筒形側壁部２４と、下に
凸の半丸底の底板部２５とよりなり、一体のものとして
製作される点は前例と同じである。
第１４図はその他の従来例にかかるカーボンるつぼの断
面図である。このるつぼ２６は、円筒形の側壁部２７と
円板状の底板部２８とが別体になっている。
面図である。このるつぼ２６は、円筒形の側壁部２７と
円板状の底板部２８とが別体になっている。
第１１図は従来例のカーボンるつぼを使用した時の結晶
成長炉内部の概略断面図である。抵抗加°熱の為のヒー
ター２９が周囲に設けられ、この中にるつぼ２０が支持
軸３０により支持される。カーボンるつぼ２０の中には
、石英るつぼ３１が嵌挿されている。
成長炉内部の概略断面図である。抵抗加°熱の為のヒー
ター２９が周囲に設けられ、この中にるつぼ２０が支持
軸３０により支持される。カーボンるつぼ２０の中には
、石英るつぼ３１が嵌挿されている。
石英るつぼ３１の中には、化合物半導体の材料融液３２
と、融液を覆うＢ、０３液３３とが入っている。融液３
２から上方に向って単結晶３４が回転しながら引上げら
れている。単結晶３４と融液３２の境界である固液界面
Ｓは、多くの場合結晶中心軸近傍で下に向って凸、周辺
部で凹型となる。
と、融液を覆うＢ、０３液３３とが入っている。融液３
２から上方に向って単結晶３４が回転しながら引上げら
れている。単結晶３４と融液３２の境界である固液界面
Ｓは、多くの場合結晶中心軸近傍で下に向って凸、周辺
部で凹型となる。
周辺部の凹型の固液界面Ｓの存在は、大きな熱応力発生
の原因となる。凹型部は冷却過程で熱応力を発生するの
で、冷却中に結晶が割れ易くなる。
の原因となる。凹型部は冷却過程で熱応力を発生するの
で、冷却中に結晶が割れ易くなる。
′さらに、引上げられた結晶には転位やリネージなどの
結晶欠陥が多くなる。また、加工の際には割れ易いので
、収量が著゛シ＜減少するのが実情であった。
結晶欠陥が多くなる。また、加工の際には割れ易いので
、収量が著゛シ＜減少するのが実情であった。
この原因は、次のように考えられる。結晶引上げが進行
し、融液３２が減少してくると、固液界面Ｓがるつぼの
底板部に接近する。底板部はヒーターからの熱を受けて
高温状態であるから、固液界面Ｓに対して多大の熱を与
えるようになり、固液界面の温度が上昇し、この為凹型
の界面に変化してくる。
し、融液３２が減少してくると、固液界面Ｓがるつぼの
底板部に接近する。底板部はヒーターからの熱を受けて
高温状態であるから、固液界面Ｓに対して多大の熱を与
えるようになり、固液界面の温度が上昇し、この為凹型
の界面に変化してくる。
そこで、第１５図に示すようなカーボンるつぼが発明さ
れた（特開昭４９−１７９＞。このるつぼ３５は、上側
壁部３６、底板部３７の他に、下側壁部３８を有する。
れた（特開昭４９−１７９＞。このるつぼ３５は、上側
壁部３６、底板部３７の他に、下側壁部３８を有する。
底板部３７のさらに下方へ延長する下側壁部３８は、ヒ
ーターの熱が底板部３７により到達し難くする。熱的に
底板部を遮断する事により、底板部の温度を下げようと
するものである。下側壁部の高さｍ′と全側壁部の高さ
ｌ′の比は１／４以上とされている。
ーターの熱が底板部３７により到達し難くする。熱的に
底板部を遮断する事により、底板部の温度を下げようと
するものである。下側壁部の高さｍ′と全側壁部の高さ
ｌ′の比は１／４以上とされている。
しかし、このるつぼ３５でも、なお完全には、固液界面
Ｓの凹型部を除くことが難しかった。底板部３７がいま
だに高温すぎるものと考えられる。
Ｓの凹型部を除くことが難しかった。底板部３７がいま
だに高温すぎるものと考えられる。
本発明は、このような難点を解決する事を目的とする。
本発明の側面型るつぼは、第１５図に宗するつぼのよう
に側壁部の下端３９が、底板部３７より下方向にあるよ
うな形状で、かつ、底板部と側壁部とが分離しているる
つぼである。さらに、底板はより熱伝導率の低い材質を
用いると良いし、底板と側壁との間に熱伝導率の低い材
質の輪を介在させても好ましい結果が得られる。
に側壁部の下端３９が、底板部３７より下方向にあるよ
うな形状で、かつ、底板部と側壁部とが分離しているる
つぼである。さらに、底板はより熱伝導率の低い材質を
用いると良いし、底板と側壁との間に熱伝導率の低い材
質の輪を介在させても好ましい結果が得られる。
以下、実施例を示す図面によって、本発明の構成、作用
及び効果を詳細に説明する。
及び効果を詳細に説明する。
第１図は本発明の実施例に係る側面型るつぼの縦断面図
を示す。
を示す。
このるつぼｌは一体成形されておらず、円筒形の側壁Ａ
と、円板状の底板Ｂとが分割されている。
と、円板状の底板Ｂとが分割されている。
支持部ｆで底板Ｂが、側壁Ａを支持するようになってい
るが、両部材は別体である。材質も底板Ｂの方が、より
熱伝導率の低いものを用いると、さらに好都合である。
るが、両部材は別体である。材質も底板Ｂの方が、より
熱伝導率の低いものを用いると、さらに好都合である。
例えば、側壁Ａをカーボン製とすると、底板Ｂの材質は
、カーボン、石英、ＢＮ （窒化硼素）、ＰＢＮ （パ
イロリティックＢＮ ）、５ｉｓＮ４（窒化ケイ素）、
ＡＩ！ｚＯ，等が選ばれる。
、カーボン、石英、ＢＮ （窒化硼素）、ＰＢＮ （パ
イロリティックＢＮ ）、５ｉｓＮ４（窒化ケイ素）、
ＡＩ！ｚＯ，等が選ばれる。
底板Ｂを側壁Ａから分割して設けるのは、側壁から゛底
板への熱の伝導を抑制するためである。底板の材質を、
熱伝導率の低いものにするのも同じ理由による。
板への熱の伝導を抑制するためである。底板の材質を、
熱伝導率の低いものにするのも同じ理由による。
本発明のるつぼは、側壁Ａと底板Ｂどが分割されておれ
ば良いので、底板Ｂの形状は円板に限らない。丸底或は
半丸底の底板であっても差支えないＯ 第２図に示するつぼ２は、下に凸の半丸底形状の底板Ｂ
を持っている。底板の曲率半径は、図示したものより、
さらに小さいものでも良い。
ば良いので、底板Ｂの形状は円板に限らない。丸底或は
半丸底の底板であっても差支えないＯ 第２図に示するつぼ２は、下に凸の半丸底形状の底板Ｂ
を持っている。底板の曲率半径は、図示したものより、
さらに小さいものでも良い。
第３図は第１図の側壁Ａと底板Ｂとの支持部ｆの近傍の
拡大断面図である。
拡大断面図である。
側壁Ａの内面には、上方で内側へより入りこんだ段部５
が設けてあり、この段部５によって、底板Ｂに側□壁Ａ
が支持されるようになっている。
が設けてあり、この段部５によって、底板Ｂに側□壁Ａ
が支持されるようになっている。
側壁内面と、底板の外周面との間隙ｇは数十ミクロン〜
数ミリメートルである。側壁、底板の加工精度によって
、この間隙ｇは小さくすることができる。間隙ｇが広け
れば、側壁と底板との間の熱伝導はより少くなる。間隙
ｇが非常に狭くても、側壁、底板を一体として製造した
場合に比して、なお著しく熱伝導は少い。
数ミリメートルである。側壁、底板の加工精度によって
、この間隙ｇは小さくすることができる。間隙ｇが広け
れば、側壁と底板との間の熱伝導はより少くなる。間隙
ｇが非常に狭くても、側壁、底板を一体として製造した
場合に比して、なお著しく熱伝導は少い。
以上の例は、底板と側壁との間に間隙ｇを設けただけの
ものであるが、両者の間に、熱伝導率の低い材質からな
る輪を介在させる事も有効である。
ものであるが、両者の間に、熱伝導率の低い材質からな
る輪を介在させる事も有効である。
第４図はそのようなるつぼの例を示す縦断面図である。
るつぼ３は、底板Ｂが円板状で、底板主体Ｃと、輪りと
で構成されたものである。
で構成されたものである。
側壁をカーボン製とし、底板主体Ｃはカーボン、石英、
ＢＮ 、 Ｐ’ＢＮ 、 Ｓｉ３Ｎ、 、 ＡＩ！２
０３等で製作する。底板主体Ｃと側壁Ａの間に介在する
輪はより熱伝導率の低い石英、ＢＮ 、 ＰＢＮ 、
Ｓｉ３Ｎ４、Ａ／、０３等をその材質とする。
ＢＮ 、 Ｐ’ＢＮ 、 Ｓｉ３Ｎ、 、 ＡＩ！２
０３等で製作する。底板主体Ｃと側壁Ａの間に介在する
輪はより熱伝導率の低い石英、ＢＮ 、 ＰＢＮ 、
Ｓｉ３Ｎ４、Ａ／、０３等をその材質とする。
この例では、側壁からの熱伝導が輪りにより効果的に抑
制される。
制される。
底板の形状は任意で、第５図のようなるつぼ４も用いる
事ができる。るつぼ４′は、底板主体Ｃと輪りとよりな
る底板Ｂが半丸底形状となっている。
事ができる。るつぼ４′は、底板主体Ｃと輪りとよりな
る底板Ｂが半丸底形状となっている。
第６図は、るつぼ３の支持部ｆ近傍の拡大断面図である
。側壁入内周面の段部５が輪りの上面周辺に接触してお
り、底板主体Ｃの段部６、輪りの段部７が互に組合わさ
れた構造になっている。
。側壁入内周面の段部５が輪りの上面周辺に接触してお
り、底板主体Ｃの段部６、輪りの段部７が互に組合わさ
れた構造になっている。
側壁Ａと底板Ｂとの間の支持機構は、その他にも、側壁
の内面に複数個の突起物を設けて底板を掛止するように
しても良い。
の内面に複数個の突起物を設けて底板を掛止するように
しても良い。
さらに、側壁Ａを上下方向に傾斜面とし、上下方向の内
径変化により、底板Ｂと側壁Ａとを互に支持し合うよう
にしても良い。第９図、第１０図はこのような支持機構
を示す断面図である。第９図は側壁Ａが円錐形にやや近
似した傾斜のある円筒形状となっており、これに端局面
に傾斜面８を設けた底板Ｂを嵌合したものである。傾斜
角は、加工精度や、底板Ｂ、側壁Ａの熱膨張係数によっ
て適当に定められる。
径変化により、底板Ｂと側壁Ａとを互に支持し合うよう
にしても良い。第９図、第１０図はこのような支持機構
を示す断面図である。第９図は側壁Ａが円錐形にやや近
似した傾斜のある円筒形状となっており、これに端局面
に傾斜面８を設けた底板Ｂを嵌合したものである。傾斜
角は、加工精度や、底板Ｂ、側壁Ａの熱膨張係数によっ
て適当に定められる。
第１０図は底板主体と輪とからなる底板Ｂを持つるつぼ
の支持機構として傾斜面を用いるもので、この例では、
底板主体Ｃと輪りの間にも傾斜面９を設けている。
の支持機構として傾斜面を用いるもので、この例では、
底板主体Ｃと輪りの間にも傾斜面９を設けている。
第７図は本発明の実施例にかかる側熱型るつぼを使用し
、引上げ法により化合物半導体単結晶を成長させる炉の
内部の概略断面図である。これにより、側熱型るつぼの
もたらす作用、効果を説°明する。
、引上げ法により化合物半導体単結晶を成長させる炉の
内部の概略断面図である。これにより、側熱型るつぼの
もたらす作用、効果を説°明する。
側壁Ａと底板Ｂとよりなるるつぼ１は、ヒーター２９で
囲まれた空間の中に、支持軸３０によって支持される。
囲まれた空間の中に、支持軸３０によって支持される。
るつぼ１の内側には石英るつぼ３１が設けられる。
石英るつぼ３１の中には、化合物半導体の材料融液３２
と、液体カプセルとしての機能を有するＢ２Ｏ３液３３
が収められている。単結晶あは融液３２から徐々に引上
げられてゆく。本発明の側熱型るつぼを使用すると、固
液界面Ｓが下に凸型の形状となる。
と、液体カプセルとしての機能を有するＢ２Ｏ３液３３
が収められている。単結晶あは融液３２から徐々に引上
げられてゆく。本発明の側熱型るつぼを使用すると、固
液界面Ｓが下に凸型の形状となる。
固液界面Ｓに凹型部分ができない。
その理由は以下のように考えられる。側壁Ａの下端１０
は、底板Ｂより下方にあり、側壁Ａは、ヒーター２９に
対し底板Ｂを遮蔽している。ヒーター２９により、側壁
Ａは強く加熱されるが、底板Ｂは直接加熱されることが
少い。また側壁と底板とは分割されているから、両者の
間隙で熱伝導が抑制され、側壁からの熱伝導も少なくな
る。さらに、底板を熱伝導率の低い材質で作る事とすれ
ば、さらに底板の加熱を抑えることができる。
は、底板Ｂより下方にあり、側壁Ａは、ヒーター２９に
対し底板Ｂを遮蔽している。ヒーター２９により、側壁
Ａは強く加熱されるが、底板Ｂは直接加熱されることが
少い。また側壁と底板とは分割されているから、両者の
間隙で熱伝導が抑制され、側壁からの熱伝導も少なくな
る。さらに、底板を熱伝導率の低い材質で作る事とすれ
ば、さらに底板の加熱を抑えることができる。
従って、融液量が減少し、固液界面Ｓが底板に接近して
も、固液界面Ｓの温度が上らず、凹型界面が発生しない
。
も、固液界面Ｓの温度が上らず、凹型界面が発生しない
。
固液界面Ｓが、常時下に向って凸型となるので、冷却中
に大きな熱応力を生ずるという事がない。
に大きな熱応力を生ずるという事がない。
次に効果を述べる。
（１） この側熱型るつぼを使用して引上げた単結晶
は転位、リネージなど結晶欠陥が少い。熱応力歪が、少
いからである。
は転位、リネージなど結晶欠陥が少い。熱応力歪が、少
いからである。
第８図は、本発明の側熱型るつぼを使用して引上げた結
晶と、従来のるつぼを使用して引上げた結晶のＥＰＤ（
エッチピット密度）の分布を測定したデータを示すグラ
フである。
晶と、従来のるつぼを使用して引上げた結晶のＥＰＤ（
エッチピット密度）の分布を測定したデータを示すグラ
フである。
゛ 横軸は単結晶から水平方向に切り出した円型ウェハ
の半径方向の位置を示しており、横軸中点０が結晶の中
心に対応し、中点０から左右へ離れるに従い結晶の中心
から離れた位置ｒで（７）ＥＰＤを示すようにした。
の半径方向の位置を示しており、横軸中点０が結晶の中
心に対応し、中点０から左右へ離れるに従い結晶の中心
から離れた位置ｒで（７）ＥＰＤを示すようにした。
単結晶はＧａＰで、直径が２インチのもので比較した。
実線は本発明の実施例にかかる側熱型るつぼによるデー
タを示す。実際には、第２図に示す半丸底のるつぼで、
側壁、底板ともに材質はカーボンで作られているものを
使った。
タを示す。実際には、第２図に示す半丸底のるつぼで、
側壁、底板ともに材質はカーボンで作られているものを
使った。
内径敷は１１０Ｍ！、底板からの高さｌは１１５−１底
板から側壁下端１０までの距離ｍはｌ／４ （２９腸）
、厚みは５腸である。
板から側壁下端１０までの距離ｍはｌ／４ （２９腸）
、厚みは５腸である。
破線は第１３図に示す従来例のるつぼによって引上げた
結晶についてのＥＰＤを示すデータである。このるつぼ
の内径は１ｌＱｓｓ、高さは１１５ｍ５．厚みは５ｓＩ
ｌであった。材質はカーボンである。
結晶についてのＥＰＤを示すデータである。このるつぼ
の内径は１ｌＱｓｓ、高さは１１５ｍ５．厚みは５ｓＩ
ｌであった。材質はカーボンである。
本発明による側熱型るつぼを用いて引上げた単結晶は、
ＥＰＤの値が極めて低い事がわかる。
ＥＰＤの値が極めて低い事がわかる。
（２） 単結晶製造の歩留りが向上する。
冷却時、加工時に単結晶が割れないからである。実際、
歩留りは従来５０％だったものが７８％に、飛躍的な向
上をみた。
歩留りは従来５０％だったものが７８％に、飛躍的な向
上をみた。
（３）従来るつぼを使用していた場合、加工時の割れを
防止するため、冷却後アニールする必要があったが、本
発明の側熱型るつぼを使用した場合、アニールの必要１
マ無い。工程を少くする事ができる。
防止するため、冷却後アニールする必要があったが、本
発明の側熱型るつぼを使用した場合、アニールの必要１
マ無い。工程を少くする事ができる。
（４）単結晶の外径制御が容易になる。この結果、ウェ
ハ加工前の結晶外周研磨によるロスが減少する。従来、
外周研磨によるロスは３．７％であったが、本発明によ
ればこのロスは１．９％に減少した。
ハ加工前の結晶外周研磨によるロスが減少する。従来、
外周研磨によるロスは３．７％であったが、本発明によ
ればこのロスは１．９％に減少した。
側熱型るつぼを用いると、融液の上下方向の温度変化が
殆んど無くなるので、外径はほぼ一定に保つ事ができる
。
殆んど無くなるので、外径はほぼ一定に保つ事ができる
。
（５）冷却中のるつぼの「割れ」の頻度が減少した。従
来、平均３回の使用で、るつぼが割れたが、本発明のる
つぼは平均８回の使用で割れる。るつぼの寿命が延びた
ので、作業性が向上し、コストダウンの効果もある。こ
れは、膨張、収縮の方向や変位量の異なる側壁と底板と
を分割し、両者が自由に変形するのを許すから、熱応力
の発生が少なくなるためで゛ある。また、底板の温゛度
がより低（なるため、底板に加わる熱衝撃が緩和される
からでもある。
来、平均３回の使用で、るつぼが割れたが、本発明のる
つぼは平均８回の使用で割れる。るつぼの寿命が延びた
ので、作業性が向上し、コストダウンの効果もある。こ
れは、膨張、収縮の方向や変位量の異なる側壁と底板と
を分割し、両者が自由に変形するのを許すから、熱応力
の発生が少なくなるためで゛ある。また、底板の温゛度
がより低（なるため、底板に加わる熱衝撃が緩和される
からでもある。
（６）監視が容易になり、引上条件制御が的確に行える
ようになった。
ようになった。
従来のるつぼを使用すると、るつぼの底が高温であるた
め、分解圧の高い材料（ＧａＰの場合はＰ）が分解して
ガス状となり、液体カプセルとしてのＢ２Ｏ２液にまざ
り、−０３液を濁らせることがあった。Ｂ！０３液が濁
ると、上方からＢ！０．液をとおして融液を目視するの
が困難になった。
め、分解圧の高い材料（ＧａＰの場合はＰ）が分解して
ガス状となり、液体カプセルとしてのＢ２Ｏ２液にまざ
り、−０３液を濁らせることがあった。Ｂ！０３液が濁
ると、上方からＢ！０．液をとおして融液を目視するの
が困難になった。
しかし、本発明の側熱型るつぼを用いると、るつぼ底が
過度に高温とはならず、Ｐの分解゛は減少する。このた
めＢ、０３液にＰが混入する事な（、ｎ、ｏｓ液の透明
性は失われない。このため、上方からの監視が容易にな
るわけである。
過度に高温とはならず、Ｐの分解゛は減少する。このた
めＢ、０３液にＰが混入する事な（、ｎ、ｏｓ液の透明
性は失われない。このため、上方からの監視が容易にな
るわけである。
本°発明は、ＧａＰの他に、ＧａＡｓ、 ＩｎＰ、Ｉｎ
Ａｓ。
Ａｓ。
Ｇａｒｂ、 ＩｎＳｂ等の化合物半導体の引上げ法によ
る単結晶成長に於ても同様の効果を奏する。このように
極めて有用な発明である。
る単結晶成長に於ても同様の効果を奏する。このように
極めて有用な発明である。
第１図は本発明の実施例に係る側熱型るつぼの縦断面図
。 第２図は第２の実施例に係る側熱型るつぼの縦断面図。 第３図は第１図の側壁、底板の支持部を拡大して示す縦
断面図。 第４図は第３の実施例に係る側熱型るつぼの縦断面図。 第５図は第４の実施例に係る側熱型るつぼの縦断面図。 第６図は第４図の側壁、底板の支持部を拡大して示す縦
断面図。 第７図は本発明の実施例にかかる側熱型るつぼを使用し
引上げ法によって結晶成長させる炉の内部の概略断面図
。 第８図は引上げられた単結晶のエッチピット密度（ＥＰ
Ｄ）の空間分布を示すグラフで、実線′は本発明の実施
例に係る側熱型るつぼを用いたものを−示し、破線は従
来例に係るるつぼを用いたものを示す。 第９図は傾斜した側壁と底板の支持部を示す拡大縦断面
図。 第１０図は傾斜した側壁と、輪及び底板主体との支持部
を示す拡大断面図。 第１１図は従来のるつぼを使用し引上げ法によって結晶
成長させる炉内部の概略断面図。 第１２図は従来使用されるるつぼの縦断面図で底板が平
坦な例を示す。 第１３図は従来のるつぼの縦断面図で、底板が丸底にな
っている例を示す。 第１４図は従来のるつぼの縦断面図で、側壁部と底板部
とが別体になっている例を示す。 第１５図は特開昭４９−１７９号に示されたるつぼの縦
断面図。 １〜４・・・・・・側熱型るつぼ ５〜７・・・・・・段 部 ８〜９・・・・・・傾斜面 Ａ・・・・・・側 壁 Ｂ・・・・・・底 板 Ｃ・・・・・・底板主体 Ｄ・・・・・・輪 Ｓ・・・・・・固液界面 発明者 松本相欠 佐々木 政 美 盛岡幹雄 公江清彦 □ 第７図 第８図 ２
。 第２図は第２の実施例に係る側熱型るつぼの縦断面図。 第３図は第１図の側壁、底板の支持部を拡大して示す縦
断面図。 第４図は第３の実施例に係る側熱型るつぼの縦断面図。 第５図は第４の実施例に係る側熱型るつぼの縦断面図。 第６図は第４図の側壁、底板の支持部を拡大して示す縦
断面図。 第７図は本発明の実施例にかかる側熱型るつぼを使用し
引上げ法によって結晶成長させる炉の内部の概略断面図
。 第８図は引上げられた単結晶のエッチピット密度（ＥＰ
Ｄ）の空間分布を示すグラフで、実線′は本発明の実施
例に係る側熱型るつぼを用いたものを−示し、破線は従
来例に係るるつぼを用いたものを示す。 第９図は傾斜した側壁と底板の支持部を示す拡大縦断面
図。 第１０図は傾斜した側壁と、輪及び底板主体との支持部
を示す拡大断面図。 第１１図は従来のるつぼを使用し引上げ法によって結晶
成長させる炉内部の概略断面図。 第１２図は従来使用されるるつぼの縦断面図で底板が平
坦な例を示す。 第１３図は従来のるつぼの縦断面図で、底板が丸底にな
っている例を示す。 第１４図は従来のるつぼの縦断面図で、側壁部と底板部
とが別体になっている例を示す。 第１５図は特開昭４９−１７９号に示されたるつぼの縦
断面図。 １〜４・・・・・・側熱型るつぼ ５〜７・・・・・・段 部 ８〜９・・・・・・傾斜面 Ａ・・・・・・側 壁 Ｂ・・・・・・底 板 Ｃ・・・・・・底板主体 Ｄ・・・・・・輪 Ｓ・・・・・・固液界面 発明者 松本相欠 佐々木 政 美 盛岡幹雄 公江清彦 □ 第７図 第８図 ２
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） 側壁Ａの下端が底板Ｂよりも下方に位置し、
側壁Ａと底板Ｂとが分割されている事を特徴とする側熱
型るつぼ。 （２） 側壁Ａ及び底板Ｂの材質がカーボンである特
許請求の範囲第（１）項記載の側熱型るつぼ。 、（３） 底板Ｂの材質の熱伝導率が、側壁Ａの材質
の熱伝導率より低いものである特許請求の範囲第（１）
項記載の側熱型るつぼ。 （４） 側壁Ａの材質がカーボンである特許請求の範
囲第（３）項記載の側熱型るつぼ。 （５）底板Ｂが、底板筆体Ｃと、側壁Ａの材質より熱伝
導率の低い材質よりなる輪りとを組合せたものである特
許請求の範囲第（１）項記載の側熱型るつぼ。 （６）側壁Ａの材質がカーボンである特許請求の範囲第
（５）項記載の側熱型るつぼ。 （７）゛ 底板主体Ｃの材質がカーボンである特許請
求の範囲第（６）゛項記載の側熱型るつぼ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10648081A JPS589895A (ja) | 1981-07-08 | 1981-07-08 | 側熱型るつぼ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10648081A JPS589895A (ja) | 1981-07-08 | 1981-07-08 | 側熱型るつぼ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS589895A true JPS589895A (ja) | 1983-01-20 |
Family
ID=14434647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10648081A Pending JPS589895A (ja) | 1981-07-08 | 1981-07-08 | 側熱型るつぼ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS589895A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5895693A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-07 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 単結晶引上げ用黒鉛ルツボ |
| JPH02145496A (ja) * | 1988-11-25 | 1990-06-04 | Komatsu Denshi Kinzoku Kk | 半導体単結晶引上装置 |
| US5186784A (en) * | 1989-06-20 | 1993-02-16 | Texas Instruments Incorporated | Process for improved doping of semiconductor crystals |
| JPH05279170A (ja) * | 1992-03-30 | 1993-10-26 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶の引上げ装置 |
| WO2011067201A1 (en) | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Solarworld Innovations Gmbh | Device for holding silicon melt |
| CN103276451A (zh) * | 2013-04-26 | 2013-09-04 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种消除InAs单晶表面电荷积累层的热处理方法 |
-
1981
- 1981-07-08 JP JP10648081A patent/JPS589895A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5895693A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-07 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 単結晶引上げ用黒鉛ルツボ |
| JPH02145496A (ja) * | 1988-11-25 | 1990-06-04 | Komatsu Denshi Kinzoku Kk | 半導体単結晶引上装置 |
| US5186784A (en) * | 1989-06-20 | 1993-02-16 | Texas Instruments Incorporated | Process for improved doping of semiconductor crystals |
| JPH05279170A (ja) * | 1992-03-30 | 1993-10-26 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶の引上げ装置 |
| WO2011067201A1 (en) | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Solarworld Innovations Gmbh | Device for holding silicon melt |
| CN103276451A (zh) * | 2013-04-26 | 2013-09-04 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种消除InAs单晶表面电荷积累层的热处理方法 |
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