JP2009157366A - 半導体装置の作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】透光性を有する絶縁基板上に第1の透明導電膜及び第1の金属膜を順に成膜し積層し、第1のフォトマスクである多階調マスクを用いて第1の透明導電膜及び第1の金属膜を形状加工し、絶縁膜、第1の半導体膜、第2の半導体膜、第2の金属膜を順に成膜し積層し、第2のフォトマスクである多階調マスクを用いて第2の金属膜、第2の半導体膜を形状加工し、保護膜を成膜し、第3のフォトマスクを用いて保護膜を形状加工し、第2の透明導電膜を成膜し、第4のフォトマスクを用いて第2の透明導電膜を形状加工する。
【選択図】図1
Description
図1は本発明の半導体装置の作製方法を用いてできるFFSモードLCDにおけるアクティブマトリクス基板の平面図の一例である。ここでは簡略化のため、マトリクス状に配置された複数の画素のうち1つの画素の構成を示している。
(実施の形態2)
(実施の形態3)
200b:ゲート配線との接続端子部の平面図
300a:TFT部の断面図
300b:ソース配線との接続端子部の断面図
300c:ゲート配線との接続端子部の断面図
101:コモン電極
102:ゲート配線
103:コモン配線
104:アモルファスシリコン層
105:ドレイン配線
106:コモン電極同士を接続する配線
107:配線
108:画素電極
204:コンタクトホール
205:コンタクトホール
301:ガラス基板
302:第1の透明導電膜
3021a:第1の透明導電層
3022a:第1の透明導電層
3021c:第1の透明導電層
303:第1の金属膜
3031a:第1の金属層
3032a:第1の金属層
3031c:第1の金属層
304a:第1のフォトレジスト
304c:第1のフォトレジスト
305a:変形された第1のフォトレジスト
305c:変形された第1のフォトレジスト
306:ゲート電極
307:ゲート配線
406:ゲート絶縁膜
407:第1の半導体膜
407a:第1の半導体層
407b:第1の半導体層
408:第2の半導体膜
408a:第2の半導体層
408b:第2の半導体層
409:第2の金属膜
409a:第2の金属層
409b:第2の金属層
410a:第2のフォトレジスト
410b:第2のフォトレジスト
511a:変形された第2のフォトレジスト
511b:変形された第2のフォトレジスト
512:保護膜
513a:第3のフォトレジスト
513b:第3のフォトレジスト
513c:第3のフォトレジスト
614:第2の透明導電膜
6141a:第2の透明導電層
6142a:第2の透明導電層
614b:第2の透明導電層
614c:第2の透明導電層
615a:第4のフォトレジスト
615b:第4のフォトレジスト
615c:第4のフォトレジスト
701a:第3の半導体層
Claims (8)
- 透光性を有する絶縁基板上に第1の透明導電膜と第1の金属膜を順に形成し、
多階調マスクである第1のフォトマスクを用いて第1の透明導電膜と第1の金属膜の積層を残存させる部分と第1の透明導電膜のみを残存させる部分とで膜厚の異なる第1のレジストを形成し、
前記第1のレジストで前記第1の透明導電膜と第1の金属膜を形状加工しゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に絶縁膜、第1の半導体膜、第2の半導体膜、第2の金属膜を順に形成し、
多階調マスクである第2のフォトマスクを用いてチャネル領域形成部とソース領域形成部及びドレイン領域形成部とで膜厚の異なる第2のレジストを形成し、
前記第2のレジストで前記第1の半導体膜、前記第2の半導体膜、前記第2の金属膜を形状加工し、薄膜トランジスタ形成部を形成し、
前記第2のレジストをアッシングして、第3のレジストを形成し、
前記第3のレジストで前記薄膜トランジスタ形成部にチャネル領域、ドレイン領域、ソース領域を形成して、薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタ上に保護膜を形成し、
第3のフォトマスクを用いてコンタクトホール形成部以外の領域に第4のレジストを形成し、
前記第4のレジストで前記保護膜を形状加工しコンタクトホールを形成し、
前記保護膜上に第2の透明導電膜を形成し、
第4のフォトマスクを用いて画素電極形成部に第5のレジストを形成し、
前記第5のレジストで前記第2の透明導電膜を形状加工し、画素電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 透光性を有する絶縁基板上に第1の透明導電膜と第1の金属膜を順に形成し、
多階調マスクである第1のフォトマスクを用いて第1の透明導電膜と第1の金属膜の積層を残存させる部分と第1の透明導電膜のみを残存させる部分とで膜厚の異なる第1のレジストを形成し、
前記第1のレジストで前記第1の透明導電膜及び第1の金属膜を形状加工しゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に絶縁膜、第3の半導体膜、第1の半導体膜、第2の半導体膜、第2の金属膜を順に形成し、
多階調マスクである第2のフォトマスクを用いてチャネル領域形成部とソース領域形成部及びドレイン領域形成部とで膜厚の異なる第2のレジストを形成し、
前記第2のレジストで前記第3の半導体膜、第1の半導体膜、第2の半導体膜、第2の金属膜を形状加工し、薄膜トランジスタ形成部を形成し、
前記第2のレジストをアッシングして、第3のレジストを形成し、
前記第3のレジストで前記薄膜トランジスタ形成部にチャネル、ドレイン、ソースを形成して、薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタ上に保護膜を形成し、
第3のフォトマスクを用いてコンタクトホール形成部以外の領域に第4のレジストを形成し、
前記第4のレジストで前記保護膜を形状加工しコンタクトホールを形成し、
前記保護膜上に第2の透明導電膜を形成し、
第4のフォトマスクを用いて画素電極形成部に第5のレジストを形成し、
前記第5のレジストで前記第2の透明導電膜を形状加工し、画素電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項2において、前記第3の半導体膜は微結晶シリコンであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、前記第1の半導体膜はI型アモルファスシリコンであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、前記第2の半導体膜はn型アモルファスシリコンであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、前記多階調マスクはハーフトーンフォトマスク又はグレートーンフォトマスクであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、前記第2の透明導電膜の形状加工は、前記第2の透明導電膜に複数のスリットを設けることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1乃至請求項7のいずれか一項において、前記半導体装置はフリンジフィールドスイッチングモード液晶ディスプレイであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR101272433B1 (ko) | 2011-06-21 | 2013-06-07 | 한양대학교 산학협력단 | 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법 |
JP2014017456A (ja) * | 2012-07-11 | 2014-01-30 | Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd | 表示装置及び画素欠陥修正方法 |
US9209203B2 (en) | 2013-12-11 | 2015-12-08 | Mitsubishi Electric Corporation | Active matrix substrate and method for manufacturing the same |
JP2016122843A (ja) * | 2009-08-07 | 2016-07-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US10128270B2 (en) | 2013-06-27 | 2018-11-13 | Mitsubishi Electric Corporation | Active matrix substrate and manufacturing method of the same |
KR101928983B1 (ko) | 2011-07-20 | 2018-12-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판 제조 방법 |
JP2020004977A (ja) * | 2009-10-09 | 2020-01-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011054812A (ja) * | 2009-09-03 | 2011-03-17 | Hitachi Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP2011145530A (ja) * | 2010-01-15 | 2011-07-28 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置、及び、表示装置の製造方法 |
CN102270604B (zh) * | 2010-06-03 | 2013-11-20 | 北京京东方光电科技有限公司 | 阵列基板的结构及其制造方法 |
US9230826B2 (en) * | 2010-08-26 | 2016-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Etching method using mixed gas and method for manufacturing semiconductor device |
US8709920B2 (en) * | 2011-02-24 | 2014-04-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
TWI500161B (zh) * | 2011-06-02 | 2015-09-11 | Au Optronics Corp | 混合式薄膜電晶體及其製造方法以及顯示面板 |
KR101529557B1 (ko) * | 2011-06-09 | 2015-06-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 프린지 필드형 액정표시장치의 제조방법 |
CN102544029A (zh) * | 2012-02-07 | 2012-07-04 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 |
US9735177B2 (en) | 2013-08-23 | 2017-08-15 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Array substrate, method for manufacturing the same and display device |
CN103441129A (zh) * | 2013-08-23 | 2013-12-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法和显示装置 |
KR102182428B1 (ko) | 2014-02-18 | 2020-11-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
CN105096780B (zh) * | 2015-07-29 | 2018-07-03 | 武汉华星光电技术有限公司 | 基板电路及显示面板的信号测试电路 |
US9825177B2 (en) | 2015-07-30 | 2017-11-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of a semiconductor device using multiple etching mask |
KR102507151B1 (ko) * | 2015-08-27 | 2023-03-08 | 티씨엘 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
CN105304643A (zh) * | 2015-09-28 | 2016-02-03 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种tft阵列基板及其制作方法 |
CN106950765A (zh) | 2016-01-07 | 2017-07-14 | 中华映管股份有限公司 | 液晶显示面板的像素结构及其制作方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001235763A (ja) * | 1999-12-22 | 2001-08-31 | Hynix Semiconductor Inc | フリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置の製造方法 |
JP2004177946A (ja) * | 2002-11-15 | 2004-06-24 | Nec Kagoshima Ltd | 液晶表示装置の製造方法 |
Family Cites Families (65)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56122123A (en) * | 1980-03-03 | 1981-09-25 | Shunpei Yamazaki | Semiamorphous semiconductor |
USRE34658E (en) * | 1980-06-30 | 1994-07-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device of non-single crystal-structure |
JPH0311744A (ja) | 1989-06-09 | 1991-01-21 | Citizen Watch Co Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
EP0775931B1 (en) * | 1995-11-21 | 2005-10-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing a liquid crystal display |
JP3658664B2 (ja) * | 1997-06-06 | 2005-06-08 | カシオ計算機株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
US6493048B1 (en) * | 1998-10-21 | 2002-12-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel for a liquid crystal display and a method for manufacturing the same |
EP1115147A4 (en) * | 1999-05-26 | 2007-05-02 | Tadahiro Ohmi | DEVICE FOR PLASMA TREATMENT |
KR100583979B1 (ko) * | 2000-02-11 | 2006-05-26 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시장치 제조방법 및 그 제조방법에 따른액정표시장치 |
US7023021B2 (en) * | 2000-02-22 | 2006-04-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
JP4683688B2 (ja) * | 2000-03-16 | 2011-05-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置の作製方法 |
JP2001311965A (ja) * | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Nec Corp | アクティブマトリクス基板及びその製造方法 |
JP3881160B2 (ja) * | 2000-06-27 | 2007-02-14 | 株式会社アドバンスト・ディスプレイ | Tftアレイ基板およびこれを用いた液晶表示装置 |
US7223643B2 (en) * | 2000-08-11 | 2007-05-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
GB0102167D0 (en) * | 2001-01-27 | 2001-03-14 | Koninl Philips Electronics Nv | Pixellated devices such as active matrix liquid crystal displys and methods of manufacturing such |
TW488080B (en) * | 2001-06-08 | 2002-05-21 | Au Optronics Corp | Method for producing thin film transistor |
US6623653B2 (en) * | 2001-06-12 | 2003-09-23 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | System and method for etching adjoining layers of silicon and indium tin oxide |
JP4876341B2 (ja) * | 2001-07-13 | 2012-02-15 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリクス基板及びその製造方法 |
TWI232991B (en) | 2002-11-15 | 2005-05-21 | Nec Lcd Technologies Ltd | Method for manufacturing an LCD device |
KR100789090B1 (ko) * | 2002-12-30 | 2007-12-26 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 제조방법 |
EP1445802A1 (en) * | 2003-02-06 | 2004-08-11 | Centre National De La Recherche Scientifique (Cnrs) | Transistor for active matrix display, a display unit comprising the said transistor and a method for producing said transistor |
KR101086477B1 (ko) * | 2004-05-27 | 2011-11-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 소자용 박막 트랜지스터 기판 제조 방법 |
TWI234288B (en) * | 2004-07-27 | 2005-06-11 | Au Optronics Corp | Method for fabricating a thin film transistor and related circuits |
KR101107270B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2012-01-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법과, 그를 이용한액정 패널 및 그 제조 방법 |
KR20060079040A (ko) * | 2004-12-31 | 2006-07-05 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 프린지 필드 스위칭 타입의 박막 트랜지스터 기판 및 그제조 방법 |
KR100648223B1 (ko) * | 2005-05-11 | 2006-11-24 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 반투과형 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치 |
US7608490B2 (en) * | 2005-06-02 | 2009-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7588970B2 (en) * | 2005-06-10 | 2009-09-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR101201017B1 (ko) * | 2005-06-27 | 2012-11-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
JP4687279B2 (ja) * | 2005-06-29 | 2011-05-25 | ソニー株式会社 | 画像再生装置、画像再生方法、および画像再生用プログラム |
US7807516B2 (en) * | 2005-06-30 | 2010-10-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
KR101225440B1 (ko) * | 2005-06-30 | 2013-01-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
US7867791B2 (en) * | 2005-07-29 | 2011-01-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device using multiple mask layers formed through use of an exposure mask that transmits light at a plurality of intensities |
US7914971B2 (en) * | 2005-08-12 | 2011-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light exposure mask and method for manufacturing semiconductor device using the same |
US7338824B2 (en) * | 2005-09-09 | 2008-03-04 | Hannstar Display Corp. | Method for manufacturing FFS mode LCD |
JP4537929B2 (ja) * | 2005-10-04 | 2010-09-08 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法 |
US8149346B2 (en) * | 2005-10-14 | 2012-04-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
TWI460851B (zh) * | 2005-10-17 | 2014-11-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及其製造方法 |
TWI483048B (zh) * | 2005-10-18 | 2015-05-01 | Semiconductor Energy Lab | 液晶顯示裝置 |
JP5027475B2 (ja) * | 2005-10-18 | 2012-09-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置および液晶表示装置の作製方法 |
EP1793266B1 (en) * | 2005-12-05 | 2017-03-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transflective Liquid Crystal Display with a Horizontal Electric Field Configuration |
CN102331639A (zh) * | 2005-12-05 | 2012-01-25 | 株式会社半导体能源研究所 | 液晶显示器 |
US7821613B2 (en) * | 2005-12-28 | 2010-10-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
KR101477262B1 (ko) * | 2005-12-28 | 2014-12-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 제조방법 |
KR20070070718A (ko) | 2005-12-29 | 2007-07-04 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판의 제조방법 |
KR20070076620A (ko) * | 2006-01-19 | 2007-07-25 | 삼성전자주식회사 | 표시 기판의 제조방법 |
TWI322288B (en) * | 2006-03-07 | 2010-03-21 | Au Optronics Corp | Manufacture method of pixel array substrate |
EP2924498A1 (en) * | 2006-04-06 | 2015-09-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Liquid crystal desplay device, semiconductor device, and electronic appliance |
JP4884820B2 (ja) * | 2006-04-12 | 2012-02-29 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
TWI641897B (zh) * | 2006-05-16 | 2018-11-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 液晶顯示裝置 |
US7847904B2 (en) * | 2006-06-02 | 2010-12-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic appliance |
JP5216204B2 (ja) * | 2006-10-31 | 2013-06-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置及びその作製方法 |
KR101291318B1 (ko) * | 2006-11-21 | 2013-07-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조방법 |
TWI328879B (en) * | 2006-11-30 | 2010-08-11 | Au Optronics Corp | Pixel structure and fabricating method thereof, diaplay panel and electro-optical apparatus |
KR100937173B1 (ko) * | 2006-12-26 | 2010-01-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 액정표시장치용 어레이 기판 및 그제조방법 |
JP5364293B2 (ja) * | 2007-06-01 | 2013-12-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法およびプラズマcvd装置 |
JP5331389B2 (ja) * | 2007-06-15 | 2013-10-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
US9176353B2 (en) * | 2007-06-29 | 2015-11-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
US8921858B2 (en) * | 2007-06-29 | 2014-12-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
US7738050B2 (en) * | 2007-07-06 | 2010-06-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Liquid crystal display device |
US8334537B2 (en) * | 2007-07-06 | 2012-12-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
JP5380037B2 (ja) * | 2007-10-23 | 2014-01-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP5357493B2 (ja) * | 2007-10-23 | 2013-12-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR101448903B1 (ko) * | 2007-10-23 | 2014-10-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 및 그의 제작방법 |
JP5427390B2 (ja) * | 2007-10-23 | 2014-02-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US7824939B2 (en) * | 2007-10-23 | 2010-11-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display device comprising separated and electrically connected source wiring layers |
-
2008
- 2008-11-28 JP JP2008303603A patent/JP5137798B2/ja active Active
- 2008-11-28 KR KR1020080119871A patent/KR101446249B1/ko active IP Right Grant
- 2008-12-01 US US12/325,584 patent/US8268654B2/en active Active
- 2008-12-03 CN CN200810183698.XA patent/CN101527282B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-09-05 US US13/603,469 patent/US8895333B2/en active Active
- 2012-11-13 JP JP2012249214A patent/JP2013042174A/ja not_active Withdrawn
-
2013
- 2013-12-27 JP JP2013271863A patent/JP2014096600A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001235763A (ja) * | 1999-12-22 | 2001-08-31 | Hynix Semiconductor Inc | フリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置の製造方法 |
JP2004177946A (ja) * | 2002-11-15 | 2004-06-24 | Nec Kagoshima Ltd | 液晶表示装置の製造方法 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016122843A (ja) * | 2009-08-07 | 2016-07-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US9954005B2 (en) | 2009-08-07 | 2018-04-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer |
JP2020004977A (ja) * | 2009-10-09 | 2020-01-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
KR101272433B1 (ko) | 2011-06-21 | 2013-06-07 | 한양대학교 산학협력단 | 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법 |
KR101928983B1 (ko) | 2011-07-20 | 2018-12-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판 제조 방법 |
JP2014017456A (ja) * | 2012-07-11 | 2014-01-30 | Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd | 表示装置及び画素欠陥修正方法 |
US10128270B2 (en) | 2013-06-27 | 2018-11-13 | Mitsubishi Electric Corporation | Active matrix substrate and manufacturing method of the same |
US9209203B2 (en) | 2013-12-11 | 2015-12-08 | Mitsubishi Electric Corporation | Active matrix substrate and method for manufacturing the same |
US9461077B2 (en) | 2013-12-11 | 2016-10-04 | Mitsubishi Electric Corporation | Active matrix substrate and method for manufacturing the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8895333B2 (en) | 2014-11-25 |
KR20090057909A (ko) | 2009-06-08 |
JP2013042174A (ja) | 2013-02-28 |
US20120329186A1 (en) | 2012-12-27 |
JP2014096600A (ja) | 2014-05-22 |
JP5137798B2 (ja) | 2013-02-06 |
KR101446249B1 (ko) | 2014-10-01 |
CN101527282B (zh) | 2014-01-08 |
US20090142867A1 (en) | 2009-06-04 |
CN101527282A (zh) | 2009-09-09 |
US8268654B2 (en) | 2012-09-18 |
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