JP2001235763A - フリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
フリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置の製造方法Info
- Publication number
- JP2001235763A JP2001235763A JP2000387605A JP2000387605A JP2001235763A JP 2001235763 A JP2001235763 A JP 2001235763A JP 2000387605 A JP2000387605 A JP 2000387605A JP 2000387605 A JP2000387605 A JP 2000387605A JP 2001235763 A JP2001235763 A JP 2001235763A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- forming
- pattern
- resist pattern
- mow
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 52
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 95
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 40
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 7
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 10
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 244000228957 Ferula foetida Species 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1341—Filling or closing of cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Geometry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造時間を短縮し、製造費用を節減すること
ができるフリンジフィールドスイッチングモード液晶表
示装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 ガラス基板１１上にカウンター電極１２
ａとゲートバスライン１３ａ、共通電極ライン１４ａを
同時形成する段階Ａで、第１フォトリソグラフィー工程
は、ＭｏＷ膜１３上にレジスト膜コーティングする工
程、ゲートバス、共通電極ライン領域を遮蔽し、コーテ
ィング厚さを保持する第１、第２パターン、カウンター
電極領域を遮蔽し、コーティング厚さの一部のみ残留す
る第３パターンのレジストパターン３２を形成する工
程、ゲートバス、共通電極ラインを形成し、第１、第２
パターンの一部厚さ除去、第３パターンの完全除去、カ
ウンター電極領域上のＭｏＷ膜の一部厚さ除去する工
程、カウンター電極形成工程、残留レジストパターンと
ＭｏＷ膜を除去する工程とを含む。
ができるフリンジフィールドスイッチングモード液晶表
示装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 ガラス基板１１上にカウンター電極１２
ａとゲートバスライン１３ａ、共通電極ライン１４ａを
同時形成する段階Ａで、第１フォトリソグラフィー工程
は、ＭｏＷ膜１３上にレジスト膜コーティングする工
程、ゲートバス、共通電極ライン領域を遮蔽し、コーテ
ィング厚さを保持する第１、第２パターン、カウンター
電極領域を遮蔽し、コーティング厚さの一部のみ残留す
る第３パターンのレジストパターン３２を形成する工
程、ゲートバス、共通電極ラインを形成し、第１、第２
パターンの一部厚さ除去、第３パターンの完全除去、カ
ウンター電極領域上のＭｏＷ膜の一部厚さ除去する工
程、カウンター電極形成工程、残留レジストパターンと
ＭｏＷ膜を除去する工程とを含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置の製造
方法に関し、より詳しくは製造時間及び費用を減少させ
ることができるフリンジフィールドスイッチングモード
液晶表示装置の製造方法に関するものである。
方法に関し、より詳しくは製造時間及び費用を減少させ
ることができるフリンジフィールドスイッチングモード
液晶表示装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃ
ｈｉｎｇ）モードＬＣＤは、ＴＮモードＬＣＤの狭い視
野角の欠点を改善するため提案されている。このような
ＩＰＳモードＬＣＤは、周知の通り液晶を駆動させるた
めのカウンター電極と画素電極が同一の基板に互いに平
行に配列された構造を有し、視野角は画面を眺める方向
に係らず液晶分子の長軸だけを見ることになることによ
り改善される。
ｈｉｎｇ）モードＬＣＤは、ＴＮモードＬＣＤの狭い視
野角の欠点を改善するため提案されている。このような
ＩＰＳモードＬＣＤは、周知の通り液晶を駆動させるた
めのカウンター電極と画素電極が同一の基板に互いに平
行に配列された構造を有し、視野角は画面を眺める方向
に係らず液晶分子の長軸だけを見ることになることによ
り改善される。
【０００３】しかし、ＩＰＳモードＬＣＤはＴＮモード
ＬＣＤより向上した視野角を有するが、開口率及び透過
率の改善はカウンター電極と画素電極が不透明金属で形
成されることに基づき満足できるようなものではない。
ＬＣＤより向上した視野角を有するが、開口率及び透過
率の改善はカウンター電極と画素電極が不透明金属で形
成されることに基づき満足できるようなものではない。
【０００４】したがって、ＩＰＳモードＬＣＤの開口率
及び透過率改善の限界を克服するため、液晶分子等の駆
動がフリンジフィールド（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ）
によりなされるフリンジフィールドスイッチングモード
ＬＣＤ（以下、ＦＦＳモードＬＣＤと称する）が提案さ
れている。
及び透過率改善の限界を克服するため、液晶分子等の駆
動がフリンジフィールド（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ）
によりなされるフリンジフィールドスイッチングモード
ＬＣＤ（以下、ＦＦＳモードＬＣＤと称する）が提案さ
れている。
【０００５】ＦＦＳモードＬＣＤにおいて、カウンター
電極と画素電極はＩＴＯのような透明物質で形成され、
さらに上・下部基板等の間の間隔より狭い間隔を有する
よう形成され、その上、電極上部に配置されている液晶
分子等が全て駆動することができる程度の幅を有するよ
う形成される。これに伴い、ＦＦＳモードＬＣＤは電極
等が透明物質で形成されることによりＩＰＳモードＬＣ
Ｄより向上した開口率を得ることになり、そして、電極
部分で光透過が発生することによりＩＰＳモードＬＣＤ
より向上した透過率を得ることになる。
電極と画素電極はＩＴＯのような透明物質で形成され、
さらに上・下部基板等の間の間隔より狭い間隔を有する
よう形成され、その上、電極上部に配置されている液晶
分子等が全て駆動することができる程度の幅を有するよ
う形成される。これに伴い、ＦＦＳモードＬＣＤは電極
等が透明物質で形成されることによりＩＰＳモードＬＣ
Ｄより向上した開口率を得ることになり、そして、電極
部分で光透過が発生することによりＩＰＳモードＬＣＤ
より向上した透過率を得ることになる。
【０００６】図１は、従来技術により製造されたＦＦＳ
モードＬＣＤの下部基板を示す断面図であり、これを参
照しながらその製造方法を説明することにする。ＩＴＯ
（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜がガラス基板
１上に蒸着される。ＩＴＯ膜が第１フォトリソグラフィ
ー工程を介してパターニングされ、プレート（ｐｌａｔ
ｅ）状のカウンター電極２が形成される。ＭｏＷ膜がカ
ウンター電極２とガラス基板１上に蒸着され、その次に
ＭｏＷ膜が第２フォトリソグラフィー工程を介してパタ
ーニングされ、ゲートバスライン３と共通電極ライン４
が形成される。
モードＬＣＤの下部基板を示す断面図であり、これを参
照しながらその製造方法を説明することにする。ＩＴＯ
（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜がガラス基板
１上に蒸着される。ＩＴＯ膜が第１フォトリソグラフィ
ー工程を介してパターニングされ、プレート（ｐｌａｔ
ｅ）状のカウンター電極２が形成される。ＭｏＷ膜がカ
ウンター電極２とガラス基板１上に蒸着され、その次に
ＭｏＷ膜が第２フォトリソグラフィー工程を介してパタ
ーニングされ、ゲートバスライン３と共通電極ライン４
が形成される。
【０００７】ゲート絶縁膜５が基板結果物上に形成され
る。非ドーピングされた非晶質シリコン膜とドーピング
された非晶質シリコン膜がゲート絶縁膜５上に順次蒸着
され、その次に、ドーピングされた非晶質シリコン膜と
非ドーピングされた非晶質シリコン膜が第３フォトリソ
グラフィー工程を介してパターニングされ、オミックコ
ンタクト層７とチャネル層６が形成される。ソース／ド
レイン用金属膜が基板の結果物上に蒸着される。ソース
及びドレイン電極８ａ、８ｂを含むデータバスライン
（未図示）が金属膜を第４フォトリソグラフィー工程を
介してパターニングすることにより形成され、この結
果、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称する）が形成
される。
る。非ドーピングされた非晶質シリコン膜とドーピング
された非晶質シリコン膜がゲート絶縁膜５上に順次蒸着
され、その次に、ドーピングされた非晶質シリコン膜と
非ドーピングされた非晶質シリコン膜が第３フォトリソ
グラフィー工程を介してパターニングされ、オミックコ
ンタクト層７とチャネル層６が形成される。ソース／ド
レイン用金属膜が基板の結果物上に蒸着される。ソース
及びドレイン電極８ａ、８ｂを含むデータバスライン
（未図示）が金属膜を第４フォトリソグラフィー工程を
介してパターニングすることにより形成され、この結
果、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称する）が形成
される。
【０００８】保護膜９が上記段階までに形成された結果
物上に蒸着され、その次に保護膜９は第５フォトリソグ
ラフィー工程を介し、例えば、ソース電極８ａの一部を
露出させるようエッチングされる。ＩＴＯ膜が前記保護
膜９上に蒸着され、その次にＩＴＯ膜が第６フォトリソ
グラフィー工程を介してパターニングされ、数個のブラ
ンチ（ｂｒａｎｃｈ）を含む櫛（ｃｏｍｂ）状をしなが
らＴＦＴのソース電極８ａとコンタクトする画素電極１
０が形成される。このとき、画素電極１１はＴＦＴのソ
ース／ドレイン電極８とコンタクトするよう形成され
る。
物上に蒸着され、その次に保護膜９は第５フォトリソグ
ラフィー工程を介し、例えば、ソース電極８ａの一部を
露出させるようエッチングされる。ＩＴＯ膜が前記保護
膜９上に蒸着され、その次にＩＴＯ膜が第６フォトリソ
グラフィー工程を介してパターニングされ、数個のブラ
ンチ（ｂｒａｎｃｈ）を含む櫛（ｃｏｍｂ）状をしなが
らＴＦＴのソース電極８ａとコンタクトする画素電極１
０が形成される。このとき、画素電極１１はＴＦＴのソ
ース／ドレイン電極８とコンタクトするよう形成され
る。
【０００９】しかし、従来技術に係るＦＦＳモードＬＣ
Ｄの製造方法は、前述のように下部基板を製造すること
だけでも６回のフォトリソグラフィー工程が行われるた
め、製造時間及び費用の側面で問題がある。
Ｄの製造方法は、前述のように下部基板を製造すること
だけでも６回のフォトリソグラフィー工程が行われるた
め、製造時間及び費用の側面で問題がある。
【００１０】詳しく述べると、フォトリソグラフィー工
程はレジストの塗布、露光、及び現像工程で成るレジス
トパターン形成工程と、レジストパターンを利用したエ
ッチング工程、及びレジストパターンの除去工程を含
む。これに伴い、フォトリソグラフィー工程は１回のみ
行われても長時間が所要し、６回のフォトリソグラフィ
ー工程が行われる場合、全体的な時間は非常に長くな
る。したがって、６回のフォトリソグラフィー工程を利
用する従来のＦＦＳモードＬＣＤの製造方法は生産性の
側面で好ましくないという問題がある。
程はレジストの塗布、露光、及び現像工程で成るレジス
トパターン形成工程と、レジストパターンを利用したエ
ッチング工程、及びレジストパターンの除去工程を含
む。これに伴い、フォトリソグラフィー工程は１回のみ
行われても長時間が所要し、６回のフォトリソグラフィ
ー工程が行われる場合、全体的な時間は非常に長くな
る。したがって、６回のフォトリソグラフィー工程を利
用する従来のＦＦＳモードＬＣＤの製造方法は生産性の
側面で好ましくないという問題がある。
【００１１】さらに、露光工程は露光用マスクが必要で
ある。ところが、露光用マスクは高価であるため６回の
フォトリソグラフィー工程が行われる場合、６枚の露光
用マスクが必要である。したがって、６枚の露光マスク
を利用する従来のＦＦＳモードＬＣＤの製造方法は費用
の側面でも好ましくないという問題がある。
ある。ところが、露光用マスクは高価であるため６回の
フォトリソグラフィー工程が行われる場合、６枚の露光
用マスクが必要である。したがって、６枚の露光マスク
を利用する従来のＦＦＳモードＬＣＤの製造方法は費用
の側面でも好ましくないという問題がある。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明
は、従来のフリンジフィールドスイッチングモード液晶
表示装置の製造方法における問題点に鑑みてなされたも
のであって、製造時間を短縮し、そして製造費用を減少
させることができるＦＦＳモードＬＣＤの製造方法を提
供することを目的とする。
は、従来のフリンジフィールドスイッチングモード液晶
表示装置の製造方法における問題点に鑑みてなされたも
のであって、製造時間を短縮し、そして製造費用を減少
させることができるＦＦＳモードＬＣＤの製造方法を提
供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
になされた、本発明によるフリンジフィールドスイッチ
ングモード液晶表示装置の製造方法は、ガラス基板上に
ＩＴＯ膜とＭｏＷ膜を順次蒸着した後、第１フォトリソ
グラフィー工程を利用して前記ＭｏＷ膜とＩＴＯ膜をパ
ターニングし、カウンター電極とゲートバスライン、及
び共通電極ラインを同時に形成する段階Ａと、前記段階
Ａにて形成された基板結果物上にゲート絶縁膜を蒸着す
る段階Ｂと、前記ゲート絶縁膜の所定部分上に第２フォ
トリソグラフィー工程を利用して積層されたチャネル層
とオミックコンタクト層を形成する段階Ｃと、前記オミ
ックコンタクト層とゲート絶縁膜上に第３フォトリソグ
ラフィー工程を利用し、ソース／ドレイン電極を含むデ
ータバスラインを形成する段階Ｄと、前記Ｄ段階までに
形成された基板結果物上に第４フォトリソグラフィー工
程を利用し、前記ソース電極を露出させる保護膜を形成
する段階Ｅと、前記保護膜上に第５フォトリソグラフィ
ー工程を利用し、前記ソース電極とコンタクトされる櫛
状の画素電極を形成する段階Ｆとを含み、前記第１フォ
トリソグラフィー工程は、前記ＭｏＷ膜上にレジスト膜
をコーティングする第１工程と、前記レジスト膜を露光
及び現像し、ゲートバスラインと共通電極ライン形成領
域を遮蔽しながらコーティング厚さをそのまま保持する
第１及び第２パターンと、カウンター電極形成領域を遮
蔽しながらコーティング厚さの一部のみ残留する第３パ
ターンで構成されるレジストパターンを形成する第２工
程と、前記レジストパターンをエッチングバリヤに利用
し、前記ＭｏＷ膜を乾式エッチングしてゲートバスライ
ンと共通電極ラインを形成し、同時に前記レジストパタ
ーンの第１及び第２パターンは一部厚さのみ除去される
ようにし、前記レジストパターンの第３パターンは完全
に除去されるようにし、カウンター電極形成領域上のＭ
ｏＷ膜の一部厚さが除去されるようにする第３工程と、
残留するレジストパターン及びＭｏＷ膜をエッチングバ
リヤに利用し、前記ＩＴＯ膜を湿式エッチングしてカウ
ンター電極を形成する第４工程と、前記残留するレジス
トパターンとＭｏＷ膜を除去する第５工程とを含むこと
を特徴とする。
になされた、本発明によるフリンジフィールドスイッチ
ングモード液晶表示装置の製造方法は、ガラス基板上に
ＩＴＯ膜とＭｏＷ膜を順次蒸着した後、第１フォトリソ
グラフィー工程を利用して前記ＭｏＷ膜とＩＴＯ膜をパ
ターニングし、カウンター電極とゲートバスライン、及
び共通電極ラインを同時に形成する段階Ａと、前記段階
Ａにて形成された基板結果物上にゲート絶縁膜を蒸着す
る段階Ｂと、前記ゲート絶縁膜の所定部分上に第２フォ
トリソグラフィー工程を利用して積層されたチャネル層
とオミックコンタクト層を形成する段階Ｃと、前記オミ
ックコンタクト層とゲート絶縁膜上に第３フォトリソグ
ラフィー工程を利用し、ソース／ドレイン電極を含むデ
ータバスラインを形成する段階Ｄと、前記Ｄ段階までに
形成された基板結果物上に第４フォトリソグラフィー工
程を利用し、前記ソース電極を露出させる保護膜を形成
する段階Ｅと、前記保護膜上に第５フォトリソグラフィ
ー工程を利用し、前記ソース電極とコンタクトされる櫛
状の画素電極を形成する段階Ｆとを含み、前記第１フォ
トリソグラフィー工程は、前記ＭｏＷ膜上にレジスト膜
をコーティングする第１工程と、前記レジスト膜を露光
及び現像し、ゲートバスラインと共通電極ライン形成領
域を遮蔽しながらコーティング厚さをそのまま保持する
第１及び第２パターンと、カウンター電極形成領域を遮
蔽しながらコーティング厚さの一部のみ残留する第３パ
ターンで構成されるレジストパターンを形成する第２工
程と、前記レジストパターンをエッチングバリヤに利用
し、前記ＭｏＷ膜を乾式エッチングしてゲートバスライ
ンと共通電極ラインを形成し、同時に前記レジストパタ
ーンの第１及び第２パターンは一部厚さのみ除去される
ようにし、前記レジストパターンの第３パターンは完全
に除去されるようにし、カウンター電極形成領域上のＭ
ｏＷ膜の一部厚さが除去されるようにする第３工程と、
残留するレジストパターン及びＭｏＷ膜をエッチングバ
リヤに利用し、前記ＩＴＯ膜を湿式エッチングしてカウ
ンター電極を形成する第４工程と、前記残留するレジス
トパターンとＭｏＷ膜を除去する第５工程とを含むこと
を特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】次に、本発明にかかるフリンジフ
ィールドスイッチングモード液晶表示装置の製造方法の
実施の形態の具体例を図面を参照しながら説明する。図
２乃至図４は、本発明に係るＦＦＳモードＬＣＤの製造
方法を説明するための断面図である。
ィールドスイッチングモード液晶表示装置の製造方法の
実施の形態の具体例を図面を参照しながら説明する。図
２乃至図４は、本発明に係るＦＦＳモードＬＣＤの製造
方法を説明するための断面図である。
【００１５】図２を参照すると、透明性絶縁基板として
ガラス基板１１が設けられ、ＩＴＯ膜とＭｏＷ膜がガラ
ス基板１１上に順次蒸着される。ＩＴＯ膜はカウンター
電極用透明金属膜であり、ＭｏＷ膜はゲートバスライン
及び共通電極ライン用不透明金属膜である。ＭｏＷ膜と
ＩＴＯ膜が第１フォトリソグラフィー工程を介してパタ
ーニングされ、これによりカウンター電極１２ａとゲー
トバスライン１３ａ、及び共通電極ライン１４ａが同時
に形成される。
ガラス基板１１が設けられ、ＩＴＯ膜とＭｏＷ膜がガラ
ス基板１１上に順次蒸着される。ＩＴＯ膜はカウンター
電極用透明金属膜であり、ＭｏＷ膜はゲートバスライン
及び共通電極ライン用不透明金属膜である。ＭｏＷ膜と
ＩＴＯ膜が第１フォトリソグラフィー工程を介してパタ
ーニングされ、これによりカウンター電極１２ａとゲー
トバスライン１３ａ、及び共通電極ライン１４ａが同時
に形成される。
【００１６】ここで、カウンター電極１２ａとゲートバ
スライン１３ａ、及び共通電極ライン１４ａを形成する
ための第１フォトリソグラフィー工程を、以下の図５乃
至図８を参照して説明する。
スライン１３ａ、及び共通電極ライン１４ａを形成する
ための第１フォトリソグラフィー工程を、以下の図５乃
至図８を参照して説明する。
【００１７】図５において、エッチングバリヤとしてレ
ジストパターン３２がＭｏＷ膜１３上に形成される。レ
ジストパターン３２は領域別に相違する厚さを有する。
即ち、レジストパターン３２はゲートバスライン形成領
域を覆う第１パターン３２ａと、共通電極ライン形成領
域を遮蔽する第２パターン３２ｂ、及びカウンター電極
形成領域を覆う第３パターン３２ｃで構成され、第３パ
ターン３２ｃは第１及び第２パターン等３２ａ、３２ｂ
より相対的に薄い厚さを有する。
ジストパターン３２がＭｏＷ膜１３上に形成される。レ
ジストパターン３２は領域別に相違する厚さを有する。
即ち、レジストパターン３２はゲートバスライン形成領
域を覆う第１パターン３２ａと、共通電極ライン形成領
域を遮蔽する第２パターン３２ｂ、及びカウンター電極
形成領域を覆う第３パターン３２ｃで構成され、第３パ
ターン３２ｃは第１及び第２パターン等３２ａ、３２ｂ
より相対的に薄い厚さを有する。
【００１８】領域別に相違する厚さを有するレジストパ
ターン３２を形成するため、本発明の方法はレジスト膜
に対する露光を半透過マスクを利用して行う。
ターン３２を形成するため、本発明の方法はレジスト膜
に対する露光を半透過マスクを利用して行う。
【００１９】半透過マスク５０は、図９及び図１０に示
すように、光透過領域及び遮蔽領域を限定するクロムパ
ターン４２が石英基板４１上に形成され、そして、光透
過量を減少させる半透過パターン４３ａ、４３ｂが所定
の透過領域に形成された構造である。半透過パターン４
３ａ、４３ｂとして、図９に示すようにストライプ形ク
ロムパターン４３ａを利用するか、又は図１０に示すよ
うにＩＴＯ膜のような低透過金属薄膜４３ｂを利用する
こともできる。
すように、光透過領域及び遮蔽領域を限定するクロムパ
ターン４２が石英基板４１上に形成され、そして、光透
過量を減少させる半透過パターン４３ａ、４３ｂが所定
の透過領域に形成された構造である。半透過パターン４
３ａ、４３ｂとして、図９に示すようにストライプ形ク
ロムパターン４３ａを利用するか、又は図１０に示すよ
うにＩＴＯ膜のような低透過金属薄膜４３ｂを利用する
こともできる。
【００２０】半透過マスク５０を利用した露光工程にお
いて、ＩＴＯ膜１２は１０００Å以下、好ましくは５０
０〜１０００Åの厚さに蒸着され、レジスト膜３０は２
μｍ以上、好ましくは２〜３μｍの厚さにコーティング
される。半透過マスク５０を利用した露光の結果、半透
過パターン４３ａ、４３ｂが形成されない光透過領域を
介して露光されたレジスト膜部分は完全に露光される
が、半透過パターン４３ａ、４３ｂが形成された光透過
領域を介して露光されたレジスト膜部分はハーフ（ｈａ
ｌｆ）露光される。
いて、ＩＴＯ膜１２は１０００Å以下、好ましくは５０
０〜１０００Åの厚さに蒸着され、レジスト膜３０は２
μｍ以上、好ましくは２〜３μｍの厚さにコーティング
される。半透過マスク５０を利用した露光の結果、半透
過パターン４３ａ、４３ｂが形成されない光透過領域を
介して露光されたレジスト膜部分は完全に露光される
が、半透過パターン４３ａ、４３ｂが形成された光透過
領域を介して露光されたレジスト膜部分はハーフ（ｈａ
ｌｆ）露光される。
【００２１】したがって、部分的に完全及びハーフ露光
されたレジスト膜３０が現像されると、図１１に示すよ
うにレジストパターン３２は領域別に相違する厚さを有
することになる。
されたレジスト膜３０が現像されると、図１１に示すよ
うにレジストパターン３２は領域別に相違する厚さを有
することになる。
【００２２】図６において、ＭｏＷ膜１３がエッチング
バリヤとしてレジストパターン３２を利用して乾式エッ
チングされ、これにより、ゲートバスライン１３ａと共
通電極ライン１４ａが形成される。このとき、ゲートバ
スライン１３ａと共通電極ライン１４ａ上のレジストパ
ターンの第１及び第２パターン３２ａ、３２ｂは一部残
留するが、カウンター電極形成領域上の第３パターンは
残留しない。さらに、ＭｏＷ膜１３がカウンター電極形
成領域上に一部残留する。
バリヤとしてレジストパターン３２を利用して乾式エッ
チングされ、これにより、ゲートバスライン１３ａと共
通電極ライン１４ａが形成される。このとき、ゲートバ
スライン１３ａと共通電極ライン１４ａ上のレジストパ
ターンの第１及び第２パターン３２ａ、３２ｂは一部残
留するが、カウンター電極形成領域上の第３パターンは
残留しない。さらに、ＭｏＷ膜１３がカウンター電極形
成領域上に一部残留する。
【００２３】乾式エッチングはＳＦ６、ＣＦ４、又はＨ
ｅ中から選択される一つの励起ガス（ｅｘｃｉｔｅｄ
ｇａｓ）とＯ２ガスの混合ガスで行い、Ｏ２ガスの流量
と励起ガスの流量比は下記式１を満足する条件にする。 （（Ｏ２ガス流量）÷（励起ガスの流量））＜１の条件・・・（式１）
ｅ中から選択される一つの励起ガス（ｅｘｃｉｔｅｄ
ｇａｓ）とＯ２ガスの混合ガスで行い、Ｏ２ガスの流量
と励起ガスの流量比は下記式１を満足する条件にする。 （（Ｏ２ガス流量）÷（励起ガスの流量））＜１の条件・・・（式１）
【００２４】図７において、ＩＴＯ膜がエッチングバリ
ヤとして残留したレジストパターン３２ａ、３２ｂとＭ
ｏＷ膜１３を利用して湿式エッチングされ、これにより
カウンター電極１２ａが形成される。
ヤとして残留したレジストパターン３２ａ、３２ｂとＭ
ｏＷ膜１３を利用して湿式エッチングされ、これにより
カウンター電極１２ａが形成される。
【００２５】図８において、エッチングバリヤとして利
用されたレジストパターンとＭｏＷ膜が乾式ストリップ
工程を介して除去され、この結果、カウンター電極１２
ａとゲートバスライン１３ａ、及び共通電極ライン１４
ａを形成するための第１フォトリソグラフィー工程が完
了される。
用されたレジストパターンとＭｏＷ膜が乾式ストリップ
工程を介して除去され、この結果、カウンター電極１２
ａとゲートバスライン１３ａ、及び共通電極ライン１４
ａを形成するための第１フォトリソグラフィー工程が完
了される。
【００２６】上述のように、カウンター電極１２ａとゲ
ートバスライン１３ａ、及び共通電極ライン１４ａは１
回のフォトリソグラフィー工程を介して形成される。即
ち、カウンター電極１２ａとゲートバスライン１３ａ、
及び共通電極ライン１４ａは２回のエッチング工程を利
用するが、エッチングバリヤを形成するためのレジスト
塗布、露光、及び現像工程は１回のみ行われ、そして１
枚の露光マスクのみ用いられるため、１回のフォトリソ
グラフィー工程を介して形成されるものに見なすことが
できる。
ートバスライン１３ａ、及び共通電極ライン１４ａは１
回のフォトリソグラフィー工程を介して形成される。即
ち、カウンター電極１２ａとゲートバスライン１３ａ、
及び共通電極ライン１４ａは２回のエッチング工程を利
用するが、エッチングバリヤを形成するためのレジスト
塗布、露光、及び現像工程は１回のみ行われ、そして１
枚の露光マスクのみ用いられるため、１回のフォトリソ
グラフィー工程を介して形成されるものに見なすことが
できる。
【００２７】したがって、本発明の方法を利用すれば２
回のフォトリソグラフィー工程が１回に減少するため製
造時間が減少し、そして、１枚の露光マスクが用いられ
るため製造費用が節減され、結果的に生産性が向上す
る。
回のフォトリソグラフィー工程が１回に減少するため製
造時間が減少し、そして、１枚の露光マスクが用いられ
るため製造費用が節減され、結果的に生産性が向上す
る。
【００２８】続いて図３を参照すると、ゲート絶縁膜１
５がカウンター電極１２ａとゲートバスライン１３ａ、
及び共通電極ライン１４ａが形成されたガラス基板１１
の全体上に蒸着される。非ドーピングされた非晶質シリ
コン膜とドーピングされた非晶質シリコン膜がゲート絶
縁膜１５上に順次蒸着され、その次に、ドーピングされ
た非晶質シリコン膜と非ドーピングされた非晶質シリコ
ン膜が第２フォトリソグラフィー工程によりパターニン
グされ、これにより、オミックコンタクト層１７とチャ
ネル層１６が形成される。
５がカウンター電極１２ａとゲートバスライン１３ａ、
及び共通電極ライン１４ａが形成されたガラス基板１１
の全体上に蒸着される。非ドーピングされた非晶質シリ
コン膜とドーピングされた非晶質シリコン膜がゲート絶
縁膜１５上に順次蒸着され、その次に、ドーピングされ
た非晶質シリコン膜と非ドーピングされた非晶質シリコ
ン膜が第２フォトリソグラフィー工程によりパターニン
グされ、これにより、オミックコンタクト層１７とチャ
ネル層１６が形成される。
【００２９】ソース／ドレイン用金属膜が基板結果物上
に蒸着され、ソース及びドレイン電極１８ａ、１８ｂを
含むデータバスライン（未図示）が第３フォトリソグラ
フィー工程を利用して金属膜をパターニングすることに
より形成され、この結果、ＴＦＴが形成される。
に蒸着され、ソース及びドレイン電極１８ａ、１８ｂを
含むデータバスライン（未図示）が第３フォトリソグラ
フィー工程を利用して金属膜をパターニングすることに
より形成され、この結果、ＴＦＴが形成される。
【００３０】図４を参照すると、ＴＦＴを保護するため
シリコン窒化膜のような保護膜１９が基板結果物の全体
上に蒸着され、その次に、保護膜１９は第４フォトリソ
グラフィー工程により所定部分、例えば、ソース電極１
８ａが露出するようエッチングされる。保護膜１９上に
透明金属膜としてＩＴＯ膜が蒸着され、その次にＩＴＯ
膜が第５フォトリソグラフィー工程を介してパターニン
グされ、数個のブランチを含む櫛状をしながらＴＦＴの
ソース電極１８ａとコンタクトする画素電極２０が形成
される。このとき、画素電極２０はソース／ドレイン電
極１８ａ、１８ｂの一部分とコンタクトするよう形成さ
れる。
シリコン窒化膜のような保護膜１９が基板結果物の全体
上に蒸着され、その次に、保護膜１９は第４フォトリソ
グラフィー工程により所定部分、例えば、ソース電極１
８ａが露出するようエッチングされる。保護膜１９上に
透明金属膜としてＩＴＯ膜が蒸着され、その次にＩＴＯ
膜が第５フォトリソグラフィー工程を介してパターニン
グされ、数個のブランチを含む櫛状をしながらＴＦＴの
ソース電極１８ａとコンタクトする画素電極２０が形成
される。このとき、画素電極２０はソース／ドレイン電
極１８ａ、１８ｂの一部分とコンタクトするよう形成さ
れる。
【００３１】尚、本発明は、本実施例に限られるもので
はない。本発明の趣旨から逸脱しない範囲内で多様に変
更実施することが可能である。
はない。本発明の趣旨から逸脱しない範囲内で多様に変
更実施することが可能である。
【００３２】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、ＦＦＳモ
ードＬＣＤの下部基板は５回のフォトリソグラフィー工
程により製造される。これに伴い本発明の方法を利用す
れば、従来に比べ１回のフォトリソグラフィー工程を減
少させることができる。したがって、本発明に係るＦＦ
ＳモードＬＣＤの製造方法は従来のそれと比べて生産性
の側面で利点がある。
ードＬＣＤの下部基板は５回のフォトリソグラフィー工
程により製造される。これに伴い本発明の方法を利用す
れば、従来に比べ１回のフォトリソグラフィー工程を減
少させることができる。したがって、本発明に係るＦＦ
ＳモードＬＣＤの製造方法は従来のそれと比べて生産性
の側面で利点がある。
【図１】従来のＦＦＳモードＬＣＤの下部基板を示す断
面図である。
面図である。
【図２】本発明に係るＦＦＳモードＬＣＤの製造方法を
説明するための断面図である。
説明するための断面図である。
【図３】本発明に係るＦＦＳモードＬＣＤの製造方法を
説明するための断面図である。
説明するための断面図である。
【図４】本発明に係るＦＦＳモードＬＣＤの製造方法を
説明するための断面図である。
説明するための断面図である。
【図５】本発明に係る第１フォトリソグラフィー工程を
説明するための断面図である。
説明するための断面図である。
【図６】本発明に係る第１フォトリソグラフィー工程を
説明するための断面図である。
説明するための断面図である。
【図７】本発明に係る第１フォトリソグラフィー工程を
説明するための断面図である。
説明するための断面図である。
【図８】本発明に係る第１フォトリソグラフィー工程を
説明するための断面図である。
説明するための断面図である。
【図９】本発明に係るレジストパターン形成方法を説明
するための断面図である。
するための断面図である。
【図１０】本発明に係るレジストパターン形成方法を説
明するための断面図である。
明するための断面図である。
【図１１】本発明に係るレジストパターン形成方法を説
明するための断面図である。
明するための断面図である。
１１ ガラス基板 １２ ＩＴＯ膜 １２ａ カウンター電極 １３ ＭｏＷ膜 １３ａ ゲートバスライン １４ａ 共通電極ライン １５ ゲート絶縁膜 １６ チャネル層 １７ オミックコンタクト層 １８ａ、１８ｂ ソース／ドレイン電極 １９ 保護膜 ２０ 画素電極 ３０ レジスト膜 ３２ レジストパターン ４１ 石英基板 ４２ クロムパターン ４３ａ、４３ｂ 半透過パターン ５０ 半透過マスク
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｊ 21/3205 21/88 Ｂ 29/786 29/78 ６１７Ｊ 21/336 ６２７Ｃ
Claims (7)
- 【請求項１】 ガラス基板上にＩＴＯ膜とＭｏＷ膜を順
次蒸着した後、第１フォトリソグラフィー工程を利用し
て前記ＭｏＷ膜とＩＴＯ膜をパターニングし、カウンタ
ー電極とゲートバスライン、及び共通電極ラインを同時
に形成する段階Ａと、 前記段階Ａにて形成された基板結果物上にゲート絶縁膜
を蒸着する段階Ｂと、 前記ゲート絶縁膜の所定部分上に第２フォトリソグラフ
ィー工程を利用して積層されたチャネル層とオミックコ
ンタクト層を形成する段階Ｃと、 前記オミックコンタクト層とゲート絶縁膜上に第３フォ
トリソグラフィー工程を利用し、ソース／ドレイン電極
を含むデータバスラインを形成する段階Ｄと、 前記Ｄ段階までに形成された基板結果物上に第４フォト
リソグラフィー工程を利用し、前記ソース電極を露出さ
せる保護膜を形成する段階Ｅと、 前記保護膜上に第５フォトリソグラフィー工程を利用
し、前記ソース電極とコンタクトされる櫛状の画素電極
を形成する段階Ｆとを含み、 前記第１フォトリソグラフィー工程は、 前記ＭｏＷ膜上にレジスト膜をコーティングする第１工
程と、 前記レジスト膜を露光及び現像し、ゲートバスラインと
共通電極ライン形成領域を遮蔽しながらコーティング厚
さをそのまま保持する第１及び第２パターンと、カウン
ター電極形成領域を遮蔽しながらコーティング厚さの一
部のみ残留する第３パターンで構成されるレジストパタ
ーンを形成する第２工程と、 前記レジストパターンをエッチングバリヤに利用し、前
記ＭｏＷ膜を乾式エッチングしてゲートバスラインと共
通電極ラインを形成し、同時に前記レジストパターンの
第１及び第２パターンは一部厚さのみ除去されるように
し、前記レジストパターンの第３パターンは完全に除去
されるようにし、カウンター電極形成領域上のＭｏＷ膜
の一部厚さが除去されるようにする第３工程と、 残留するレジストパターン及びＭｏＷ膜をエッチングバ
リヤに利用し、前記ＩＴＯ膜を湿式エッチングしてカウ
ンター電極を形成する第４工程と、 前記残留するレジストパターンとＭｏＷ膜を除去する第
５工程とを含むことを特徴とするフリンジフィールドス
イッチングモード液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記レジスト膜に対する露光は、光透過
領域と遮蔽領域を限定するクロムパターンが石英基板上
に形成され、光透過量を減少させる半透過パターンが所
定の透過領域に形成された構造を有する半透過マスクを
用いて行うことを特徴とする請求項１記載のフリンジフ
ィールドスイッチングモード液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記半透過パターンは、数個のストライ
プ形クロムパターン、又はＩＴＯ膜で成る低透過金属薄
膜であることを特徴とする請求項２記載のフリンジフィ
ールドスイッチングモード液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記カウンター電極用ＩＴＯ膜は、５０
０〜１０００Åの厚さに蒸着することを特徴とする請求
項１記載のフリンジフィールドスイッチングモード液晶
表示装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記レジスト膜は、２〜３μｍの厚さに
コーティングすることを特徴とする請求項１記載のフリ
ンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置の製造
方法。 - 【請求項６】 前記ＭｏＷ膜に対する乾式エッチング
は、ＳＦ６、ＣＦ４、又はＨｅ中から選択される一つの
励起ガス（ｅｘｃｉｔｅｄ ｇａｓ）と、Ｏ２ガスの混
合ガスで行うことを特徴とする請求項１記載のフリンジ
フィールドスイッチングモード液晶表示装置の製造方
法。 - 【請求項７】 前記Ｏ２ガスの流量と励起ガスの流量比
は、（（Ｏ２ガス流量）÷（励起ガスの流量））＜１の
条件にすることを特徴とする請求項６記載のフリンジフ
ィールドスイッチングモード液晶表示装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1999/P60325 | 1999-12-22 | ||
| KR1019990060325A KR100325079B1 (ko) | 1999-12-22 | 1999-12-22 | 고개구율 및 고투과율 액정표시장치의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001235763A true JP2001235763A (ja) | 2001-08-31 |
| JP3723913B2 JP3723913B2 (ja) | 2005-12-07 |
Family
ID=19628060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000387605A Expired - Lifetime JP3723913B2 (ja) | 1999-12-22 | 2000-12-20 | フリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6485997B2 (ja) |
| JP (1) | JP3723913B2 (ja) |
| KR (1) | KR100325079B1 (ja) |
Cited By (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001324727A (ja) * | 2000-05-12 | 2001-11-22 | Samsung Electronics Co Ltd | 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 |
| JP2006189768A (ja) * | 2004-12-31 | 2006-07-20 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| EP1813979A2 (en) | 2006-01-26 | 2007-08-01 | Epson Imaging Devices Corporation | Liquid crystal apparatus and electronic device |
| JP2007304554A (ja) * | 2006-05-12 | 2007-11-22 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP2007310334A (ja) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Mikuni Denshi Kk | ハーフトーン露光法を用いた液晶表示装置の製造法 |
| JP2007322610A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置の製造方法および表示装置 |
| WO2008038432A1 (en) | 2006-09-27 | 2008-04-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate and liquid crystal display device provided with same |
| JP2009086114A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶表示装置、その製造方法及び電子機器 |
| KR100902453B1 (ko) | 2006-03-15 | 2009-06-11 | 엡슨 이미징 디바이스 가부시키가이샤 | 액정 장치 및 전자기기 |
| US7561239B2 (en) | 2006-03-29 | 2009-07-14 | Epson Imaging Devices Corporation | Liquid crystal device and electronic apparatus |
| JP2009157366A (ja) * | 2007-12-03 | 2009-07-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| US7636144B2 (en) | 2007-01-25 | 2009-12-22 | Epson Imaging Devices Corporation | Liquid crystal display device and method of manufacturing the same |
| US7671958B2 (en) | 2006-08-21 | 2010-03-02 | Epson Imaging Devices Corporation | Liquid crystal device and electronic apparatus |
| JP2010256556A (ja) * | 2009-04-23 | 2010-11-11 | Hitachi Displays Ltd | 画像表示装置およびその製造方法 |
| US7842528B2 (en) | 2007-10-23 | 2010-11-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing an LCD device employing a reduced number of photomasks |
| US7903220B2 (en) | 2007-10-01 | 2011-03-08 | Sony Corporation | Liquid crystal display device and electronic apparatus |
| US7907111B2 (en) | 2006-09-26 | 2011-03-15 | Epson Imaging Devices Corporation | Driving circuit, liquid crystal device, electronic apparatus, and method of driving liquid crystal device |
| US8018554B2 (en) | 2007-03-28 | 2011-09-13 | Sony Corporation | Liquid crystal display device with internal retardation layer at reflection region and electronic apparatus |
| US8023088B2 (en) | 2007-11-29 | 2011-09-20 | Sony Corporation | Liquid crystal display device and manufacturing method of the liquid crystal display device |
| US8115882B2 (en) | 2008-12-01 | 2012-02-14 | Sony Corporation | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
| US8189157B2 (en) | 2008-01-07 | 2012-05-29 | Sony Corporation | Liquid crystal display device and process for manufacturing the same |
| US8218116B2 (en) | 2007-08-01 | 2012-07-10 | Sony Corporation | Liquid crystal display panel and manufacturing method thereof |
| US8248564B2 (en) | 2008-03-13 | 2012-08-21 | Mitsubishi Electric Corporation | Liquid crystal display device and method of manufacturing the same |
| US8319928B2 (en) | 2008-02-15 | 2012-11-27 | Mitsubishi Electric Corporation | Liquid crystal display device and method of manufacturing the same |
| JP2013003454A (ja) * | 2011-06-20 | 2013-01-07 | Japan Display Central Co Ltd | 液晶表示装置 |
| US8451395B2 (en) | 2009-01-23 | 2013-05-28 | Mitsubishi Electric Corporation | Thin-film transistor array substrate, method of manufacturing the same, and liquid crystal display device |
| US8619225B2 (en) | 2007-03-28 | 2013-12-31 | Japan Display West Inc. | Liquid crystal device with pixel electrode under the common electrode and thinner than drain electrode, method of manufacturing liquid crystal device, and electronic apparatus |
| JP2015114460A (ja) * | 2013-12-11 | 2015-06-22 | 三菱電機株式会社 | アクティブマトリックス基板およびその製造方法 |
| US10128270B2 (en) | 2013-06-27 | 2018-11-13 | Mitsubishi Electric Corporation | Active matrix substrate and manufacturing method of the same |
| CN110824758A (zh) * | 2019-10-18 | 2020-02-21 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种光罩和彩膜基板及其制备方法、显示面板 |
Families Citing this family (63)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100500684B1 (ko) * | 1999-12-29 | 2005-07-12 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | ４-마스크 공정을 이용한 액정 디스플레이의 제조 방법 |
| TW526365B (en) * | 2001-09-21 | 2003-04-01 | Au Optronics Corp | Multi-domain vertical alignment liquid crystal display |
| KR100443831B1 (ko) * | 2001-12-20 | 2004-08-09 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자의 제조 방법 |
| KR100798540B1 (ko) * | 2001-12-31 | 2008-01-28 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 프린지 필드 스위칭 액정표시장치의 제조방법 |
| US20030186074A1 (en) * | 2002-04-02 | 2003-10-02 | Chi-Lin Chen | Metal electrode using molybdenum-tungsten alloy as barrier layers and the fabrication method of the same |
| US6800510B2 (en) * | 2002-11-06 | 2004-10-05 | Hannstar Display Corporation | Method of controlling storage capacitor's capacitance of thin film transistor liquid crystal display |
| KR100675631B1 (ko) * | 2003-06-27 | 2007-02-01 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 횡전계방식 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| US7206048B2 (en) | 2003-08-13 | 2007-04-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display and panel therefor |
| KR101086478B1 (ko) * | 2004-05-27 | 2011-11-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 소자용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| KR101126344B1 (ko) * | 2004-06-30 | 2012-03-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 프린지 필드 스위칭 타입의 박막 트랜지스터 기판 제조 방법 |
| KR101085136B1 (ko) * | 2004-12-04 | 2011-11-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 수평 전계 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| KR101085132B1 (ko) * | 2004-12-24 | 2011-11-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 수평 전계 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| KR101107245B1 (ko) * | 2004-12-24 | 2012-01-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 수평 전계 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| KR101127822B1 (ko) * | 2004-12-24 | 2012-03-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 수평 전계 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| KR101096718B1 (ko) | 2004-12-24 | 2011-12-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 수평 전계 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 |
| KR101107270B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2012-01-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법과, 그를 이용한액정 패널 및 그 제조 방법 |
| KR101167304B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2012-07-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 프린지 필드 스위칭 타입의 박막 트랜지스터 기판 및 그제조 방법 |
| KR101107251B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2012-01-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 폴리 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| KR101107269B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2012-01-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 수평 전계 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법과, 그를이용한 액정 패널 및 그 제조 방법 |
| KR101125254B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2012-03-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 프린지 필드 스위칭 타입의 박막 트랜지스터 기판 및 그제조 방법과, 그를 이용한 액정 패널 및 그 제조 방법 |
| KR101125252B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2012-03-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 폴리 액정 표시 패널 및 그 제조 방법 |
| KR101175561B1 (ko) * | 2005-06-30 | 2012-08-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 저항을 감소시키는 공통전극을 포함하는 액정표시소자 및그 제조방법 |
| EP2270583B1 (en) | 2005-12-05 | 2017-05-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transflective Liquid Crystal Display with a Horizontal Electric Field Configuration |
| KR100978369B1 (ko) * | 2005-12-29 | 2010-08-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판과 그 제조방법 |
| KR101294689B1 (ko) * | 2006-05-29 | 2013-08-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치의 제조방법 |
| TW200828593A (en) * | 2006-12-29 | 2008-07-01 | Innolux Display Corp | TFT substrate and method of fabricating the same |
| KR101460138B1 (ko) * | 2007-04-10 | 2014-11-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시기판, 이를 포함하는 액정표시장치 및 이의 제조 방법 |
| KR101325053B1 (ko) * | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
| JP5305190B2 (ja) * | 2007-06-21 | 2013-10-02 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
| JP5380037B2 (ja) * | 2007-10-23 | 2014-01-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JP5427390B2 (ja) * | 2007-10-23 | 2014-02-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| KR101448903B1 (ko) | 2007-10-23 | 2014-10-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 및 그의 제작방법 |
| EP2232561A4 (en) * | 2007-12-03 | 2015-05-06 | Semiconductor Energy Lab | METHOD OF MANUFACTURING A THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING A DISPLAY ARRANGEMENT |
| US8035107B2 (en) * | 2008-02-26 | 2011-10-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display device |
| WO2009107686A1 (en) * | 2008-02-27 | 2009-09-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof, and electronic device |
| US8101442B2 (en) * | 2008-03-05 | 2012-01-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing EL display device |
| US7749820B2 (en) * | 2008-03-07 | 2010-07-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor, manufacturing method thereof, display device, and manufacturing method thereof |
| US7989275B2 (en) * | 2008-03-10 | 2011-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor, manufacturing method thereof, display device, and manufacturing method thereof |
| US7883943B2 (en) | 2008-03-11 | 2011-02-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing thin film transistor and method for manufacturing display device |
| US7985605B2 (en) | 2008-04-17 | 2011-07-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
| US7790483B2 (en) * | 2008-06-17 | 2010-09-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor and manufacturing method thereof, and display device and manufacturing method thereof |
| US20100138765A1 (en) * | 2008-11-30 | 2010-06-03 | Nokia Corporation | Indicator Pop-Up |
| KR101308250B1 (ko) * | 2008-12-03 | 2013-09-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조 방법 |
| US8207026B2 (en) * | 2009-01-28 | 2012-06-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of thin film transistor and manufacturing method of display device |
| JP5503995B2 (ja) * | 2009-02-13 | 2014-05-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| US7989234B2 (en) | 2009-02-16 | 2011-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing thin film transistor and method for manufacturing display device |
| US8202769B2 (en) * | 2009-03-11 | 2012-06-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2010230740A (ja) | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| JP5539765B2 (ja) * | 2009-03-26 | 2014-07-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタの作製方法 |
| US20110085121A1 (en) * | 2009-10-08 | 2011-04-14 | Hydis Technologies Co., Ltd. | Fringe Field Switching Mode Liquid Crystal Display Device and Method of Fabricating the Same |
| JP5771365B2 (ja) | 2009-11-23 | 2015-08-26 | 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 中小型液晶表示装置 |
| KR101282563B1 (ko) * | 2009-11-23 | 2013-07-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| KR101709530B1 (ko) * | 2009-12-22 | 2017-02-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계모드 액정표시소자 및 그 제조방법 |
| KR101695285B1 (ko) * | 2009-12-22 | 2017-01-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| CN102315165B (zh) * | 2010-10-14 | 2015-08-26 | 深超光电（深圳）有限公司 | 边缘电场型液晶显示器阵列基板及其制造方法 |
| KR101295535B1 (ko) | 2010-11-22 | 2013-08-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| KR20120110447A (ko) * | 2011-03-29 | 2012-10-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR101524449B1 (ko) | 2011-12-22 | 2015-06-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| CN103779357A (zh) * | 2014-01-24 | 2014-05-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、显示装置及阵列基板制造方法 |
| CN104819711B (zh) * | 2015-03-27 | 2018-09-28 | 北京晨晶电子有限公司 | 一种加工三维石英微机械陀螺音叉侧电极的方法 |
| CN105679763A (zh) * | 2016-01-05 | 2016-06-15 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法、显示面板 |
| CN107706106A (zh) * | 2017-09-21 | 2018-02-16 | 信利（惠州）智能显示有限公司 | Amoled显示面板的制备方法 |
| US11282910B2 (en) * | 2019-01-23 | 2022-03-22 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Array substrate, manufacturing method thereof, and display device |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970011972A (ko) * | 1995-08-11 | 1997-03-29 | 쯔지 하루오 | 투과형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| EP0775931B1 (en) * | 1995-11-21 | 2005-10-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing a liquid crystal display |
| US6337520B1 (en) * | 1997-02-26 | 2002-01-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Composition for a wiring, a wiring using the composition, manufacturing method thereof, a display using the wiring and manufacturing method thereof |
| US6081308A (en) * | 1996-11-21 | 2000-06-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for manufacturing liquid crystal display |
| KR100269521B1 (ko) * | 1997-11-01 | 2000-10-16 | 구본준 | 박막트랜지스터 및 그의 제조방법 |
| KR100322965B1 (ko) * | 1998-03-27 | 2002-06-20 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 액정표시소자의 제조방법 |
| KR100325072B1 (ko) * | 1998-10-28 | 2002-08-24 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 고개구율및고투과율액정표시장치의제조방법 |
| KR20000027776A (ko) * | 1998-10-29 | 2000-05-15 | 김영환 | 액정 표시 장치의 제조방법 |
| KR20000039794A (ko) * | 1998-12-16 | 2000-07-05 | 김영환 | 고개구율 및 고투과율 액정표시장치의 제조방법 |
-
1999
- 1999-12-22 KR KR1019990060325A patent/KR100325079B1/ko active IP Right Grant
-
2000
- 2000-12-15 US US09/737,670 patent/US6485997B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-20 JP JP2000387605A patent/JP3723913B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (51)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001324727A (ja) * | 2000-05-12 | 2001-11-22 | Samsung Electronics Co Ltd | 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 |
| JP2006189768A (ja) * | 2004-12-31 | 2006-07-20 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| US7679699B2 (en) | 2004-12-31 | 2010-03-16 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device and fabricating method thereof |
| EP1813979A2 (en) | 2006-01-26 | 2007-08-01 | Epson Imaging Devices Corporation | Liquid crystal apparatus and electronic device |
| EP1983368A1 (en) | 2006-01-26 | 2008-10-22 | Epson Imaging Devices Corporation | Liquid crystal apparatus and electronic device |
| US8134672B2 (en) | 2006-03-15 | 2012-03-13 | Sony Corporation | Liquid crystal device and electronic apparatus |
| KR100902453B1 (ko) | 2006-03-15 | 2009-06-11 | 엡슨 이미징 디바이스 가부시키가이샤 | 액정 장치 및 전자기기 |
| US7561239B2 (en) | 2006-03-29 | 2009-07-14 | Epson Imaging Devices Corporation | Liquid crystal device and electronic apparatus |
| JP2007304554A (ja) * | 2006-05-12 | 2007-11-22 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP4680879B2 (ja) * | 2006-05-12 | 2011-05-11 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| US7876390B2 (en) | 2006-05-12 | 2011-01-25 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display fabrication method |
| US8325317B2 (en) | 2006-05-12 | 2012-12-04 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display fabrication method |
| US7602456B2 (en) | 2006-05-19 | 2009-10-13 | Mikuni Electoron Co. Ltd | Method of manufacturing LCD apparatus by using halftone exposure method |
| JP2007310334A (ja) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Mikuni Denshi Kk | ハーフトーン露光法を用いた液晶表示装置の製造法 |
| JP2007322610A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置の製造方法および表示装置 |
| US7671958B2 (en) | 2006-08-21 | 2010-03-02 | Epson Imaging Devices Corporation | Liquid crystal device and electronic apparatus |
| US7907111B2 (en) | 2006-09-26 | 2011-03-15 | Epson Imaging Devices Corporation | Driving circuit, liquid crystal device, electronic apparatus, and method of driving liquid crystal device |
| WO2008038432A1 (en) | 2006-09-27 | 2008-04-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate and liquid crystal display device provided with same |
| US7636144B2 (en) | 2007-01-25 | 2009-12-22 | Epson Imaging Devices Corporation | Liquid crystal display device and method of manufacturing the same |
| US8619225B2 (en) | 2007-03-28 | 2013-12-31 | Japan Display West Inc. | Liquid crystal device with pixel electrode under the common electrode and thinner than drain electrode, method of manufacturing liquid crystal device, and electronic apparatus |
| US8018554B2 (en) | 2007-03-28 | 2011-09-13 | Sony Corporation | Liquid crystal display device with internal retardation layer at reflection region and electronic apparatus |
| US8218116B2 (en) | 2007-08-01 | 2012-07-10 | Sony Corporation | Liquid crystal display panel and manufacturing method thereof |
| JP2009086114A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶表示装置、その製造方法及び電子機器 |
| JP4650471B2 (ja) * | 2007-09-28 | 2011-03-16 | ソニー株式会社 | 液晶表示装置、その製造方法及び電子機器 |
| US8243242B2 (en) | 2007-09-28 | 2012-08-14 | Sony Corporation | Liquid crystal display device, method for producing same, and electronic apparatus |
| US7903220B2 (en) | 2007-10-01 | 2011-03-08 | Sony Corporation | Liquid crystal display device and electronic apparatus |
| US8048697B2 (en) | 2007-10-23 | 2011-11-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing an LCD device employing a reduced number of photomasks including bottom and top gate type devices |
| US7842528B2 (en) | 2007-10-23 | 2010-11-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing an LCD device employing a reduced number of photomasks |
| US8023088B2 (en) | 2007-11-29 | 2011-09-20 | Sony Corporation | Liquid crystal display device and manufacturing method of the liquid crystal display device |
| JP2009157366A (ja) * | 2007-12-03 | 2009-07-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| US8895333B2 (en) | 2007-12-03 | 2014-11-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device with pixel electrode over gate electrode of thin film transistor |
| US8268654B2 (en) | 2007-12-03 | 2012-09-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing LCD with reduced mask count |
| KR101446249B1 (ko) | 2007-12-03 | 2014-10-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 제조방법 |
| US8189157B2 (en) | 2008-01-07 | 2012-05-29 | Sony Corporation | Liquid crystal display device and process for manufacturing the same |
| US8319928B2 (en) | 2008-02-15 | 2012-11-27 | Mitsubishi Electric Corporation | Liquid crystal display device and method of manufacturing the same |
| US8248564B2 (en) | 2008-03-13 | 2012-08-21 | Mitsubishi Electric Corporation | Liquid crystal display device and method of manufacturing the same |
| US8115882B2 (en) | 2008-12-01 | 2012-02-14 | Sony Corporation | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
| US8451395B2 (en) | 2009-01-23 | 2013-05-28 | Mitsubishi Electric Corporation | Thin-film transistor array substrate, method of manufacturing the same, and liquid crystal display device |
| JP2010256556A (ja) * | 2009-04-23 | 2010-11-11 | Hitachi Displays Ltd | 画像表示装置およびその製造方法 |
| US10509270B2 (en) | 2011-06-20 | 2019-12-17 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display apparatus |
| US11733569B2 (en) | 2011-06-20 | 2023-08-22 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display apparatus |
| US9122087B2 (en) | 2011-06-20 | 2015-09-01 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display apparatus |
| US11402699B2 (en) | 2011-06-20 | 2022-08-02 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display apparatus |
| JP2013003454A (ja) * | 2011-06-20 | 2013-01-07 | Japan Display Central Co Ltd | 液晶表示装置 |
| US9690410B2 (en) | 2011-06-20 | 2017-06-27 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display apparatus |
| US10128270B2 (en) | 2013-06-27 | 2018-11-13 | Mitsubishi Electric Corporation | Active matrix substrate and manufacturing method of the same |
| US9461077B2 (en) | 2013-12-11 | 2016-10-04 | Mitsubishi Electric Corporation | Active matrix substrate and method for manufacturing the same |
| US9209203B2 (en) | 2013-12-11 | 2015-12-08 | Mitsubishi Electric Corporation | Active matrix substrate and method for manufacturing the same |
| JP2015114460A (ja) * | 2013-12-11 | 2015-06-22 | 三菱電機株式会社 | アクティブマトリックス基板およびその製造方法 |
| CN110824758A (zh) * | 2019-10-18 | 2020-02-21 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种光罩和彩膜基板及其制备方法、显示面板 |
| CN110824758B (zh) * | 2019-10-18 | 2022-04-05 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种光罩和彩膜基板及其制备方法、显示面板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20010063293A (ko) | 2001-07-09 |
| KR100325079B1 (ko) | 2002-03-02 |
| JP3723913B2 (ja) | 2005-12-07 |
| US6485997B2 (en) | 2002-11-26 |
| US20010007779A1 (en) | 2001-07-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3723913B2 (ja) | フリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置の製造方法 | |
| KR101772511B1 (ko) | 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조 방법 | |
| US7749823B2 (en) | Thin film transistor substrate of horizontal electric field type liquid crystal display device and fabricating method thereof | |
| US8189162B2 (en) | Liquid crystal display device and fabricating method thereof | |
| US8830437B2 (en) | Method of fabricating liquid crystal display of horizontal electronic field applying type | |
| US7118947B2 (en) | Thin film transistor substrate of a horizontal electric field type LCD and fabricating method thereof | |
| US7576822B2 (en) | Thin film transistor substrate using horizontal electric field and fabricating method thereof | |
| US7479419B2 (en) | Array substrate for liquid crystal display device and fabricating method of the same | |
| US8343787B2 (en) | Method for fabricating liquid crystal display device | |
| US20070155080A1 (en) | Thim film transistor substrate and manufacturing method thereof | |
| KR100500684B1 (ko) | ４-마스크 공정을 이용한 액정 디스플레이의 제조 방법 | |
| KR100322968B1 (ko) | 프린지 필드 구동 액정 표시 장치의 제조방법 | |
| JP2003021844A (ja) | 液晶表示装置用アレー基板製造方法 | |
| US7906356B2 (en) | Method of manufacturing array substrate of horizontal electric field type transreflective liquid crystal display | |
| KR20070045751A (ko) | 포토 마스크 | |
| US8144302B2 (en) | Display substrate and method for manufacturing the same | |
| US8197995B2 (en) | Method of manufacturing array substrate of transreflective liquid crystal display | |
| KR100603847B1 (ko) | 액정 표시장치 및 액정 표시장치 제조방법 | |
| KR100507283B1 (ko) | 박막트랜지스터 액정표시장치의 제조방법 | |
| KR100648211B1 (ko) | 프린지 필드 구동 액정표시장치 및 그의 제조방법 | |
| JP2003156855A (ja) | 微細パターン形成方法及び液晶表示パネル | |
| KR101898212B1 (ko) | 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법 | |
| KR20020002050A (ko) | 프린지 필드 구동 액정표시장치의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050715 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050816 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050906 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3723913 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080930 Year of fee payment: 3 |
|
| S202 | Request for registration of non-exclusive licence |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R315201 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080930 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080930 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090930 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090930 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100930 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110930 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120930 Year of fee payment: 7 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120930 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130930 Year of fee payment: 8 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |