JP2009135424A - ウェーハキャリアの製造方法 - Google Patents

ウェーハキャリアの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2009135424A
JP2009135424A JP2008233693A JP2008233693A JP2009135424A JP 2009135424 A JP2009135424 A JP 2009135424A JP 2008233693 A JP2008233693 A JP 2008233693A JP 2008233693 A JP2008233693 A JP 2008233693A JP 2009135424 A JP2009135424 A JP 2009135424A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
hole
wafer carrier
carrier
preliminary
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008233693A
Other languages
English (en)
Inventor
Chan-Yong Lee
燦 勇 李
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SK Siltron Co Ltd
Original Assignee
Siltron Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siltron Inc filed Critical Siltron Inc
Publication of JP2009135424A publication Critical patent/JP2009135424A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27Work carriers
    • B24B37/28Work carriers for double side lapping of plane surfaces
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/4998Combined manufacture including applying or shaping of fluent material
    • Y10T29/49982Coating

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

【課題】 耐摩耗性に優れて使用寿命が画期的に延びるだけでなく、ウェーハの両面研磨時にウェーハのエッジに欠陥が発生しないようにその構造が改善されたウェーハキャリアの製造方法を提供する。
【解決手段】 ウェーハキャリアを構成する本体をあらかじめ設定された形状に加工する加工工程と、ウェーハキャリアの本体に予備孔及びスラリーを流入するためのスラリー流入孔を貫通形成する形成工程と、予備孔が形成された本体にDLCをコーティングするコーティング工程と、DLCコーティング後に予備孔を拡孔してウェーハを挿入するためのウェーハ保持孔を形成するウェーハ保持孔形成工程と、を含むウェーハキャリアの製造方法。
【選択図】 図4

Description

本発明は、ウェーハキャリアの製造方法に係り、より詳細には、ウェーハの両面を研磨するためのウェーハの両面研磨装置に備えられるものであって、ウェーハの両面研磨時にウェーハが挿入されるウェーハキャリアの製造方法に関する。
ウェーハの両面研磨時には、図1及び図2に示した両面研磨装置が使われる。図1及び図2を参照するに、従来の研磨装置9は相互反対方向に回転する上定盤1と下定盤3を備える。上定盤1の下面と下定盤3の上面にはそれぞれウェーハwの前面と背面を研磨するための研磨パッド2、4が付着される。そして、ウェーハキャリア5は上定盤1と下定盤3との間に支持され、図2に示したように複数装着される。ウェーハキャリア5には、円盤型にウェーハwが挿入及び保持されるウェーハ保持孔6が形成されており、ウェーハ保持孔6の回りに沿って相異なるサイズのスラリー流入孔6が5つ配置されている。
一方、最近にはウェーハキャリア5の耐摩耗性を向上させるために、ウェーハキャリア5にDLC(Diamond Like Carbon)がコーティングされて使われている。
ところが、前述したウェーハキャリアにおいては、図3に示したように、キャリアに形成されたウェーハ保持孔の内側面にまでDLCがコーティングされていて、ウェーハの両面研磨時にウェーハのエッジがDLCコーティング膜に接触する。したがって、ウェーハのエッジがDLCコーティング膜により損傷して欠陥が発生するという問題点があった。
本発明は、前記問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、耐摩耗性に優れて使用寿命が画期的に延びるだけでなく、ウェーハの両面研磨時にウェーハのエッジに欠陥が発生しないようにその構造が改善されたウェーハキャリアを製造する製造方法を提供することである。
前記目的を達成するために、本発明によるウェーハキャリアの製造方法は、ウェーハの両面を研磨するためのウェーハの両面研磨装置に備えられるウェーハキャリアの製造方法において、前記ウェーハキャリアを構成する本体をあらかじめ設定された形状に加工する加工工程と、前記ウェーハキャリアの本体に予備孔及びスラリーを流入するためのスラリー流入孔を貫通形成する形成工程と、前記予備孔が形成された本体にDLCをコーティングするコーティング工程と、前記DLCコーティング後に前記予備孔を拡孔してウェーハを挿入するためのウェーハ保持孔を形成するウェーハ保持孔形成工程と、を含むことを特徴とする。
本発明によれば、前記予備孔を形成した後、前記DLCをコーティングする前に、前記本体の前面及び背面のうち少なくとも一つの面に、前記予備孔の中心点から互いに同じ距離に配置されるように前記本体に付着可能な標識部材を付着する付着工程をさらに含むことが望ましい。このとき、前記標識部材を、前記予備孔の中心点から放射状に配置されるように少なくとも4つ付着することが望ましい。
本発明によれば、ウェーハキャリアに耐摩耗性の優秀なDLCコーティング膜が形成されるので、ウェーハキャリアの使用寿命が画期的に延びる。また、ウェーハキャリアのウェーハ保持孔の内側面にはDLCコーティング膜が形成されなくなるので、ウェーハの両面研磨時にウェーハのエッジがDLCコーティング膜と接触して損傷する現象を防止できるようになる。
以下、本発明による望ましい実施形態を添付した図面を参照して詳細に説明する。
図4は、本発明の一実施形態によるウェーハキャリアの製造方法の概略的なフローチャートであり、図5は、図4に示した標識部材を付着する工程を説明するためのウェーハキャリア本体の平面図であり、図6は、図5のVI−VI線の概略的な断面図であり、DLCコーティング層が備えられたウェーハキャリアの断面図である。
図4ないし図6を参照するに、本実施形態のウェーハキャリアの製造方法100は、従来技術で説明したウェーハ両面研磨装置に備えられるウェーハキャリアを製造するためのものである。ウェーハキャリアの製造方法は、順次に進む加工工程(S110)と、形成工程(S120)と、ラッピング工程(S130)と、付着工程(S150)と、コーティング工程(S160)と、ウェーハ保持孔の形成工程(S170)を含む。
加工工程(S110)では、ウェーハキャリア10を構成する本体11をあらかじめ設定された形状に加工する。ここで、本体11としては、一般的に板状のエポキシガラスが使われる。そして、エポキシガラスはあらかじめ設定された形状、例えば、円形にルーティングされることによってウェーハキャリアの本体11が形成される。
形成工程(S120)では、ルーティングされて形成された本体11に、一つの予備孔111aと複数のスラリー流入孔112とを貫通形成する。予備孔111aは、後述するウェーハ保持孔111の直径よりさらに小さく形成される。例えば、300mm直径のウェーハ用ウェーハ保持孔が形成される場合には、予備孔111aは290mm直径未満に形成されることが望ましい。
ラッピング工程(S130)では、ラッピング剤を利用してキャリア本体111をラッピングする。そして、ラッピング工程が完了した後には、キャリア本体111を洗浄(S140)してきれいにする。
付着工程(S150)では、予備孔111aが形成された本体に標識部材20を付着する。標識部材20は、キャリア本体11に付着可能なものならばいかなるものでもよく、一般的に安価で容易に入手可能なテープが使われることが望ましい。標識部材20は、本体11の前面及び背面のうち少なくとも一面に付着されるが、特に本実施形態では本体11の前面に4つ付着されている。各標識部材20の中心は、予備孔111aの中心点から互いに同じ距離に配置されている。したがって、4つの標識部材20は、予備孔111aの中心点から放射状に配置される。そして、各標識部材20のエッジのうち、予備孔111aの中心点から最も遠く離れているエッジは弧状に形成され、特に4つの標識部材20の弧状のエッジは一つの円周の一部をなす。この時、各標識部材20の大きさを適当に設定すれば、各標識部材20のエッジが連結されることによって得られる円が、後述するウェーハ保持孔111になる。
コーティング工程(S160)では、標識部材20が付着されたキャリア本体11にDLCをコーティングしてDLCコーティング膜12を形成する。DLCコーティング膜12は、キャリア本体11だけではなく標識部材20にも形成される。DLCコーティング膜12は、スパッタリング法などのように一般的に周知の蒸着法により形成される。
ウェーハ保持孔形成工程(S170)では、DLCコーティング膜12が形成された本体11にウェーハ保持孔111を形成する。すなわち、予備孔111aを拡孔して予備孔111aと同じ中心軸を持つウェーハ保持孔111を形成する。この時、拡孔は、各標識部材20がいずれも除去されるようになり、特に、4つの標識部材20の弧状のエッジまでのみ除去されるように拡孔されるならば、所望の直径のウェーハ保持孔111を形成できるようになる。このように、拡孔されれば、図6に示したように、ウェーハ保持孔111の内側面にはDLCコーティング膜が形成されなくなる。このように拡孔された後には、洗浄過程(S180)を経る。
前述したように、本実施形態のキャリア製造方法を使用すれば、キャリアのウェーハ保持孔111の内側面にDLCコーティング膜12が形成されなくなるので、従来とは異なって、ウェーハwの両面研磨時にウェーハwのエッジが損傷する現象を防止できる。したがって、DLCコーティング膜12によりウェーハキャリア10の耐摩耗性を向上させるだけではなく、従来とは異なって、ウェーハwの両面の研磨時に発生したウェーハの損傷を防止してウェーハの品質を改善できる。また、ウェーハキャリアの使用寿命が顕著に延びる。
特に、本実施形態では4つの標識部材20の弧状のエッジを連結すればウェーハ保持孔が形成されるので、各標識部材20のエッジまで拡孔さえすれば、拡孔寸法を検証する必要もなくウェーハ保持孔111を容易に形成できる。
以上、本発明を望ましい実施形態を挙げて詳細に説明したが、本発明は前記実施形態に限定されず、本発明の技術的思想内で当業者によって色々な多くの変形が可能であるということは明らかである。
例えば、本実施形態では標識部材を付着する工程が含まれるように構成されているが、必ずしも標識部材の付着工程が必要なわけではなく、標識部材の付着工程なしにDLCコーティングした後に予備孔を拡孔してウェーハ保持孔を形成するように構成してもよい。
また、本実施形態では標識部材のエッジが円弧の一部を形成するように構成されているが、必ずしも標識部材のエッジが円弧の一部になるように構成する必要はない。すなわち、標識部材を正方形などの多角形で形成して付着した後、標識部材の頂点から予備孔の中心を連結する仮想の直線がウェーハ保持孔の直径になるように設定して拡孔さえすればよい。
本発明は、ウェーハキャリア関連の技術分野に好適に用いられる。
従来の一例によるウェーハキャリアの製造方法の概略的な構成図である。 図1に示したウェーハキャリアの製造方法による下定盤に複数のウェーハキャリアが装着された状態を概略的に示す平面図である。 図2のIII−III線の概略的な断面図である。 本発明の一実施形態によるウェーハキャリアの製造方法の概略的なフローチャートである。 図4に示した標識部材を付着する工程を説明するためのウェーハキャリア本体の平面図である。 図5のVI−VI線の概略的な断面図であり、DLCコーティング層が備えられたウェーハキャリアの断面図である。
符号の説明
10 ウェーハキャリア
11 本体
12 DLCコーティング膜
20 標識部材
111 ウェーハ保持孔
111a 予備孔
112 スラリー流入孔

Claims (3)

  1. ウェーハの両面を研磨するためのウェーハの両面研磨装置に備えられるウェーハキャリアの製造方法において、
    前記ウェーハキャリアを構成する本体をあらかじめ設定された形状に加工する加工工程と、
    前記ウェーハキャリアの本体に予備孔及びスラリーを流入するためのスラリー流入孔を貫通形成する形成工程と、
    前記予備孔が形成された本体にDLCをコーティングするコーティング工程と、
    前記DLCコーティング後に前記予備孔を拡孔してウェーハを挿入するためのウェーハ保持孔を形成するウェーハ保持孔形成工程と、を含むことを特徴とするウェーハキャリアの製造方法。
  2. 前記予備孔を形成した後、前記DLCをコーティングする前に、前記本体の前面及び背面のうち少なくとも一つの面に、前記予備孔の中心点から互いに同じ距離に配置されるように前記本体に付着可能な標識部材を付着する付着工程をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のウェーハキャリアの製造方法。
  3. 前記標識部材を、前記予備孔の中心点から放射状に配置されるように少なくとも4つ付着することを特徴とする請求項2に記載のウェーハキャリアの製造方法。
JP2008233693A 2007-11-29 2008-09-11 ウェーハキャリアの製造方法 Pending JP2009135424A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070122655A KR100898821B1 (ko) 2007-11-29 2007-11-29 웨이퍼 캐리어의 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009135424A true JP2009135424A (ja) 2009-06-18

Family

ID=40373423

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008233693A Pending JP2009135424A (ja) 2007-11-29 2008-09-11 ウェーハキャリアの製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20090139077A1 (ja)
EP (1) EP2065131B1 (ja)
JP (1) JP2009135424A (ja)
KR (1) KR100898821B1 (ja)
CN (1) CN101444899A (ja)
SG (2) SG173996A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012152891A (ja) * 2011-01-21 2012-08-16 Siltronic Ag 挿入キャリアおよび半導体ウェハの同時両面材料除去処理方法
JP2012218103A (ja) * 2011-04-07 2012-11-12 Asahi Glass Co Ltd 研磨用キャリア及び該キャリアを用いたガラス基板の研磨方法及びガラス基板の製造方法及び磁気記録媒体用ガラス基板
JP2015174168A (ja) * 2014-03-14 2015-10-05 信越半導体株式会社 両面研磨装置用キャリアの製造方法及び両面研磨装置用キャリア並びに両面研磨方法

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101043983B1 (ko) * 2010-09-01 2011-06-24 박광진 수지재 캐리어 및 그 제조방법
TWI425230B (zh) * 2011-10-25 2014-02-01 Chroma Ate Inc Touchpad detection machine
DE102012214998B4 (de) 2012-08-23 2014-07-24 Siltronic Ag Verfahren zum beidseitigen Bearbeiten einer Halbleiterscheibe
JP6424809B2 (ja) * 2015-12-11 2018-11-21 信越半導体株式会社 ウェーハの両面研磨方法
JP2018136239A (ja) * 2017-02-23 2018-08-30 セイコーエプソン株式会社 電子部品搬送装置及び電子部品検査装置
JP2021102245A (ja) * 2019-12-25 2021-07-15 スピードファム株式会社 ワークホール検出装置及びワークホール検出方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5731046A (en) * 1994-01-18 1998-03-24 Qqc, Inc. Fabrication of diamond and diamond-like carbon coatings
JP3379097B2 (ja) * 1995-11-27 2003-02-17 信越半導体株式会社 両面研磨装置及び方法
JPH1110530A (ja) * 1997-06-25 1999-01-19 Shin Etsu Handotai Co Ltd 両面研磨用キャリア
US7008308B2 (en) * 2003-05-20 2006-03-07 Memc Electronic Materials, Inc. Wafer carrier
US7004827B1 (en) * 2004-02-12 2006-02-28 Komag, Inc. Method and apparatus for polishing a workpiece
JP4113509B2 (ja) * 2004-03-09 2008-07-09 スピードファム株式会社 被研磨物保持用キャリア
DE112005001447B4 (de) 2004-06-23 2019-12-05 Komatsu Denshi Kinzoku K.K. Doppelseitenpolierträger und Herstellungsverfahren desselben
US20080166952A1 (en) * 2005-02-25 2008-07-10 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd Carrier For Double-Side Polishing Apparatus, Double-Side Polishing Apparatus And Double-Side Polishing Method Using The Same
KR101193406B1 (ko) * 2005-02-25 2012-10-24 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 양면 연마 장치용 캐리어 및 이를 이용한 양면 연마 장치,양면 연마 방법
JP2006303136A (ja) * 2005-04-20 2006-11-02 Shin Etsu Handotai Co Ltd 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法
CN101203597A (zh) 2005-04-21 2008-06-18 塞莱勒斯诊断公司 用于自动快速免疫组织化学的芯吸盒方法和设备
DE102005034119B3 (de) * 2005-07-21 2006-12-07 Siltronic Ag Verfahren zum Bearbeiten einer Halbleiterscheibe, die in einer Aussparung einer Läuferscheibe geführt wird
JP3974632B1 (ja) 2006-04-05 2007-09-12 株式会社白崎製作所 Dlcコーティングウエハホルダ、およびdlcコーティングウエハホルダの製造方法。
JP2007301713A (ja) 2006-04-10 2007-11-22 Kemet Japan Co Ltd 研磨治具
DE102007049811B4 (de) * 2007-10-17 2016-07-28 Peter Wolters Gmbh Läuferscheibe, Verfahren zur Beschichtung einer Läuferscheibe sowie Verfahren zur gleichzeitigen beidseitigen Material abtragenden Bearbeitung von Halbleiterscheiben
JP4605233B2 (ja) * 2008-02-27 2011-01-05 信越半導体株式会社 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法
JP5452984B2 (ja) * 2009-06-03 2014-03-26 不二越機械工業株式会社 ウェーハの両面研磨方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012152891A (ja) * 2011-01-21 2012-08-16 Siltronic Ag 挿入キャリアおよび半導体ウェハの同時両面材料除去処理方法
JP2012218103A (ja) * 2011-04-07 2012-11-12 Asahi Glass Co Ltd 研磨用キャリア及び該キャリアを用いたガラス基板の研磨方法及びガラス基板の製造方法及び磁気記録媒体用ガラス基板
JP2015174168A (ja) * 2014-03-14 2015-10-05 信越半導体株式会社 両面研磨装置用キャリアの製造方法及び両面研磨装置用キャリア並びに両面研磨方法
CN106061679A (zh) * 2014-03-14 2016-10-26 信越半导体株式会社 双面研磨装置用载体的制造方法及双面研磨装置用载体并用的双面研磨方法
KR20160133437A (ko) 2014-03-14 2016-11-22 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 양면연마장치용 캐리어의 제조방법 및 양면연마장치용 캐리어 그리고 양면연마방법
CN106061679B (zh) * 2014-03-14 2017-07-21 信越半导体株式会社 双面研磨装置用载体的制造方法及双面研磨装置用载体并用的双面研磨方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR100898821B1 (ko) 2009-05-22
EP2065131A1 (en) 2009-06-03
SG173996A1 (en) 2011-09-29
CN101444899A (zh) 2009-06-03
US20090139077A1 (en) 2009-06-04
EP2065131B1 (en) 2012-10-10
SG152974A1 (en) 2009-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2009135424A (ja) ウェーハキャリアの製造方法
JP4904960B2 (ja) 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法
US7004827B1 (en) Method and apparatus for polishing a workpiece
TWI461256B (zh) A method for manufacturing a carrier for a double-sided polishing apparatus, a double-sided polishing method for a double-sided polishing apparatus, and a wafer
US5851138A (en) Polishing pad conditioning system and method
JP6394337B2 (ja) 吸着チャック、面取り研磨装置、及び、シリコンウェーハの面取り研磨方法
US20070037493A1 (en) Pad conditioner for conditioning a cmp pad and method of making such a pad conditioner
TW200920661A (en) Retaining ring with shaped profile
JP4782744B2 (ja) 吸着部材、吸着装置および吸着方法
JP2007152493A (ja) 研磨パッドのドレッサー及びその製造方法
KR20110022563A (ko) 양두 연삭 장치 및 웨이퍼의 제조 방법
JP2018006573A (ja) 静電チャック及びその製造方法並びに静電チャックの再生方法
JP2003071718A (ja) Cmpコンディショナー、cmpコンディショナーに使用する硬質砥粒の配列方法、及びcmpコンディショナー製造方法
KR20030020658A (ko) 화학적물리적 연마장치의 연마패드 콘디셔닝 디스크
JP2018012613A (ja) 円盤状の板ガラス及びその製造方法
JP2017030344A (ja) カッターホイール
JP2022107820A (ja) 研磨用または研削用のキャリアおよびそれを用いた磁気ディスク用アルミ基板の製造方法
JP2018014515A (ja) 静電チャック及びその製造方法並びに静電チャックの再生方法
JP2008006507A (ja) ダイヤモンド研磨工具、ダイヤモンド研磨工具の作成方法、ダイヤモンド研磨工具の再生方法
KR20100110989A (ko) Cmp 패드 컨디셔너 및 그 제조방법
TW201434583A (zh) 藍寶石拋光墊修整器及其製造方法
KR100879758B1 (ko) 웨이퍼 캐리어의 제조방법
JP2002187065A (ja) ドレッサー、ドレッサーに使用する硬質砥粒の配列方法、及びドレッサー製造方法
KR100680880B1 (ko) 리테이너 링 및 이를 포함하는 화학적 기계적 연마 장치
JP2006267848A (ja) レンズ取付シートおよびこのレンズ取付シートを用いた薄膜形成方法