TWI461256B - A method for manufacturing a carrier for a double-sided polishing apparatus, a double-sided polishing method for a double-sided polishing apparatus, and a wafer - Google Patents

A method for manufacturing a carrier for a double-sided polishing apparatus, a double-sided polishing method for a double-sided polishing apparatus, and a wafer Download PDF

Info

Publication number
TWI461256B
TWI461256B TW099120481A TW99120481A TWI461256B TW I461256 B TWI461256 B TW I461256B TW 099120481 A TW099120481 A TW 099120481A TW 99120481 A TW99120481 A TW 99120481A TW I461256 B TWI461256 B TW I461256B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
double
carrier
wafer
polishing apparatus
side polishing
Prior art date
Application number
TW099120481A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201114546A (en
Inventor
Taichi Yasuda
Tatsuo Enomoto
Original Assignee
Shinetsu Handotai Kk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shinetsu Handotai Kk filed Critical Shinetsu Handotai Kk
Publication of TW201114546A publication Critical patent/TW201114546A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI461256B publication Critical patent/TWI461256B/zh

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27Work carriers
    • B24B37/28Work carriers for double side lapping of plane surfaces
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49826Assembling or joining

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Description

雙面研磨裝置用載具的製造方法、雙面研磨裝置用載具及晶圓的雙面研磨方法
本發明是關於一種同時研磨晶圓的雙面時所使用的雙面研磨裝置用載具、其製造方法以及使用雙面研磨裝置來進行的晶圓的雙面研磨方法
進行拋光等來同時研磨晶圓的雙面時,藉由雙面研磨裝置用載具來保持晶圓。
第8圖是說明藉由先前所使用的通常的雙面研磨裝置來研磨晶圓的概略說明圖。如第8圖所示,雙面研磨裝置用載具101,其厚度被形成較晶圓W薄,並具備用以保持晶圓W於雙面研磨裝置120的上方磨盤108與下方磨盤109之間的預定位置的保持孔104。
晶圓W被插入此保持孔104中而被保持,以被設於上方磨盤108與下方磨盤109的對向面的研磨布110來夾住晶圓W的上表面和下表面。
此雙面研磨裝置用載具101,被太陽齒輪111與內部齒輪112嚙合,藉由太陽齒輪111的驅動旋轉而被自轉、公轉。然後,一邊供給研磨劑於研磨面,一邊使上方磨盤108與下方磨盤109互相地逆向旋轉,藉此,以被貼附於上方磨盤和下方磨盤上的研磨布110同時研磨晶圓W的雙面。
如此的晶圓W的雙面研磨製程中所使用的雙面研磨裝置用載具101,是以金屬製品為主流。因此,為了保護晶圓W的周邊部不因金屬製的載具101而造成損傷,樹脂嵌件103,沿著被形成於載具本體102的保持孔104的內周部而被裝設。先前,裝設此樹脂嵌件時,為了防止在晶圓的加工中、搬送時發生脫落,習知是將樹脂嵌件的外周部製成楔形,嵌入載具本體,進而以接著劑固定(參照專利文獻1)。
但是,若使用如此的雙面研磨裝置120來研磨晶圓W,則會有晶圓W的外周發生塌邊、或是發生奈米形貌不良的情況。
[先前技術文獻] (專利文獻)
專利文獻1:國際公開手冊第WO2006/001340號
本發明人調查如此的晶圓的外周塌邊、奈米形貌不良的發生原因後的結果,如第9圖(A)(B)所示,得知:若與要進行研磨的晶圓W的周邊部接觸的樹脂嵌件103的內周面106,相對於載具的主面105傾斜,則載具101壓抵晶圓W的力量,不僅是與研磨布或載具的主面105平行的成分,也會產生向上側或下側壓抵的成分,其結果,晶圓W局部地被研磨布壓抵,產生外周塌邊,而產生奈米形貌不良。
先前,組合載具本體與樹脂嵌件而成的雙面研磨裝置用載具的製造中,首先,分別製作載具本體與樹脂嵌件,之後,將樹脂嵌件裝設於載具本體。
製作此樹脂嵌件時,從樹脂基材切削出外周部為楔形的環的形狀,但包含楔形為止的環的寬度較小,通常為5mm以下,因此,此部分的機械性強度小,容易歪曲。另外,相較於樹脂嵌件的內周面的長度,楔形的切出長度變大。此較長的加工長度會伴隨發生的加工熱而造成樹脂基材的膨脹,因此,於插入載具本體之前的階段,容易歪曲。
進而,載具本體與樹脂嵌件的楔形的嵌入部分,為了防止使用時的樹脂嵌件發生脫落,未預留充裕的尺寸公差,因兩者的加工精度、機械性強度的相異,樹脂嵌件會一邊變形一邊被插入載具本體。
如此,若將歪曲的樹脂嵌件插入公差小的載具本體中,其結果,樹脂嵌件將會更加歪曲。例如,即使是欲使樹脂嵌件的內周面相對於載具本體的主面呈直角的情況,也會因為此歪曲,導致不呈直角而傾斜。
本發明是有鑑於前述的問題而開發出來,其目的在於提供一種雙面研磨裝置用載具的製造方法,可抑制樹脂嵌件的歪曲,精度良好地加工成預定的內周面形狀,且可抑制所研磨的晶圓的外周塌邊與奈米形貌不良的情況。
另外,本發明的目的在於提供一種晶圓的雙面研磨方法,可抑制樹脂嵌件的歪曲造成的研磨晶圓的外周塌邊與奈米形貌不良。
為了達成上述目的,若依據本發明,則提供一種雙面研磨裝置用載具的製造方法,是製造雙面研磨裝置用載具的方法,該雙面研磨裝置用載具,由載具本體與樹脂嵌件所構成,在用以研磨晶圓的雙面的雙面研磨裝置中,被配設於貼附有研磨布的上方磨盤和下方磨盤之間,該載具本體,形成有在研磨時用以保持要被夾於前述上方磨盤和下方磨盤之間的前述晶圓的保持孔,該樹脂嵌件,其形狀為環狀,沿著該載具本體的保持孔的內周而被配置,並具有接觸前述被保持的晶圓的周邊部的內周面,該雙面研磨裝置用載具的製造方法的特徵在於:至少,將未形成有要與前述被保持的晶圓接觸的內周面的前述樹脂嵌件的基材,裝設至前述載具本體的保持孔之後,對該樹脂嵌件的基材進行內周面形成加工,來形成接觸前述被保持的晶圓的周邊部的內周面。
如此,若至少將未形成有要與前述被保持的晶圓接觸的內周面的前述樹脂嵌件的基材,裝設至前述載具本體的保持孔之後,對該樹脂嵌件的基材進行內周面形成加工,來形成接觸前述被保持的晶圓的周邊部的內周面,則可製造出一種雙面研磨裝置用載具,其能抑制樹脂嵌件的歪曲,精度良好地加工成預定的內周面形狀,且可抑制所研磨的晶圓的外周塌邊和奈米形貌不良的情況。
此時,能以使前述樹脂嵌件的內周面與前述載具本體的主面所夾的角度θ成為88°≦θ≦92°的方式,來進行前述內周面形成加工。
如此,若以使前述樹脂嵌件的內周面與前述載具本體的主面所夾的角度θ成為88°≦θ≦92°的方式,來進行前述內周面形成加工,則成為一種可更確實地抑制研磨晶圓的外周塌邊和奈米形貌不良的雙面研磨裝置用載具。
另外,此時,可採用圓盤狀物或具有小於前述晶圓直徑的內徑的環狀物來作為前述樹脂嵌件的基材。
如此,若採用圓盤狀物來作為前述樹脂嵌件的基材,則可更確實地抑制樹脂嵌件發生歪曲。另外,若採用具有小於前述晶圓直徑的內徑的環狀物來作為前述樹脂嵌件的基材,則可充分抑制樹脂嵌件的歪曲。
另外,此時,能將前述樹脂嵌件的基材的材質設為聚醯胺樹脂。
如此,若將前述樹脂嵌件的基材的材質設為聚醯胺樹脂,則可充分地發揮保護晶圓W的周邊部來避免由載具所造成的損傷的效果,且使其機械性強度高。
另外,若依據本發明,則可提供一種雙面研磨裝置用載具,其是藉由上述的本發明的雙面研磨裝置用載具的製造方法而被製造出來。
如此,若是藉由上述的本發明的雙面研磨裝置用載具的製造方法而被製造出來的雙面研磨裝置用載具,則樹脂嵌件的歪曲會被抑制,內周面精度良好地被加工成預定的形狀,因此,成為一種雙面研磨裝置用載具,在研磨晶圓時,可抑制外周塌邊和奈米形貌不良的情況。
另外,若依據本發明,則提供一種晶圓的雙面研磨方法,是將被保持於雙面研磨裝置用載具中的晶圓,以貼附有研磨布的上方磨盤和下方磨盤夾住,來同時研磨前述晶圓的雙面的方法,該雙面研磨裝置用載具,具備:用以保持晶圓的保持孔;及樹脂嵌件,其形狀為環狀,沿著該保持孔的內周而被配置,並具有接觸前述被保持的晶圓的周邊部的內周面,該晶圓的雙面研磨方法的特徵在於:在研磨前述晶圓之前,預先檢查前述樹脂嵌件的內周面與前述載具所夾的主面的角度,僅使用該檢查出來的角度θ滿足88°≦θ≦92°的構件來研磨前述晶圓。
如此,若在研磨前述晶圓之前,預先檢查前述樹脂嵌件的內周面與前述載具的主面所夾的角度,僅使用該檢查出來的角度θ滿足88°≦θ≦92°的構件來研磨前述晶圓,則在研磨晶圓時,可確實地抑制外周塌邊和奈米形貌不良的情況。
本發明,於雙面研磨裝置用載具的製造方法中,至少,將未形成有要與被保持的晶圓接觸的內周面的樹脂嵌件的基材,裝設至載具本體的保持孔之後,對該樹脂嵌件的基材進行內周面形成加工,來形成接觸前述被保持的晶圓的周邊部的內周面,因此,可抑制樹脂嵌件的歪曲,精度良好地加工成預定的內周面形狀,且可製造出一種雙面研磨裝置用載具,能抑制所研磨的晶圓的外周塌邊和奈米形貌不良的情況。
另外,於晶圓的雙面研磨方法中,在研磨晶圓之前,預先檢查樹脂嵌件的內周面與載具的主面所夾的角度,僅使用該檢查出來的角度θ滿足88°≦θ≦92°的構件來研磨前述晶圓,因此,在研磨晶圓時,可確實地抑制外周塌邊和奈米形貌不良的情況。
以下,說明本發明的實施形態,但是本發明不被限定於此實施形態。
先前,組合載具本體與樹脂嵌件而成的雙面研磨裝置用載具的製造中,首先,分別製作載具本體與樹脂嵌件,亦即,進行樹脂嵌件的內周面形成加工而作成環狀之後,將該樹脂嵌件裝設於載具本體。但是,若依此種方式來製造雙面研磨裝置用載具,則會於樹脂嵌件發生歪曲,例如可知即使是預先將樹脂嵌件的內周面相對於載具的主面加工成直角的情況,因裝設後的樹脂嵌件的歪曲等,會造成內周面不呈直角而傾斜。
而且,若於如此的狀態下進行晶圓的研磨,則會有於經研磨的晶圓發生外周塌邊、奈米形貌不良等的問題。
對此,本發明人不斷努力檢討了應如何解決如此的問題。其結果,想到了:若於雙面研磨裝置用載具的製造中,並非預先於樹脂嵌件形成內周面,而是將樹脂嵌件的基材裝設於載具本體之後,才進行樹脂嵌件的內周面形成加工,來形成要與被保持的晶圓的周邊部接觸的內周面,便能抑制樹脂嵌件的歪曲,可精度良好地將樹脂嵌件的內周面,例如形成相對於載具的主面呈直角等的預定的形狀。
另外,也想到了以下的技術而完成本發明,亦即:若於進行晶圓的研磨之前,先檢查樹脂嵌件的內周面與載具的主面所夾的角度θ,僅使用其角度θ特別地滿足88°≦θ≦92°的構件來進行研磨,則可確實地抑制晶圓的外周塌邊、奈米形貌不良等。
第1圖是表示以本發明的雙面研磨裝置用載具的製造方法製造的本發明的雙面研磨裝置用載具的一例的概略圖,第2圖是表示具備此雙面研磨裝置用載具的雙面研磨裝置的一例的概略圖。
如第1圖所示,雙面研磨裝置用載具1,具有載具本體2,該載具本體2形成有用以保持晶圓W的保持孔4。樹脂嵌件3,沿著此載具本體2的保持孔4的內周而被配置。藉由此樹脂嵌件3,在研磨中,可防止晶圓W與載具本體2接觸而導致晶圓W的周邊部發生損傷。
而且,晶圓W被插入如此的雙面研磨裝置用載具1的保持孔4,於是,樹脂嵌件3的內周面6與晶圓W的周邊部接觸而被保持。
另外,雙面研磨裝置用載具1,除了保持孔4之外,另設有用以流通研磨液的研磨液孔13,於外周部設有外周齒7。
另外,如第2圖所示,雙面研磨裝置20,具備被設置成上下相對向的上方磨盤8與下方磨盤9,研磨布10分別被貼附於各磨盤8、9的對向面側。並且,晶圓W被保持於雙面研磨裝置用載具1的保持孔4,而被夾於上方磨盤8與下方磨盤9之間。另外,太陽齒輪11被設於上方磨盤8與下方磨盤9之間的中心部,內部齒輪12被設於周邊部。
另外,雙面研磨裝置用載具1的外周齒7,嚙合於太陽齒輪11和內部齒輪12的各齒部,隨著上方磨盤8及下方磨盤9藉由未圖示的驅動源而被旋轉,雙面研磨裝置用載具1作自轉且繞著太陽齒輪11作公轉。
以下,具體地說明製造如此的雙面研磨裝置用載具之本發明的製造方法。
首先,製作雙面研磨裝置用載具的載具本體。如第1圖所示,於載具本體2形成用以保持晶圓W的保持孔4。另外,於外周部形成與如上述的雙面研磨裝置的太陽齒輪及內部齒輪嚙合的外周齒7。
另外,可於載具本體2設置用以流通研磨液的研磨液孔13。
此處,研磨液孔13的配置、個數等,不限於第1圖所示而可任意設定。
另外,在如第1圖所示的雙面研磨裝置用載具1的例子中,設置一個保持孔4,但是如第3圖所示,也可於雙面研磨裝置用載具31設置複數個保持孔4,沿著各保持孔4的內周來配置樹脂嵌件3。
此處,載具本體2的材質並未被特別限定,例如可為鈦。另外,載具本體2的表面可被覆硬度高的類鑽碳(Diamond like carbon;DLC)膜。如此,若被覆DLC膜,則可提高雙面研磨裝置用載具的耐久性,延長載具壽命,可減少交換頻度。
另外,準備樹脂嵌件3的基材,其尚未形成要與被保持的晶圓W接觸的內周面6。將此基材的外周部加工形成沿著上述已製作的載具本體2的保持孔4的內周的形狀。然後,將此基材裝設在上述已製作的載具本體2的保持孔4中。此時,因基材的外周部和載具本體2的保持孔4的內周部分別形成楔形而嵌入,可使樹脂嵌件3難以從載具本體2脫落。再者,可將兩者以接著劑固定。
此處,樹脂嵌件3的基材的材質,例如可設為聚醯胺樹脂。聚醯胺樹脂是高強度、高彈性率的材料,可提高耐久性且保護晶圓W的周邊部,避免因例如鈦等的金屬製的雙面研磨裝置用載具1而造成的損傷。
之後,對裝設於載具本體2的保持孔4中的狀態的樹脂嵌件3的基材,進行內周面形成加工,形成前述要與被保持的晶圓的周邊部接觸的內周面。此處,樹脂嵌件3的基材的內周面形成加工,可藉由機械研削,低成本地進行。另外,亦可利用雷射切削加工,高速且精度佳地進行加工。
如此,若不是如先前般地對樹脂嵌件3預先製作出形成有要與晶圓W接觸的內周面而成的環狀物之後,再配置於載具本體2,而是將樹脂嵌件3的基材(尚未形成要與被保持的晶圓W接觸的內周面),裝設於載具本體2上之後,進行樹脂嵌件3的內周面形成加工,則例如將樹脂嵌件3的外周部形成楔形時、或是將樹脂嵌件3的基材裝設於載具本體2時,可抑制樹脂嵌件3發生歪曲,能精度良好地加工成預定的內周面形狀。若使用具有此種樹脂嵌件(歪曲被抑制,其內周面形狀被精度良好地加工)的本發明的雙面研磨裝置用載具,來進行晶圓的研磨,則可抑制晶圓W的外周塌邊和奈米形貌不良。
此時,特別是如第5圖所示,以樹脂嵌件3的內周面6與載具本體2的主面5所夾的角度θ成為88°≦θ≦92°的方式,來進行樹脂嵌件3的內周面形成加工,藉此,能抑制研磨時的雙面研磨裝置用載具1往上下按壓晶圓W的力量,而可更確實地抑制晶圓W的外周塌邊和奈米形貌不良。
另外,此時,如第4圖(A)所示,可採用圓盤狀物來作為樹脂嵌件3的基材。若採用如此的基材17,於樹脂嵌件3的基材17的外周部形成楔形時、以及於裝設至載具本體2上時,可確實地抑制樹脂嵌件3的基材17的歪曲,精度良好地加工成預定的內周面6的形狀。
另外,如第4圖(B)所示,可採用具有小於晶圓W直徑的內徑的環狀物來作為樹脂嵌件3的基材17。若採用如此的基材17,可充分抑制樹脂嵌件3的歪曲,精度良好地加工成預定的內周面6的形狀,可縮短內周面形成加工的時間,亦即,可縮減雙面研磨裝置用載具的製造的製程時間。
接著,說明本發明的晶圓的雙面研磨方法。此處,說明使用如第2圖所示的雙面研磨裝置的情況。
首先,以雙面研磨裝置用載具1保持晶圓W來進行研磨之前,預先檢查樹脂嵌件3的內周面6與雙面研磨裝置用載具1的主面5所夾的角度θ。此檢查,例如可利用輪廓形狀測定機來進行。
然後,僅選擇以此種方式檢查出來的角度θ滿足88°≦θ≦92°的雙面研磨裝置用載具1。於此選擇出來的雙面研磨裝置用載具1的保持孔4中,保持要研磨的晶圓W,並以被貼附於上下方磨盤8、9上的研磨布10來夾住晶圓W的上方研磨面和下方研磨面,一邊將研磨劑供給至研磨面一邊進行研磨。
另外,其他研磨時的條件等,可與先前的雙面研磨方法設成來進行研磨。
若依此種方式來進行晶圓的研磨,則可確實地抑制所研磨的晶圓的外周塌邊和奈米形貌不良的情況。
又,樹脂嵌件3的內周面6與雙面研磨裝置用載具1的主面5所夾的角度θ滿足88°≦θ≦92°的載具,可藉由本發明的雙面研磨裝置用載具的製造方法,確實地製造出來。
以下表示本發明的實施例與比較例,更具體地說明本發明,但是本發明不限定於這些例子。
(實施例1)
利用本發明的雙面研磨裝置用載具的製造方法,來製造如第1圖所示的雙面研磨裝置用載具。
首先,製作具有如第1圖所示的保持孔的鈦製載具本體,將如第4圖(A)所示的圓盤狀的樹脂嵌件的基材裝設於載具本體的保持孔之後,藉由機械研削加工,進行樹脂嵌件的內周面形成。此時,以使樹脂嵌件的內周面與載具本體的主面所夾的角度θ呈90°的方式來形成內周面。
此處,採用聚醯胺樹脂來作為樹脂嵌件的材質。
利用具備以此種方式而製造出來的雙面研磨裝置用載具的第2圖所示的雙面研磨裝置,並依據本發明的雙面研磨方法,進行矽晶圓的雙面研磨,然後評價晶圓的平坦度和奈米形貌。就晶圓的平坦度而言,測定了GBIR、SFQR、Roll Off。
首先,進行研磨之前,採用輪廓形狀測定機(Mitutoyo Corporation製造),預先檢查樹脂嵌件的內周面與載具的主面所夾的角度θ。其結果,可確認角度θ為90°。之後,利用此載具來進行矽晶圓的雙面研磨。
將經研磨的晶圓的平坦度和奈米形貌的結果,表示於第6圖。如第6圖所示,相較於後述比較例的結果,可知平坦度和奈米形貌被改善。
如此,本發明的雙面研磨裝置用載具的製造方法,確認了可抑制樹脂嵌件的歪曲,加工成預定的內周面形狀,並可製造出一種雙面研磨裝置用載具,能抑制所研磨的晶圓的外周塌邊和奈米形貌不良的情況。
另外,本發明的雙面研磨方法,確認了可確實地抑制所研磨的晶圓的外周塌邊和奈米形貌不良的情況。
(實施例2)
除了將樹脂嵌件的內周面與載具的主面所夾的角度設為88°及92°以外,以與實施例1同樣的方式來製造雙面研磨裝置用載具,並與實施例1同樣地進行矽晶圓的雙面研磨,且同樣地進行評價。
將經研磨的晶圓的平坦度和奈米形貌的結果,表示於第6圖。如第6圖所示,相較於實施例1的結果,雖然平坦度和奈米形貌多少成為不良的結果,但是相較於後述比較例的結果,可知平坦度和奈米形貌被改善,成為良好的結果。因此,若角度θ為88°≦θ≦92°,則可以說能更確實地抑制所研磨的晶圓的外周塌邊和奈米形貌不良的情況。
(比較例)
以先前的製造方法,也就是先分別製作載具本體與樹脂嵌件,之後將樹脂嵌件裝設於載具本體的方法,來製造雙面研磨裝置用載具。
樹脂嵌件,是將其內周面以相對於載具本體的主面成為90°的角度的方式,進行加工而製作出來,但是裝設於載具中之後,利用輪廓形狀測定機(Mitutoyo Corporation(三豐儀器股份有限公司)製造)來檢查樹脂嵌件的內周面與載具的主面所夾的角度θ時,未成為90°而傾斜。此被認為是因樹脂嵌件的歪曲而導致的結果。
檢查如此地製造出來的雙面研磨裝置用載具的樹脂嵌件的內周面與載具主面所夾的角度θ,選擇出θ為72.5°和107.5°的構件來進行矽晶圓的雙面研削,並進行與實施例1同樣的評價。
將其結果表示於第6圖。如第6圖所示,相較於實施例1、2的結果,可知平坦度和奈米形貌惡化。另外,奈米形貌的明暗會對應角度θ的傾斜反轉而反轉。亦即,可知晶圓的發生外周塌邊的面會交替變換。
另外,將測定此時的晶圓的表面和背面的形狀的結果表示於第7圖。如第7圖所示,可知晶圓的表面和背面的形狀是對應角度θ而變化。
又,本發明並不是被限定於上述實施形態,上述實施形態僅為例示,凡是具有和本發明申請專利範圍中所記載的技術思想實質相同的構成,可達到同樣的作用效果的技術,皆包含在本發明的技術範圍中。
1...雙面研磨裝置用載具
2...載具本體
3...樹脂嵌件
4...保持孔
5...主面
6...內周面
7...外周齒
8...上方磨盤
9...下方磨盤
10...研磨布
11...太陽齒輪
12...內部齒輪
13...研磨液孔
17...基材
20...雙面研磨裝置
31...雙面研磨裝置用載具
101...雙面研磨裝置用載具
102...載具本體
103...樹脂嵌件
104...保持孔
105...主面
106...內周面
108...上方磨盤
109...下方磨盤
110...研磨布
111...太陽齒輪
112...內部齒輪
120...雙面研磨裝置
第1圖是表示以本發明的雙面研磨裝置用載具的製造方法製造的本發明的雙面研磨裝置用載具的一例的概略圖。
第2圖是表示具備本發明的雙面研磨裝置用載具的雙面研磨裝置的一例的概略圖。
第3圖是表示以本發明的雙面研磨裝置用載具的製造方法製造的本發明的雙面研磨裝置用載具的另一例的概略圖。
第4圖是說明本發明的雙面研磨裝置用載具的製造方法及能在此製造方法中使用的樹脂嵌件的基材的一例的概略說明圖;(A)使用圓盤狀的樹脂嵌件的基材的情況,(B)使用具有小於晶圓直徑的內徑的環狀樹脂嵌件的基材的情況。
第5圖是表示以本發明的雙面研磨裝置用載具的製造方法來進行的內周面形成加工中的內周面形狀的一例的概略說明圖。
第6圖是表示實施例1、實施例2及比較例的結果的圖。
第7圖是表示比較例中的研磨後的晶圓的表面形狀的結果的圖。
第8圖是說明使用先前通常被採用的雙面研磨裝置來研磨晶圓的概略說明圖。
第9圖是說明使用雙面研磨裝置載具來研磨晶圓時的晶圓的狀態的概略說明圖,該雙面研磨裝置由於以先前的製造方法製造出來的樹脂嵌件歪曲而造成傾斜。
2...載具本體
3...樹脂嵌件
6...內周面
17...基材

Claims (6)

  1. 一種雙面研磨裝置用載具的製造方法,是製造雙面研磨裝置用載具的方法,該雙面研磨裝置用載具,由載具本體與樹脂嵌件所構成,在用以研磨晶圓的雙面的雙面研磨裝置中,被配設於貼附有研磨布的上方磨盤和下方磨盤之間,該載具本體,形成有在研磨時用以保持要被夾於前述上方磨盤和下方磨盤之間的前述晶圓的保持孔,該樹脂嵌件,其形狀為環狀,沿著該載具本體的保持孔的內周而被配置,並具有接觸前述被保持的晶圓的周邊部的內周面,該雙面研磨裝置用載具的製造方法的特徵在於:至少,將未形成有要與前述被保持的晶圓接觸的內周面的前述樹脂嵌件的基材,裝設至前述載具本體的保持孔之後,對該樹脂嵌件的基材進行內周面形成加工,來形成要接觸前述被保持的晶圓的周邊部的內周面;其中,採用圓盤狀物或具有小於前述晶圓直徑的內徑的環狀物來作為前述樹脂嵌件的基材。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的雙面研磨裝置用載具的製造方法,其中,以使前述樹脂嵌件的內周面與前述載具本體的主面所夾的角度θ成為88°≦θ≦92°的方式,來進行前述內周面形成加工。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的雙面研磨裝置用載具的製造方法,其中,將前述樹脂嵌件的基材的材質設為聚醯胺樹脂。
  4. 如申請專利範圍第2項所述的雙面研磨裝置用載具的製造方法,其中,將前述樹脂嵌件的基材的材質設為聚醯胺樹脂。
  5. 一種雙面研磨裝置用載具,其是藉由申請專利範圍第1至4項中任一項所述的雙面研磨裝置用載具的製造方法而被製造出來。
  6. 一種晶圓的雙面研磨方法,是將被保持於如申請專利範圍第5項所述的雙面研磨裝置用載具中的晶圓,以貼附有研磨布的上方磨盤和下方磨盤夾住,來同時研磨前述晶圓的雙面的方法,該雙面研磨裝置用載具,具備:用以保持晶圓的保持孔;及樹脂嵌件,其形狀為環狀,沿著該保持孔的內周而被配置,並具有接觸前述被保持的晶圓的周邊部的內周面,該晶圓的雙面研磨方法的特徵在於:在研磨前述晶圓之前,預先檢查前述樹脂嵌件的內周面與前述載具的主面所夾的角度,僅使用該檢查出來的角度θ滿足88°≦θ≦92°的構件來研磨前述晶圓。
TW099120481A 2009-07-21 2010-06-23 A method for manufacturing a carrier for a double-sided polishing apparatus, a double-sided polishing method for a double-sided polishing apparatus, and a wafer TWI461256B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009170138A JP5233888B2 (ja) 2009-07-21 2009-07-21 両面研磨装置用キャリアの製造方法、両面研磨装置用キャリア及びウェーハの両面研磨方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201114546A TW201114546A (en) 2011-05-01
TWI461256B true TWI461256B (zh) 2014-11-21

Family

ID=43498904

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW099120481A TWI461256B (zh) 2009-07-21 2010-06-23 A method for manufacturing a carrier for a double-sided polishing apparatus, a double-sided polishing method for a double-sided polishing apparatus, and a wafer

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9050698B2 (zh)
JP (1) JP5233888B2 (zh)
TW (1) TWI461256B (zh)
WO (1) WO2011010423A1 (zh)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5605260B2 (ja) * 2011-02-18 2014-10-15 信越半導体株式会社 インサート材及び両面研磨装置
JP5648623B2 (ja) * 2011-12-01 2015-01-07 信越半導体株式会社 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法
JP5741497B2 (ja) * 2012-02-15 2015-07-01 信越半導体株式会社 ウェーハの両面研磨方法
JP5748717B2 (ja) * 2012-09-06 2015-07-15 信越半導体株式会社 両面研磨方法
DE102013200072A1 (de) * 2013-01-04 2014-07-10 Siltronic Ag Läuferscheibe und Verfahren zur gleichzeitig beidseitigen Politur von Halbleiterscheiben
JP5807648B2 (ja) * 2013-01-29 2015-11-10 信越半導体株式会社 両面研磨装置用キャリア及びウェーハの両面研磨方法
JP5847789B2 (ja) * 2013-02-13 2016-01-27 信越半導体株式会社 両面研磨装置用キャリアの製造方法およびウエーハの両面研磨方法
JP6280355B2 (ja) * 2013-11-29 2018-02-14 Hoya株式会社 磁気ディスク用基板の製造方法及び研磨処理用キャリア
US10145013B2 (en) 2014-01-27 2018-12-04 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier having retention pockets with compound radii for chemical vapor desposition systems
JP6056793B2 (ja) * 2014-03-14 2017-01-11 信越半導体株式会社 両面研磨装置用キャリアの製造方法及び両面研磨方法
JP6424809B2 (ja) * 2015-12-11 2018-11-21 信越半導体株式会社 ウェーハの両面研磨方法
JP6673772B2 (ja) * 2016-07-27 2020-03-25 スピードファム株式会社 ワークキャリア及びワークキャリアの製造方法
JP6743785B2 (ja) 2017-08-30 2020-08-19 株式会社Sumco キャリアの製造方法およびウェーハの研磨方法
JP6870623B2 (ja) * 2018-01-18 2021-05-12 信越半導体株式会社 キャリアの製造方法及びウェーハの両面研磨方法
JP7070010B2 (ja) * 2018-04-16 2022-05-18 株式会社Sumco キャリアの製造方法および半導体ウェーハの研磨方法
CN115847281A (zh) * 2022-12-07 2023-03-28 西安奕斯伟材料科技有限公司 一种硅片的双面抛光用的载具以及装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000210863A (ja) * 1999-01-22 2000-08-02 Toshiba Ceramics Co Ltd キャリア
JP2003305637A (ja) * 2002-04-15 2003-10-28 Shirasaki Seisakusho:Kk 脆性薄板の研磨用ホルダ
JP2003340711A (ja) * 2002-05-22 2003-12-02 Sagami Pci Kk 研磨機用キャリア

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5244555A (en) * 1991-11-27 1993-09-14 Komag, Inc. Floating pocket memory disk carrier, memory disk and method
US6439984B1 (en) * 1998-09-16 2002-08-27 Entegris, Inc. Molded non-abrasive substrate carrier for use in polishing operations
JP2001198804A (ja) * 2000-01-18 2001-07-24 Hitachi Cable Ltd 両面一次ポリッシュ用ウェハキャリア
JP3439726B2 (ja) * 2000-07-10 2003-08-25 住友ベークライト株式会社 被研磨物保持材及びその製造方法
DE112005001447B4 (de) 2004-06-23 2019-12-05 Komatsu Denshi Kinzoku K.K. Doppelseitenpolierträger und Herstellungsverfahren desselben
DE102005034119B3 (de) * 2005-07-21 2006-12-07 Siltronic Ag Verfahren zum Bearbeiten einer Halbleiterscheibe, die in einer Aussparung einer Läuferscheibe geführt wird
JP5114113B2 (ja) * 2007-07-02 2013-01-09 スピードファム株式会社 ワークキャリア
JP4605233B2 (ja) * 2008-02-27 2011-01-05 信越半導体株式会社 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000210863A (ja) * 1999-01-22 2000-08-02 Toshiba Ceramics Co Ltd キャリア
JP2003305637A (ja) * 2002-04-15 2003-10-28 Shirasaki Seisakusho:Kk 脆性薄板の研磨用ホルダ
JP2003340711A (ja) * 2002-05-22 2003-12-02 Sagami Pci Kk 研磨機用キャリア

Also Published As

Publication number Publication date
TW201114546A (en) 2011-05-01
WO2011010423A1 (ja) 2011-01-27
JP5233888B2 (ja) 2013-07-10
US20120100788A1 (en) 2012-04-26
US9050698B2 (en) 2015-06-09
JP2011025322A (ja) 2011-02-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI461256B (zh) A method for manufacturing a carrier for a double-sided polishing apparatus, a double-sided polishing method for a double-sided polishing apparatus, and a wafer
TWI418439B (zh) A double-sided grinding apparatus, a double-sided polishing apparatus using the same, and a double-sided polishing method
TWI390616B (zh) Semiconductor wafer manufacturing method
JP5614397B2 (ja) 両面研磨方法
KR101565026B1 (ko) 양면 연마 장치용 캐리어 및 이를 이용한 양면 연마 장치, 및 양면 연마 방법
KR101549055B1 (ko) 워크의 양두 연삭 장치 및 워크의 양두 연삭 방법
US9293318B2 (en) Semiconductor wafer manufacturing method
EP1852900B1 (en) Carrier for double side polishing machine and double side polishing machine employing it, and double side polishing method
KR20110022563A (ko) 양두 연삭 장치 및 웨이퍼의 제조 방법
WO2013080453A1 (ja) 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法
WO2014038129A1 (ja) 両面研磨方法
JP2022107820A (ja) 研磨用または研削用のキャリアおよびそれを用いた磁気ディスク用アルミ基板の製造方法
KR102454449B1 (ko) 웨이퍼의 제조방법
TWI622461B (zh) 承載環、研磨裝置以及研磨方法
CN110052955B (zh) 载体的制造方法及晶圆的双面研磨方法
JP4992306B2 (ja) ワークキャリアとその製造方法及び両面研磨機
KR20070062871A (ko) 양면 연마장치의 캐리어 플레이트 구조
JP2005205543A (ja) ウエーハの研削方法及びウエーハ
CN109414799B (zh) 双面研磨装置
TW202245033A (zh) 具有凸多邊形磨料構件的雙面研磨裝置
TW202109653A (zh) 研磨墊、研磨裝置、使用了該研磨裝置之研磨方法、及研磨墊的製造方法
JP2008238287A (ja) 両面研磨装置用キャリア
JP2013218761A (ja) 磁気記録媒体用ガラス基板の保持治具、磁気記録媒体用ガラス基板の加工装置、及び、磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法