JP2002187065A - ドレッサー、ドレッサーに使用する硬質砥粒の配列方法、及びドレッサー製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体基板表面のミクロスクラッチ傷を抑え
るとともに、安定したドレッサー特性が得られるように
する。 【解決手段】 半導体基盤用研磨布のドレッサーは、支
持部材１と、支持部材１の面上にろう付けされた複数の
ダイヤモンド粒２とからなり、備支持部材１の表面にお
いて、正方形で作られる単位格子Ａの各頂点にダイヤモ
ンド粒２を配置、或いは、正三角形で作られる単位格子
Ｂの各頂点にダイヤモンド粒２を配置している。ダイヤ
モンド粒２の配列方法としては、例えば、接着剤４を塗
布した支持部材１の表面上に、規則的に配列させられた
貫通穴６の形成された配列板５を載置した状態で、配列
板５上にダイヤモンド粒２を散布する。ダイヤモンド粒
２が全ての貫通穴６に入り込んだならば、余分なダイヤ
モンド粒２を取り除いた後、配列板５を支持部材１の表
面から取り外す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板用の研
磨布の目詰まりを解消し、異物を除去するのに使用され
るドレッサー、ドレッサーに使用する硬質砥粒の配列方
法、及びドレッサー製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ウェハのポリッシングにおいては、ＣＭ
Ｐ(Chemical Mechanical Polishing)と呼ばれる研磨方
法が提案されている。ＣＭＰは、機械的研磨作用に化学
的研磨作用を重畳して働かせることにより、研磨速度の
確保と被研磨材が無欠陥であることの両立を可能とした
ものであり、シリコンウェハの仕上げポリッシング工程
で広く使用されている。

【０００３】また、近年ではデバイスの高集積化に伴
い、集積回路を製造する所定の段階で、ウェハ表面やウ
ェハ表面に導電体・誘電体層が形成された半導体基板表
面を研磨することが必要になってきた。半導体基板は、
研磨されて、高い隆起や結晶格子損傷、引っかき傷、粗
さ等の表面欠陥、又は埋もれた異物粒子が除去される。
通常、この工程は、ウェハ上に種々の素子及び集積回路
を形成する間に行われる。この研磨工程では、シリコン
ウェハの仕上げポリッシング工程と同様に、研磨速度と
無欠陥であることの両立が必要である。化学スラリーを
導入することにより、半導体表面により大きな研磨除去
速度及び無欠陥性が与えられる化学的かつ機械的平坦化
が行われる。

【０００４】ＣＭＰ工程の一例としては、図８に示すよ
うに、例えば５〜３００ｎｍ程度の粒径を有するシリカ
粒子を苛性ソーダ、アンモニア及びアミン等のアルカリ
溶液に懸濁させてＰＨ９〜１２程度に化学スラリー１０
１と、ポリウレタン樹脂等からなる研磨布１０２とが用
いられる。研磨時には、化学スラリー１０１を流布しな
がら、半導体基板１０３を研磨布１０２に適当な圧力で
当接させ、同図の矢印に示すように相対回転させること
により研磨が行われる。

【０００５】そして、前記研磨布１０２のドレッシング
法としては、研磨布１０２に水又は化学スラリーを流し
ながら、ドレッサーを用いたブラッシングを行って、研
磨布１０２の目詰まりを解消し、異物を除去していた。
ドレッサーを用いたブラッシングは、半導体基板１０３
の研磨が終わった後に、ドレッサーを研磨布１０２に当
接させるか、或いは、半導体基板１０３の研磨と同時
に、半導体基板１０３が当接する位置とは別の位置でド
レッサーを研磨布１０２に当接させるかして行われる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】従来の研磨布のブラッ
シングに用いられるドレッサーでは、図９に示すよう
に、円板状の支持部材２０１の表面に、硬質砥粒として
ダイヤモンド粒２０２を人手で撒く等して適当に均一に
分布させた後、これらダイヤモンド粒２０２を固着させ
ていた。

【０００７】しかし、この場合、いかに丁寧にダイヤモ
ンド粒２０２を散布したとしても、その分布には粗密が
できてしまう。このようにダイヤモンド粒２０２の分布
に粗密ができたドレッサーを使用すると、ダイヤモンド
粒２０２の集合部分（密部分）に化学スラリー中の砥粒
が凝集しやすくなってしまう。そして、その砥粒の凝集
が研磨布（図８中１０２）に付着し、半導体基板（図８
中１０３）にミクロスクラッチ傷をつけてしまうといっ
た深刻な問題を引き起こしていた。

【０００８】また、ダイヤモンド粒２０２の不均一な分
布は、ドレッサー固体間での相違の原因となり、安定し
たドレッサー特性の発現が妨げられていた。

【０００９】本発明は前記のような点に鑑みてなされた
ものであり、半導体基板表面のミクロスクラッチ傷を抑
えるとともに、安定したドレッサー特性が得られるよう
にすることを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明のドレッサーは、
支持部材と、前記支持部材の面上に設けられた複数の硬
質砥粒とを備えたドレッサーであって、前記複数の硬質
砥粒が前記支持部材の面上に規則的に配列させられてい
る点に特徴を有する。

【００１１】また、本発明のドレッサーの他の特徴とす
るところは、前記硬質砥粒が、前記支持部材の面上で正
方形で作られる単位格子の各頂点に配置される点にあ
る。

【００１２】また、本発明のドレッサーの他の特徴とす
るところは、前記硬質砥粒が、前記支持部材の面上で正
三角形で作られる単位格子の各頂点に配置される点にあ
る。

【００１３】また、本発明の別のドレッサーは、支持部
材と、前記支持部材の面上に設けられた複数の硬質砥粒
とを備えたドレッサーであって、前記硬質砥粒が存在す
る一定面積の領域間で、前記硬質砥粒の密度のばらつき
が±５０％以内である点に特徴を有する。

【００１４】また、本発明のドレッサーの他の特徴とす
るところは、前記硬質砥粒はダイヤモンド粒である点に
ある。

【００１５】また、本発明のドレッサーの他の特徴とす
るところは、チタン、クロム、又はジルコニウムより選
ばれた１種以上を０．５〜２０ｗｔ％含む融点６５０℃
〜１２００℃の合金を用いて、前記ダイヤモンド粒を金
属及び／又は合金からなる前記支持部材に、単層、ろう
付けし、前記ダイヤモンド粒と前記合金との界面にチタ
ン、クロム、又はジルコニウムより選ばれた金属の炭化
物層が形成されている点にある。

【００１６】本発明のドレッサーに使用する硬質砥粒の
配列方法は、規則的に配列させられた複数の貫通穴が形
成された薄板状の配列部材を被配列面上に位置させる手
順と、前記配列部材の各貫通穴に硬質砥粒を入れ込む手
順とを有する点に特徴を有する。

【００１７】また、本発明のドレッサーに使用する硬質
砥粒の配列方法の他の特徴とするところは、前記被配列
面は、ドレッサーを構成する支持部材の表面である点に
ある。

【００１８】また、本発明の別のドレッサーに使用する
硬質砥粒の配列方法は、複数の硬質砥粒を規則的に配列
させた状態で保持部材に保持する手順と、前記保持部材
により保持された硬質砥粒を、ドレッサーを構成する支
持部材の表面に転写する手順とを有する点に特徴を有す
る。

【００１９】また、本発明のドレッサーに使用する硬質
砥粒の配列方法の他の特徴とするところは、前記保持部
材には前記硬質砥粒を保持するための第１の接着手段を
設け、前記支持部材の表面には第２の接着手段を設け、
これら第１、２の接着手段の性質に差を持たせた点にあ
る。

【００２０】本発明のドレッサー製造方法は、上記ドレ
ッサーに使用する硬質砥粒の配列方法を利用して前記硬
質砥粒を前記支持部材の表面上に配列させた後、前記硬
質砥粒を前記支持部材の表面に固着する点に特徴を有す
る。

【００２１】上記のようにした本発明においては、硬質
砥粒の分布に粗密がなくなるので、当該ドレッサーを使
用しても、硬質砥粒の密部分にスラリー中の砥粒が凝集
してしまうようなことがない。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
半導体基板用研磨布のドレッサー、半導体基板用研磨布
のドレッサーに使用する硬質砥粒の配列方法、及びドレ
ッサー製造方法の実施の形態について説明する。

【００２３】図１を用いて、ドレッサーについて説明す
る。同図に示すように、ステンレス鋼等からなる円板状
の支持部材１の表面には、硬質砥粒としてダイヤモンド
粒２が固着されている。なお、図１に示す外観は一例で
あり、支持部材１の表面全てにダイヤモンド粒２が存在
しなくてもよく、例えば、支持部材１の表面に化学スラ
リーを逃すための逃し溝を形成する等してもよい。

【００２４】図２、３は、支持部材１の表面を拡大した
図であり、ダイヤモンド粒２の配列を示す。図２に示す
ものは、ダイヤモンド粒２を碁盤状に配列したものであ
り、支持部材１の表面において、正方形で作られる単位
格子Ａの各頂点にダイヤモンド粒２を配置している。換
言すれば、同図において一点鎖線で示すように、一定の
間隔をおいて平行に並ぶ第１の直線群Ｌ₁と、一定の間
隔をおいて平行に並び、前記第１の直線群Ｌ₁と９０度
の角度を持って交わる第２の直線群Ｌ₂（図１中の横
線）とを考え、これら直線群Ｌ₁、Ｌ₂の交点にダイヤモ
ンド粒２を配置している。

【００２５】図３に示すものは、ダイヤモンド粒２をハ
ニカム状に配列したものであり、支持部材１の表面にお
いて、正三角形で作られる単位格子Ｂの各頂点にダイヤ
モンド粒２を配置している。換言すれば、同図において
一点鎖線で示すように、一定の間隔をおいて平行に並ぶ
第３の直線群Ｌ₃と、一定の間隔をおいて平行に並び、
前記第３の直線群Ｌ₃と１２０度の角度を持って交わる
第４の直線群Ｌ₄とを考え、これら直線群Ｌ₃、Ｌ₄の交
点にダイヤモンド粒２を配置している。

【００２６】図２に示す配列では、あるダイヤモンド粒
２に対して、上下左右方向に隣り合う４つのダイヤモン
ド粒２までの距離がｒとなり、また、斜め方向に隣り合
う４つのダイヤモンド粒２までの距離が（√２）ｒとな
る。

【００２７】図３に示す配列では、あるダイヤモンド粒
２に対して、隣り合う６つのダイヤモンド粒２までの距
離が全てｒとなる。したがって、図３に示す配列の方が
ダイヤモンド粒２の分布がより厳密な意味で均一とな
り、より優れたドレッサー特性を得ることができる。

【００２８】以下、図４〜７を参照して、ダイヤモンド
粒２の配列方法について説明する。本実施の形態では、
次の２通りの方法により、ダイヤモンド粒２を配列させ
ている。

【００２９】第１の方法では、図４に示すように、ろう
材３が設けられた支持部材１の表面に、接着剤４を塗布
しておく。そして、接着剤４を塗布した支持部材１の表
面上に配列板５を載置して、マスキングする。

【００３０】配列板５には、図５にも示すように、ダイ
ヤモンド粒２を配列させるための貫通穴６が形成されて
いる。すなわち、配列板５には、図２、３に示す配列と
同様に貫通穴６が配列させられている。貫通穴６の口径
Ｘは、ダイヤモンド粒２のサイズＤに対して、１．０Ｄ
＜Ｘ＜２．０Ｄとなっており、１つの貫通穴６に１個以
上のダイヤモンド粒２が同時に入り込まないようにして
いる。なお、配列板５の周囲には、飛散防止用壁５ａが
設けられている。

【００３１】図４に示すように、前記配列板５を支持部
材１の表面に載置した状態で、配列板５上にダイヤモン
ド粒２を散布する。このとき、配列板５に適当な振動を
加える等して、ダイヤモンド粒２が全ての貫通穴６に入
り込むようにする。全ての貫通穴６にダイヤモンド粒２
が入り込んだならば、配列板５上の余分なダイヤモンド
粒２をはけ等を用いて取り除く。その後、配列板５を支
持部材１の表面から取り外せば、ダイヤモンド粒２は、
図２、３に示すように配列された状態で支持部材１の表
面上に残ることになる。

【００３２】以上述べたようにして支持部材１の表面に
ダイヤモンド粒２を配列させたならば、単層、ろう付け
を行い、ダイヤモンド粒２を固定する。このろう付けの
際に、支持部材１の表面に塗布された接着剤４はろう材
３への加熱によって昇華し、支持部材１の表面上に残留
しない。

【００３３】なお、第１の方法において、配列板５の代
わりに、ワイヤで編まれたメッシュを用いてもよい。す
なわち、メッシュの各開口部分を配列板５でいう貫通穴
６として使用し、該開口部分にダイヤモンド粒２を入れ
込んで、支持部材１の表面に配列させる。

【００３４】第２の方法では、前記第１の方法のように
ダイヤモンド粒２を支持部材１の表面に直接的に配列す
るのではなく、粘着シート等の保持部材にいったん配列
させてから、支持部材１の表面に転写するようにしてい
る。

【００３５】図６（ａ）に示すように、配列板７には、
ダイヤモンド粒２を配列させるための凹部８が形成され
ている。すなわち、配列板７には、図２、３に示す配列
と同様に凹部８が配列させられている。なお、凹部８の
口径Ｘを、ダイヤモンド粒サイズＤに対して、１．０Ｄ
＜Ｘ＜２．０Ｄとすることは、前記第１の方法で述べた
貫通穴６と同じである。

【００３６】前記配列板７上にダイヤモンド粒２を散布
する。このときも、前記第１の方法で説明したように、
配列板７に適当な振動を加える等して、ダイヤモンド粒
２が全ての凹部８に入り込むようにする。全ての凹部８
にダイヤモンド粒２が入り込んだならば、配列板７上の
余分なダイヤモンド粒２をはけ９等を用いて取り除く。

【００３７】次に、配列板７の凹部８が開口する面に粘
着シート１０を貼り付ける。そして、図６（ｂ）に示す
ように、配列板７の上下を逆にする等して、粘着シート
１０を剥がすと、粘着シート１０にダイヤモンド粒２が
配列された状態で保持されることになる。

【００３８】前記粘着シート１０のダイヤモンド粒２を
保持する粘着面を、接着剤４が塗布された支持部材１の
表面に貼り合わせるようにする。したがって、図７に示
すように、ダイヤモンド粒２は、一端が粘着シート１０
側で、他端が支持部材１の表面側で支持された状態とな
る。その後、支持部材１の表面側にダイヤモンド粒２を
残し、粘着シート１０だけを取り除けば、ダイヤモンド
粒２を支持部材１の表面上に配列させることができる。

【００３９】粘着シート１０だけを取り除く手法として
は、例えば、粘着シート１０の接着材の溶解性と、支持
部材１側の接着剤４の溶解性とに差を持たせておけばよ
い。この場合、図７に示す状態で粘着シート１０の接着
剤が溶けるような環境にすれば、支持部材１側の接着剤
４は保持力を維持したまま、粘着シート１０の接着材だ
けを溶かし、粘着シート１０だけを取り除くことができ
る。

【００４０】以上述べたようにして支持部材１の表面に
ダイヤモンド粒２を配列させたならば、単層、ろう付け
を行い、ダイヤモンド粒２を固定する。このろう付けの
際に、支持部材１の表面に塗布された接着剤４はろう材
３への加熱によって昇華し、支持部材１の表面上に残留
しない。

【００４１】なお、第２の方法では、配列板７に凹部８
を形成するようにしたが、貫通穴としてよい。この場
合、図４に示す支持部材１を粘着シート１０に変更すれ
ば、粘着シート１０にダイヤモンド粒を配列させること
ができるので、それを支持部材１の表面に転写すればよ
い。

【００４２】以上述べたように本実施の形態によれば、
ダイヤモンド粒を規則的に配列させているので、ダイヤ
モンド粒の分布に粗密がなく、当該ドレッサーを使用し
ても、ダイヤモンド粒の密部分にスラリー中の砥粒が凝
集することがなくなり、半導体基板表面のミクロスクラ
ッチ傷を最小限に抑えることができる。また、ドレッサ
ー間での固体差がなくなり、安定したドレッサー特性を
得ることができる。

【００４３】なお、本実施の形態では、図２、３に示す
ようにダイヤモンド粒を配列させたが、ダイヤモンド粒
の分布に粗密ができないようにするといった点からいえ
ば、図２、３に示す以外の配列でも、ダイヤモンド粒の
密度について一定の規則を有するようにすればよい。例
えば、支持部材１の表面のうちダイヤモンド粒２が存在
するエリアにおいて、ダイヤモンド粒２が平均数個〜数
十個、例えば２０個存在するある一定面積の領域間で、
ダイヤモンド粒２の密度のばらつきが±５０％以内に収
まっていればよい。

【００４４】また、本実施の形態では、本発明でいう硬
質砥粒としてダイヤモンド粒２を用いたが、その他の材
質、例えば立方晶窒化ホウ素、炭化ホウ素、炭化珪素又
は酸化アルミニウム等からなるものであってもよい。

【００４５】また、ダイヤモンド粒２の支持部材１への
固着方法としては、ろう付け以外の方法、例えばニッケ
ル電着等により固着させてもよい。

【００４６】ここで、好適な一例として、ダイヤモンド
粒をろう付けにより固着する方法について説明すると、
ろう材として、チタン、クロム、又はジルコニウムより
選ばれた１種以上を０．５〜２０ｗｔ％含む融点６５０
℃〜１２００℃の合金を用いることにより、ダイヤモン
ド粒とろう付け合金との界面に当該金属の炭化物層が形
成される。ろう材に含まれるチタン、クロム、又はジル
コニウムより選ばれた１種以上を０．５〜２０ｗｔ％と
するのは、０．５ｗｔ％より少ない含有量ではダイヤモ
ンド−ろう付け合金の界面に当該金属の炭化物層が形成
されないためであり、２０ｗｔ％添加すれば十分な接合
強度を示す炭化物層が形成されるためである。

【００４７】ろう付け合金を融点６５０℃〜１２００℃
の合金とするのは、６５０℃未満のろう付け温度では、
接合強度が得られず、１２００℃超のろう付け温度で
は、ダイヤモンドの劣化が起こるので好ましくないから
である。

【００４８】ろう付け合金の厚さは、ダイヤモンド粒の
０．２〜１．５倍の厚さが適当である。薄すぎると、ダ
イヤモンドとろう付け合金との接合強度が低くなり、厚
すぎると、ろう材と支持部材との剥離が起こりやすくな
るためである。

【００４９】ダイヤモンド粒の径は、５０μｍ〜３００
μｍとすることが好ましい。５０μｍ未満の微粒ダイヤ
モンド粒では、十分な研磨速度が得られず、また、凝集
しやすい傾向があり、脱落しやすくなるためである。ま
た、３００μｍ超の粗粒のダイヤモンド粒では、研磨時
の応力集中が大きくなり、脱落しやすくなるためであ
る。

【００５０】

【実施例】ダイヤモンド粒径を１５０〜２１０μｍと
し、フェライト系ステンレス製の支持部材にＡｇ−Ｃｕ
−３Ｚｒ（融点：８００℃）のろう付け金属を用いて、
１０ ^-5Ｔｏｒｒの真空中、ろう付け温度８５０℃で３０
分間保持し、単層、ろう付けした。ドレッサーは、従来
タイプＡ（ダイヤモンド粒を人手で撒いたもの）、タイ
プＢ（図２示す碁盤状配列）、タイプＣ（図３に示すハ
ニカム状配列）の３つのタイプについて、それぞれ１０
枚づつ準備した。

【００５１】そして、各ドレッサーについて、１０枚の
ＴＥＯＳ膜付き半導体ウェハについて研磨実験を行っ
た。すなわち、Ａ、Ｂ、Ｃの各タイプについて、１００
枚づつ研磨を行った。ドレッシングは、１回の研磨ごと
に２分間行った。

【００５２】その後、１００枚の研磨したウェハから１
０枚ごとに１枚づつ、計１０枚のウェハについてミクロ
スクラッチの数を計測した。タイプＡのドレッサーを使
用した場合におけるミクロスクラッチ傷の数を１００と
すると、タイプＢ、Ｃのドレッサーを使用した場合にお
けるミクロスクラッチ傷の数の相対値は、それぞれ２
６、１７となった。

【００５３】この結果からも、Ｂ、Ｃタイプのドレッサ
ーでは、Ａタイプの従来のドレッサに比べて、ウェハ表
面のミクロスクラッチ傷を大幅に減少させられることが
わかった。また、ドレッサー間でのドレッサー特定の差
が小さいので、安定した量産ＣＭＰプロセスを実現する
ことが可能となる。

【００５４】

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、当該
ドレッサーを使用しても硬質砥粒の密部分にスラリー中
の砥粒が凝集してしまうことがなくなり、半導体基板表
面のミクロスクラッチ傷を最小限に抑えることができ
る。また、ドレッサー間での固体差がなくなり、安定し
たドレッサー特性を得ることができるので、安定した量
産ＣＭＰプロセスを実現することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】ドレッサーについて説明するため図である。

【図２】ダイヤモンド粒２の配列の一例を示す図であ
る。

【図３】ダイヤモンド粒２の配列の一例を示す図であ
る。

【図４】第１の方法によるダイヤモンド粒２の配列方法
を説明するための図である。

【図５】配列板５を説明するための図である。

【図６】第２の方法によるダイヤモンド粒２の配列方法
を説明するための図である。

【図７】第２の方法によるダイヤモンド粒２の配列方法
を説明するための図である。

【図８】ＣＭＰ工程を説明するための図である。

【図９】従来のドレッサーについて説明するための図で
ある。

【符号の説明】

１ 支持部材 ２ ダイヤモンド粒 ３ ろう材 ４ 接着剤 ５ 配列板 ５ａ 飛散防止用壁 ６ 貫通穴 ７ 配列板 ８ 凹部 ９ はけ １０ 粘着シート １０１ 化学スラリー １０２ 研磨布 １０３ 半導体基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 橋野 英児 富津市新富20−１ 新日本製鐵株式会社技 術開発本部内 (72)発明者 佐藤 節雄 富津市新富20−１ 新日本製鐵株式会社技 術開発本部内 (72)発明者 荒木 隆一 富津市新富20−１ 新日本製鐵株式会社技 術開発本部内 Ｆターム(参考） 3C047 FF08 FF09 3C063 AA02 BB02 BB23 BC02 CC09 EE26 FF23 FF30

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 支持部材と、前記支持部材の面上に設け
   られた複数の硬質砥粒とを備えたドレッサーであって、 前記複数の硬質砥粒が前記支持部材の面上に規則的に配
   列させられていることを特徴とするドレッサー。
2. 【請求項２】 前記硬質砥粒が、前記支持部材の面上で
   正方形で作られる単位格子の各頂点に配置されることを
   特徴とする請求項１に記載のドレッサー。
3. 【請求項３】 前記硬質砥粒が、前記支持部材の面上で
   正三角形で作られる単位格子の各頂点に配置されること
   を特徴とする請求項１に記載のドレッサー。
4. 【請求項４】 支持部材と、前記支持部材の面上に設け
   られた複数の硬質砥粒とを備えたドレッサーであって、 前記硬質砥粒が存在する一定面積の領域間で、前記硬質
   砥粒の密度のばらつきが±５０％以内であることを特徴
   とするドレッサー。
5. 【請求項５】 前記硬質砥粒はダイヤモンド粒であるこ
   とを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のド
   レッサー。
6. 【請求項６】 チタン、クロム、又はジルコニウムより
   選ばれた１種以上を０．５〜２０ｗｔ％含む融点６５０
   ℃〜１２００℃の合金を用いて、前記ダイヤモンド粒を
   金属及び／又は合金からなる前記支持部材に、単層、ろ
   う付けし、前記ダイヤモンド粒と前記合金との界面にチ
   タン、クロム、又はジルコニウムより選ばれた金属の炭
   化物層が形成されていることを特徴とする請求項５に記
   載のドレッサー。
7. 【請求項７】 規則的に配列させられた複数の貫通穴が
   形成された薄板状の配列部材を被配列面上に位置させる
   手順と、 前記配列部材の各貫通穴に硬質砥粒を入れ込む手順とを
   有することを特徴とするドレッサーに使用する硬質砥粒
   の配列方法。
8. 【請求項８】 前記被配列面は、ドレッサーを構成する
   支持部材の表面であることを特徴とする請求項７に記載
   のドレッサーに使用する硬質砥粒の配列方法。
9. 【請求項９】 複数の硬質砥粒を規則的に配列させた状
   態で保持部材に保持する手順と、 前記保持部材により保持された硬質砥粒を、ドレッサー
   を構成する支持部材の表面に転写する手順とを有するこ
   とを特徴とするドレッサーに使用する硬質砥粒の配列方
   法。
10. 【請求項１０】 前記保持部材には前記硬質砥粒を保持
    するための第１の接着手段を設け、前記支持部材の表面
    には第２の接着手段を設け、これら第１、２の接着手段
    の性質に差を持たせたことを特徴とする請求項９に記載
    のドレッサーに使用する硬質砥粒の配列方法。
11. 【請求項１１】 請求項７〜１０のいずれか１項に記載
    のドレッサーに使用する硬質砥粒の配列方法を利用して
    前記硬質砥粒を前記支持部材の表面上に配列させた後、
    前記硬質砥粒を前記支持部材の表面に固着することを特
    徴とするドレッサー製造方法。