JP3598062B2 - Cmpドレッサー、cmpドレッサーに使用する硬質砥粒の配列方法、及びcmpドレッサーの製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板用の研磨布の目詰まりを解消し、異物を除去するのに使用されるCMPドレッサー、CMPドレッサーに使用する硬質砥粒の配列方法、及びCMPドレッサーの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
ウェハのポリッシングにおいては、CMP(Chemical Mechanical Polishing)と呼ばれる研磨方法が提案されている。CMPは、機械的研磨作用に化学的研磨作用を重畳して働かせることにより、研磨速度の確保と被研磨材が無欠陥であることの両立を可能としたものであり、シリコンウェハの仕上げポリッシング工程で広く使用されている。
【0003】
また、近年ではデバイスの高集積化に伴い、集積回路を製造する所定の段階で、ウェハ表面やウェハ表面に導電体・誘電体層が形成された半導体基板表面を研磨することが必要になってきた。半導体基板は、研磨されて、高い隆起や結晶格子損傷、引っかき傷、粗さ等の表面欠陥、又は埋もれた異物粒子が除去される。通常、この工程は、ウェハ上に種々の素子及び集積回路を形成する間に行われる。この研磨工程では、シリコンウェハの仕上げポリッシング工程と同様に、研磨速度と無欠陥であることの両立が必要である。化学スラリーを導入することにより、半導体表面により大きな研磨除去速度及び無欠陥性が与えられる化学的かつ機械的平坦化が行われる。
【0004】
CMP工程の一例としては、図8に示すように、例えば5〜300nm程度の粒径を有するシリカ粒子を苛性ソーダ、アンモニア及びアミン等のアルカリ溶液に懸濁させてPH9〜12程度に化学スラリー101と、ポリウレタン樹脂等からなる研磨布102とが用いられる。研磨時には、化学スラリー101を流布しながら、半導体基板103を研磨布102に適当な圧力で当接させ、同図の矢印に示すように相対回転させることにより研磨が行われる。
【0005】
そして、前記研磨布102のドレッシング法としては、研磨布102に水又は化学スラリーを流しながら、ドレッサーを用いたブラッシングを行って、研磨布102の目詰まりを解消し、異物を除去していた。ドレッサーを用いたブラッシングは、半導体基板103の研磨が終わった後に、ドレッサーを研磨布102に当接させるか、或いは、半導体基板103の研磨と同時に、半導体基板103が当接する位置とは別の位置でドレッサーを研磨布102に当接させるかして行われる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
従来の研磨布のブラッシングに用いられるドレッサーでは、図9に示すように、円板状の支持部材201の表面に、硬質砥粒としてダイヤモンド粒202を人手で撒く等して適当に均一に分布させた後、これらダイヤモンド粒202を固着させていた。
【0007】
しかし、この場合、いかに丁寧にダイヤモンド粒202を散布したとしても、その分布には粗密ができてしまう。このようにダイヤモンド粒202の分布に粗密ができたドレッサーを使用すると、ダイヤモンド粒202の集合部分(密部分)に化学スラリー中の砥粒が凝集しやすくなってしまう。そして、その砥粒の凝集が研磨布(図8中102)に付着し、半導体基板(図8中103)にミクロスクラッチ傷をつけてしまうといった深刻な問題を引き起こしていた。
【0008】
また、ダイヤモンド粒202の不均一な分布は、ドレッサー固体間での相違の原因となり、安定したドレッサー特性の発現が妨げられていた。
【0009】
本発明は前記のような点に鑑みてなされたものであり、半導体基板表面のミクロスクラッチ傷を抑えるとともに、安定したドレッサー特性が得られるようにすることを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明のCMPドレッサーは、支持部材と、前記支持部材の面上に設けられた複数の硬質砥粒とを備えたCMPドレッサーであって、個々の前記硬質砥粒が前記支持部材の面上に単層で規則的に配列させられている点に特徴を有する。
【0011】
また、本発明のCMPドレッサーの他の特徴とするところは、前記硬質砥粒が、前記支持部材の面上で正方形で作られる単位格子の各頂点に配置される点にある。
【0012】
また、本発明のCMPドレッサーの他の特徴とするところは、前記硬質砥粒が、前記支持部材の面上で正三角形で作られる単位格子の各頂点に配置される点にある。
【0013】
また、本発明のCMPドレッサーの他の特徴とするところは、前記硬質砥粒が存在する一定面積の領域間で、前記硬質砥粒の密度のばらつきが±50%以内である点にある。
【0014】
また、本発明のCMPドレッサーの他の特徴とするところは、前記硬質砥粒はダイヤモンド粒である点にある。
【0015】
また、本発明のCMPドレッサーの他の特徴とするところは、チタン、クロム、又はジルコニウムより選ばれた1種以上を0.5〜20wt%含む融点650℃〜1200℃の合金を用いて、前記ダイヤモンド粒を金属及び/又は合金からなる前記支持部材に、単層、ろう付けし、前記ダイヤモンド粒と前記合金との界面にチタン、クロム、又はジルコニウムより選ばれた金属の炭化物層が形成されている点にある。
【0016】
本発明の他のCMPドレッサーは、複数の貫通穴を個々に規則的に配列した薄板状の配列部材を支持部材の面上に位置させる手順と、前記配列部材の各貫通穴に硬質砥粒を1つずつ入れ込む手順とにより前記個々の硬質砥粒が前記支持部材の面上に配列させられてなる点に特徴を有する。
【0018】
本発明のCMPドレッサーに使用する硬質砥粒の配列方法は、複数の硬質砥粒を単層で個々に規則的に配列させた状態で保持部材に保持する手順と、前記保持部材により保持された硬質砥粒を、CMPドレッサーを構成する支持部材の表面に転写する手順とを有する点に特徴を有する。
【0019】
また、本発明のCMPドレッサーに使用する硬質砥粒の配列方法の他の特徴とするところは、前記保持部材には前記硬質砥粒を保持するための第1の接着手段を設け、前記支持部材の表面には第2の接着手段を設け、これら第1、2の接着手段の性質に差を持たせた点にある。
【0020】
本発明のCMPドレッサーの製造方法は、上記本発明のCMPドレッサーに使用する硬質砥粒の配列方法を利用して前記硬質砥粒を前記支持部材の表面上に配列させた後、前記硬質砥粒を前記支持部材の表面に固着する点に特徴を有する。
【0021】
上記のようにした本発明においては、硬質砥粒の分布に粗密がなくなるので、当該ドレッサーを使用しても、硬質砥粒の密部分にスラリー中の砥粒が凝集してしまうようなことがない。
【0022】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明のCMPドレッサー(以下、単に「ドレッサー」とも称する)、CMPドレッサーに使用する硬質砥粒の配列方法、及びCMPドレッサーの製造方法の実施の形態について説明する。
【0023】
図1を用いて、ドレッサーについて説明する。同図に示すように、ステンレス鋼等からなる円板状の支持部材1の表面には、硬質砥粒としてダイヤモンド粒2が固着されている。なお、図1に示す外観は一例であり、支持部材1の表面全てにダイヤモンド粒2が存在しなくてもよく、例えば、支持部材1の表面に化学スラリーを逃すための逃し溝を形成する等してもよい。
【0024】
図2、3は、支持部材1の表面を拡大した図であり、ダイヤモンド粒2の配列を示す。図2に示すものは、ダイヤモンド粒2を碁盤状に配列したものであり、支持部材1の表面において、正方形で作られる単位格子Aの各頂点にダイヤモンド粒2を配置している。換言すれば、同図において一点鎖線で示すように、一定の間隔をおいて平行に並ぶ第1の直線群L1と、一定の間隔をおいて平行に並び、前記第1の直線群L1と90度の角度を持って交わる第2の直線群L2(図1中の横線)とを考え、これら直線群L1、L2の交点にダイヤモンド粒2を配置している。
【0025】
図3に示すものは、ダイヤモンド粒2をハニカム状に配列したものであり、支持部材1の表面において、正三角形で作られる単位格子Bの各頂点にダイヤモンド粒2を配置している。換言すれば、同図において一点鎖線で示すように、一定の間隔をおいて平行に並ぶ第3の直線群L3と、一定の間隔をおいて平行に並び、前記第3の直線群L3と120度の角度を持って交わる第4の直線群L4とを考え、これら直線群L3、L4の交点にダイヤモンド粒2を配置している。
【0026】
図2に示す配列では、あるダイヤモンド粒2に対して、上下左右方向に隣り合う4つのダイヤモンド粒2までの距離がrとなり、また、斜め方向に隣り合う4つのダイヤモンド粒2までの距離が(√2)rとなる。
【0027】
図3に示す配列では、あるダイヤモンド粒2に対して、隣り合う6つのダイヤモンド粒2までの距離が全てrとなる。したがって、図3に示す配列の方がダイヤモンド粒2の分布がより厳密な意味で均一となり、より優れたドレッサー特性を得ることができる。
【0028】
以下、図4〜7を参照して、ダイヤモンド粒2の配列方法について説明する。本実施の形態では、次の2通りの方法により、ダイヤモンド粒2を配列させている。
【0029】
第1の方法では、図4に示すように、ろう材3が設けられた支持部材1の表面に、接着剤4を塗布しておく。そして、接着剤4を塗布した支持部材1の表面上に配列板5を載置して、マスキングする。
【0030】
配列板5には、図5にも示すように、ダイヤモンド粒2を配列させるための貫通穴6が形成されている。すなわち、配列板5には、図2、3に示す配列と同様に貫通穴6が配列させられている。貫通穴6の口径Xは、ダイヤモンド粒2のサイズDに対して、1.0D<X<2.0Dとなっており、1つの貫通穴6に1個以上のダイヤモンド粒2が同時に入り込まないようにしている。なお、配列板5の周囲には、飛散防止用壁5aが設けられている。
【0031】
図4に示すように、前記配列板5を支持部材1の表面に載置した状態で、配列板5上にダイヤモンド粒2を散布する。このとき、配列板5に適当な振動を加える等して、ダイヤモンド粒2が全ての貫通穴6に入り込むようにする。全ての貫通穴6にダイヤモンド粒2が入り込んだならば、配列板5上の余分なダイヤモンド粒2をはけ等を用いて取り除く。その後、配列板5を支持部材1の表面から取り外せば、ダイヤモンド粒2は、図2、3に示すように配列された状態で支持部材1の表面上に残ることになる。
【0032】
以上述べたようにして支持部材1の表面にダイヤモンド粒2を配列させたならば、単層、ろう付けを行い、ダイヤモンド粒2を固定する。このろう付けの際に、支持部材1の表面に塗布された接着剤4はろう材3への加熱によって昇華し、支持部材1の表面上に残留しない。
【0033】
なお、第1の方法において、配列板5の代わりに、ワイヤで編まれたメッシュを用いてもよい。すなわち、メッシュの各開口部分を配列板5でいう貫通穴6として使用し、該開口部分にダイヤモンド粒2を入れ込んで、支持部材1の表面に配列させる。
【0034】
第2の方法では、前記第1の方法のようにダイヤモンド粒2を支持部材1の表面に直接的に配列するのではなく、粘着シート等の保持部材にいったん配列させてから、支持部材1の表面に転写するようにしている。
【0035】
図6(a)に示すように、配列板7には、ダイヤモンド粒2を配列させるための凹部8が形成されている。すなわち、配列板7には、図2、3に示す配列と同様に凹部8が配列させられている。なお、凹部8の口径Xを、ダイヤモンド粒サイズDに対して、1.0D<X<2.0Dとすることは、前記第1の方法で述べた貫通穴6と同じである。
【0036】
前記配列板7上にダイヤモンド粒2を散布する。このときも、前記第1の方法で説明したように、配列板7に適当な振動を加える等して、ダイヤモンド粒2が全ての凹部8に入り込むようにする。全ての凹部8にダイヤモンド粒2が入り込んだならば、配列板7上の余分なダイヤモンド粒2をはけ9等を用いて取り除く。
【0037】
次に、配列板7の凹部8が開口する面に粘着シート10を貼り付ける。そして、図6(b)に示すように、配列板7の上下を逆にする等して、粘着シート10を剥がすと、粘着シート10にダイヤモンド粒2が配列された状態で保持されることになる。
【0038】
前記粘着シート10のダイヤモンド粒2を保持する粘着面を、接着剤4が塗布された支持部材1の表面に貼り合わせるようにする。したがって、図7に示すように、ダイヤモンド粒2は、一端が粘着シート10側で、他端が支持部材1の表面側で支持された状態となる。その後、支持部材1の表面側にダイヤモンド粒2を残し、粘着シート10だけを取り除けば、ダイヤモンド粒2を支持部材1の表面上に配列させることができる。
【0039】
粘着シート10だけを取り除く手法としては、例えば、粘着シート10の接着材の溶解性と、支持部材1側の接着剤4の溶解性とに差を持たせておけばよい。この場合、図7に示す状態で粘着シート10の接着剤が溶けるような環境にすれば、支持部材1側の接着剤4は保持力を維持したまま、粘着シート10の接着材だけを溶かし、粘着シート10だけを取り除くことができる。
【0040】
以上述べたようにして支持部材1の表面にダイヤモンド粒2を配列させたならば、単層、ろう付けを行い、ダイヤモンド粒2を固定する。このろう付けの際に、支持部材1の表面に塗布された接着剤4はろう材3への加熱によって昇華し、支持部材1の表面上に残留しない。
【0041】
なお、第2の方法では、配列板7に凹部8を形成するようにしたが、貫通穴としてよい。この場合、図4に示す支持部材1を粘着シート10に変更すれば、粘着シート10にダイヤモンド粒を配列させることができるので、それを支持部材1の表面に転写すればよい。
【0042】
以上述べたように本実施の形態によれば、ダイヤモンド粒を規則的に配列させているので、ダイヤモンド粒の分布に粗密がなく、当該ドレッサーを使用しても、ダイヤモンド粒の密部分にスラリー中の砥粒が凝集することがなくなり、半導体基板表面のミクロスクラッチ傷を最小限に抑えることができる。また、ドレッサー間での固体差がなくなり、安定したドレッサー特性を得ることができる。
【0043】
なお、本実施の形態では、図2、3に示すようにダイヤモンド粒を配列させたが、ダイヤモンド粒の分布に粗密ができないようにするといった点からいえば、図2、3に示す以外の配列でも、ダイヤモンド粒の密度について一定の規則を有するようにすればよい。例えば、支持部材1の表面のうちダイヤモンド粒2が存在するエリアにおいて、ダイヤモンド粒2が平均数個〜数十個、例えば20個存在するある一定面積の領域間で、ダイヤモンド粒2の密度のばらつきが±50%以内に収まっていればよい。
【0044】
また、本実施の形態では、本発明でいう硬質砥粒としてダイヤモンド粒2を用いたが、その他の材質、例えば立方晶窒化ホウ素、炭化ホウ素、炭化珪素又は酸化アルミニウム等からなるものであってもよい。
【0045】
また、ダイヤモンド粒2の支持部材1への固着方法としては、ろう付け以外の方法、例えばニッケル電着等により固着させてもよい。
【0046】
ここで、好適な一例として、ダイヤモンド粒をろう付けにより固着する方法について説明すると、ろう材として、チタン、クロム、又はジルコニウムより選ばれた1種以上を0.5〜20wt%含む融点650℃〜1200℃の合金を用いることにより、ダイヤモンド粒とろう付け合金との界面に当該金属の炭化物層が形成される。ろう材に含まれるチタン、クロム、又はジルコニウムより選ばれた1種以上を0.5〜20wt%とするのは、0.5wt%より少ない含有量ではダイヤモンド−ろう付け合金の界面に当該金属の炭化物層が形成されないためであり、20wt%添加すれば十分な接合強度を示す炭化物層が形成されるためである。
【0047】
ろう付け合金を融点650℃〜1200℃の合金とするのは、650℃未満のろう付け温度では、接合強度が得られず、1200℃超のろう付け温度では、ダイヤモンドの劣化が起こるので好ましくないからである。
【0048】
ろう付け合金の厚さは、ダイヤモンド粒の0.2〜1.5倍の厚さが適当である。薄すぎると、ダイヤモンドとろう付け合金との接合強度が低くなり、厚すぎると、ろう材と支持部材との剥離が起こりやすくなるためである。
【0049】
ダイヤモンド粒の径は、50μm〜300μmとすることが好ましい。50μm未満の微粒ダイヤモンド粒では、十分な研磨速度が得られず、また、凝集しやすい傾向があり、脱落しやすくなるためである。また、300μm超の粗粒のダイヤモンド粒では、研磨時の応力集中が大きくなり、脱落しやすくなるためである。
【0050】
【実施例】
ダイヤモンド粒径を150〜210μmとし、フェライト系ステンレス製の支持部材にAg−Cu−3Zr(融点:800℃)のろう付け金属を用いて、10−5Torrの真空中、ろう付け温度850℃で30分間保持し、単層、ろう付けした。ドレッサーは、従来タイプA(ダイヤモンド粒を人手で撒いたもの)、タイプB(図2示す碁盤状配列)、タイプC(図3に示すハニカム状配列)の3つのタイプについて、それぞれ10枚づつ準備した。
【0051】
そして、各ドレッサーについて、10枚のTEOS膜付き半導体ウェハについて研磨実験を行った。すなわち、A、B、Cの各タイプについて、100枚づつ研磨を行った。ドレッシングは、1回の研磨ごとに2分間行った。
【0052】
その後、100枚の研磨したウェハから10枚ごとに1枚づつ、計10枚のウェハについてミクロスクラッチの数を計測した。タイプAのドレッサーを使用した場合におけるミクロスクラッチ傷の数を100とすると、タイプB、Cのドレッサーを使用した場合におけるミクロスクラッチ傷の数の相対値は、それぞれ26、17となった。
【0053】
この結果からも、B、Cタイプのドレッサーでは、Aタイプの従来のドレッサに比べて、ウェハ表面のミクロスクラッチ傷を大幅に減少させられることがわかった。また、ドレッサー間でのドレッサー特定の差が小さいので、安定した量産CMPプロセスを実現することが可能となる。
【0054】
【発明の効果】
以上述べたように本発明によれば、当該ドレッサーを使用しても硬質砥粒の密部分にスラリー中の砥粒が凝集してしまうことがなくなり、半導体基板表面のミクロスクラッチ傷を最小限に抑えることができる。また、ドレッサー間での固体差がなくなり、安定したドレッサー特性を得ることができるので、安定した量産CMPプロセスを実現することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】ドレッサーについて説明するため図である。
【図2】ダイヤモンド粒2の配列の一例を示す図である。
【図3】ダイヤモンド粒2の配列の一例を示す図である。
【図4】第1の方法によるダイヤモンド粒2の配列方法を説明するための図である。
【図5】配列板5を説明するための図である。
【図6】第2の方法によるダイヤモンド粒2の配列方法を説明するための図である。
【図7】第2の方法によるダイヤモンド粒2の配列方法を説明するための図である。
【図8】CMP工程を説明するための図である。
【図9】従来のドレッサーについて説明するための図である。
【符号の説明】
1 支持部材
2 ダイヤモンド粒
3 ろう材
4 接着剤
5 配列板
5a 飛散防止用壁
6 貫通穴
7 配列板
8 凹部
9 はけ
10 粘着シート
101 化学スラリー
102 研磨布
103 半導体基板
Claims (10)
- 支持部材と、前記支持部材の面上に設けられた複数の硬質砥粒とを備えたCMPドレッサーであって、
個々の前記硬質砥粒が前記支持部材の面上に単層で規則的に配列させられていることを特徴とするCMPドレッサー。 - 前記硬質砥粒が、前記支持部材の面上で正方形で作られる単位格子の各頂点に配置されることを特徴とする請求項1に記載のCMPドレッサー。
- 前記硬質砥粒が、前記支持部材の面上で正三角形で作られる単位格子の各頂点に配置されることを特徴とする請求項1に記載のCMPドレッサー。
- 前記硬質砥粒が存在する一定面積の領域間で、前記硬質砥粒の密度のばらつきが±50%以内であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のCMPドレッサー。
- 前記硬質砥粒はダイヤモンド粒であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のCMPドレッサー。
- チタン、クロム、又はジルコニウムより選ばれた1種以上を0.5〜20wt%含む融点650℃〜1200℃の合金を用いて、前記ダイヤモンド粒を金属及び/又は合金からなる前記支持部材に、単層、ろう付けし、前記ダイヤモンド粒と前記合金との界面にチタン、クロム、又はジルコニウムより選ばれた金属の炭化物層が形成されていることを特徴とする請求項5に記載のCMPドレッサー。
- 複数の貫通穴を個々に規則的に配列した薄板状の配列部材を支持部材の面上に位置させる手順と、
前記配列部材の各貫通穴に硬質砥粒を1つずつ入れ込む手順とにより前記個々の硬質砥粒が前記支持部材の面上に配列させられてなることを特徴とするCMPドレッサー。 - 複数の硬質砥粒を単層で個々に規則的に配列させた状態で保持部材に保持する手順と、
前記保持部材により保持された硬質砥粒を、CMPドレッサーを構成する支持部材の表面に転写する手順とを有することを特徴とするCMPドレッサーに使用する硬質砥粒の配列方法。 - 前記保持部材には前記硬質砥粒を保持するための第1の接着手段を設け、前記支持部材の表面には第2の接着手段を設け、これら第1、2の接着手段の性質に差を持たせたことを特徴とする請求項8に記載のCMPドレッサーに使用する硬質砥粒の配列方法。
- 請求項8又は9に記載のCMPドレッサーに使用する硬質砥粒の配列方法を利用して前記硬質砥粒を前記支持部材の表面上に配列させた後、前記硬質砥粒を前記支持部材の表面に固着することを特徴とするCMPドレッサーの製造方法。
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