JP2009124672A - 半導体集積回路 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 claims abstract description 68
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 74
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 claims description 33
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 claims description 33
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】本発明は、電圧ノイズを減少させて電圧を安定化させる半導体集積回路において、第1電圧パッド1、第2電圧パッド3、及び前記第1電圧パッド1と前記第2電圧パッド3との間に接続された電圧安定化部100を含み、前記第1電圧パッド1は、第1内部回路10に接続され、前記第2電圧パッド3は、第2内部回路20に接続されることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
半導体集積回路は、外部電圧が印加され、内部で必要なレベルの電圧を生成して用いたりもする。また、半導体集積回路の内部から生成された電圧を内部電圧という。
つまり、外部電圧を駆動電圧として又は内部電圧を駆動電圧として用いる半導体集積回路は外部電圧のノイズが激しい場合に誤動作になり得る。
前記第1接地パッド2には、前記第1接地電圧VSSが第2外部接続端子(VSSボール)と第2ボンディングワイヤーbを介して印加される。
前記第2接地パッド4には、前記第2接地電圧VSSQが第4外部接続端子(VSSQボール)と第4ボンディングワイヤーdを介して印加される。
前記第1安定化部110は、図2aに示すように、第1キャパシタC11を含むことができる。前記第1キャパシタC11は、直流成分は通過させないけれど交流成分は通過させるフィルタの機能をする。前記第1キャパシタC11は、前記第1ノードnode Aと前記第3ノードnode Cに印加される前記第1外部電圧VDD及び前記第2外部電圧VDDQのノイズが大きければ大きいほど、前記第1キャパシタC11のインピーダンスは小さくなる。前記第1キャパシタC11は前記第1ノードnode Aと前記第3ノードnode Cとの間に接続される。
前記第2安定化部120は、図3aに示すように、第2キャパシタC12を含むことができる。前記第2キャパシタC12は、直流成分は通過させないけれど交流成分は通過させるフィルタの機能をする。前記第2キャパシタC12は、前記第2ノードnode Bと前記第4ノードnode Dに印加される前記第1接地電圧VSS又は前記第2接地電圧VSSQのノイズが大きければ大きいほど、前記第2キャパシタC12のインピーダンスは小さくなる。前記第2キャパシタC12は前記第2ノードnode Bと前記第4ノードnode Dとの間に接続される。
第1に、図1に示された第1安定化部110及び第2安定化部120が、図2aと図3aに示すように、フィルタの機能をする第1キャパシタC11と第2キャパシタC12を含む場合について説明する。
前記第1内部回路10に流れる前記第1電流と前記第2内部回路20に流れる前記第2電流は、第1電圧パッド1と第2電圧パッド3から印加される電圧によって発生するものである。
前記第1接地パッド2には前記第1接地電圧VSSが第2外部接続端子(VSSボール)と第2ボンディングワイヤーbを介して印加される。
前記第1内部回路10は前記第1電圧パッド1と前記第1接地パッド2との間に接続される。
前記第2接地パッド4には前記第2接地電圧VSSQが第4外部接続端子(VSSQボール)と第4ボンディングワイヤーdを介して印加される。
前記第2内部回路20は前記第2電圧パッド3と前記第2接地パッド4との間に接続される。
前記電圧安定化手段100は第1安定化部110及び第2安定化部120を含む。
前記第1ボンディングワイヤーaは、前記第1電圧パッド1を介し、前記第1内部回路10、前記第1キャパシタC21、及び前記第3キャパシタC23に接続される。前記第1内部回路10と前記第1キャパシタC21は、前記第1接地パッド2を介して前記第2ボンディングワイヤーbに接続される。また、前記第3キャパシタC23は前記第2接地パッド4を介して前記第4ボンディングワイヤーdに接続される。
前記第1内部回路10は、第1外部電圧V_ext1又は第1内部電圧V_int1が印加され、接地端VSSに接続される。
前記第2内部回路20は、第2外部電圧V_ext2又は第2内部電圧V_int2が印加され、接地端VSSに接続される。
前記第2安定化部120は前記第2ノードnode Bと前記第4ノードnode Dに接続される。前記第2安定化部120は、前記第1キャパシタC31と前記第2キャパシタC32に流れる電圧のノイズが印加され、接地端VSSに流す。
前記第2安定化部120は前記第2ノードnode Bと前記第4ノードnode Dが接続された第4キャパシタC34を含む。
前記第1安定化部110は、前記第1外部電圧V_ext1又は前記第1内部電圧V_int1のノイズを前記第1及び第2キャパシタC31,C32に印加させる。また、前記第2安定化部120は、前記第1及び第2キャパシタC31,C32に印加された電圧のノイズを接地端VSSに流す。
2…第1接地パッド
3…第2電圧パッド
4…第2接地パッド
10…第1内部回路
20…第2内部回路
100…電圧安定化手段
110…第1安定化部
120…第2安定化部
Claims (24)
- 第1電圧パッドと、
第2電圧パッドと、
前記第1電圧パッドと前記第2電圧パッドとの間に接続された電圧安定化部とを含み、
前記第1電圧パッドは、第1内部回路に接続され、前記第2電圧パッドは第2内部回路に接続される
ことを特徴とする半導体集積回路。 - 前記電圧安定化部は、
前記第1電圧パッドと前記第2電圧パッドを介して印加される前記第1外部電圧及び前記第2外部電圧のノイズが高周波になるほど小さいインピーダンスを有するフィルタを含む
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路。 - 前記フィルタは、キャパシタを含むことを特徴とする請求項2に記載の半導体集積回路。
- 前記第1電圧パッドに印加される第1外部電圧は、前記第2電圧パッドに印加される第2外部電圧とターゲットレベルが等しいことを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路。
- 前記電圧安定化部は、
前記第1外部電圧のレベルが前記第2外部電圧のレベルより所定電圧レベル以上低くなったとき、前記第1電圧パッドと前記第2電圧パッドを接続させるスイッチング素子を含む
ことを特徴とする請求項4に記載の半導体集積回路。 - 前記電圧安定化部は、前記第1外部電圧と前記第2外部電圧の電圧レベルの差が所定電圧レベル以上になったとき、前記第1電圧パッドと前記第2電圧パッドを接続させる第1スイッチング素子及び第2スイッチング素子を含み、
前記第1スイッチング素子は、前記第1外部電圧が前記第2外部電圧のレベルより前記所定電圧レベル以上低くなったとき、前記第1電圧パッドと前記第2電圧パッドを接続させ、
前記第2スイッチング素子は、前記第2外部電圧が前記第1外部電圧のレベルより前記所定電圧レベル以上低くなったときに、前記第1電圧パッドと前記第2電圧パッドを接続させることを特徴とする請求項4に記載の半導体集積回路。 - 第1電流が流れる第1内部回路と、
第2電流が流れる第2内部回路と、
前記第1電流のうちの一部と前記第2電流のうちの一部は第1接地パッドに流れ、残りの前記第1電流と残りの前記第2電流は第2接地パッドに流れるように構成された電圧安定化部とを
含むことを特徴とする半導体集積回路。 - 前記第1接地パッドには、第1接地電圧が印加され、
前記第2接地パッドには、前記第2接地電圧が印加されることを特徴とする請求項7に記載の半導体集積回路。 - 前記電圧安定化部は、
前記第1接地パッドと前記第1内部回路が接続された第1ノードと前記第2接地パッドと前記第2内部回路が接続された第2ノードに接続されたフィルタを含む
ことを特徴とする請求項8に記載の半導体集積回路。 - 前記フィルタは、キャパシタを含むことを特徴とする請求項9に記載の半導体集積回路。
- 前記第1接地電圧は、前記第2接地電圧とターゲットレベルが等しく、
前記電圧安定化部は、前記第1接地電圧が前記第2接地電圧のレベルより所定電圧レベル以上高くなったときに、前記第1接地パッドと前記第2接地パッドを接続させるスイッチング素子を含む
ことを特徴とする請求項8に記載の半導体集積回路。 - 前記電圧安定化部は、前記第1接地電圧と前記第2接地電圧の電圧レベルの差が所定電圧レベル以上となったときに、前記第1接地パッドと前記第2接地パッドを接続させる第1スイッチング素子及び第2スイッチング素子を含み、
前記第1スイッチング素子は、前記第1接地電圧が前記第2接地電圧のレベルより前記所定電圧レベル以上高くなったとき、前記第1接地パッドと前記第2接地パッドを接続させ、
前記第2スイッチング素子は、前記第2接地電圧が前記第1接地電圧のレベルより前記所定電圧レベル以上高くなったときに、前記第1接地パッドと前記第2接地パッドを接続させる
ことを特徴とする請求項8に記載の半導体集積回路。 - 第1内部回路の電圧端及び接地端に接続された第1キャパシタと、
第2内部回路の電圧端及び接地端に接続された第2キャパシタと、
前記第1キャパシタに印加される電圧のノイズを前記第2キャパシタにも印加するように構成された電圧安定化部と
を含むことを特徴とする半導体集積回路。 - 前記電圧安定化部は、前記第1内部回路の電圧端と前記第2内部回路の電圧端に接続されたフィルタを含むことを特徴とする請求項13に記載の半導体集積回路。
- 前記電圧安定化部は、前記第1内部回路の接地端と前記第2内部回路の接地端に接続されたフィルタを含むことを特徴とする請求項13に記載の半導体集積回路。
- 前記フィルタは、前記電圧のノイズが高周波になるほど小さいインピーダンスを有するように構成されていることを特徴とする請求項14に記載の半導体集積回路。
- 前記フィルタは、前記電圧のノイズが高周波になるほど小さいインピーダンスを有するように構成されていることを特徴とする請求項15に記載の半導体集積回路。
- 前記フィルタは第3キャパシタを含むことを特徴とする請求項16に記載の半導体集積回路。
- 前記フィルタは第3キャパシタを含むことを特徴とする請求項17に記載の半導体集積回路。
- 前記電圧安定化部は、
前記第1内部回路の電圧端と前記第2内部回路の電圧端に接続された第1安定化部と、
前記第1内部回路の接地端と前記第2内部回路の接地端に接続された第2安定化部と
を含むことを特徴とする請求項13に記載の半導体集積回路。 - 前記第1安定化部は、前記第1内部回路の電圧端と前記第2内部回路の電圧端から印加される電圧のノイズが高周波になるほど小さいインピーダンスを有する第1フィルタである第3キャパシタを含み、
前記第2安定化部は、前記第1内部回路の接地端と前記第2内部回路の接地端から印加される電圧のノイズが高周波になるほど小さいインピーダンスを有する第2フィルタである第4キャパシタを含むことを特徴とする請求項20に記載の半導体集積回路。 - 前記電圧安定化部は、前記第1内部回路の電圧端と前記第2内部回路の接地端のレベルの差を一定に維持するように構成されている、請求項13に記載の半導体集積回路。
- 前記電圧安定化部は、前記第1内部回路の電圧端と前記第2内部回路の接地端に接続された第3キャパシタを含むことを特徴とする請求項22に記載の半導体集積回路。
- 前記電圧安定化部は、
前記第1内部回路の電圧端と前記第2内部回路の接地端に接続された第1安定化部である第3キャパシタと、
前記第2内部回路の電圧端と前記第1内部回路の接地端に接続された第2安定化部である第4キャパシタと
を含むことを特徴とする請求項13に記載の半導体集積回路。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070114970A KR100907009B1 (ko) | 2007-11-12 | 2007-11-12 | 반도체 집적 회로 |
KR10-2007-0114970 | 2007-11-12 | ||
KR1020070117092A KR100907010B1 (ko) | 2007-11-16 | 2007-11-16 | 반도체 집적 회로 |
KR10-2007-0117092 | 2007-11-16 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012266548A Division JP2013066232A (ja) | 2007-11-12 | 2012-12-05 | 半導体集積回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009124672A true JP2009124672A (ja) | 2009-06-04 |
JP5175597B2 JP5175597B2 (ja) | 2013-04-03 |
Family
ID=40623139
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008099703A Active JP5175597B2 (ja) | 2007-11-12 | 2008-04-07 | 半導体集積回路 |
JP2012266548A Pending JP2013066232A (ja) | 2007-11-12 | 2012-12-05 | 半導体集積回路 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012266548A Pending JP2013066232A (ja) | 2007-11-12 | 2012-12-05 | 半導体集積回路 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8120416B2 (ja) |
JP (2) | JP5175597B2 (ja) |
TW (1) | TWI366971B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013110314A (ja) * | 2011-11-22 | 2013-06-06 | Elpida Memory Inc | 半導体装置 |
JP2017514389A (ja) * | 2014-04-16 | 2017-06-01 | クゥアルコム・インコーポレイテッドQualcomm Incorporated | スイッチ可能デカップリングコンデンサ |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010153771A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-07-08 | Ricoh Co Ltd | 情報処理装置及び画像形成装置 |
JP2010176742A (ja) * | 2009-01-29 | 2010-08-12 | Elpida Memory Inc | 半導体装置及びデータ処理システム |
KR101163220B1 (ko) * | 2010-08-27 | 2012-07-06 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 집적회로 |
CN103472404A (zh) * | 2012-06-06 | 2013-12-25 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 接地检测电路 |
KR20160005404A (ko) * | 2014-07-07 | 2016-01-15 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 시스템 |
US20160371216A1 (en) * | 2015-06-17 | 2016-12-22 | Intel Corporation | Capacitor interconnections and volume re-capture for voltage noise reduction |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6336557A (ja) * | 1986-07-30 | 1988-02-17 | Nec Corp | 相補型mis集積回路 |
JPH02111064A (ja) * | 1988-10-20 | 1990-04-24 | Nec Corp | モノリシックicの静電破壊保護回路 |
JPH02113623A (ja) * | 1988-10-21 | 1990-04-25 | Sharp Corp | 集積回路の静電気保護回路 |
JPH046868A (ja) * | 1990-04-24 | 1992-01-10 | Fujitsu Ltd | 半導体集積回路 |
JPH09172146A (ja) * | 1995-08-31 | 1997-06-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JPH09205357A (ja) * | 1996-01-25 | 1997-08-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JPH1023662A (ja) * | 1996-07-03 | 1998-01-23 | Mitsubishi Electric Corp | サージ保護回路 |
JPH11103428A (ja) * | 1997-09-29 | 1999-04-13 | Funai Electric Co Ltd | 映像装置 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05343603A (ja) | 1992-06-09 | 1993-12-24 | Nec Corp | 半導体装置 |
KR960000515B1 (ko) | 1992-07-31 | 1996-01-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 정전기 방지회로 |
JP3173327B2 (ja) | 1995-06-16 | 2001-06-04 | 富士通株式会社 | 半導体装置 |
KR100206604B1 (ko) | 1996-06-29 | 1999-07-01 | 김영환 | 반도체 메모리 장치 |
JPH10135336A (ja) | 1996-10-25 | 1998-05-22 | Toshiba Corp | 半導体集積回路装置、半導体集積回路装置が発するノイズの低減方法、半導体集積回路装置の内部電源システム |
JP3693204B2 (ja) * | 1996-12-06 | 2005-09-07 | 株式会社日立製作所 | 半導体集積回路装置 |
JP3730003B2 (ja) * | 1997-02-18 | 2005-12-21 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
AU6964698A (en) | 1997-04-16 | 1998-11-11 | Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Distributed esd protection device for high speed integrated circuits |
JPH11103248A (ja) * | 1997-07-30 | 1999-04-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路 |
US6597227B1 (en) * | 2000-01-21 | 2003-07-22 | Atheros Communications, Inc. | System for providing electrostatic discharge protection for high-speed integrated circuits |
JP4204737B2 (ja) * | 2000-03-16 | 2009-01-07 | 株式会社ルネサステクノロジ | 集積回路装置 |
KR20020002020A (ko) | 2000-06-29 | 2002-01-09 | 박종섭 | 전원부의 cdm 및 emi 필터 회로 |
TW541791B (en) * | 2001-07-23 | 2003-07-11 | Via Tech Inc | Signal transmission device and method to reduce power bounce |
KR100464411B1 (ko) | 2002-04-19 | 2005-01-03 | 삼성전자주식회사 | 분할된 디커플링 커패시터를 이용한 전원선 잡음 제거회로 및 이를 구비하는 반도체 장치 |
EP1453092A3 (en) * | 2003-02-27 | 2004-09-08 | NEC Electronics Corporation | Semiconductor integrated device and apparatus for designing the same |
US6756834B1 (en) * | 2003-04-29 | 2004-06-29 | Pericom Semiconductor Corp. | Direct power-to-ground ESD protection with an electrostatic common-discharge line |
KR100576449B1 (ko) | 2004-01-30 | 2006-05-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 내부전압 발생회로 |
JP4652703B2 (ja) * | 2004-03-10 | 2011-03-16 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体回路装置及びマルチ・チップ・パッケージ |
KR20060023201A (ko) | 2004-09-09 | 2006-03-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 멀티내부전압 발생회로 |
KR100801033B1 (ko) * | 2005-11-03 | 2008-02-04 | 삼성전자주식회사 | 경계 스캔 회로를 이용하여 온 다이 터미네이션 회로를테스트할 수 있는 반도체 장치, 이를 구비한 테스트시스템, 및 테스트 방법 |
-
2008
- 2008-04-07 JP JP2008099703A patent/JP5175597B2/ja active Active
- 2008-05-02 TW TW097116342A patent/TWI366971B/zh active
- 2008-07-01 US US12/166,085 patent/US8120416B2/en active Active
-
2012
- 2012-12-05 JP JP2012266548A patent/JP2013066232A/ja active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6336557A (ja) * | 1986-07-30 | 1988-02-17 | Nec Corp | 相補型mis集積回路 |
JPH02111064A (ja) * | 1988-10-20 | 1990-04-24 | Nec Corp | モノリシックicの静電破壊保護回路 |
JPH02113623A (ja) * | 1988-10-21 | 1990-04-25 | Sharp Corp | 集積回路の静電気保護回路 |
JPH046868A (ja) * | 1990-04-24 | 1992-01-10 | Fujitsu Ltd | 半導体集積回路 |
JPH09172146A (ja) * | 1995-08-31 | 1997-06-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JPH09205357A (ja) * | 1996-01-25 | 1997-08-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JPH1023662A (ja) * | 1996-07-03 | 1998-01-23 | Mitsubishi Electric Corp | サージ保護回路 |
JPH11103428A (ja) * | 1997-09-29 | 1999-04-13 | Funai Electric Co Ltd | 映像装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Publication number | Publication date |
---|---|
TW200922094A (en) | 2009-05-16 |
US20090121786A1 (en) | 2009-05-14 |
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US8120416B2 (en) | 2012-02-21 |
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