JP3730003B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置に係わり、特に複数の電源電圧を供給される装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置には、この半導体装置と接続されるMPU(MICRO PROCESSOR UNIT)、CPU(CENTRAL PROCESSOR UNIT)、その他のロジックの消費電力を抑えるために、入力インターフェース回路の電源を抑えたものがある。このような半導体装置では、入力信号の電圧スイング幅と異なる電圧スイング幅を持つ内部信号で動作する内部回路を持つ。このような装置は、入力信号を受信する入力回路用に入力信号と同じレベルを持つ第1の電源電圧と、入力回路からの出力を受けて処理を行う内部回路用に、内部信号と同じレベルを持つ第2の電源電圧とを供給される。図11に、従来の半導体装置10の構成を示す。
【0003】
半導体装置10は、入力バッファ回路21、内部回路22、出力バッファ回路23、及び基板バイアス生成回路33を有する。さらに、半導体装置10には、入力パッド31、電源線32、34、36、接地パッド35及び37、出力パッド38、基板バイアス電圧線71が設けられている。電源線32には入力信号と同じ電圧を持つ電源電圧VDDI が供給され、基板バイアス電圧線71には基板バイアス電圧VBBが供給され、電源線34には内部信号と同じ電圧を持つ電源電圧VDDが供給され、電源線36には外部に出力すべき信号と同じ電圧を持つ電源電圧VDDQ が供給される。電源電圧VDDI 及びVDDQ は、例えば1.8V、あるいは2.5Vといった低電源電圧であり、電源電圧VDDはこれよりも高い、例えば3.3Vあるいは5Vといった高電源電圧である。このVDDQ 、VDDI はともにインターフェース用であり、同一レベルであるのが通例である。
【0004】
また、半導体装置10には接地パッド35及び37が設けられている。入力バッファ回路21よりも充放電電流が大きい内部回路22の接地端子42は、配線幅の広い接地配線52によって接地パッド35に接続されている。入力バッファ回路21の接地端子41は、配線幅が狭く接地配線52よりも大きい寄生抵抗Rが存在する接地線51を介して接地パッド35に接続されている。ここで、接地線51の電圧を接地電圧VssI とする。出力バッファ回路23の接地端子43は、配線幅が広い接地線53により接地パッド37に接続されている。
【0005】
入力バッファ回路21は、半導体装置10の入力部の初段に相当するもので、入力パッド31を介して外部から入力された入力信号を与えられる。入力バッファ回路21には、電源線32より電源電圧VDDI が供給されている。
【0006】
内部回路22は、入力バッファ回路21から出力された入力信号を与えられる。内部回路22には電源線34より電源電圧VDDが供給され、電源電圧VDDI −接地電圧Vssの範囲でスイングする入力信号を電源電圧VDD−接地電圧Vssの範囲でスイングする内部信号に増幅変換した後、必要な処理を行う。この後、内部回路22からは電源電圧VDD−接地電圧Vssの範囲でスイングする内部信号が出力される。半導体装置10が例えば半導体記憶装置である場合には、内部回路22はメモリアレイ、デコーダ、センスアンプ及び各種制御回路を含むことになる。
【0007】
出力バッファ回路23には、電源線36より電源電圧VDDQ が供給されている。出力バッファ回路23は、内部回路22から出力された内部信号を与えられ、電源電圧VDDQ −接地電圧Vssの範囲でスイングする信号を出力する。この信号は、出力パッド38より装置10外部に出力される。上記回路21〜23のうち、内部回路22の消費電力は大きく、電源線34と接続する電源配線62及び接地パッド35と接続する接地線52の幅は広い。出力バッファ回路23の消費電力も大きく、同様に電源線36と接続する電源線63及び接地パッド37と接続する接地線53の幅は広い。入力バッファ回路21の消費電力は最も小さく、電源線32と接続する電源線61及び接地パッド35と接続する接地線51の幅は狭い。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上述した従来の半導体装置には次のような問題があった。電源線32、34及び36は、入力バッファ回路21、内部回路22及び出力バッファ回路23にそれぞれ電源線61、61及び63によって接続されている。この電源線61、62及び63の配線領域はそれぞれ限られており、配線容量も小さい。
【0009】
配線容量が小さいと、電源電圧を安定化させる作用が小さい。このため、装置10外部の電源からゆらぎを持つ電源電圧が印加されると、そのゆらぎを十分に抑えることができない。従って、ゆらぎを持つ電源電圧を入力されると装置10が誤動作を起こす場合があった。
【0010】
特に、入力バッファ回路21のように他の回路22、23とは独立したウエル内に形成される場合が多い回路に接続される電源線61の容量は、他の電源線61や63よりも極端に小さい傾向がある。入力バッファ回路21は、外部から入力信号を入力される初段に位置するので、この回路21で誤動作が生じるとその後の全ての処理に影響を与える。そこで、特に入力バッファ回路21は誤動作が生じないようにする必要がある。
【0011】
図12に、従来の他の半導体装置の構成を示す。この装置は、入力バッファ回路21で誤動作を生じるのを防ぐために、この回路21へ電源電圧VDDI を供給する電源線32に、寄生容量以外に容量を形成して持たせている。電源線32には、他の電源線34、36、あるいは接地パッド35、37との間に、寄生容量が存在する場合が多い。しかし、このような寄生容量だけでは電源電圧のゆらぎを抑える作用が小さいので、電源線32と接地パッド35との間に容量C0を接続している。
【0012】
ところが、接地パッド35と内部回路22との間には、配線幅が広く寄生抵抗の小さい接地線52が接続されている。内部回路22は消費電力が大きく、内部回路22を構成するトランジスタのオン・オフの切り替わり時に接地電圧Vssが変動する。この接地電圧Vssの変動が接地線52、接地パッド35、及び容量C0を介して電源線32に伝達される。即ち、容量C0を設けることで電源線32の容量は大きくなり電源電圧のゆらぎを抑制することはできるが、容量C0の接続先の内部回路22の電源変動が伝わってきて結果的に誤動作を招いていた。
【0013】
図13に、電源電圧VDDと接地電圧Vssの変動を示す。図13(a)のように、電源パッド34に供給される電源電圧VDDが負の側に変動し、接地パッド35の接地電圧Vssが正の側に変動したとする。この接地パッド35における接地電圧Vssの変動が、容量C0を介して電源線32に伝達され、この部分の電源電圧VDDI が図10(b)のように正の側にレベルL1だけ高く変動する。これにより、図10(b)のようにハイレベル(H)の入力信号が入力された場合に、誤動作するおそれがあった。即ち、電源電圧VDDI が正の側にレベルL1だけ変動すると、入力バッファ回路21の回路閾値Vthが、Vth+L1だけ高くなる。このため、本来の閾値Vthよりも高いハイレベルの入力信号が入力されたとしても、この入力信号のレベルが回路閾値Vth+L1よりも低いと、ロウレベルの入力信号として回路が認識することになる。
【0014】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、電源電圧のゆらぎにより回路に誤動作が生じるのを防止することが可能な半導体装置の提供を目的とする。
【0018】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置は、
第1の電源線を介して第1の電源電圧を供給され、第1の接地線により接地され、外部から入力信号を入力されて内部信号を出力する入力回路と、
第2の電源線を介して第2の電源電圧を供給され、第2の接地線により接地され、前記内部信号を入力され、前記入力回路よりも充放電電流が大きい内部回路と、
基板バイアス電圧を生成し、前記入力回路と前記内部回路が形成された半導体基板に接続される基板バイアス電圧線を介して前記基板バイアス電圧を前記半導体基板に供給する基板バイアス生成回路と、
前記第1の電源線と前記第1の接地線との間に両端が接続された第1の容量と、
前記第1の電源線と前記第2の電源線との間に両端が接続された第2の容量と、
前記第1の電源線と前記基板バイアス電圧線との間に両端が接続された第3の容量と、
を備えることを特徴とする。
【0019】
また、本発明の半導体装置は、
第1の電源線を介して第1の電源電圧を供給され、第1の接地線により接地され、外部から入力信号を入力されて内部信号を出力する入力回路と、
第2の電源線を介して第2の電源電圧を供給され、第2の接地線により接地され、前記内部信号を入力され、前記入力回路よりも充放電電流が大きい内部回路と、
第1の基板バイアス電圧を生成し、前記入力回路と前記内部回路の少なくともいずれか一方が形成された第1導電型の第1のウエルに接続される第1の基板バイアス電圧線を介して前記第1の基板バイアス電圧を前記第1のウエルに印加する第1の基板バイアス生成回路と、
第2の基板バイアス電圧を生成し、前記入力回路と前記内部回路の少なくともいずれか他方が形成された第2導電型の第2のウエルに接続される第2の基板バイアス電圧線を介して前記第2の基板バイアス電圧を前記第2のウエルに印加する第2の基板バイアス生成回路と、
前記第1の電源線と前記第1の接地線との間に両端が接続された第1の容量と、
前記第1の電源線と前記第2の電源線との間に両端が接続された第2の容量と、
前記第1の電源線と前記第1の基板バイアス電圧線との間に両端が接続された第3の容量と、
前記第1の電源線と前記第2の基板バイアス電圧線との間に両端が接続された第4の容量と、
を備えることを特徴とする。
【0027】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態について図面を参照して説明する。
図1に、本発明の第1の実施の形態による半導体装置の構成を示す。本実施の形態では、電源電圧VDDI のゆらぎが原因となって入力バッファ回路21に誤動作が発生するのを防止するために、電源線32あるいはこの電源線に接続された電源線と、他の電圧のゆらぎが小さいパッドあるいは配線との間に容量を接続した点に特徴がある。より具体的には、入力バッファ回路21の接地端子41と接地パッド35とを接続しレベルが電圧VssI である接地線51と、電源線32あるいはこの電源線に接続された電源線との間に、容量C1を接続している。他の図8に示された装置と同一の要素には、同一の番号を付して説明を省略する。
【0028】
図12に示された従来の装置では、上述のように電源線32と接地電圧パッド35との間に容量C0を接続している。このため、電源電圧VDDI に対する容量は増加し電圧VDDI のゆらぎは抑制される。しかし、容量C0の接続相手の接地電圧パッド35の電圧が、消費電力の大きい内部回路22の電源変動の影響を受けて変動するため、容量C0を介してこの変動が電源線32まで伝わり、入力バッファ回路21の誤動作を招いていた。
【0029】
これに対し、本実施の形態では電源線32あるいはこの電源線に接続された電源線の容量の接続相手に、入力バッファ回路21の接地線51を選択している。接地線51は、寄生抵抗Rを有する配線幅の狭い配線である。このため、消費電力の大きい内部回路22で電源変動が生じて接地電圧パッド35の接地電圧Vssが変動したとしても、接地線51の電圧VssI はこの変動が抑制されたレベルとなる。従って、内部回路22の電源変動の影響を抑制した状態で、電源線32の容量を増加することができ、電源電圧VDDI のゆらぎが抑制され入力バッファ回路21の誤動作が防止される。
【0030】
図13(a)のように、電源線34の電源電圧VDDと接地電圧パッド35の接地電圧Vssとが変動した場合にも、図13(c)のように電源線32あるいはこの電源線に接続された電源線の電源電圧VDDI は変動が抑制される。図12の半導体装置において電源電圧VDDI がレベルL1だけ変動した場合にも、本実施の形態では電源電圧VDDI はレベルL1より小さいレベルL2しか変動しない。このため、回路閾値Vthの上昇はVth+L1にとどまり、このレベルを越えるハイレベルの入力信号が入力された場合には論理レベルを反転することなくハイレベルとして認識することができる。
【0031】
この第1の実施の形態による半導体装置を半導体チップSC上に配置したときのレイアウトの一例を図2に示す。内部回路22の一例として4つの領域にメモリセルMC1〜MC4が配置され、その周辺領域に周辺回路PC1及びPC2、入力バッファ回路IB1〜IB4が配置されている。メモリセルMC1〜MC4を駆動するための電源電圧VDDが外部から電源線VDDに印加され、接地パッドVssが接地されている。周辺回路PC1およびPC2も、この電源線VDDを介して電源電圧VDDを供給され、接地パッドVssを介して接地されている。
【0032】
電源線VDDとは異なる電源電圧VDDI を印加される電源線VDDI と、接地パッドVssとは別に設けられた接地パッドVssI とが形成されており、入力バッファ回路IB1〜IB4はこれらの電源線VDDI と接地パッドVssI とに接続されている。そして、電源線VDDI に接続された電源線PLと接地パッドVssI に接続された接地線SLとの間に、複数の容量C1が接続されている。
【0033】
ここで、接地パッドVssと接地パッドVssI とをそれぞれ接地させることに関し、幾つかの構成が考えられる。例えば図3に示されたように、共通のリードフレームLFにワイヤBW1及びBW2を用いてダブルボンディングを行って接地してもよい。この場合には、電圧変動の大きい接地パッドVssに接地パッドVssI がボンディングワイヤBW1及びBW2を介して接続されることになる。しかし、ワイヤBW1及びBW2は寄生抵抗が比較的大きく、またボンディング箇所には寄生容量が存在する。従って、接地パッドVssの電圧変動が接地パッドVssI に伝達されるまでに緩和される。
【0034】
図2又は図3に示された構成では、入力バッファ回路IB1〜IB4に接続される接地線SLは、接地パッドVssとは異なる接地パッドVssI に接続されている。しかし、図4に示されたように接地パッドVssI を設けることなく、接地線SLが接地パッドVssに接続されていてもよい。接地線SLは例えば、シリコン・アルミニウム(Al・Si)やシリコン・銅・アルミニウム(Al・Si・Cu)のように、シート抵抗が比較的小さい材料を用いて形成されるが、この幅を狭くする(もしくは長くする)ことで、配線抵抗を大きくし、接地パッドVssの電圧変動が入力バッファ回路IB1〜IB4に伝達されるのを防ぐことができる。
【0035】
次に、本発明の第2の実施の形態による半導体装置について、図5を用いて説明する。本実施の形態は、上記第1の実施の形態における、電源線32と接続する容量の接続相手に電源変動の小さいパッド又は配線を選ぶという特徴の他に、他のパッドや端子にも容量を接続して特定の電源電圧又は接地電圧に依存せずに容量分散を行う点に特徴がある。
【0036】
具体的には、電源線32と接地線51との間に容量C1を接続した他に、電源線32と基板バイアス生成回路33の基板バイアス電圧線71との間に容量C2を接続し、さらに電源線32と電源線34との間に容量C3を接続している。このように、接地線51のみならず、基板バイアス電圧線71、電源線34に対しても、電源線32との間に容量を接続することで、接地電圧Vssのみに依存せずに電源電圧VBB及び電源電圧VDDに対しても容量が分散されて、より電源電圧VDDI のゆらぎを抑制することができる。このような接続とすることで、寄生抵抗Rを介してもゆれが0とならない場合に、他のゆれの少ない箇所と容量を介して接続し、さらにゆれを少なくするとともに、他の位相を持ってゆれが発生している箇所とも容量を介して接続して、電源電圧VDDI のゆれを打ち消すことになる。
【0037】
ここで、出力バッファ回路23が接続された電源線36と接地パッド37とに対しては、電源線32との間に容量が接続されていない。出力バッファ回路23は駆動する負荷が大きいため電源変動が大きく、容量を接続すると変動が電源線32まで伝わってくる。このため、電源変動が特に大きい出力バッファ回路のような回路に接続されたパッドあるいは配線は、接続相手に選ばない方が望ましい。
【0038】
本発明の第3の実施の形態による半導体装置は、図6に示されるような構成を備えている。本実施の形態は、2種類の基板バイアス電圧VBB1 及びVBB2 を発生する基板バイアス生成回路33a及び33bを有し、基板バイアス電圧線71a及び71bを介して半導体基板に基板バイアス電圧VBB1 及びVBB2 を供給する半導体装置に対して適用される。例えば、半導体基板の表面部分に形成されたN型ウエルに基板バイアス電圧VBB1 が印加され、P型ウエルに基板バイアス電圧VBB2 が印加される。上記第2の実施の形態と同様に、電源線32と接地線51との間に容量C1が接続され、電源線32と電源線34との間に容量C3が接続された他に、二つの基板バイアス電圧線71a及び71bに対しても容量C2a及びC2bが接続されている。このように、4つのパッド又は線を接続相手に選ぶことで、より多く容量を分散し電源電圧VDDI のゆらぎを抑制することができる。
【0039】
本発明の第4の実施の形態による半導体装置について、図7を用いて説明する。この装置は、入力初段に設けられた入力バッファ回路21と内部回路22との間に、例えばプリデコーダのような周辺回路24を有している。周辺回路24は電源電圧VDDを供給され、入力バッファ回路21から出力された入力信号を受けとって一定の処理を行った後、内部回路22に出力する。
【0040】
上記第1の実施の形態では、電源線32に容量を接続する電源変動の小さい相手として、入力バッファ回路21の接地線51を選んでいる。本実施の形態では、入力バッファ回路21の接地端子41と同様に周辺回路24の接地端子44が接続された接地線51と電源線32との間に、容量C1を接続している。この場合も、第1の実施の形態と同様に接地線51には寄生抵抗Rが存在する。従って、内部回路22の電源変動の影響は接地線51には直接伝わらずに緩和され、容量C1を介して接続された電源線32の電圧VDDI の変動が抑制される。
【0041】
上記第1〜第4の実施の形態における容量は、例えば図8又は図9に示されたような接合容量を用いてもよい。図8に示された接合容量は、n型半導体基板100の表面に形成したp型ウエル102内におけるp+ 型不純物領域109に容量の一方の端子112を接続し、p型ウエル102内に形成したn+ 型不純物領域101に他方の端子101を接続している。図9に示された接合容量は、図8の接合容量と導電型を入れ替えたものであり、n型半導体基板100の表面に形成したn型ウエル104内のn+ 型不純物領域110に容量の一方の端子122を接続し、n型ウエル104内の形成したp+ 型不純物領域103に他方の端子121を接続している。
【0042】
あるいは、図10に示されたような電極容量を用いてもよい。n型半導体基板100の表面にp型ウエル106を形成し、このp型ウエル106内にn+ 型不純物領域105を形成する。n+ 型不純物領域105の上面には、絶縁膜107を介して電極108を形成する。n+ 型不純物領域105に端子132を接続し、電極108には端子131を接続する。このようにして、端子131に接続された電極108と、端子132に接続されたn+ 型不純物領域105との間に電極容量を形成してもよい。
【0043】
上述した実施の形態はいずれも一例であって、本発明を限定するものではない。例えば、上記実施の形態はいずれも入力バッファ回路、内部回路及び出力バッファ回路を備える装置に対して適用している。しかし、少なくとも入力信号を与えられる入力回路と入力回路の出力を与えられる内部回路とを含み、この二つの回路が異なる電源電圧を供給される装置であればよく、他の回路を含むものに対しても本発明の適用が可能である。
【0044】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明は複数の電源電圧を供給される装置において、入力回路に接続された電源線と、他の電源変動の小さいパッド又は配線との間に容量を接続しているので、容量が増加し電源のゆらぎが緩和されるのみならず、容量を接続した相手の変動を受けて誤動作が生じるのが防止されるので、信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態による半導体装置の構成を示した回路図。
【図2】同半導体装置の半導体チップ上のレイアウトの一例を示した配置図。
【図3】同半導体装置における接地パッドを接地する構成の一例を示した説明図。
【図4】同半導体装置における接地パッドを接地する構成の他の例を示した説明図。
【図5】本発明の第2の実施の形態による半導体装置の構成を示した回路図。
【図6】本発明の第3の実施の形態による半導体装置の構成を示した回路図。
【図7】本発明の第4の実施の形態による半導体装置の構成を示した回路図。
【図8】上記第1〜第4の実施の形態における容量として用いることが可能な接合容量の構造を示した縦断面図。
【図9】上記第1〜第4の実施の形態における容量として用いることが可能な接合容量の他の構造を示した縦断面図。
【図10】上記第1〜第4の実施の形態における容量として用いることが可能な電極容量の構造を示した縦断面図。
【図11】従来の半導体装置の構成を示した回路図。
【図12】従来の他の半導体装置の構成を示した回路図。
【図13】従来の半導体装置及び本発明の第1の実施の形態における半導体装置の電源変動を示した説明図。
【符号の説明】
10 半導体装置
21 入力バッファ回路
22 内部回路
23 出力バッファ回路
24 周辺回路
31 入力パッド
32、34、33a、33b、36 電源線
33、33a、33b 基板バイアス生成回路
35、37 接地パッド
38 出力パッド
41、42 接地端子
51〜53 接地線
71、71a、71b 基板バイアス電圧線
100 n型半導体基板
101、105、110 n+ 型不純物領域
102、106 p型ウエル
111、112、121、122、131、132 端子
103、109 p+ 型不純物領域
104 n型ウエル
107 絶縁膜
108 電極
VDDI 、VDD 電源電圧
VBB、VBB1、VBB2 基板バイアス電圧
Vss、VSSQ 接地電圧
R 寄生抵抗
C1〜C4、C2a、C2b 容量
Claims (2)
- 第1の電源線を介して第1の電源電圧を供給され、第1の接地線により接地され、外部から入力信号を入力されて内部信号を出力する入力回路と、
第2の電源線を介して第2の電源電圧を供給され、第2の接地線により接地され、前記内部信号を入力され、前記入力回路よりも充放電電流が大きい内部回路と、
基板バイアス電圧を生成し、前記入力回路と前記内部回路が形成された半導体基板に接続される基板バイアス電圧線を介して前記基板バイアス電圧を前記半導体基板に供給する基板バイアス生成回路と、
前記第1の電源線と前記第1の接地線との間に両端が接続された第1の容量と、
前記第1の電源線と前記第2の電源線との間に両端が接続された第2の容量と、
前記第1の電源線と前記基板バイアス電圧線との間に両端が接続された第3の容量と、
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 第1の電源線を介して第1の電源電圧を供給され、第1の接地線により接地され、外部から入力信号を入力されて内部信号を出力する入力回路と、
第2の電源線を介して第2の電源電圧を供給され、第2の接地線により接地され、前記内部信号を入力され、前記入力回路よりも充放電電流が大きい内部回路と、
第1の基板バイアス電圧を生成し、前記入力回路と前記内部回路の少なくともいずれか一方が形成された第1導電型の第1のウエルに接続される第1の基板バイアス電圧線を介して前記第1の基板バイアス電圧を前記第1のウエルに印加する第1の基板バイアス生成回路と、
第2の基板バイアス電圧を生成し、前記入力回路と前記内部回路の少なくともいずれか他方が形成された第2導電型の第2のウエルに接続される第2の基板バイアス電圧線を介して前記第2の基板バイアス電圧を前記第2のウエルに印加する第2の基板バイアス生成回路と、
前記第1の電源線と前記第1の接地線との間に両端が接続された第1の容量と、
前記第1の電源線と前記第2の電源線との間に両端が接続された第2の容量と、
前記第1の電源線と前記第1の基板バイアス電圧線との間に両端が接続された第3の容量と、
前記第1の電源線と前記第2の基板バイアス電圧線との間に両端が接続された第4の容量と、
を備えることを特徴とする半導体装置。
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