JPS6336557A - 相補型ｍｉｓ集積回路 - Google Patents

相補型ｍｉｓ集積回路

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JPS6336557A
JPS6336557A JP61180354A JP18035486A JPS6336557A JP S6336557 A JPS6336557 A JP S6336557A JP 61180354 A JP61180354 A JP 61180354A JP 18035486 A JP18035486 A JP 18035486A JP S6336557 A JPS6336557 A JP S6336557A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は相補型ＭＩＳ集積回路に関し、特に電源ノイズ
、インピーダンスの観点から同一電位で、内部で金属配
線接続されていない複数の電源端子を持つ相補型ＭＩＳ
％積回路に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種の相補型ＭＩＳ集積回路の保護はほとんど
考慮されていない場合が多く、考慮した場合も同一回路
ブロックに供給されている高電位。
低電位電源端子間にＰＮ接合電源保護ダイオードが挿入
されていた０、 ′第８図は上述した従来の相補型ＭＩＳ集積回路のブロ
ック図、第４図は第８図の端子５と１０の間の静電気の
放電経路図である。
集積回路のチップ１内に電源系を分けた回路ブａツク１
．２２＞１あり、各々、電源端子６　（ＶＤＤＩ）。
７　（ＧＮＤＩ）、ｓ　（ＶＤＤ２）、　９　（ＧＮＤ
２）　ト通常（Ｄ端子５゜１０２＞１６る。　端子ＩＣ
Ｈ１’Ｉｔ　ｉｊＸ　端子ＶＤＤＩ　、！：　ＧＮＤＩ
に対してそれぞれ保護ダイオード１８−１．１４−１が
設けられ、端子１０には同様に保護ダイオオード１２−
１．１２−２が設けられ、電源端子ＶＤＤＩとＶＤＤ２
の間には基板抵抗４が存在する。本例はＮ凰基板の場合
で、Ｐ型基板の場合は電源端子ＧＮＤＩ、　ＧＮＤ２の
間に基板抵抗が存在する。
〔発明が解決しようとする問題点〕
この相補型ＭＩＳ集積回路では、電源系の異なる端子間
に静電気が印加された場合、例えば端子５と端子１０と
の間で静電気が放電する場合の放電経路は、第４図に示
すようになる。す々わち、端子５から保護ダイオード１
４−１ないしは１３−１．１２−１を通って電源端子Ｖ
ＤＤＩへ抜け、ここから基板抵抗４を介して電源端子Ｖ
ＤＤ　２へ抜け、さらにダイオード１４−２ないしは１
２−２゜１８−２を通って端子］０へ放電される。基板
抵抗４は、通常数１００Ωから数１０にΩあり、しかも
この値は集積回路のチップサイズ、レイアウト、基板コ
ンタクトの取り方等により品種毎に異ナリ、かつそのバ
ラツキは大きい。
上述した従来の相補型Ｍ　Ｉ　Ｓ集積回路は、この抵抗
が大きい時は、放電のスピードが著しく遅くなり、かつ
抵抗による電位降下の分オフセットを持つため、ゲート
酸化膜の絶縁破壊を招きやすいという欠点がある。
〔問題点を解決するだめの手段〕 本発明の相補型ＭＩＳ集積回路は、同電位でかつ集積回
路内部で互いに金属配線にて接続されていがい電源端子
間に少々くとも一対の双方向Ｐ−Ｎ接合ダイオードを有
している。
〔実施例〕
次に１本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
第１図は本発明の相補型ＭＩＳ集積回路の一実施例のブ
ロック図、第２図は第１図の端子５と１０の間の静電気
の放電経路図である。
本実施例は、第８図の従来例において、同一電位で集積
回路１内で金属配線にて接続されていない電源端子間（
本例では、電源端子ＶＤＤＩとＶＤＤ２゜電源端子ＧＮ
ＤＩとＧＮＤ２　）に各々一対の双方向Ｐ−Ｎ接合ダイ
オード（点線１１で囲まれた部分）を設けたものである
。
今、端子５と１０との間に静電気が印加された場合を考
える。この時の静電気の放電経路を示したものが第２図
である。端子５からは、保護ダイオード１３−１を介し
て電源端子ＧＮＤＩへ抜け、電源端子ＧＮＤＩとＧＮＤ
２との間の双方向ダイオードにより必ず順方向で電源端
子ＧＮＤ２へ抜け、さらに保護ダイオード１Ｂ−２を介
して端子】０へ抜けるパスと、保護ダイオード１４−１
ｆ介して電源端子ＶＤＤＩ　　へ抜け、基板抵抗４およ
び電源端　４子ＶＤＤＩとＶＤＤ２との間の双方向ダイ
オードにより、必ず順方向で電源端子ＶＤＤ２　へ抜け
、さらに保護ダイオード１４−２を介して端子１０へ抜
けるパスおよび電源端子ＧＮＤｌとＶＤＤＩ　　間の電
源ダイオード１２−１および電源端子ＧＮＤ２とＶＤＤ
　２　の間の電源ダイオード］２−２によるバイパス経
路が存在スる。このように、多くの経路が本実施例によ
り実現できることにより、端子５と端子１０の間のイン
ピーダンスは、前述の従来例に比べて大晦に低減でき、
かつ品種間のバラツキも非常に小さくすることができ、
保護回路の信頼度を大幅に向上させることができる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、同電位非内部接続電源端
子間に少なくとも一対の双方向Ｐ−Ｎ接合ダイオードを
挿入することにより、静電気の放電経路のインピーダン
スを従来に比べて大幅に低減でき、信頼度の高い保護回
路を含んだ相補型ＭＩｓ集積回路を提供できる効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の相補型ＭＩＳ集積回路の一実施例を
示すブロック図、第２図は第１図の端子５と１０との間
の静電気の放電経路図、第８図は従来例のブロック図、
第４図は第８図の端子５と１０との間の静電気の放電経
路図である。 ｌ・・・集積回路チップ、２・・・回路ブロック（電源
系ＶＤＤＩ　−ＧＮＤＩ　）　、　８　＝回Ｗｆｒフｏ
　ツク（’Ｉ（［系ＶＤＤ２−ＧＮＤ２　）　、　４・
・・基板抵抗、５・・・回路ブロック２系端子、６・・
・高電位電源端子（ＶＤＤＩ）　、　？・・・低電位電
源端子（ＧＮＤＩ）、ｓ・・・高電位電源端子（ＶＤＤ
２）、９・・・低電位電源端子（ＧＮＤ２）、　１０・
・・回路ブロック２系端子、１１・・・同電位雷源端子
間双方向Ｐ−Ｎ接合ダイオード対、１２−１．１２−２
・・・電源間ダイオード、１１３−１．１３−２・・・
低電位側保護ダイオード、トド１．１１−２−・・高電
位側保護ダイオード。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 同一電位で、集積回路内部で金属配線で接続されない複
    数の電源端子を持つ相補型ＭＩＳ集積回路において、前
    記電源端子間に少なくとも一対の双方向Ｐ−Ｎ接合保護
    ダイオードを有することを特徴とする相補型ＭＩＳ集積
    回路。
JP61180354A 1986-07-30 1986-07-30 相補型ｍｉｓ集積回路 Expired - Lifetime JPH0693497B2 (ja)

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