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  1. ガラス基板上に単結晶半導体層をバッファ層を介して固定し、
    加熱された窒素ガスを吹きつけながら、ガラス基板の歪点以下の温度で前記単結晶半導体層を加熱し、かつ前記単結晶半導体層の一部にレーザ光を照射して、下層に単結晶半導体を残したまま、上層を溶融させることで、前記単結晶半導体層を前記下層の単結晶半導体と結晶方位が揃った単結晶半導体に再単結晶化させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
  2. ガラス基板上に単結晶半導体層をバッファ層を介して固定し、
    加熱された窒素ガスを吹きつけながら、ガラス基板の歪点以下の温度で前記単結晶半導体層を加熱し、かつ前記単結晶半導体層の一部にレーザ光を照射して、深さ方向の層全体を溶融させて前記レーザ光の照射領域と隣接する領域の単結晶半導体と結晶方位が揃った単結晶半導体に再単結晶化させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
  3. ガラス基板上に単結晶半導体層をバッファ層を介して固定し、
    加熱された窒素ガスを吹きつけながら、ガラス基板の歪点以下の温度で前記単結晶半導体層が固定された前記ガラス基板を加熱し、かつ前記単結晶半導体層の一部に線状のレーザ光を照射して、下層の単結晶半導体と結晶方位が揃った単結晶半導体に再単結晶化させ、
    前記線状のレーザ光の照射領域における長手方向に直交する方向に前記ガラス基板を移動させて、前記単結晶半導体層を再単結晶化させ、かつ平坦化させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
  4. ガラス基板上に単結晶半導体層をバッファ層を介して固定し、
    加熱された窒素ガスを吹きつけながら、ガラス基板の歪点以下の温度で前記単結晶半導体層が固定された前記ガラス基板を加熱し、かつ前記単結晶半導体層の一部に線状のレーザ光を照射して、深さ方向の層全体を溶融させて、前記レーザ光の照射領域と隣接する領域の単結晶半導体と結晶方位が揃った単結晶半導体に再単結晶化させ、
    前記線状のレーザ光の照射領域における長手方向に直交する方向に前記ガラス基板を移動させて、前記単結晶半導体層を再単結晶化させ、かつ平坦化させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
  5. 請求項１乃至４のいずれか１項において、
    前記再単結晶化とともに前記レーザ光の照射により溶融されていた単結晶部分の欠陥を修復することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  6. 請求項１乃至５のいずれか１項において、
    前記支持基板は、無アルカリガラス基板（商品名ＡＮ１００）、無アルカリガラス基板（商品名ＥＡＧＬＥ２０００（登録商標））または無アルカリガラス基板（商品名ＥＡＧＬＥＸＧ（登録商標））であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
  7. 請求項１乃至６のいずれか１項において、
    前記窒素ガスは、酸素ガスの濃度が３０ｐｐｍ以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
  8. 請求項１乃至７のいずれか１項において、
    前記窒素ガスは、酸素ガスの濃度が３０ｐｐｂ以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
  9. 請求項１乃至８のいずれか１項において、
    前記窒素ガスは、基板の表面側及び裏面側の両方から吹きつけることを特徴とする半導体装置の作製方法。
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