JP2009081173A - Cofパッケージ及びそれに用いるテープ基板 - Google Patents

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Abstract

【課題】 チップの小型化と高信頼性を実現するCOFパッケージ及びそれに用いられるテープ基板を提供する。
【解決手段】
チップ非搭載領域に設けられた複数の外部入力端子及び複数の外部出力端子と、外部入力端子と接続される複数の入力配線と、外部出力端子と接続される複数の出力配線と、チップ非搭載領域からチップ搭載領域にわたって設けられるともに、入力配線間に設けられ、外部入力端子と接続される複数の内部入力配線と、チップ非搭載領域からチップ搭載領域にわたって設けられるともに、内部入力配線間に設けられたダミー配線と、を備えるテープ基板と、入力配線と接続される複数の入力電極と、入力配線と接続される複数の出力電極と、内部入力配線と接続される内部入力電極と、表面上の1辺に沿って、入力電極と間隔を空けて設けられると共に、ダミー配線と接続されるダミー電極と、を供える半導体チップから構成される。
【選択図】 図2

Description

本発明は、COFパッケージ及びそれに用いられるテープ基板に関する。
一般的に液晶表示装置に搭載されるドライバは、半導体素子がテープで構成された基板上に封止された状態で表示装置に搭載される。近年の表示装置用ドライバでは、多階調化に伴ってデジタル信号をアナログ信号へ変換するD/A変換器が半導体素子内で占める割合が非常に大きくなっている。また、表示装置の大型化や、表示装置へ搭載するドライバ数の削減に伴って、一つ当たりのドライバの出力端子数が720本を超えるようになってきている。これらの要求に応えるために近年のドライバは、非常に多くの配線領域を半導体素子の内部に形成する必要があるため、半導体素子の面積が著しく大きくなってしまう、という問題を各社が抱えている。
また、出力端子数の増加に反してチップ面積は縮小方向へ進んでいるため、チップ上の電極間の間隔は非常に狭くなってきている。それに伴って、TCP(Tape Carrier Package)よりも微細化が可能であるCOF(Chip On Film)の需要が高まっている。
下記特許文献1には、半導体素子内の配線の増大、特に半導体素子の電気回路から外部へ信号を取り出す際に電気回路からバンプまで配線を張り巡らせなければならない課題に着目し、半導体装置の小型化及び軽量化を実現することを目的として、電気回路の出力である半導体素子の中央部に設けられた半導体素子表面バンプと、半導体素子外周部に設けられたバンプとを、基板上に設けられた配線パターンで接続する技術が開示されている。
この技術によれば、半導体素子回路と配線パターンとの接続を接続用配線でも行うことができるため、表面又は内部で引き回していた配線を接続用配線で代用することができる結果、半導体素子の小型化及び軽量化を実現することができる。
特開2006−80167号公報
しかしながら、上記特許文献1に開示されている技術では、半導体素子回路からの出力に対しての配線を減らすことは可能となるものの、半導体素子に対して入力される信号に関して何ら考慮されているものではなかった。特に、半導体素子上の周辺部に対して第1接続端子を形成する、という既成概念の基では半導体素子の小型化に対して不十分であった。また、チップの小型化に伴った信頼性の確保が可能となる構造に対する検討も不十分である。
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、チップの小型化と高信頼性を実現するCOFパッケージ及びそれに用いられるテープ基板を提供する。
本発明のCOFパッケージは、上述した課題を解決すべく、矩形のチップ搭載領域とチップ非搭載領域とを備えるとともに、チップ非搭載領域に設けられた複数の外部入力端子及び複数の外部出力端子と、チップ非搭載領域からチップ搭載領域にわたって設けられるともに、外部入力端子と接続される複数の入力配線と、チップ非搭載領域からチップ搭載領域にわたって設けられるともに、外部出力端子と接続される複数の出力配線と、チップ非搭載領域からチップ搭載領域にわたって設けられるともに、入力配線間に設けられ、外部入力端子と接続される複数の内部入力配線と、チップ非搭載領域からチップ搭載領域にわたって設けられるともに、内部入力配線間に設けられたダミー配線と、を備えるテープ基板と、表面上の1辺に沿って設けられると共に、入力配線と接続される複数の入力電極と、表面上の周辺に沿って設けられると共に、入力配線と接続される複数の出力電極と、表面上であって、入力電極と出力電極よりも内側に設けられると共に、内部入力配線と接続される内部入力電極と、表面上の1辺に沿って、入力電極と間隔を空けて設けられると共に、ダミー配線と接続されるダミー電極と、を供える半導体チップから構成される。
また、本発明のテープ基板は、上述した課題を解決すべく、矩形のチップ搭載領域を有し、チップ搭載領域内は、周辺に設けられた出力電極接続領域と、1辺に沿って設けられた入力電極接続領域と、入力電極接続領域間であって、1辺に沿って設けられた複数の配線通過領域と、配線通過領域間に設けられると共に1辺に沿って設けられたダミー電極接続領域と、入力電極接続領域、及び出力電極接続領域の内側に設けられた内部電極接続領域、とで構成され、入力配線は、外部入力端子から入力電極接続領域にわたって設けられた第1配線パターンと、外部入力端子から内部電極接続領域にわたって設けられると共に、配線通過領域を介して設けられる第3配線パターンとを備え、第3配線パターン間であって、ダミー電極接続領域に設けられた第4配線パターンと、を備える。
本発明のCOFパッケージ及びそれに用いられるテープ基板は、発明の構成をとることにより、半導体チップの小型化に寄与し、高信頼性を保つことを可能とする。
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、以下の説明及び添付の図面において、略同一の機能及び構成を有する構成要素については、同一の符号を付すことにより重複説明を省略する。
図1は、本発明の実施例1におけるCOFパッケージ100の概念図である。本実施例の構成を図1を用いて説明する。COFパッケージ100は、テープ基板10上に矩形の半導体チップ20が半導体チップ20の回路形成面がテープ基板10へ対向するように搭載されている。一般的には図示しない封止樹脂により半導体チップ20は封止されている。
テープ基板10は、最小構成要件として、外部入力端子31、外部出力端子32、第1の配線パターンである入力配線41、第2の配線パターンである出力配線42、第3の配線パターンである内部入力配線43を備えている。また、半導体チップ20は、最小構成要件として、第1電極である入力電極51と、第2電極である出力電極52と、第3電極である内部入力電極53とを備えている。
テープ基板10は、大別すると半導体チップ10が搭載される領域であるチップ搭載領域61と他の領域であるチップ非搭載領域62に分けられる。チップ搭載領域61は、矩形で表現されている。チップ非搭載領域62には、外部入力端子31と外部出力端子32が設けられている。一般的に外部入力端子31は、当該COFパッケージを制御するICの出力と接続され、様々な信号が入力される。特に本発明の半導体チップが液晶表示装置用のドライバICである場合には、電源ICやタイミングコントローラIC(T-CON)等からの信号が入力される。また外部出力端子32は、本発明の半導体チップ20で処理された信号が出力されるものである。特に本発明の半導体チップが液晶表示装置用のドライバICである場合には、液晶表示装置のパネルに接続されると共に、液晶へ書き込むアナログ電圧等が出力される。
チップ非搭載領域62からチップ搭載領域61にわたって入力配線41、出力配線42、及び内部入力配線43が設けられている。入力配線41は、一端が外部入力端子31と接続され、他端は、チップ搭載領域61の第1の辺71に沿った位置に配置されている。言い換えるとチップ搭載領域の周縁部に他端が配置されている。入力配線41は複数設けられており、必要に応じて外部入力端子31と一体形成されている。出力配線42は、一端が外部出力端子32と接続され、他端は、チップ搭載領域61の第2の辺72に沿った位置に配置されている。第2の辺72は第1の辺71に対向する辺である。出力配線42も複数もうけられており、必要に応じて外部出力端子32と一体形成される。内部入力配線43は、一端が外部入力端子31に接続され、他端は、チップ搭載領域61の内側の位置まで引き出されている。内部入力配線43は、一般的に連続して複数本配列される信号線であり、例えば10ビット分のデータ線や、階調電圧用の基準電圧である。
半導体チップ20は、矩形であって、表面上に第1の辺71に沿って設けられた複数の入力電極51、第2の辺72に沿って設けられた出力電極52、及び、入力電極51及び出力電極52よりも内側に配置された内部入力電極53が設けられている。入力電極51は、図示しないバンプを介して入力配線41と接続されるものである。出力電極52は、図示しないバンプを介して出力配線42と接続されるものである。内部入力電極53は、図示しないバンプを介して内部入力配線43と接続されるものである。出力電極52は、第2の辺72以外の辺に沿っても形成されることがある場合によっては4辺全てに沿って形成される場合もある。出力電極52の数に応じて適宜配置される。内部入力電極53は所定の機能ブロック近傍に配置される。本実施例の例では内部入力電極53に入力される信号が、階調電圧発生回路用の基準電圧とするならば、階調電圧発生回路に設けられるラダー抵抗80の近傍である。内部入力電極53へ画像データ信号等であれば当該信号の処理部近傍となる。
このように、本実施の形態によれば、内部入力電極53を、各々に接続される機能ブロック(特にラダー抵抗80)の近傍に配置し、外部入力端子31から機能ブロック近傍へ内部入力配線43で信号を伝達するため、入力電極と機能ブロックの物理的距離を縮めるとともに、半導体素子内部の配線を削減することを可能としている。結果として、半導体素子内部の配線のインピーダンスを低下させることができるとともに、半導体素子内部の配線領域を縮小することができる。要するに、ラダー抵抗80に対して、より変動のない形で電源を供給することが可能となると共に、半導体素子10の面積を小さくすることができる。
図2は本発明の実施例2におけるCOFパッケージである。また、図3は、図2に示すA部の詳細図である。図2、3を用いて、実施例2を以下に説明する。以下の説明おいて第1の実施の形態と異なる部分に関して説明する。
図2に示すように、実施例2の発明の特徴とするところは、テープ基板10においては、内部入力配線243aと内部入力配線243bとの間に第4の配線パターンであるダミー配線244が配置されていることであり、半導体チップ20においては、ダミー電極254が配置されていることである。
図3を用いて実施例2の詳細について説明する。図3では、COFパッケージの一部を示している。テープ基板10上のチップ搭載領域61内にはそれぞれ領域が定義される。第1の辺71に沿って複数の入力電極接続領域310が定義される。また入力電極接続領域310aと入力電極接続領域310b間には複数の配線通過領域320が定義される。複数の配線通過領域320はそれぞれ、第1の辺71に沿って設けられている。入力電極接続領域310に対してチップ搭載領域61の内側には内部入力電極接続領域330が定義される。また、配線通過領域320間には、ダミー電極接続領域340が定義されている。例えば、配線通過領域320aと配線通過領域320bとの間にはダミー電極接続領域340aが定義される。ダミー電極接続領域340も第1の辺71に沿っている。なお、図3には図示されていないが、当然、図2に示すように出力電極が配置されうるチップ搭載領域61の周辺には出力電極接続領域が定義される。
入力電極接続領域310には、入力配線241が配置されると共に、バンプを介して入力配線241と入力電極51が接続される。入力配線241aは、例えば電源を供給する配線であり、入力配線241bはグランドに接続されるものである。配線通過領域320には、内部入力配線243が配置される。ダミー電極接続領域340には、ダミー配線244が配置されると共に、バンプを介してダミー電極254と接続される。なおダミー電極254は、内部配線を介して電源やグランドに接続されていることが望ましい。また、ダミー配線244は隣り合う内部入力配線243と平行に外部入力端子31の方向へ延在している。ただし、外部入力端子31とは接続されてはいない。ダミー配線244と隣り合う内部入力配線243との距離は、他の入力配線241同士の間隔や、入力配線241と内部入力配線243との距離と同等とすることが望ましい。
一般的にテープ基板10と半導体チップ20の接続強度は、テープ基板10上の入力配線41又は出力配線42と半導体チップ20上の入力電極51又は出力電極52とのバンプの接続によるものである。COFパッケージは折り曲げられて搭載されることが多々あるため、大きな応力がかかることが危惧される。よって、COFパッケージ全体で均一にテープ基板10と半導体チップ20の接続信頼性(剥がれ強度)を保つことが求められる。図1に示すCOFパッケージでは、内部接続配線43が少なくも5本連続して配置されている。上述した階調電圧用の基準電圧を考慮すると10本以上連続することも考えられる。
本実施例では、テープ基板10の配線通過領域320に挟まれた領域にダミー配線244を備え、半導体チップ20供えたダミー電極254と接続させることでテープ基板10と半導体チップ20の接続信頼性を確保することを可能としている。特に接続信頼性を高く求めるには、内部入力配線244が3本以内おきにダミー配線244を設けることが望ましい。言い換えるならば、4本以上の内部入力配線244が連続して配置される場合、少なくとも間に一つはダミー配線244、バンプ、及びダミー電極254によって接続強度を補強することが望ましい。
また、入力電極51とダミー電極254との間、或いはダミー電極254同士の間は150μm以下とすることが望ましく、入力電極51、及びダミー電極254の幅が30μm弱であることを考慮すれば、内部入力配線243は連続して3本まで配置することが可能でもある。また、入力電極51とダミー電極254との間、或いはダミー電極254同士の間は150μm以下とすることによりテープ基板10と半導体チップ20とを封止する封止樹脂の流れ出し等を制御することが可能となり、封止樹脂の形状異常を防止することができる。入力配線241とダミー配線244との距離も上記入力電極51とダミー電極254と同様である。ここで距離の定義は、それぞれ対象となる物の中心間の距離である。
なお、入力配線241、内部入力配線243、ダミー配線244はすべて同一の配線幅とすることが望ましい。樹脂流し込み時の樹脂の制御性の向上に加え、テープ基板上の配線形成時のバラツキを抑制することが可能となる。
本発明の実施例1におけるCOFパッケージを示す概念図である。 本発明の実施例2におけるCOFパッケージを示す概念図である。 図2に示すA部の詳細図である。
符号の説明
10 テープ基板
20 半導体チップ
31 外部入力端子
32 外部出力端子
41 入力配線
42 出力配線
43 内部入力配線
51 入力電極
52 出力電極
53 内部入力電極
61 チップ搭載領域
62 チップ非搭載領域
100 COFパッケージ
244 ダミー配線
254 ダミー電極
310 入力電極接続領域
330 配線通過領域
340 ダミー電極接続領域

Claims (13)

  1. テープ基板上にチップ表面を対向させて矩形の半導体チップを搭載するCOFパッケージであって、
    前記テープ基板は、
    矩形のチップ搭載領域とチップ非搭載領域とを備えるとともに、
    チップ非搭載領域に設けられた複数の外部入力端子及び複数の外部出力端子と、
    前記チップ非搭載領域からチップ搭載領域にわたって設けられるともに、前記外部入力端子と接続される複数の入力配線と、
    前記チップ非搭載領域からチップ搭載領域にわたって設けられるともに、前記外部出力端子と接続される複数の出力配線と、
    前記チップ非搭載領域からチップ搭載領域にわたって設けられるともに、前記入力配線間に設けられ、前記外部入力端子と接続される複数の内部入力配線と、
    前記チップ非搭載領域からチップ搭載領域にわたって設けられるともに、前記内部入力配線間に設けられたダミー配線と、を備え、
    前記半導体チップは、
    前記表面上の1辺に沿って設けられると共に、前記入力配線と接続される複数の入力電極と、
    前記表面上の周辺に沿って設けられると共に、前記入力配線と接続される複数の出力電極と、
    前記表面上であって、前記入力電極と前記出力電極よりも内側に設けられると共に、前記内部入力配線と接続される内部入力電極と、
    前記表面上の1辺に沿って、前記入力電極と間隔を空けて設けられると共に、前記ダミー配線と接続されるダミー電極と、
    を備えることを特徴とするCOFパッケージ。
  2. 前記ダミー電極は、前記半導体チップ内でグランドに接続されていることを特徴とする請求項1に記載のCOFパッケージ。
  3. 前記内部入力配線は少なくとも4本以上であることを特徴とする請求項1または2のいずれかに記載のCOFパッケージ。
  4. 外部入力端子及び外部出力端子と、前記外部入力端子と前記外部出力端子の各々に接続された複数の配線パターンが形成されたテープ基板上に矩形の半導体チップを搭載するCOFパッケージであって、
    前記半導体チップは、
    表面の第1の辺に沿って形成された複数の第1電極と、
    前記表面の前記第1の辺に対向する辺に沿って形成された複数の第2電極と、
    機能ブロック近傍に形成された複数の第3電極と、
    前記表面の第1の辺に沿って形成されると共に、前記複数の第1電極間に所定の距離を隔てて形成された第4電極と、
    を備え、
    前記基板は、
    前記外部入力端子と前記第1電極とを接続する複数の第1配線パターンと、
    前記外部出力端子と前記第2電極とを接続する複数の第2配線パターンと、
    複数の前記第1電極と複数の前記第1配線パターンとの接続点間を通過すると共に、前記外部入力端子と前記第3電極とを接続する複数の第3配線パターンと、
    前記第3配線パターン間に設けられると共に、前記第4電極と接続される第4配線パターンと、
    を備えたことを特徴とするCOFパッケージ。
  5. 前記第4の配線パターンは、前記外部入力端子及び前記外部出力端子とは直接接続されていないことを特徴とする請求項4に記載のCOFパッケージ。
  6. 前記第4の配線パターンの両側には、少なくとも2本以上づつの前記第3の配線パターンが設けられていることを特徴とする請求項4又は5のいずれかに記載のCOFパッケージ。
  7. テープ基板上にチップ表面を対向させて矩形の半導体チップを搭載し、前記テープ基板上の外部入力端子より入力した信号を入力配線によって、前記半導体チップに入力し、前記半導体チップの出力を出力配線によって外部出力端子より出力するCOFパッケージに用いられるテープ基板であって、
    前記テープ基板は、矩形のチップ搭載領域を有し、
    前記チップ搭載領域内は、1辺に沿って設けられた入力電極接続領域と、前記入力電極接続領域間であって、1辺に沿って設けられた複数の配線通過領域と、前記配線通過領域間に設けられると共に1辺に沿って設けられたダミー電極接続領域と、前記入力電極接続領域、及び前記出力電極接続領域の内側に設けられた内部電極接続領域、とで構成され、
    前記入力配線は、前記外部入力端子から前記入力電極接続領域にわたって設けられた第1配線パターンと、前記外部入力端子から前記内部電極接続領域にわたって設けられると共に、前記配線通過領域を介して設けられる第3配線パターンとを備え、
    前記第3配線パターン間であって、前記ダミー電極接続領域に設けられた第4配線パターンと、
    を有することを特徴とするテープ基板。
  8. テープ基板のチップ搭載領域の周縁部と内側部で半導体チップの電極とバンプを介してと電気的に接続するCOFパッケージであって、
    前記テープ基板は少なくとも2本以上の入力配線と、4本以上の内部入力配線と、ダミー配線と、を備え、
    前記ダミー配線は、前記内部入力配線に挟まれると共に、少なくとも前記4本の内部入力配線は、前記入力配線に挟まれて配置され、
    前記内部入力配線は、前記チップ搭載領域の内側部で半導体チップと接続され、前記入力配線、及び前記ダミー配線は、前記チップ搭載領域の周縁部で半導体チップを接続されることを特徴とするCOFパッケージ。
  9. 前記ダミー配線は、前記内部入力配線に沿って、配置されることを特徴とする請求項8に記載のCOFパッケージ。
  10. 前記ダミー配線と前記内部入力配線との距離は、前記入力配線同士の距離と等しいことを特徴とする請求項8又は9のいずれかに記載のCOFパッケージ。
  11. 前記ダミー配線と、最も近い前記入力配線との距離は150μm以下であることを特徴とする請求項8〜10のいずれかに記載のCOFパッケージ。
  12. 前記内部入力配線に隣接する前記入力配線は、高電源またはグランド電位が印加される配線であることを特徴とする請求項8〜11のいずれかに記載のCOFパッケージ。
  13. 前記ダミー配線の配線幅は、前記入力配線の配線幅と同等であることを特徴とする請求項8〜12のいずれかに記載のCOFパッケージ。
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KR20080025839A KR101493759B1 (ko) 2007-09-25 2008-03-20 Cof 패키지 및 그것에 사용하는 테이프 기판
CN2008100858430A CN101399247B (zh) 2007-09-25 2008-03-21 Cof封装及用于cof封装的载带基板
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9535302B2 (en) 2014-02-10 2017-01-03 Samsung Display Co., Ltd. Display device

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4540697B2 (ja) * 2007-08-31 2010-09-08 Okiセミコンダクタ株式会社 半導体装置
JP4472737B2 (ja) * 2007-08-31 2010-06-02 Okiセミコンダクタ株式会社 半導体装置、半導体素子及び基板
KR101692956B1 (ko) * 2010-09-20 2017-01-04 삼성전자 주식회사 테이프 패키지
CN102237334A (zh) * 2011-06-09 2011-11-09 深圳市华星光电技术有限公司 Cof及cof载带
CN102509723B (zh) * 2011-10-18 2014-05-21 深圳市华星光电技术有限公司 覆晶薄膜的面板结构
CN102608777A (zh) 2011-11-04 2012-07-25 深圳市华星光电技术有限公司 一种cof封装单元及cof封装卷带
KR101951956B1 (ko) * 2012-11-13 2019-02-26 매그나칩 반도체 유한회사 반도체 패키지용 연성회로기판
KR102243669B1 (ko) 2015-01-26 2021-04-23 삼성전자주식회사 칩 온 필름 패키지 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
KR102508527B1 (ko) 2016-07-01 2023-03-09 삼성전자주식회사 필름형 반도체 패키지
CN111755620A (zh) 2019-03-27 2020-10-09 力晶积成电子制造股份有限公司 半导体封装
CN212112052U (zh) * 2020-06-22 2020-12-08 深圳市全洲自动化设备有限公司 一种cof液晶显示模组

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09260579A (ja) * 1996-03-22 1997-10-03 Sharp Corp フレキシブル配線基板の端子構造およびそれを用いたicチップの実装構造
JP2002124537A (ja) * 2000-10-17 2002-04-26 Casio Comput Co Ltd 半導体チップの接合構造およびその構造を備えた表示装置
JP2002244580A (ja) * 2001-02-13 2002-08-30 Sharp Corp 表示素子駆動装置およびそれを用いた表示装置
JP2004127974A (ja) * 2002-09-30 2004-04-22 Oki Electric Ind Co Ltd Cofテープキャリア、半導体素子、半導体装置
JP2006080167A (ja) * 2004-09-07 2006-03-23 Sharp Corp 半導体装置
JP2007081058A (ja) * 2005-09-13 2007-03-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 配線基板及びその製造方法、並びに半導体装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4271435B2 (ja) * 2002-12-09 2009-06-03 シャープ株式会社 半導体装置
JP4109689B2 (ja) * 2004-09-29 2008-07-02 三井金属鉱業株式会社 Cof用フレキシブルプリント配線板の製造方法
KR100652519B1 (ko) * 2005-07-18 2006-12-01 삼성전자주식회사 듀얼 금속층을 갖는 테이프 배선기판 및 그를 이용한 칩 온필름 패키지
JP4806313B2 (ja) * 2006-08-18 2011-11-02 Nec液晶テクノロジー株式会社 テープキャリア、液晶表示装置用テープキャリア、及び液晶表示装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09260579A (ja) * 1996-03-22 1997-10-03 Sharp Corp フレキシブル配線基板の端子構造およびそれを用いたicチップの実装構造
JP2002124537A (ja) * 2000-10-17 2002-04-26 Casio Comput Co Ltd 半導体チップの接合構造およびその構造を備えた表示装置
JP2002244580A (ja) * 2001-02-13 2002-08-30 Sharp Corp 表示素子駆動装置およびそれを用いた表示装置
JP2004127974A (ja) * 2002-09-30 2004-04-22 Oki Electric Ind Co Ltd Cofテープキャリア、半導体素子、半導体装置
JP2006080167A (ja) * 2004-09-07 2006-03-23 Sharp Corp 半導体装置
JP2007081058A (ja) * 2005-09-13 2007-03-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 配線基板及びその製造方法、並びに半導体装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9535302B2 (en) 2014-02-10 2017-01-03 Samsung Display Co., Ltd. Display device

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