JP2009026954A - バリスタ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】積層チップバリスタは、電圧非直線性抵抗体層と、電圧非直線性抵抗体層を挟むように配置された内部電極と、を備えている。電圧非直線性抵抗体層を構成する電圧非直線性抵抗体磁器組成物は、酸化亜鉛を主成分として含む第一相P1と、CaとSiとの酸化物からなる第ニ相P2とが混在してなる混相を含んでいる。
【選択図】図2
Description
C=ε0εr(S/d) … (1)
で表される。Cは静電容量、ε0は真空の誘電率、εrは比誘電率、Sは静電容量が発現する対向電極の面積、dは対向電極間の厚みを表している。酸化亜鉛を主成分として含むバリスタ、いわゆる酸化亜鉛系バリスタの場合、厚みdの取り扱いに注意を要する。酸化亜鉛系バリスタは、結晶粒界により特性が発現する。すなわち、粒界の抵抗と粒内の抵抗には、定常状態に於いて大きな差があり、粒界の抵抗は粒内のそれに比較してはるかに大きい。従って、ブレークダウン電圧(立ち上がり電圧)を超えない定常状態では、印加された電界はほぼ全てが粒界にかかっている。したがって、上述した厚みdは、この点を考慮しなければならない。
d=n・2W … (2)
で表される。nは対向電極と平行な粒界数、2Wは1粒界の空乏層幅を表している。
n=V1mA/φ … (3)
の関係が成立する。φは粒界のバリア高さで、1粒界あたりのバリスタ電圧を代表する値である。
C・V1mA=ε0εr・(φ・S/2W) … (4)
となる。φと2Wとは、適正な電圧非直線特性のとき、ある一定の値(例えば、φ=0.8eV、2W=30nmくらい)となるので、対向電極の面積Sが一定の場合、式(4)は一定である。逆に言えば、適正な電圧非直線特性を維持したまま静電容量を低下させるには、対向電極の面積Sを小さくするのが効果的である。
V10は、積層チップバリスタ試料にI10=10mAの電流を流した場合のバリスタ電圧を意味する。V1は、積層チップバリスタ試料にI1=1mAの電流を流した場合のバリスタ電圧を意味する。非直線係数αが大きいほど、バリスタ特性に優れている。
Claims (5)
- 電圧非直線特性を発現する磁器組成物と、前記磁器組成物の少なくとも一部を挟むように配置された少なくとも二つの電極と、を備えており、
前記磁器組成物は、酸化亜鉛を主成分として含む第一相と、CaとSiとの酸化物からなる第ニ相とが混在してなる混相を含んでいることを特徴とするバリスタ。 - 前記磁器組成物の切断面において、該切断面に対する前記第ニ相の面積比が、0.04以上0.38以下の範囲であることを特徴とする請求項1に記載のバリスタ。
- 前記第一相が、希土類金属の酸化物を更に含んでいることを特徴とする請求項1又は2に記載のバリスタ。
- 前記第一相に含まれる希土類金属の酸化物が、Prの酸化物であることを特徴とする請求項3に記載のバリスタ。
- 前記第一相が、Coの酸化物を更に含んでいることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載のバリスタ。
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