JP6786936B2 - 誘電体組成物及び電子部品 - Google Patents
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Description
化学式(K1−xNax)Sr2Nb5O15(但し、0≦x≦0.50)で表されるタングステンブロンズ型複合酸化物を主成分とする誘電体組成物において、前記誘電体組成物が2MgO・SiO2、BaO・2MgO・2SiO2及び2MgO・B2O3から選択される少なくとも1種以上の二次相を含むことを特徴とする。
昇温速度:100℃/時間
保持温度:400℃
温度保持時間:8.0時間
雰囲気ガス:加湿したN2とH2との混合ガス
(焼成)
昇温速度:1000℃/時間
保持温度:1100℃〜1300℃
温度保持時間:1.0時間
冷却速度:200℃/時間
雰囲気ガス:加湿したN2とH2との混合ガス
酸素分圧:10−5Pa
(アニール処理)
保持温度:800℃〜1000℃
温度保持時間:2.0時間
昇温、降温速度:200℃/時間
雰囲気ガス:加湿したN2ガス
積層セラミックコンデンサ試料に対し、250℃において、デジタル抵抗メータ(ADVANTEST社製R8340)にて、測定電圧50V(電界強度5V/μm)、測定時間60秒の条件で絶縁抵抗を測定した。積層セラミックコンデンサ試料の電極面積および誘電体厚みから比抵抗の値を算出した。比抵抗は高いほうが好ましく、室温においては5.00×1011Ωm以上でかつ、250℃においては1.00×1010Ωm以上を良好であると判断した。
なお、表2には比抵抗を対数表示しており、5.00×1011を対数表示すると11.7、1.00×1010Ωmを対数表示すると10.0となる。
比抵抗の変化率は、室温の比抵抗Log(ρ(RT))に対し250℃の比抵抗Log(ρ(250℃))の変化率を下記に示す式(1)を用いて算出した。
変化率(%)=
[Log(ρ(250℃))−Log(ρ(RT))]/Log(ρ(RT))×100・・・(1)
比抵抗の変化率は、変化率は小さいほど好ましく、−20%以下、より好ましくは−15%以下であることを良好と判断した。
積層セラミックコンデンサ試料に対し、250℃において、100V/sec昇圧速度で直流電圧を印加し、漏れ電流が10mAを超えたところを直流耐電圧とした。直流耐電圧は、50V/μm以上あることが好ましく、100V/μm以上あることを良好と判断した。
焼成して得られた積層セラミックコンデンサ試料に対して、研磨した誘電体層断面に対し、EPMA(Elctron Probe Micro Analyzer)により元素マッピング行った。マッピングの視野は、10μm×10μmとし、各試料に対し5視野以上マッピングを行った。これらの方法で得られた元素マップを用いて、2MgO・SiO2の元素であるMg、Siと、BaO・2MgO・2SiO2の元素であるMg、Si、Ba及び2MgO・B2O3の元素であるMg、Bの面積を特定し、各5視野以上の結果の平均面積を用いて、それぞれの面積割合を算出し、二次相全体の占める面積を算出した。本実施形態では、より高い比抵抗と良好な変化率とを得るため、二次相が占める面積が1.5%〜20.0%であることを良好と判断した。
2 誘電体層
3 内部電極層
4 外部電極
10 コンデンサ素子本体
Claims (3)
- 化学式(K1−xNax)Sr2Nb5O15(但し、0≦x≦0.50)で表されるタングステンブロンズ型複合酸化物を主成分とする誘電体組成物であって、前記誘電体組成物が2MgO・SiO2、BaO・2MgO・2SiO2及び2MgO・B2O3から選択される少なくとも1種以上の二次相を含み、
前記誘電体組成物の断面における全面積を100%とした場合、前記断面における前記二次相が占める面積が1.5%〜20.0%であることを特徴とする誘電体組成物。 - 副成分として、La2O3と、SnO2、Y2O3、Sb2O3、Ta2O5およびNb2O5から選択される少なくとも一種以上とを、前記主成分100molに対して、0.5mol〜5.0mol含有していることを特徴とする請求項1に記載の誘電体組成物。
- 誘電体層と内部電極層とを有する電子部品であって、前記誘電体層が、請求項1または2に記載の誘電体組成物より成ることを特徴とする電子部品。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2016153013A JP6786936B2 (ja) | 2016-08-03 | 2016-08-03 | 誘電体組成物及び電子部品 |
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KR101119804B1 (ko) * | 2007-02-22 | 2012-03-22 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 유전체 세라믹 조성물 및 적층 세라믹 콘덴서 |
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- 2016-08-03 JP JP2016153013A patent/JP6786936B2/ja active Active
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