JP2009008627A - 検査故障解析方法及び検査故障解析装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】LSIチップ1を搭載する試料台4と、試料台4を通じてLSIチップ1にテストパタンを供給するテストパタン発生器3と、変調のかかったレーザビーム8を走査しながらLSIチップ1を照射するレーザ変調機能付光学系5と、LSIチップ1からの信号における所定周波数の信号のみを取り出すロックインアンプを通じてLSIチップ1からの信号を取り出し、取り出した信号を走査点に対応させる画像処理を行うIR−OBIRCH制御部6と、IR−OBIRCH制御部6からの画像信号に基づいて画像を表示する表示部7と、を備える。IR−OBIRCH制御部6は、画像信号に基づいて、LSIチップ1における異常電流経路の有無を確認する。
【選択図】図1
Description
2 IR−OBIRCH装置
3 テストパタン発生器
4 試料台
5 レーザ変調機能付光学系
6 IR−OBIRCH制御部
7 表示部
8 レーザビーム
10 異常電流経路
11 異常電流経路に起因するコントラスト
101 LSIチップ
102 試料台
103 LSIテスタ
104 合否判定部
105 IDDQ測定部
106 テストパタン発生部
107 電源部
201 LSIチップ
202 IR−OBIRCH装置
203 LSIテスタ
204 合否判定部
205 IDDQ測定部
206 テストパタン発生部
207 電源部
208 光学系
209 試料台
210 IR−OBIRCH制御部
211 表示部
212 レーザビーム
Claims (11)
- 半導体チップにテストパタンを入力する工程と、
前記テストパタンを入力する際、前記半導体チップにレーザビームを走査して照射して加熱することにより前記半導体チップの抵抗変化を可視化する工程と、
可視化された画像に基づいて前記半導体チップにおける異常IDDQが流れる異常電流経路の有無を判定する工程と、
を含むことを特徴とする検査故障解析方法。 - 前記異常電流経路がない場合に前記半導体チップに前記テストパタンと異なる他のテストパタンを入力する工程を行い、
前記他のテストパタンを入力する際、前記半導体チップの抵抗変化を可視化する工程を行うことを特徴とする請求項1記載の検査故障解析方法。 - 前記半導体チップの抵抗変化を可視化する工程は第1の条件で行い、
前記異常電流経路の有無を判定する工程で前記異常電流経路がある場合に、第2の条件で前記半導体チップにレーザビームを走査して照射して加熱することにより前記半導体チップの抵抗変化を可視化する工程を行い、
前記第2の条件で前記半導体チップの抵抗変化を可視化する工程を行った後、可視化された画像に基づいて前記半導体チップにおける異常IDDQが流れる異常電流経路と欠陥を検出する工程を行い、
前記第1の条件は、第2の条件よりも高速化された条件であることを特徴とする請求項1又は2記載の検査故障解析方法。 - 前記第1の条件は、前記第2の条件よりも、変調の周波数を上げたレーザビームとする条件、走査速度を上げたレーザビームとする条件、及び、可視化される画像の一画面あたりの画素数を減らす条件のいずれか1つ又は組み合わせであることを特徴とする請求項3記載の検査故障解析方法。
- 請求項1乃至4のいずれか一に記載の検査故障解析方法を含む半導体装置の製造方法。
- 半導体チップを搭載する試料台と、
前記試料台を通じて前記半導体チップにテストパタンを供給するテストパタン発生器と、
変調のかかったレーザビームを走査しながら前記半導体チップを照射するレーザ変調機能付光学系と、
前記半導体チップからの信号における所定周波数の信号のみを取り出すロックインアンプを通じて前記半導体チップからの信号を取り出し、取り出した信号を走査点に対応させる画像処理を行う制御部と、
前記制御部からの画像信号に基づいて画像を表示する表示部と、
を備えることを特徴とする検査故障解析装置。 - 前記レーザ変調機能付光学系は、前記テストパタン発生器が前記半導体チップにテストパタンを供給している間に、変調のかかったレーザビームを走査しながら前記半導体チップを照射することを特徴とする請求項6記載の検査故障解析装置。
- 前記制御部は、前記画像信号に基づいて、前記半導体チップにおける異常電流経路の有無を確認することを特徴とする請求項6又は7記載の検査故障解析装置。
- 前記制御部は、前記異常電流経路がない場合に前記テストパタン発生器を前記テストパタンと異なる他のテストパタンを出力するように切り替え、その後、前記ロックインアンプを通じて前記半導体チップからの信号を取り出し、取り出した信号を走査点に対応させる画像処理を行うように制御することを特徴とする請求項8記載の検査故障解析装置。
- 前記制御部は、
前記半導体チップからの信号を取り出す動作を第1の条件で行うように制御し、
前記異常電流経路の有無の確認で前記異常電流経路がある場合に、前記半導体チップからの信号を取り出す動作を第2の条件で行うように制御し、
前記第2の条件で前記半導体チップからの信号を取り出し、取り出した信号を走査点に対応させる画像処理を行った後、画像処理された画像信号に基づいて前記半導体チップにおける異常IDDQが流れる異常電流経路と欠陥を検出するように制御し、
前記第1の条件は、第2の条件よりも高速化された条件であることを特徴とする請求項8又は9記載の検査故障解析装置。 - 前記第1の条件は、前記第2の条件よりも、変調の周波数を上げたレーザビームとする条件、走査速度を上げたレーザビームとする条件、及び、可視化される画像の一画面あたりの画素数を減らす条件のいずれか1つ又は組み合わせであることを特徴とする請求項10記載の検査故障解析装置。
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