TWI732027B

TWI732027B - 半導體元件檢查方法及半導體元件檢查裝置

Info

Publication number: TWI732027B
Application number: TW106128859A
Authority: TW
Inventors: 岩城吉剛
Original assignee: 日商濱松赫德尼古斯股份有限公司
Priority date: 2016-10-26
Filing date: 2017-08-25
Publication date: 2021-07-01
Also published as: JP6820184B2; JP2018072081A; TW201816408A; US10983162B2; US20190265297A1; WO2018078993A1

Abstract

本發明之進行被檢查體即半導體元件之檢查的檢查方法包含如下步驟：對半導體元件輸入輸入信號；對半導體元件照射光；對半導體元件照射光之期間，基於自經輸入輸入信號之半導體元件輸出之輸出信號，輸出表示半導體元件之狀態變化之結果信號；導出自對半導體元件輸入輸入信號起至輸出結果信號之時間相關之時間資訊。

Description

半導體元件檢查方法及半導體元件檢查裝置

本揭示係關於一種半導體元件檢查方法及半導體元件檢查裝置。

於專利文獻1中，揭示一種藉由雷射光之照射進行半導體元件檢查之裝置。於該裝置中，對半導體元件，照射具有較矽之帶隙更大之能量之未達1064 nm之雷射光。且，計測因該照射產生之光生電流而變化之半導體元件之合格/不合格資訊。合格/不合格資訊表示因雷射光之照射而產生之半導體元件之動作狀態之變化。因此，基於合格/不合格資訊可特定出半導體元件之不良部位。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2012-58247號公報

[發明所欲解決之問題] 於如上述之先前之裝置中，僅根據雷射光之照射之合格/不合格之狀態變化之有無，僅能特定出半導體元件之不良部位，而無法對半導體元件進行多樣解析。本揭示之目的在於提供一種可對半導體元件實施多樣解析之半導體元件檢查方法及半導體元件檢查裝置。 [解決問題之技術手段] 一態樣之半導體元件檢查方法係進行被檢查體即半導體元件之檢查之方法，且包含以下步驟：對半導體元件輸入輸入信號；對半導體元件照射光；於對半導體元件照射光之期間，基於自經輸入輸入信號之半導體元件輸出之輸出信號，輸出表示半導體元件之狀態變化之結果信號；導出自對半導體元件輸入輸入信號起至輸出結果信號之時間相關之時間資訊。於此種半導體元件檢查方法中，藉由對半導體元件照射光，可於半導體元件產生狀態變化。於半導體元件之狀態變化產生之情形時，因輸出信號亦可能產生變化，故可將半導體元件之狀態變化作為結果信號輸出。且，藉由取得關於自輸入信號之輸入起至結果信號之輸出之時間的時間資訊，可計測產生狀態變化之時序。如此，不僅藉由顯示狀態變化之結果信號，亦藉由導出關於狀態變化之時間資訊，而可對半導體元件實施多樣之解析。於一態樣中，於輸入輸入信號之步驟中，可產生對應於輸入信號之迴路觸發(loop trigger)信號；於導出時間資訊之步驟中，亦可將迴路觸發信號作為輸入信號之輸入基準。藉由以迴路觸發信號為基準，可更確實地特定出輸入信號之輸入。於一態樣中，亦可對應於迴路觸發信號使光之照射位置移動。根據該構成，可確實地使半導體元件上之光之照射位置之移動與輸入信號之輸入同步。於一態樣中，亦可進而包含產生光之照射位置與時間資訊相關聯之測定圖像之步驟。於該情形時，藉由參照測定圖像，可容易地掌握照射位置之時間資訊。於一態樣中，亦可進而包含以下步驟：檢測由半導體元件反射之光之反射光；基於檢測出之反射光與光之照射位置而產生半導體元件之圖案圖像。於該情形時，亦可進而包含將圖案圖像與測定圖像重疊之步驟。於該情形時，藉由參照重疊於圖案圖像之測量圖像，可容易地掌握照射位置之時間資訊與半導體元件之位置之關係。於一態樣中，輸入信號亦可包含測試圖案信號。於該情形時，輸入信號亦可包含複數個測試圖案。根據該構成，於1次之計測中，可輸入半導體元件之狀態變化可能產生之複數個測試圖案。本揭示之一態樣係基於與對被檢查體即半導體元件輸入輸入信號對應而輸出之結果信號而檢查該半導體元件之半導體元件檢查裝置，且包含：光源，其產生光；掃描部，其對半導體元件掃描光；時間測定部，其被輸入表示光所照射之半導體元件之狀態變化之結果信號，導出且輸出自對半導體元件輸入輸入信號起至輸出結果信號之時間相關的時間資訊。於此種半導體元件檢查裝置中，可將因對半導體元件照射光而產生之狀態變化作為結果信號輸出。且，藉由獲取關於自輸入信號輸入起至結果信號輸出之時間的時間資訊，可計測狀態變化產生之時序。如此，不僅藉由顯示狀態變化之結果信號，亦藉由導出關於狀態變化之時間資訊，而可對半導體元件實施多樣之解析。於一態樣中，時間測定部亦可包含時間數位轉換器或類比時間波高轉換器。根據該構成，可容易地實現時間測定部。於一態樣中，時間測定部亦可被輸入與輸入信號對應之迴路觸發信號，且將迴路觸發信號作為輸入信號之輸入基準。藉由以迴路觸發信號為基準，可更確實地特定出輸入信號之輸入開始。於一態樣中，掃描部亦可對應於與輸入信號對應之迴路觸發信號掃描光。根據該構成，可確實地使半導體元件上之光之照射位置之移動與輸入信號之輸入同步。於一態樣中，亦可進而包含解析部，其被輸入時間資訊，產生光之掃描位置與時間資訊相關聯之測定圖像。於該情形時，藉由參照測定圖像，可容易地掌握照射位置之時間資訊。於一態樣中，亦可進而包含光檢測器，其檢測由半導體元件反射之光之反射光，而輸出檢測信號；解析部亦可基於檢測信號與光之掃描位置而產生半導體元件之圖案圖像。於該情形時，解析部亦可將圖案圖像與測定圖像重疊。於該情形時，藉由參照重疊於圖案圖像之測量圖像，可容易地掌握照射位置之時間資訊與半導體元件之位置之關係。 [發明之效果] 根據一態樣之半導體元件檢查方法及半導體元件檢查裝置，可對半導體元件實施多樣之解析。

以下，參照圖式對實施形態進行具體説明。為方便起見，對實質上相同之要素標註相同符號，並省略其說明。 [第1實施形態] 如圖1所示，本實施形態之半導體元件檢查裝置1係獲取與對被檢查體即半導體元件D之測試圖案信號之輸入對應輸出之結果信號之裝置。半導體元件檢查裝置1被用於例如SDL(Soft Defect Localization：軟體缺陷定位)計測、LADA(Laser Assisted Device Alteration：雷射輔助裝置改造)計測等。作為半導體元件D，有電晶體等之具有PN接合之積體電路(例如，小型積體電路(SSI：Small Scale Integration)、中型積體電路(MSI：Medium Scale Integration)、大型積體電路(LSI:Large Scale Integration)、超大型積體電路(VLSI：Very Large Scale Integration)、特大型積體電路(ULSI:Ultra Large Scale Integration)、千兆規模積體電路(GSI：Giga Scale Integration))、大電流用/高壓用MOS(MOS：Metal Oxide Semiconductor：金屬氧化物半導體)電晶體及雙極電晶體、電力用半導體元件(功率元件)等。又，半導體元件D亦可為包含半導體元件之封裝、複合基板等。於半導體元件D電性連接有LSI測試器2。LSI測試器2對半導體元件D輸入測試圖案信號(test pattern)作為輸入信號(參照圖3)。測試圖案信號係某種圖案之信號以一定周期循環之解析用之信號。測試圖案信號例如由使用者設定。又，LSI測試器2基於自經輸入測試圖案信號之半導體元件D輸出之測試信號(輸出信號)，產生顯示合格/不合格資訊之結果信號(result signal)。例如，LSI測試器2將自半導體元件D輸出之測試信號，與對於測試圖案信號之設計上正確之測試信號進行比較。LSI測試器2輸出基於該比較結果之合格/不合格資訊之變化作為結果信號。進而，LSI測試器2輸出所產生之結果信號、或與測試圖案信號對應之各種信號。於本實施形態中，LSI測試器2輸出例如同步於測試圖案信號之迴路觸發信號(loop trigger)(參照圖3)。迴路觸發信號之觸發之時序與測試圖案信號之各迴路之輸入開始之時序(重設之時序)一致。又，LSI測試器2兼作電源裝置。LSI測試器2向半導體元件D輸出預先設定之電流。輸入至半導體元件D之電流係預先設定為容易使結果信號中之合格/不合格資訊變化之驅動電壓/驅動頻率。又，電源裝置(未圖示)可構成為與LSI測試器2分開之單獨個體，亦可向半導體元件D輸入預先設定之電流。另，於半導體元件D內包含LSI測試器之功能之情形時，無需準備外部之LSI測試器。本實施形態之半導體元件檢查裝置1包含光源3、照射光學系統5、光檢測器7、控制部10及解析部9。光源3產生照射於半導體元件D之CW(Continuous Wave：連續波)光或脈衝光並輸出。自光源3輸出之光亦可為非同調(incoherent)光，又可為如雷射光之同調光。作為輸出非同調光之光源3，可使用SLD(Super Luminescent Diode：高亮度發光二極體)、或ASE(Amplified spontaneous emission：放大自發發射)、LED(Light Emitting Diode:發光二極體)等。又，作為輸出同調光之光源3，可使用固體雷射光源或半導體雷射光源等。又，LSI測試器2與光源3亦可電性連接(未圖示)，對應於自LSI測試器2輸出之信號，使光源3產生之光變化。例如，可控制為與自LSI測試器2輸出之信號同步，或輸出來自光源3之脈衝光。於SDL計測之情形時，為了獲得半導體元件D之加熱之效果，自光源3產生之光較佳為光子能量較矽之帶隙更小的波長之光。作為一例，自光源3產生之光之波長可為1300 μm左右。又，於LADA計測之情形時，為了使半導體元件D發生光生電流，自光源3產生之光具有光子能量較矽之帶隙更大之波長。作為一例，自光源3產生之光之波長可為1064 nm左右。另，上述之波長係使用矽基板作為半導體元件D之情形之例。於藉由碳化矽(SiC)、藍寶石、化合物半導體等基板構成半導體元件D之情形時，適當選擇適合於其等之波長。自光源3輸出之光輸入至照明光學系統5。照明光學系統5將自光源3輸出之光朝向半導體元件D照射。更具體而言，照明光學系統5可對半導體元件D之特定位置照射光，於半導體元件D之特定區域掃描光。於照明光學系統5係由光掃描元件(掃描部)、光分割光學系統、物鏡等光學上相互連接(光學耦合)而構成。例如，光掃描元件由電流計鏡或MEMS(micro electro mechanical system：微機電系統)鏡、多面鏡等構成。光分割光學系統可由偏光分光鏡與1/4波長板構成，亦可由半反射鏡構成。物鏡例如由複數個倍率之物鏡構成，複數個物鏡亦可構成為藉由旋轉式裝置自由切換。光檢測器7對應於所照射之光，檢測來自半導體元件D之反射光，輸出檢測信號。光檢測器7係例如光電二極體，雪崩光電二極管，光電子倍增管、區域影像感測器等。光檢測器7至少具有1個檢測器。光檢測器7檢測該檢測器檢測出之光之強度。控制部10進行自LSI測試器2輸出之各種信號之處理，與光源3、照射光學系統5、光檢測器7及LSI測試器2之控制。又，控制部10對解析部9輸出各種信號及照射光學系統之動作所使用之資訊等。於本實施形態中，控制部10包含時間測定部11與光掃描控制部13。時間測定部11導出自對半導體元件D輸入測試圖案信號開始起至輸出結果信號之時間相關的時間情報。例如，時間測定部11接收自LSI測試器2輸出之迴路觸發信號而重設時間計測，將自該重設後之時刻起至輸出結果信號之時刻之時間(t_P/F )作為時間資訊而輸出。時間測定部11包含例如時間數位轉換器(TDC：Time to Digital Convertor)、及類比時間波高轉換器(TAC：Time to Amplitude Convertor)而構成。光掃描控制部13與光源3、照射光學系統5及光檢測器7電性連接。光掃描控制部13係控制對半導體元件D之光之照射位置(掃描位置)、移動速度(掃描速度)等。例如，光掃描控制部13基於相當於1像素單位之時序信號即像素時脈(pixel clock)及光之照射位置相關之位置資訊而控制照射光學系統5。藉此，例如，照射光學系統5以同步於像素時脈之狀態，對應於位置資訊使掃描範圍一次移動1像素。於本實施形態中，像素時脈與同步於測試圖案信號之迴路觸發信號同步。藉此，光掃描控制部13對應於迴路觸發信號使光之掃描位置移動。因此，於半導體元件D中之任意位置，可使照射光學系統5之光之照射與LSI測試器2之測試圖案信號之輸入之時序一致。又，對光掃描控制部13輸入來自光檢測器7之反射光之檢測信號。光掃描控制部13將照射光學系統5之光之照射之位置資訊與該位置之反射光之檢測信號輸出至解析部9。解析部9基於自光掃描控制部13輸出之光之照射之位置資訊，與自時間測定部11輸入之時間資訊，產生光之掃描位置與時間資訊相關聯之測定圖像。即，解析部9對應於光照射位置產生映射了時間資訊之測定圖像。測定圖像亦可例如以與時間資訊顯示之時間之值對應之灰階或色調表現。解析部9例如由包含CPU(Central Processing Unit：中央處理器)、記錄媒體即RAM(Random Access Memory：隨機存取記憶體)及ROM(Read Only Memory：唯讀記憶體)之電腦構成，具有顯示器等顯示部與滑鼠或鍵盤等輸入部。又，解析部9自光之掃描位置之資訊與來自光檢測器7之檢測信號，產生半導體元件D之光學圖像即圖案圖像。於圖案圖像中顯示半導體元件D之電路圖案。進而，解析部9可將測定圖像重疊於圖案圖像而顯示。藉此，可確認電路圖案上認為故障部位之位置。以下，參照圖2至圖4，對本實施形態之半導體元件檢查方法進行說明。於本實施形態中，於檢查前，由使用者設定對半導體元件D輸入之測試圖案信號之條件，或以半導體元件D執行測定之區域等。又，藉由LSI測試器2將具有使半導體元件D之合格/不合格狀態產生變化之邊界附近之驅動電壓及驅動頻率之電流施加於半導體元件D。藉此，驅動半導體元件D。例如，於利用雷射光進行半導體元件D之加熱之SDL計測之情形時，使用藉由加熱器等整體地加熱半導體元件D時之shmoo作圖(shmoo plot)，預先求出使合格/不合格狀態產生變化之邊界附近之驅動電壓及驅動頻率之條件。於本實施形態之檢查方法中，如圖2所示，首先，自LSI測試器2對半導體元件D輸入測試圖案信號(步驟S1)，且對半導體元件D照射光(步驟S2)。此時，對半導體元件D照射之光之照射位置由照射光學系統5控制(步驟S3)。若於步驟1中自LSI測試器2輸出測試圖案信號，則LSI測試器2亦輸出與測試圖案信號同步之迴路觸發信號。且，於對半導體元件D照射光之狀態下，將自經輸入測試圖案信號之半導體元件D輸出之測試信號輸入至LSI測試器2(步驟S4)。於步驟S4中，光檢測器7檢測由半導體元件反射之反射光。檢測出之反射光之信號經由光掃描控制部13輸入至解析部9。若藉由LSI測試器2檢測出測試信號，則LSI測試器2基於該測試信號，將顯示光之照射引起之半導體元件D之合格/不合格之狀態變化的結果信號輸出至控制部10(步驟S5)。於控制部10中，以時間測定部11導出關於自對半導體元件D輸入測試圖案信號起至輸出結果信號之時間(t_P/F )的時間資訊(步驟S6)。於該步驟S6中，可將例如迴路觸發信號設為輸入測試圖案信號之基準。如上所述，迴路觸發信號雖與測試圖案信號同步，但亦可藉由使同步之時序偏移而變換迴路觸發信號之時序，從而亦使測試圖案信號之輸入基準偏移。於解析部9中，基於時間資訊，產生與雷射光之照射位置對應之影像資料。接著，控制部10進行於指定之計測區域之全範圍之計測是否結束之判定(步驟S7)。於對指定之區域之計測未結束之情形時，藉由照射光學系統5，與像素時脈同步使光掃描於下一個照射位置。接著，執行步驟S4至步驟S6之處理。於步驟S7中，於判定對指定區域之計測結束之情形，解析部9藉由與光之照射位置對應並映射影像資料，而產生位置資訊與時間資訊相關之測定圖像。又，解析部9基於檢測出之反射光與雷射光之照射位置產生半導體元件D之圖案圖像(步驟S8)。解析部9可使由步驟8產生之測定圖像及圖案圖像分別顯示於解析部9之顯示器。又，解析部9將圖案圖像與測定圖像重疊而顯示於顯示器(步驟S9)。圖3係顯示半導體元件檢查方法中之各信號之一例之時序圖。於圖3中，顯示自LSI測試器2輸出之測試圖案信號、迴路觸發信號及結果信號、自光掃描控制部13輸出之像素時脈、及基於結果信號產生之影像資料。於測試圖案信號中，顯示判定時間資訊之合格/不合格之狀態變化之時序。圖示例為於測試圖案信號循環1迴路之期間，以圖示之3個部位之時序判斷時間資訊之合格/不合格之狀態變化之情形。迴路觸發信號及像素時脈與測試圖案信號之迴路週期同步。結果信號於合格/不合格之各判定中，於產生狀態變化時被輸出。於圖示例中，自迴路觸發信號之各輸出起至輸出結果信號之時間分別以t_P/F 表示。迴路觸發信號之各輸出為測試圖案信號之輸入開始之基準。又，影像資料配合迴路觸發信號之週期而產生。影像資料包含基於結果信號之時間資訊(t_P/F )。又，於合格/不合格之狀態未產生變化之情形時，例如時間資訊(t_P/F )表現為零(0)。又，圖4係模式性顯示藉由半導體元件檢查方法產生之測定圖像之一例之圖。如圖4所示，本實施形態之測定圖像係對各像素映射而產生例如對應於時間資訊之灰階之影像資料。例如，使用者於測試圖案信號於循環1迴路為止之時間內，指定所需之時間作為合格/不合格判定(judge)之時序(參照圖3)。於該情形時，於合格/不合格有變化之位置可產生分色之圖像。分色於每個指定之各時間完成。於圖4中，顯示以使用者指定之時間為複數，於複數之每時間改變灰階之情形之測定圖像。例如，於該圖中，顯示像素之時間資訊之時間越長以越接近黑色之灰階顯示。因此，可知圖中相較於以(1, 1)表示之像素之時間資訊，以(1, 2)表示之像素之時間資訊時間較長，以(1, m)或(n, 1)表示之像素之時間資訊時間進而更長(m及n為任意正整數)。又，於測定圖像中由使用者指定之時間前，結果信號亦可僅強調顯示合格/不合格狀態已變化之像素。如以上所說明，於本實施形態中，藉由對半導體元件D照射光，於半導體元件D可產生狀態變化。於半導體元件D之狀態產生變化之情形時，測試信號亦可能產生變化。因此，可將半導體元件之狀態變化作為結果信號輸出。此處，圖5及圖6係僅將半導體元件之狀態變化有無作為結果信號輸出之比較例之一例。於該例中，於每結束1迴路之測試圖案之輸入時，判定半導體元件之狀態有無變化，並輸出結果信號。因此，作為用於構成測定圖像之影像資料，僅成為顯示有狀態變化(自通過變化為未通過，或自未通過變化為通過)之高(High)與表示狀態未變化之低(Low)。於該情形時，如圖6所示，測定圖像由表示高之灰階與表示低之灰階之2個值構成。於本實施形態中，獲取關於自測試圖案信號之輸入開始起至結果信號之輸出之時間的時間資訊。其結果，可計測產生狀態變化之時序。如此，不僅藉由顯示狀態變化之結果信號，亦可藉由導出關於狀態變化之時間資訊，而實施對半導體元件之多樣之解析。時間測定部11將迴路觸發信號作為測試圖案信號之輸入開始之基準導出時間資訊。如此，藉由以迴路觸發信號為基準，可更確實地特定出測試圖案信號之輸入開始。照射光學系統5之光之照射位置(掃描位置)隨著與迴路觸發信號同步之像素時脈而移動。由於迴路觸發信號亦與測試圖案信號同步，故可確實地使半導體元件D上之光之照射位置之移動與測試圖案信號之輸入同步。藉由產生光之照射位置與時間資訊相關聯之測定圖像，可容易地掌握照射位置之時間資訊。又，藉由將圖案圖像與測定圖像重疊，可容易地掌握照射位置之時間資訊與半導體元件D之位置之關係。 [第2實施形態] 於本實施形態中，於測試圖案信號包含複數個測試圖案之方面與第1實施形態不同。又，伴隨該不同，由解析部9產生之測定圖像亦與第1實施形態不同。以下，主要對與第1實施形態不同之方面進行說明，對同一或對應之要素或構件標註同一符號並省略詳細說明。如圖7及圖8所示，於本實施形態中自LSI測試器2輸出之測試圖案信號具有彼此不同之測試圖案即測試圖A、測試圖B及測試圖C3種。測試圖A、測試圖B及測試圖C為串聯排列。測試圖案信號所包含之測試圖案亦可少於3種，又可多於3種。於本實施形態中，指定緊接測試圖A之後、測試圖B之後、測試圖C之後之3點之時間，於各自之時序中判定(judge)合格/不合格狀態是否變化。於合格/不合格之狀態產生變化之情形，自LSI測試器2輸出之結果信號輸入至時間測定部11。於時間測定部11中，基於輸入之結果信號，導出關於自測試圖案信號之輸入開始起至各結果信號之輸出之時間(t_{P/F_A} 、t_{P/F_B} 、t_{P/F_C} )之時間資訊。於解析部9中，以對應於時間資訊之灰階產生之影像資料對於各像素進行映射(參照圖8)。又，於合格/不合格之狀態未產生變化之情形，例如，作為影像資料被賦予「無信號」。於該情形時，該像素亦可以無色被映射。如此，於本實施形態中，測試圖案信號包含複數個測試圖案。因此，於1次計測中，可輸入可能產生半導體元件之狀態變化之複數個測試圖案。於該情形時，對應於各測試圖案而進行結果信號之輸出。於複數個測試圖案中之任一測試圖案可以1次之測定解析是否產生半導體元件之狀態變化。藉此，例如，即使非熟練之使用者，亦可效率良好地進行半導體元件之解析。以上，對實施形態參照圖式進行詳細敘述，但具體之構成並未限定於該實施形態。於上述實施形態中，顯示了LSI測試器2對半導體元件D輸入測試圖案信號作為輸入信號之例，但並未限定於此。例如，亦可替代輸入測試圖案信號，而僅輸入電流作為輸入信號使半導體元件驅動。即使為未輸入測試圖案信號之狀態，亦可藉由對半導體元件照射雷射光，檢測自對特定位置開始照射起至輸出合格/不合格信號之時間，而進行半導體元件之故障解析。又，以上顯示了由與時間資訊顯示之時間值對應之灰階產生測定圖像之例，但並未限定於此。例如，亦可以不同色表現僅與特定之時間資訊對應之像素並產生測定圖像。又，亦可藉由使用與時間資訊相對應之偽色彩之階調產生測定圖像。又，亦可以產生以混色圖案之密度等表現階調之測定圖像。又，雖顯示了迴路觸發信號與像素時脈同步之例，但光之照射位置並無必要必須與迴路觸發信號同步。例如，於光之照射位置未與迴路觸發信號同步，光之掃描速度被提高之情形時([0054]L3)，雖計測精度下降，但可縮短計測時間。

1H‧‧‧半導體元件檢查裝置2‧‧‧LSI測試器3‧‧‧光源5‧‧‧照射光學系統7‧‧‧光檢測器9‧‧‧解析部10‧‧‧控制部11‧‧‧時間測定部13‧‧‧光掃描控制部D‧‧‧半導體元件S1～S9‧‧‧步驟

圖1係一實施形態之半導體元件檢查裝置之構成圖。圖2係顯示以半導體元件檢查裝置執行之半導體元件檢查方法之流程圖。圖3係顯示半導體元件檢查方法中之各信號之時序圖。圖4係一實施形態之測定圖像之一例。圖5係顯示比較例之檢查方法中之各信號之時序圖。圖6係比較例之檢查方法之測定圖像之一例。圖7係顯示其他實施形態之半導體元件檢查方法中之各信號之時序圖。圖8係其他實施形態之測定圖像之一例。

S1~S9‧‧‧步驟

Claims

一種半導體元件檢查方法，其係進行被檢查體即半導體元件之檢查的半導體元件檢測方法，且包含如下步驟：對上述半導體元件輸入輸入信號；對上述半導體元件照射光；對上述半導體元件照射上述光之期間，基於自經輸入上述輸入信號之上述半導體元件輸出之輸出信號，輸出表示上述半導體元件之狀態變化之結果信號；及導出自對上述半導體元件輸入上述輸入信號起至輸出上述結果信號之時間相關的時間資訊。
如請求項1之半導體元件檢查方法，其中於上述輸入輸入信號之步驟中，產生與上述輸入信號對應之迴路觸發信號；於導出上述時間資訊之步驟中，將上述迴路觸發信號設為上述輸入信號之輸入基準。
如請求項2之半導體元件檢查方法，其中使上述光之照射位置對應於上述迴路觸發信號而移動。
如請求項1至3中之任一項之半導體元件檢查方法，其進而包含產生上述光之照射位置與上述時間資訊相關聯之測定圖像之步驟。
如請求項4之半導體元件檢查方法，其進而包含如下步驟：檢測由上述半導體元件反射之上述光之反射光；基於檢測出之上述反射光與上述光之照射位置，產生上述半導體元件之圖案圖像。
如請求項5之半導體元件檢查方法，其進而包含將上述圖案圖像與上述測定圖像重疊之步驟。
如請求項1至3中之任一項之半導體元件檢查方法，其中上述輸入信號包含測試圖案信號。
如請求項7之半導體元件檢查方法，其中上述輸入信號包含複數個測試圖案。
一種半導體元件檢查裝置，其係基於對應於對被檢查體即半導體元件輸入輸入信號而輸出之結果信號，而檢查該半導體元件之半導體元件檢查裝置，且包含：光源，其產生光；掃描部，其對上述半導體元件掃描上述光；及時間測定部，其被輸入表示上述光所照射之上述半導體元件之狀態變化之上述結果信號，導出且輸出自對上述半導體元件輸入上述輸入信號起至輸出上述結果信號之時間相關之時間資訊。
如請求項9之半導體元件檢查裝置，其中上述時間測定部包含時間數位轉換器或類比時間波高轉換器。
如請求項9或10之半導體元件檢查裝置，其中上述時間測定部係被輸入與上述輸入信號對應之迴路觸發信號，且將上述迴路觸發信號作為上述輸入信號之輸入基準。
如請求項9或10之半導體元件檢查裝置，其中上述掃描部對應於與上述輸入信號對應之迴路觸發信號而掃描上述光。
如請求項9或10之半導體元件檢查裝置，其進而包含解析部，其被輸入上述時間資訊，產生上述光之掃描位置與上述時間資訊相關聯之測定圖像。
如請求項13之半導體元件檢查裝置，其進而包含光檢測器，其檢測由上述半導體元件反射之上述光之反射光，而輸出檢測信號；且上述解析部基於上述檢測信號與上述光之掃描位置產生上述半導體元件之圖案圖像。
如請求項14之半導體元件檢查裝置，其中上述解析部將上述圖案圖像與上述測定圖像重疊。