JP6820184B2 - 半導体デバイス検査方法及び半導体デバイス検査装置 - Google Patents
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Description
図1に示されるように、本実施形態に係る半導体デバイス検査装置1は、被検査体である半導体デバイスDに対するテストパターン信号の入力に応じて出力される結果信号を取得する装置であり、例えばSDL(Soft Defect Localization)計測、LADA(LaserAssisted Device Alteration)計測などに利用される。半導体デバイスDとしては、トランジスタ等のPNジャンクションを有する集積回路(例えば、小規模集積回路(SSI:Small Scale Integration)、中規模集積回路(MSI:Medium ScaleIntegration)、大規模集積回路(LSI:Large Scale Integration)、超大規模集積回路(VLSI:Very Large Scale Integration)、超々大規模集積回路(ULSI:Ultra Large Scale Integration)、ギガ・スケール集積回路(GSI:Giga Scale Integration))、大電流用/高圧用MOSトランジスタ及びバイポーラトランジスタ、電力用半導体素子(パワーデバイス)等がある。また、半導体デバイスDは、半導体デバイスを含むパッケージ、複合基板等であってもよい。
本実施形態では、テストパターン信号が複数のテストパターンを含む点で第1実施形態と相違している。また、この相違に伴って、解析部9によって生成される測定画像も第1実施形態と相違している。以下、主として、第1実施形態と相違する点について説明し、同一又は対応する要素や部材については同一の符号を付して詳しい説明を省略する。
Claims (15)
- 被検査体である半導体デバイスの検査を行う半導体デバイス検査方法であって、
前記半導体デバイスに入力信号を入力するステップと、
前記半導体デバイスに光を照射するステップと、
前記半導体デバイスに前記光が照射されている間、前記入力信号が入力された前記半導体デバイスから出力される出力信号に基づいて、前記半導体デバイスの状態変化を示す結果信号を出力するステップと、
前記半導体デバイスに対する前記入力信号の入力から前記結果信号の出力までの時間に関する時間情報を導出するステップと、を含む、半導体デバイス検査方法。 - 前記入力信号を入力するステップでは、前記入力信号に応じたループトリガ信号を生成し、
前記時間情報を導出するステップでは、前記ループトリガ信号を前記入力信号の入力の基準とする、請求項1に記載の半導体デバイス検査方法。 - 前記光の照射位置を前記ループトリガ信号に応じて移動させる、請求項2に記載された半導体デバイス検査方法。
- 前記光の照射位置と前記時間情報とが関連づけられた測定画像を生成するステップを更に含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体デバイス検査方法。
- 前記半導体デバイスによって反射された前記光の反射光を検出するステップと、
検出された前記反射光と前記光の照射位置とに基づいて前記半導体デバイスのパターン画像を生成するステップとを更に含む、請求項4に記載の半導体デバイス検査方法。 - 前記パターン画像と前記測定画像とを重畳するステップを更に含む、請求項5に記載の半導体デバイス検査方法。
- 前記入力信号はテストパターン信号を含む、請求項1〜6のいずれか一項に記載の半導体デバイス検査方法。
- 前記入力信号は複数のテストパターンを含む、請求項7に記載の半導体デバイス検査方法。
- 被検査体である半導体デバイスに対する入力信号の入力に応じて出力される結果信号に基づいて当該半導体デバイスを検査する半導体デバイス検査装置であって、
光を発生する光源と、
前記光を前記半導体デバイスに走査する走査部と、
前記光が照射される前記半導体デバイスの状態変化を示す前記結果信号が入力され、前記半導体デバイスに対する前記入力信号の入力から前記結果信号の出力までの時間に関する時間情報を導出して出力する時間測定部と、を含む、半導体デバイス検査装置。 - 前記時間測定部は、時間デジタル変換器又はアナログ時間波高変換器を含む、請求項9に記載の半導体デバイス検査装置。
- 前記時間測定部は、前記入力信号に応じたループトリガ信号が入力され、前記ループトリガ信号を前記入力信号の入力の基準とする、請求項9又は10に記載の半導体デバイス検査装置。
- 前記走査部は、前記入力信号に応じたループトリガ信号に応じて前記光を走査する、請求項9〜11のいずれか一項に記載された半導体デバイス検査装置。
- 前記時間情報が入力され、前記光の走査位置と前記時間情報とが関連づけられた測定画像を生成する解析部を更に含む、請求項9〜12のいずれか一項に記載の半導体デバイス検査装置。
- 前記半導体デバイスから反射された前記光の反射光を検出して、検出信号を出力する光検出器を更に含み、
前記解析部は、前記検出信号と前記光の走査位置とに基づいて前記半導体デバイスのパターン画像を生成する、請求項13に記載の半導体デバイス検査装置。 - 前記解析部は、前記パターン画像と前記測定画像とを重畳する、請求項14に記載の半導体デバイス検査装置。
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