JP2008543048A - チャネル領域の平滑な表面を有するシリコンカーバイドデバイスを作製する方法 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (31)
- シリコンカーバイドパワーデバイスを形成する方法であって、
シリコンカーバイド基板上にn−シリコンカーバイド層を形成するステップ、
前記n−シリコンカーバイド層上にp型シリコンカーバイドウェル領域を形成するステップ、
前記p型シリコンカーバイドウェル領域内にp+シリコンカーバイドの埋込み領域を形成するステップ、
前記p+シリコンカーバイドの埋込み領域上にシリコンカーバイドのn+領域を形成するステップであって、前記パワーデバイスのチャネル領域が、前記p+シリコンカーバイドの埋込み領域と前記シリコンカーバイドのn+領域に隣接する、n+領域を形成するステップ、
前記チャネル領域上にn−領域を形成するステップ、および、
前記チャネル領域から前記n−領域の一部分を除去するステップであって、それにより、前記n−領域の一部分が、前記チャネル領域上に残って、前記チャネル領域の表面粗さの低減をもたらす、除去するステップを含むことを特徴とする方法。 - 除去するステップは、前記チャネル領域から前記n−領域の一部分を除去する化学機械研磨(chemical mechanical polishing)(CMP)プロセスを実施するステップを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記CMPプロセスは、前記チャネル領域から前記n−領域の、約1000から約5000Åを除く全てを除去するステップを特徴とする請求項2に記載の方法。
- 除去するステップは、前記チャネル領域の前記表面粗さの深さの約2.0から約3.0倍である前記n−領域の一部分を除去するステップをさらに含むことを特徴とする請求項2に記載の方法。
- 前記n−領域の約1500Åは、前記CMPプロセス後に前記チャネル領域上に残ることを特徴とする請求項4に記載の方法。
- 前記表面粗さの低減は、少なくとも約28Åから約1.0Å未満までの2乗平均平方根(RMS)表面粗さの低減であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 除去するステップは、
前記チャネル領域上の前記n−領域の残りの部分上に、約100から約1000Åの厚さを有する犠牲酸化物層を形成するステップ、および、
前記犠牲酸化物層を除去するステップを続いて伴い、前記RMS表面粗さは、前記犠牲酸化物層の形成および約1.0Å未満から約0.70Åまでの前記犠牲酸化物層の除去によってさらに低減されることを特徴とする請求項6に記載の方法。 - 前記n−領域を形成するステップは、前記チャネル領域上でn−エピタキシャル層を所定の厚さに成長させることであって、それにより、前記n−エピタキシャル層の一部分が、前記n−エピタキシャル層のその部分の除去後に、前記チャネル領域上に残る、成長させることを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記n−エピタキシャル層の前記所定の厚さは、約1500Åから約6000Åであることを特徴とする請求項8に記載の方法。
- 前記CMPプロセスを実施するステップは、前記n−領域が、前記n+領域から除去されるように、前記n−領域を選択的にエッチングするステップを続いて伴うことを特徴とする請求項2に記載の方法。
- 前記p型シリコンカーバイドウェル領域を形成するステップは、p型ドーパントを前記n−シリコンカーバイド層内に注入するステップを含み、
前記p+シリコンカーバイドの埋込み領域を形成するステップは、p型ドーパントを前記p型シリコンカーバイドウェル領域内に注入するステップを含み、
前記シリコンカーバイドのn+領域を形成するステップは、n型ドーパントを、前記p+シリコンカーバイドの埋込み領域上の前記p型シリコンカーバイドウェル領域内に注入するステップを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記注入されたドーパントを約1600℃より高い温度にさらすことによって前記注入されたドーパントを活性化するステップをさらに含むことを特徴とする請求項11に記載の方法。
- 前記p型シリコンカーバイドウェル領域を形成するステップは、前記n−シリコンカーバイド層上にp型エピタキシャル層を形成するステップを含み、
前記p+シリコンカーバイドの埋込み領域を形成するステップは、p型シリコンカーバイドドーパントを前記p型シリコンカーバイドウェル領域内に注入するステップを含み、
前記シリコンカーバイドのn+領域を形成するステップは、n型シリコンカーバイドドーパントを、前記p+シリコンカーバイドの埋込み領域上の前記p型シリコンカーバイドウェル領域内に注入するステップを含むことを特徴とする請求項2に記載の方法。 - 前記チャネル領域に隣接する前記p型シリコンカーバイドウェル領域内にシリコンカーバイドのn型領域を形成するステップをさらに含み、前記チャネル領域が、前記p+シリコンカーバイドの埋込み領域と前記シリコンカーバイドのn型領域との間に画定され、前記シリコンカーバイドのn型領域が、前記シリコンカーバイドパワーデバイスの接合型電界効果トランジスタ(Junction Field Effect Transistor)(JFET)領域であることを特徴とする請求項13に記載の方法。
- 前記チャネル領域に隣接する前記p型シリコンカーバイドウェル領域内にシリコンカーバイドのn型領域を形成するステップをさらに含み、前記チャネル領域が、前記p+シリコンカーバイドの埋込み領域と前記シリコンカーバイドのn型領域との間に画定され、前記n−領域が、前記チャネル領域上に残るだけであることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記基板は、前記シリコンカーバイドパワーデバイスのドリフト領域の役をするn−基板を含み、方法は、前記n−シリコンカーバイド層に対向するn+ドレイン領域を基板上に形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- n+ドレイン領域を形成するステップは、前記n−基板内に前記n+ドレイン領域を注入するステップ、または、前記n−基板上で前記n+ドレイン領域を成長させることの少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項16に記載の方法。
- 前記シリコンカーバイドパワーデバイスは、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)(MOSFET)を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- シリコンカーバイドパワーデバイスを形成する方法であって、
前記パワーデバイスのチャネル領域上でシリコンカーバイドエピタキシャル領域を成長させること、および、
前記シリコンカーバイドエピタキシャル領域の一部分を機械的に除去するステップであって、それにより、前記チャネル領域上の前記シリコンカーバイドエピタキシャル領域の残りの部分が、前記チャネル領域の表面粗さの低減をもたらす、機械的に除去するステップを含むことを特徴とする方法。 - 前記表面粗さの低減は、少なくとも約28Åから約1.0Å未満までの2乗平均平方根(RMS)表面粗さの低減であることを特徴とする請求項19に記載の方法。
- 前記シリコンカーバイドエピタキシャル領域の残りの部分上に、約100から約1000Åの厚さを有する犠牲酸化物層を形成するステップ、および、
前記チャネル領域の表面粗さのさらなる低減をもたらすために、前記犠牲酸化物層を除去するステップをさらに含むことを特徴とする請求項20に記載の方法。 - 前記RMS表面粗さは、前記犠牲酸化物層の形成および約1.0Å未満から約0.70Åまでの前記犠牲酸化物層の除去によってさらに低減されることを特徴とする請求項21に記載の方法。
- 機械的に除去するステップは、前記チャネル領域から前記シリコンカーバイドエピタキシャル領域の一部分を除去する化学機械研磨(CMP)プロセスを実施するステップを含むことを特徴とする請求項19に記載の方法。
- 前記CMPプロセス後の前記シリコンカーバイドエピタキシャル領域の残りの部分は、約1000から約5000Åの厚さを有するステップを特徴とする請求項23に記載の方法。
- 機械的に除去するステップは、前記チャネル領域の前記表面粗さの深さの約2.0から約3.0倍である前記シリコンカーバイドエピタキシャル領域の一部分を機械的に除去するステップをさらに含むことを特徴とする請求項19に記載の方法。
- 前記シリコンカーバイドエピタキシャル領域の残りの部分は、約1500Å以上の厚さを有するステップを特徴とする請求項25に記載の方法。
- 前記シリコンカーバイドエピタキシャル領域は、約1500Åから約6000Åの厚さを有するステップを特徴とする請求項19に記載の方法。
- 機械的に除去するステップは、前記シリコンカーバイドエピタキシャル領域の一部分を前記パワーデバイスの前記チャネル領域上に残しながら、下にある層をさらすために、前記シリコンカーバイドエピタキシャル領域を選択的にエッチングするステップを続いて伴うことを特徴とする請求項19に記載の方法。
- シリコンカーバイド基板上にn−シリコンカーバイド層を形成するステップ、
前記n−シリコンカーバイド層上にp型シリコンカーバイドウェル領域を形成するステップ、
前記p型シリコンカーバイドウェル領域内にp+シリコンカーバイドの第1および第2の離間した埋込み領域を形成するステップ、および、
前記シリコンカーバイドの第1および第2のp+領域上に、それぞれ、シリコンカーバイドの第1および第2の離間したn+領域を形成するステップであって、それにより、前記パワーデバイスの前記チャネル領域が、前記シリコンカーバイドの第1のp+領域およびn+領域と前記シリコンカーバイドの第2のp+領域およびn+領域との間に画定される、形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項19に記載の方法。 - 前記p型シリコンカーバイドウェル領域を形成するステップは、p型ドーパントを前記n−シリコンカーバイド層内に注入するステップを含み、
前記p+シリコンカーバイドの第1および第2の離間した埋込み領域を形成するステップは、p型ドーパントを前記p型シリコンカーバイドウェル領域内に注入するステップを含み、
前記シリコンカーバイドの第1および第2の離間したn+領域を形成するステップは、n型ドーパントを、前記シリコンカーバイドの第1および第2のp+領域上の前記p型シリコンカーバイドウェル領域内に注入するステップを含むことを特徴とする請求項29に記載の方法。 - 前記注入されたドーパントを約1600℃より高い温度にさらすことによって前記注入されたドーパントを活性化することをさらに含むことを特徴とする請求項30に記載の方法。
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---|---|---|---|
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---|---|
US (4) | US7528040B2 (ja) |
EP (2) | EP2325869B1 (ja) |
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TW (2) | TWI545640B (ja) |
WO (1) | WO2006127093A2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016058499A (ja) * | 2014-09-08 | 2016-04-21 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素半導体装置 |
JP6237845B1 (ja) * | 2016-08-24 | 2017-11-29 | 富士電機株式会社 | 縦型mosfetおよび縦型mosfetの製造方法 |
Families Citing this family (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7569900B2 (en) * | 2004-11-16 | 2009-08-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Silicon carbide high breakdown voltage semiconductor device |
JP5011493B2 (ja) * | 2005-09-14 | 2012-08-29 | 関西電力株式会社 | 炭化珪素半導体素子の製造方法 |
JP5306193B2 (ja) * | 2006-06-29 | 2013-10-02 | クリー インコーポレイテッド | p型チャネルを含む炭化シリコンスイッチングデバイスおよびその形成方法 |
US8432012B2 (en) | 2006-08-01 | 2013-04-30 | Cree, Inc. | Semiconductor devices including schottky diodes having overlapping doped regions and methods of fabricating same |
US8272781B2 (en) * | 2006-08-01 | 2012-09-25 | Intel Corporation | Dynamic power control of a memory device thermal sensor |
US7728402B2 (en) * | 2006-08-01 | 2010-06-01 | Cree, Inc. | Semiconductor devices including schottky diodes with controlled breakdown |
KR101529331B1 (ko) * | 2006-08-17 | 2015-06-16 | 크리 인코포레이티드 | 고전력 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 |
JP5071763B2 (ja) * | 2006-10-16 | 2012-11-14 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法 |
US7781312B2 (en) * | 2006-12-13 | 2010-08-24 | General Electric Company | Silicon carbide devices and method of making |
US8835987B2 (en) * | 2007-02-27 | 2014-09-16 | Cree, Inc. | Insulated gate bipolar transistors including current suppressing layers |
JP4700045B2 (ja) * | 2007-11-13 | 2011-06-15 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
US7795691B2 (en) * | 2008-01-25 | 2010-09-14 | Cree, Inc. | Semiconductor transistor with P type re-grown channel layer |
TWI364798B (en) * | 2008-03-21 | 2012-05-21 | Vanguard Int Semiconduct Corp | Semiconductor device and fabrication method thereof |
US8232558B2 (en) | 2008-05-21 | 2012-07-31 | Cree, Inc. | Junction barrier Schottky diodes with current surge capability |
US8294507B2 (en) | 2009-05-08 | 2012-10-23 | Cree, Inc. | Wide bandgap bipolar turn-off thyristor having non-negative temperature coefficient and related control circuits |
US8629509B2 (en) * | 2009-06-02 | 2014-01-14 | Cree, Inc. | High voltage insulated gate bipolar transistors with minority carrier diverter |
US8193848B2 (en) | 2009-06-02 | 2012-06-05 | Cree, Inc. | Power switching devices having controllable surge current capabilities |
US8541787B2 (en) * | 2009-07-15 | 2013-09-24 | Cree, Inc. | High breakdown voltage wide band-gap MOS-gated bipolar junction transistors with avalanche capability |
US8367536B2 (en) * | 2009-07-24 | 2013-02-05 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device |
US8354690B2 (en) | 2009-08-31 | 2013-01-15 | Cree, Inc. | Solid-state pinch off thyristor circuits |
US9117739B2 (en) | 2010-03-08 | 2015-08-25 | Cree, Inc. | Semiconductor devices with heterojunction barrier regions and methods of fabricating same |
US8415671B2 (en) | 2010-04-16 | 2013-04-09 | Cree, Inc. | Wide band-gap MOSFETs having a heterojunction under gate trenches thereof and related methods of forming such devices |
US9142662B2 (en) | 2011-05-06 | 2015-09-22 | Cree, Inc. | Field effect transistor devices with low source resistance |
US9029945B2 (en) | 2011-05-06 | 2015-05-12 | Cree, Inc. | Field effect transistor devices with low source resistance |
US9640617B2 (en) | 2011-09-11 | 2017-05-02 | Cree, Inc. | High performance power module |
US8618582B2 (en) | 2011-09-11 | 2013-12-31 | Cree, Inc. | Edge termination structure employing recesses for edge termination elements |
US9373617B2 (en) | 2011-09-11 | 2016-06-21 | Cree, Inc. | High current, low switching loss SiC power module |
CN103918079B (zh) | 2011-09-11 | 2017-10-31 | 科锐 | 包括具有改进布局的晶体管的高电流密度功率模块 |
US8680587B2 (en) | 2011-09-11 | 2014-03-25 | Cree, Inc. | Schottky diode |
US8664665B2 (en) | 2011-09-11 | 2014-03-04 | Cree, Inc. | Schottky diode employing recesses for elements of junction barrier array |
DE102013010187A1 (de) | 2012-06-27 | 2014-01-02 | Fairchild Semiconductor Corp. | Schottky-Barriere-Vorrichtung mit lokal planarisierter Oberfläche und zugehöriges Halbleitererzeugnis |
JP5961563B2 (ja) * | 2013-01-25 | 2016-08-02 | 株式会社豊田中央研究所 | 半導体装置の製造方法 |
JP2015041644A (ja) * | 2013-08-20 | 2015-03-02 | 富士電機株式会社 | Mos型半導体装置の製造方法 |
US9685550B2 (en) * | 2014-12-26 | 2017-06-20 | Fairchild Semiconductor Corporation | Silicon carbide (SiC) device with improved gate dielectric shielding |
WO2017094764A1 (ja) | 2015-12-02 | 2017-06-08 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素エピタキシャル基板および炭化珪素半導体装置 |
EP3358626B1 (en) * | 2017-02-02 | 2022-07-20 | Nxp B.V. | Method of making a semiconductor switch device |
CN107331621A (zh) * | 2017-07-14 | 2017-11-07 | 欧阳慧琳 | 一种垂直双扩散场效应晶体管及其制作方法 |
CN110718452A (zh) | 2018-07-12 | 2020-01-21 | 创能动力科技有限公司 | 碳化硅器件及其制造方法 |
CN113381599B (zh) * | 2021-06-29 | 2022-11-29 | 哈尔滨工业大学 | 一种并联SiC MOSFET安全工作域计算方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10308510A (ja) * | 1997-03-05 | 1998-11-17 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置及びその製造方法 |
US6429041B1 (en) * | 2000-07-13 | 2002-08-06 | Cree, Inc. | Methods of fabricating silicon carbide inversion channel devices without the need to utilize P-type implantation |
JP2003158075A (ja) * | 2001-08-23 | 2003-05-30 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | 半導体基板の製造方法及び電界効果型トランジスタの製造方法並びに半導体基板及び電界効果型トランジスタ |
JP2003234301A (ja) * | 2001-10-25 | 2003-08-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体基板、半導体素子及びその製造方法 |
JP2005039257A (ja) * | 2003-07-02 | 2005-02-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2005116896A (ja) * | 2003-10-09 | 2005-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2006511961A (ja) * | 2002-12-20 | 2006-04-06 | クリー インコーポレイテッド | 縦型jfet制限型シリコンカーバイドパワー金属酸化膜半導体電界効果トランジスタおよび縦型jfet制限型シリコンカーバイド金属酸化膜半導体電界効果トランジスタを製造する方法 |
JP2006524433A (ja) * | 2003-04-24 | 2006-10-26 | クリー インコーポレイテッド | 自己整合ソースおよびウェル領域を有する炭化珪素パワーデバイスならびにその製造方法 |
Family Cites Families (101)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3629011A (en) | 1967-09-11 | 1971-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method for diffusing an impurity substance into silicon carbide |
US4466172A (en) | 1979-01-08 | 1984-08-21 | American Microsystems, Inc. | Method for fabricating MOS device with self-aligned contacts |
JPS58175872A (ja) * | 1982-04-08 | 1983-10-15 | Toshiba Corp | 絶縁ゲ−ト電界効果トランジスタ |
US4779126A (en) | 1983-11-25 | 1988-10-18 | International Rectifier Corporation | Optically triggered lateral thyristor with auxiliary region |
JPS63132481A (ja) * | 1986-11-22 | 1988-06-04 | Toshiba Corp | 電界効果トランジスタの製造方法 |
US4811065A (en) | 1987-06-11 | 1989-03-07 | Siliconix Incorporated | Power DMOS transistor with high speed body diode |
JPH01117363A (ja) | 1987-10-30 | 1989-05-10 | Nec Corp | 縦型絶縁ゲート電界効果トランジスタ |
US5111253A (en) | 1989-05-09 | 1992-05-05 | General Electric Company | Multicellular FET having a Schottky diode merged therewith |
JPH0766971B2 (ja) | 1989-06-07 | 1995-07-19 | シャープ株式会社 | 炭化珪素半導体装置 |
JPH0334466A (ja) | 1989-06-30 | 1991-02-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 縦形二重拡散mosfet |
JPH03157974A (ja) | 1989-11-15 | 1991-07-05 | Nec Corp | 縦型電界効果トランジスタ |
JP2542448B2 (ja) | 1990-05-24 | 1996-10-09 | シャープ株式会社 | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
US5270554A (en) | 1991-06-14 | 1993-12-14 | Cree Research, Inc. | High power high frequency metal-semiconductor field-effect transistor formed in silicon carbide |
US5242841A (en) | 1992-03-25 | 1993-09-07 | Texas Instruments Incorporated | Method of making LDMOS transistor with self-aligned source/backgate and photo-aligned gate |
US5459107A (en) | 1992-06-05 | 1995-10-17 | Cree Research, Inc. | Method of obtaining high quality silicon dioxide passivation on silicon carbide and resulting passivated structures |
US5629531A (en) | 1992-06-05 | 1997-05-13 | Cree Research, Inc. | Method of obtaining high quality silicon dioxide passivation on silicon carbide and resulting passivated structures |
US6344663B1 (en) | 1992-06-05 | 2002-02-05 | Cree, Inc. | Silicon carbide CMOS devices |
US5726463A (en) | 1992-08-07 | 1998-03-10 | General Electric Company | Silicon carbide MOSFET having self-aligned gate structure |
JP3146694B2 (ja) | 1992-11-12 | 2001-03-19 | 富士電機株式会社 | 炭化けい素mosfetおよび炭化けい素mosfetの製造方法 |
US5506421A (en) | 1992-11-24 | 1996-04-09 | Cree Research, Inc. | Power MOSFET in silicon carbide |
JPH0799312A (ja) | 1993-02-22 | 1995-04-11 | Texas Instr Inc <Ti> | 半導体装置とその製法 |
US5539217A (en) | 1993-08-09 | 1996-07-23 | Cree Research, Inc. | Silicon carbide thyristor |
US6162665A (en) | 1993-10-15 | 2000-12-19 | Ixys Corporation | High voltage transistors and thyristors |
US5510630A (en) | 1993-10-18 | 1996-04-23 | Westinghouse Electric Corporation | Non-volatile random access memory cell constructed of silicon carbide |
JP3210510B2 (ja) | 1993-12-17 | 2001-09-17 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
US5396085A (en) | 1993-12-28 | 1995-03-07 | North Carolina State University | Silicon carbide switching device with rectifying-gate |
US5385855A (en) | 1994-02-24 | 1995-01-31 | General Electric Company | Fabrication of silicon carbide integrated circuits |
JPH08213607A (ja) | 1995-02-08 | 1996-08-20 | Ngk Insulators Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
US5510281A (en) | 1995-03-20 | 1996-04-23 | General Electric Company | Method of fabricating a self-aligned DMOS transistor device using SiC and spacers |
JP3521246B2 (ja) | 1995-03-27 | 2004-04-19 | 沖電気工業株式会社 | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
SE9501310D0 (sv) | 1995-04-10 | 1995-04-10 | Abb Research Ltd | A method for introduction of an impurity dopant in SiC, a semiconductor device formed by the mehtod and a use of a highly doped amorphous layer as a source for dopant diffusion into SiC |
US5734180A (en) | 1995-06-02 | 1998-03-31 | Texas Instruments Incorporated | High-performance high-voltage device structures |
US5967795A (en) | 1995-08-30 | 1999-10-19 | Asea Brown Boveri Ab | SiC semiconductor device comprising a pn junction with a voltage absorbing edge |
JPH11261061A (ja) | 1998-03-11 | 1999-09-24 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置及びその製造方法 |
US6573534B1 (en) | 1995-09-06 | 2003-06-03 | Denso Corporation | Silicon carbide semiconductor device |
KR100199997B1 (ko) | 1995-09-06 | 1999-07-01 | 오카메 히로무 | 탄화규소 반도체장치 |
US5972801A (en) | 1995-11-08 | 1999-10-26 | Cree Research, Inc. | Process for reducing defects in oxide layers on silicon carbide |
US6133587A (en) | 1996-01-23 | 2000-10-17 | Denso Corporation | Silicon carbide semiconductor device and process for manufacturing same |
JPH09205202A (ja) | 1996-01-26 | 1997-08-05 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体装置 |
US5663580A (en) | 1996-03-15 | 1997-09-02 | Abb Research Ltd. | Optically triggered semiconductor device |
SE9601174D0 (sv) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | Abb Research Ltd | A method for producing a semiconductor device having a semiconductor layer of SiC and such a device |
TW350621U (en) | 1996-04-15 | 1999-01-11 | Rohm Co Ltd | Image sensor chip, method for manufacturing the same, and image sensor |
US5763905A (en) | 1996-07-09 | 1998-06-09 | Abb Research Ltd. | Semiconductor device having a passivation layer |
SE9602745D0 (sv) | 1996-07-11 | 1996-07-11 | Abb Research Ltd | A method for producing a channel region layer in a SiC-layer for a voltage controlled semiconductor device |
US6002159A (en) | 1996-07-16 | 1999-12-14 | Abb Research Ltd. | SiC semiconductor device comprising a pn junction with a voltage absorbing edge |
US5917203A (en) | 1996-07-29 | 1999-06-29 | Motorola, Inc. | Lateral gate vertical drift region transistor |
US5837572A (en) | 1997-01-10 | 1998-11-17 | Advanced Micro Devices, Inc. | CMOS integrated circuit formed by using removable spacers to produce asymmetrical NMOS junctions before asymmetrical PMOS junctions for optimizing thermal diffusivity of dopants implanted therein |
US6180958B1 (en) | 1997-02-07 | 2001-01-30 | James Albert Cooper, Jr. | Structure for increasing the maximum voltage of silicon carbide power transistors |
JP3206727B2 (ja) | 1997-02-20 | 2001-09-10 | 富士電機株式会社 | 炭化けい素縦型mosfetおよびその製造方法 |
DE19809554B4 (de) | 1997-03-05 | 2008-04-03 | Denso Corp., Kariya | Siliziumkarbidhalbleitervorrichtung |
US5877041A (en) | 1997-06-30 | 1999-03-02 | Harris Corporation | Self-aligned power field effect transistor in silicon carbide |
DE19832329A1 (de) | 1997-07-31 | 1999-02-04 | Siemens Ag | Verfahren zur Strukturierung von Halbleitern mit hoher Präzision, guter Homogenität und Reproduzierbarkeit |
US5976801A (en) * | 1997-08-08 | 1999-11-02 | Incyte Pharamceuticals, Inc. | Human reticulocalbin isoforms |
JP3180895B2 (ja) | 1997-08-18 | 2001-06-25 | 富士電機株式会社 | 炭化けい素半導体装置の製造方法 |
CN1267397A (zh) | 1997-08-20 | 2000-09-20 | 西门子公司 | 具有预定的α碳化硅区的半导体结构及此半导体结构的应用 |
US6239463B1 (en) | 1997-08-28 | 2001-05-29 | Siliconix Incorporated | Low resistance power MOSFET or other device containing silicon-germanium layer |
SE9704150D0 (sv) | 1997-11-13 | 1997-11-13 | Abb Research Ltd | Semiconductor device of SiC with insulating layer a refractory metal nitride layer |
JPH11191559A (ja) | 1997-12-26 | 1999-07-13 | Matsushita Electric Works Ltd | Mosfetの製造方法 |
JPH11251592A (ja) | 1998-01-05 | 1999-09-07 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置 |
JP3216804B2 (ja) | 1998-01-06 | 2001-10-09 | 富士電機株式会社 | 炭化けい素縦形fetの製造方法および炭化けい素縦形fet |
JPH11266017A (ja) | 1998-01-14 | 1999-09-28 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置及びその製造方法 |
JPH11238742A (ja) | 1998-02-23 | 1999-08-31 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP3893725B2 (ja) | 1998-03-25 | 2007-03-14 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
US6107142A (en) | 1998-06-08 | 2000-08-22 | Cree Research, Inc. | Self-aligned methods of fabricating silicon carbide power devices by implantation and lateral diffusion |
US6100169A (en) | 1998-06-08 | 2000-08-08 | Cree, Inc. | Methods of fabricating silicon carbide power devices by controlled annealing |
JP4123636B2 (ja) | 1998-06-22 | 2008-07-23 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置及びその製造方法 |
JP3959856B2 (ja) | 1998-07-31 | 2007-08-15 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置及びその製造方法 |
US6221700B1 (en) | 1998-07-31 | 2001-04-24 | Denso Corporation | Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device with high activation rate of impurities |
JP2000106371A (ja) | 1998-07-31 | 2000-04-11 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
US6246076B1 (en) | 1998-08-28 | 2001-06-12 | Cree, Inc. | Layered dielectric on silicon carbide semiconductor structures |
JP4186337B2 (ja) | 1998-09-30 | 2008-11-26 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置及びその製造方法 |
US6228720B1 (en) | 1999-02-23 | 2001-05-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for making insulated-gate semiconductor element |
US6399996B1 (en) | 1999-04-01 | 2002-06-04 | Apd Semiconductor, Inc. | Schottky diode having increased active surface area and method of fabrication |
US6448160B1 (en) | 1999-04-01 | 2002-09-10 | Apd Semiconductor, Inc. | Method of fabricating power rectifier device to vary operating parameters and resulting device |
US6420225B1 (en) | 1999-04-01 | 2002-07-16 | Apd Semiconductor, Inc. | Method of fabricating power rectifier device |
US6238967B1 (en) | 1999-04-12 | 2001-05-29 | Motorola, Inc. | Method of forming embedded DRAM structure |
US6137139A (en) | 1999-06-03 | 2000-10-24 | Intersil Corporation | Low voltage dual-well MOS device having high ruggedness, low on-resistance, and improved body diode reverse recovery |
JP4192353B2 (ja) | 1999-09-21 | 2008-12-10 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置及びその製造方法 |
US6303508B1 (en) | 1999-12-16 | 2001-10-16 | Philips Electronics North America Corporation | Superior silicon carbide integrated circuits and method of fabricating |
DE10036208B4 (de) | 2000-07-25 | 2007-04-19 | Siced Electronics Development Gmbh & Co. Kg | Halbleiteraufbau mit vergrabenem Inselgebiet und Konaktgebiet |
US6956238B2 (en) | 2000-10-03 | 2005-10-18 | Cree, Inc. | Silicon carbide power metal-oxide semiconductor field effect transistors having a shorting channel and methods of fabricating silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistors having a shorting channel |
US6767843B2 (en) | 2000-10-03 | 2004-07-27 | Cree, Inc. | Method of N2O growth of an oxide layer on a silicon carbide layer |
US6610366B2 (en) | 2000-10-03 | 2003-08-26 | Cree, Inc. | Method of N2O annealing an oxide layer on a silicon carbide layer |
US7067176B2 (en) | 2000-10-03 | 2006-06-27 | Cree, Inc. | Method of fabricating an oxide layer on a silicon carbide layer utilizing an anneal in a hydrogen environment |
US6593620B1 (en) | 2000-10-06 | 2003-07-15 | General Semiconductor, Inc. | Trench DMOS transistor with embedded trench schottky rectifier |
US6958508B2 (en) | 2000-10-17 | 2005-10-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ferroelectric memory having ferroelectric capacitor insulative film |
EP1204145B1 (en) | 2000-10-23 | 2011-12-28 | Panasonic Corporation | Semiconductor element |
JP3881840B2 (ja) | 2000-11-14 | 2007-02-14 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 半導体装置 |
JP4792645B2 (ja) * | 2001-03-12 | 2011-10-12 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
DE10214150B4 (de) | 2001-03-30 | 2009-06-18 | Denso Corporation, Kariya | Siliziumkarbidhalbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben |
CN1520616A (zh) | 2001-04-11 | 2004-08-11 | ��˹�������뵼�幫˾ | 具有防止基区穿通的横向延伸基区屏蔽区的功率半导体器件及其制造方法 |
JP3908128B2 (ja) | 2001-09-07 | 2007-04-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
EP1306890A2 (en) | 2001-10-25 | 2003-05-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor substrate and device comprising SiC and method for fabricating the same |
SE520968C2 (sv) | 2001-10-29 | 2003-09-16 | Okmetic Oyj | Högresistiv monokristallin kiselkarbid och metod för dess framställning |
EP1471168B2 (en) | 2003-04-24 | 2011-08-10 | Norstel AB | Device and method for producing single crystals by vapour deposition |
US6979863B2 (en) | 2003-04-24 | 2005-12-27 | Cree, Inc. | Silicon carbide MOSFETs with integrated antiparallel junction barrier Schottky free wheeling diodes and methods of fabricating the same |
US7247513B2 (en) | 2003-05-08 | 2007-07-24 | Caracal, Inc. | Dissociation of silicon clusters in a gas phase during chemical vapor deposition homo-epitaxial growth of silicon carbide |
US7473929B2 (en) | 2003-07-02 | 2009-01-06 | Panasonic Corporation | Semiconductor device and method for fabricating the same |
FR2857895B1 (fr) * | 2003-07-23 | 2007-01-26 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de preparation de surface epiready sur films minces de sic |
US7118970B2 (en) | 2004-06-22 | 2006-10-10 | Cree, Inc. | Methods of fabricating silicon carbide devices with hybrid well regions |
JP4500928B2 (ja) | 2004-10-25 | 2010-07-14 | アルプス電気株式会社 | 金型の製造方法 |
-
2005
- 2005-05-24 US US11/136,057 patent/US7528040B2/en active Active
-
2006
- 2006-03-16 EP EP10196317.1A patent/EP2325869B1/en active Active
- 2006-03-16 JP JP2008513462A patent/JP5199072B2/ja active Active
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-
2009
- 2009-04-16 US US12/424,960 patent/US8188483B2/en active Active
-
2012
- 2012-05-14 US US13/470,600 patent/US8859366B2/en active Active
- 2012-05-15 JP JP2012111459A patent/JP6008571B2/ja active Active
-
2014
- 2014-09-10 US US14/482,137 patent/US9142663B2/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10308510A (ja) * | 1997-03-05 | 1998-11-17 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置及びその製造方法 |
US6429041B1 (en) * | 2000-07-13 | 2002-08-06 | Cree, Inc. | Methods of fabricating silicon carbide inversion channel devices without the need to utilize P-type implantation |
JP2003158075A (ja) * | 2001-08-23 | 2003-05-30 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | 半導体基板の製造方法及び電界効果型トランジスタの製造方法並びに半導体基板及び電界効果型トランジスタ |
JP2003234301A (ja) * | 2001-10-25 | 2003-08-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体基板、半導体素子及びその製造方法 |
JP2006511961A (ja) * | 2002-12-20 | 2006-04-06 | クリー インコーポレイテッド | 縦型jfet制限型シリコンカーバイドパワー金属酸化膜半導体電界効果トランジスタおよび縦型jfet制限型シリコンカーバイド金属酸化膜半導体電界効果トランジスタを製造する方法 |
JP2006524433A (ja) * | 2003-04-24 | 2006-10-26 | クリー インコーポレイテッド | 自己整合ソースおよびウェル領域を有する炭化珪素パワーデバイスならびにその製造方法 |
JP2005039257A (ja) * | 2003-07-02 | 2005-02-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2005116896A (ja) * | 2003-10-09 | 2005-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016058499A (ja) * | 2014-09-08 | 2016-04-21 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素半導体装置 |
JP6237845B1 (ja) * | 2016-08-24 | 2017-11-29 | 富士電機株式会社 | 縦型mosfetおよび縦型mosfetの製造方法 |
JP2018032741A (ja) * | 2016-08-24 | 2018-03-01 | 富士電機株式会社 | 縦型mosfetおよび縦型mosfetの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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