JP2008542829A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2008542829A5
JP2008542829A5 JP2008513975A JP2008513975A JP2008542829A5 JP 2008542829 A5 JP2008542829 A5 JP 2008542829A5 JP 2008513975 A JP2008513975 A JP 2008513975A JP 2008513975 A JP2008513975 A JP 2008513975A JP 2008542829 A5 JP2008542829 A5 JP 2008542829A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
projection objective
shield
objective according
optical
beam path
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008513975A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2008542829A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from PCT/EP2006/004876 external-priority patent/WO2006128613A1/en
Publication of JP2008542829A publication Critical patent/JP2008542829A/ja
Publication of JP2008542829A5 publication Critical patent/JP2008542829A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Claims (58)

  1. 物体平面に配置されるパターンを像平面内に結像するマイクロリソグラフィ投影対物レンズであって、少なくとも一つの鏡を含む複数の光学部品を備え、
    前記パターンを前記像平面に結像するために用いることができる結像ビーム経路は、前記少なくとも一つの鏡の領域において、互いに対して斜めに延び、走行しかつ重複領域で少なくとも部分的に互いに重複し、かつ前記重複領域の外部で間隙によって互いに間隔が開けられているビーム経路セグメントを有し、
    偽光を抑制する少なくとも一つのシールドが前記間隙に配置される、投影対物レンズ。
  2. 前記少なくとも一つのシールドは前記第1鏡上に固定される、請求項1に記載の投影対物レンズ。
  3. 前記複数の光学部品は、カタディオプトリック系を形成するための少なくとも一つのレンズをさらに含む、請求項1または2に記載の投影対物レンズ。
  4. 前記複数の光学部品は光学軸を備える、請求項1ないし3のいずれか1項に記載の投影対物レンズ。
  5. システム開口を規定し、光学的有効断面を有する開口絞りをさらに備え、前記光学的有効断面は調整可能である、請求項1ないし4のいずれか1項に記載の投影対物レンズ。
  6. 前記複数の光学部品は、第1鏡および少なくとも一つの第2鏡を含み、前記ビーム経路セグメントの一つは前記第2鏡によって反射されるビーム経路セグメントであり、かつ前記ビーム経路セグメントの他の一つは前記第1鏡によって反射されるビーム経路セグメントであり、前記少なくとも一つのシールドは、前記2つの反射ビーム経路セグメント間の前記間隙における前記第1鏡と前記少なくとも一つの第2鏡との間に配置される、請求項1ないし5のいずれか1項に記載の投影対物レンズ。
  7. 前記少なくとも一つのシールドは前記第1鏡上に固定される、請求項6に記載の投影対物レンズ。
  8. 前記少なくとも一つのシールドは前記第2鏡上に固定される、請求項6または7に記載の投影対物レンズ。
  9. 前記少なくとも一つのシールドは板または開口である、請求項1ないし8のいずれか1項に記載の投影対物レンズ。
  10. 物体平面に配置されるパターンを像平面内に結像するマイクロリソグラフィ投影対物レンズであって、第1対物レンズ部と、第2対物レンズ部と、少なくとも一つの第3対物レンズ部とを備え、
    前記第2対物レンズ部は、前記第1対物レンズ部における光伝搬方向および前記第3対物レンズ部における光伝搬方向と異なる光伝搬方向を規定し、
    前記第1対物レンズ部と前記第2対物レンズ部との間および前記第2対物レンズ部と前記第3対物レンズ部との間に少なくとも一つのビーム偏向装置をさらに備え、
    少なくとも一つのシールドが、前記第1対物レンズ部から第3対物レンズ部内への直接光漏れが少なくとも減少するようにして前記ビーム偏向装置の領域に配置される、マイクロリソグラフィ投影対物レンズ。
  11. 前記シールドは、前記結像ビーム経路を制限しない、請求項10に記載の投影対物レンズ。
  12. 前記ビーム偏向装置は、互いに対してある角度で配置される第1反射面および第2反射面を有し、かつ前記少なくとも一つのシールドは、前記ビーム偏向装置の角頂点から前記第2対物レンズ部の方向に延びている、請求項10または11に記載の投影対物レンズ。
  13. 前記シールドは、板である、請求項12に記載の投影対物レンズ。
  14. 前記シールドは、吸収性であるまたは吸収層で被覆されている、請求項12または13に記載の投影対物レンズ。
  15. 少なくとも一つの中間像は、前記第2および/または第3対物レンズ部で生成され、かつ少なくとも一つのさらなるシールドは、前記中間像の領域に配置される、請求項10ないし14のいずれか1項に記載の投影対物レンズ。
  16. 前記少なくとも一つのさらなるシールドは、前記結像ビーム経路を制限しない開口である、請求項15に記載の投影対物レンズ。
  17. 前記第2対物レンズ部は、カタディオプトリックである、請求項10ないし16のいずれか1項に記載の投影対物レンズ。
  18. 前記第3対物レンズ部は、ディオプトリックである、請求項10ないし17のいずれか1項に記載の投影対物レンズ。
  19. 前記少なくとも一つのシールドをその活性断面に対して位置調整および/または可変設定することができる、請求項10ないし18のいずれか1項に記載の投影対物レンズ。
  20. 前記シールドの設定を、前記結像ビーム経路を制限する前記対物レンズの開口の設定と共通に行うことができる、請求項19に記載の投影対物レンズ。
  21. 前記シールドの設定は、結像に用いられる前記像視野の大きさに応じて行われる、請求項19または20に記載の投影対物レンズ。
  22. 前記シールドの設定を、照明設定として行うことができる、請求項19ないし21のいずれか1項に記載の投影対物レンズ。
  23. 少なくともさらなるシールドが前記物体平面からオーバ開口光を遮蔽するように配置される、請求項10ないし22のいずれか1項に記載の投影対物レンズ。
  24. 物体平面に配置されるパターンを像平面内に結像するマイクロリソグラフィ投影対物レンズであって、少なくとも一つの光学活性表面をそれぞれ有する複数の光学部品を備え、
    前記複数の光学部品のうち、前記投影対物レンズの作動中、前記パターンを前記像平面内に結像する前記結像ビーム経路に用いられない第1表面領域を有する少なくとも一つの第1光学作用表面を持った少なくとも一つの第1光学部品が存在し、
    前記少なくとも一つの第1光学作用表面には、偽光を抑制するために前記第1光学作用表面の、前記結像ビーム経路に用いられない前記第1表面領域をマスクする少なくとも一つの第1シールドが割り当てられる、投影対物レンズ。
  25. 前記少なくとも一つの第1シールドは、前記少なくとも一つの第1光学作用表面の直近傍に配置される平面である、請求項24に記載の投影対物レンズ。
  26. 前記少なくとも一つの第1シールドは、前記少なくとも一つの第1光学作用表面の前記直近傍に配置される開口であり、かつ前記結像ビーム経路の断面形状に適合する開口部を前記開口の位置に有する、請求項24に記載の投影対物レンズ。
  27. 前記開口部は実質的に長方形である、請求項26に記載の投影対物レンズ。
  28. 前記少なくとも一つの第1シールドは、前記結像ビーム経路によって用いられない前記第1表面領域上の遮蔽コーティングである、請求項24に記載の投影対物レンズ。
  29. 前記少なくとも一つの第1シールドは、結像に用いられる前記光の波長において反射性である、請求項24ないし28のいずれか1項に記載の投影対物レンズ。
  30. 前記少なくとも一つの第1シールドは、結像に用いられる前記光の波長について吸収性である、または吸収コーティングが設けられる、請求項24ないし29のいずれか1項に記載の投影対物レンズ。
  31. 前記シールドの吸収度は、少なくとも約95%であり、好ましくは少なくとも約98%である、請求項30に記載の投影対物レンズ。
  32. 前記少なくとも一つの第1シールドは光触媒特性を有する、請求項30または31に記載の投影対物レンズ。
  33. 前記少なくとも一つの第1シールドが割り当てられる前記少なくとも一つの第1光学作用表面は、近傍表面、特に前記結像ビーム経路の中間像の近傍または前記像平面もしくは前記物体表面の近傍に位置決めされる表面である、請求項24ないし32のいずれか1項に記載の投影対物レンズ。
  34. 前記少なくとも一つのシールドは、前記物体平面と前記投影対物レンズの前記第1光学部品との間および/または前記投影対物レンズの最後の光学部品と前記像平面との間に配置される、請求項24ないし33のいずれか1項に記載の投影対物レンズ。
  35. 少なくとも一つの光学作用表面に前記少なくとも一つのシールドが割り当てられる前記少なくとも一つの光学部品は鏡である、請求項24ないし34のいずれか1項に記載の投影対物レンズ。
  36. 少なくとも一つの光学作用表面に前記少なくとも一つのシールドが割り当てられる前記少なくとも一つの光学部品はレンズである、請求項24ないし35のいずれか1項に記載の投影対物レンズ。
  37. 前記少なくとも一つの第1シールドをその活性断面に対して位置調整および/または可変設定することができる、請求項24ないし36のいずれか1項に記載の投影対物レンズ。
  38. 前記少なくとも一つの第1シールドの設定を、前記結像ビーム経路を制限する前記投影対物レンズの開口の設定と共通に行うことができる、請求項37に記載の投影対物レンズ。
  39. 前記少なくとも一つの第1シールドの設定は、結像に用いられる前記像視野の大きさに応じて行われる、請求項37または38に記載の投影対物レンズ。
  40. 前記少なくとも一つの第1シールドの設定を、照明設定として行うことができる、請求項37ないし39のいずれか1項に記載の投影対物レンズ。
  41. 前記複数の光学部品は、前記投影対物レンズの作動中、前記パターンを前記像平面内に結像するための前記結像ビーム経路によって用いられないさらなる表面領域を有する、少なくとも一つのさらなる光学作用表面を有する少なくとも一つのさらなる光学部品を有し、前記少なくとも一つのさらなる光学作用表面は、前記さらなる光学作用表面の前記結像ビーム経路によって用いられない前記さらなる表面領域をマスクする少なくとも一つのさらなるシールドが割り当てられる、請求項24ないし40のいずれか1項に記載の投影対物レンズ。
  42. 前記複数の光学部品は少なくとも2つの鏡を備える、請求項24ないし41のいずれか1項に記載の投影対物レンズ。
  43. 前記複数の光学部品は少なくとも4つの鏡を備える、請求項42に記載の投影対物レンズ。
  44. 液浸対物レンズとして設計される、請求項24ないし43のいずれか1項に記載の投影対物レンズ。
  45. 少なくともさらなるシールドが前記物体平面からのオーバ開口光を遮蔽するように配置される、請求項24ないし44のいずれか1項に記載の投影対物レンズ。
  46. 物体平面に配置されるパターンを像平面内に結像するマイクロリソグラフィ投影対物レンズであって、複数の光学部品と、第1瞳孔平面および少なくとも第2瞳孔平面とを備え、
    システム開口を規定する第1開口絞りは、前記第1瞳孔平面の近くに少なくとも配置され、少なくとも第2開口絞りをさらに備える、投影対物レンズ。
  47. 前記少なくとも一つの第2開口絞りは前記第1または第2瞳孔平面の近くに配置される、請求項46に記載の投影対物レンズ。
  48. 前記少なくとも一つの第2開口絞りは前記少なくとも一つの第2瞳孔平面に配置される、請求項47に記載の投影対物レンズ。
  49. 前記少なくとも一つの第2開口絞りは固定開口絞りである、請求項46ないし48のいずれか1項に記載の投影対物レンズ。
  50. 前記少なくとも一つの第1開口絞りはその有効断面に対して調整可能である、請求項46ないし49のいずれか1項に記載の投影対物レンズ。
  51. 前記少なくとも一つの第2開口絞りは前記複数の光学部品のうちの一つの光学部品上の非透過コーティングによって形成される、請求項46ないし50のいずれか1項に記載の投影対物レンズ。
  52. 前記少なくとも一つの第2開口絞りは前記複数の光学部品のうち2つの隣接する部品間に配置される板によって形成される、請求項46ないし50のいずれか1項に記載の投影対物レンズ。
  53. 前記複数の光学部品のうちの前記光学部品の少なくとも一つは、非球面光学作用表面を有する、請求項46ないし52のいずれか1項に記載の投影対物レンズ。
  54. 約0.8より大きく、好ましくは約1より大きい像側の開口数を有する、請求項46ないし53のいずれか1項に記載の投影対物レンズ。
  55. 前記少なくとも一つの第2開口絞りの前記像平面に最も近い前記瞳孔平面からの距離Lは、0.5D<L<2Dとなるように選択され、式中Dは前記複数の光学部品のうち、前記光学部品の最大直径を有する一つの光学部品の直径である、請求項46ないし54のいずれか1項に記載の投影対物レンズ。
  56. 前記第1瞳孔平面と前記少なくとも一つの第2瞳孔平面との間に、少なくとも一つの中間像平面を有する、請求項46ないし55のいずれか1項に記載の投影対物レンズ。
  57. 請求項1ないし56のいずれか1項に記載の投影対物レンズを有する、マイクロリソグラフィ投影露光機。
  58. 半導体部品および他の微細構造サブアセンブリを製造する方法であって、規定パターンを有するマスクが設けられ、前記マスクは、規定波長の紫外光で照射され、かつ請求項1ないし56のいずれか1項に記載の投影対物レンズを用いて、前記投影対物レンズの像平面の領域に配置される感光性基板上に前記パターンが結像される方法。
JP2008513975A 2005-06-02 2006-05-23 マイクロリソグラフィ投影対物レンズ Pending JP2008542829A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US68678405P 2005-06-02 2005-06-02
US79061606P 2006-04-10 2006-04-10
PCT/EP2006/004876 WO2006128613A1 (en) 2005-06-02 2006-05-23 Microlithography projection objective

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012139049A Division JP5591875B2 (ja) 2005-06-02 2012-06-20 マイクロリソグラフィ投影対物レンズ
JP2014146972A Division JP6050288B2 (ja) 2005-06-02 2014-07-17 マイクロリソグラフィ投影対物レンズ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008542829A JP2008542829A (ja) 2008-11-27
JP2008542829A5 true JP2008542829A5 (ja) 2009-07-09

Family

ID=36782280

Family Applications (9)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008513975A Pending JP2008542829A (ja) 2005-06-02 2006-05-23 マイクロリソグラフィ投影対物レンズ
JP2012139049A Expired - Fee Related JP5591875B2 (ja) 2005-06-02 2012-06-20 マイクロリソグラフィ投影対物レンズ
JP2014092743A Expired - Fee Related JP5830129B2 (ja) 2005-06-02 2014-04-28 マイクロリソグラフィ投影対物レンズ
JP2014146972A Expired - Fee Related JP6050288B2 (ja) 2005-06-02 2014-07-17 マイクロリソグラフィ投影対物レンズ
JP2016000839A Expired - Fee Related JP6182224B2 (ja) 2005-06-02 2016-01-06 マイクロリソグラフィ投影対物レンズ
JP2016223867A Pending JP2017040939A (ja) 2005-06-02 2016-11-17 マイクロリソグラフィ投影対物レンズ
JP2017100697A Withdrawn JP2017138632A (ja) 2005-06-02 2017-05-22 マイクロリソグラフィ投影対物レンズ
JP2017151387A Withdrawn JP2017201430A (ja) 2005-06-02 2017-08-04 マイクロリソグラフィ投影対物レンズ
JP2018241495A Withdrawn JP2019070831A (ja) 2005-06-02 2018-12-25 マイクロリソグラフィ投影対物レンズ

Family Applications After (8)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012139049A Expired - Fee Related JP5591875B2 (ja) 2005-06-02 2012-06-20 マイクロリソグラフィ投影対物レンズ
JP2014092743A Expired - Fee Related JP5830129B2 (ja) 2005-06-02 2014-04-28 マイクロリソグラフィ投影対物レンズ
JP2014146972A Expired - Fee Related JP6050288B2 (ja) 2005-06-02 2014-07-17 マイクロリソグラフィ投影対物レンズ
JP2016000839A Expired - Fee Related JP6182224B2 (ja) 2005-06-02 2016-01-06 マイクロリソグラフィ投影対物レンズ
JP2016223867A Pending JP2017040939A (ja) 2005-06-02 2016-11-17 マイクロリソグラフィ投影対物レンズ
JP2017100697A Withdrawn JP2017138632A (ja) 2005-06-02 2017-05-22 マイクロリソグラフィ投影対物レンズ
JP2017151387A Withdrawn JP2017201430A (ja) 2005-06-02 2017-08-04 マイクロリソグラフィ投影対物レンズ
JP2018241495A Withdrawn JP2019070831A (ja) 2005-06-02 2018-12-25 マイクロリソグラフィ投影対物レンズ

Country Status (6)

Country Link
US (4) US20090115986A1 (ja)
EP (1) EP1886190B1 (ja)
JP (9) JP2008542829A (ja)
KR (7) KR101590743B1 (ja)
CN (1) CN101297243B (ja)
WO (1) WO2006128613A1 (ja)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006128613A1 (en) 2005-06-02 2006-12-07 Carl Zeiss Smt Ag Microlithography projection objective
JP4940009B2 (ja) * 2006-06-21 2012-05-30 キヤノン株式会社 投影光学系
DE102006045075A1 (de) 2006-09-21 2008-04-03 Carl Zeiss Smt Ag Steuerbares optisches Element
JP4267668B2 (ja) * 2007-03-08 2009-05-27 株式会社日立製作所 立体像表示装置
JP4310349B2 (ja) * 2007-04-20 2009-08-05 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP2010527160A (ja) 2007-05-14 2010-08-05 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー マイクロリソグラフィ用投影対物器械及び投影露光装置
DE102007022895B9 (de) * 2007-05-14 2013-11-21 Erich Thallner Vorrichtung zum Übertragen von in einer Maske vorgesehenen Strukturen auf ein Substrat
DE102008001800A1 (de) 2007-05-25 2008-11-27 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv für die Mikrolithographie, Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen Projektionsobjektiv, mikrolithographisches Herstellungsverfahren für Bauelemente sowie mit diesem Verfahren hergestelltes Bauelement
US20080297740A1 (en) * 2007-05-29 2008-12-04 Phong Huynh Projection system and method of use thereof
DE102008033213A1 (de) 2007-07-16 2009-01-22 Carl Zeiss Smt Ag Kombiblende für katoptrische Projektionsanordnung
EP2181357A1 (en) 2007-08-24 2010-05-05 Carl Zeiss SMT AG Controllable optical element and method for operating an optical element with thermal actuators and projection exposure apparatus for semiconductor lithography
DE102008001694A1 (de) * 2008-05-09 2009-11-12 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsoptik für die Mikrolithografie
CN102428408B (zh) 2009-05-16 2014-11-05 卡尔蔡司Smt有限责任公司 包括光学校正布置的用于半导体光刻的投射曝光设备
DE102009035788B4 (de) 2009-07-31 2011-06-30 Carl Zeiss Laser Optics GmbH, 73447 Optische Anordnung in einem optischen System, insbesondere einer Beleuchtungseinrichtung
DE102009037077B3 (de) * 2009-08-13 2011-02-17 Carl Zeiss Smt Ag Katadioptrisches Projektionsobjektiv
DE102010021539B4 (de) * 2010-05-19 2014-10-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsobjektiv mit Blenden
KR101934228B1 (ko) * 2012-12-18 2018-12-31 가부시키가이샤 니콘 기판 처리 장치, 디바이스 제조 시스템 및 디바이스 제조 방법
DE102017204619A1 (de) 2016-04-05 2017-10-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsverfahren, Projektionsobjektiv und Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie
DE102017211902A1 (de) 2017-07-12 2018-08-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsobjektiv für eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie
WO2020009764A1 (en) * 2018-07-03 2020-01-09 Applied Materials, Inc. Pupil viewing with image projection systems

Family Cites Families (79)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3606535A (en) * 1968-02-17 1971-09-20 Ricoh Kk Device for rectifying uneven distribution of illumination intensity in a slit exposure mechanism
JPS572017A (en) * 1980-06-06 1982-01-07 Ricoh Co Ltd Reflection type equal magnification image forming element
JPS6048015A (ja) * 1983-08-27 1985-03-15 Ricoh Co Ltd 結像光学装置
JPS6053926A (ja) * 1983-09-03 1985-03-28 Ricoh Co Ltd 結像光学装置
US4776683A (en) * 1985-03-25 1988-10-11 Ricoh Company, Ltd. Optical imaging device
JPH077154B2 (ja) * 1985-03-25 1995-01-30 株式会社リコー 結像光学装置
JPH0827430B2 (ja) * 1988-03-22 1996-03-21 株式会社ニコン 2群ズームレンズ
JPH0684746A (ja) * 1992-03-09 1994-03-25 Hitachi Ltd 投影露光装置及びパタン形成方法
JP3201027B2 (ja) * 1992-12-22 2001-08-20 株式会社ニコン 投影露光装置及び方法
JPH06235863A (ja) 1993-02-12 1994-08-23 Nikon Corp 反射屈折光学系
JP3747958B2 (ja) * 1995-04-07 2006-02-22 株式会社ニコン 反射屈折光学系
JP3029177B2 (ja) * 1994-04-26 2000-04-04 キヤノン株式会社 フレアーカット絞りを有するズームレンズ
US6512631B2 (en) * 1996-07-22 2003-01-28 Kla-Tencor Corporation Broad-band deep ultraviolet/vacuum ultraviolet catadioptric imaging system
JPH09197277A (ja) * 1996-01-23 1997-07-31 Minolta Co Ltd ズームレンズ
JP3445120B2 (ja) 1997-09-30 2003-09-08 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイスの製造方法
JP3517563B2 (ja) * 1997-09-30 2004-04-12 キヤノン株式会社 半導体製造用露光装置およびこれを用いた半導体デバイス製造プロセス
US5963377A (en) * 1997-10-02 1999-10-05 Minolta Co., Ltd. Taking optical system for video shooting
US6252723B1 (en) * 1998-03-03 2001-06-26 Olympus Optical Co., Ltd. Objective optical system
JP2000010005A (ja) * 1998-06-17 2000-01-14 Nikon Corp 反射屈折投影露光装置
EP0989434B1 (en) 1998-07-29 2006-11-15 Carl Zeiss SMT AG Catadioptric optical system and exposure apparatus having the same
JP2000100694A (ja) * 1998-09-22 2000-04-07 Nikon Corp 反射縮小投影光学系、該光学系を備えた投影露光装置および該装置を用いた露光方法
US7151592B2 (en) 1999-02-15 2006-12-19 Carl Zeiss Smt Ag Projection system for EUV lithography
JP3758403B2 (ja) * 1999-02-22 2006-03-22 コニカミノルタビジネステクノロジーズ株式会社 画像形成装置及び転写電圧印加方法
EP1093021A3 (en) * 1999-10-15 2004-06-30 Nikon Corporation Projection optical system as well as equipment and methods making use of said system
DE19963588C2 (de) * 1999-12-29 2002-01-10 Zeiss Carl Optische Anordnung
JP2002118058A (ja) * 2000-01-13 2002-04-19 Nikon Corp 投影露光装置及び方法
TW538256B (en) * 2000-01-14 2003-06-21 Zeiss Stiftung Microlithographic reduction projection catadioptric objective
US7301605B2 (en) 2000-03-03 2007-11-27 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method, catadioptric optical system and manufacturing method of devices
KR100787525B1 (ko) * 2000-08-01 2007-12-21 칼 짜이스 에스엠티 아게 6 거울-마이크로리소그래피 - 투사 대물렌즈
JP2002082285A (ja) * 2000-09-07 2002-03-22 Nikon Corp 反射屈折光学系および該光学系を備えた露光装置
KR100931335B1 (ko) * 2000-09-29 2009-12-11 칼 짜이스 에스엠티 아게 격자 엘리먼트를 구비한 조명 시스템
JPWO2002029869A1 (ja) * 2000-10-04 2004-02-19 株式会社ニコン 投影露光装置及びこの装置を用いたデバイスの製造方法
JP4245286B2 (ja) 2000-10-23 2009-03-25 株式会社ニコン 反射屈折光学系および該光学系を備えた露光装置
DE10127227A1 (de) 2001-05-22 2002-12-05 Zeiss Carl Katadioptrisches Reduktionsobjektiv
JP3679736B2 (ja) 2001-07-04 2005-08-03 キヤノン株式会社 露光装置、露光方法、デバイス製造方法、並びに、デバイス
JP3605055B2 (ja) 2001-07-31 2004-12-22 キヤノン株式会社 照明光学系、露光装置及びデバイス製造方法
JP2005504337A (ja) * 2001-09-20 2005-02-10 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー 反射屈折縮小レンズ
US7611247B2 (en) * 2001-12-28 2009-11-03 Texas Instruments Incorporated Illumination aperture for projection display
JP4333078B2 (ja) * 2002-04-26 2009-09-16 株式会社ニコン 投影光学系、該投影光学系を備えた露光装置および該投影光学系を用いた露光方法並びにデバイス製造方法
JP2005533285A (ja) * 2002-07-18 2005-11-04 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー 反射屈折投影対物レンズ
US7075720B2 (en) * 2002-08-22 2006-07-11 Asml Netherlands B.V. Structures and methods for reducing polarization aberration in optical systems
US7362508B2 (en) * 2002-08-23 2008-04-22 Nikon Corporation Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same
WO2004021419A1 (ja) * 2002-08-29 2004-03-11 Nikon Corporation 投影光学系及び露光装置
JP2004152833A (ja) * 2002-10-29 2004-05-27 Nikon Corp 極端紫外線光学鏡筒、極端紫外線反射光学素子、露光装置及び極端紫外線光学系の検査方法
US6731374B1 (en) * 2002-12-02 2004-05-04 Asml Holding N.V. Beam-splitter optics design that maintains an unflipped (unmirrored) image for a catadioptric lithographic system
JP4496782B2 (ja) * 2003-01-21 2010-07-07 株式会社ニコン 反射光学系及び露光装置
US7277232B2 (en) * 2003-01-24 2007-10-02 Nikon Corporation Zoom lens system
JP4325200B2 (ja) * 2003-01-24 2009-09-02 株式会社ニコン ズームレンズ
JP4366948B2 (ja) * 2003-02-14 2009-11-18 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置および露光方法
JP2004251969A (ja) 2003-02-18 2004-09-09 Renesas Technology Corp 位相シフトマスク、位相シフトマスクを用いたパターンの形成方法および電子デバイスの製造方法
JP4065528B2 (ja) * 2003-03-10 2008-03-26 キヤノン株式会社 恒温真空容器及びそれを用いた露光装置
KR101521407B1 (ko) 2003-05-06 2015-05-18 가부시키가이샤 니콘 투영 광학계, 노광 장치 및 노광 방법
JP2005115127A (ja) * 2003-10-09 2005-04-28 Nikon Corp 反射屈折投影光学系、露光装置及び露光方法
JP2005039211A (ja) * 2003-06-30 2005-02-10 Canon Inc 投影光学系、露光装置及びデバイスの製造方法
US7085075B2 (en) * 2003-08-12 2006-08-01 Carl Zeiss Smt Ag Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3
WO2005015316A2 (en) 2003-08-12 2005-02-17 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for microlithography
JP4218475B2 (ja) * 2003-09-11 2009-02-04 株式会社ニコン 極端紫外線光学系及び露光装置
US7294404B2 (en) * 2003-12-22 2007-11-13 Cardinal Cg Company Graded photocatalytic coatings
CN102207609B (zh) * 2004-01-14 2013-03-20 卡尔蔡司Smt有限责任公司 反射折射投影物镜
JP2005215389A (ja) * 2004-01-30 2005-08-11 Canon Inc 光学系及びそれを有する撮像装置
JP2005250089A (ja) * 2004-03-04 2005-09-15 Fujinon Corp 撮像レンズおよびレンズの製造方法
JP2007534166A (ja) * 2004-04-14 2007-11-22 ライテル・インストルメンツ 射出瞳透過率を計測する方法および装置
US7511798B2 (en) * 2004-07-30 2009-03-31 Asml Holding N.V. Off-axis catadioptric projection optical system for lithography
CN1734306A (zh) * 2004-08-09 2006-02-15 日立麦克赛尔株式会社 遮光片、光学仪器及遮光片的制造方法
JP2006147809A (ja) * 2004-11-18 2006-06-08 Canon Inc 露光装置の投影光学系、露光装置およびデバイスの製造方法
JP2006203083A (ja) * 2005-01-21 2006-08-03 Nikon Corp 投影光学系、投影露光装置、露光方法、デバイス製造方法
US7710653B2 (en) * 2005-01-28 2010-05-04 Nikon Corporation Projection optical system, exposure system, and exposure method
US8014081B2 (en) * 2005-02-09 2011-09-06 Tamron Co., Ltd. Chromatic aberration compensating image optics
JP2006222222A (ja) * 2005-02-09 2006-08-24 Canon Inc 投影光学系及びそれを有する露光装置
WO2006128613A1 (en) 2005-06-02 2006-12-07 Carl Zeiss Smt Ag Microlithography projection objective
WO2007018464A2 (en) * 2005-08-08 2007-02-15 Micronic Laser Systems Ab Method and apparatus for projection printing
TW200801578A (en) * 2006-06-21 2008-01-01 Canon Kk Projection optical system
JP4310349B2 (ja) * 2007-04-20 2009-08-05 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP2009010232A (ja) * 2007-06-28 2009-01-15 Canon Inc 光学装置、露光装置およびデバイス製造方法
JP2009081304A (ja) * 2007-09-26 2009-04-16 Canon Inc 投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法
US7957074B2 (en) * 2008-05-27 2011-06-07 Fujinon Corporation Imaging lens system and imaging apparatus using the imaging lens system
JP2009302354A (ja) * 2008-06-16 2009-12-24 Canon Inc 露光装置、デバイス製造方法及び開口絞りの製造方法
US8945802B2 (en) * 2009-03-03 2015-02-03 Nikon Corporation Flare-measuring mask, flare-measuring method, and exposure method
DE102010021539B4 (de) * 2010-05-19 2014-10-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsobjektiv mit Blenden

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2008542829A5 (ja)
JP6182224B2 (ja) マイクロリソグラフィ投影対物レンズ
JP5689461B2 (ja) リソグラフィ装置、極端紫外線の反射を制御する方法、及びマスキングデバイス
JP5796258B2 (ja) 結像光学系
TWI841395B (zh) 光學元件、和總成及其光學系統
TW202347047A (zh) 光學元件、和總成及其光學系統
JP2001077017A (ja) 投影露光装置