JP2001077017A - 投影露光装置 - Google Patents

投影露光装置

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JP2001077017A
JP2001077017A JP2000199055A JP2000199055A JP2001077017A JP 2001077017 A JP2001077017 A JP 2001077017A JP 2000199055 A JP2000199055 A JP 2000199055A JP 2000199055 A JP2000199055 A JP 2000199055A JP 2001077017 A JP2001077017 A JP 2001077017A
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optical system
reflection
light
projection
exposure apparatus
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JP2000199055A
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Tetsuo Takahashi
哲男 高橋
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Original Assignee
Nikon Corp
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70225Optical aspects of catadioptric systems, i.e. comprising reflective and refractive elements

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Lenses (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】反射屈折型の投影光学系を有する投影露光装置
において、露光光が短波長化、特に200nmよりも短
い場合でもフレア光の発生を防止でき、良好なコントラ
ストでパターンを基板上に投影することができる投影露
光装置を提供すること。 【解決手段】 所定のパターンを有するマスクRを所定
波長の照明光で照明する照明光学系ISと、前記マスク
上のパターンを基板W上に投影する投影光学系PLとを
有する投影露光装置において、前記投影光学系は、少な
くとも第1の反射面R1と第2の反射面R2とを有し、
前記第1及び第2の反射面のうちの少なくとも一方は正
の屈折力を有し、前記第1及び第2の反射面は光軸AX
近傍に設けられて光を通過させる開口部AP1,AP2
を有し、前記第1及び第2の反射面のうちの少なくとも
何れか一方の反射面の前記所定波長に対する反射率は9
5%以下である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体素子
又は液晶表示素子等をフォトリソグラフィ工程で製造す
る際に使用される投影露光装置、特に、反射屈折型の投
影光学系を有する投影露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体素子等を製造するためのフォトリ
ソグラフィ工程において、フォトマスク又はレチクル
(以下、「レチクル」と総称する。)上に形成されたパ
ターンの像を、投影光学系を介して、フォトレジスト等
の感光材料が塗布されたウエハ又はガラスプレート上に
露光する投影露光装置が使用されている。そして、半導
体素子等の集積度が向上するのに従って、投影露光装置
に使用されている投影光学系に要求される解像力は益々
高まってきている。その結果、この要求を満足するため
には、照明光(露光光)の波長を短くするとともに投影
光学系の開口数(N.A.)を大きくすることが必要と
なる。
【0003】しかし、照明光の波長が短くなると、光の
吸収が大きくなり、実用に耐える硝材の種類は限られて
しまい、特に波長が300nm以下になると実用上使え
る硝材は合成石英と蛍石だけに限定される。このため、
屈折レンズ系のみ、即ち屈折力を有する反射鏡(凹面反
射鏡又は凸面反射鏡)を含まないレンズ成分のみで構成
された投影光学系では、色収差の補正が不可能となる。
また、投影光学系に求められる光学性能は極めて高いた
め、諸収差をほぼ無収差にまで補正することが必要とな
る。屈折型投影光学系で所望の光学性能を達成するため
には多数レンズ成分が必要となり、透過率の低減や製造
コストの増大を避けることはできない。
【0004】これに対して、凹面反射鏡等のパワー(屈
折力)を利用する反射型の光学系は色収差を生じること
がなく、ペッツバール和に関してレンズ成分とは符号が
逆の寄与を示す。このため、反射光学系と屈折光学系と
を組み合わせた光学系、いわゆる反射屈折型の光学系
(以下、「反射屈折光学系」という)は、レンズ枚数の
増加を招くことなく、色収差をはじめ各諸収差をほぼ無
収差にまで良好に補正することができる。従って、反射
屈折光学系とは、少なくとも1つレンズ成分と、屈折力
を有する少なくとも1つの反射鏡とを含む光学系であ
る。なお、屈折型の光学系や反射型の光学系において、
必要に応じて平行平面板や光路偏向用の平面反射鏡など
が設けられることは言うまでもない。
【0005】しかし、投影露光装置の投影光学系の光路
中に凹面反射鏡を用いると、レチクル側からこの凹面反
射鏡に入射した光が反射されて再び元のレチクル側へ逆
進してしまう。このため、凹面鏡に入射する光の光路と
凹面反射鏡で反射される光の光路とを分離するとともに
凹面反射鏡からの反射光をウエハ方向へ導くための技術
が、すなわち反射屈折光学系により投影光学系を構成す
る種々の技術が、従来より多く提案されている。
【0006】代表的な光路分離の方法として、米国特許
第5,717,518号公報に開示された方法は、N.
A.の中心部分が遮蔽されるタイプの光学系(以下、
「中心遮蔽タイプ」という)であり、2面以上の反射面
を用いることで光路偏向部材を使用せずに光学系を構成
するすべての光学要素を単一の光軸に沿って配置するこ
とができる。その結果、投影光学系において従来から用
いられている光学部品の調整方法に従って高精度に光学
系を製造することが可能である。また、光軸上の物体を
像面に結像できるため、少ない光学部材数で広い露光フ
ィールドを収差補正できるというメリットがある。この
光路分離方法を用いた光学系が、米国特許第5,71
7,518号公報の他にも米国特許5,650,877
号公報等に開示されており、反射屈折型の光学系として
有力なタイプである。また、マスク及びウエハの光軸上
の領域を露光に使用しない軸外し型の光学系も提案され
ている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ここで、光学系のフレ
ア光について説明する。フレア光とは、光学系へ入射し
た光がレンズ面やレンズ鏡筒内壁面等で反射して生ずる
結像面の一部又は全面に至る結像に寄与しない光をい
い、結像面のコントラストを低下させる原因となる。屈
折型の光学系の場合、信号光(入射光)が透過面で反射
してフレア光を生じても、再び透過面で反射しない限り
は結像面に至ることはない。一般に、透過面の反射率は
最高でも数%以下であるので、反射を2回繰返せば、フ
レア光は0.1%程度(反射率の自乗)の光量となる。
このため、一部分にフレア光が集中すること(以下、
「ホットスポット」という)が無い限りは問題とならな
い。そのため、専ら問題となるのは、一度ウエハ面に至
った信号光が、そのウエハ面で反射した後、投影レンズ
を構成するレンズ素子のうちの何れかのレンズ素子成分
の透過面で反射して戻ってくる迷光である。しかし、こ
の迷光の量は光学系を設計する段階で予め予測すること
ができるので、その量が少なくなるように光学系を設計
すれば迷光を防止することができる。
【0008】これに対して、中心遮蔽タイプの反射屈折
型の光学系では、透過面で反射した後、さらに反射面で
反射することでフレア光が発生しうる。この場合、反射
面では光が殆ど減衰しないので、ウエハに至るフレア光
の光量は、信号光に比較して0.1%台から数%の量に
なってしまい問題である。特に、反射面が正のパワーを
有していると、フレア光が光軸より外側に逃げずに、光
軸に近づくことになりウエハ面に至るおそれが大きくな
る。特に、米国特許5,717,518号公報に開示さ
れた光学系のように2面の反射面がいずれも正のパワー
又は平面で構成されている場合、両反射面の間で発生し
たフレア光はレーザ共振器の如く2面の反射面の間で殆
ど減衰せずに何度も繰り返して反射し、光学系の設計段
階では予想しなかったようなフレア光やホットスポット
等を引き起こす可能性がある。このような現象は、中心
遮蔽タイプの反射屈折型の光学系において問題となる。
【0009】近年のように、パターンの微細化に伴い露
光光の波長が200nm以下の投影露光装置が実用化さ
れている場合、この波長領域では適切な反射防止コート
を施すことが極めて困難である。このため、光学系が数
%程度の反射率を有していても、その光学系を用いて投
影露光装置を製品化する場合もあり得る。この場合、上
述のフレア光の光量はさらに増大して問題となる。ま
た、反射面を有する部材のウエハ側の面(以下、「反射
面の裏面」という。)が光路上でウエハ側を向いている
光学系では、ウエハからの反射光又は反射面よりもウエ
ハ側に存在する屈折部材からの反射光が、反射面の裏面
に到達する。従って、この反射面の裏面に何らの処理が
施されていない場合は、該裏面で散乱又は反射した光が
不要なフレア光としてウエハ面に達するおそれがある。
このフレア光は結像性能を劣化させるので問題である。
【0010】本発明は上記問題に鑑みてなされたもので
あり、反射屈折型の投影光学系を有する投影露光装置に
おいて、露光光が短波長化、特に200nmよりも短い
場合でもフレア光の発生を防止でき、良好なコントラス
トでパターンを基板上に投影することができる投影露光
装置を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、所定のパターンを有するマスクを所定波
長の照明光で照明する照明光学系と、前記マスク上のパ
ターンを基板上に投影する投影光学系とを有する投影露
光装置において、前記投影光学系は、少なくとも第1の
反射面と第2の反射面とを有し、前記第1及び第2の反
射面のうちの少なくとも一方は正の屈折力(凹面)を有
し、前記第1及び第2の反射面は光軸近傍に設けられて
光を通過させる開口部を有し、前記第1及び第2の反射
面のうちの少なくとも何れか一方の反射面の前記所定波
長に対する反射率は95%以下であることを特徴とする
投影露光装置を提供する。ここで、開口部は、孔(穴)
でも良く透過部でも良い。
【0012】また、本発明は、所定のパターンを有する
マスクを露光光で照明する照明光学系と、前記マスク上
のパターンを基板上に投影する投影光学系とを有する投
影露光装置において、前記投影光学系は、少なくとも第
1の反射面と第2の反射面とを有し、前記第1及び第2
のうちの反射面の少なくとも一方は正の屈折力を有し、
前記第1及び第2の反射面は、光軸近傍に設けられて光
を通過させる開口部を有し、前記マスクを介した前記露
光光の進行経路に沿って進行する光の強度と、該露光光
の進行経路とは異なる方向の経路に沿って進行する光の
強度とを測定する強度測定部を有することを特徴とする
投影露光装置を提供する。ここで、マスク側から光を入
射させて基板側に設けた強度測定部で光の強度を測定す
る構成、又は基板側から光を入射させてマスク側に設け
た強度測定部で光の強度を測定する構成の何れでも良
い。なお、進行経路に沿って進行する光には、基板側か
ら入射して露光光の進行方向を逆進する光も含む。ま
た、前記強度測定部は前記照明光学系が供給する照明光
と同じ波長の光を測定することが望ましい。さらに、前
記第2の光路を進行する光は、前記マスク上のパターン
を前記基板上に投影する露光光と同じ開口数を有するこ
とが望ましい。また、好ましくは、前記第1及び第2の
反射面の少なくとも一方の反射面の反射率を調節する反
射率調節部を有することが望ましい。
【0013】また、本発明は、所定のパターンを有する
マスクを所定波長の露光光で照明する照明光学系と、前
記マスク上のパターンを基板上に投影する投影光学系と
を有する投影露光装置において、前記投影光学系は、少
なくとも第1の反射面と第2の反射面とを有し、前記第
1及び第2のうちの反射面の少なくとも一方は正の屈折
力を有し、前記第1及び第2の反射面は、光軸近傍に設
けられて前記照明光を通過させる開口部を有し、前記第
1及び第2の反射面のうちの少なくとも何れか一方の反
射面の前記所定波長に対する反射率を調節する反射率調
節部とを有することを特徴とする投影露光装置を提供す
る。反射率調節部は、所定波長に対する少なくとも一方
の反射面の反射率が高く、フレア光の光量が多い場合
は、当該反射面に水分、有機物などを付着させることで
反射率を任意に低下させることができる。逆に、反射面
表面に付着している水分や有機物質を取り除くことで、
反射率を大きくすることができる。光学素子の表面に付
着している物質を消失せしめるこれらの構成は、特開平
10−335236号公報、特開平10−335235
号公報、特開平10−30397号公報等に開示されて
いる。
【0014】また、本発明では、所定のパターンを有す
るマスクを露光光で照明する照明光学系と、前記マスク
上のパターンを基板上に投影する投影光学系とを有する
投影露光装置において、前記投影光学系は、少なくとも
第1の反射面と第2の反射面とを有し、前記第1及び第
2の反射面のうちの少なくとも一方は正の屈折力を有
し、前記第1及び第2の反射面は、光軸近傍に設けられ
て前記照明光を通過させる開口部を有し、前記第1の反
射面と前記第2の反射面との間に設けられた遮光部材を
有することを特徴とする投影露光装置を提供する。ここ
で、前記遮光部材は、前記投影光学系の光軸を含む領域
に設けられることが好ましい。また、前記投影露光装置
は前記基板上に所定方向に延びた形状の露光領域を形成
し、前記遮光部材は、前記所定方向と交差する方向から
支持されることが好ましい。
【0015】また、本発明は、所定のパターンを有する
マスクを照明する照明光学系と、前記マスク上のパター
ンを基板上に投影する投影光学系とを有する投影露光装
置において、前記投影光学系は、少なくとも第1の反射
面と第2の反射面とを有し、前記第1及び第2の反射面
のうちの少なくとも一方は正の屈折力を有し、前記第1
の反射面と前記第2の反射面との間に設けられた少なく
とも1面の屈折面とを有し、前記第1の反射面の曲率半
径をr1、前記第2の反射面の曲率半径をr2、前記屈
折面の曲率半径をrnとそれぞれしたとき、 (1) 1/rn<2/(3・r1)かつ1/rn<2/(3・r2) (2) 1/rn<2/(3・r1)かつ1/rn>3/(2・r2) (3) 1/rn>3/(2・r1)かつ1/rn<2/(3・r2) (4) 1/rn>3/(2・r1)かつ1/rn>3/(2・r2) のいずれかの条件を満足することを特徴とする投影露光
装置を提供する。ここで、1/r1又は1/r2=0の
とき、1/rn≠0とする。
【0016】2つの反射面の間に存在する屈折面の曲率
半径の大きさが、該反射面の曲率半径の大きさに近接し
ている場合、この屈折面で発生するフレア光の光路と露
光光(信号光)の光路とが近づいてしまう。このため、
フレア光は光学系の光路の途中で遮光されること無く、
結像面(基板表面)において露光光近傍に至ってしまう
ので問題である。
【0017】上記条件式(1),(2),(3)又は
(4)は、かかる問題を避けるための反射面の曲率半径
と屈折面の曲率半径との関係を規定している。何れかの
条件式を満足しないと、屈折面で発生したフレア光と露
光光(信号光)とが近接した光路を進行することになる
ので、上述のようにフレア光が露光光と同様に結像面に
到達してしまう。なお、これらの条件は、屈折面の数が
比較的少なければ容易に満足することができるので、光
学系を設計する際の指針の一つとすることができる。ま
た、本発明は、所定のパターンを有するマスクを照明す
る照明光学系と、前記マスク上のパターンを基板上に投
影する投影光学系とを有する投影露光装置において、前
記投影光学系は、少なくとも1面の反射面を有し、前記
反射面と該反射面の前記基板側の屈折部材との間に、反
射防止処理面と透過防止処理面との少なくとも一方を備
える反射部材を有することを特徴とする投影露光装置を
提供する。また、本発明は、前記反射面と前記反射部材
とを含む光学エレメントは、線膨張率が1ppm/K以
下の低膨張率部材で構成されていることが好ましい。ま
た、本発明は、前記反射面と前記反射部材とを含む光学
エレメントが、強制冷却部と接続されていることが好ま
しい。また、本発明は、所定のパターンを有するマスク
を照明する照明光学系と、前記マスク上のパターンを基
板上に投影する投影光学系とを有する投影露光装置にお
いて、前記投影光学系は、少なくとも1面の反射面を有
する反射部材を有し、前記反射部材は、前記基板側の面
に、前記反射部材との間に前記投影光学系を構成する光
学エレメントを挟まずに、反射防止処理面と透過防止処
理面との少なくとも一方を含む吸収面を備える吸収部材
を有することを特徴とする投影露光装置を提供する。ま
た、本発明は、所定のパターンを有するマスクを照明す
る照明光学系と、前記マスク上のパターンを基板上の露
光領域内に投影する投影光学系とを有する投影露光装置
において、前記投影光学系は、少なくとも1面の反射面
と、前記反射面と該反射面の基板側の屈折部材との間の
光学面とを有する反射部材とを備え、前記光学面は、前
記露光領域に達する前記光学面からのフレア光が低減さ
れるような面形状を有することを特徴とする投影露光装
置を提供する。また、本発明は、前記光学面の面形状
は、曲率を有する形状または傾きを有する形状であるこ
とが好ましい。ここで、傾きを有する形状とは、投影光
学系の光軸直交面に対して傾いている形状をいう。
【0018】また、上記各発明において、2つの反射面
は共軸であることが好ましい。さらに、上記各発明にお
いて、前記照明光学系が供給する露光光は180nm以
下であることが好ましい。
【0019】
【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づいて本発明
の実施の形態にかかる投影露光装置を説明する。図1
は、本発明の各実施形態にかかる投影光学系を備えた投
影露光装置の全体構成を概略的に示す図である。なお、
図1において、投影光学系を構成する投影光学系PLの
光軸AXに平行にZ軸を、光軸AXに垂直な面内におい
て図1の紙面に平行にX軸を、紙面に垂直にY軸を設定
している。また、投影光学系PLの物体面には所定の回
路パターンが形成された投影原版としてレチクルRが配
置され、投影光学系PLの像面には、基板としてのフォ
トレジストが塗布されたウエハWが配置されている。
【0020】光源Lから射出された光は、照明光学系I
Sを介して、所定のパターンが形成されたレチクルRを
均一に照明する。光源Lから照明光学系ISまでの光路
には、必要に応じて光路を変更するための1つ又は複数
の折り曲げミラーが配置される。
【0021】また、照明光学系ISは、例えば露光光の
照度分布を均一化するためのフライアイレンズや内面反
射型インテグレータからなり所定のサイズ・形状の面光
源を形成するオプティカルインテグレータや、レチクル
R上での照明領域のサイズ・形状を規定するための可変
視野絞り(レチクルブラインド)、この視野絞りの像を
レチクル上へ投影する視野絞り結像光学系などの光学系
を有する。なお、光源Lから視野絞りまでの光学系とし
て、例えば米国特許第5,345,292号に開示され
た照明光学系を適用することができる。
【0022】レチクルRは、レチクルホルダRHを介し
て、レチクルステージRS上においてXY平面に平行に
保持されている。レチクルRには転写すべきパターンが
形成されており、パターン領域全体が照明光学系ISか
らの光で照明される。レチクルステージRSは、図示を
省略した駆動系の作用により、レチクル面(すなわちX
Y平面)に沿って二次元的に移動可能であり、その位置
座標はレチクル移動鏡M1を用いた干渉計IF1によっ
て計測され且つ位置制御されるように構成されている。
【0023】レチクルRに形成されたパターンからの光
は、投影光学系PLを介して、感光性基板であるウエハ
W上にマスクパターン像を形成する。投影光学系PL
は、その瞳位置近傍に口径が可変の開口絞りASを有す
ると共に、レチクルR側及びウエハW側において、実質
的にテレセントリックとなっている。
【0024】ウエハWは、ウエハホルダWHを介して、
ウエハステージWS上においてXY平面に平行に保持さ
れている。そして、レチクルR上での照明領域と実質的
に相似形状の露光領域にパターン像が形成される。
【0025】ウエハステージWSは、図示を省略した駆
動系の作用によりウエハ面(すなわちXY平面)に沿っ
て二次元的に移動可能であり、その位置座標はウエハ移
動鏡M2を用いた干渉計IF2によって計測され且つ位
置制御されるように構成されている。
【0026】図示無きアライメント系、上述の駆動系及
び干渉計(IF1,IF2)を用いてレチクルR及びウ
エハWの位置合わせを行い、図示無きオートフォーカス
/オートレベリング系を用いてウエハWを投影光学系の
結像面に位置決めした後に、レチクルRのパターン領域
に露光光を照射することにより、ウエハW上の1つの露
光領域(ショット領域)にレチクルRのパターンが転写
される。その後、駆動系及び干渉計(IF2)を用いて
ウエハをXY平面内で移動させ、上記露光領域とは異な
るウエハW上の領域にレチクルRのパターンを転写す
る。
【0027】(第1実施形態)図2は、第1実施形態にか
かる反射屈折光学系(投影光学系)の概略構成とその光
路を示す図である。光源としてF2レーザを用い、露光
波長は157.6nmである。投影光学系PLは、少な
くとも第1の反射面R1と第2の反射面R2とを有し、
第1の反射面R1は正の屈折力を有し、第1及び第2の
反射面は光軸AX近傍に設けられて光を通過させる開口
部AP1,AP2を有している。そして、露光波長に対
する第1の反射面の反射率は85%、第2の反射面の反
射率は70%である。
【0028】次に、図3に基づいてフレア光の発生につ
いて説明する。図3は、投影光学系PLの反射面R1,
R2の近傍を拡大したものである。反射面R1とR2と
の間には透過面T1,T2が設けられている。照明光学
系ISからの光のうち、符号F1,F2,F3,F4で
示す光がフレア光である。各フレア光の発生する過程を
説明する。まず、フレア光F1は、開口部AP1を通過
してきた照明光学系ISからの光のうち、T1で反射
し、R1で反射する成分である。フレア光F2は、開口
部AP1を通過してきた照明光学系ISからの光のう
ち、T1を透過し、T1とR2との間で2回繰返し反射
した後T1を透過する成分である。フレア光F3は、開
口部AP1を通過してきた照明光学系ISからの光のう
ち、T1を透過し、R2で反射し、T1を透過し、R1
で反射し、T1で反射する成分である。そして、フレア
光F4は、開口部AP1を通過してきた照明光学系IS
からの光のうち、T1を透過し、R2で反射し、T1を
透過し、R1で反射し、T1を透過し、R2で反射し、
T1を透過する成分である。なお、フレア光はこれらの
成分に限られず、さらに各面で反射、透過等を繰返した
成分が存在することは言うまでもないが、これら成分の
光量は微小であり問題とならないので、以下フレア光F
1〜F4について説明する。
【0029】上述したように、露光光の波長が200n
m以下、特に180nm以下の領域では、反射防止コー
トの開発がまだ発達途上であり、反射率をどの程度低く
出来るかは、十分に解明されていない。そのため、現在
の技術力では、この領域である程度の光量の反射光が生
じてしまう。図3で説明したフレア光のうち、フレア光
F4はレチクル方向に戻っているので、結像面において
コントラストを低下させるフレア光にはならない。しか
し、T1を通過する際に発生した3本のフレア光F1,
F2,F3はいずれもウエハ面に到達し像のコントラス
トを低下させてしまう。本実施形態では、露光光の波長
に対する反射面R1の反射率は85%、反射面R2の反
射率は70%である。以下の表1に各フレア光の強度等
を掲げる。ここで、屈折面T1での反射率を2%とす
る。強度は入射光の強度を1としたときのフレア光の強
度、割合は信号光に対するフレア光の比率(パーセン
ト)をそれぞれ示している。
【0030】
【表1】
【0031】表からも明らかなように、フレア光F1〜
F3の強度が低下し、特にフレア光F3では十分に強度
が低下し問題とならないレベルまで減少している。
【0032】なお、反射面R1,R2の反射率を95%
とするとフレア光F3は信号光に対して1%程度とな
り、さらに好ましくは、85%とするとフレア光F3の
信号光に対する比は0.5%程度となるので望ましい。
【0033】(第2実施形態)図4は第2実施形態にかか
る投影露光装置の投影光学系PL近傍の概略構成を示す
図である。図1又は図2に示した投影露光装置と同様の
部分は省略する。照明光学系ISからの光はハーフミラ
ーHMにより第1の照度計測センサSNS1へ入射する
光と、レチクルRを照明する光とに分割される。レチク
ルRを照明した光は、投影光学系PLを介してウエハ面
(結像面)に設けられた第2の照度計測センサSNS2
へ入射する。中央演算制御部PCは第1と第2とのセンサ
からの信号に基づいて、投影光学系PLに入射する前の
光の強度と、投影光学系PLを透過した後の光の強度と
から投影光学系の透過率、ひいては反射面R1とR2と
の合計の反射率を算出する。
【0034】所望の合計反射率が70〜75%とした場
合に、中央演算制御部PCで算出された2面の合計反射
率が75%以上であったときは、制御部PCは、水蒸気
タンクTKのバルブを開いて反射面R1面に水蒸気を付
着させて合計の反射率が所望の値になるように反射率を
低下させる。逆に、反射面R1とR2との合計の反射率
が70%以下の場合は、モータMTによりレモンスキン
レチクルLRをレチクル位置へ移動させる。レモンスキ
ンレチクルLRは入射光を拡散させて透過させるので、
ある程度以上の強度の光をレモンスキンレチクルLRに
入射させることで、反射面表面に付着している素蒸気そ
の他の汚染物を除去することができる(自己洗浄モー
ド)。その結果、反射面R1、R2の反射率を回復(増
加)させることができる。なお、反射率を低下させる場
合に反射面に付着させるのは水蒸気に限られず、有機物
質等でも良い。さらに、反射率を上げるためには、反射
鏡付近にオゾン等の活性化ガスを充填しながら不純物を
除去すること、又はレチクル位置にレンズを挿入して照
明光学系ISからの光よりも大きいNAの範囲までの不
純物を除去することが望ましい。
【0035】(第3実施形態)図5は第3実施形態にか
かる投影露光装置の投影光学系PL近傍の概略構成を示
す図である。その他の構成は図1に示した投影露光装置
と同様であるので省略する。本実施形態は、反射面R1
とR2との間のフレア光F3を遮光する位置に遮光板O
Bを有している構成が上記第2実施形態と相違してい
る。中心遮蔽型の反射屈折光学系では、光軸近傍のNA
の光を露光に使用しないため、反射面R1とR2との間
に露光光が光軸を含まない空間が存在する。このため、
かかる位置に遮光板OBを設けることが好ましい。図6
は、遮光板OBを支持する構成を説明するための、第1
の反射面R1,第2反射面R2、及び遮光板OBをウエ
ハ面に投影した状態を示す平面図である。第3実施形態
にかかる投影光学系は、所定方向(X方向)に延びた長
方形状の露光領域EFをウエハW面上に形成する。この
とき、第1反射面R1及び第2反射面R2との間におい
て、露光領域EFの短辺方向(所定方向と交差する方
向)に沿った光束の幅の方が、露光領域EFの長辺に沿
った光束の幅よりも狭くなるため、短辺方向から支柱C
により遮光板OBを支持したほうが露光領域に達する結
像光の影響が少なくなる。なお、支柱Cの一端は遮光部
材OBに接続されているが、他端は投影光学系PLの鏡
筒に接続されている。
【0036】なお、本実施形態では、露光領域を長方形
状としたが、等脚台形状、不等脚台形状、6角形状など
のスリット形状や、円弧形状など所定方向に伸びた形状
であれば、上述の支持方向を適用できる。また、光透過
性の部材の表面に遮光部を設け、この遮光部が遮光部材
となるように、当該光透過性の部材を第1反射面R1と
第2反射面R2との間に配置しても良い。なお、フレア
光をさらに減少させるという観点にたてば、前者の支柱
Cにより支持する構成の方が好ましい。
【0037】また、遮光板の大きさ、位置を適宜選択す
ることで、フレア光F3に加えてフレア光F1も遮光す
ることができる。
【0038】また、上記第2、第3実施形態において、
R1面の曲率半径をr1、R2面の曲率半径をr2、T
1面の曲率半径をrt1とそれぞれすると、 r1=−1253.27 r2= 340.09 rt1=−611 であり、条件式を満足している。これにより、フレア光
F1,F2は信号光からかなり離れて結像面に至る。上
記条件式が満足されないと、フレア光F1、F2が信号
光の近くの結像面に至り易くなるのでフレア光が集中し
易くなってしまう。
【0039】(第4実施形態)図7は、軸外しの反射屈
折光学系において、反射部材RLの裏面Pがほぼ平面の
反射面である場合に、反射部材RLとウエハWとの間の
屈折面において反射が起きている時の光路を示す図であ
る。図から明らかなように、反射面裏面Pの反射によっ
て多数のフレア光がウエハW面に到達している。このた
め、何ら対策を施さなければ結像性能が著しく劣化して
しまうおそれがある。
【0040】図8は、第4実施形態にかかる反射屈折光
学系(投影光学系)の概略構成とその光路を示す図であ
る。本実施形態においては、反射部材RLの裏面Pに反
射防止コートが施されている。これによって、ウエハW
からの反射光や反射部材RLよりもウエハ側に存在する
屈折部材からの反射光が反射鏡裏面Pでさらに反射する
ことを防止できる。従って、不要なフレア光がウエハに
到達することがない。
【0041】また、上記反射防止コートに代えて、又は
加えて透過防止コートを施すことで、さらに不要なフレ
ア光を低減できる。さらに、反射鏡裏面Pに黒塗りを施
しても良い。これにより容易に上記不要な反射光を吸収
することができる。また、露光波長λ=157nmの場
合は、当該露光波長の光を透過しない硝材、例えば後述
するようなゼロデュア、合成石英、ULE等で反射部材
を構成し、かつその裏面Pに反射防止コートを施しても
良い。これにより、フレア光を除去することができる。
【0042】また、反射面裏面PよりもウエハW側に存
在する屈折面での反射率が高い場合は、フレア光のエネ
ルギー量が大きくなる。この場合、反射面裏面Pでの光
の吸収に起因して大きな熱量が発生する。このため、膨
張率の大きい材料を反射部材に用いると、温度上昇によ
る形状の変形が大きな問題になってくる。本実施形態で
は、この熱による変形の問題を解決するため、反射部材
の材料として低膨張ガラスを用いている。線膨張係数が
1ppm/K以下の低膨張材料としては、合成石英や、
米国ニューヨーク州コーニング市のコーニング・インコ
ーポレイテッド(Corning Incorporated)から入手可能
なULE(商標)、同じくコーニング・インコーポレイ
テッドから入手可能なゼロデュア(商標)が挙げられ
る。
【0043】(第5実施形態)上述したように、フレア
光を防止するために吸収コートを施すと、吸収による発
熱のため部材の変形を生ずるおそれがある。この変形は
上記第4実施形態で述べたように低膨張材料を使用する
ことで防ぐことができる。しかし、露光光の波長が短く
なると、耐久性などの点から低膨張材料を使用できなく
なる場合もありうる。この場合に熱変形の問題を解消す
るためには、吸収により発生した熱を逃げ易くして(即
ち、反射部材以外の他の部材へ放熱させて)、温度上昇
を低減する必要がある。
【0044】本実施形態は上記点に鑑みてなされたもの
である。図10(a)は、本実施形態にかかる反射屈折
光学系が有する反射部材RLの断面構成を示す図であ
る。露光光の波長はλ=157nmである。反射部材R
Lはフッ化カルシウムで形成されている。そして、反射
面RRには反射率を高めるコート、吸収面ABSには反
射防止コート及び透過防止コートが施されている。ま
た、フッ化カルシウムの反射部材RLの周縁部分をアル
ミニウム等の熱伝導率が高い部材で形成された放熱板H
で囲んでいる。そして、放熱板Hは、不図示のクーラー
や熱容量の大きいボディー等にさらに接続されている。
かかる構成により、反射部材RLの放熱を良くして、温
度上昇を抑えることができる。
【0045】(第6実施形態)第6実施形態は、上記反
射部材の反射面と吸収面とを分離して別体とした点を特
徴としている。図9は、本実施形態にかかる反射屈折光
学系の概略構成と光路とを示す図である。また、図10
(b)に反射部材RL近傍を拡大した様子を示す。反射
部材RLと吸収部材ABSとを別の部材にすることで、
吸収面で発生した熱が反射面へ伝播することを防止でき
る。さらに、露光波長λ=157nmの場合は、吸収部
材ABSを該露光波長の光を吸収する硝材、例えば上述
したゼロデュア、ULE,合成石英等で構成することが
できる。また、反射部材RLと吸収部材ABSとの間は
熱伝導率の低い気体、例えば窒素等で満たすことが好ま
しい。
【0046】(第7実施形態)第7実施形態は、上記第
6実施形態の反射部材RLと吸収部材ABSとを熱伝導
率が低い部材を介して一体としたものである。図10
(c)は、本実施形態の反射部材RL近傍を拡大した図
である。反射部材RLと吸収部材ABSとを熱伝導率が
低い支柱部GLで接続している。かかる構成により反射
部材RLと吸収部材ABSとを容易に製造することがで
きる。また、露光波長λ=157nmの場合は、支柱部
GLを該露光波長の光を吸収する硝材、例えばゼロデュ
ア、ULE,合成石英等で構成することができる。さら
に、上述したように、支柱部GLは、熱伝導率の低いガ
ラスなどを用いることが好ましい。
【0047】(第8実施形態)図11は、第8実施形態
にかかる反射屈折光学系(投影光学系)の概略構成とそ
の光路を示す図である。反射面の裏面Pが凸面形状とな
る曲率を有している。この凸面により、本来ウエハWの
露光領域内に到達しフレア光になりうる光を、ウエハW
の露光領域外に逃がすことができる。この構成により、
光の吸収による熱発生を防止することができる。なお、
反射鏡の裏面Pの曲率は凸面に限られず、凹面又は投影
光学系の光軸直交面に対して傾いている形状でも良い。
【0048】さて、本発明は、ウエハ上の1つのショッ
ト領域ヘマスクパターン像を一括的に転写した後に、投
影光学系の光軸と直交する面内でウエハを逐次二次元的
に移動させて次のショット領域にマスクパターン像を一
括的に転写する工程を繰り返すステップ・アンド・リピ
ート方式(一括露光方式)や、ウエハの各ショット領域
への露光時にマスクとウエハとを投影光学系に対して投
影倍率βを速度比として同期走査するステップ・アンド
・スキャン方式(走査露光方式)の双方に適用すること
ができる。なお、ステップ・アンド・スキャン方式で
は、スリット状(細長い矩形状)の露光領域内で良好な
結像特性が得られればよいため、投影光学系を大型化す
ることなく、ウエハ上のより広いショット領域に露光を
行うことができる。
【0049】ところで、上述の各実施形態では、半導体
素子の製造に用いられる投影露光装置に本発明を適用し
ている。しかしながら、半導体素子の製造に用いられる
露光装置だけでなく、液晶表示素子などを含むディスプ
レイの製造に用いられる、デバイスパターンをガラスプ
レート上に転写する露光装置、薄膜磁気ヘッドの製造に
用いられる、デバイスパターンをセラミックウエハ上に
転写する露光装置、撮像素子(CCDなど)の製造に用
いられる露光装置などにも本発明を適用することができ
る。また、レチクルまたはマスクを製造するためにガラ
ス基板またはシリコンウエハなどに回路パターンを転写
する露光装置にも、本発明を適用することができる。
【0050】なお、本発明は上述の実施の形態に限定さ
れることなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の
構成を取り得ることはいうまでもない。
【0051】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、反
射屈折型の投影光学系を有する投影露光装置において、
露光光が短波長化、特に200nmよりも短い場合でも
フレア光の発生を防止でき、良好なコントラストでパタ
ーンを基板上に投影することができる投影露光装置を提
供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態にかかる投影露光装置の概略
構成を示す図である。
【図2】第1実施形態にかかる投影光学系の構成を示す
図である。
【図3】フレア光の発生を説明する図である。
【図4】第2実施形態にかかる投影光学系の構成を示す
図である。
【図5】第3実施形態にかかる投影光学系の構成を示す
図である。
【図6】遮光板を支持する構成を示す図である。
【図7】反射部材の裏面の反射に起因するフレア光の発
生の様子を示す光路図である。
【図8】第4実施形態にかかる投影露光装置が有する反
射屈折光学系(投影光学系)の概略構成とその光路を示
す図である。
【図9】第6実施形態にかかる投影露光装置が有する反
射屈折光学系(投影光学系)の概略構成とその光路を示
す図である。
【図10】(a),(b),(c)はそれぞれ第5,
6,7実施形態にかかる投影露光装置が有する反射屈折
光学系内の反射部材の構成を示す図である。
【図11】第8実施形態にかかる投影露光装置が有する
反射屈折光学系(投影光学系)の概略構成とその光路を
示す図である。
【符号の説明】
R1 第1反射面 R2 第2反射面 T1 屈折面 L 光源 IS 照明光学系 R レチクル RH レチクルホルダ RS レチクルステージ PL 投影光学系 AS 絞り W ウエハ WH ウエハホルダ IF1,IF2 干渉計 M1,M2 移動ミラー RL 反射部材 P 裏面 GL 支柱 RR 反射面 ABS 吸収面

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 所定のパターンを有するマスクを所定波
    長の照明光で照明する照明光学系と、前記マスク上のパ
    ターンを基板上に投影する投影光学系とを有する投影露
    光装置において、 前記投影光学系は、少なくとも第1の反射面と第2の反
    射面とを有し、前記第1及び第2の反射面のうちの少な
    くとも一方は正の屈折力を有し、 前記第1及び第2の反射面は光軸近傍に設けられて光を
    通過させる開口部を有し、 前記第1及び第2の反射面のうちの少なくとも何れか一
    方の反射面の前記所定波長に対する反射率は95%以下
    であることを特徴とする投影露光装置。
  2. 【請求項2】 所定のパターンを有するマスクを露光光
    で照明する照明光学系と、前記マスク上のパターンを基
    板上に投影する投影光学系とを有する投影露光装置にお
    いて、 前記投影光学系は、少なくとも第1の反射面と第2の反
    射面とを有し、前記第1及び第2のうちの反射面の少な
    くとも一方は正の屈折力を有し、 前記第1及び第2の反射面は、光軸近傍に設けられて光
    を通過させる開口部を有し、 前記マスクを介した前記露光光の進行経路に沿って進行
    する光の強度と、該露光光の進行経路とは異なる方向の
    経路に沿って進行する光の強度とを測定する強度測定部
    を有することを特徴とする投影露光装置。
  3. 【請求項3】 所定のパターンを有するマスクを所定波
    長の露光光で照明する照明光学系と、 前記マスク上のパターンを基板上に投影する投影光学系
    とを有する投影露光装置において、 前記投影光学系は、少なくとも第1の反射面と第2の反
    射面とを有し、前記第1及び第2のうちの反射面の少な
    くとも一方は正の屈折力を有し、 前記第1及び第2の反射面は、光軸近傍に設けられて前
    記照明光を通過させる開口部を有し、 前記第1及び第2の反射面のうちの少なくとも何れか一
    方の反射面の前記所定波長に対する反射率を調節する反
    射率調節部とを有することを特徴とする投影露光装置。
  4. 【請求項4】 所定のパターンを有するマスクを露光光
    で照明する照明光学系と、前記マスク上のパターンを基
    板上に投影する投影光学系とを有する投影露光装置にお
    いて、 前記投影光学系は、少なくとも第1の反射面と第2の反
    射面とを有し、前記第1及び第2の反射面のうちの少な
    くとも一方は正の屈折力を有し、 前記第1及び第2の反射面は、光軸近傍に設けられて前
    記照明光を通過させる開口部を有し、 前記第1の反射面と前記第2の反射面との間に設けられ
    た遮光部材を有することを特徴とする投影露光装置。
  5. 【請求項5】 所定のパターンを有するマスクを照明す
    る照明光学系と、前記マスク上のパターンを基板上に投
    影する投影光学系とを有する投影露光装置において、 前記投影光学系は、少なくとも第1の反射面と第2の反
    射面とを有し、前記第1及び第2の反射面のうちの少な
    くとも一方は正の屈折力を有し、 前記第1の反射面と前記第2の反射面との間に設けられ
    た少なくとも1面の屈折面とを有し、 前記第1の反射面の曲率半径をr1、 前記第2の反射面の曲率半径をr2、 前記屈折面の曲率半径をrnとそれぞれしたとき、 1/rn<2/(3・r1)かつ1/rn<2/(3・
    r2) 1/rn<2/(3・r1)かつ1/rn>3/(2・
    r2) 1/rn>3/(2・r1)かつ1/rn<2/(3・
    r2) 1/rn>3/(2・r1)かつ1/rn>3/(2・
    r2) のいずれかの条件を満足することを特徴とする投影露光
    装置。ただし、1/r1又は1/r2=0のとき、1/
    rn≠0とする。
  6. 【請求項6】 所定のパターンを有するマスクを照明す
    る照明光学系と、 前記マスク上のパターンを基板上に投影する投影光学系
    とを有する投影露光装置において、 前記投影光学系は、少なくとも1面の反射面を有し、前
    記反射面と該反射面の前記基板側の屈折部材との間に、
    反射防止処理面と透過防止処理面との少なくとも一方を
    備える反射部材を有することを特徴とする投影露光装
    置。
  7. 【請求項7】 前記反射面と前記反射部材とを含む光学
    エレメントは、線膨張率が1ppm/K以下の低膨張率
    部材で構成されていることを特徴とする請求項6記載の
    投影露光装置。
  8. 【請求項8】 前記反射面と前記反射部材とを含む光学
    エレメントが、強制冷却部と接続されていることを特徴
    とする請求項6記載の投影露光装置。
  9. 【請求項9】 所定のパターンを有するマスクを照明す
    る照明光学系と、 前記マスク上のパターンを基板上に投影する投影光学系
    とを有する投影露光装置において、 前記投影光学系は、少なくとも1面の反射面を有する反
    射部材を有し、前記反射部材は、前記基板側の面に、前
    記反射部材との間に前記投影光学系を構成する光学エレ
    メントを挟まずに、反射防止処理面と透過防止処理面と
    の少なくとも一方を含む吸収面を備える吸収部材を有す
    ることを特徴とする投影露光装置。
  10. 【請求項10】 所定のパターンを有するマスクを照明
    する照明光学系と、 前記マスク上のパターンを基板上の露光領域内に投影す
    る投影光学系とを有する投影露光装置において、 前記投影光学系は、少なくとも1面の反射面と、前記反
    射面と該反射面の基板側の屈折部材との間の光学面とを
    有する反射部材とを備え、 前記光学面は、前記露光領域に達する前記光学面からの
    フレア光が低減されるような面形状を有することを特徴
    とする投影露光装置。
  11. 【請求項11】 前記光学面の面形状は、曲率を有する
    形状または傾きを有する形状であることを特徴とする請
    求項10記載の投影露光装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002118058A (ja) * 2000-01-13 2002-04-19 Nikon Corp 投影露光装置及び方法

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