JP5404931B2 - 偏向ミラーを含む反射屈折投影対物系及び投影露光方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 23
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 118
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 100
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 87
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 63
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 48
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 39
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 31
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 30
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 26
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 claims description 24
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 18
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 claims description 15
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 claims description 14
- 238000012634 optical imaging Methods 0.000 claims description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 34
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 26
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 24
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 20
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 12
- 101000695835 Mus musculus Receptor-type tyrosine-protein phosphatase U Proteins 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- 238000005562 fading Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 4
- 102100026561 Filamin-A Human genes 0.000 description 3
- 101000913549 Homo sapiens Filamin-A Proteins 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 208000007138 otopalatodigital syndrome type 1 Diseases 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 206010010071 Coma Diseases 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 description 1
- 238000005315 distribution function Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000005405 multipole Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 102220047090 rs6152 Human genes 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/702—Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
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Description
S=sign h(r/(|h|+|r|))
ここで、rは、周辺光線高さを表し、hは、主光線高さを表し、符号関数sign xは、xの符号を表し、この場合、慣習に従ってsign 0=1を適用することができる。主光線高さは、絶対値で最大視野高さを有し、物体視野の視野点の主光線の光線高さを意味すると理解される。この場合、光線高さは、符号を有すると理解すべきである。周辺光線高さは、光軸と物体平面との交点から発し、最大開口を有する光線の光線高さを意味すると理解される。この視野点は、物体平面に配置されたパターンの転送には必ずしも寄与せず、特に変形像視野の場合は寄与しない。
DISX 変位デバイス
FM1 偏向ミラー
Claims (17)
- 投影対物系の物体平面(OS)の有効物体視野に配置されたマスクのパターンを投影対物系の像面に配置された有効像視野に結像するための反射屈折投影対物系であって、
多数のレンズ及び少なくとも1つの凹ミラー(CM)と、
前記物体平面(OS)から来る放射線を前記凹ミラーに偏向するための第1の偏向ミラー(FM1)及び該凹ミラーから来る該放射線を前記像面(IS)の方向に偏向するための第2の偏向ミラー(FM2)と、
を含み、
前記偏向ミラーは、光軸(OA)に対して垂直にかつ第1の方向に対して平行に延びる傾斜軸の回りに投影対物系の該光軸に対して傾斜され、
前記第1の偏向ミラーは、第1の視野平面に対して光学近接に配置され、前記第2の偏向ミラーは、該第1の視野平面に対して光学的に共役である第2の視野平面に対して光学近接に配置され、かつ
前記第1の視野平面と前記第2の視野平面との間に配置された光学結像系が、前記第1の方向に−0.8>βx>−1.2の範囲からの結像スケールβxを有し、
第1の位置と該第1の位置に対して変位距離(DIS)だけオフセットされた第2の位置との間の前記第1の方向と平行な前記第1の偏向ミラー(FM1)及び前記第2の偏向ミラー(FM2)の同期変位のための変位デバイス(DISX)、及び
有効物体視野と有効像視野の間を進む投影放射線ビームが、前記偏向ミラーの前記第1の位置における第1の反射領域内、及び該偏向ミラーの前記第2の位置における第2の反射領域内で反射され、該第2の反射領域は、前記第1の方向と平行に該第1の反射領域に対して前記変位距離(DIS)だけ横にオフセットされ、該偏向ミラーは、該第1及び該第2の反射領域内で異なる局所反射特性分布を有すること、
を特徴とする投影対物系。 - 前記第1の偏向ミラー(FM1)は、第1の反射コーティング(R1)を有し、前記第2の偏向ミラー(FM2)は、第2の反射コーティング(R2)を有し、該反射コーティングは、各場合に、第1の局所反射力分布を有する第1の層領域(R1−1,R2−1)と、前記第1の方向に該第1の層領域と並んで、該第1の層領域内の該第1の反射力分布とは異なる第2の局所反射力分布を有する第2の層領域(R1−2A,R1−2B,R2−2A,R2−2B)とを有することを特徴とする請求項1に記載の投影対物系。
- 前記第1の偏向ミラー(FM1)及び前記第2の偏向ミラー(FM2)の前記反射コーティングは、各場合に、前記第1の方向に線形に変化する層厚を有し、
前記層厚の変化は、前記第1の層領域(R1−1,R2−1)にわたってかつ前記第2の層領域(R1−2A,R1−2B,R2−2A,R2−2B)にわたって延びる、
ことを特徴とする請求項2に記載の投影対物系。 - 前記第1の層領域は、各場合に、局所的に一定の反射率を有する反射コーティングを有し、局所層厚プロフィール、特に、層厚の線形変化が、前記第2の層領域に与えられることを特徴とする請求項2に記載の投影対物系。
- 前記第1の偏向ミラーは、第1の非平坦ミラー面(MS1)を有し、前記第2の偏向ミラーは、該第1のミラー面に関して前記第1の方向に対して反対の方向の面形態を有する第2の非平坦ミラー面(MS2)を有し、
平坦基準面からの前記非平坦ミラー面の偏位が、好ましくは、10μmよりも小さい、
ことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の投影対物系。 - 前記ミラー面(MS1,MS2)は、前記第1の方向に湾曲し、
特に、前記第1の方向の面プロフィールが、以下の群、すなわち、(i)放物線面プロフィール、(ii)3次面プロフィール、(iii)多項式に従う面プロフィール、及び(iv)第1の面部分に前記ミラー面の正の曲率及び該第1の面部分からオフセットされた第2の面部分に負の曲率を有する複雑に湾曲した面プロフィールの群のうちの少なくとも1つである、
ことを特徴とする請求項5に記載の投影対物系。 - 前記第1の偏向ミラー(FM1)及び前記第2の偏向ミラー(FM2)は、部分口径比Sが絶対値で0.3よりも小さく、特に、0.2よりも小さい領域に配置されることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の投影対物系。
- 前記変位デバイス(DISX)は、前記第1及び前記第2の偏向ミラーの前記第1の方向と平行な前記同期変位のための変位ドライブ(DRX)を有し、該変位ドライブは、投影対物系の作動中に作動可能であることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の投影対物系。
- 前記第1の偏向ミラー(FM1)及び前記第2の偏向ミラー(FM2)は、共通の担体構造を有し、
前記第1の偏向ミラー(FM1)及び前記第2の偏向ミラー(FM2)は、好ましくは、互いと垂直に向けられた担体プリズム(SUB)のミラー面によって形成される、
ことを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の投影対物系。 - 投影対物系が、前記パターンを第1の中間像(IMI1)に結像するための第1の対物系部分(OP1)と、該第1の中間像を第2の中間像(IMI2)に結像するための第2の対物系部分(OP2)とを有し、
前記凹ミラー(CM)は、前記第1及び前記第2の中間像の間に位置する第2の瞳面(P2)の領域に配置され、
投影対物系が、更に、前記第2の中間像を前記像面(IS)に結像するための第3の対物系部分(OP3)を有し、
前記第1の偏向ミラー(FM1)は、前記第1の中間像(IMI1)に対して光学近接に配置され、前記第2の偏向ミラー(FM2)は、前記第2の中間像(IMI2)に対して光学近接に配置される、
ことを特徴とする請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の投影対物系。 - 投影対物系が、前記物体視野を中間像に結像するための第1の対物系部分を有し、
前記凹ミラーは、前記物体視野と前記中間像の間に位置する第1の瞳面の領域に配置され、
投影対物系が、更に、前記中間像を前記像面に結像するための第2の対物系部分を有し、
前記第1の偏向ミラーは、前記物体視野に対して光学近接に配置され、前記第2の偏向ミラーは、前記中間像に対して光学近接に配置される、
ことを特徴とする請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の投影対物系。 - 投影対物系の像面の領域に配置された放射線感応基板の該投影対物系の物体面の領域に配置されたマスクのパターンの少なくとも1つの像による露光のための投影露光方法であって、
請求項1から請求項11のいずれか1項に記載の投影対物系が使用される、
ことを特徴とする方法。 - 第1の偏向ミラー及び第2の偏向ミラーが、作動中に第1の露光と該第1の露光に続く第2の露光との合間に変位デバイスを用いて第1の方向と平行に同期して変位されることを特徴とする請求項12に記載の投影露光方法。
- 有効像視野内の投影放射線の視野均一性が、前記第1の方向と平行な前記第1及び前記第2の偏向ミラーの変位に応じて変更されることを特徴とする請求項12又は請求項13に記載の投影露光方法。
- 前記投影対物系を通って前記像視野に進む前記投影放射線の波面が、前記第1の方向と平行な前記第1及び前記第2の偏向ミラーの変位によって変更されることを特徴とする請求項12、請求項13、又は請求項14に記載の投影露光方法。
- 投影対物系の像面の領域に配置された放射線感応基板の該投影対物系の物体面の領域に配置されたマスクのパターンの少なくとも1つの像による露光のための、特に、請求項12から請求項15のいずれか1項に記載の方法を実施するための投影露光装置であって、
1次放射線を放出するための1次放射線源(LS)と、
前記1次放射線を受光するための、かつマスク(M)上に向けられた照明放射線を生成するための照明系(ILL)と、
パターンの少なくとも1つの像を投影対物系の像面(IS)の領域に生成するための投影対物系(PO)と、
を含み、
前記投影対物系は、請求項1から請求項11のうちのいずれかに従って構成される、
ことを特徴とする投影露光装置。 - 投影露光装置が、投影露光装置の機能を制御するための中央制御ユニット(CU)を有し、
前記制御ユニットには、変位ドライブ(DRX)を駆動するための制御モジュールが割り当てられ、該変位ドライブは、投影露光装置の作動中に他の制御信号と協調して該制御モジュールを用いて駆動することができる、
ことを特徴とする請求項16に記載の投影露光装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102009048553.8 | 2009-09-29 | ||
DE102009048553A DE102009048553A1 (de) | 2009-09-29 | 2009-09-29 | Katadioptrisches Projektionsobjektiv mit Umlenkspiegeln und Projektionsbelichtungsverfahren |
PCT/EP2010/005683 WO2011038840A1 (en) | 2009-09-29 | 2010-09-16 | Catadioptric projection objective comprising deflection mirrors and projection exposure method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013506306A JP2013506306A (ja) | 2013-02-21 |
JP5404931B2 true JP5404931B2 (ja) | 2014-02-05 |
Family
ID=43355521
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012531261A Expired - Fee Related JP5404931B2 (ja) | 2009-09-29 | 2010-09-16 | 偏向ミラーを含む反射屈折投影対物系及び投影露光方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (6) | US8896814B2 (ja) |
JP (1) | JP5404931B2 (ja) |
KR (1) | KR101401227B1 (ja) |
CN (1) | CN102640057B (ja) |
DE (1) | DE102009048553A1 (ja) |
TW (1) | TWI435111B (ja) |
WO (1) | WO2011038840A1 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102009048553A1 (de) | 2009-09-29 | 2011-03-31 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Katadioptrisches Projektionsobjektiv mit Umlenkspiegeln und Projektionsbelichtungsverfahren |
DE102012202536A1 (de) | 2012-02-20 | 2013-08-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsbelichtungsverfahren und Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie |
KR101949117B1 (ko) * | 2012-08-06 | 2019-02-15 | 가부시키가이샤 니콘 | 주사 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
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DE102014221504A1 (de) * | 2014-10-23 | 2016-04-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie |
US10309907B2 (en) * | 2015-03-04 | 2019-06-04 | Kla-Tencor Corporation | All reflective wafer defect inspection and review systems and methods |
DE102015220566B4 (de) * | 2015-10-21 | 2021-03-18 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Vorrichtung mit einer Multiaperturabbildungsvorrichtung, Verfahren zum Bereitstellen derselben und Verfahren zum Erfassen eines Gesamtgesichtsfeldes |
CN106817508B (zh) | 2015-11-30 | 2019-11-22 | 华为技术有限公司 | 一种同步对象确定方法、装置和系统 |
DE102016214695B3 (de) * | 2016-08-08 | 2017-10-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches System und Verfahren zur Korrektur von Maskenfehlern mit diesem System |
JP2018036390A (ja) * | 2016-08-30 | 2018-03-08 | 富士フイルム株式会社 | 広角レンズ、投写型表示装置、および、撮像装置 |
DE102017202802A1 (de) | 2017-02-21 | 2018-08-23 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Objektiv und optisches System mit einem solchen Objektiv |
CN110447295B (zh) * | 2017-03-22 | 2023-02-17 | Lg 电子株式会社 | 执行波束恢复的方法和用户设备以及用于支持其的方法和基站 |
KR20240055798A (ko) | 2021-09-01 | 2024-04-29 | 코닝 인코포레이티드 | 변형 가능 렌즈 플레이트를 사용한 배율 조정 가능 투사 시스템 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0851304B1 (en) | 1996-12-28 | 2004-03-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus and device manufacturing method |
JPH11311704A (ja) | 1998-02-26 | 1999-11-09 | Nikon Corp | 紫外光用ミラー |
DE19851749A1 (de) * | 1998-11-10 | 2000-05-11 | Zeiss Carl Fa | Polarisationsoptisch kompensiertes Objektiv |
JP2003506881A (ja) * | 1999-07-30 | 2003-02-18 | カール ツァイス シュティフトゥング トレイディング アズ カール ツァイス | Euv照明光学系の射出瞳における照明分布の制御 |
JP2001215718A (ja) | 1999-11-26 | 2001-08-10 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法 |
US6995930B2 (en) | 1999-12-29 | 2006-02-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
US7014328B2 (en) | 2001-04-12 | 2006-03-21 | Carl Zeiss Smt Ag | Apparatus for tilting a carrier for optical elements |
TWI232348B (en) | 2001-12-26 | 2005-05-11 | Pentax Corp | Projection aligner |
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ES2221530B1 (es) | 2002-07-19 | 2006-02-16 | Universidad De Santiago De Compostela | Nanoparticulas para la administracion de ingredientes activos,procedimiento para la elaboracion de dichas particulas y composicion que las contienen. |
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DE10240598A1 (de) | 2002-08-27 | 2004-03-25 | Carl Zeiss Smt Ag | Optisches Abbildungssystem, insbesondere katadioptrisches Reduktionsobjektiv |
DE10316428A1 (de) | 2003-04-08 | 2004-10-21 | Carl Zeiss Smt Ag | Katadioptrisches Reduktionsobjektiv |
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EP1668421A2 (en) | 2003-09-12 | 2006-06-14 | Carl Zeiss SMT AG | Illumination system for a microlithography projection exposure installation |
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CN101652719A (zh) | 2007-04-10 | 2010-02-17 | 株式会社尼康 | 曝光方法及电子器件制造方法 |
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DE102008042356A1 (de) | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsbelichtungsanlage mit optimierter Justagemöglichkeit |
DE102009048553A1 (de) | 2009-09-29 | 2011-03-31 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Katadioptrisches Projektionsobjektiv mit Umlenkspiegeln und Projektionsbelichtungsverfahren |
-
2009
- 2009-09-29 DE DE102009048553A patent/DE102009048553A1/de not_active Ceased
-
2010
- 2010-09-16 CN CN201080053872.4A patent/CN102640057B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-09-16 KR KR1020127010262A patent/KR101401227B1/ko active IP Right Grant
- 2010-09-16 WO PCT/EP2010/005683 patent/WO2011038840A1/en active Application Filing
- 2010-09-16 JP JP2012531261A patent/JP5404931B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-09-28 TW TW099132753A patent/TWI435111B/zh active
-
2012
- 2012-03-27 US US13/431,681 patent/US8896814B2/en active Active
-
2014
- 2014-10-24 US US14/522,917 patent/US9274327B2/en active Active
-
2016
- 2016-01-25 US US15/005,286 patent/US9459435B2/en active Active
- 2016-09-27 US US15/277,592 patent/US9817220B2/en active Active
-
2017
- 2017-10-13 US US15/783,482 patent/US10120176B2/en active Active
-
2018
- 2018-10-22 US US16/166,823 patent/US20190056576A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2011038840A1 (en) | 2011-04-07 |
KR101401227B1 (ko) | 2014-05-28 |
US20190056576A1 (en) | 2019-02-21 |
TWI435111B (zh) | 2014-04-21 |
US20150062725A1 (en) | 2015-03-05 |
US9459435B2 (en) | 2016-10-04 |
US20180095259A1 (en) | 2018-04-05 |
US20170052355A1 (en) | 2017-02-23 |
US9817220B2 (en) | 2017-11-14 |
JP2013506306A (ja) | 2013-02-21 |
CN102640057B (zh) | 2014-12-31 |
US20160154228A1 (en) | 2016-06-02 |
US8896814B2 (en) | 2014-11-25 |
KR20120091101A (ko) | 2012-08-17 |
CN102640057A (zh) | 2012-08-15 |
US9274327B2 (en) | 2016-03-01 |
US10120176B2 (en) | 2018-11-06 |
TW201131199A (en) | 2011-09-16 |
DE102009048553A1 (de) | 2011-03-31 |
US20120236277A1 (en) | 2012-09-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130830 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130904 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20131004 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20131015 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131029 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5404931 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |