JP2008502169A - ナノ構造単層の形成方法および形成デバイスならびにかかる単層を含むデバイス - Google Patents
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Abstract
Description
本願は以下の先行仮特許出願:デビッド L.ヘルド(David L.Heald)らによる「ナノ構造単層の形成方法および形成デバイスならびにかかる単層を含むデバイス(METHODS AND DEVICES FOR FORMING NANOSTRUCTURE MONOLAYERS AND DEVICES INCLUDING SUCH MONOLAYERS)」と題された2005年4月13日出願の米国特許出願第60/671,134号明細書、ジェフェリー A.ホワイトフォルド(Jeffery A.Whiteford)らによる「ナノ結晶の付着後カプセル化:それを組み入れた組成物、デバイスおよび系(POST−DEPOSITION ENCAPSULATION OF NANOCRYSTALS:COMPOSITIONS,DEVICES AND SYSTEMS INCORPORATING SAME)」と題された2004年6月8日出願の米国特許出願第60/578,236号明細書ならびにジェフェリー A.ホワイトフォルド(Jeffery A.Whiteford)らによる「ナノ構造の付着後カプセル化:それを組み入れた組成物、デバイスおよび系(POST−DEPOSITION ENCAPSULATION OF NANOSTRUCTURES:COMPOSITIONS,DEVICES AND SYSTEMS INCORPORATING SAME)」と題された2004年11月30日出願の米国特許出願第60/632,570号明細書の優先権および利益を主張する、仮ではなく通常の特許出願である。これらの文献のそれぞれは、全ての目的に関して全体として本明細書に援用される。
特に定義されない限り、本明細書で使用される全ての技術的および科学的用語は、本発明が関連する分野の当業者によって一般的に理解されるものと同一の意味を有する。以下の定義は当該分野における定義を補足し、そして本願に関するが、いずれの関連または無関連のケース、例えばいずれの共有特許または出願にも帰属しない。本明細書に記載されるものと同様または同等のいずれの方法および材料も本発明の試験のための実施において使用可能であるが、好ましい材料および方法は本明細書に記載される。従って、本明細書において使用される用語は特定の実施形態を説明することのみを目的としており、そして限定する意図はない。
その上にナノ構造配列が形成される表面を、化学組成物、例えば表面自体よりもナノ構造に高い親和性を有する組成物によってコーティングすることができる。かかるコーティングは、例えば表面へのナノ構造の接着を促進し得、従って単層の形成を促進し得る。
上記方法は、得られる単層ナノ構造配列の大きさ、形状および/または位置を予め決めることが可能である。レジスト、例えばホトレジストの使用によっても、単層配列のかかるパターニングを促進することができる。
本発明の一態様において、ナノ構造配列の形成のためのデバイスおよびデバイスを使用する方法を提供する。従って、1つの一般的な種類の実施形態は、第1の層と、第2の層と、第1の層と第2の層との間のキャビティと、1以上のスペーサーと、少なくとも1つの開口部とを含んでなるデバイスを提供する。1以上のスペーサーは第1の層と第2の層との間に位置し、そして第1の層と第2の層との間の距離を維持する。少なくとも1つの開口部はキャビティを外部雰囲気と連結させる。キャビティはナノ構造の集合によって占有される。
上記方法およびデバイスを使用して、所定の位置でナノ構造配列を製造可能であり、そしてこれらの配列をメモリーデバイス、LED等のデバイス中に組み入れることができる。従って、一態様において、本発明は、所定の位置および/または大きさの配列を含むナノ構造配列を含むデバイスを提供する。
本方法およびデバイスにおいて使用される個々のナノ構造は、限定されないが、ナノ結晶、量子ドット、ナノドット、ナノ粒子、ナノワイヤ、ナノロッド、ナノチューブ、ナノテトラポッド、トリポッド、ジポッド、分枝ナノ結晶または分枝テトラポッドが挙げられる。一態様において、本方法およびデバイスは球形、ほぼ球形ならびに/またはナノドットおよび/または量子ドット等の等方性ナノ結晶を含み、例えばほぼ球形のナノ結晶または量子ドットは、約10nm未満および任意に約8nm、6nm、5nmまたは4nm未満の平均の直径を有する。
Claims (183)
- 第1の層を提供する工程と;
ナノ構造会合基を含んでなる組成物によって第1の層をコーティングして、コーティングされた第1の層を提供する工程と;
コーティングされた第1の層上にナノ構造の集合を付着し、それによってナノ構造がナノ構造会合基と会合する工程と;
ナノ構造会合基と会合していないナノ構造をいずれも除去し、それによってナノ構造の単層配列が、コーティングされた第1の層と会合したまま残る工程と
を含んでなるナノ構造配列の形成方法。 - 第1の層が誘電材料、酸化物、窒化物、酸化ケイ素、酸化ハフニウムおよびアルミナからなる群から選択される材料を含んでなる請求項1に記載の方法。
- 第1の層が基材上に配置される請求項1に記載の方法。
- 基材が半導体を含んでなる請求項3に記載の方法。
- 第1の層が誘電材料を含んでなり、そして約1nmと約10nmとの間の厚さを有する請求項4に記載の方法。
- 基材がソース領域と、ドレイン領域と、ソース領域とドレイン領域との間のチャネル領域とを含んでなり、かつナノ構造の単層配列の基礎をなし;ナノ構造の単層配列上で制御誘電層を配置する工程と、制御誘電層上でゲート電極を配置する工程とを含んでなる請求項5に記載の方法。
- ナノ構造会合基を含んでなる組成物によって第1の層をコーティングする工程が、組成物によって第1の層の2以上の不連続な領域をコーティングする工程を含んでなり、各領域が第1の層上の所定の位置を占有する請求項1に記載の方法。
- 組成物によって第1の層をコーティングする工程が、組成物によって第1の層の10以上、50以上、100以上、1000以上、1×104以上、1×106以上、1×109以上または1×1012以上の不連続な領域をコーティングする工程を含んでなる請求項7に記載の方法。
- 組成物がシランを含んでなる請求項1に記載の方法。
- ナノ構造会合基がナノ構造の表面と相互作用する請求項1に記載の方法。
- ナノ構造会合基がチオール基を含んでなる請求項10に記載の方法。
- コーティングされた第1の層がチオール化合物を含んでなる自己集合単層を含んでなる請求項11に記載の方法。
- 組成物が、アルキル基が3個と18個との間の炭素を含んでなるメルカプトアルキルトリクロロシラン、メルカプトアルキルトリメトキシシランまたはメルカプトアルキルトリエトキシシランを含んでなる請求項11に記載の方法。
- 組成物が長鎖メルカプトシランと短鎖メルカプトシランとの混合物を含んでなり;長鎖メルカプトシランが、アルキル基が8個と18個との間の炭素を含んでなるメルカプトアルキルトリクロロシラン、メルカプトアルキルトリメトキシシランまたはメルカプトアルキルトリエトキシシランを含んでなり;短鎖メルカプトシランが、アルキル基が8個以下の炭素を含んでなるメルカプトアルキルトリクロロシラン、メルカプトアルキルトリメトキシシランまたはメルカプトアルキルトリエトキシシランを含んでなり;長鎖メルカプトシラン中のアルキル基が短鎖メルカプトシラン中のアルキル基よりも炭素を少なくとも1個多く含んでなる請求項11に記載の方法。
- 長鎖メルカプトシランおよび短鎖メルカプトシランが約1:10と約1:10,000との間の長鎖メルカプトシラン対短鎖メルカプトシランのモル比で存在する請求項14に記載の方法。
- 各ナノ構造が、ナノ構造の表面と会合した配位子を含んでなるコーティングを含んでなる請求項10に記載の方法。
- 配位子がシルセスキオキサンを含んでなる請求項16に記載の方法。
- 各ナノ構造が、ナノ構造の表面と会合した配位子を含んでなるコーティングを含んでなり、そしてナノ構造会合基が配位子と相互作用する請求項1に記載の方法。
- 配位子がシルセスキオキサンを含んでなる請求項18に記載の方法。
- 組成物が3−アミノプロピルトリエトキシシラン(APTES)、ドデシルトリクロロシラン、オクタデシルトリクロロシラン、ドデシルトリエトキシシランまたはオクタデシルトリエトキシシランを含んでなる請求項18に記載の方法。
- ナノ構造会合基が配位子と共有結合を形成する請求項18に記載の方法。
- 組成物が光活性であって、コーティングされた第1の層の1以上の不連続な領域を光に暴露する工程を含んでなり、各領域がコーティングされた第1の層上の所定の位置を占有する請求項1に記載の方法。
- コーティングされた第1の層の1以上の不連続な領域を光に暴露する工程が、コーティングされた第1の層の2以上、10以上、50以上、100以上、1000以上、1×104以上、1×106以上、1×109以上または1×1012以上の不連続な領域を光に暴露する工程を含んでなる請求項22に記載の方法。
- 組成物がフェニルアジド基を含んでなる請求項22に記載の方法。
- 各ナノ構造が、ナノ構造の表面と会合したシルセスキオキサン配位子を含んでなるコーティングを含んでなる請求項22に記載の方法。
- ナノ構造会合基を含んでなる組成物によって第1の層をコーティングする工程が、第1の化合物によって第1の層をコーティングする工程と、次いでナノ構造会合基を含んでなり、第1の化合物と相互作用する第2の化合物によって第1の層をコーティングする工程を含んでなる請求項1に記載の方法。
- 第1の化合物が3−アミノプロピルトリエトキシシラン(APTES)であり、そして第2の化合物がN−5−アジド−2−ニトロベンゾイルオキシスクシンイミド(ANB−NOS)である請求項26に記載の方法。
- コーティングされた第1の層上にナノ構造の集合を付着する工程が、コーティングされた第1の層上に、少なくとも一種の溶媒中に分散されたナノ構造を含んでなる溶液を付着する工程を含んでなる請求項1に記載の方法。
- ナノ構造会合基と会合していないナノ構造をいずれも除去する工程が、少なくとも一種の溶媒による洗浄を含んでなる請求項1に記載の方法。
- ナノ構造の単層配列が規則配列を含んでなる請求項1に記載の方法。
- ナノ構造の単層配列が不規則配列を含んでなる請求項1に記載の方法。
- ナノ構造の単層配列が約1×1010ナノ構造/cm2より高い、約1×1011ナノ構造/cm2より高い、約1×1012ナノ構造/cm2より高い、約1×1013ナノ構造/cm2より高い密度を有する請求項1に記載の方法。
- ナノ構造がほぼ球形のナノ構造または量子ドットを含んでなる請求項1に記載の方法。
- ナノ構造が約4.5eV以上の仕事関数を有する請求項1に記載の方法。
- ナノ構造会合基を含んでなる組成物によってコーティングされた第1の層を含んでなるコーティングされた第1の層と;
コーティングされた第1の層上に配置された、ナノ構造会合基と会合するナノ構造の単層配列と
を含んでなるデバイス。 - 第1の層が誘電材料、酸化物、窒化物、酸化ケイ素、酸化ハフニウムおよびアルミナからなる群から選択される材料を含んでなる請求項35に記載のデバイス。
- 第1の層が基材上に配置される請求項35に記載のデバイス。
- 基材が半導体を含んでなる請求項37に記載のデバイス。
- 第1の層が誘電材料を含んでなり、そして約1nmと約10nmとの間の厚さを有する請求項38に記載のデバイス。
- 基材がソース領域と、ドレイン領域と、ソース領域とドレイン領域との間のチャネル領域とを含んでなり、かつナノ構造の単層配列の基礎をなし;制御誘電層がナノ構造の単層配列上で配置され;そしてゲート電極が制御誘電層上で配置される請求項39に記載のデバイス。
- コーティングされた第1の層が2以上の不連続な領域を含んでなり、各領域が基材上の所定の位置を占有する請求項37に記載のデバイス。
- コーティングされた第1の層の2以上の不連続な領域が10以上、50以上、100以上、1000以上、1×104以上、1×106以上、1×109以上または1×1012以上の不連続な領域を含んでなる請求項41に記載のデバイス。
- 組成物がシランを含んでなる請求項35に記載のデバイス。
- ナノ構造会合基がナノ構造の表面と相互作用する請求項35に記載のデバイス。
- ナノ構造会合基がチオール基を含んでなる請求項44に記載のデバイス。
- コーティングされた第1の層がチオール化合物を含んでなる自己集合単層を含んでなる請求項45に記載のデバイス。
- 組成物が、アルキル基が3個と18個との間の炭素を含んでなるメルカプトアルキルトリクロロシラン、メルカプトアルキルトリメトキシシランまたはメルカプトアルキルトリエトキシシランを含んでなる請求項45に記載のデバイス。
- 組成物が長鎖メルカプトシランと短鎖メルカプトシランとの混合物を含んでなり;長鎖メルカプトシランが、アルキル基が8個と18個との間の炭素を含んでなるメルカプトアルキルトリクロロシラン、メルカプトアルキルトリメトキシシランまたはメルカプトアルキルトリエトキシシランを含んでなり;短鎖メルカプトシランが、アルキル基が8個以下の炭素を含んでなるメルカプトアルキルトリクロロシラン、メルカプトアルキルトリメトキシシランまたはメルカプトアルキルトリエトキシシランを含んでなり;長鎖メルカプトシラン中のアルキル基が短鎖メルカプトシラン中のアルキル基よりも炭素を少なくとも1個多く含んでなる請求項45に記載のデバイス。
- 長鎖メルカプトシランおよび短鎖メルカプトシランが約1:10と約1:10,000との間の長鎖メルカプトシラン対短鎖メルカプトシランのモル比で存在する請求項48に記載のデバイス。
- 各ナノ構造が、ナノ構造の表面と会合した配位子を含んでなるコーティングを含んでなる請求項44に記載のデバイス。
- 配位子がシルセスキオキサンを含んでなる請求項50に記載のデバイス。
- 各ナノ構造が、ナノ構造の表面と会合した配位子を含んでなるコーティングを含んでなり、そしてナノ構造会合基が配位子と相互作用する請求項35に記載のデバイス。
- 配位子がシルセスキオキサンを含んでなる請求項52に記載のデバイス。
- 組成物が3−アミノプロピルトリエトキシシラン(APTES)、ドデシルトリクロロシラン、オクタデシルトリクロロシラン、ドデシルトリエトキシシランまたはオクタデシルトリエトキシシランを含んでなる請求項52に記載のデバイス。
- ナノ構造会合基が配位子と共有結合を形成する請求項52に記載のデバイス。
- 組成物が光活性である請求項35に記載のデバイス。
- 組成物がフェニルアジド基を含んでなる請求項56に記載のデバイス。
- ナノ構造会合基を含んでなる組成物が、第1の層と相互作用する第1の化合物と、ナノ構造会合基を含んでなり、第1の化合物と相互作用する第2の化合物とを含んでなる請求項35に記載のデバイス。
- 第1の化合物が3−アミノプロピルトリエトキシシラン(APTES)であり、そして第2の化合物がN−5−アジド−2−ニトロベンゾイルオキシスクシンイミド(ANB−NOS)である請求項58に記載のデバイス。
- ナノ構造の単層配列が規則配列を含んでなる請求項35に記載のデバイス。
- ナノ構造の単層配列が不規則配列を含んでなる請求項35に記載のデバイス。
- ナノ構造の単層配列が約1×1010ナノ構造/cm2より高い、約1×1011ナノ構造/cm2より高い、約1×1012ナノ構造/cm2より高い、約1×1013ナノ構造/cm2より高い密度を有する請求項35に記載のデバイス。
- ナノ構造がほぼ球形のナノ構造または量子ドットを含んでなる請求項35に記載のデバイス。
- ナノ構造が約4.5eV以上の仕事関数を有する請求項35に記載のデバイス。
- a)第1の層上に配置されたナノ構造の単層を提供する工程と;
b)ナノ構造の単層上にレジストを配置して、レジスト層を提供する工程と;
c)レジスト層上に所定のパターンを暴露し、レジスト層の少なくとも第1の領域において暴露されたレジストと、レジスト層の少なくとも第2の領域において未暴露のレジストとを提供する工程と;
d)i)暴露されたレジストおよびその基礎のナノ構造を除去し、次いでその基礎のナノ構造を除去せずに未暴露のレジストを除去する工程、またはii)未暴露のレジストおよびその基礎のナノ構造を除去し、次いでその基礎のナノ構造を除去せずに暴露されたレジストを除去する工程と
を含んでなり、それによって第1の領域によって画定された少なくとも1つのナノ構造単層配列が第1の層上に残るナノ構造単層のパターニング方法。 - 第1の層上に配置されたナノ構造の単層を提供する工程が、ナノ構造の溶液によって第1の層をスピンコーティングし、次いで第1の層と接触していないナノ構造をいずれも除去する工程を含んでなる請求項65に記載の方法。
- ナノ構造の単層上にレジストを配置する工程の前にナノ構造の単層上に誘電層を配置する工程を含んでなる請求項65に記載の方法。
- 工程d)i)を含んでなる請求項65に記載の方法。
- レジストがポリメチルメタクリレート(PMMA)を含んでなる請求項68に記載の方法。
- 暴露されたレジストおよびその基礎のナノ構造を除去する工程が、暴露されたレジストを除去し、次いでそれらをフッ化水素(HF)と接触させることによって基礎のナノ構造を除去する工程を含んでなる請求項68に記載の方法。
- 基礎のナノ構造を除去せずに未暴露のレジストを除去する工程が、未暴露のレジストを少なくとも一種の溶媒と接触させる工程を含んでなる請求項68に記載の方法。
- 未暴露のレジストがレジスト層の10以上、50以上、100以上、1000以上、1×104以上、1×106以上、1×109以上または1×1012以上の不連続な第2の領域において提供され、そして10以上、50以上、100以上、1000以上、1×104以上、1×106以上、1×109以上または1×1012以上の不連続なナノ構造単層配列が第1の層上に残る請求項68に記載の方法。
- 第1の層が誘電材料、酸化物、窒化物、酸化ケイ素、酸化ハフニウムまたはアルミナを含んでなる請求項65に記載の方法。
- 第1の層がナノ構造会合基を含んでなるコーティングを含んでなる請求項65に記載の方法。
- 第1の層が基材上に配置される請求項65に記載の方法。
- 基材が半導体を含んでなる請求項75に記載の方法。
- 第1の層が誘電材料を含んでなり、そして約1nmと約10nmとの間の厚さを有する請求項76に記載の方法。
- 基材がソース領域と、ドレイン領域と、ソース領域とドレイン領域との間のチャネル領域とを含んでなり、かつナノ構造の単層配列の基礎をなし;ナノ構造単層配列上で制御誘電層を配置する工程と、制御誘電層上でゲート電極を配置する工程とを含んでなる請求項77に記載の方法。
- ナノ構造の単層配列が規則配列を含んでなる請求項65に記載の方法。
- ナノ構造の単層配列が不規則配列を含んでなる請求項65に記載の方法。
- a)その上に配置されたレジスト層を含んでなる第1の層を提供する工程と;
b)レジスト層の少なくとも第1の領域にはレジストを残させるが、レジスト層の少なくとも第2の領域からはレジストを除去する工程と;
c)レジスト層および第1の層上にナノ構造の集合を配置し、それによってナノ構造が第1の領域においてレジストと、そして第2の領域において第1の層と接触する工程と;
d)第1の領域からレジストおよびその被覆ナノ構造を除去する工程と;
e)第2の領域から第1の層と接触していないナノ構造をいずれも除去する工程と
を含んでなり、それによって少なくとも1つのナノ構造単層配列が第1の層上に残るナノ構造単層のパターニング方法。 - 少なくとも第1の溶媒によって洗浄することによって、工程d)およびe)が同時に達成される請求項81に記載の方法。
- 第1の層と;
第1の層上に配置されたナノ構造の単層配列と;
第1の層上に配置されたレジストと
を含んでなるデバイス。 - レジストが、ナノ構造の単層配列上に配置されたレジスト層を含んでなる請求項83に記載のデバイス。
- レジストが第1の層の第1の領域を占有し、そしてナノ構造の単層配列が、第1の領域に隣接する第1の層の第2の領域を占有する請求項83に記載のデバイス。
- 第1の層と、第2の層と、第1の層と第2の層との間のキャビティとを含んでなるデバイスを提供する工程と;
少なくとも一種の溶媒中に分散されたナノ構造を含んでなる溶液をキャビティ中に導入する工程と;
キャビティから溶媒の少なくとも一部分をエバポレーションし、それによってナノ構造が第1の層上に配置された配列へと集合する工程と
を含んでなるナノ構造配列の形成方法。 - 第1の層が実質的に平面であり、第2の層が実質的に平面であり、そして第1の層と第2の層とが実質的に互いに平行である請求項86に記載の方法。
- 第1の層が誘電材料、酸化物、窒化物、酸化ケイ素、酸化ハフニウムおよびアルミナからなる群から選択される材料を含んでなる請求項86に記載の方法。
- 第1の層が基材上に配置される請求項88に記載の方法。
- 第2の層が金属または誘電材料を含んでなる請求項86に記載の方法。
- デバイスを提供する工程が、
第1の層上に第3の層を配置する工程と;
第3の層上に第2の層を配置する工程と;
第3の層の少なくとも一部分を除去し、それによって第1の層と第2の層との間にキャビティが形成される工程と
を含んでなる請求項86に記載の方法。 - 第3の層の少なくとも一部分を除去する工程が、エッチ液によって第3の層をエッチング除去する工程を含んでなる請求項91に記載の方法。
- 第3の層がポリシリコンを含んでなり、そしてエッチ液がXeF2を含んでなる請求項92に記載の方法。
- 第3の層がナノ構造の平均直径よりも大きい厚さを有する請求項91に記載の方法。
- 第3の層がナノ構造の平均直径の約2倍未満の厚さを有する請求項94に記載の方法。
- 第1の層および第2の層が1以上のスペーサーによって分離されており、スペーサーは第3の層が除去された時に第1の層と第2の層との間の距離を維持する請求項91に記載の方法。
- 第1の層が4つの端部を有し、第1の層および第2の層が2つのスペーサーによって分離されており、このスペーサーは第1の層の2つの対立する端部に沿って延在する請求項96に記載の方法。
- 第1の層上に第3の層を配置する前に、ナノ構造会合基を含んでなる組成物によって第1の層をコーティングする工程を含んでなる請求項91に記載の方法。
- 溶液をキャビティ中に導入する工程が、
過剰量の溶液にデバイスを浸漬する工程と;
毛管作用によってキャビティ中に溶液を引き込む工程と;
過剰量の溶液からデバイスを除去する工程と
を含んでなる請求項86に記載の方法。 - ナノ構造がほぼ球形のナノ構造または量子ドットを含んでなる請求項86に記載の方法。
- 溶媒の少なくとも一部分をエバポレーションする工程が、溶媒の実質的に全てをエバポレーションする工程を含んでなる請求項86に記載の方法。
- 溶媒の少なくとも一部分をエバポレーションする工程が、溶媒のエバポレーション速度を制御する工程を含んでなる請求項86に記載の方法。
- 配列が規則配列を含んでなる請求項86に記載の方法。
- 配列が単層を含んでなる請求項86に記載の方法。
- 配列が六方最密充填単層を含んでなる請求項104に記載の方法。
- 配列が不規則配列を含んでなる請求項86に記載の方法。
- 溶液をキャビティ中に導入する工程後、キャビティにAC電圧を印加する工程を含む請求項86に記載の方法。
- 第2の層を除去する工程を含んでなる請求項86に記載の方法。
- 第1の層と、第2の層と、第1の層と第2の層との間のキャビティと、1以上のスペーサーと、少なくとも1つの開口部とを含んでなり;
1以上のスペーサーが第1の層と第2の層との間に位置し、かつ第1の層と第2の層との間の距離を維持し;
少なくとも1つの開口部がキャビティを外部雰囲気と連結し;そして
キャビティがナノ構造の集合によって占有されるデバイス。 - ナノ構造が少なくとも一種の溶媒中に分散される請求項109に記載のデバイス。
- ナノ構造が実質的に溶媒を含まない請求項109に記載のデバイス。
- ナノ構造が、第1の層上に配置された配列を含んでなる請求項109に記載のデバイス。
- 配列が規則配列を含んでなる請求項112に記載のデバイス。
- 配列が単層を含んでなる請求項112に記載のデバイス。
- 配列が六方最密充填単層を含んでなる請求項114に記載のデバイス。
- 配列が不規則配列を含んでなる請求項112に記載のデバイス。
- 第1の層が実質的に平面であり、第2の層が実質的に平面であり、そして第1の層と第2の層とが実質的に互いに平行である請求項109に記載のデバイス。
- 第1の層が誘電材料、酸化物、窒化物、酸化ケイ素、酸化ハフニウムおよびアルミナからなる群から選択される材料を含んでなる請求項109に記載のデバイス。
- 第1の層が基材上に配置される請求項109に記載のデバイス。
- 第2の層が金属または誘電材料を含んでなる請求項109に記載のデバイス。
- 第1の層と第2の層との間の距離がナノ構造の平均直径よりも大きい請求項109に記載のデバイス。
- 第1の層と第2の層との間の距離がナノ構造の平均直径の約2倍未満である請求項121に記載のデバイス。
- 第1の層が4つの端部を有し;第1の層および第2の層が2つのスペーサーによって分離されており、このスペーサーは第1の層の2つの対立する端部に沿って延在し;そして2つの開口部がキャビティを外部雰囲気と連結し、ここでは開口部が第1の層の残りの2つの対立する端部に沿って延在する請求項109に記載のデバイス。
- ナノ構造がほぼ球形のナノ構造または量子ドットを含んでなる請求項109に記載のデバイス。
- 第1の層が、ナノ構造会合基を含んでなる組成物を含んでなるコーティングを含んでなる請求項109に記載のデバイス。
- 第1の層が第1の導電性材料を含んでなるか、またはその上に配置され、そして第2の層が第2の導電性材料を含んでなるか、またはその上に配置される請求項109に記載のデバイス。
- その表面上に少なくとも1つの垂直不連続部を含んでなり、不連続部が表面からの突出部または表面に圧入部を含んでなり、突出部または圧入部が固体支持体上の所定の位置にある固体支持体を提供する工程と;
少なくとも一種の溶媒中に分散されたナノ構造を含んでなる溶液を固体支持体に付着する工程と;
溶媒の少なくとも一部分をエバポレーションし、それによってナノ構造が突出部上または圧入部において配置された配列へと集合する工程と
を含んでなるナノ構造配列の形成方法。 - 固体支持体が第1の層を含んでなる請求項127に記載の方法。
- 第1の層が誘電材料、酸化物、窒化物、酸化ケイ素、酸化ハフニウムおよびアルミナからなる群から選択される材料を含んでなる請求項128に記載の方法。
- 固体支持体が、その上に第1の層が配置される基材を含んでなる請求項128に記載の方法。
- 第1の層に溶液を付着する前に、ナノ構造会合基を含んでなる組成物によって第1の層をコーティングする工程を含んでなる請求項128に記載の方法。
- 固体支持体に溶液を付着する工程が、固体支持体上での溶液のスピンコーティング、固体支持体上での溶液のディップコーティングまたは過剰量の溶液中での固体支持体の浸漬を含んでなる請求項127に記載の方法。
- ナノ構造がほぼ球形のナノ構造または量子ドットを含んでなる請求項127に記載の方法。
- 溶媒の少なくとも一部分をエバポレーションする工程が、溶媒の実質的に全てをエバポレーションする工程を含んでなる請求項127に記載の方法。
- 配列が規則配列を含んでなる請求項127に記載の方法。
- 配列が単層を含んでなる請求項127に記載の方法。
- 配列が六方最密充填単層を含んでなる請求項136に記載の方法。
- 配列が不規則配列を含んでなる請求項127に記載の方法。
- その表面上に少なくとも1つの垂直不連続部を含んでなり、不連続部が表面からの突出部または表面に圧入部を含んでなり、突出部または圧入部が固体支持体上の所定の位置にある固体支持体と;
突出部上または圧入部において配置されたナノ構造の集合と
を含んでなるデバイス。 - ナノ構造が少なくとも一種の溶媒中に分散される請求項139に記載のデバイス。
- ナノ構造が実質的に溶媒を含まない請求項139に記載のデバイス。
- ナノ構造が、突出部上または圧入部において配置された配列を含んでなる請求項139に記載のデバイス。
- 配列が規則配列を含んでなる請求項142に記載のデバイス。
- 配列が単層を含んでなる請求項142に記載のデバイス。
- 配列が六方最密充填単層を含んでなる請求項144に記載のデバイス。
- 配列が不規則配列を含んでなる請求項142に記載のデバイス。
- 固体支持体が第1の層を含んでなる請求項139に記載のデバイス。
- 第1の層が誘電材料、酸化物、窒化物、酸化ケイ素、酸化ハフニウムおよびアルミナからなる群から選択される材料を含んでなる請求項147に記載のデバイス。
- 固体支持体が、その上に第1の層が配置される基材を含んでなる請求項147に記載のデバイス。
- 第1の層が、ナノ構造会合基を含んでなる組成物を含んでなるコーティングを含んでなる請求項147に記載のデバイス。
- ナノ構造がほぼ球形のナノ構造または量子ドットを含んでなる請求項139に記載のデバイス。
- 基材と;
基材上に配置された2以上のナノ構造配列と
を含んでなり、各ナノ構造配列が基材上の所定の位置において配置されるデバイス。 - 基材が石英基材もしくはシリコンウエハまたはそれらの一部分を含んでなる請求項152に記載のデバイス。
- 基材が半導体を含んでなる請求項152に記載のデバイス。
- 第1の層がナノ構造配列と基材との間に配置される請求項154に記載のデバイス。
- 第1の層が誘電材料を含んでなり、そして約1nmと約10nmとの間の厚さを有する請求項155に記載のデバイス。
- ナノ構造の各単層配列に関して、基材がソース領域と、ドレイン領域と、ソース領域とドレイン領域との間のチャネル領域とを含んでなり、かつナノ構造の単層配列の基礎をなし;制御誘電層がナノ構造の各単層配列上で配置され;そしてゲート電極が各制御誘電層上で配置される請求項156に記載のデバイス。
- 基材上に配置された2以上のナノ構造配列が10以上、50以上、100以上、1000以上、1×104以上、1×106以上、1×109以上または1×1012以上のナノ構造配列を含んでなる請求項152に記載のデバイス。
- 配列を含んでなるナノ構造がほぼ球形のナノ構造または量子ドットを含んでなる請求項152に記載のデバイス。
- 配列を含んでなるナノ構造が約4.5eV以上の仕事関数を有する請求項152に記載のデバイス。
- 配列を含んでなるナノ構造が予備形成される請求項152に記載のデバイス。
- 配列を含んでなる各ナノ構造が、ナノ構造の表面と会合した配位子を含んでなるコーティングを含んでなる請求項152に記載のデバイス。
- 配列を含んでなるナノ構造がSiO2シェルによって包囲される請求項152に記載のデバイス。
- 各ナノ構造配列が規則配列を含んでなる請求項152に記載のデバイス。
- 各ナノ構造配列が単層を含んでなる請求項152に記載のデバイス。
- 各ナノ構造配列が六方最密充填単層を含んでなる請求項165に記載のデバイス。
- 各ナノ構造配列が不規則配列を含んでなる請求項152に記載のデバイス。
- 各ナノ構造配列が約1×1010ナノ構造/cm2より高い、約1×1011ナノ構造/cm2より高い、約1×1012ナノ構造/cm2より高い、約1×1013ナノ構造/cm2より高い密度を有する請求項152に記載のデバイス。
- 各ナノ構造配列が約2025nm2以下、約1225nm2以下、約625nm2以下または約324nm2以下の面積を有する請求項152に記載のデバイス。
- 各ナノ構造配列が約45×45nm以下、約35×35nm以下、約25×25nm以下または約18×18nm以下の寸法を有する請求項169に記載のデバイス。
- ゲート領域を含んでなる少なくとも1つのトランジスターを含んでなり、ゲート領域がナノ構造の単層配列によって占有されており、そしてゲート領域が8100nm2以下の面積を有するメモリーデバイス。
- ゲート領域が約4225nm2以下、約2025nm2以下、約1225nm2以下、約625nm2以下または約324nm2以下の面積を有する請求項171に記載のメモリーデバイス。
- ゲート領域が約65×65nm以下、約45×45nm以下、約35×35nm以下、約25×25nm以下または約18×18nm以下の寸法を有する請求項172に記載のメモリーデバイス。
- 少なくとも1つのトランジスターが2以上、10以上、50以上、100以上、1000以上、1×104以上、1×106以上、1×109以上または1×1012以上のトランジスターを含んでなる請求項171に記載のメモリーデバイス。
- トランジスターがMOSFETである請求項171に記載のメモリーデバイス。
- 単層配列を含んでなるナノ構造がほぼ球形のナノ構造または量子ドットを含んでなる請求項171に記載のメモリーデバイス。
- 単層配列を含んでなるナノ構造が約4.5eV以上の仕事関数を有する請求項171に記載のメモリーデバイス。
- 単層配列を含んでなるナノ構造が予備形成される請求項171に記載のメモリーデバイス。
- 単層配列を含んでなるナノ構造がSiO2シェルによって包囲される請求項171に記載のメモリーデバイス。
- 単層配列が規則配列を含んでなる請求項171に記載のメモリーデバイス。
- 規則配列が六方最密充填単層を含んでなる請求項180に記載のメモリーデバイス。
- 単層配列が不規則配列を含んでなる請求項171に記載のメモリーデバイス。
- 単層配列が約1×1010ナノ構造/cm2より高い、約1×1011ナノ構造/cm2より高い、約1×1012ナノ構造/cm2より高い、約1×1013ナノ構造/cm2より高い密度を有する請求項171に記載のメモリーデバイス。
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