JP2008288161A - マイクロサンプル加熱用試料台 - Google Patents

マイクロサンプル加熱用試料台 Download PDF

Info

Publication number
JP2008288161A
JP2008288161A JP2007134507A JP2007134507A JP2008288161A JP 2008288161 A JP2008288161 A JP 2008288161A JP 2007134507 A JP2007134507 A JP 2007134507A JP 2007134507 A JP2007134507 A JP 2007134507A JP 2008288161 A JP2008288161 A JP 2008288161A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sample
heating
micro
microsample
micro sample
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2007134507A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4991390B2 (ja
Inventor
Kohei Nagakubo
康平 長久保
Toshiaki Tanigaki
俊明 谷垣
Katsuji Ito
勝治 伊藤
Takashi Kanemura
崇 金村
Takayuki Asakawa
孝之 浅川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi High Technologies Corp
Hitachi High Tech Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi High Technologies Corp, Hitachi High Tech Corp filed Critical Hitachi High Technologies Corp
Priority to JP2007134507A priority Critical patent/JP4991390B2/ja
Priority to US12/123,168 priority patent/US7700927B2/en
Publication of JP2008288161A publication Critical patent/JP2008288161A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4991390B2 publication Critical patent/JP4991390B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/20Means for supporting or positioning the objects or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/20Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
    • H01J2237/2001Maintaining constant desired temperature
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3174Etching microareas
    • H01J2237/31745Etching microareas for preparing specimen to be viewed in microscopes or analyzed in microanalysers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Sampling And Sample Adjustment (AREA)

Abstract

【課題】マイクロサンプルを効率良く加熱して、正確に観察可能なマイクロサンプル加熱用試料台を実現する。
【解決手段】マイクロサンプル搭載部1はコイル状の加熱部分であり、両端はマイクロサンプル加熱用試料台ベース2に固定される。ベース2はベース切り込み線3の部分で2つの部材2a、2bに分割可能であり搭載部1の一方端部は部材2aに固定され他方端部は部材2bに固定される。マイクロサンプリングしたサンプルは搭載部1に搭載される。ホルダ4の先端部から外し、試料台用ステージに載せる。部材2a、2bを介して電流をマイクロサンプル搭載部1に供給し、マイクロサンプル6を加熱しながら観察する。
【選択図】図1

Description

本発明は、集束イオンビーム加工観察装置によるマイクロサンプリング加工を施した際、そのサンプルを効率よく加熱して観察するために使用するマイクロサンプル加熱用試料台に関する。
特定微小サンプルの加熱観察において粉体サンプル加熱観察を行う場合、加熱するためのコイル状ヒータに直接粉体サンプルを固定し、加熱観察を実施している。
これは、粉体サンプルを固定する部位がヒータであり、サンプルが直接加熱されるため、電子顕微鏡試料室内の真空雰囲気中では熱を奪われる影響がほとんどなく、粉体サンプル加熱観察において有効な手段である(特許文献1参照)。
一方、固形サンプルの加熱観察の場合、サンプルの形状などの特性からコイル状ヒータに直接固定することが難易であり、コイル状ヒータを任意の形状に成形し、成形されたヒータの上部あるいはヒータを二段にし、ヒータ同士での挟み込みなどの固定方法により、加熱観察を実施している(特許文献2参照)。
また、マイクロサンプリング(特許文献3参照)した微小サンプルを加熱観察する場合、マイクロサンプルを集束イオンビーム加工観察装置用試料台いわゆる切り欠きメッシュに固定し、そのメッシュを固定サンプル用と同様な成形型のヒータに接触させて間接的にサンプルを加熱し観察を実施している。
特開平6−44936号公報 特許第3663056号公報 特許第2774884号公報
しかし、従来技術にあっては、ヒータの熱量はヒータを搭載するためのステージや、実際にサンプルを固定しているメッシュなどに熱量の殆どを奪われ、実際に加熱したいサンプルに熱量が行き届かないのが実状であった。
さらに、これら一連の部位各々の温度測定を実施した場合、ヒータ自身の温度が非常に高温に達しているのに対し、サンプルの温度が最も低温であり、ヒータ温度をさらに高温状態にしてもヒータ温度とサンプル温度の温度差が縮まることがないため、サンプル温度を上げるためにはヒータ温度を上げる必要があることから電子顕微鏡内での観察に大きな支障をきたす恐れがあった。
つまり、ヒータ温度の上昇により別部材からガスが生成される可能性があり、それにより電子顕微鏡により得られる画像がドリフトし、観察が困難となる恐れがあった。
本発明の目的は、マイクロサンプルを効率良く加熱して、正確に観察可能なマイクロサンプル加熱用試料台を実現することに関する。
本発明のマイクロサンプル加熱用試料台は、透過形電子顕微鏡又は超薄膜評価装置により微小試料を加熱して観察するために微小試料を支持するものであって、導電材料からなり、微小試料を支持する微小試料搭載手段と、導電材料からなり、上記微小試料搭載手段の一端と電気的に接続しながら支持する第1の支持部材及び上記微小試料搭載手段の他端と電気的に接続しながら支持する第2の支持部材を有する加熱試料台ベースとを備える。
また、上記のマイクロサンプル加熱用試料台を固定して、透過形電子顕微鏡又は超薄膜評価装置の試料固定ホルダに配置するためのマイクロサンプル加熱用試料台用ステージであって、上記加熱用試料台ベースの第1の支持部材と第2の支持部材が互いに分離された状態で配置され、導電材料からなり、それぞれ導電用リード線に接続された2つの導電用金属と、上記マイクロサンプル加熱用試料台を固定する固定手段と、を備え、上記導電用金属の間に電子線通路穴が形成され、透過形電子顕微鏡又は超薄膜評価装置の試料固定ホルダに固定されて、上記導電用リード線から電流が上記導電用金属、第1の支持部材、微小試料搭載手段、第2の支持部材に供給されることにより、微小試料搭載手段が加熱されると共に微小試料が加熱される。
また、透過形電子顕微鏡又は超薄膜評価装置により微小試料を加熱して観察するために微小試料を支持するマイクロサンプル加熱用試料固定ホルダであって、電子線が通過するための開口部に配置され、上記微小試料が支持され、導電材料からなる微小試料搭載手段と、導電材料からなり、上記微小試料搭載手段の一端と電気的に接続しながら支持する第1の支持部材及び上記微小試料搭載手段の他端と電気的に接続しながら支持する第2の支持部材とを備え、上記第1の支持部材から電流が、微小試料搭載手段、第2の支持部材に供給されることにより、微小試料搭載手段が加熱されると共に微小試料が加熱される。
本発明により、マイクロサンプルを効率良く加熱して、正確に観察可能なマイクロサンプル加熱用試料台及びマイクロサンプル加熱用試料固定ホルダを実現することができる。
以下、本発明の実施形態について、添付図面を参照して説明する。
(第1の実施形態)
図1は、本発明の第1の実施形態であるマイクロサンプル(微小試料)加熱試料台の要部上面図である。図1において、マイクロサンプル搭載部1は、タングステンあるいはモリブデンなどの非常に硬くかつ融点の高い材質を用いたスパイラル状(コイル状)の加熱部分となっている。マイクロサンプル搭載部1の両端は、ステンレスモリブデン等の材質を用いた、マイクロサンプル加熱用試料台ベース2に固定しておく。
つまり、ベース2は、ベース切り込み線3の部分で半円状の2つの支持部材2a、2bに分割可能となっており、マイクロサンプル搭載部1の一方の端部は第1の支持部材2aに固定され、他方の端部は第2の支持部材2bに固定されている。ベース2の支持部材2a、2bは、最初は一体化した状態であるが、ベース切り込み線(ミシン目)3の部分で、分離できるように構成されている。
図1に示した状態のマイクロサンプル加熱用試料台2は、図2の(A)に示す集束イオンビーム加工観察装置用標準ホルダ4の先端部に、図2の(B)に示すように装着される。つまり、標準ホルダ4の先端部は、平面形状(図2の紙面表から裏面方向が厚み方向)となっており、切り欠き部17にマイクロサンプル加熱用試料台ベース2がネジ5により固定される。
そして、図2の(C)に示すように、集束イオンビーム加工観察装置(FIB)にてマイクロサンプリングしたサンプル6をプローブ7の先端からマイクロサンプル搭載部1に搭載する。
図3は、マイクロサンプル6が搭載部1に搭載された状態を示す図である。サンプル6はプローブ7に貼付された状態で、接着剤(高融点)により搭載部1に固定される。その後、プローブ7はFIBにより切断され、図3に示すようにマイクロサンプル6が搭載部1に固定される。
その後、ネジ5を緩めて、マイクロサンプル加熱用試料台2をホルダ4の先端部から外し、後述する試料台用ステージに載せる。そして、図4の(B)に示すように、部材2a、2bに分割し、これら部材2a、2bを介して電流をマイクロサンプル搭載部1に供給し、マイクロサンプル6を加熱する。
図5は、マイクロサンプル加熱用試料台2を載せ、マイクロサンプル搭載部1に電流を供給する試料台用ステージ(熱伝導率の低い材質、例えばセラミックス等からなる)一例を示す図である。
図5において、試料台ステージ8の、マイクロサンプル加熱用試料台2搭載部分には、電極となる2つの導通用金属11が固定され、これら2つの導通用金属11の間に電子通路穴9が形成されている。これら導通用金属11に、導通用リード線12が接続されている。そして、ベース2の部材2a、2bを互いに切り離したベース2を非導電性の材質で形成されたワッシャ13を介して固定用ネジ14をネジ穴10に挿入して固定する。
このとき、マイクロサンプルが搭載されるマイクロサンプル搭載部1に固定されたマイクロサンプルが電子線通路穴9の中心となるように固定する。
このようして、ベース2が固定された試料台固定ステージ8を、図6に示すような透過形電子顕微鏡(TEM)あるいは超薄膜評価装置(STEM)用加熱ホルダ15に装着し、導通用リード線12からマイクロサンプル搭載部1に電流を供給して、マイクロサンプル6を加熱し、このマイクロサンプル6の加熱状態を観察する。
ここで、マイクロサンプルの温度測定について説明する。放射温度計により温度測定を行なうこともできるが、より正確に温度測定を行なうことが望ましい。本発明の第1の実施形態においては、マイクロサンプル搭載部1にマイクロサンプル6を固定するのみならず、その近辺に融点が既知の上記微小試料も固定し、この融点既知微小材料の状態を実際観察することにより温度測定を行なうことができる。これにより、マイクロサンプルの温度を正確に検知することができる。
以上のように、本発明の第1の実施形態によれば、ヒータとして機能するマイクロサンプル搭載部1に直接、マイクロサンプルを固定し、マイクロサンプル搭載部1を加熱するように構成したので、加熱手段が発生する熱が直接、マイクロサンプルに伝達され、マイクロサンプルを効率良く加熱して、正確に観察可能なマイクロサンプル加熱用試料台を実現することができる。
本発明に置いては、粉体サンプル以外にマイクロサンプリング加工したマイクロサンプルを、直接加熱するヒータ部がサンプル搭載部になっている。
(第2の実施形態)
図7は、本発明の第2の実施形態の概略構成図である。上述した第1の実施形態は、マイクロサンプル6を搭載した加熱用試料台2を有するステージ8をホルダ15により支持する構成であったが、第2の実施形態は、集束イオンビーム加工観察装置および透過形電子顕微鏡あるいは超薄膜評価装置にて共用可能なホルダ16の先端部に形成された電子線通過用開口部17に、マイクロサンプル搭載部1を形成したものである。
図7において、マイクロサンプル6を搭載するマイクロサンプル搭載部1は、タングステンあるいはモリブデンなどの融点の高い材質を用いたスパイラル状の加熱部である。この加熱部は、両端をステンレスなどの材質を用いたホルダ16の先端部分に第1、第2の支持部材18a、18bにより固定する。
その後、まず集束イオンビーム加工観察装置にてマイクロサンプリングしたサンプルを搭載部1に搭載する。マイクロサンプルを搭載するためには、ホルダ16に予め、集束イオンビーム加工観察装置のマイクロサンプル用プローブ7が入り込める開口部を設けておく。
サンプルの搭載後、搭載部1に電流供給して加熱しながら、透過形電子顕微鏡あるいは超薄膜評価装置にてサンプルの加熱観察を行うものである。
この第2の実施形態によれば、第1の実施形態と同様な効果を得ることができる他、簡単な構成でマイクロサンプル加熱用試料台を実現することができる。
図8は、マイクロサンプル6が搭載部1に搭載された状態を示す図である。図8に示すような状態でマイクロサンプル6が搭載部1に固定される。
図9〜図13は、本発明の一実施形態を用いて、モリブデンMoとタンタルTaとからなるマイクロサンプルが加熱されていく状態を超薄膜評価装置により観察した一例の説明図である。
図9に示すように、室温状態では、モリブデンとタンタルとは、明確に分離している状態である。加熱温度を500℃から、640℃、700℃、800℃に加熱するに従って、結晶化され、その結晶が大となっていき、800℃では、完全に反応してモリブデンとタンタルとが化合物になっている状態が観察された。
このような、マイクロサンプルの加熱過程における温度とマイクロサンプルの溶融状態との関係は、本発明により、初めて可能になるものである。
つまり、従来技術においては、マイクロサンプルの直接加熱が困難であり、間接加熱を行なっており、マイクロサンプルの温度を正確に測定することが困難であった。このため、マイクロサンプルの加熱過程における温度とマイクロサンプルの溶融状態との明確な関係を把握することができなかった。
本願発明により、マイクルサンプルを直接加熱可能とすれば、例えば、搭載部1に供給する電流と温度との関係等からマイクロサンプルの加熱温度を正確に検知することができる。
本発明の第1の実施形態であるマイクロサンプル加熱用試料台の要部説明図である。 本発明の第1の実施形態であるマイクロサンプル加熱用試料台にマイクロサンプルを搭載する説明図である。 本発明の第1の実施形態におけるマイクロサンプル搭載部の拡大図である。 本発明の第1の実施形態におけるマイクロサンプル加熱用試料台の説明図である。 本発明の第1の実施形態におけるマイクロサンプル加熱用試料台用ステージの説明図である。 本発明の第1の実施形態におけるマイクロサンプル加熱用試料台用ステージを透過形電子顕微鏡あるいは超薄膜評価装置用加熱ホルダへの装着説明図である。 本発明の第2の実施形態の概略構成図である。 マイクロサンプルを搭載した状態を集束イオンビーム加工観察装置にて観察した画像を示した説明図である。 本発明を用いてモリブデンとタンタルとからなるマイクロサンプルが加熱されていく状態を観察した一例を示す図である(室温状態)。 本発明を用いてモリブデンとタンタルとからなるマイクロサンプルが加熱されていく状態を観察した一例を示す図である(500℃)。 本発明を用いてモリブデンとタンタルとからなるマイクロサンプルが加熱されていく状態を観察した一例を示す図である(640℃)。 本発明を用いてモリブデンとタンタルとからなるマイクロサンプルが加熱されていく状態を観察した一例を示す図である(700℃)。 本発明を用いてモリブデンとタンタルとからなるマイクロサンプルが加熱されていく状態を観察した一例を示す図である(800℃)。
符号の説明
1・・・マイクロサンプル搭載部、2・・・マイクロサンプル加熱用試料台ベース、3・・・ベース切り込み線、4・・・集束イオンビーム加工観察装置用標準ホルダ、5、14・・・ネジ、6・・・マイクロサンプル、7・・・マイクロサンプル用プローブ、8・・・マイクロサンプル加熱用試料台用ステージ、9・・・電子線通路穴、10・・・ネジ穴、11・・・導通用金属、12・・・導通用リード線、13・・・マイクロサンプル加熱用試料台固定用ワッシャ、15・・・透過形電子顕微鏡または超薄膜評価装置用加熱ホルダ、16・・・マイクロサンプル加熱用ホルダ、17・・・切り欠き部、18a・・・第1の支持部材、18b・・・第2の支持部材

Claims (7)

  1. 透過形電子顕微鏡又は超薄膜評価装置により微小試料を加熱して観察するために微小試料を支持するマイクロサンプル加熱用試料台であって、
    上記微小試料が支持され、導電材料からなる微小試料搭載手段と、
    導電材料からなり、上記微小試料搭載手段の一端と電気的に接続しながら支持する第1の支持部材及び上記微小試料搭載手段の他端と電気的に接続しながら支持する第2の支持部材を有する加熱試料台ベースと、
    を備えることを特徴とするマイクロサンプル加熱用試料台。
  2. 請求項1記載のマイクロサンプル加熱用試料台において、上記加熱試料台ベースは、第1の支持部材と第2の支持部材とを分離するための切り込み線が形成され、一体であった第1の支持部材と第2の支持部材とが上記切り込み線に沿って分離することが可能であることを特徴とするマイクロサンプル加熱用試料台。
  3. 請求項1記載のマイクロサンプル加熱用試料台において、上記微小試料は、この微小試料を先端部に支持するプローブを用いて、上記微小試料搭載手段に配置して接着剤により固定され、上記プローブと微小試料とが集束イオンビームにより切断されることを特徴とするマイクロサンプル加熱用試料台。
  4. 請求項3記載のマイクロサンプル加熱用試料台において、上記微小試料は、上記微小試料搭載手段に接着剤により固定されることを特徴とするマイクロサンプル加熱用試料台。
  5. 請求項3記載のマイクロサンプル加熱用試料台において、上記微小試料搭載手段の上記微小試料が固定された近辺に融点が既知の微小材料が固定されることを特徴とするマイクロサンプル加熱用試料台。
  6. 請求項1記載のマイクロサンプル加熱用試料台を固定して、透過形電子顕微鏡又は超薄膜評価装置の試料固定ホルダに配置するためのマイクロサンプル加熱用試料台用ステージであって、
    上記加熱用試料台ベースの第1の支持部材と第2の支持部材が互いに分離された状態で配置され、導電材料からなり、それぞれ導電用リード線に接続された2つの導電用金属と、
    上記マイクロサンプル加熱用試料台を固定する固定手段と、
    を備え、上記導電用金属の間に電子線通路穴が形成され、透過形電子顕微鏡又は超薄膜評価装置の試料固定ホルダに固定されて、上記導電用リード線から電流が上記導電用金属、第1の支持部材、微小試料搭載手段、第2の支持部材に供給されることにより、微小試料搭載手段が加熱されると共に微小試料が加熱されることを特徴とするマイクロサンプル加熱用試料台用ステージ。
  7. 透過形電子顕微鏡又は超薄膜評価装置により微小試料を加熱して観察するために微小試料を支持するマイクロサンプル加熱用試料固定ホルダであって、
    電子線が通過するための開口部に配置され、上記微小試料が支持され、導電材料からなる微小試料搭載手段と、
    導電材料からなり、上記微小試料搭載手段の一端と電気的に接続しながら支持する第1の支持部材及び上記微小試料搭載手段の他端と電気的に接続しながら支持する第2の支持部材と、
    を備え、上記第1の支持部材から電流が、微小試料搭載手段、第2の支持部材に供給されることにより、微小試料搭載手段が加熱されると共に微小試料が加熱されることを特徴とするマイクロサンプル加熱用試料固定ホルダ。
JP2007134507A 2007-05-21 2007-05-21 マイクロサンプル加熱用試料台 Expired - Fee Related JP4991390B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007134507A JP4991390B2 (ja) 2007-05-21 2007-05-21 マイクロサンプル加熱用試料台
US12/123,168 US7700927B2 (en) 2007-05-21 2008-05-19 Heating stage for a micro-sample

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007134507A JP4991390B2 (ja) 2007-05-21 2007-05-21 マイクロサンプル加熱用試料台

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008288161A true JP2008288161A (ja) 2008-11-27
JP4991390B2 JP4991390B2 (ja) 2012-08-01

Family

ID=40071543

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007134507A Expired - Fee Related JP4991390B2 (ja) 2007-05-21 2007-05-21 マイクロサンプル加熱用試料台

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7700927B2 (ja)
JP (1) JP4991390B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010192126A (ja) * 2009-02-16 2010-09-02 Hitachi High-Technologies Corp 電子線装置および電子線装置用試料保持装置
WO2011052489A1 (ja) * 2009-10-26 2011-05-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置及び荷電粒子線装置における三次元情報の表示方法
WO2014175074A1 (ja) * 2013-04-23 2014-10-30 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置及び当該装置を用いる試料作製方法

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2040282B1 (en) * 2007-09-19 2015-01-21 Hitachi Ltd. Micro sample heating probe and method of producing the same, and analyzer using the micro sample heating probe
US8058627B2 (en) * 2008-08-13 2011-11-15 Wisys Technology Foundation Addressable transmission electron microscope grid
JP5094788B2 (ja) * 2009-06-18 2012-12-12 株式会社日立製作所 電子顕微鏡及びその試料ホルダ
US9048065B2 (en) * 2009-09-24 2015-06-02 Protochips, Inc. Methods of using temperature control devices in electron microscopy
US9316569B2 (en) * 2009-11-27 2016-04-19 Hysitron, Inc. Micro electro-mechanical heater
TW201222617A (en) * 2010-10-07 2012-06-01 Hitachi High Tech Corp Sample device for charged particle beam
JP5735185B2 (ja) 2011-11-14 2015-06-17 ハイジトロン, インク.Hysitron, Inc. プローブ先端加熱アセンブリ
US10241017B2 (en) 2011-11-28 2019-03-26 Bruker Nano, Inc. High temperature heating system
EP2861934B1 (en) 2012-06-13 2017-05-03 Hysitron, Inc. Environmental conditioning assembly for use in mechanical testing at micron or nano-scales
EP3021349A1 (en) * 2014-11-12 2016-05-18 Fei Company Contactless temperature measurement in a charged particle microscope
CN113802187A (zh) * 2021-08-26 2021-12-17 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 一种紧凑型超高温加热台及高温加热设备
CN115692145B (zh) * 2022-12-30 2023-04-11 北京中科科仪股份有限公司 一种sem样品放置装置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01164023A (ja) * 1987-12-21 1989-06-28 Fujitsu Ltd サセプタ上面温度分布測定方法
JPH03156847A (ja) * 1989-11-06 1991-07-04 Philips Gloeilampenfab:Nv 対象物保持器
JPH0554790A (ja) * 1991-08-23 1993-03-05 Hitachi Ltd 陰極線管用ヒータ構体
JPH0644936A (ja) * 1992-05-29 1994-02-18 Hitachi Ltd 電子線装置、及び電子線装置用試料ホルダー
JPH06224206A (ja) * 1992-08-11 1994-08-12 Texas Instr Inc <Ti> 温度センサを較正する無線装置及び方法
JP2774884B2 (ja) * 1991-08-22 1998-07-09 株式会社日立製作所 試料の分離方法及びこの分離方法で得た分離試料の分析方法
JP2000040483A (ja) * 1998-07-23 2000-02-08 Hitachi Ltd 電子顕微鏡用試料加熱ホルダ及び試料観察方法
JP2001176413A (ja) * 1999-12-17 2001-06-29 Mitsubishi Electric Corp ヒータ構体及び電子銃の製造方法
JP2007018928A (ja) * 2005-07-08 2007-01-25 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子線装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0538861B1 (en) * 1991-10-24 1999-06-16 Hitachi, Ltd. Electron microscope specimen holder
JP4616701B2 (ja) * 2005-05-30 2011-01-19 日本電子株式会社 電子顕微鏡の試料ホルダ

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01164023A (ja) * 1987-12-21 1989-06-28 Fujitsu Ltd サセプタ上面温度分布測定方法
JPH03156847A (ja) * 1989-11-06 1991-07-04 Philips Gloeilampenfab:Nv 対象物保持器
JP2774884B2 (ja) * 1991-08-22 1998-07-09 株式会社日立製作所 試料の分離方法及びこの分離方法で得た分離試料の分析方法
JPH0554790A (ja) * 1991-08-23 1993-03-05 Hitachi Ltd 陰極線管用ヒータ構体
JPH0644936A (ja) * 1992-05-29 1994-02-18 Hitachi Ltd 電子線装置、及び電子線装置用試料ホルダー
JPH06224206A (ja) * 1992-08-11 1994-08-12 Texas Instr Inc <Ti> 温度センサを較正する無線装置及び方法
JP2000040483A (ja) * 1998-07-23 2000-02-08 Hitachi Ltd 電子顕微鏡用試料加熱ホルダ及び試料観察方法
JP3663056B2 (ja) * 1998-07-23 2005-06-22 株式会社日立製作所 電子顕微鏡用試料加熱ホルダ及び試料観察方法
JP2001176413A (ja) * 1999-12-17 2001-06-29 Mitsubishi Electric Corp ヒータ構体及び電子銃の製造方法
JP2007018928A (ja) * 2005-07-08 2007-01-25 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子線装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010192126A (ja) * 2009-02-16 2010-09-02 Hitachi High-Technologies Corp 電子線装置および電子線装置用試料保持装置
US8604429B2 (en) 2009-02-16 2013-12-10 Hitachi High-Technologies Corporation Electron beam device and sample holding device for electron beam device
WO2011052489A1 (ja) * 2009-10-26 2011-05-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置及び荷電粒子線装置における三次元情報の表示方法
JP2011090973A (ja) * 2009-10-26 2011-05-06 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子線装置及び荷電粒子線装置における三次元情報の表示方法
US9099281B2 (en) 2009-10-26 2015-08-04 Hitachi High-Technologies Corporation Charged particle radiation apparatus, and method for displaying three-dimensional information in charged particle radiation apparatus
WO2014175074A1 (ja) * 2013-04-23 2014-10-30 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置及び当該装置を用いる試料作製方法
JP5899377B2 (ja) * 2013-04-23 2016-04-06 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置及び当該装置を用いる試料作製方法
US9449786B2 (en) 2013-04-23 2016-09-20 Hitachi High-Technologies Corporation Charged particle radiation device and specimen preparation method using said device
JPWO2014175074A1 (ja) * 2013-04-23 2017-02-23 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置及び当該装置を用いる試料作製方法

Also Published As

Publication number Publication date
US7700927B2 (en) 2010-04-20
JP4991390B2 (ja) 2012-08-01
US20080290290A1 (en) 2008-11-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4991390B2 (ja) マイクロサンプル加熱用試料台
Mele et al. A MEMS‐based heating holder for the direct imaging of simultaneous in‐situ heating and biasing experiments in scanning/transmission electron microscopes
JP6162174B2 (ja) 電子顕微鏡において温度制御デバイスを用いる方法
JP3663056B2 (ja) 電子顕微鏡用試料加熱ホルダ及び試料観察方法
US9033574B2 (en) Thermal analyzer
JP6829249B2 (ja) 電子画像化可能な液だめまたはより大きな伝導性サンプルのmemsフレーム加熱プラットフォーム
JP2012080103A (ja) サセプター及びその製法
US9312097B2 (en) Specimen holder used for mounting samples in electron microscopes
JP6112930B2 (ja) ガスイオン源、及び集束イオンビーム装置
JP4654018B2 (ja) 集束イオンビーム加工装置、試料台、及び試料観察方法
JP2017139173A (ja) 電子顕微鏡用試料加熱・印加装置
JP6227836B2 (ja) 三極管型電離真空計
WO2010027054A1 (ja) カンチレバー加熱機構、それを用いたカンチレバーホルダ、及び、カンチレバー加熱方法
JP2006244796A (ja) 電子顕微鏡の試料ホルダ
JP5455781B2 (ja) 温度測定用プローブ、温度測定装置および温度測定方法
JP4324694B2 (ja) 探針製造方法及び探針製造装置
JP2006196310A (ja) 電子顕微鏡用可動プローブ装置および電子顕微鏡の試料観察方法
TW202013421A (zh) 熱電場放射電子源及電子束應用裝置
UA112345U (xx) Тримач для нагрівання та дослідження зразків у просвічуючому електронному мікроскопі пем-125к
Kleinert et al. Manufacturing a thin wire electrostatic trap for ultracold polar molecules
JP2011043385A (ja) 加熱装置
JP2001242051A (ja) 集束イオンビーム加工装置用試料台および試料固定方法
JP2007120950A (ja) 温度計測方法
JP2004022192A (ja) 試料ホルダ及び試料観察方法
JP2011216426A (ja) 試料ホルダーおよび試料観察方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090527

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20111014

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111018

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111219

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120410

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120507

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4991390

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150511

Year of fee payment: 3

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees