JP2003505845A - Ｘ線陽極およびその製造法 - Google Patents
Ｘ線陽極およびその製造法Info
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- H—ELECTRICITY
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J35/00—X-ray tubes
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Abstract
(57)【要約】
本発明は、Ｘ線陽極およびその製造法に関する。Ｘ線陽極は、陽極材料が層としてダイヤモンド窓上に存在していることによって特徴付けられる。Ｘ線陽極は、有利にＸ線装置の場合に使用され、この場合できるだけ点状のＸ線発生は、できるだけ高い放射線強度の達成のために必要とされる。特に好ましいのは、Ｘ線顕微鏡での使用であり、この場合には、高い放射線密度は、最高の分解能を保証ずる。
Description
【０００１】
技術分野
本発明は、Ｘ線陽極およびその製造法に関する。本発明によるＸ線陽極は、好
ましくはＸ線装置に使用され、この場合には、できるだけ高い放射線強度が必要
とされる。特に好ましいのは、Ｘ線顕微鏡への使用であり、この場合には、高い
放射線強度が最高の分解能を保証する。
ましくはＸ線装置に使用され、この場合には、できるだけ高い放射線強度が必要
とされる。特に好ましいのは、Ｘ線顕微鏡への使用であり、この場合には、高い
放射線強度が最高の分解能を保証する。
【０００２】
背景技術
Ｘ線を発生させる場合、たいてい陽極材料には電子が衝突する。特徴のある電
子移動によって発生する放射線は、Ｘ線に対して透明の窓を通じて装置を去る。
この場合、Ｘ線の発生は、吸収の回避のために低いガス圧で行なわれる。透明の
窓は、外側領域から低圧領域を分離するために使用される。
子移動によって発生する放射線は、Ｘ線に対して透明の窓を通じて装置を去る。
この場合、Ｘ線の発生は、吸収の回避のために低いガス圧で行なわれる。透明の
窓は、外側領域から低圧領域を分離するために使用される。
【０００３】
例えば、角形のターゲット装置中での銅またはモリブデンからなるＸ線陽極お
よびベリリウムからなる窓は、公知である。この場合、陽極とベリリウム窓は、
或る程度の空間的距離を有し、互いに傾倒している。発生されたＸ線をＸ線鏡検
法の目的のために使用する場合には、この解決法は、陽極と結像すべき対物レン
ズとの間の避けることのできない放射線の発散のために、分解能が直角でのみ適
度であるという欠点に結び付いている。また、ベリリウムは、著しい毒性であり
、したがって窓材料としてはできるだけ避けるべきである。
よびベリリウムからなる窓は、公知である。この場合、陽極とベリリウム窓は、
或る程度の空間的距離を有し、互いに傾倒している。発生されたＸ線をＸ線鏡検
法の目的のために使用する場合には、この解決法は、陽極と結像すべき対物レン
ズとの間の避けることのできない放射線の発散のために、分解能が直角でのみ適
度であるという欠点に結び付いている。また、ベリリウムは、著しい毒性であり
、したがって窓材料としてはできるだけ避けるべきである。
【０００４】
Ｘ線装置の放射線出射窓としてのベリリウム窓に対して選択的なものとしては
、米国特許第５１７３６１２号明細書に厚さ１０μｍ未満のダイヤモンド窓の使
用が提案されている。しかし、厚手のダイヤモンド窓は、ダイヤモンドによる高
められた吸収のために始めから問題にならないので、前記の薄手のダイヤモンド
窓の場合には、著しい機械的問題をまねく。薄手のダイヤモンド窓は、低圧領域
と外側領域との間の約１０５Ｐａの圧力差に殆んど耐えることができず、相応す
るウェブによって費用を掛けて安定化されなければならない。
、米国特許第５１７３６１２号明細書に厚さ１０μｍ未満のダイヤモンド窓の使
用が提案されている。しかし、厚手のダイヤモンド窓は、ダイヤモンドによる高
められた吸収のために始めから問題にならないので、前記の薄手のダイヤモンド
窓の場合には、著しい機械的問題をまねく。薄手のダイヤモンド窓は、低圧領域
と外側領域との間の約１０５Ｐａの圧力差に殆んど耐えることができず、相応す
るウェブによって費用を掛けて安定化されなければならない。
【０００５】
更に、陽極材料が層としてベリリウム窓上に存在する、所謂ミクロ焦点調節源
（Mikrofokusquelle）は、公知であり、この場合には、陽極は、できるだけ正確
に焦点調節された電子ビームと衝突される。このミクロ焦点調節源の場合には、
陽極は、結像の際に対物レンズに隣接して移動し、分解能は高めることができる
。この場合、陽極に衝突する電子ビームが陽極上に衝突するのが鋭利であればあ
るほど、分解能はますます良好な結果となる。回折現象を無視しての陽極上での
点状の焦点調節は、理想的なものであろう。しかし、点状の焦点調節の場合には
、電子衝撃によって結合されたエネルギーが材料の溶融および／または蒸発、ひ
いては材料の寿命の短縮をまねくという問題が起こる。陽極材料の蒸発を補償す
るために、陽極は、厚手に選択されなければならない。しかし、厚手の陽極は、
Ｘ線が陽極材料それ自体によって吸収されることを生じる。厚手のベリリウム窓
の選択は、同じ理由から排除される。更に、前記解決は、圧力差が存在するため
に、ミクロ焦点調節源が簡単に破裂しうるという機械的問題を生じる可能性があ
る著しい欠点を有する。しかし、これは、毒性のベリリウムの場合には、特に不
利であり、ミクロ焦点調節源が破裂する際に必要とされる、個人の安全に対する
安全措置のために装置の望ましくない可使時間をまねく。この理由から、公知技
術水準による点状の焦点調節は、制限されてのみ可能である。
（Mikrofokusquelle）は、公知であり、この場合には、陽極は、できるだけ正確
に焦点調節された電子ビームと衝突される。このミクロ焦点調節源の場合には、
陽極は、結像の際に対物レンズに隣接して移動し、分解能は高めることができる
。この場合、陽極に衝突する電子ビームが陽極上に衝突するのが鋭利であればあ
るほど、分解能はますます良好な結果となる。回折現象を無視しての陽極上での
点状の焦点調節は、理想的なものであろう。しかし、点状の焦点調節の場合には
、電子衝撃によって結合されたエネルギーが材料の溶融および／または蒸発、ひ
いては材料の寿命の短縮をまねくという問題が起こる。陽極材料の蒸発を補償す
るために、陽極は、厚手に選択されなければならない。しかし、厚手の陽極は、
Ｘ線が陽極材料それ自体によって吸収されることを生じる。厚手のベリリウム窓
の選択は、同じ理由から排除される。更に、前記解決は、圧力差が存在するため
に、ミクロ焦点調節源が簡単に破裂しうるという機械的問題を生じる可能性があ
る著しい欠点を有する。しかし、これは、毒性のベリリウムの場合には、特に不
利であり、ミクロ焦点調節源が破裂する際に必要とされる、個人の安全に対する
安全措置のために装置の望ましくない可使時間をまねく。この理由から、公知技
術水準による点状の焦点調節は、制限されてのみ可能である。
【０００６】
発明の開示
本発明は、公知技術水準による欠点を十分に回避する、Ｘ線陽極を提供すると
いう技術的問題に基づくものである。Ｘ線陽極は、健康上懸念されるものではな
く、殊に公知技術水準よりも本質的に小さな焦点調節で作業することを可能にす
る。
いう技術的問題に基づくものである。Ｘ線陽極は、健康上懸念されるものではな
く、殊に公知技術水準よりも本質的に小さな焦点調節で作業することを可能にす
る。
【０００７】
この技術的問題の解決は、請求項１記載の特徴によって解決される。この種の
Ｘ線陽極を製造するという、方法による課題は、請求項１６記載の特徴によって
解決される。好ましい実施態様は、従属請求項に記載されている。
Ｘ線陽極を製造するという、方法による課題は、請求項１６記載の特徴によって
解決される。好ましい実施態様は、従属請求項に記載されている。
【０００８】
本発明によれば、前記問題は、陽極材料がダイヤモンド窓上に存在するＸ線陽
極によって解決することができることが確認された。
極によって解決することができることが確認された。
【０００９】
ダイヤモンドは、ミクロ焦点調節源のための材料としては、最初、不適当であ
るように思われた。Ｚ＝６の原子番号を有するダイヤモンドは、Ｚ＝４を有する
ベリリウムよりも強くＸ線を吸収する。従って、ベリリウム窓よりも薄手のダイ
ヤモンド窓を使用しなければならず、その結果、上記の機械的な問題が予想され
る。その上、これまで窓材料としては唯一ベリリウムが該当するものであった。
それというのも、ベリリウムは、十分に圧延可能な金属であり、この金属から簡
単にベリリウム窓を製造することができるからである。この窓は、公知技術水準
によれば、施与されるべき金属陽極のための基板として使用される。
るように思われた。Ｚ＝６の原子番号を有するダイヤモンドは、Ｚ＝４を有する
ベリリウムよりも強くＸ線を吸収する。従って、ベリリウム窓よりも薄手のダイ
ヤモンド窓を使用しなければならず、その結果、上記の機械的な問題が予想され
る。その上、これまで窓材料としては唯一ベリリウムが該当するものであった。
それというのも、ベリリウムは、十分に圧延可能な金属であり、この金属から簡
単にベリリウム窓を製造することができるからである。この窓は、公知技術水準
によれば、施与されるべき金属陽極のための基板として使用される。
【００１０】
しかし、経験によれば、前記欠点をダイヤモンドからなる基板の場合に過剰に
補償しうることを検出することができた。あらゆる予想とは異なり、ダイヤモン
ド窓上のＸ線陽極は、ベリリウム窓上のＸ線陽極の場合よりも本質的に小さな焦
点調節で作業することが可能である。過剰補償は、ダイヤモンドが優れた熱導体
であり、それによって導入された熱エネルギーがダイヤモンド基板を通じて特に
効果的に搬出されうるという理由に基づく。それによって、焦点調節領域は、殆
んど加熱されず、よりいっそう強力に焦点調節することが可能になる。これは、
必要に応じてよりいっそう高い放射線密度を生じる。反対に、ベリリウム窓をダ
イヤモンド基板と交換することは、均一な放射線密度および寿命でＸ線の僅かな
吸収を有する薄手の陽極を可能にする。
補償しうることを検出することができた。あらゆる予想とは異なり、ダイヤモン
ド窓上のＸ線陽極は、ベリリウム窓上のＸ線陽極の場合よりも本質的に小さな焦
点調節で作業することが可能である。過剰補償は、ダイヤモンドが優れた熱導体
であり、それによって導入された熱エネルギーがダイヤモンド基板を通じて特に
効果的に搬出されうるという理由に基づく。それによって、焦点調節領域は、殆
んど加熱されず、よりいっそう強力に焦点調節することが可能になる。これは、
必要に応じてよりいっそう高い放射線密度を生じる。反対に、ベリリウム窓をダ
イヤモンド基板と交換することは、均一な放射線密度および寿命でＸ線の僅かな
吸収を有する薄手の陽極を可能にする。
【００１１】
また、極めて薄手の陽極を有する比較的に厚手のダイヤモンド層は、有利に使
用されうることが判明した。この意味において、５０μｍ〜１０００μｍの厚さ
、好ましくは３００μｍ〜７００μｍの厚さのダイヤモンド窓も適している。こ
のような厚さの場合には、熱の効果的な搬出および良好な機械的安定性が保証さ
れている。
用されうることが判明した。この意味において、５０μｍ〜１０００μｍの厚さ
、好ましくは３００μｍ〜７００μｍの厚さのダイヤモンド窓も適している。こ
のような厚さの場合には、熱の効果的な搬出および良好な機械的安定性が保証さ
れている。
【００１２】
本発明の範囲内で、多結晶性ダイヤモンド基板またはダイヤモンド窓ならびに
単結晶からなる窓を使用することができる。この場合、多結晶のダイヤモンド基
板は、特に簡単に化学蒸着（英語CVD: chemical vapour deposition）により製
造されることができ、即ち例えば熱線ＣＶＤまたはマイクロ波ＣＶＤにより製造
されることができる。また、これは、適正な価格で大きなダイヤモンド基板の製
造を可能にする。陽極材料の析出は、別の析出法、即ち例えば物理蒸着法（PVD
）によって行なわれる。
単結晶からなる窓を使用することができる。この場合、多結晶のダイヤモンド基
板は、特に簡単に化学蒸着（英語CVD: chemical vapour deposition）により製
造されることができ、即ち例えば熱線ＣＶＤまたはマイクロ波ＣＶＤにより製造
されることができる。また、これは、適正な価格で大きなダイヤモンド基板の製
造を可能にする。陽極材料の析出は、別の析出法、即ち例えば物理蒸着法（PVD
）によって行なわれる。
【００１３】
陽極材料としては、原則的に金属、多相の金属または金属合金がこれに該当す
る。陽極材料の厚さは、好ましくは１μｍ〜２５μｍの範囲内、よりいっそう好
ましくは３〜１２μｍの範囲内にあり、最高で６μｍである。
る。陽極材料の厚さは、好ましくは１μｍ〜２５μｍの範囲内、よりいっそう好
ましくは３〜１２μｍの範囲内にあり、最高で６μｍである。
【００１４】
層は、一定の厚さを有する必要はない。それについて、例えばディスク状のミ
クロ焦点調節源の場合には、ディスクの厚さは単一である必要がないものと理解
される。ディスクは、例えば縁部でより大きな厚さを有することができる。従っ
て、層について上記された厚さは、これが焦点調節の範囲内の厚さであることで
十分である。
クロ焦点調節源の場合には、ディスクの厚さは単一である必要がないものと理解
される。ディスクは、例えば縁部でより大きな厚さを有することができる。従っ
て、層について上記された厚さは、これが焦点調節の範囲内の厚さであることで
十分である。
【００１５】
絶えず十分に陽極材料がダイヤモンド上に存在し、相応する運転時間数に依存
せずに蒸発することを保証するために、本発明によるＸ線陽極には、温度センサ
ーが備えられていてよい。これに関連して洗練された方法は、サーミスターとし
てのダイヤモンド窓の使用、即ちダイヤモンド窓の電気抵抗の熱依存性の利用に
ある。更に、使用者は、相応する較正により最小の蒸発速度の際に望ましい放射
線強度に関連して最適な作業点になお調節することができる。これは、本発明に
よるＸ線陽極の熱的に避けることのできない損傷の回避を簡易化する。相応する
運転時間数により陽極材料の一部が蒸発される場合であっても、ダイヤモンド窓
は、熱的に著しく安定した材料として多くの場合にはなお完全になる。この場合
には、待ち作業の範囲内で残りの陽極材料は、化学的に除去され、ダイヤモンド
窓は、新たに被覆される。それによって、窓材料としてのダイヤモンドの選択は
、同時にダイヤモンド窓を再使用する場合に本発明によるＸ線陽極の安価な分解
整備を可能にする。
せずに蒸発することを保証するために、本発明によるＸ線陽極には、温度センサ
ーが備えられていてよい。これに関連して洗練された方法は、サーミスターとし
てのダイヤモンド窓の使用、即ちダイヤモンド窓の電気抵抗の熱依存性の利用に
ある。更に、使用者は、相応する較正により最小の蒸発速度の際に望ましい放射
線強度に関連して最適な作業点になお調節することができる。これは、本発明に
よるＸ線陽極の熱的に避けることのできない損傷の回避を簡易化する。相応する
運転時間数により陽極材料の一部が蒸発される場合であっても、ダイヤモンド窓
は、熱的に著しく安定した材料として多くの場合にはなお完全になる。この場合
には、待ち作業の範囲内で残りの陽極材料は、化学的に除去され、ダイヤモンド
窓は、新たに被覆される。それによって、窓材料としてのダイヤモンドの選択は
、同時にダイヤモンド窓を再使用する場合に本発明によるＸ線陽極の安価な分解
整備を可能にする。
【００１６】
最も簡単な実施態様において、陽極材料は、完全にダイヤモンド基板上に存在
する。しかし、ミクロ焦点調節源の製造の特殊性またはミクロ焦点調節源の導入
された使用に応じて、ダイヤモンド層の一部だけを陽極材料で被覆することで十
分である。ダイヤモンド基板上の陽極材料の付着力に依存して、陽極材料を直接
にダイヤモンド層上に施与することで十分である。しかし、付着力が劣悪である
場合には、付着を補助する中間層は好ましい。同様に、中間層は、できるだけ単
色光の放射線がＸ線陽極を去る場合には、好ましい。この場合、中間層は、放射
線フィルターおよび／またはモノクロメーターの機能を発揮する。
する。しかし、ミクロ焦点調節源の製造の特殊性またはミクロ焦点調節源の導入
された使用に応じて、ダイヤモンド層の一部だけを陽極材料で被覆することで十
分である。ダイヤモンド基板上の陽極材料の付着力に依存して、陽極材料を直接
にダイヤモンド層上に施与することで十分である。しかし、付着力が劣悪である
場合には、付着を補助する中間層は好ましい。同様に、中間層は、できるだけ単
色光の放射線がＸ線陽極を去る場合には、好ましい。この場合、中間層は、放射
線フィルターおよび／またはモノクロメーターの機能を発揮する。
【００１７】
更に、試験の場合には、本発明によるＸ線陽極を用いての同じ放射線効率の際
に温度に敏感な試料がベリリウム窓を有する比較陽極を用いた場合よりも良好に
試験されうることが判明した。即ち、ダイヤモンドの優れた熱効率のために、大
気領域に対向した側で僅かな温度が存在し、このことは、試験の際に試料を窓に
隣接して配置することを可能にした。また、これは、よりいっそう良好な分解能
を生じる。
に温度に敏感な試料がベリリウム窓を有する比較陽極を用いた場合よりも良好に
試験されうることが判明した。即ち、ダイヤモンドの優れた熱効率のために、大
気領域に対向した側で僅かな温度が存在し、このことは、試験の際に試料を窓に
隣接して配置することを可能にした。また、これは、よりいっそう良好な分解能
を生じる。
【００１８】
本発明の実施例は、以下に詳細に記載されている。
【００１９】
補助基板上に熱線ＣＶＤにより２５０μｍの厚さの多結晶性ダイヤモンド層（
１）を析出させる。補助基板の除去後、このダイヤモンド層上に物理蒸着（ＰＶ
Ｄ）により６μｍの厚さのタングステン層（２）を析出させる。このタングステ
ン層は、ダイヤモンド層を完全に被覆している。Ｘ線源を締付装置（３）により
商業的なＸ線顕微鏡のケーシング（４）中に組み込み、この場合には、安定した
真空を保証するために、パッキンリング（４）が使用されている。唯一の図１は
、組み込まれた状態の前記のミクロ焦点調節源を示す。Ｘ線陽極に電子ｅ−が点
状で衝突することによって、Ｘ線ｈνが形成される。このＸ線陽極を用いた場合
には、達成可能な最大の放射線密度が測定される。５００μｍの厚さのベリリウ
ム層を有するダイヤモンド層を使用する場合には、いずれにせよ同じ条件下で形
成されたＸ線の放射線密度を１／４に減少させる。同様に５００μｍのダイヤモ
ンド層厚の場合には、本発明によるＸ線陽極で達成可能な放射線密度は、この場
合になお良好な熱搬出のためになおいっそう良好になるであろう。
１）を析出させる。補助基板の除去後、このダイヤモンド層上に物理蒸着（ＰＶ
Ｄ）により６μｍの厚さのタングステン層（２）を析出させる。このタングステ
ン層は、ダイヤモンド層を完全に被覆している。Ｘ線源を締付装置（３）により
商業的なＸ線顕微鏡のケーシング（４）中に組み込み、この場合には、安定した
真空を保証するために、パッキンリング（４）が使用されている。唯一の図１は
、組み込まれた状態の前記のミクロ焦点調節源を示す。Ｘ線陽極に電子ｅ−が点
状で衝突することによって、Ｘ線ｈνが形成される。このＸ線陽極を用いた場合
には、達成可能な最大の放射線密度が測定される。５００μｍの厚さのベリリウ
ム層を有するダイヤモンド層を使用する場合には、いずれにせよ同じ条件下で形
成されたＸ線の放射線密度を１／４に減少させる。同様に５００μｍのダイヤモ
ンド層厚の場合には、本発明によるＸ線陽極で達成可能な放射線密度は、この場
合になお良好な熱搬出のためになおいっそう良好になるであろう。
【図１】
ミクロ焦点調節源よりなる本発明によるＸ線陽極を示す略図。
１ 多結晶性ダイヤモンド層、 ２ タングステン層、 ３ 締付装置、 ４
ケーシングまたはパッキンリング、 ｅ− 電子、 ｈν Ｘ線
【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成１３年９月５日（２００１．９．５）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
─────────────────────────────────────────────────────
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(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｊ 9/14 Ｈ０１Ｊ 9/14 Ｍ
35/18 35/18
(72)発明者 トルステン マッテー
ドイツ連邦共和国 マイネ ヴィーゼンヴ
ェーク 11 アー
Claims (22)
- 【請求項１】 陽極材料がダイヤモンド窓上に存在していることを特徴とす
るＸ線陽極。 - 【請求項２】 多結晶性ダイヤモンド窓が重要である、請求項１記載のＸ線
陽極。 - 【請求項３】 ダイヤモンド窓が単結晶である、請求項１記載のＸ線陽極。
- 【請求項４】 ダイヤモンド窓の厚さが５０μｍ〜２０００μｍの範囲内に
ある、請求項１から３までのいずれか１項に記載のＸ線陽極。 - 【請求項５】 ダイヤモンド窓の厚さが３００μｍ〜７００μｍの範囲内に
ある、請求項４記載のＸ線陽極。 - 【請求項６】 陽極材料が金属であるか、合金であるかまたは金属の多数の
層である、請求項１から５までのいずれか１項に記載のＸ線陽極。 - 【請求項７】 陽極材料の厚さが１μｍ〜２５μｍの間にある、請求項１か
ら６までのいずれか１項に記載のＸ線陽極。 - 【請求項８】 陽極材料の厚さが３μｍ〜１２μｍの間にある、請求項７記
載のＸ線陽極。 - 【請求項９】 陽極材料の厚さが６μｍである、請求項８記載のＸ線陽極。
- 【請求項１０】 陽極材料が窓を全面的に被覆している、請求項１から９ま
でのいずれか１項に記載のＸ線陽極。 - 【請求項１１】 陽極材料が窓を部分的に被覆している、請求項１から９ま
でのいずれか１項に記載のＸ線陽極。 - 【請求項１２】 中間層がＸ線陽極とダイヤモンド窓との間に備えられてい
る、請求項１から１１までのいずれか１項に記載のＸ線陽極。 - 【請求項１３】 中間層が付着補助層である、請求項１から１２までのいず
れか１項に記載のＸ線陽極。 - 【請求項１４】 中間層が放射線フィルターである、請求項１から１３まで
のいずれか１項に記載のＸ線陽極。 - 【請求項１５】 温度センサーが備えられている、請求項１から１４までの
いずれか１項に記載のＸ線陽極。 - 【請求項１６】 温度センサーとしてダイヤモンド窓が備えられている、請
求項１５記載のＸ線陽極。 - 【請求項１７】 Ｘ線陽極を製造する、殊に請求項１から１６までのいずれ
か１項に記載のＸ線陽極を製造するための方法において、補助基板を化学蒸着法
（ＣＶＤ）を用いてダイヤモンド層で被覆し、このダイヤモンド層上に金属層を
析出させることを特徴とする、Ｘ線陽極を製造する、殊に請求項１から１６まで
のいずれか１項に記載のＸ線陽極を製造するための方法。 - 【請求項１８】 補助基板の被覆を熱線ＣＶＤまたはマイクロ波ＣＶＤによ
り行なう、請求項１７記載の方法。 - 【請求項１９】 ５０μｍ〜１０００μｍの厚さを有するダイヤモンド層を
析出させる、請求項１７または１８記載の方法。 - 【請求項２０】 ３００μｍ〜７００μｍの厚さを有するダイヤモンド層を
析出させる、請求項１９記載の方法。 - 【請求項２１】 Ｘ線装置のための請求項１から１６までのいずれか１項に
記載のＸ線陽極の使用。 - 【請求項２２】 Ｘ線顕微鏡のための請求項１から１６までのいずれか１項
に記載のＸ線陽極の使用。
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009301911A (ja) * | 2008-06-13 | 2009-12-24 | Hamamatsu Photonics Kk | Ｘ線発生装置 |
| JP2012124097A (ja) * | 2010-12-10 | 2012-06-28 | Canon Inc | 放射線発生装置および放射線撮影装置 |
| WO2012169143A1 (en) | 2011-06-07 | 2012-12-13 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray emitting target and x-ray emitting device |
| WO2012169141A1 (en) | 2011-06-07 | 2012-12-13 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray emitting target and x-ray emitting device |
| JP2013051153A (ja) * | 2011-08-31 | 2013-03-14 | Canon Inc | 放射線発生装置及びそれを用いた放射線撮影装置 |
| JP2013098168A (ja) * | 2011-10-28 | 2013-05-20 | Gamc Biotec Development Co Ltd | 透過型ｘ線管及び反射型ｘ線管 |
| WO2013118593A1 (en) | 2012-02-06 | 2013-08-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Target structure and radiation generator |
| WO2014054497A1 (ja) * | 2012-10-04 | 2014-04-10 | 東京エレクトロン株式会社 | Ｘ線発生用ターゲットの製造方法及びｘ線発生用ターゲット |
| WO2014076886A1 (en) | 2012-11-15 | 2014-05-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Transmission type target, radiation generating tube having the transmission type target, radiation generator having the radiation generating tube, and radiation imaging apparatus having the radiation generator |
| EP2757570A2 (en) | 2013-01-18 | 2014-07-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Transmission-type x-ray target and radiation generating tube including the same |
| EP2779202A2 (en) | 2013-03-12 | 2014-09-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Transmission type target, radiation generating tube including the same, radiation generating apparatus, and radiography system |
| US9036786B2 (en) | 2010-12-07 | 2015-05-19 | NanoRay Biotech Co., Ltd. | Transmission type X-ray tube and reflection type X-ray tube |
| JP2015130323A (ja) * | 2013-12-06 | 2015-07-16 | キヤノン株式会社 | 透過型ターゲットおよび該透過型ターゲットを備えるｘ線発生管 |
| US9373478B2 (en) | 2010-12-10 | 2016-06-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation generating apparatus and radiation imaging apparatus |
| JP2017139238A (ja) * | 2017-05-02 | 2017-08-10 | キヤノン株式会社 | 透過型ターゲットおよび該透過型ターゲットの製造方法、ならびに、放射線発生管、並びに、該放射線発生管を備えた放射線発生装置、並びに、該放射線発生装置を備えた放射線撮影装置 |
| JP2018113270A (ja) * | 2013-12-06 | 2018-07-19 | キヤノン株式会社 | 透過型ターゲットおよび該透過型ターゲットを備えるｘ線発生管 |
| US10105112B2 (en) | 2013-09-19 | 2018-10-23 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray generating tube, X-ray generating apparatus, and radiography system |
| US10731025B2 (en) | 2014-11-28 | 2020-08-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Powder, thermoplastic composition, and method for producing three-dimensional object |
Families Citing this family (39)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7186022B2 (en) * | 2002-01-31 | 2007-03-06 | The Johns Hopkins University | X-ray source and method for more efficiently producing selectable x-ray frequencies |
| US7280636B2 (en) * | 2003-10-03 | 2007-10-09 | Illinois Institute Of Technology | Device and method for producing a spatially uniformly intense source of x-rays |
| JP4189770B2 (ja) * | 2004-04-08 | 2008-12-03 | 独立行政法人科学技術振興機構 | Ｘ線用ターゲット及びそれを用いた装置 |
| DE202005017496U1 (de) * | 2005-11-07 | 2007-03-15 | Comet Gmbh | Target für eine Mikrofocus- oder Nanofocus-Röntgenröhre |
| US20080075229A1 (en) * | 2006-09-27 | 2008-03-27 | Nanometrics Incorporated | Generation of Monochromatic and Collimated X-Ray Beams |
| GB2453570A (en) * | 2007-10-11 | 2009-04-15 | Kratos Analytical Ltd | Electrode for x-ray apparatus |
| JP5670111B2 (ja) * | 2009-09-04 | 2015-02-18 | 東京エレクトロン株式会社 | Ｘ線発生用ターゲット、ｘ線発生装置、及びｘ線発生用ターゲットの製造方法 |
| US20150117599A1 (en) | 2013-10-31 | 2015-04-30 | Sigray, Inc. | X-ray interferometric imaging system |
| JP5868670B2 (ja) | 2011-11-28 | 2016-02-24 | ギガフォトン株式会社 | ホルダ装置、チャンバ装置、および、極端紫外光生成装置 |
| JP6116274B2 (ja) | 2013-02-13 | 2017-04-19 | キヤノン株式会社 | 放射線発生装置および該放射線発生装置を備える放射線撮影装置 |
| US9570265B1 (en) | 2013-12-05 | 2017-02-14 | Sigray, Inc. | X-ray fluorescence system with high flux and high flux density |
| US9390881B2 (en) | 2013-09-19 | 2016-07-12 | Sigray, Inc. | X-ray sources using linear accumulation |
| US9449781B2 (en) | 2013-12-05 | 2016-09-20 | Sigray, Inc. | X-ray illuminators with high flux and high flux density |
| US10416099B2 (en) | 2013-09-19 | 2019-09-17 | Sigray, Inc. | Method of performing X-ray spectroscopy and X-ray absorption spectrometer system |
| CN105556637B (zh) | 2013-09-19 | 2019-12-10 | 斯格瑞公司 | 使用线性累加的x射线源 |
| US10297359B2 (en) | 2013-09-19 | 2019-05-21 | Sigray, Inc. | X-ray illumination system with multiple target microstructures |
| US9448190B2 (en) | 2014-06-06 | 2016-09-20 | Sigray, Inc. | High brightness X-ray absorption spectroscopy system |
| US10269528B2 (en) | 2013-09-19 | 2019-04-23 | Sigray, Inc. | Diverging X-ray sources using linear accumulation |
| US10295485B2 (en) | 2013-12-05 | 2019-05-21 | Sigray, Inc. | X-ray transmission spectrometer system |
| FR3012663B1 (fr) * | 2013-10-25 | 2015-12-04 | Thales Sa | Generateur de rayons x a capteur de flux integre |
| USRE48612E1 (en) | 2013-10-31 | 2021-06-29 | Sigray, Inc. | X-ray interferometric imaging system |
| US10304580B2 (en) | 2013-10-31 | 2019-05-28 | Sigray, Inc. | Talbot X-ray microscope |
| US9823203B2 (en) | 2014-02-28 | 2017-11-21 | Sigray, Inc. | X-ray surface analysis and measurement apparatus |
| US9594036B2 (en) | 2014-02-28 | 2017-03-14 | Sigray, Inc. | X-ray surface analysis and measurement apparatus |
| JP6381269B2 (ja) * | 2014-04-21 | 2018-08-29 | キヤノン株式会社 | ターゲットおよび前記ターゲットを備えるｘ線発生管、ｘ線発生装置、ｘ線撮影システム |
| US10401309B2 (en) | 2014-05-15 | 2019-09-03 | Sigray, Inc. | X-ray techniques using structured illumination |
| JP6452334B2 (ja) * | 2014-07-16 | 2019-01-16 | キヤノン株式会社 | ターゲット、該ターゲットを備えたｘ線発生管、ｘ線発生装置、ｘ線撮影システム |
| US10352880B2 (en) | 2015-04-29 | 2019-07-16 | Sigray, Inc. | Method and apparatus for x-ray microscopy |
| US10295486B2 (en) | 2015-08-18 | 2019-05-21 | Sigray, Inc. | Detector for X-rays with high spatial and high spectral resolution |
| US10247683B2 (en) | 2016-12-03 | 2019-04-02 | Sigray, Inc. | Material measurement techniques using multiple X-ray micro-beams |
| US10847336B2 (en) | 2017-08-17 | 2020-11-24 | Bruker AXS, GmbH | Analytical X-ray tube with high thermal performance |
| US10578566B2 (en) | 2018-04-03 | 2020-03-03 | Sigray, Inc. | X-ray emission spectrometer system |
| WO2019236384A1 (en) | 2018-06-04 | 2019-12-12 | Sigray, Inc. | Wavelength dispersive x-ray spectrometer |
| JP7117452B2 (ja) | 2018-07-26 | 2022-08-12 | シグレイ、インコーポレイテッド | 高輝度反射型ｘ線源 |
| US10656105B2 (en) | 2018-08-06 | 2020-05-19 | Sigray, Inc. | Talbot-lau x-ray source and interferometric system |
| WO2020051061A1 (en) | 2018-09-04 | 2020-03-12 | Sigray, Inc. | System and method for x-ray fluorescence with filtering |
| DE112019004478T5 (de) | 2018-09-07 | 2021-07-08 | Sigray, Inc. | System und verfahren zur röntgenanalyse mit wählbarer tiefe |
| US11152183B2 (en) | 2019-07-15 | 2021-10-19 | Sigray, Inc. | X-ray source with rotating anode at atmospheric pressure |
| KR20240141192A (ko) | 2022-01-31 | 2024-09-25 | 캐논 아네르바 가부시키가이샤 | 검사 장치 및 검사 방법 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US459437A (en) * | 1891-09-15 | bouchard | ||
| US458243A (en) * | 1891-08-25 | Knife | ||
| FR2355428A1 (fr) * | 1976-06-14 | 1978-01-13 | Elf Aquitaine | Dispositif d'irradiation a haut rendement comportant un tube generateur de rayons x avec anode fenetre |
| NL8301839A (nl) * | 1983-05-25 | 1984-12-17 | Philips Nv | Roentgenbuis met twee opvolgende lagen anodemateriaal. |
| NL8301838A (nl) * | 1983-05-25 | 1984-12-17 | Philips Nv | Roentgenbuis voor het opwekken van zachte roentgenstraling. |
| EP0432568A3 (en) * | 1989-12-11 | 1991-08-28 | General Electric Company | X ray tube anode and tube having same |
| US5258091A (en) | 1990-09-18 | 1993-11-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of producing X-ray window |
| JP3026284B2 (ja) * | 1990-09-18 | 2000-03-27 | 住友電気工業株式会社 | Ｘ線窓材とその製造方法 |
| GB9407073D0 (en) * | 1994-04-09 | 1994-06-01 | Atomic Energy Authority Uk | X-Ray windows |
| JP3724848B2 (ja) * | 1995-07-14 | 2005-12-07 | 則夫 岡田 | 光学用窓 |
| DE19544203A1 (de) * | 1995-11-28 | 1997-06-05 | Philips Patentverwaltung | Röntgenröhre, insbesondere Mikrofokusröntgenröhre |
| JP2948163B2 (ja) * | 1996-02-29 | 1999-09-13 | 株式会社東芝 | Ｘ線装置 |
| US5984853A (en) * | 1997-02-25 | 1999-11-16 | Radi Medical Systems Ab | Miniaturized source of ionizing radiation and method of delivering same |
| DE19821939A1 (de) * | 1998-05-15 | 1999-11-18 | Philips Patentverwaltung | Röntgenstrahler mit einem Flüssigmetall-Target |
| US6366639B1 (en) * | 1998-06-23 | 2002-04-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | X-ray mask, method of manufacturing the same, and X-ray exposure method |
| DE19905802A1 (de) * | 1999-02-12 | 2000-08-17 | Philips Corp Intellectual Pty | Röntgenröhre |
-
1999
- 1999-07-26 DE DE19934987A patent/DE19934987B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-07-24 US US10/030,133 patent/US6850598B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-07-24 EP EP00958290A patent/EP1198820B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-07-24 AT AT00958290T patent/ATE323947T1/de not_active IP Right Cessation
- 2000-07-24 WO PCT/EP2000/007076 patent/WO2001008195A1/de active IP Right Grant
- 2000-07-24 KR KR1020027001025A patent/KR100740266B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-07-24 DE DE50012611T patent/DE50012611D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-07-24 JP JP2001512615A patent/JP2003505845A/ja active Pending
Cited By (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009301911A (ja) * | 2008-06-13 | 2009-12-24 | Hamamatsu Photonics Kk | Ｘ線発生装置 |
| US9036786B2 (en) | 2010-12-07 | 2015-05-19 | NanoRay Biotech Co., Ltd. | Transmission type X-ray tube and reflection type X-ray tube |
| JP2012124097A (ja) * | 2010-12-10 | 2012-06-28 | Canon Inc | 放射線発生装置および放射線撮影装置 |
| US9373478B2 (en) | 2010-12-10 | 2016-06-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation generating apparatus and radiation imaging apparatus |
| WO2012169143A1 (en) | 2011-06-07 | 2012-12-13 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray emitting target and x-ray emitting device |
| WO2012169141A1 (en) | 2011-06-07 | 2012-12-13 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray emitting target and x-ray emitting device |
| US9281158B2 (en) | 2011-06-07 | 2016-03-08 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray emitting target and X-ray emitting device |
| JP2013051153A (ja) * | 2011-08-31 | 2013-03-14 | Canon Inc | 放射線発生装置及びそれを用いた放射線撮影装置 |
| US9251995B2 (en) | 2011-08-31 | 2016-02-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation generating tube and radiation imaging apparatus using the same |
| JP2013098168A (ja) * | 2011-10-28 | 2013-05-20 | Gamc Biotec Development Co Ltd | 透過型ｘ線管及び反射型ｘ線管 |
| JP2013160637A (ja) * | 2012-02-06 | 2013-08-19 | Canon Inc | ターゲット構造体及びそれを備える放射線発生装置並びに放射線撮影システム |
| WO2013118593A1 (en) | 2012-02-06 | 2013-08-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Target structure and radiation generator |
| WO2014054497A1 (ja) * | 2012-10-04 | 2014-04-10 | 東京エレクトロン株式会社 | Ｘ線発生用ターゲットの製造方法及びｘ線発生用ターゲット |
| WO2014076886A1 (en) | 2012-11-15 | 2014-05-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Transmission type target, radiation generating tube having the transmission type target, radiation generator having the radiation generating tube, and radiation imaging apparatus having the radiation generator |
| US9653249B2 (en) | 2012-11-15 | 2017-05-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Transmission type target, radiation generating tube having the transmission type target, radiation generator having the radiation generating tube, and radiation imaging apparatus having the radiation generator |
| EP2757570A2 (en) | 2013-01-18 | 2014-07-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Transmission-type x-ray target and radiation generating tube including the same |
| US9502204B2 (en) | 2013-01-18 | 2016-11-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Transmission-type X-ray target and radiation generating tube including the same |
| EP2779202A2 (en) | 2013-03-12 | 2014-09-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Transmission type target, radiation generating tube including the same, radiation generating apparatus, and radiography system |
| EP4006949A1 (en) | 2013-03-12 | 2022-06-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Transmission type target, radiation generating tube including the same, radiation generating apparatus, and radiography system |
| US10418222B2 (en) | 2013-03-12 | 2019-09-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Transmission type target, radiation generating tube including the same, radiation generating apparatus, and radiography system |
| US10105112B2 (en) | 2013-09-19 | 2018-10-23 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray generating tube, X-ray generating apparatus, and radiography system |
| US10020158B2 (en) | 2013-12-06 | 2018-07-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Transmitting-type target and X-ray generation tube provided with transmitting-type target |
| JP2018113270A (ja) * | 2013-12-06 | 2018-07-19 | キヤノン株式会社 | 透過型ターゲットおよび該透過型ターゲットを備えるｘ線発生管 |
| CN107068522A (zh) * | 2013-12-06 | 2017-08-18 | 佳能株式会社 | 透射型靶和设有透射型靶的x射线发生管 |
| CN107068522B (zh) * | 2013-12-06 | 2019-03-26 | 佳能株式会社 | 透射型靶和设有透射型靶的x射线发生管 |
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