JP2008283216A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
半導体装置の裏面電位を固定するための導電層が設けられるエッジ領域を狭くする。
【解決手段】
本発明は、素子形成領域と該素子形成領域を囲むエッジ領域とを有するベース用半導体基板と、素子形成領域のベース用半導体基板の上面に設けられる埋め込み酸化膜と、埋め込み酸化膜の上面に設けられる素子形成用半導体基板と、素子形成用半導体基板上と埋め込み酸化膜の側面とエッジ領域のベース用半導体基板の上面とに設けられる絶縁膜と、絶縁膜上に設けられるとともに素子形成領域とエッジ領域とに亘って設けられ素子形成用半導体基板上に形成される電極パッドとエッジ領域のベース用半導体基板とを直接接続する導電層と、素子形成領域上に設けられ導電層と直接接続されるように設けられる導電性柱状部材と、導電性柱状部材の側面と導電層とを封止する封止部材と、エッジ領域に設けられダイシングによって切断された側面とにより構成される半導体装置を提供するものである。
【選択図】図1
Description
化膜202の第3の面(例えば、側面)と、素子形成用半導体基板203の第3の面(例えば、側面)と、酸化膜206の第3の面(例えば、側面)とに設けられている。
層210がTi金属膜208とCu金属膜209とにより構成されている理由は、Cu金属膜209を絶縁膜207上に設けた場合、Cu金属膜209が剥がれる可能性があるからである。そのため、Cu金属膜209に比べて剥がれにくいTi金属膜208を絶縁膜207上に設け、Ti金属膜208上にCu金属膜209を設けている。
びエッジ領域120において、半導体装置300が製造される工程について説明する。
い。
202 埋め込み酸化膜
203 素子形成用半導体基板
207 絶縁膜
210 導電層
211 ポスト
212 はんだボール
801 第2の導電層
805 第2のポスト
806 第2のはんだボール
1100 第3の導電層
Claims (27)
- 素子形成領域と該素子形成領域を囲むエッジ領域とを有するベース用半導体基板と、
前記素子形成領域の前記ベース用半導体基板の上面に設けられる埋め込み酸化膜と、
前記埋め込み酸化膜の上面に設けられる素子形成用半導体基板と、
前記素子形成用半導体基板上と、前記埋め込み酸化膜の側面と、前記エッジ領域のベース用半導体基板の上面とに設けられる絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられるとともに、前記素子形成領域と前記エッジ領域とに亘って設けられ、前記素子形成用半導体基板上に形成される電極パッドと前記エッジ領域の前記ベース用半導体基板とを直接接続する導電層と、
前記素子形成領域上に設けられ、前記導電層と直接接続されるように設けられる導電性柱状部材と、
前記導電性柱状部材の側面と、前記導電層とを封止する封止部材と、
前記エッジ領域に設けられ、ダイシングによって切断された側面とにより構成される半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記導電性柱状部材の上面には、さらに球状電極が設けられることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1又は請求項2に記載の半導体装置において、
前記半導体装置の側面は、前記ベース用半導体基板と前記導電層と前記封止部材とにより構成されることを特徴とする半導体装置。 - 請求項3記載の半導体装置において、
前記エッジ領域における前記ベース用半導体基板と前記導電層との厚さの合計が、前記封止部材の厚さよりも厚いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項3記載の半導体装置において、
前記エッジ領域における前記ベース用半導体基板と前記導電層との厚さの合計が、前記封止部材の厚さよりも薄いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1又は請求項2に記載の半導体装置において、
前記半導体装置の側面は、前記ベース用半導体基板と前記封止部材とにより構成されることを特徴とする半導体装置。 - 素子形成領域と該素子形成領域を囲むエッジ領域とを有する第1の導電層と、
前記素子形成領域の前記第1の導電層上に形成されるベース用半導体基板と、
前記ベース用半導体基板の上面に設けられる埋め込み酸化膜と、
前記埋め込み酸化膜の上面に設けられる素子形成用半導体基板と、
前記素子形成用半導体基板上と、前記埋め込み酸化膜の側面と、前記エッジ領域の前記第1の導電層の上面とに設けられる絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられるとともに、前記素子形成領域と前記エッジ領域とに亘って設けられ、前記素子形成領域用半導体基板上に形成される電極パッドと前記エッジ領域の前記第1の導電層とを直接接続する第2の導電層と、
前記素子形成領域上に設けられ、前記導電層と直接接続される導電性柱状部材と、
前記導電性柱状部材の側面と、前記導電層とを封止する封止部材と、
前記エッジ領域に設けられ、ダイシングにより切断された側面とにより構成される半導体装置。 - 請求項7記載の半導体装置において、
前記半導体装置の側面は、前記封止部材と前記第1の導電層と前記第2の導電層とにより構成されることを特徴とする半導体装置。 - 請求項8記載の半導体装置において、
前記エッジ領域における前記第1の導電層と前記第2の導電層との厚さの合計が、前記封止部材の厚さよりも厚いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項9記載の半導体装置において、
前記エッジ領域における前記第1の導電層と前記第2の導電層との厚さの合計が、前記封止部材の厚さよりも薄いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項9記載の半導体装置において、
前記半導体装置の側面は、前記第1の導電層と前記封止部材とにより構成されることを特徴とする半導体装置。 - 素子形成領域と該素子形成領域を囲むエッジ領域とを有するベース用半導体基板の第1の面に、埋め込み酸化膜を介して素子形成用半導体基板を設けた半導体基板を有する半導体ウェハを準備する工程と、
前記素子形成領域の前記素子形成用半導体基板上に電極パッドを設ける工程と、
前記電極パッドの一部と前記素子形成用半導体基板上に、酸化膜を設ける工程と、
前記エッジ領域の前記酸化膜と前記素子形成用半導体基板と前記埋め込み酸化膜とを削り、前記ベース用半導体基板を露出させる工程と、
前記電極パッドの一部と、前記酸化膜上と、前記素子形成用半導体基板の側面と、前記埋め込み酸化膜の側面と、前記エッジ領域の前記ベース用半導体基板の上面の一部とに絶縁膜を設ける工程と、
前記絶縁膜上に、かつ前記電極パッドと前記エッジ領域の前記ベース用半導体基板とを直接接続するように前記素子形成領域と前記エッジ領域とに亘って、導電層を設ける工程と、
前記導電層と電気的に接続されるように、前記素子形成領域上に導電性柱状部材を設ける工程と、
前記導電性柱状部材の側面及び前記導電層を封止する工程と、
前記エッジ領域に沿って前記半導体ウェハをダイシングすることにより側面を設ける工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項12記載の半導体装置の製造方法において、
前記導電性柱状部材の上面に球状電極を設ける工程をさらに含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 素子形成領域と該素子形成領域を囲むエッジ領域とを有するベース用半導体基板の第1の面に、埋め込み酸化膜を介して素子形成用半導体基板を設けた半導体基板を有する半導体ウェハを準備する工程と、
前記素子形成領域の前記素子形成用半導体基板上に電極パッドを設ける工程と、
前記電極パッドの一部と前記素子形成用半導体基板上に、酸化膜を設ける工程と、
前記エッジ領域の前記酸化膜と前記素子形成用半導体基板と前記埋め込み酸化膜を削り、前記ベース用半導体基板を露出させる工程と、
電極パッドの一部と、前記酸化膜上とに絶縁膜を設ける工程と、
前記絶縁膜上に、かつ前記電極パッドと前記エッジ領域の前記ベース用半導体基板とを直接接続するように前記素子形成領域と前記エッジ領域とに亘って、第2の導電層を設ける工程と、
前記第2の導電層と電気的に接続されるように、前記素子形成領域上に導電性柱状部材を設ける工程と、
前記導電性柱状部材の側面及び前記第2の導電層を封止する工程と、
前記導電層及び前記絶縁膜が露出するまで前記ベース用半導体基板の下面を研削する工程と、
前記ベース用半導体基板の下面に、前記導電層と電気的に接続される第1の導電層を設ける工程と、
前記エッジ領域に沿って前記半導体ウェハを切断することにより側面を設ける工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項14記載の半導体装置の製造方法において、
前記導電性柱状部材の上面に球状電極を設ける工程をさらに含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 素子形成領域と該素子形成領域を囲むエッジ領域とを有するベース用半導体基板と、
前記素子形成領域の前記ベース用半導体基板の上面に設けられる埋め込み酸化膜と、
前記埋め込み酸化膜の上面に設けられる素子形成用半導体基板と、
前記素子形成用半導体基板上に設けられる電極パッドと、
前記電極パッドの一部と、前記素子形成用半導体基板上に設けられる酸化膜と、
前記電極パッドの一部と、前記酸化膜上と、前記素子形成用半導体基板の側面と、前記埋め込み酸化膜の側面と、前記エッジ領域の前記ベース用半導体基板の上面の一部とに設けられる絶縁膜と、
前記電極パッド上と、前記絶縁膜上の一部とに設けられる第1の導電層と、
前記絶縁膜上の一部に設けられるとともに、前記素子形成領域と前記エッジ領域とに亘って設けられ、前記エッジ領域の前記ベース用半導体基板と直接接続し、かつ前記第1の導電層とは電気的に接続していない第2の導電層と、
前記素子形成領域に設けられ、前記第1の導電層と電気的に接続される第1の導電性柱状部材と、
前記素子形成領域に設けられ、前記第2の導電層と直接接続される第2の導電性柱状部材と、
前記第1及び第2の導電性柱状部材の側面と、前記第1及び第2の導電層とを封止する封止部材と、
前記エッジ領域に形成され、ダイシングにより切断された側面と、により構成されることを特徴とする半導体装置。 - 請求項16記載の半導体装置において、
前記第1の導電性柱状部材の上面には、さらに第1の球状電極が設けられ、
前記第2の導電性柱状部材の上面には、さらに第2の柱状電極が設けられることを特徴とする半導体装置。 - 請求項16又は請求項17に記載の半導体装置において、
前記半導体装置の側面は、前記ベース用半導体基板と前記第2の導電層と前記封止部材とにより構成されることを特徴とする半導体装置。 - 請求項18記載の半導体装置において、
前記エッジ領域における前記ベース用半導体基板と前記第2の導電層との厚さの合計が、前記封止部材の厚さよりも厚いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項18記載の半導体装置において、
前記エッジ領域における前記ベース用半導体基板と前記第2の導電層との厚さの合計が、前記封止部材の厚さよりも薄いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項16又は請求項17に記載の半導体装置において、
前記半導体装置の側面は、前記ベース用半導体基板と前記封止部材とにより構成されることを特徴とする半導体装置。 - 素子形成領域と該素子形成領域を囲むエッジ領域とを有する第1の導電層と、
前記素子形成領域の前記第1の導電層上に形成されるベース用半導体基板と、
前記ベース用半導体基板の上面に設けられる埋め込み酸化膜と、
前記埋め込み酸化膜の上面に設けられる素子形成用半導体基板と、
前記素子形成用半導体基板上に設けられる電極パッドと、
前記電極パッドの一部と、前記素子形成用半導体基板上に設けられる酸化膜と、
前記電極パッドの一部と、前記酸化膜上とに設けられる絶縁膜と、
前記電極パッド上と、前記絶縁膜上の一部とに設けられる第2の導電層と、
前記絶縁膜上の一部に設けられるとともに、前記素子形成領域と前記エッジ領域とに亘って設けられ、前記ベース用半導体基板と直接に接続し、かつ前記第2の導電層とは電気的に接続していない第3の導電層と、
前記素子形成領域に設けられ、前記第2の導電層と電気的に接続される第1の導電性柱状部材と、
前記素子形成領域に設けられ、前記第3の導電層と直接的に接続される第2の導電性柱状部材と、
前記第1及び第2の導電性柱状部材の側面と、前記第2及び第3の導電層とを封止する封止部材と、
前記エッジ領域に形成され、ダイシングにより切断された側面と、により構成されることを特徴とする半導体装置。 - 請求項22記載の半導体装置において、
前記半導体装置の側面は、前記封止部材と前記第1の導電層と前記第3の導電層とにより構成されることを特徴とする半導体装置。 - 請求項23記載の半導体装置において、
前記エッジ領域における前記第1の導電層と前記第3の導電層との厚さの合計が、前記封止部材の厚さよりも厚いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項23記載の半導体装置において、
前記エッジ領域における前記第1の導電層と前記第3の導電層との厚さの合計が、前記封止部材の厚さよりも薄いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項22記載の半導体装置において、
前記半導体装置の側面は、前記第1の導電層と前記封止部材とにより構成されることを特徴とする半導体装置。 - 請求項23乃至請求項26のいずれか1つに記載の半導体装置において、
前記素子形成領域は、前記電極パッドを有する第1の領域と、前記エッジ領域と隣接する第2の領域とに分割され、該第1の領域と該第2の領域は、前記絶縁膜から前記埋め込み酸化膜まで至る第2の絶縁膜を介して隣接することを特徴とする半導体装置。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101469331B1 (ko) * | 2012-09-14 | 2014-12-04 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 웨이퍼의 스크라이브 라인 |
KR20230012364A (ko) * | 2021-07-15 | 2023-01-26 | 주식회사 네패스라웨 | 반도체 패키지 |
Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01312869A (ja) * | 1988-06-10 | 1989-12-18 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH02211668A (ja) * | 1989-02-11 | 1990-08-22 | Takehide Shirato | 半導体装置 |
JPH06177242A (ja) * | 1992-12-08 | 1994-06-24 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
JPH06232406A (ja) * | 1993-02-01 | 1994-08-19 | Canon Inc | 半導体素子基板 |
JPH06244239A (ja) * | 1993-02-19 | 1994-09-02 | Nippondenso Co Ltd | 半導体装置 |
JPH0714800A (ja) * | 1993-04-30 | 1995-01-17 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | シリコン・オン・インシュレータ(soi)ウエハのシリコン基板の表側表面にコンタクトを形成する方法 |
JPH08162642A (ja) * | 1994-12-07 | 1996-06-21 | Nippondenso Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH09223802A (ja) * | 1996-02-15 | 1997-08-26 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH10321868A (ja) * | 1997-04-04 | 1998-12-04 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 埋め込みsoi構造への電気接点を有する半導体デバイスおよびその製造方法 |
JPH1187526A (ja) * | 1997-06-25 | 1999-03-30 | Commiss Energ Atom | マイクロエレクトロニクス素子とエッチング困難な半導体材料と金属化された孔とを備えた構造 |
JPH11195712A (ja) * | 1997-11-05 | 1999-07-21 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH11289052A (ja) * | 1998-01-13 | 1999-10-19 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 半導体チップのための埋め込み型熱導体 |
JPH11354631A (ja) * | 1998-06-11 | 1999-12-24 | Nec Kansai Ltd | 半導体装置 |
JP2000183090A (ja) * | 1998-12-10 | 2000-06-30 | Sanyo Electric Co Ltd | チップサイズパッケージ及びその製造方法 |
JP2000243900A (ja) * | 1999-02-23 | 2000-09-08 | Rohm Co Ltd | 半導体チップおよびそれを用いた半導体装置、ならびに半導体チップの製造方法 |
-
2008
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Patent Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01312869A (ja) * | 1988-06-10 | 1989-12-18 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH02211668A (ja) * | 1989-02-11 | 1990-08-22 | Takehide Shirato | 半導体装置 |
JPH06177242A (ja) * | 1992-12-08 | 1994-06-24 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
JPH06232406A (ja) * | 1993-02-01 | 1994-08-19 | Canon Inc | 半導体素子基板 |
JPH06244239A (ja) * | 1993-02-19 | 1994-09-02 | Nippondenso Co Ltd | 半導体装置 |
JPH0714800A (ja) * | 1993-04-30 | 1995-01-17 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | シリコン・オン・インシュレータ(soi)ウエハのシリコン基板の表側表面にコンタクトを形成する方法 |
JPH08162642A (ja) * | 1994-12-07 | 1996-06-21 | Nippondenso Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH09223802A (ja) * | 1996-02-15 | 1997-08-26 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH10321868A (ja) * | 1997-04-04 | 1998-12-04 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 埋め込みsoi構造への電気接点を有する半導体デバイスおよびその製造方法 |
JPH1187526A (ja) * | 1997-06-25 | 1999-03-30 | Commiss Energ Atom | マイクロエレクトロニクス素子とエッチング困難な半導体材料と金属化された孔とを備えた構造 |
JPH11195712A (ja) * | 1997-11-05 | 1999-07-21 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH11289052A (ja) * | 1998-01-13 | 1999-10-19 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 半導体チップのための埋め込み型熱導体 |
JPH11354631A (ja) * | 1998-06-11 | 1999-12-24 | Nec Kansai Ltd | 半導体装置 |
JP2000183090A (ja) * | 1998-12-10 | 2000-06-30 | Sanyo Electric Co Ltd | チップサイズパッケージ及びその製造方法 |
JP2000243900A (ja) * | 1999-02-23 | 2000-09-08 | Rohm Co Ltd | 半導体チップおよびそれを用いた半導体装置、ならびに半導体チップの製造方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101469331B1 (ko) * | 2012-09-14 | 2014-12-04 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 웨이퍼의 스크라이브 라인 |
US8952497B2 (en) | 2012-09-14 | 2015-02-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Scribe lines in wafers |
KR20230012364A (ko) * | 2021-07-15 | 2023-01-26 | 주식회사 네패스라웨 | 반도체 패키지 |
KR102578885B1 (ko) | 2021-07-15 | 2023-09-15 | 네패스 하임 | 반도체 패키지 |
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