JP2008258540A - 単結晶シリコン太陽電池の製造方法及び単結晶シリコン太陽電池 - Google Patents
単結晶シリコン太陽電池の製造方法及び単結晶シリコン太陽電池 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 単結晶シリコン基板に水素イオンまたは希ガスイオンを注入する工程と、金属基板上に透明絶縁性層を形成する工程と、前記イオン注入面と前記透明絶縁性層の表面とのうち少なくとも一方に表面活性化処理を行う工程と、その両者を貼り合わせる工程と、前記単結晶シリコン基板を機械的に剥離して、単結晶シリコン層とする工程と、前記単結晶シリコン層の前記剥離面側に、第二導電型の拡散領域を複数形成し、前記単結晶シリコン層の前記剥離面に複数の第一導電型領域と複数の第二導電型領域とが存在するようにする工程と、前記単結晶シリコン層の前記複数の第一、第二導電型領域上にそれぞれ複数の個別電極を形成する工程と、それぞれの集電電極を形成する工程と、透明保護膜を形成する工程とを含む単結晶シリコン太陽電池の製造方法。
【選択図】 図1
Description
そして、このような工程を含む単結晶シリコン太陽電池の製造方法によれば、光変換層としての単結晶シリコン層の形成を、単結晶シリコン基板から剥離することによって行うので、該単結晶シリコン層の結晶性を高めることができる。その結果、太陽電池としての変換効率をより高めることができる。
また、単結晶シリコン層の形成のための単結晶シリコン基板の剥離を、加熱によらず機械剥離によって行うので、光変換層に熱膨張率の相違に基づく亀裂や欠陥が導入されることを抑制することができる。
また、金属基板を薄いフィルム状の基板とすることで、曲面状に広げたり、ロール状に収納し、必要に応じて広げて利用する太陽電池とすることができる。
このように、金属基板を、可視光に対して60%以上の反射率を有するものとすれば、薄膜単結晶シリコン層を透過した可視光が金属基板界面で高反射率で反射され、再び該薄膜単結晶シリコン層で吸収されて光電変換される光閉じ込め構造を容易に作製することができる。
このように、透明絶縁性層を、酸化珪素、窒化珪素、酸化アルミニウムのうち少なくとも一種を含むものとすれば、貼り合わせに最適な清浄面を得ることが容易となり、また、貼り合わせ面から単結晶シリコン層への金属成分の拡散を防止することができる。
このように、表面活性化処理を、プラズマ処理またはオゾン処理の少なくとも一方とすれば、容易に表面活性化を行うことができ、単結晶シリコン基板と金属基板上の透明絶縁性層とを強固に貼り合わせることができる。
このように、イオン注入の深さを、イオン注入面から2μm以上50μm以下とすることにより、製造される単結晶シリコン太陽電池の光変換層としての単結晶シリコン層の厚さをおよそ2μm以上50μm以下とすることができる。そして、このような厚さの薄膜単結晶シリコン層を有する単結晶シリコン太陽電池であれば、薄膜単結晶シリコン太陽電池として実用的な変換効率が得られるとともに、使用する珪素原料の量を節約することができる。
このように、上記のいずれかの単結晶シリコン太陽電池の製造方法によって製造された単結晶シリコン太陽電池であれば、光変換層としての単結晶シリコン層の形成を、単結晶シリコン基板から剥離することによって行い、単結晶シリコン層の剥離を、加熱によらず機械剥離によって行ったものであるので、結晶性の高い単結晶シリコン層とすることができる。そのため、膜厚に比して変換効率が高い薄膜太陽電池とすることができる。また、受光面とは反対側に金属の光反射層を有する光閉じ込め型構造とすることができる。
このように、金属基板が、可視光に対して60%以上の反射率を有するものであれば、薄膜単結晶シリコン層を透過した可視光が金属基板界面で高反射率で反射され、再び該薄膜単結晶シリコン層で吸収されて光電変換される太陽電池とすることができる。
このように、透明絶縁性層が、酸化珪素、窒化珪素、酸化アルミニウムのうち少なくとも一種を含むものであれば、金属基板から単結晶シリコン層への金属成分の拡散を防止することができる。
このように、単結晶シリコン層の膜厚が2μm以上50μm以下であれば、薄膜単結晶シリコン太陽電池として実用的な変換効率が得られるとともに、使用する珪素原料の量を節約することができる。
また、本発明に従う単結晶シリコン太陽電池であれば、金属基板上に、光変換層として、結晶性が良好であり、変換効率の高い単結晶シリコン層が配置された光閉じ込め型薄膜太陽電池であるので、膜厚に比して変換効率が高い太陽電池とすることができる。
図1は、本発明に係る単結晶シリコン太陽電池の製造方法の一例を示す工程図である。
単結晶シリコン基板11としては種々のものを用いることができ、例えばチョクラルスキー法により育成された単結晶をスライスして得られたもので、例えば直径が100〜300mm、導電型がp型またはn型、抵抗率が0.1〜20Ω・cm程度のものを用いることができる。厚さも特に限定されず、例えば500〜2000μm程度のものを用いることができる。
なお、このときに準備した単結晶シリコン基板の導電型を第一導電型とする。
例えば、単結晶シリコン基板の温度を200〜350℃とし、その表面13から所望の単結晶シリコン層の厚さに対応する深さ、例えば2μm以上50μm以下の深さにイオン注入層14を形成できるような注入エネルギーで、所定の線量の水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一方を注入する。この場合、水素イオンは軽いために、同じ加速エネルギーにおいて、イオン注入面13からより深く注入されるために特に好ましい。水素イオンの電荷は正負のいずれでもよく、原子イオンの他、水素ガスイオンであってもよい。希ガスイオンの場合も電荷の正負はいずれでもよい。
また、単結晶シリコン基板の表面にあらかじめ薄いシリコン酸化膜などの絶縁膜を形成しておき、それを通してイオン注入を行えば、注入イオンのチャネリングを抑制する効果が得られる。
透明絶縁性層15としては、酸化珪素、窒化珪素、酸化アルミニウムのうち少なくとも一種を含むものとすることが好ましい。このような材料の透明絶縁性層とすれば、工程eの単結晶シリコン基板11との貼り合わせに最適な清浄面を得ることが容易となり、また、工程eの貼り合わせ工程以降において、貼り合わせ面から単結晶シリコン層への金属成分が拡散することを防止することができる。
また、透明絶縁性層15の表面は、工程eの貼り合わせ工程の際の接合強度を高めるために、表面が十分に平坦化されたものであることが望ましい。このような高平坦度の表面は、例えば研磨等により表面を平坦化することによって実現できる。
この表面活性化処理は、次の工程eの貼り合わせ工程で、高温の熱処理をせずとも単結晶シリコン基板11と金属基板12上の透明絶縁性層15の表面とが強固に貼り合わせられるようにするためのものであり、貼り合わせようとする側の表面を活性化処理することを目的とするものである。また、その方法は特に限定されないが、プラズマ処理またはオゾン処理の少なくとも一方によって好適に行うことができる。
工程dにおいて、単結晶シリコン基板のイオン注入面13または金属基板12上の透明絶縁性層15の表面の少なくとも一方が表面活性化処理されているので、両者を例えば減圧または常圧下、室温〜250℃程度、好ましくは室温程度の温度下で密着させるだけで後工程での機械的剥離に耐え得る強度で強く接合できる。
この貼り合わせ工程は、室温から250℃前後までの温度条件で行うものとし、300℃以上の高温の熱処理は行わない。単結晶シリコン基板11と、金属基板12上の透明絶縁性層15を貼り合わせた状態で300℃以上の高温熱処理を行うと、それぞれの層の熱膨張係数の違いから、熱歪、ひび割れ、剥離等が発生するおそれがあるためである。このように、300℃以上の高温熱処理を行わないようにすることは、後述する工程fの単結晶シリコン基板11の剥離転写が終了するまでは同様である。
本発明においてはイオン注入層に衝撃を与えて機械的剥離を行うので、加熱に伴う熱歪、ひび割れ、剥離等が発生するおそれがない。イオン注入層に衝撃を与えるためには、例えばガスや液体等の流体のジェットを接合したウエーハの側面から連続的または断続的に吹き付ければよいが、衝撃により機械的剥離が生じる方法であれば特に限定はされない。
また、第二導電型の拡散領域を複数形成する一方、該複数の第二導電型の拡散領域の間に、第一導電型の高濃度拡散領域を形成してもよい。例えば、上記のp型のシリコン基板に複数の領域にリンなどを拡散してn型の拡散領域を形成する場合、硼素などのアクセプターを形成する元素を、上記の複数のn型の拡散領域の間に同様の手法により拡散及び活性化処理して複数のp+領域を形成してもよい。
例えば、単結晶シリコン層17の表面に、金属または透明導電性材料を用いて、真空蒸着法または化成スパッタ法等により、複数の第一導電型領域21上にそれぞれ複数の第一の個別電極23を形成し、複数の第二導電型領域22上にそれぞれ複数の第二の個別電極24を形成する。また、金属等を含むペースト状の個別電極形成用組成物を上記所定の領域に印刷法などにより塗布し、熱処理によって硬化させる方法等であってもよく、種々の公知の方法を採用することができる。
なお、このとき、第一の個別電極23が第二導電型領域22に接合しないようにし、第二の個別電極24が第一導電型領域21に接合しないようにする。
このときの結線の態様は特に限定されないが、第一の集電電極25が、第二導電型領域22や第二の個別電極24に接触しないようにし、第二の集電電極26が、第一導電型領域21や第一の個別電極23に接触しないようにする。
このように第一の集電電極25と第二の集電電極26を形成することで、複数の第一の個別電極23、複数の第二の個別電極24で収集された電子及びホールを効率よく取り出すことができる。
この透明保護膜27は、第一の個別電極23及び第一の集電電極25と、第二の個別電極24及び第二の集電電極26とが短絡しないように絶縁性のものとする。単結晶シリコン層17上に形成した各種電極を埋め込むようにして透明保護膜27を形成する。なお、図1(j)では第一の集電電極25と第二の集電電極26の図示を省略している。
なお、透明保護膜27の材料は特に限定されないが、可視光の透過率が高いものが望ましい。例えば、酸化珪素や窒化珪素、酸化アルミニウム等とすることができる。また、透明保護膜27を形成する方法も特に限定されない。例えば、上記の酸化珪素や窒化珪素、酸化アルミニウム等であれば、各種CVD法や、反応性スパッタ法等の堆積法により透明保護膜27を形成することができる。
なお、透明保護膜27や透明絶縁性層15の全ての領域が光散乱性を有する必要はなく、一部が光散乱性を有するようにしてもよい。例えば、透明保護膜27の表面を0.1μm程度以上の凹凸を有する粗面とすることなどによって光散乱性を付加することができる。
(実施例1)
単結晶シリコン基板11として、直径200mm(8インチ)、結晶面(100)、p型、面抵抗15Ωcmの単結晶シリコン基板を用意した。また、金属基板12として、厚さ200μm、直径200mmのステンレス(SUS304)に銀を蒸着法により20nm蒸着させた基板(銀蒸着ステンレス基板)を用意した(工程a)。
次に、単結晶シリコン基板の一方の主表面(後の工程でイオン注入する面13)をCMP研磨により、表面の粗さを0.5nm以下とした。次に、この研磨した表面13に、加速電圧350keVで水素プラスイオンをドーズ量1.0×1017/cm2の条件で注入した(工程b)。イオン注入層14の深さはイオン注入面13からおよそ3μmとなった。
次に、上記表面活性化処理を行った表面同士を貼り合わせ面として、単結晶シリコン基板11と透明絶縁性層15が形成された金属基板12とを強固に貼り合せた(工程e)。
また、剥離転写された単結晶シリコン層17にフラッシュランプアニール法により表面が瞬間的に700℃となる条件で照射熱処理し、水素注入ダメージを回復した。
次に、取り出し電極部分を除いた表面に、反応性スパッタ法により窒化珪素の皮膜(透明保護膜27)を形成した(工程j)。
光変換層が3μmと非常に薄い薄膜単結晶シリコン太陽電池であるにも関わらず、高い変換効率が得られた。光変換層であるシリコン層が、結晶性の良い単結晶シリコンであり、裏面が金属の光反射層である光閉じ込め構造としたことによりこのような高い変換効率が得られたものと考えられる。
13…イオン注入面、 14…イオン注入層、
15…透明絶縁性層、
17…単結晶シリコン層、
21…第一導電型領域、 22…第二導電型領域、
23…第一の個別電極、 24…第二の個別電極、
25…第一の集電電極、 26…第二の集電電極、
27…透明保護膜、
31…単結晶シリコン太陽電池。
Claims (14)
- 少なくとも、金属基板と、光変換層としての単結晶シリコン層と、透明保護膜とが積層され、前記透明保護膜側を受光面とする単結晶シリコン太陽電池を製造する方法であって、少なくとも、
金属基板と第一電導型の単結晶シリコン基板とを用意する工程と、
前記単結晶シリコン基板に水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一方を注入して、イオン注入層を形成する工程と、
前記金属基板上に、透明絶縁性層を形成する工程と、
前記単結晶シリコン基板のイオン注入面と前記金属基板上の透明絶縁性層の表面とのうち少なくとも一方に表面活性化処理を行う工程と、
前記単結晶シリコン基板のイオン注入面と前記金属基板上の透明絶縁性層の表面とを貼り合わせる工程と、
前記イオン注入層に衝撃を与えて前記単結晶シリコン基板を機械的に剥離して、単結晶シリコン層とする工程と、
前記単結晶シリコン層の前記剥離面側に、前記第一導電型とは異なる導電型である第二導電型の拡散領域を複数形成し、少なくとも面方向にpn接合を複数形成するとともに前記単結晶シリコン層の前記剥離面に複数の第一導電型領域と複数の第二導電型領域とが存在するようにする工程と、
前記単結晶シリコン層の前記複数の第一導電型領域上にそれぞれ複数の第一の個別電極を形成し、前記複数の第二導電型領域上にそれぞれ複数の第二の個別電極を形成する工程と、
前記複数の第一の個別電極をつなぐ第一の集電電極及び前記複数の第二の個別電極をつなぐ第二の集電電極を形成する工程と、
前記複数の第一導電型領域及び複数の第二導電型領域を覆う透明保護膜を形成する工程と
を含むことを特徴とする単結晶シリコン太陽電池の製造方法。 - 前記金属基板を、可視光に対して60%以上の反射率を有するものとすることを特徴とする請求項1に記載の単結晶シリコン太陽電池の製造方法。
- 前記透明絶縁性層を、酸化珪素、窒化珪素、酸化アルミニウムのうち少なくとも一種を含むものとすることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の単結晶シリコン太陽電池の製造方法。
- 前記表面活性化処理を、プラズマ処理またはオゾン処理の少なくとも一方とすることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載の単結晶シリコン太陽電池の製造方法。
- 前記イオン注入の深さを、イオン注入面から2μm以上50μm以下とすることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか一項に記載の単結晶シリコン太陽電池の製造方法。
- 前記透明絶縁性層を、光散乱性を有するものとすることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか一項に記載の単結晶シリコン太陽電池の製造方法。
- 前記透明保護膜を、光散乱性を有するものとすることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか一項に記載の単結晶シリコン太陽電池の製造方法。
- 請求項1ないし請求項7のいずれか一項に記載の単結晶シリコン太陽電池の製造方法によって製造されたことを特徴とする単結晶シリコン太陽電池。
- 少なくとも、金属基板と、透明絶縁性層と、単結晶シリコン層と、透明保護膜とが順次積層され、前記単結晶シリコン層は、前記透明保護膜側の面に、複数の第一導電型領域と複数の第二導電型領域とが形成され、少なくとも面方向にpn接合が複数形成されているものであり、前記単結晶シリコン層の前記複数の第一導電型領域上にはそれぞれ複数の第一の個別電極が形成され、前記複数の第二導電型領域上にはそれぞれ複数の第二の個別電極が形成されており、前記複数の第一の個別電極をつなぐ第一の集電電極及び前記複数の第二の個別電極をつなぐ第二の集電電極が形成されているものであることを特徴とする単結晶シリコン太陽電池。
- 前記金属基板は、可視光に対して60%以上の反射率を有するものであることを特徴とする請求項9に記載の単結晶シリコン太陽電池。
- 前記透明絶縁性層は、酸化珪素、窒化珪素、酸化アルミニウムのうち少なくとも一種を含むものであることを特徴とする請求項9または請求項10に記載の単結晶シリコン太陽電池。
- 前記単結晶シリコン層の膜厚は、2μm以上50μm以下であることを特徴とする請求項9ないし請求項11のいずれか一項に記載の単結晶シリコン太陽電池。
- 前記透明絶縁性層は、光散乱性を有するものであることを特徴とする請求項9ないし請求項12のいずれか一項に記載の単結晶シリコン太陽電池。
- 前記透明保護膜は、光散乱性を有するものであることを特徴とする請求項9ないし請求項13のいずれか一項に記載の単結晶シリコン太陽電池。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100967903B1 (ko) * | 2008-12-29 | 2010-07-06 | 한국과학기술원 | 적층형 태양전지 및 상기 태양전지의 제조방법 |
WO2011053025A3 (ko) * | 2009-10-28 | 2011-09-22 | 엘지이노텍주식회사 | 태양전지 및 이의 제조방법 |
JP2016502283A (ja) * | 2012-12-21 | 2016-01-21 | サンパワー コーポレイション | 薄いシリコン太陽電池の金属箔援用製造 |
JP2016511555A (ja) * | 2013-03-13 | 2016-04-14 | サンパワー コーポレイション | 太陽電池の製作における改善された低粘度印刷のための湿式化学研磨のための方法 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008112848A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-05-15 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 単結晶シリコン太陽電池の製造方法及び単結晶シリコン太陽電池 |
JP2008112847A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-05-15 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 単結晶シリコン太陽電池の製造方法及び単結晶シリコン太陽電池 |
JP2008112840A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-05-15 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 単結晶シリコン太陽電池の製造方法及び単結晶シリコン太陽電池 |
JP2008112843A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-05-15 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 単結晶シリコン太陽電池の製造方法及び単結晶シリコン太陽電池 |
CN101281912B (zh) * | 2007-04-03 | 2013-01-23 | 株式会社半导体能源研究所 | Soi衬底及其制造方法以及半导体装置 |
US8623137B1 (en) * | 2008-05-07 | 2014-01-07 | Silicon Genesis Corporation | Method and device for slicing a shaped silicon ingot using layer transfer |
FR2943848B1 (fr) * | 2009-03-27 | 2012-02-03 | Jean Pierre Medina | Procede et machine de fabrication d'un semi-conducteur, du type cellule photovoltaique ou composant electronique similaire |
KR20110047861A (ko) * | 2009-10-30 | 2011-05-09 | 삼성전자주식회사 | 태양 전지 및 이의 제조 방법 |
WO2011079134A1 (en) * | 2009-12-21 | 2011-06-30 | University Of Houston | Vertically stacked photovoltaic and thermal solar cell |
CN101814554A (zh) * | 2010-03-31 | 2010-08-25 | 北京科技大学 | 一种薄膜太阳能电池的结构设计方法 |
CN102842629A (zh) * | 2011-06-21 | 2012-12-26 | 张国生 | 一种以金属基板为电池膜层衬底或者封装材料的薄膜太阳能电池 |
CN104600159A (zh) * | 2015-01-22 | 2015-05-06 | 江西瑞晶太阳能科技有限公司 | 抗pid晶体硅电池的高频放电制备法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001111080A (ja) * | 1999-10-14 | 2001-04-20 | Sony Corp | 半導体素子の製造方法 |
JP2003298088A (ja) * | 2002-04-02 | 2003-10-17 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | シリコン系薄膜光電変換装置 |
JP2005347444A (ja) * | 2004-06-02 | 2005-12-15 | Canon Inc | 光起電力素子 |
Family Cites Families (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0078541B1 (en) * | 1981-11-04 | 1991-01-16 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Flexible photovoltaic device |
US4427839A (en) | 1981-11-09 | 1984-01-24 | General Electric Company | Faceted low absorptance solar cell |
JPS63287077A (ja) | 1987-05-20 | 1988-11-24 | Hitachi Ltd | 光電変換デバイス |
US4927770A (en) | 1988-11-14 | 1990-05-22 | Electric Power Research Inst. Corp. Of District Of Columbia | Method of fabricating back surface point contact solar cells |
JPH03147346A (ja) | 1989-11-01 | 1991-06-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体発光素子用チップの自動検査器 |
US5030295A (en) * | 1990-02-12 | 1991-07-09 | Electric Power Research Institut | Radiation resistant passivation of silicon solar cells |
FR2681472B1 (fr) | 1991-09-18 | 1993-10-29 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication de films minces de materiau semiconducteur. |
JP2821830B2 (ja) | 1992-05-14 | 1998-11-05 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 半導体薄膜素子その応用装置および半導体薄膜素子の製造方法 |
JP3360919B2 (ja) | 1993-06-11 | 2003-01-07 | 三菱電機株式会社 | 薄膜太陽電池の製造方法,及び薄膜太陽電池 |
JPH07106617A (ja) | 1993-09-30 | 1995-04-21 | Canon Inc | 透明電極及びその形成方法並びに該透明電極を用いた太陽電池 |
JP3381443B2 (ja) | 1995-02-02 | 2003-02-24 | ソニー株式会社 | 基体から半導体層を分離する方法、半導体素子の製造方法およびsoi基板の製造方法 |
JP3628108B2 (ja) | 1996-06-10 | 2005-03-09 | 株式会社イオン工学研究所 | 太陽電池の製造方法 |
JPH1093122A (ja) | 1996-09-10 | 1998-04-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜太陽電池の製造方法 |
ATE261612T1 (de) | 1996-12-18 | 2004-03-15 | Canon Kk | Vefahren zum herstellen eines halbleiterartikels unter verwendung eines substrates mit einer porösen halbleiterschicht |
US5956571A (en) | 1997-05-02 | 1999-09-21 | Yang; Mei-Hua | Solar battery with thin film type of single crystal silicon |
US6146979A (en) | 1997-05-12 | 2000-11-14 | Silicon Genesis Corporation | Pressurized microbubble thin film separation process using a reusable substrate |
JPH114008A (ja) | 1997-06-11 | 1999-01-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜太陽電池の製造方法 |
US5972732A (en) | 1997-12-19 | 1999-10-26 | Sandia Corporation | Method of monolithic module assembly |
US6331208B1 (en) | 1998-05-15 | 2001-12-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing solar cell, process for producing thin-film semiconductor, process for separating thin-film semiconductor, and process for forming semiconductor |
JP3385972B2 (ja) | 1998-07-10 | 2003-03-10 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせウェーハの製造方法および貼り合わせウェーハ |
US6391743B1 (en) | 1998-09-22 | 2002-05-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for producing photoelectric conversion device |
US6555443B1 (en) | 1998-11-11 | 2003-04-29 | Robert Bosch Gmbh | Method for production of a thin film and a thin-film solar cell, in particular, on a carrier substrate |
DE19936941B4 (de) | 1998-11-11 | 2008-11-06 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung dünner Schichten, insbesondere Dünnschichtsolarzellen, auf einem Trägersubstrat |
JP2000150940A (ja) | 1998-11-18 | 2000-05-30 | Denso Corp | 半導体微粒子集合体及びその製造方法 |
JP2001189477A (ja) | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Komatsu Ltd | 光電変換装置の製造方法及び光電変換装置 |
JP2001217443A (ja) | 2000-02-04 | 2001-08-10 | Sony Corp | 半導体素子およびその製造方法、太陽電池およびその製造方法ならびに半導体素子を用いた光学素子 |
JP2001284616A (ja) | 2000-04-03 | 2001-10-12 | Toyota Motor Corp | 熱光発電装置用光電変換素子 |
JP2003017723A (ja) | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体薄膜の製造方法及び太陽電池の製造方法 |
US7716126B2 (en) * | 2001-07-26 | 2010-05-11 | U-Pickit.Com, Inc. | Method of facilitating participation in lotteries |
US7176528B2 (en) | 2003-02-18 | 2007-02-13 | Corning Incorporated | Glass-based SOI structures |
JP2004304622A (ja) | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性表面波デバイス及びその製造方法 |
US7235461B2 (en) | 2003-04-29 | 2007-06-26 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Method for bonding semiconductor structures together |
JP4594601B2 (ja) | 2003-05-16 | 2010-12-08 | 日立電線株式会社 | 結晶シリコン系薄膜太陽電池の製造方法及びそれを用いて形成した太陽電池 |
US7700869B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-04-20 | Guardian Industries Corp. | Solar cell low iron patterned glass and method of making same |
JP2008532317A (ja) | 2005-02-28 | 2008-08-14 | シリコン・ジェネシス・コーポレーション | レイヤ転送プロセス用の基板強化方法および結果のデバイス |
JP4728030B2 (ja) | 2005-04-14 | 2011-07-20 | 信越化学工業株式会社 | Soiウエーハの製造方法 |
JP5128761B2 (ja) | 2005-05-19 | 2013-01-23 | 信越化学工業株式会社 | Soiウエーハの製造方法 |
JP2008112848A (ja) | 2006-10-30 | 2008-05-15 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 単結晶シリコン太陽電池の製造方法及び単結晶シリコン太陽電池 |
JP5090716B2 (ja) | 2006-11-24 | 2012-12-05 | 信越化学工業株式会社 | 単結晶シリコン太陽電池の製造方法 |
JP5166745B2 (ja) | 2007-03-07 | 2013-03-21 | 信越化学工業株式会社 | 単結晶シリコン太陽電池の製造方法 |
-
2007
- 2007-04-09 JP JP2007101781A patent/JP5048380B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-03-25 US US12/076,916 patent/US8129612B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-03-28 EP EP08006092.4A patent/EP1981092B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-04-08 CN CN2008100909771A patent/CN101286537B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001111080A (ja) * | 1999-10-14 | 2001-04-20 | Sony Corp | 半導体素子の製造方法 |
JP2003298088A (ja) * | 2002-04-02 | 2003-10-17 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | シリコン系薄膜光電変換装置 |
JP2005347444A (ja) * | 2004-06-02 | 2005-12-15 | Canon Inc | 光起電力素子 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100967903B1 (ko) * | 2008-12-29 | 2010-07-06 | 한국과학기술원 | 적층형 태양전지 및 상기 태양전지의 제조방법 |
WO2011053025A3 (ko) * | 2009-10-28 | 2011-09-22 | 엘지이노텍주식회사 | 태양전지 및 이의 제조방법 |
KR101091405B1 (ko) | 2009-10-28 | 2011-12-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조방법 |
US8987585B2 (en) | 2009-10-28 | 2015-03-24 | Lg Innotek Co., Ltd. | Solar cell and method fabricating the same |
JP2016502283A (ja) * | 2012-12-21 | 2016-01-21 | サンパワー コーポレイション | 薄いシリコン太陽電池の金属箔援用製造 |
JP2016511555A (ja) * | 2013-03-13 | 2016-04-14 | サンパワー コーポレイション | 太陽電池の製作における改善された低粘度印刷のための湿式化学研磨のための方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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