JP2008156622A - 高分子電解質膜の製造方法及び高分子電解質膜 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】(i)高分子電解質を有機溶媒に溶解して高分子電解質溶液を調製する調製工程、(ii)連続的に走行している支持基材に、前記(i)で得られた高分子電解質溶液を流延塗布して、積層フィルム1を連続的に得る塗布工程、(iii)前記(ii)で得られた積層フィルム1を、乾燥炉を通過させて積層フィルム2を連続的に得る乾燥工程
を有する高分子電解質膜の製造方法であって、
前記(iii)における、積層フィルム1の乾燥炉中での滞留時間が50分以内であり、乾燥炉を通過した直後の積層フィルム2にある高分子電解質膜中間体中の残留有機溶媒濃度が40重量%以下であることを特徴とする、高分子電解質膜の連続的製造方法。
【選択図】なし
Description
ところで、固体高分子型燃料電池(以下、単に「燃料電池」と呼ぶことがある)に適用される高分子電解質膜に要望される特性として、高いプロトン伝導度と優れた吸水時の寸法安定性(以下、「吸水寸法安定性」と呼ぶ。)が挙げられている。これらを高水準で達成する高分子電解質として、特許文献4には、スルホン酸基を有するブロックと、スルホン酸基を実質的に有さないブロックとからなるブロック共重合体が前記燃料電池のプロトン伝導膜に適した高分子電解質となることが提案されている。
本発明は、このような問題点を解決し、高度のイオン伝導性と吸水寸法安定性を実現し得る高分子電解質膜の工業的に有用な連続的製造方法を提供するものである。
即ち、本発明は、
<1>(i)イオン交換基を有するイオン伝導性高分子を含む高分子電解質を、該高分子電解質を溶解し得る有機溶媒に溶解して高分子電解質溶液を調製する調製工程、
(ii)連続的に走行している支持基材に、前記(i)で得られた高分子電解質溶液を流延塗布して、支持基材とイオン伝導性高分子を含有する層とが積層されてなる積層フィルム1を連続的に得る塗布工程、
(iii)前記(ii)で得られた積層フィルム1を、乾燥炉を通過させて、前記イオン伝導性高分子を含有する層に残存する前記有機溶媒を除去して、支持基材と高分子電解質膜中間体とが積層されてなる積層フィルム2を連続的に得る乾燥工程
を有する高分子電解質膜の製造方法であって、
前記(iii)における、積層フィルム1の乾燥炉中での滞留時間が50分以内であり、乾燥炉を通過した直後の積層フィルム2にある高分子電解質膜中間体中の残留有機溶媒濃度が40重量%以下であることを特徴とする、高分子電解質膜の連続的製造方法、
を提供するものである。
<2>前記乾燥炉が、60〜130℃の加熱ゾーンを有することを特徴とする、<1>の高分子電解質膜の連続的製造方法。
<3>前記乾燥炉に入炉する直前の積層フィルム1にあるイオン伝導性高分子を含有する層中の残留有機溶媒濃度が70重量%を越えることを特徴とする、<1>又は<2>の高分子電解質膜の連続的製造方法。
<4>さらに、(iv)前記(iii)で得られた積層フィルム2を巻芯に巻取る巻取り工程を有することを特徴とする、<1>〜<3>のいずれかの高分子電解質膜の連続的製造方法。
<6>前記イオン伝導性高分子が、下記式(1a)、(2a)、(3a)及び(4a)[以下、「(1a)〜(4a)」のように略記することがある。]
(式中、Ar1〜Ar9は、互いに独立に、主鎖を構成する芳香族環を有し、さらに芳香環を有する側鎖を有してもよい2価の芳香族基を表し、該主鎖を構成する芳香環または側鎖の芳香環の少なくともどちらか一方の芳香環に直接結合したイオン交換基を有する。Z、Z’は、互いに独立にカルボニル基(−CO−)又はスルホニル基(−SO2−)を表し、X、X’、X”は互いに独立にオキシ基(−O−)又はチオキシ基(−S−)を表す。Yは直接結合もしくは下記式(100)で示される基を表す。pは0、1又は2を表し、q、rは互いに独立に1、2又は3を表す。)
から選ばれるイオン交換基を有する構造単位1種以上と、
下記式(1b)、(2b)、(3b)及び(4b)[以下、「(1b)〜(4b)」のように略記することがある。]
(式中、Ar11〜Ar19は、互いに独立に側鎖としての置換基を有していてもよい2価の芳香族基を表す。Z、Z’は、互いに独立にカルボニル基(−CO−)又はスルホニル基(−SO2−)を表し、X、X’、X”は互いに独立にオキシ基(−O−)又はチオキシ基(−S−)を表す。Yは直接結合もしくは下記式(100)で示される基を表す。p’は0、1又は2を表し、q’、r’は互いに独立に1、2又は3を表す。)
から選ばれるイオン交換基を有さない構造単位1種以上とを有することを特徴とする、<1>〜<5>のいずれかの高分子電解質膜の連続的製造方法
(式中、Ra及びRbは互いに独立に、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数1〜10のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜10のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数6〜18のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数6〜18のアリールオキシ基又は置換基を有していてもよい炭素数2〜20のアシル基を表し、RaとRbが連結してそれらが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。)
<7>前記イオン伝導性高分子が、イオン交換基を有するブロック(A)と、イオン交換基を実質的に有さないブロック(B)とを、それぞれ一つ以上有し、共重合様式がブロック共重合又はグラフト共重合の共重合体であることを特徴とする、<1>〜<7>のいずれかの高分子電解質膜の連続的製造方法。
<8>前記イオン伝導性高分子が、前記イオン交換基を有するブロック(A)として、イオン交換基が主鎖を構成する芳香族環に直接結合しているブロックを有することを特徴とする、<7>の高分子電解質膜の連続的製造方法。
<9>前記イオン伝導性高分子が、イオン交換基を有するブロック(A)として、下記式(4a’)で表されるブロックを有し、
(式中、Ar9は前記式(4a)のものと同じであり、mは当該ブロックを構成する構造単位の重合度を表す。)
且つ、イオン交換基を実質的に有さないブロック(B)が下記式(1b’)、(2b’)及び(3b’)
(式中、Ar11〜Ar18は、互いに独立に側鎖としての置換基を有していてもよい2価の芳香族基を表す。nは当該ブロックを構成する構造単位の重合度を表す。その他の符号は、前記式(1b)〜(3b)と同義である。)
で表されるブロックから選ばれる1種以上を有することを特徴とする、<7>又は<8>の高分子電解質膜の連続的製造方法。
<10>前記高分子電解質膜が、少なくとも2つ以上の相にミクロ相分離した構造を有することを特徴とする、<1>〜<9>のいずれかの高分子電解質膜の連続的製造方法
<11>前記イオン伝導性高分子が、イオン交換基を有するブロック(A)と、イオン交換基を実質的に有さないブロック(B)とをそれぞれ一つ以上有し、共重合様式がブロック共重合又はグラフト共重合の共重合体であり、且つ、前記高分子電解質膜が、該イオン交換基を有するブロック(A)の密度がイオン交換基を実質的に有さないブロック(B)の密度より高い相と、該イオン交換基を実質的に有さないブロック(B)の密度がイオン交換基を有するブロック(A)の密度より高い相とを含むミクロ相分離構造を有することを特徴とする、<10>の高分子電解質膜の連続的製造方法。
<12>前記イオン伝導性高分子が、イオン交換基としてスルホン酸基を有することを特徴とする、<1>〜<11>のいずれかの高分子電解質膜の連続的製造方法。
本発明が提供する高分子電解質は、前記の特性を備えることから、特に燃料電池等の電気化学デバイスのイオン伝導膜として好適に使用することができるため、工業的に極めて有用である。
前記設定温度の調整方法としては、乾燥炉中を走行する積層フィルム1のイオン伝導性高分子を含有する層側に対峙するように電熱板が配置され、該電熱板からの輻射熱によって、積層フィルム1にあるイオン伝導性高分子を含む層から有機溶媒を除去する形式の場合は、該電熱板の設定温度を40〜150℃の範囲にすればよい。
熱風ヒーターを用いて、積層フィルム1にあるイオン伝導性高分子を含む層から有機溶媒を除去する形式の場合は、使用する熱風の温度を40〜150℃の範囲に設定する。なお、このような乾燥炉に使用する熱風としては、空気あるいは窒素等の不活性ガスからなるものを用いることもできるし、水蒸気(スチーム)を用いてもよい。さらに熱風の風下にダクトを設ける形式でもよい。
また、遠赤外線、赤外線、マイクロ波又は高周波から選ばれるエネルギー線を用いて、積層フィルム1にあるイオン伝導性高分子を含む層から有機溶媒を除去する形式を用いてもよい。この乾燥炉は、通常積層フィルム1の支持基材側から該エネルギー線を照射して支持基材を発熱させ、イオン伝導性高分子を含む層から有機溶媒を除去する形式である。この場合、予め使用する支持基材の材質に対して該エネルギー線の照射量と支持基材の発熱温度の相関を求めておき、支持基材の発熱温度が40〜150℃の範囲になるようにして、積層フィルム1の支持基材側に該エネルギー線を照射すればよい。
これら乾燥炉の形式の中でも、設備上安価であることと、乾燥炉内の温度分布の均一性から見た場合、熱風ヒーターを用いた形式(熱風ヒーター形式)であることが好ましい。なお、熱風の送風方向は、積層フィルム1の走行方向に対してほぼ平行に送風する形式でも、積層フィルム1の走行方向に対してほぼ垂直、すなわちダウンストリームで送風する形式でも、あるいはこれらを組合わせる形式でもよいが、好ましくは、積層フィルム1のイオン伝導性高分子を含有する層の有機溶媒の残存量が多い積層フィルム1では、該積層フィルム1の走行方向と平行で、且つ対向するような送風方向であると、積層フィルム1のイオン伝導性高分子を含む層の表面状態を著しく損なうことなく有機溶媒を除去できるので好ましい。
このようにして乾燥炉を通過せしめることにより、前記イオン伝導性高分子を含有する層から当該層にある有機溶媒が除去されて高分子電解質膜中間体へ転化する。すなわち、積層フィルム1が、高分子電解質膜中間体と支持基材とからなる積層フィルム2へと連続的に転化する。
まず、(i)において高分子電解質溶液を調製する。ここで高分子電解質を溶解し得る有機溶媒としては、具体的には、使用する1種または2種以上のイオン伝導性高分子を溶解し得る有機溶媒であり、必要に応じてイオン伝導性高分子以外の高分子、添加剤等の他の成分を共に用いる場合は、これらの成分も溶解して、高分子電解質溶液とし得るものであれば特に制限は無い。
本発明における高分子電解質を溶解し得る有機溶媒とは、得られる高分子電解質溶液を基準として、1重量%以上の濃度で高分子電解質を溶解し得る有機溶媒を意味し、好適には、当該高分子電解質を5〜50重量%の濃度で溶解し得る有機溶媒を用いる。
なお、高分子電解質として2種以上のイオン伝導性高分子を用いる場合、用いたイオン伝導性高分子の合計を5〜50重量%以上の濃度で溶解し得る有機溶媒を用いる。このようにイオン伝導性高分子を2種以上用いる場合や、イオン伝導性高分子以外の成分を併せて用いる場合、高分子電解質溶液を調製する際の仕込順序は特に制限されない。
該イオン伝導性高分子とは、イオン交換基を有する高分子であって、燃料電池のイオン伝導膜として用いたときに、イオン伝導、特にプロトン伝導に係るイオン交換基を有する高分子であることを意味する。該イオン交換基として、好適なものを例示すると、スルホン酸基(−SO3H)、ホスホン酸基(−PO3H2)、リン酸基(−OPO3H2)、スルホニルイミド基(−SO2−NH−SO2−)、カルボキシル基(−COOH)等のプロトン交換基が挙げられ、特にスルホン酸基が好ましい。なお、本発明の製造方法において、これらのプロトン交換基が、部分的にあるいは全てが金属イオンなどで交換されて塩を形成しているイオン伝導性高分子を用いてもよいが、実質的に全てのプロトン交換基が遊離酸の状態であるイオン伝導性高分子を用いることが好ましい。実質的に全てのプロトン交換基が遊離酸の状態であるイオン伝導性高分子は、本発明の製造方法を用いて高分子電解質膜を製造した後に、塩を形成しているプロトン交換基を遊離酸の状態のプロトン交換基に転換するという操作を行う必要がないため、燃料電池に適用する際にも有利である。
なお、炭化水素系イオン伝導性高分子は、典型的にはフッ素原子を全く有さないものであるが、部分的にフッ素原子を有していてもよい。ただし、コストから見た場合、実質的にフッ素原子を含まないものであると、フッ素系イオン伝導性高分子と比較して安価であるという利点を有する。より好適には、イオン伝導性高分子を構成する元素重量組成において、フッ素原子等のハロゲン原子が15重量%以下であることが好ましい。
とりわけ、高度の耐水性を得る観点からは、主鎖を構成する芳香環を有する芳香族炭化水素系高分子にイオン交換基を導入してなる炭化水素系イオン伝導性高分子が好ましく、主鎖を構成する芳香環に直接イオン交換基を導入してなるイオン伝導性高分子が特に好ましい。
(式中、Ar1〜Ar9は、互いに独立に、主鎖を構成する芳香環を有し、さらに芳香環を有する側鎖を有してもよい2価の芳香族基を表す。該主鎖を構成する芳香環か側鎖の芳香環の少なくともどちらかの芳香環に直接結合したイオン交換基を有する。
Z、Z’は互いに独立にカルボニル基(−CO−)又はスルホニル基(−SO2−)を表し、X、X’、X”は互いに独立にオキシ基(−O−)又はチオキシ基(−S−)を表す。Yは直接結合もしくは前記式(100)で示される基を表す。pは0、1又は2を表し、q、rは互いに独立に1、2又は3を表す。)
(式中、Ar11〜Ar19は、互いに独立に側鎖としての置換基を有していてもよい2価の芳香族基を表す。Z、Z’は互いに独立にカルボニル基(−CO−)又はスルホニル基(−SO2−)を表し、X、X’、X”は互いに独立にオキシ基(−O−)又はチオキシ基(−S−)を表す。Yは直接結合もしくは前記式(100)で示される基を表す。p’は0、1又は2を表し、q’、r’は互いに独立に1、2又は3を表す。)
アルキル基としてはメチル基、エチル基が挙げられ、アルコキシ基としてはメトキシ基、エトキシ基が挙げられ、アリール基としてはフェニル基、ナフチル基が挙げられ、アリールオキシ基としては、フェノキシ基、ナフチルオキシ基が挙げられ、アシル基としてはアセチル基、プロピオニル基が挙げられる。該置換基としては、それを構成する炭素原子数が少ないものが好適である。
なお、グラフト共重合体とは、ブロック(A)からなる分子鎖に、側鎖としてブロック(B)を有する構造の高分子であるか、ブロック(B)からなる分子鎖に、側鎖としてブロック(A)を有する構造の高分子を意味する。
なお、ブロック(A)において、「イオン交換基を有するブロック」とは、当該ブロックを構成する繰り返し単位1個あたりのイオン交換基数で表して、平均0.5個以上含まれているブロックであり、繰り返し単位1個あたりのイオン交換基数が平均1.0個以上含まれているとより好ましい。また、ブロック(B)において、「イオン交換基を実質的に有さないブロック」とは、当該ブロックを構成する繰り返し単位1個あたりのイオン交換基数で表して、平均0.5個未満であるブロックであり、繰り返し単位1個あたりのイオン交換基数が平均0.1個以下であるとより好ましい。0.05個以下が更に好ましい。
(r=1〜2.5、s=0〜0.5、繰り返し単位の添え字数字は繰り返し単位のモル分率を示す。)
(r=1〜2.5、s=0〜0.5、繰り返し単位の添え字数字は繰り返し単位のモル分率を示す。)
で示されるホスホン酸基含有ポリマーを化学的安定化剤として含有することができる。なお、上式において「−(P(O)(OH)2)r」及び「−(Br)s」の表記は、ビフェニリレンオキシ単位当たりに、ホスホン酸基が平均r個あり、ブロモ基が平均s個あることを意味する。
添加する化学的安定剤含有量は全体の20重量%以内が好ましく、この範囲であると、高分子電解質膜のイオン伝導性や耐水性等の特性が十分に維持され、該化学安定剤の効果が発現しやすいため好ましい。
図1は、第1の実施形態の要部を模式的に示す図である。調製工程(i)で得られた高分子電解質溶液1を塗布装置2に配置し、送り出しボビン3から送り出され連続的に走行する支持基材10上に、前記高分子電解質溶液1を塗布装置2から溶液キャストして、支持基材とイオン伝導性高分子を含む層からなる積層フィルム1(20)を連続的に形成する。ここで、支持基材10を走行させる手段としては、長尺の支持基材をボビンに備えた送り出しボビン3を強制回転させることで、塗布装置2への送り出す方式でもよいし、乾燥炉を通過した高分子電解質膜中間体と支持基材とからなる積層フィルム2を巻き取る巻き取りロール5を強制回転させることで、支持基材10を塗布装置2へと引き込む方式でもよいし、本発明の(i)〜(iii)で表される工程を連続して処理する途中に支持基材を走行させるためのガイドロール4を準備し、かかるガイドロール4を強制回転させる方式でもよい。
中でも、送り出しボビン3に巻き取られた形態で保持された支持基材10を連続的に送り出す方式が好ましく、さらには、送り出しボビン3が脱着可能であり、安定して連続に供給する機能を備えていれば特に好ましい。なお、支持基材10を塗布装置2へ供給する間、支持基材10に弛み等が発生しないように10〜1000N程度の張力を掛けておくことが好ましく、かかる張力は使用する支持基材の種類によって適宜最適化できる。
このようにして走行している支持基材上にイオン伝導性高分子を含む層を形成せしめた積層フィルム1(20)が連続的に形成される。なお、「イオン伝導性高分子を含む層」とは、使用した高分子電解質溶液に含まれる1種以上のイオン伝導性高分子、必要に応じて使用された添加剤及び流延時に揮発されず残存した有機溶媒を含有する層である。
なお、溶液キャスト法によって得られた積層フィルム1にあるイオン伝導性高分子を含む層の層厚は、最終的に得られる高分子電解質膜が10〜300μmになるような厚みを勘案して決定することが好ましく、かかるイオン伝導性高分子を含む層の層厚は、支持基材の走行速度、高分子電解質溶液の固形分濃度(「固形分」とは、高分子電解質溶液から揮発性の溶媒を除いたものを意味し、「固形分濃度」とは高分子電解質溶液全量に対する該固形分の重量濃度である)塗布装置における高分子電解質溶液の塗出量で調節することができる。
樹脂フィルムからなる支持基材としては、オレフィン系フィルム、ポリエステル系フィルム、ポリアミド系フィルム、ポリイミド系フィルム、フッ素樹脂系フィルム等が挙げられる。中でもポリエステル系フィルムやポリイミド系フィルムは、耐熱性、耐寸法安定性、耐溶剤性等に優れるため好ましい。ポリエステル系フィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、芳香族ポリエステル等が挙げられ、中でもポリエチレンテレフタレートは前記の諸特性に留まらず、汎用性やコスト面からも、工業的に好ましい。
当該乾燥炉は、前記のように好適な温度範囲である40〜150℃に設定される。かかる温度範囲としては50〜140℃が好ましい。
このように、所定の乾燥温度に設定された乾燥炉を通過させることで、積層フィルム1のイオン伝導性高分子を含有する層にある揮発成分(主として、前記高分子電解質溶液に使用した有機溶媒)を乾燥除去することで、支持基材上に高分子電解質膜中間体が積層された積層フィルム2(30)が連続的に得られる。なお、積層フィルム2にある「高分子電解質膜中間体」とは、前記調製工程(i)で得られた高分子電解質溶液に含まれる1種以上のイオン伝導性高分子、必要に応じて使用された添加剤、乾燥炉での乾燥処理によって除去しきれずに残存した有機溶媒を含有するものである。
高分子電解質膜中間体中に残存する有機溶媒量が40重量%より多いと、得られる高分子電解質膜のイオン伝導性は維持されるが、吸水寸法安定性が著しく悪化することに加え、該高分子電解質中間体自体の強度も不十分になり易く、強度低下が著しい場合、積層フィルム2を、巻き取りボビンを用いて巻き取ろうとすると、該高分子電解質膜中間体が破断する恐れもある。
一方、滞留時間が50分より長い場合は、得られる高分子電解質膜のイオン伝導性が極端に低下する。この理由は定かではないが、得られる高分子電解質膜の膜厚方向のイオン伝導経路が悪化しやすいと推定され、イオン伝導性高分子として好適なミクロ相分離構造を形成するものである場合、かかる相分離構造がイオン伝導を阻害するような形態になるものと推定される。また、滞留時間の超過は、生産性を低下させるといった問題もある。このように、本発明の製造方法が高水準のイオン伝導性と吸水寸法安定性を達成し得る高分子電解質膜を生成させる推定メカニズムを説明したが、乾燥炉に対する通過時間と当該乾燥炉を通過した積層フィルム2にある高分子電解質膜中間体中の残存有機溶媒量をコントロールすることによって、かかる効果が発現されるのは従来提案されていたような、比較的長時間の乾燥処理を適用している高分子電解質膜製造方法では想起し得ないものであり、本発明者らの独自の知見に基づくものである。
なお、乾燥炉中に前記加熱ゾーンを備える方法としては、使用する乾燥炉の形式に係る温度分布の均一性と、設定温度によって適宜好適な手段を得ることができる。具体的には、熱電対等の温度観測手段を備えた試験フィルムを乾燥炉内に連続走行させ、乾燥炉の設定温度と、実質的に乾燥炉中を走行するフィルム上の温度の相関を予め求めておけば、前記設定温度と乾燥炉を走行する連続フィルム上の温度の誤差から、好適な加熱ゾーンを乾燥炉中に配することができる。
乾燥炉の形式が好ましい熱風ヒーター形式である場合、乾燥炉中での温度分布は設定温度に対して、誤差が±3℃程度の範囲であるので、該誤差を勘案して乾燥炉中の温度分布の範囲が60〜130℃になるようにすれば、該乾燥炉を通過することが、前記加熱ゾーンを通過することと等しくなる。
図2は、3つの乾燥炉(支持基材走行方向の上手側から6C、6B、6A)を有する場合の連続的製造方法の要部を示す模式図である。3つの乾燥炉は少なくも1つの乾燥炉の設定温度を好適な40〜150℃の範囲とし、当該設定温度の乾燥炉を通過したときの積層フィルム1(20)の滞留時間が50分以下であり、当該設定温度の乾燥炉を通過したときの積層フィルム2にある高分子電解質膜中間体中の残留有機溶媒濃度が40重量%以下にすればよい。なお、設定温度が40〜150℃の乾燥炉が複数ある場合は、複数ある乾燥炉における各々の滞留時間の合計を50分以下として、複数ある乾燥炉において、最も下手にある乾燥炉を通過した積層フィルム2にある高分子電解質膜中間体中の残留有機溶媒濃度が40重量%以下にすればよい。仮に、図2において乾燥炉6Cと乾燥炉6Bの設定温度が40〜150℃である場合、乾燥炉6Cの滞留時間と乾燥炉6Bの滞留時間の合計を50分以下にして、乾燥炉6Bを通過した積層フィルム2(30A)にある高分子電解質膜中間体中の残留有機溶媒量が40重量%以下にすればよい。なお、この場合、設定温度が40〜150℃でない乾燥炉6Aの設定温度としては40℃未満であることが好ましい。
このように、積層フィルム2の洗浄について説明したが、洗浄装置は、本発明の連続製造方法を担う製造装置と別に準備することが、洗浄における操作性と、工程管理の容易さから好ましいので、本発明の連続的製造方法では一旦、巻き取りボビンに積層フィルム2を巻き取ることが好ましく、すなわち、前記(iii)を経て得られた積層フィルム2を巻芯に巻取る巻取り工程、を有することが好ましい。
本発明における高分子電解質膜の厚みは、前記のとおり10〜300μmが好ましい。厚みが10μm以上の膜では実用的な強度がより優れるため好ましく、厚みが300μm以下の膜では膜抵抗が小さくなり、電気化学デバイスの特性がより向上する傾向にあるので好ましい。
例えば、本発明の高分子電解質は、燃料電池等の電気化学デバイスのイオン伝導膜として好適である。この高分子電解質膜は、高いプロトン伝導性と優れた吸水寸法安定性を有するために、燃料電池用電解質膜として利用価値が高い。
燃料電池用電解質膜として使用される場合、前記の特性以外にも、ハンドリング性に優れ、所望の形状・寸法を確保した電極触媒層を形成し易い効果も期待できる。
従って本発明の製造方法により製造された高分子電解質膜は、高機能型の固体高分子型燃料電池用高分子電解質として、工業的に有利な膜となる。
なお、高分子電解質膜に対して水洗等の洗浄を行った場合は、燃料電池を組み立てる前は、該高分子電解質膜は必要に応じて、乾燥処理等を施して含有されている水分を除去して使用することが好ましい。
本発明の燃料電池は、プロトン伝導性高分子電解質膜の両面に、触媒及び集電体としての導電性物質を接合することにより製造することができる。
ここで触媒としては、水素又は酸素との酸化還元反応を活性化できるものであれば特に制限はなく、公知のものを用いることができるが、白金又は白金系合金の微粒子を用いることが好ましい。白金又は白金系合金の微粒子はしばしば活性炭や黒鉛などの粒子状又は繊維状のカーボンに担持されて用いられ、好ましく用いられる。
また、カーボンに担持された白金を、高分子電解質としてのパーフルオロアルキルスルホン酸樹脂のアルコール溶液と共に混合してペースト化したものを、ガス拡散層及び/又は高分子電解質膜に塗布・乾燥することにより触媒層が得られる。具体的な方法としては例えば、J. Electrochem. Soc.: Electrochemical Science and Technology, 1988, 135(9), 2209 に記載されている方法等の公知の方法を用いることができる。
集電体としての導電性物質に関しても公知の材料を用いることができるが、多孔質性のカーボン織布、カーボン不織布またはカーボンペーパーが、原料ガスを触媒へ効率的に輸送するために好ましい。
このようにして製造された本発明の燃料電池は、燃料として水素ガス、改質水素ガス、メタノールを用いる各種の形式で使用可能である。
測定に供する高分子電解質膜を、加熱温度105℃に設定されたハロゲン水分率計を用いて恒量になるまで乾燥させ、乾燥重量を求めた。次いで、この高分子電解質膜を0.1mol/L水酸化ナトリウム水溶液5mLに浸漬した後、さらに50mLのイオン交換水を加え、2時間放置した。その後、この高分子電解質膜が浸漬された溶液に、0.1mol/Lの塩酸を徐々に加えることで滴定を行い、中和点を求めた。そして、高分子電解質膜の乾燥重量と前記の中和に要した塩酸の量から、高分子電解質膜のイオン交換容量(単位:meq/g、以下「IEC」と呼ぶ)を算出した。
高分子電解質中間体中に残存する残留有機溶媒濃度(残留溶媒量)の測定は、下記のようにして行った。
なお、本実施例において、高分子電解質膜中間体中の残留溶媒量は、該高分子電解質膜を予めジメチルホルムアミドに溶解して測定した。
GC-MS装置 : QP−5000(島津製作所社製)
解析方法 :標準溶液の設定濃度(mg/L)を横軸、ピーク面積値を縦軸とした検量線を作成する。次の計算式を用いて高分子電解質膜中の残留溶媒量を算出する。
ここで言うプロトン伝導度は膜厚方向のプロトン伝導度を言い、23℃の環境下で先ず1mol/L硫酸中、膜厚方向に沿って交流インピーダンス法により測定された単位面積あたりの抵抗値を求める。下記文献記載の抵抗値方法において、セルをカーボン製セルに変更し、また白金黒付白金電極は使用せず、セルに直接インピーダンス測定装置の端子を接続して得られたセルを準備する。
このようなセルに高分子電解質膜をセットして抵抗値を測定し、その後高分子電解質膜を除いて再度抵抗値を測定して、両者の差から膜抵抗を算出した。高分子電解質膜の両側に接触させる溶液には、1mol/Lの希硫酸を用いた。希硫酸浸漬時の膜厚と抵抗値からプロトン伝導度を算出した。
(抵抗値測定法の文献:Desalination147(2002)191−196、新実験化学講座19 高分子化学(II)992p(日本化学会編、丸善))
高分子電解質膜を正方形に切り出し、得られた膜を80℃の水中に1時間浸漬した後、取り出した直後の一辺の長さLwを測定した。それから、膜を23℃、相対湿度50%の雰囲気で平衡吸水状態になるまで乾燥させ、上記と同じ一辺の長さLdを測定した。そして、これらの値を用い、吸水寸法変化率を、100×(Lw−Ld)/Ldの式に基づいて算出した。これをTD方向、MD方向其々求め、その平均値を面内寸法変化率とした。
アルゴン雰囲気下、共沸蒸留装置を備えたフラスコに、DMSO142.2重量部、トルエン55.6重量部、2,5−ジクロロベンゼンスルホン酸ナトリウム5.7重量部、末端クロロ型である下記ポリエーテルスルホン(下記式、住友化学製スミカエクセルPES5200P)
2.1重量部、2,2’−ビピリジル9.3重量部を入れて攪拌した。その後バス温を100℃まで昇温し、減圧下でトルエンを加熱留去することで系内の水分を共沸脱水した後、65℃に冷却後、常圧に戻した。次いで、これにビス(1,5−シクロオクタジエン)ニッケル(0)15.4重量部を加え、70℃に昇温し、同温度で5時間攪拌した。放冷後、反応液を大量のメタノールに注ぐことによりポリマーを析出させ濾別した。その後6mol/L塩酸水溶液による洗浄・ろ過操作を数回繰り返した後、濾液が中性になるまで水洗を行い、減圧乾燥することにより目的とする下記ポリアリーレン系ブロック共重合体3.0重量部を得た。IECは2.2meq/gであり、ゲルパーミエイションクロマトグラフィー(GPC)法で求められたポリスチレン換算の数平均分子量(Mn)は109000、重量平均分子量(Mw)は204000であった。これをBCP−1とする。なお、n、mはそれぞれのブロックを構成する繰り返し構造のブロック共重合体中の重合度を示す。
特開2006−66391号公報段落[0058]〜[0059]に記載のAD−2の製造方法と同様にして、下図に示すホスホン酸基含有ポリマー(下図においてビフェニルオキシ単位1個当たりにある平均ホスホン基数rは1.6個であり、平均臭素原子数sは0.1個以下であった。)を得た。これをAD−1とする。
合成例1で得られた、ブロック共重合体BCP−1と合成例2で得られたホスホン酸基含有ポリマー(AD−1とする)との混合物(重量比90対10)をDMSOに溶解して、濃度が10重量%の溶液を調製とした。これを高分子電解質溶液(A)とする。
得られた高分子電解質溶液(A)を、スロットダイを用いて、支持基材である巾300mm、長さ500mのポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(東洋紡績社製、E5000グレード)に連続的に流延塗布して、連続的に熱風ヒーター乾燥炉(設定温度80℃、該乾燥炉は設定温度に対して−2℃程度の温度誤差を有し、乾燥炉全体の温度分布(加熱ゾーン)は78〜80℃である)へと搬送し、溶媒を除去して高分子電解質膜中間体(33μm)を得た。
該乾燥炉での滞留時間および該乾燥炉を通過して得られた積層フィルム2にある高分子電解質膜中間体の残存有機溶媒量を表2に示す。
また、本実施例に先立って行った予備実験から、高分子電解質溶液(A)を支持基材に流延塗布後、乾燥炉に入炉する直前の積層フィルム1のイオン伝導性高分子を含有する層の残存有機溶媒量は約90重量%であった。
このようにして得られた積層フィルム2にある高分子電解質膜中間体を、2N塩酸に2時間浸漬後、2時間水洗を行い、更に風乾し、支持基材から剥離することで高分子電解質膜1を作製した。
実施例1と同じ高分子電解質溶液(A)を用いて下記の実験を行った。
高分子電解質溶液(A)を、スロットダイを用いて、支持基材である巾300mm、長さ500mのポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(東洋紡績社製、E5000グレード)に連続的に流延塗布して、連続的に熱風ヒーター乾燥炉(設定温度;75℃、該乾燥炉は設定温度に対して−2℃程度の温度誤差を有し、乾燥炉全体の温度分布(加熱ゾーン)は73〜75℃である)へと搬送し、溶媒を除去して高分子電解質膜中間体(21μm)を得た。
該乾燥炉での滞留時間および該乾燥炉を通過して得られた積層フィルム2にある高分子電解質膜中間体の残存有機溶媒量を表2に示す。
このようにして得られた積層フィルム2にある高分子電解質膜中間体を、2N塩酸に2時間浸漬後、2時間水洗を行い、更に風乾し、支持基材から剥離することで高分子電解質膜2を作製した。
実施例1と同じ高分子電解質溶液(A)を用いて下記の実験を行った。
高分子電解質溶液(A)を、スロットダイを用いて、支持基材である巾300mm、長さ500mのポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(東洋紡績社製、E5000グレード)に連続的に流延塗布して、連続的に熱風ヒーター乾燥炉(設定温度;100℃、該乾燥炉は設定温度に対して−2℃程度の温度誤差を有し、乾燥炉全体の温度分布(加熱ゾーン)は98〜100℃である)へと搬送し、溶媒を除去して高分子電解質膜中間体(21μm)を得た。
該乾燥炉での滞留時間および該乾燥炉を通過して得られた積層フィルム2にある高分子電解質膜中間体の残存有機溶媒量を表2に示す。
このようにして得られた積層フィルム2にある高分子電解質膜中間体を、2N硫酸に2時間浸漬後、2時間水洗を行い、更に風乾し、支持基材から剥離することで高分子電解質膜3を作製した。
実施例1と同じ高分子電解質溶液(A)を用いて下記の実験を行った。
高分子電解質溶液(A)を、スロットダイを用いて、支持基材として巾300mm、長さ500mのポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(東洋紡績社製、E5000グレード)に連続的に流延塗布して、連続的に熱風ヒーター乾燥炉設定温度;80℃、該乾燥炉は設定温度に対して−2℃程度の温度誤差を有し、乾燥炉全体の温度分布(加熱ゾーン)は78〜80℃である)へと搬送し、溶媒を除去して高分子電解質膜中間体(38μm)を得た。
該乾燥炉での滞留時間および該乾燥炉を通過して得られた積層フィルム2にある高分子電解質膜中間体の残存有機溶媒量を表2に示す。
このようにして得られた積層フィルム2にある高分子電解質膜中間体を、2N塩酸に2時間浸漬後、2時間水洗を行い、更に風乾し、支持基材から剥離することで高分子電解質膜4を作製した。
実施例1と同じ高分子電解質溶液(A)を用いて下記の実験を行った。
高分子電解質溶液(A)を、スロットダイを用いて、支持基材である巾300mm、長さ500mのポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(東洋紡績社製、E5000グレード)に連続的に流延塗布して、連続的に熱風ヒーター乾燥炉(設定温度80℃、該乾燥炉は設定温度に対して−2℃程度の温度誤差を有し、乾燥炉全体の温度分布(加熱ゾーン)は78〜80℃である)へと搬送し、溶媒を除去して高分子電解質膜中間体(32μm)を得た。
該乾燥炉での滞留時間および該乾燥炉を通過して得られた積層フィルム2にある高分子電解質膜中間体の残存有機溶媒量を表2に示す。
このようにして得られた積層フィルム2にある高分子電解質膜中間体を、2N塩酸に2時間浸漬後、2時間水洗を行い、更に風乾し、支持基材から剥離することで高分子電解質膜5を作製した。
6,6A,6B,6C・・・乾燥炉、2・・・塗布装置
100,200・・・高分子電解質膜の連続式製造装置
Claims (15)
- (i)イオン交換基を有するイオン伝導性高分子を含む高分子電解質を、該高分子電解質を溶解し得る有機溶媒に溶解して高分子電解質溶液を調製する調製工程、
(ii)連続的に走行している支持基材に、前記(i)で得られた高分子電解質溶液を流延塗布して、支持基材とイオン伝導性高分子を含有する層とが積層されてなる積層フィルム1を連続的に得る塗布工程、
(iii)前記(ii)で得られた積層フィルム1を、乾燥炉を通過させて、前記イオン伝導性高分子を含有する層に残存する前記有機溶媒を除去して、支持基材と高分子電解質膜中間体とが積層されてなる積層フィルム2を連続的に得る乾燥工程
を有する高分子電解質膜の製造方法であって、
前記(iii)における、積層フィルム1の乾燥炉中での滞留時間が50分以内であり、乾燥炉を通過した直後の積層フィルム2にある高分子電解質膜中間体中の残留有機溶媒濃度が40重量%以下であることを特徴とする、高分子電解質膜の連続的製造方法。 - 前記乾燥炉が、60〜130℃の加熱ゾーンを有することを特徴とする、請求項1に記載の高分子電解質膜の連続的製造方法。
- 前記乾燥炉に入炉する直前の積層フィルム1にあるイオン伝導性高分子を含有する層中の残留有機溶媒濃度が70重量%を越えることを特徴とする、請求項1又は2に記載の高分子電解質膜の連続的製造方法。
- さらに、(iv)前記(iii)で得られた積層フィルム2を巻芯に巻取る巻取り工程を有することを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の高分子電解質膜の連続的製造方法。
- 前記イオン伝導性高分子が、主鎖を構成する芳香環を有し、且つ主鎖を構成する芳香環に直接結合したイオン交換基又は他の原子もしくは原子団を介して間接的に結合したイオン交換基を有することを特徴とする、請求項1〜4のいずれかに記載の高分子電解質膜の連続的製造方法。
- 前記イオン伝導性高分子が、下記式(1a)、(2a)、(3a)及び(4a)
(式中、Ar1〜Ar9は、互いに独立に、主鎖を構成する芳香環を有し、さらに芳香環を有する側鎖を有してもよい2価の芳香族基を表し、該主鎖を構成する芳香環または側鎖の芳香環の少なくともどちらか一方の芳香環に直接結合したイオン交換基を有する。Z、Z’は、互いに独立にカルボニル基又はスルホニル基を表し、X、X’、X”は互いに独立にオキシ基又はチオキシ基を表す。Yは直接結合もしくは下記式(100)で示される基を表す。pは0、1又は2を表し、q、rは互いに独立に1、2又は3を表す。)
から選ばれるイオン交換基を有する構造単位1種以上と、
下記式(1b)、(2b)、(3b)及び(4b)
(式中、Ar11〜Ar19は、互いに独立に側鎖としての置換基を有していてもよい2価の芳香族基を表す。Z、Z’は、互いに独立にカルボニル基又はスルホニル基を表し、X、X’、X”は互いに独立にオキシ基又はチオキシ基を表す。Yは直接結合もしくは下記式(100)で示される基を表す。p’は0、1又は2を表し、q’、r’は互いに独立に1、2又は3を表す。)
から選ばれるイオン交換基を有さない構造単位1種以上とを有することを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の高分子電解質膜の連続的製造方法。
(式中、Ra及びRbは互いに独立に、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数1〜10のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜10のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数6〜18のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数6〜18のアリールオキシ基又は置換基を有していてもよい炭素数2〜20のアシル基を表し、RaとRbが連結してそれらが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。) - 前記イオン伝導性高分子が、イオン交換基を有するブロック(A)と、イオン交換基を実質的に有さないブロック(B)とを、それぞれ一つ以上有し、共重合様式がブロック共重合又はグラフト共重合の共重合体であることを特徴とする、請求項1〜6のいずれかに記載の高分子電解質膜の連続的製造方法。
- 前記イオン伝導性高分子が、前記イオン交換基を有するブロック(A)として、イオン交換基が主鎖を構成する芳香族環に直接結合しているブロックを有することを特徴とする、請求項7に記載の高分子電解質膜の連続的製造方法。
- 前記イオン伝導性高分子が、イオン交換基を有するブロック(A)として、下記式(4a’)で表されるブロックを有し、
(式中、Ar9は前記式(4a)のものと同じであり、mは当該ブロックを構成する構造単位の重合度を表す。)
且つ、イオン交換基を実質的に有さないブロック(B)が下記式(1b’)、(2b’)及び(3b’)
(式中、Ar11〜Ar18は、互いに独立に側鎖としての置換基を有していてもよい2価の芳香族基を表す。nは当該ブロックを構成する構造単位の重合度を表す。その他の符号は、前記式(1b)〜(3b)と同義である。)
で表されるブロックから選ばれる1種以上を有することを特徴とする、請求項7又は8に記載の高分子電解質膜の連続的製造方法。 - 前記高分子電解質膜が、少なくとも2つ以上の相にミクロ相分離した構造を有することを特徴とする、請求項1〜9のいずれかに記載の高分子電解質膜の連続的製造方法。
- 前記イオン伝導性高分子が、イオン交換基を有するブロック(A)と、イオン交換基を実質的に有さないブロック(B)とをそれぞれ一つ以上有し、共重合様式がブロック共重合又はグラフト共重合の共重合体であり、且つ、前記高分子電解質膜が、該イオン交換基を有するブロック(A)の密度がイオン交換基を実質的に有さないブロック(B)の密度より高い相と、該イオン交換基を実質的に有さないブロック(B)の密度がイオン交換基を有するブロック(A)の密度より高い相とを含むミクロ相分離構造を有することを特徴とする、請求項10記載の高分子電解質膜の連続的製造方法。
- 前記イオン伝導性高分子が、イオン交換基としてスルホン酸基を有することを特徴とする、請求項1〜11のいずれかに記載の高分子電解質膜の連続的製造方法。
- 請求項1〜12のいずれかに記載の連続的製造方法で得られる高分子電解質膜。
- 請求項13記載の高分子電解質膜を用いてなる膜電極接合体。
- 請求項14記載の膜電極接合体を備えた燃料電池。
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